KR100781285B1 - Lead frame for led and led package - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional light emitting device package.
도 2는 본 발명의 리드 프레임의 제1실시예를 나타내는 분해사시도이다.2 is an exploded perspective view showing the first embodiment of the lead frame of the present invention.
도 3은 본 발명의 리드 프레임의 결합된 상태를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view showing a coupled state of the lead frame of the present invention.
도 4는 도 3의 A - A 선 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
도 5는 본 발명의 리드 프레임에 몰딩부를 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a state in which a molding part is formed in a lead frame of the present invention.
도 6은 본 발명의 리드 프레임의 제1실시예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the first embodiment of the lead frame of the present invention.
도 7은 본 발명의 리드 프레임의 제2실시예를 나타내는 분해사시도이다.7 is an exploded perspective view showing a second embodiment of the lead frame of the present invention.
도 8은 본 발명의 리드 프레임의 제2실시예를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the lead frame of the present invention.
도 9는 본 발명의 리드 프레임의 멀티칩 구성을 위한 제2프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.9 is a plan view showing an example of a second frame for the multichip configuration of the lead frame of the present invention.
도 10은 도 9의 B - B 선 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 9.
도 11은 본 발명의 리드 프레임의 멀티칩 구성을 위한 제1프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.11 is a plan view showing an example of a first frame for the multichip configuration of the lead frame of the present invention.
도 12는 본 발명의 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.12 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device package of the present invention.
도 13은 본 발명의 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 평면도이다.13 is a plan view showing an example of a light emitting device package of the present invention.
도 14는 본 발명의 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타내는 평면도이다.14 is a plan view showing another example of the light emitting device package of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
100 : 제1프레임 110 : 히트싱크100: first frame 110: heat sink
111 : 제1홈 120 : 제1테두리111: first groove 120: first border
200 : 제2프레임 210 : 장착부200: second frame 210: mounting portion
220 : 리드 221 : 제2홈220: lead 221: second groove
230 : 제2테두리 300 : 공간부230: Second border 300: Space part
400 : 발광 소자 칩 500 : 충진재400: light emitting device chip 500: filler
600 : 렌즈600: Lens
본 발명은 발광 소자용 리드 프레임 및 발광 소자 패키지에 관한 것으로 특히, 제작이 용이하고 멀티칩 적용이 가능한 발광 소자용 리드 프레임 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device lead frame and a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device lead frame and a light emitting device package that can be easily manufactured and multi-chip application.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.Light Emitting Diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light.In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, along with GaP: N series green LEDs. It has been used as a light source for display images of electronic devices, including.
이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다. The wavelength of light emitted by such LEDs depends on the semiconductor material used to make the LEDs. This is because the wavelength of the emitted light depends on the band-gap of the semiconductor material, which represents the energy difference between the valence band electrons and the conduction band electrons.
질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)에 의해 고출력 전자소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.Gallium nitride compound semiconductors (Gallium Nitride (GaN)) have attracted much attention in the field of high power electronics development due to their high thermal stability and wide bandgap (0.8-6.2 eV). One reason for this is that GaN can be combined with other elements (indium (In), aluminum (Al), etc.) to produce semiconductor layers that emit green, blue and white light.
이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다. In this way, the emission wavelength can be adjusted to match the material's characteristics to specific device characteristics. For example, GaN can be used to create white LEDs that can replace incandescent and blue LEDs that are beneficial for optical recording.
또한, 종래의 녹색 LED의 경우에는 처음에는 GaP로 구현이 되었는데, 이는 간접 천이형 재료로서 효율이 떨어져서 실용적인 순녹색 발광을 얻을 수 없었으나, InGaN 박박성장이 성공함에 따라 고휘도 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.In addition, in the case of the conventional green LED, it was initially implemented as GaP, which was inefficient as an indirect transition type material, and thus practical pure green light emission could not be obtained. However, as InGaN thin film growth succeeded, high brightness green LED could be realized. It became.
이와 같은 이점 및 다른 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다. Because of these and other benefits, the GaN series LED market is growing rapidly. Therefore, since commercial introduction in 1994, GaN-based optoelectronic device technology has rapidly developed.
GaN 발광 다이오드의 효율은 백열등의 효율을 능가하였고, 현재는 형광등의 효율에 필적하기 때문에, GaN 계열의 LED 시장은 급속한 성장을 계속할 것으로 예 상된다. Since the efficiency of GaN LEDs surpassed that of incandescent lamps and is now comparable to that of fluorescent lamps, the GaN LED market is expected to continue to grow rapidly.
이와 같은 LED 소자는 개개의 소자가 제조된 후에 패키징되어 사용된다. 도 1에서는 이러한 LED 패키지(10)의 일례를 도시하고 있다.Such LED devices are packaged and used after the individual devices are manufactured. 1 shows an example of such an LED package 10.
이러한 LED 패키지(10)의 구성은, 히트싱크(12)를 포함하는 플라스틱 패키지 바디(11)에 LED 칩(20)이 마운팅된다.In the configuration of the LED package 10, the
상기 LED 칩(20)은 와이어(14)를 통하여 리드(13)와 전기적으로 연결되고, LED 칩(20) 상측에는 수지(15)와 실리콘(17)과 같은 봉지재가 채워지며, 그 상측에는 렌즈(16)가 구비된다.The
이와 같은 구조의 LED 패키지는 LED 구동 시 발생하게 되는 열이 열 전달 속도가 늦은 플라스틱의 패키지 바디(11)를 통하여 전달 되므로 방열 효과가 낮을 뿐만 아니라, 이로 인하여 LED의 광 특성이 저하될 수 있다.The LED package having such a structure is not only low in heat dissipation effect because the heat generated when driving the LED is transmitted through the
또한, 이러한 플라스틱 패키지 바디(11) 사이에 히트싱크(12)를 삽입하여 수행하는 패키지 공정은 빠른 공정 속도를 기대하기 어렵다.In addition, a package process performed by inserting the
특히, LED를 배열하여 백라이트 등의 조명장치로 사용하는 경우, 그 크기, 광 균일성, 비용문제로 인해 그 구현이 어려울 뿐 아니라, 적색, 녹색, 및 청색을 하나의 패키지에 구성하는 멀티칩 패키지의 적용이 용이하지 않은 문제점이 있었다.In particular, when LEDs are arranged and used as lighting devices such as backlights, the size, light uniformity, and cost are difficult to implement, and a multi-chip package in which red, green, and blue are formed in one package. There was a problem that is not easy to apply.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 제작이 용이하고 멀티칩 적용이 가능하여, 백색을 포함한 다양한 색을 발광하는 발광 소자 패키지를 용이하게 제작할 수 있는 발광 소자용 리드 프레임 및 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a lead frame and a light emitting device package for a light emitting device that can be easily manufactured and can be multi-chip applied to easily produce a light emitting device package that emits various colors including white. have.
상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 히트싱크를 포함하는 제1프레임과; 상기 제1프레임 상측에 결합되며, 중앙측에 홀이 형성된 장착부와, 상기 히트싱크과 적어도 일부분이 중첩되고 서로 마주보도록 위치하는 적어도 한 쌍의 리드를 포함하여 이루어지는 제2프레임과; 상기 히트싱크와 리드 사이에 간격을 형성하는 공간부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.In order to achieve the above technical problem, the present invention, the first frame including a heat sink; A second frame coupled to an upper side of the first frame and including a mounting portion having a hole formed at a center thereof, and at least a pair of leads overlapping at least a portion of the heat sink and facing each other; It is preferably configured to include a space that forms a gap between the heat sink and the lid.
상기 공간부는, 상기 히트싱크에 상기 리드와 중첩되는 부분에 형성되는 제1홈일 수 있고, 또한, 상기 리드의 하측에 상기 히트싱크와 중첩되는 부분에 형성되는 제2홈이 공간부를 이룰 수 있다.The space portion may be a first groove formed in a portion overlapping the lead in the heat sink, and a second groove formed in a portion overlapping the heat sink in the lower side of the lead may form a space portion.
이때, 상기 제1프레임과 제2프레임의 테두리측을 결합하는 몰딩부가 추가 구성될 수 있다.In this case, a molding part for coupling the edge of the first frame and the second frame may be further configured.
상기 장착부는, 원형으로 형성되거나, 직사각형, 타원형 등의 형상으로 형성될 수 있고, 제2프레임의 중앙측으로 경사진 경사부를 포함할 수 있으며, 이러한 경사부에는 반사면이 형성될 수 있다.The mounting part may be formed in a circular shape, a rectangular shape, an elliptical shape, or the like, and may include an inclined part inclined toward the center of the second frame, and the inclined part may have a reflective surface.
상기 리드는 3쌍이 구비되어, 상기 장착부에 3개의 발광 소자 칩이 부착될 수 있으며, 4쌍 이상이 구비되어, 4개 이상의 발광 소자 칩이 부착될 수도 있다.The lead may be provided with three pairs, and three light emitting device chips may be attached to the mounting portion, and four or more pairs may be provided, and four or more light emitting device chips may be attached.
이때, 3쌍의 리드가 구성되는 경우에는, 이러한 3쌍의 리드는 서로 평행하게 구성될 수 있다.In this case, when three pairs of leads are configured, the three pairs of leads may be configured in parallel with each other.
한편, 상기 제1프레임과 제2프레임에는 테두리가 구성될 수 있다.Meanwhile, an edge may be formed in the first frame and the second frame.
즉, 상기 히트싱크는 제1프레임의 제1테두리에 연결되고, 상기 장착부와 리드는 제2프레임의 제2테두리에 연결되며, 상기 제1테두리와 제2테두리는 서로 겹쳐지도록 함으로써, 리드 프레임이 구성될 수 있다.That is, the heat sink is connected to the first edge of the first frame, the mounting portion and the lead are connected to the second edge of the second frame, and the first frame and the second border so that the lead frame overlaps with each other Can be configured.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 히트싱크를 포함하는 제1프레임과; 상기 제1프레임 상측에 결합되며, 중앙측에 홀이 형성된 장착부와, 상기 히트싱크과 적어도 일부분이 중첩되고 서로 마주보도록 위치하는 적어도 한 쌍의 리드를 포함하여 이루어지는 제2프레임과; 상기 히트싱크와 리드 사이에 간격을 형성하는 공간부와; 상기 제1프레임과 제2프레임의 테두리측을 결합하는 몰딩부와; 상기 장착부에 결합되는 발광 소자 칩을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.As another aspect for achieving the above technical problem, the present invention, the first frame including a heat sink; A second frame coupled to an upper side of the first frame and including a mounting portion having a hole formed at a center thereof, and at least a pair of leads overlapping at least a portion of the heat sink and facing each other; A space portion forming a gap between the heat sink and the lid; A molding part for coupling the edges of the first frame and the second frame; It is preferably configured to include a light emitting device chip coupled to the mounting portion.
상기 장착부에는 3개 또는 4개의 발광 소자 칩이 결합될 수 있으며, 이러한 발광 소자 칩은 모두 한가지 색을 발광하는 발광 소자 칩이 부착될 수 있고, 적색, 녹색, 및 청색의 3원색의 발광 소자 칩이 구성될 수도 있다.Three or four light emitting device chips may be coupled to the mounting unit. The light emitting device chips may be attached to light emitting device chips that emit one color. The light emitting device chips of three primary colors of red, green, and blue may be attached. This may be configured.
상기와 같이, 4개의 발광 소자 칩이 결합되는 경우에는, 상기 적색, 녹색, 및 청색과, 이들의 밝기를 보충하기 위한 하나의 색을 발광하는 발광 소자 칩이 더 구비될 수 있다.As described above, when the four light emitting device chips are combined, the light emitting device chip for emitting one of the red, green, and blue and one color for supplementing the brightness thereof may be further provided.
한편, 상기 발광 소자 칩의 상측에는, 봉지재와; 렌즈를 더 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the sealing material on the upper side of the light emitting device chip; It may be configured to further include a lens.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2에서 도시하는 바와 같이, 제1프레임(100)과 제2프레임(200)이 서로 결합되어 발광 소자 칩이 설치될 수 있는 리드 프레임이 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the
즉, 제1프레임(100)에는 제1테두리(120)의 내측에 히트싱크(110)가 제1연결부(121)에 의하여 연결되어 제공될 수 있고, 제2프레임(200)에는 제2테두리(230)의 내측에 장착부(210)와 리드(220)가 제2연결부(231)에 의하여 연결되어 제공될 수 있다.That is, the
상기 장착부(210)의 내측에는 발광 소자 칩이 장착되기 위한 홀(211)이 형성될 수 있고, 이러한 장착부(210)는 원형의 형상을 이룰 수 있으며, 제2프레임(200)의 중앙측으로 경사지게 형성될 수 있다.A
도 2에서와 같이, 상기 장착부(210)는 제2테두리(230)에 두 개의 제2연결부(231)에 연결되며, 히트싱크(110)는 두 개의 제1연결부(121)에 의하여 제1테두리(120)에 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the mounting
이러한 연결부(121, 231) 및 테두리(120, 230)는 추후에 발광 소자의 패키지 과정에서 제거될 수 있다.The
한편, 상기 제1프레임(100)과 제2프레임(200)이 결합될 때, 상기 히트싱크(110)와 리드(220)가 중첩되는 부분에는 제1홈(111)이 형성되어, 리드(220)와 히트싱크(110) 사이의 단락(short)을 방지할 수 있다.Meanwhile, when the
이러한 제1프레임(100)과 제2프레임(200)이 결합되면 도 3과 같은 상태를 이루게 된다.When the
도 4는 이러한 제1프레임(100)과 제2프레임(200)이 결합된 상태의 단면을 나 타내고 있다.4 shows a cross section of the
이와 같이, 결합된 제1프레임(100)과 제2프레임(200)의 테두리측에는 도 5에서와 같이, 몰딩부(240)가 형성되어, 제1프레임(100)과 제2프레임(200)을 고정시킬 수 있다.As described above, a
이때, 이러한 몰딩부(240)의 형성은 트랜스퍼 몰딩(Transfer Molding) 또는 인젝션 몰딩(Injection Molding)이 모두 적용 가능하다.In this case, the
이러한 과정 후에, 상술한 연결부(121, 231) 및 테두리(120, 230)는 제거되어, 도 6과 같은 리드 프레임이 이루어진다.After this process, the
이때, 도시하는 바와 같이, 히트싱크(110)와 리드(220) 사이에는 공간부(300)가 형성되며, 이 경우에는 히트싱크(110)에 형성된 제1홈(111)이 이러한 공간부(300)가 형성될 수 있도록 한다.At this time, as shown, the
한편, 도 7에서 도시하는 바와 같이, 이러한 공간부(300)를 형성하기 위하여 히트싱크(110)에 홈(111)을 형성하는 대신에 리드(220)의 하측 일부에 제2홈(221)을 형성할 수도 있다. 그 외의 나머지 구성은 도 2의 경우와 동일하다.Meanwhile, as shown in FIG. 7, instead of forming the
상술한 도 3 내지 도 5의 과정과 동일한 과정에 의하여, 도 7에서 도시하는 구성은 도 8과 같은 리드 프레임을 형성하게 된다.By the same process as that of FIGS. 3 to 5 described above, the configuration shown in FIG. 7 forms the lead frame as shown in FIG. 8.
도시하는 바와 같이, 이러한 예에서의 공간부(300)는 히트싱크(110)와 리드(220)가 중첩되는 부분의 리드(220)의 하측에 형성되는 제2홈(221)에 의하여 이루어진다.As shown, the
경우에 따라서, 상술한 바와 같이, 리드(220)에 제2홈(221)을 형성함으로써 공간부(300)를 형성하는 것은, 히트싱크(110)에 제1홈(111)을 형성함으로써 공간부(300)를 형성하는 것보다 유리할 수 있다.In some cases, as described above, forming the
이는, 상기 리드 프레임에 여러 개의 발광 소자 칩을 결합하게 되는 경우, 즉, 멀티 칩(Multi Chip) 패키지를 적용할 경우에는 적용하는 칩의 수만큼 리드(220)의 수도 증가하게 되고, 결과적으로 단락 방지를 위한 공간부(300)도 이와 같이 증가한 리드(220)의 수만큼 증가하게 된다.When the plurality of light emitting device chips are coupled to the lead frame, that is, when the multi chip package is applied, the number of
그러나 이러한 홈을 형성함에 있어서, 히트싱크(110)를 포함하는 하부의 제1프레임(100)은 두꺼운 재료를 이용하기 때문에 제1홈(111)과 같은 복잡한 형상의 패턴을 적용하기에 어려움이 있을 수 있기 때문이다.However, in forming such a groove, since the lower
또한, 상부에 위치하는 제2프레임(200)은 하부의 제1프레임(100)에 비하여 두께가 상대적으로 얇기 때문에 에칭 공정 또는 스탬핑 공정을 이용하여 용이하게 제2홈(221)을 형성하여 공간부(300)를 이룰 수 있다.In addition, since the thickness of the
도 9 내지 도 14에서는 이러한 리드 프레임을 멀티 칩에 적용한 실시예를 나타내고 있다.9 to 14 show an embodiment in which such a lead frame is applied to a multi chip.
즉, 여러 개의 발광 소자 칩을 이용하여 패키지를 구성하기 위해서는, 도 9에서 도시하는 바와 같이, 여러 쌍의 리드(220)가 구비될 수 있다.That is, in order to configure a package using a plurality of light emitting device chips, as shown in FIG. 9, a plurality of pairs of
도 9에서는 3개의 발광 소자 칩을 적용하기 위하여 제2프레임(200)에 3쌍의 리드(220)가 구비된 상태를 나타내고 있다. In FIG. 9, three pairs of
도 10에서와 같이, 각각의 리드(220)의 하측에는 상술한 바와 같이 공간부(300: 도 12 참고)를 형성하기 위하여 제2홈(221)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 10, a
따라서, 모든 리드(220)는 히트싱크(110)와의 접촉이 일어나지 않도록 하여 단락을 방지할 수 있다.Accordingly, all leads 220 may prevent short circuits by preventing contact with the
또한, 장착부(210)는 발광 소자 칩의 장착 공간을 고려하여 길이방향의 홀(221)을 갖는 형상으로 형성될 수 있으며, 직사각형 또는 타원형의 형상을 이룰 수 있다.In addition, the mounting
이러한 장착부(210)는 제2연결부(231)에 의하여 제2테두리(230)에 연결된 상태로 제공될 수 있다.The mounting
이때, 도 11에서와 같이, 제1프레임(100)은 히트싱크(110)를 포함하며, 상술한 바와 마찬가지로, 제1연결부(121)에 의하여 제1테두리(120)에 연결되어 제공될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 11, the
이와 같이, 도 9 내지 도 11에서와 같은 제1프레임(100) 및 제2프레임(200)은 상술한 바와 같은 제조공정에 의하여 리드 프레임으로 완성될 수 있고, 이러한 리드 프레임에 발광 소자 칩을 패키징 하면 도 12 및 도 13과 같은 상태가 될 수 있다.As described above, the
즉, 히트싱크(110)의 상측에 장착부(210)와 리드(220)가 몰딩부(240)에 의하여 결합되어 리드 프레임이 이루어지며, 이러한 장착부(210)에는 발광 소자 칩(400)이 장착된다.That is, the mounting
이러한 발광 소자 칩(400)은 열전달물질에 의하여 상기 히트싱크(110)에 부착되고, 와이어(410)에 의하여 리드(220)에 전기적으로 연결된다.The light emitting
그런 후에 이러한 발광 소자 칩(400)의 상측에는 봉지재(500)가 충진될 수 있고, 이러한 봉지재(500)의 상측에는 렌즈(600)가 장착될 수 있다.Thereafter, the
상기 봉지재(500)는 실리콘 봉지재 또는 기타 수지가 이용될 수 있다.The
한편, 경우에 따라, 상기 봉지재(500)에는 발광 소자 칩(400)에서 발광되는 빛의 색상을 변화시키는 형광체가 포함될 수 있다.In some cases, the
도 13에서는 3가지 색의 빛을 발광하는 발광 소자 칩(400)이 결합된 발광 소자 패키지를 나타내고 있으며, 이러한 3가지 색은 적색, 녹색, 및 청색일 수 있고, 이러한 3가지 색의 빛은 서로 혼합되어 백색광을 이룰 수 있다.FIG. 13 illustrates a light emitting device package in which a light emitting
한편 도 14에서와 같이, 4개의 발광 소자 칩(400)을 구비하여 패키지를 구성할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 14, four light emitting
즉, 상기 적색, 녹색, 및 청색 발광 소자 칩 중에서 보강이 필요한 빛을 발광하는 발광 소자 칩을 더 구비하여 패키지를 형성할 수 있다.That is, the package may be formed by further comprising a light emitting device chip that emits light that needs reinforcement among the red, green, and blue light emitting device chips.
도 14에서는 4개의 발광 소자 칩(400)과 리드(220)가 방사형으로 배치된 상태를 도시하고 있으나, 도 13과 같이 일직선상으로 배치할 수 있음은 물론이다.In FIG. 14, four light emitting
또한, 이와 같이, 4개의 발광 소자 칩(400) 뿐 아니라, 그 이상의 발광 소자 칩(400)과 리드(220)를 배치하여 구성할 수도 있다.As described above, not only the four light emitting
물론, 백색 이외의 다양한 색상의 빛을 발광할 수 있는 발광 소자 패키지를 형성할 수 있다.Of course, it is possible to form a light emitting device package capable of emitting light of various colors other than white.
또한, 백색 발광 소자 칩을 멀티 칩으로 구성하여 그 휘도를 증가시킬 수 있음은 물론이다. 따라서, 이와 같이 휘도가 증가한 패키지를 이용하여 조명용, 기타 장식용 패키지로 이용할 수 있다.In addition, the luminance of the white light emitting device chip may be increased by configuring the multi-chip. Therefore, the package with increased brightness can be used for lighting and other decorative packages.
상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.The above embodiment is an example for explaining the technical idea of the present invention in detail, and the present invention is not limited to the above embodiment, various modifications are possible, and various embodiments of the technical idea are all protected by the present invention. It belongs to the scope.
이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.The present invention as described above has the following effects.
첫째, 두 개의 프레임을 결합함으로써 용이하게 리드 프레임을 제작할 수 있다.First, a lead frame can be easily manufactured by combining two frames.
둘째, 이와 같이, 두 개의 프레임을 결합함에 있어서, 단락 발생을 방지하는 공간부를 용이하게 구성할 수 있다.Second, in this way, when combining the two frames, it is possible to easily constitute a space to prevent the occurrence of short circuit.
셋째, 패키지의 열 방출 특성을 개선할 수 있다.Third, it is possible to improve the heat dissipation characteristics of the package.
넷째, 멀티칩 적용이 가능하여, 장식용, 조명용 패키지를 용이하게 구성할 수 있다.Fourth, multi-chip application is possible, it is possible to easily configure a package for decoration, lighting.
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