KR100786722B1 - Method and system for reusing a slicon wafer - Google Patents

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Abstract

A method and a system for recycling a silicon wafer are provided to recycle wasted silicon wafers in various ways by removing circuit patterns printed on the wafers to prevent a leakage of business secret. A conveyor system(200) is connected to a filtering device(300) for an abrasive through an air/abrasive inhalation tube(630). The filtering device is connected to a collecting pump(500) for the abrasive and an air inhalation pump(400). A fixing plate is placed on the air/abrasive inhalation tube by the air inhalation pump, and fixed by a belt. Sand ejected from an eject tube are flowed into the air/abrasive inhalation tube. The filtering device filters the sand through the air/abrasive inhalation tube, thereby preventing the sand from being flowed into the air inhalation pump.

Description

실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템{method and system for reusing a slicon wafer}Method and system for reusing silicon wafers {method and system for reusing a slicon wafer}

도 1은 조각 조각난 실리콘 웨이퍼칩이 고정판에 부착되어 있는 상태를 나타낸 도,1 is a view showing a state in which a fragmented silicon wafer chip is attached to a fixed plate,

도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용시스템을 보인 장치 구성도,2 to 4 is a device configuration showing a recycling system of a silicon wafer according to an embodiment of the present invention,

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용방법을 설명하기 위한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a recycling method of a silicon wafer according to an embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

10: 웨이퍼칩 20: 고정판10: wafer chip 20: fixed plate

30: 연마재30: abrasive

100: 연마재 분사장치 110: 분사구100: abrasive spray device 110: nozzle

200: 컨베이어장치 210: 벨트200: conveyor apparatus 210: belt

211: 공기/연마재 흡입구211: Air / Abrasive Inlet

300: 연마재 필터링장치 400: 공기흡입펌프300: abrasive filtering device 400: air suction pump

500: 연마재 수집펌프500: abrasive collection pump

610: 제 1 밸브 620: 제 2 밸브610: first valve 620: second valve

630: 공기/연마재 흡입관 640: 공기흡입관630: air / abrasive suction pipe 640: air suction pipe

650: 연마재흡입관650: abrasive suction pipe

700: 냉각장치 710: 고정판 받침대700: cooling device 710: fixed plate stand

본 발명은 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템에 관한 것으로, 특히 반도체소자의 제조공정 중에 못 쓰게 되어 버려지는 실리콘웨이퍼를 태양전지소자 등의 재료로 재활용할 수 있도록 한 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a method and system for recycling a silicon wafer, and more particularly, to a method and system for recycling a silicon wafer in which a silicon wafer that is not used during the manufacturing process of a semiconductor device can be recycled to a material such as a solar cell device. will be.

일반적으로, 반도체산업은 우주개발과 미사일 등 새 군용기기의 발전과 직결되어 소형/경량의 고신뢰성 전자부품의 필요성으로부터 본격적인 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 시대로 접어들게 되었다. 즉, 트랜지스터 등 개별적 반도체소자들은 다른 전자회로소자들과 더불어 집적회로(integrated circuit; IC)의 형태로 시스템화되었고, 반도체산업은 집적회로 중심으로 변모하였다.In general, the semiconductor industry has entered the era of microelectronics in earnest from the necessity of small / light and highly reliable electronic components in direct connection with the development of new military equipment such as space development and missiles. In other words, individual semiconductor devices such as transistors have been systemized together with other electronic circuit elements in the form of integrated circuits (ICs), and the semiconductor industry has shifted to integrated circuits.

또한, 반도체산업의 발전은 오늘날의 컴퓨터산업의 성황을 가져오게 하였고, 에너지와 관련된 분야에서는 태양광에 의한 소규모 또는 대규모의 직접 발전을 위한 태양전지의 생산과 응용에 관련된 산업도 반도체산업의 일부로서 크게 부상되고 있다.In addition, the development of the semiconductor industry has brought about the prosperity of today's computer industry. In the energy-related field, the industry related to the production and application of solar cells for small-scale or large-scale direct generation by solar power is also part of the semiconductor industry. There is a big injury.

한편, 반도체소자는 그 종류에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 일반적으로 단결정 규소봉 성장, 규소봉 절단, 실리콘웨이퍼의 표면연마, 회로설계, 마스크(mask)제작, 산화공정, 감광액(photoresist) 도포, 노광 공정, 현상 공정, 식각공정, 이온주입공정, 및 화학기상증착 공정 등을 거쳐 제조될 것이다. 이때, 이러 한 공정을 진행하다 보면 부득이하게, 반도체 제조 기기의 오류나 여러 가지 환경요인으로 인해 원하는 특성을 갖지 못하는 실리콘웨이퍼가 생기게 되는바, 이들은 일반적으로 다른 용도로 재활용하지 못하고 실리콘웨이퍼의 비용이 고가임에도 불구하고 전량 폐기된다고 하는 문제점이 있었다.On the other hand, semiconductor devices will be added little by little depending on the type, but in general, single crystal silicon rod growth, silicon rod cutting, surface polishing of silicon wafer, circuit design, mask fabrication, oxidation process, photoresist coating , An exposure process, a developing process, an etching process, an ion implantation process, and a chemical vapor deposition process. In this process, unavoidably, silicon wafers that do not have desired characteristics due to errors or various environmental factors of semiconductor manufacturing equipment are inevitably generated, and they are generally not recycled for other purposes and the cost of silicon wafers is high. Despite this, there was a problem that the whole amount is discarded.

물론, 이러한 폐 실리콘웨이퍼를 전술한 태양전지 등의 재료로 재활용할 수 있는 방도가 마련되어 있다. 그러나, 반도체소자 제조업체는 실리콘웨이퍼에 새겨진 회로패턴의 영업상 비밀 유지를 위해 실리콘웨이퍼의 외부로의 방출을 꺼리고 있는바, 이는 폐 실리콘웨이퍼의 재활용에 크나큰 장벽이 되고 있다는 것이다.Of course, there is provided a method for recycling such waste silicon wafers to materials such as solar cells. However, semiconductor device manufacturers are reluctant to release silicon wafers outward in order to maintain trade secrets of circuit patterns engraved on silicon wafers, which is a great barrier to the recycling of waste silicon wafers.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 폐 실리콘웨이퍼의 이면을 진공 흡착한 상태에서 샌드블라스트(sand blast) 공법을 이용하여 폐 실리콘웨이퍼의 표면에 새겨진 회로패턴을 제거함으로써, 원활하게 폐 실리콘웨이퍼를 재활용할 수 있도록 한 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, by smoothly removing the circuit pattern engraved on the surface of the waste silicon wafer using a sand blast method in a vacuum suction on the back surface of the waste silicon wafer, It is an object of the present invention to provide a method and system for recycling a silicon wafer to recycle waste silicon wafers.

또한, 본 발명은 폐 실리콘웨이퍼의 이면을 고정판에 접착한 후에 이 고정판을 진공 흡착한 상태에서 샌드블라스트 공법을 이용하여 폐 실리콘웨이퍼의 표면에 새겨진 회로패턴을 제거함으로써, 원활하게 폐 실리콘웨이퍼를 재활용할 수 있도록 한 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템을 제공하는데 다른 목적이 있다.In addition, the present invention by smoothly recycling the waste silicon wafer by removing the circuit pattern engraved on the surface of the waste silicon wafer using the sandblasting method in the state in which the fixed plate is vacuum-adsorbed after adhering the back surface of the waste silicon wafer to the fixed plate. Another object is to provide a method and system for recycling a silicon wafer.

전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용 방법은 표면에 회로패턴이 형성되어 있는 폐 실리콘웨이퍼 원판의 이면을 고정하는 (a1) 단계; 및 상기 (a1) 단계에 의해 고정된 폐 실리콘웨이퍼 원판의 표면에 연마재를 분사하여 상기 회로패턴을 제거하는 (b1) 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a method of recycling a silicon wafer according to an embodiment of the present invention includes the steps of fixing the back surface of the original silicon wafer disk circuit pattern is formed on the surface (a1); And (b1) removing the circuit pattern by spraying an abrasive on the surface of the waste silicon wafer disc fixed by the step (a1).

본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용 방법은 표면에 회로패턴이 형성되어 있는 폐 실리콘웨이퍼칩의 이면을 고정판에 접착한 후, 상기 고정판을 고정하는 (a2)단계; 상기 (a2)단계에 의해 고정된 고정판에서 상기 폐 실리콘웨이퍼칩의 표면에 연마재를 분사하여 상기 회로패턴을 제거하는 (b2) 단계; 및 상기 (b2) 단계가 수행된 고정판을 미리 정해진 시간 동안 냉각하여 상기 고정판과 상기 폐 실리콘웨이퍼칩을 분리하는 (c) 단계를 포함하여 이루어진다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of recycling a silicon wafer. (B2) removing the circuit pattern by spraying an abrasive on the surface of the waste silicon wafer chip in the fixed plate fixed by the step (a2); And (c) separating the fixed plate and the waste silicon wafer chip by cooling the fixed plate on which the step (b2) is performed for a predetermined time.

전술한 구성에서, 상기 (a1) 단계는 상기 폐 실리콘웨이퍼 원판의 이면을 진공 흡착하여 수행되고, 상기 (a2) 단계는 상기 고정판의 이면을 진공 흡착하여 수행되는 것이 바람직하다.In the above configuration, the step (a1) is preferably carried out by vacuum adsorption of the back surface of the waste silicon wafer disc, the step (a2) is preferably performed by vacuum adsorption of the back surface of the fixed plate.

또한, 상기 (b1) 단계는 상기 폐 실리콘웨이퍼 원판이 컨베이어벨트에 진공 흡착된 상태에서 상기 컨베이어벨트가 구동되면서 수행되고, 상기 (b2) 단계는 상기 폐 실리콘웨이퍼칩이 접착된 고정판이 컨베이어벨트에 진공 흡착된 상태에서 상기 컨베이어벨트가 구동되면서 수행되는 것이 바람직하다.In addition, the step (b1) is carried out while the conveyor belt is driven while the waste silicon wafer disc is vacuum-adsorbed to the conveyor belt, the step (b2) is a fixed plate to which the waste silicon wafer chip is bonded to the conveyor belt Preferably, the conveyor belt is driven while being vacuum-adsorbed.

또한, 상기 (b1) 단계 및 상기 (b2) 단계는 샌드블라스트 공법으로 수행되는 것이 바람직하다.In addition, the step (b1) and (b2) is preferably carried out by a sandblasting method.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용시스템은 컨베이어 벨트를 구비하고, 상기 컨베이어벨트를 구동하여 상기 컨베이어벨트에 놓이게 되는 폐 실리콘웨이퍼를 운송하는 컨베이어장치; 상기 컨베이어장치의 상부에 설치되어, 상기 컨베이어장치의 상기 컨베이어벨트 상으로 연마재를 뿜어내는 연마재분사장치; 및 고정판에 접착된 채로 상기 연마재분사장치에 의해 회로패턴이 제거된 상기 폐 실리콘웨이퍼와 이를 고정하고 있는 고정판을 냉각하는 냉각장치를 포함하여 이루어진다.Recycling system of a silicon wafer according to another embodiment of the present invention is a conveyor device having a conveyor belt, the conveyor device for transporting the waste silicon wafer to be placed on the conveyor belt by driving the conveyor belt; An abrasive spraying device installed on an upper portion of the conveyor apparatus to eject abrasive onto the conveyor belt of the conveyor apparatus; And a cooling device for cooling the waste silicon wafer from which the circuit pattern is removed by the abrasive spraying device and adhered to the fixed plate, and the fixed plate fixing the fixed silicon wafer.

전술한 구성에서, 상기 컨베이어벨트에는 공기/연마재 흡입구가 미리 정해진 간격마다 천공되되, 상기 실리콘웨이퍼의 재활용시스템은 공기/연마재 흡입관을 통해 상기 컨베이어장치와 연결되는 공기흡입펌프를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the above configuration, the conveyor belt is perforated air / abrasive inlet at a predetermined interval, the silicon wafer recycling system preferably further comprises an air suction pump connected to the conveyor apparatus through the air / abrasive suction pipe. .

또한, 상기 실리콘웨이퍼의 재활용시스템은 상기 공기/연마재 흡입관을 통해 유입되는 연마재를 거르는 연마재 필터링장치; 및 상기 연마재 필터링장치에서 걸러진 연마재를 수집하여 상기 연마재분사장치로 제공하는 연마재수집펌프를 더 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.In addition, the recycling system of the silicon wafer includes an abrasive filtering device for filtering the abrasive flowing through the air / abrasive suction pipe; And an abrasive collection pump collecting the abrasive filtered by the abrasive filtering device and providing the abrasive to the abrasive spraying device.

이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the recycling method and system of a silicon wafer in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 실리콘웨이퍼 원판에서 필요에 따라 조각조각 분리된 웨이퍼칩이 고정판에 부착되어 있는 상태를 나타낸 도인바, 이때 웨이퍼칩(10)에서 회로패턴이 새겨진 면이 아닌 그 반대 면이 고정판(20)에 부착되는 것이다. 고정판(20)은 플라스틱이나 비닐 등의 재질의 판의 일면에 접착제 이를테면, 액상 접착제나 양면테이프를 형성한 것일 수 있다.1 is a diagram illustrating a state in which a wafer chip separated into pieces as necessary in a silicon wafer original plate is attached to a fixed plate, where a circuit pattern is engraved on the wafer chip 10, and the opposite side is a fixed plate 20. To be attached to. The fixing plate 20 may be an adhesive such as a liquid adhesive or a double-sided tape formed on one surface of a plate made of a plastic or vinyl material.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용시스템을 보인 장치 구성도이다.2 to 4 is a block diagram showing an apparatus for recycling a silicon wafer according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘웨이퍼의 재활용시스템은 연마재분사장치(100), 컨베이어장치(200), 연마재 필터링장치(300), 공기흡입펌프(400), 연마재수집펌프(500), 및 냉각장치(700)를 포함하여 이루어질 수 있다.2 to 4, the recycling system of the silicon wafer according to the present invention is an abrasive spraying device 100, conveyor apparatus 200, abrasive filtering device 300, air suction pump 400, abrasive collection It may include a pump 500, and the cooling device 700.

전술한 구성에서, 컨베이어장치(200)는 웨이퍼칩(10)이 부착된 고정판(20)을 운송하는 것이다. 연마재분사장치(100)는 이러한 컨베이어장치(200)의 위에 설치된 채로, 컨베이어장치(200)에 의해 운송되는 고정판(20)으로 연마재 이를 테면, 모래를 뿜어대는 것인바, 이에 따라 웨이퍼칩(10)에 새겨진 회로패턴이 컨베이어장치(200)에 의해 운송되는 과정 중에서 지워지게 된다. 여기서, 샌드블라스트 즉, 모래의 분사법에는 압축공기를 사용하는 것과 원심력을 이용하는 것이 될 수 있다. 또한, 샌드블라스트 공정시 웨이퍼칩(10)이 휘날리지 않도록 하기 위해서는 고정판(20)에 강력한 접착력이 요구된다.In the above-described configuration, the conveyor apparatus 200 transports the fixed plate 20 to which the wafer chip 10 is attached. While the abrasive injection device 100 is installed on the conveyor device 200, the abrasive, such as sand, is sprayed onto the fixed plate 20 carried by the conveyor device 200, and thus, the wafer chip 10. The circuit pattern engraved on it is erased in the process of being transported by the conveyor apparatus 200. Here, sandblasting, that is, sand blowing, may use compressed air and centrifugal force. In addition, in order to prevent the wafer chip 10 from flying during the sandblasting process, a strong adhesive force is required on the fixing plate 20.

또한, 컨베이어장치(200)에는 그 주된 구성요소로써 고정판(20)을 운반하는 컨베이어벨트(210)가 구비되는바, 이 벨트(210)에는 고정판(20)을 고정하는 것은 물론, 연마재분사장치(100)의 분사구(110)로부터 뿜어져 나오는 모래를 수집하여 재활용하기 위한 공기/연마재 흡입구(211)가 일정한 간격마다 천공되어 있다.In addition, the conveyor device 200 is provided with a conveyor belt 210 for transporting the fixed plate 20 as its main component, which is fixed to the fixed plate 20, as well as the abrasive injection device ( The air / abrasive inlet 211 for collecting and recycling the sand emitted from the injection hole 110 of 100 is drilled at regular intervals.

즉, 도 3에 도시한 바와 같이 컨베이어장치(200)는 공기/연마재 흡입관(630)을 통해 연마재 필터링장치(300)와 연결되고 이 필터링장치(300)는 연마재 수집펌 프(500)와 공기흡입펌프(400)와 연결되는바, 이 공기흡입펌프(400)의 구동에 따른 강력한 공기흡입에 의해 공기/연마재 흡입구(211) 위에 놓이게 되는 고정판(20)이 벨트(210)에 고정되고, 분사구(110)로부터 분출되는 모래가 공기/연마재 흡입구(211)로 유입된다. 또한, 연마재 필터링장치(300)는 공기/연마재 흡입관(630)을 통해 이송되는 연마재 즉, 모래를 거르는 것이다. 이에 따라, 모래가 공기 흡입펌프(400)로 유입되는 것이 방지된다.That is, as shown in Figure 3, the conveyor device 200 is connected to the abrasive filtering device 300 through the air / abrasive suction pipe 630, the filtering device 300 is the abrasive collection pump 500 and air suction Bar fixed to the belt 210 is fixed to the belt 210 is connected to the pump 400, which is placed on the air / abrasive inlet 211 by the powerful air suction according to the driving of the air suction pump 400, The sand ejected from the 110 flows into the air / abrasive inlet 211. In addition, the abrasive filtering device 300 filters the abrasive, that is, sand, which is transferred through the air / abrasive suction pipe 630. Accordingly, sand is prevented from entering the air suction pump 400.

또한, 연마재 수집펌프(500)는 연마재 필터링장치(300)에 의해 걸러진 모래를 수집하는 것인바, 이에 의해 연마재 분사장치(100)는 모래를 재활용할 수 있게 된다.In addition, the abrasive collection pump 500 is to collect the sand filtered by the abrasive filtering device 300, whereby the abrasive injector 100 is able to recycle the sand.

또한, 제 1 밸브(610)는 연마재 필터링장치(300)와 연마재 수집펌프(500)를 연결하는 연마재 흡입관(650)의 적소에 설치되어 모래가 연마재 수집펌프(500)에 의해 연마재 분사장치(100)로 수집되는 것을 조절하게 된다. 아울러, 제 2 밸브(620)는 연마재 필터링장치(300)와 공기흡입펌프(400)를 연결하는 공기흡입관(640)의 적소에 설치되어 공기 흡입력을 조절하는 것이다.In addition, the first valve 610 is installed in place of the abrasive suction pipe 650 connecting the abrasive filtering device 300 and the abrasive collection pump 500, the sand is abrasive abrasive device 100 by the abrasive collection pump 500. To control what is collected. In addition, the second valve 620 is installed in place of the air suction pipe 640 connecting the abrasive filtering device 300 and the air suction pump 400 to adjust the air suction force.

한편, 이러한 컨베이어장치(200) 및 연마재 분사장치(100)를 이용하여 웨이퍼칩(10)에 새겨진 회로패턴을 제거한 후에는 웨이퍼칩(10)과 고정판(20)을 분리하는 공정이 수행되어야 할 것이다. 이때, 작업자가 웨이퍼칩(10)을 그 고정판(20)으로부터 억지로 떼어내려고 하는 경우에는 고정판(20)의 강력한 접착력에 의해 웨이퍼칩(10)이 깨져버릴 수 있다.On the other hand, after removing the circuit pattern engraved on the wafer chip 10 by using the conveyor apparatus 200 and the abrasive injection device 100 will be performed to separate the wafer chip 10 and the fixed plate 20. . At this time, when the operator tries to forcibly remove the wafer chip 10 from the fixed plate 20, the wafer chip 10 may be broken by the strong adhesive force of the fixed plate 20.

이를 방지하기 위해 웨이퍼칩(10)의 연마 공정이 종료되면, 도 4에 도시한 바와 같이 웨이퍼칩(10)이 부착된 고정판(20)을 냉각장치(700)의 고정판받침대(710)에 올려 놓은 후 소정의 시간 동안 급속 냉각시키는 공정이 필요하게 된다. 이러한 냉각 공정에 의해 고정판(20)이 수축되기 때문에, 웨이퍼칩(10)이 고정판(20)으로부터 원활하게 떨어지게 된다.In order to prevent this, when the polishing process of the wafer chip 10 is completed, as shown in FIG. 4, the fixing plate 20 to which the wafer chip 10 is attached is placed on the fixing plate support 710 of the cooling device 700. Thereafter, a process of rapidly cooling for a predetermined time is required. Since the fixed plate 20 is contracted by this cooling process, the wafer chip 10 is smoothly separated from the fixed plate 20.

이상으로 실리콘웨이퍼의 재활용시스템을 살펴보았는바, 이하에서는 도 5를 참조로 하여 상기한 재활용시스템에서 수행되는 실리콘웨이퍼의 재활용방법을 설명한다.As described above, the recycling system of the silicon wafer has been described. Hereinafter, the recycling method of the silicon wafer performed in the recycling system will be described with reference to FIG. 5.

도 5에 도시한 바와 같이, 먼저 단계 S11에서 작업자는 반도체소자의 제조공정 중에서 나오게 되는 폐 실리콘웨이퍼 즉, 웨이퍼칩(10)을 준비된 다수의 고정판(20)에 부착한다. 이때, 회로패턴의 새겨진 부분이 고정판(20)에 부착되지 않도록 주의가 요구될 것이다.As shown in FIG. 5, first, in step S11, an operator attaches a waste silicon wafer, that is, a wafer chip 10, which is released during a manufacturing process of a semiconductor device, to a plurality of prepared fixing plates 20. At this time, care should be taken so that the engraved portion of the circuit pattern is not attached to the fixing plate 20.

다음으로, 단계 S13에서 작업자는 컨베이어장치(200), 공기흡입펌프(400), 및 연마재 분사장치(100)를 구동시킨다. 또한, 컨베이어장치(200)를 통해 운송되는 고정판(20)이 유동되지 않도록 제 2 밸브(620)를 조절하여 공기흡입력이 미리 정해진 수치 예를 들면, 100마력이 될 수 있게 한다.Next, in step S13, the operator drives the conveyor apparatus 200, the air suction pump 400, and the abrasive injection apparatus 100. In addition, by adjusting the second valve 620 so that the fixed plate 20 transported through the conveyor device 200 does not flow, the air suction input can be a predetermined value, for example, 100 horsepower.

다음으로, 단계 S15에서는 웨이퍼칩(10)이 부착된 고정판(20)을 컨베이어 벨트(210)에 탑재하게 된다. 이때, 재활용 대상이 실리콘웨이퍼 원판인 경우에는 고정판(20)에 부착될 필요없이 직접, 컨베이어 벨트(210)에 탑재될 수 있다.Next, in step S15, the fixed plate 20 to which the wafer chip 10 is attached is mounted on the conveyor belt 210. In this case, in the case where the recycling target is the silicon wafer original plate, it may be directly mounted on the conveyor belt 210 without being attached to the fixed plate 20.

다음으로, 단계 S17에서는 컨베이어장치(200)로부터 운송되어 온 고정판(20)을 준비된 냉각장치(700)로 집어넣은 후, 단계 S19에서 미리 정해진 시간동안 냉각 장치(700)를 구동하게 된다. 이때, 연마 대상이 웨이퍼 원판인 경우에는 이러한 냉각 공정이 필요없게 된다.Next, in step S17, the fixed plate 20 transported from the conveyor apparatus 200 is put into the prepared cooling apparatus 700, and then the cooling apparatus 700 is driven for a predetermined time in step S19. At this time, when the polishing target is a wafer disc, such a cooling step is unnecessary.

마지막으로, 단계 S21에서는 연마 및 냉각 공정이 종료된 웨이퍼칩(10)을 고정판(20)에서 분리하게 된다.Finally, in step S21, the wafer chip 10 having the polishing and cooling processes completed is separated from the fixed plate 20.

즉, 이렇게 연마 공정이 수행된 웨이퍼원판과, 연마 및 냉각 공정이 수행된 웨이퍼칩(10)은 외부로의 유출이 꺼리게 되는 회로패턴이 지워지게 되어 원활하게 유통될 수 있게 됨에 따라, 실리콘웨이퍼의 다양한 재활용 산업이 이용될 수 있게 된다.That is, since the wafer disc thus polished and the wafer chip 10 subjected to the polishing and cooling have been removed, the circuit pattern which is reluctant to leak to the outside can be erased so that the wafer can be smoothly distributed. Various recycling industries are available.

본 발명의 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.The recycling method and system of the silicon wafer of the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be carried out in various modifications within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실리콘웨이퍼의 재활용 방법 및 시스템에 따르면, 샌드블라스트 공법 등을 이용하여 폐 실리콘 웨이퍼 상에 새겨진 회로패턴을 제거함으로써, 영업비밀의 유출될 염려가 사라지게 되어 폐 실리콘웨이퍼가 다양하게 재활용될 수 있는 활로가 열리게 되는 효과가 있다.According to the method and system for recycling the silicon wafer of the present invention as described above, by removing the circuit pattern engraved on the waste silicon wafer using a sandblasting method, the risk of leakage of trade secrets disappears, It has the effect of opening a track that can be recycled in various ways.

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 표면에 회로패턴이 형성되어 있는 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩의 이면을 고정판에 접착한 후, 상기 고정판을 진공 흡착에 의하여 고정하는 (a2) 단계;Attaching a back surface of the scrapped waste silicon wafer chip having a circuit pattern formed on the surface thereof to the fixing plate, and then fixing the fixing plate by vacuum suction (a2); 상기 (a2) 단계에 의해 고정된 고정판에 접착된 상기 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩의 표면에 연마제를 분사하여 상기 회로패턴을 제거하는 (b2) 단계; 및(B2) removing the circuit pattern by spraying an abrasive on a surface of the scrapped waste silicon wafer chip bonded to the fixed plate fixed by the step (a2); And 상기 (b2) 단계가 수행된 고정판을 상기 고정판과 상기 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩간의 접착력이 저하되어 원활하게 떨어질 정도로 일정 시간 동안 냉각하여 상기 고정판과 상기 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩을 상호 분리하는 (c) 단계를 포함하여 이루어진 실리콘웨이퍼의 재활용방법.(C) separating the fixed plate and the fragmented waste silicon wafer chip by cooling the fixed plate on which the step (b2) is performed for a predetermined time such that the adhesion between the fixed plate and the fragmented waste silicon wafer chip is smoothly dropped. Recycling method of the silicon wafer comprising a. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 (b2)단계는 상기 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩이 접착된 고정판이 컨베이어벨트에 진공 흡착된 상태에서 상기 컨베이어벨트가 구동되면서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 재활용방법. Wherein (b2) is the recycling method of the silicon wafer, characterized in that is performed while the conveyor belt is driven while the fixed plate to which the scrapped waste silicon wafer chip is bonded to the conveyor belt in a vacuum. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 (b2) 단계는 샌드블라스트 공법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 재활용방법.The step (b2) of the silicon wafer recycling method, characterized in that carried out by a sandblasting method. 컨베이어벨트를 구비하고, 상기 컨베이어벨트를 구동하여 상기 컨베이어벨트에 놓이게 되는 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩이 접착된 고정판을 운송하는 컨베이어장치;A conveyor apparatus including a conveyor belt, and driving the conveyor belt to transport the fixed plate to which the scrapped waste silicon wafer chips adhered to the conveyor belt; 상기 컨베이어장치의 상부에 설치되어, 상기 컨베이어장치의 상기 컨베이어 벨트 상으로 연마재를 뿜어내는 연마재분사장치; 및An abrasive spraying device installed on an upper portion of the conveyor apparatus to eject abrasive onto the conveyor belt of the conveyor apparatus; And 상기 고정판에 접착된 채로 상기 연마재분사장치에 의해 회로패턴이 제거된 상기 조각난 폐 실리콘웨이퍼칩과 이를 고정하고 있는 상기 고정판을 냉각하는 냉각장치를 포함하여 이루어진 실리콘웨이퍼의 재활용시스템.And a cooling device for cooling the scrapped waste silicon wafer chip, from which the circuit pattern is removed by the abrasive spraying device, while being bonded to the fixed plate, and a cooling device for fixing the fixed plate holding the scraped silicon wafer. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 컨베이어벨트에는 공기/연마재 흡입관의 단부에 형성되는 공기/연마재 흡입구가 미리 정해진 간격마다 천공되되,The conveyor belt is perforated at predetermined intervals of the air / abrasive inlet formed at the end of the air / abrasive suction pipe, 상기 공기/연마재 흡입관을 통해 상기 컨베이어장치와 연결되는 공기흡입펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 재활용시스템.And an air suction pump connected to the conveyor apparatus through the air / abrasive suction pipe. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 공기/연마재 흡입관을 통해 유입되는 연마재를 거르는 연마재 필터링장치; 및An abrasive filtering device that filters the abrasive flowing through the air / abrasive suction pipe; And 상기 연마재 필터링장치에서 걸러진 연마재를 수집하여 상기 연마재분사장치로 제공하는 연마재수집펌프를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 재활용시스템.And an abrasive collecting pump which collects the abrasive filtered by the abrasive filtering device and provides the abrasive to the abrasive spraying device.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003760A (en) * 1998-06-29 2000-01-25 김영환 Equipment for sand blast
KR20050038728A (en) * 2003-10-22 2005-04-29 주식회사 유스테크코리아 Method to remove print pattern of semiconductor wafer and device thereof
JP2005123541A (en) 2003-10-20 2005-05-12 Teikoku Ion Kk Method for recycling used silicon single crystal substrate
KR20060057012A (en) * 2003-09-19 2006-05-25 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003760A (en) * 1998-06-29 2000-01-25 김영환 Equipment for sand blast
KR20060057012A (en) * 2003-09-19 2006-05-25 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer
JP2005123541A (en) 2003-10-20 2005-05-12 Teikoku Ion Kk Method for recycling used silicon single crystal substrate
KR20050038728A (en) * 2003-10-22 2005-04-29 주식회사 유스테크코리아 Method to remove print pattern of semiconductor wafer and device thereof

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