KR100773232B1

KR100773232B1 - 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이

Info

Publication number: KR100773232B1
Application number: KR1020060138736A
Authority: KR
Inventors: 구영수
Original assignee: 주식회사 실트론
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2006-12-29
Publication date: 2007-11-05

Abstract

본 발명은 웨이퍼 트레이에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 적재된 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 트레이에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명인 웨이퍼 트레이는, 웨이퍼가 적재되는 홈의 중앙이 홈의 가장자리에 비하여 낮게 되도록 홈의 바닥면이 경사지게 형성된다.

웨이퍼, 웨이퍼 트레이, 오염

Description

웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이{Wafer tray for preventing wafer contamination}

도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 트레이에 웨이퍼가 적재되는 것을 보여주는분해 사시도.

도 2는 도 1의 웨이퍼 트레이를 보여주는 평면도.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 단면도.

도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 단면도.

도 5는 도 1의 웨이퍼 트레이를 사용한 경우에 웨이퍼가 오염된 것을 보여주는 도면.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이를 보여주는 평면도.

도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 단면도.

도 8은 도 6의 Ⅷ-Ⅷ' 단면도.

도 9는 도 5의 웨이퍼 트레이를 사용한 경우에 웨이퍼가 오염된 것을 보여주는 도면.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이를 보여주는 평면도.

도 11은 도 10의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 단면도.

도 12는 도 10의 ⅩⅡ-ⅩⅡ' 단면도.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이를 보여주는 단면도.

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이를 보여주는 단면도.

<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>

1 : 웨이퍼 10, 100a, 100b, 100c : 웨이퍼 트레이

20, 20a, 20b, 20c : 홈 30 : 가이드 링

40 : 돌출부

본 발명은 웨이퍼 트레이에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 적재된 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 트레이에 관한 것이다.

일반적으로, 웨이퍼 뒷면에 산화막(SiO₂ film)을 입히기 위해서는 상압 씨브이디(CVD) 공정을 주로 적용하며, 상압 CVD 공정에서는 웨이퍼를 이송하기 위하여 웨이퍼 트레이(wafer tray)를 사용하고 있다.

도 1 내지 도 4에 나타난 바와 같이, 웨이퍼 트레이(10)에는 중앙부에 웨이퍼(1)가 적재될 수 있는 홈(12)이 형성된다. 상압 CVD 공정은 웨이퍼(1)가 홈(12) 에 적재된 상태에서 진행된다. 이 때, 홈(12)의 바닥면이 평평하기 때문에 웨이퍼(1)의 뒤쪽 전체면이 홈(12)의 바닥면에 접촉하게 되고, 따라서, 도 5에 나타난 바와 같이, 웨이퍼(1)의 뒤쪽 전체면이 오염된다는 문제점이 발생하게 된다.

본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 상압 CVD 공정 중에 웨이퍼 트레이에 적재된 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 트레이를 제공하는 데에 그 목적이 있다.

상기 문제점들을 해결하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이는, 웨이퍼가 적재되는 홈의 중앙이 홈의 가장자리에 비하여 낮게 되도록 홈의 바닥면이 경사지게 형성된다.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 웨이퍼 트레이는, 웨이퍼를 지지할 수 있는 가이드 링이 홈의 바닥면에 설치된다.

바람직하게, 가이드 링은 횡단면의 바깥쪽이 높고 안쪽이 낮게 형성된다.

여기에서, 가이드 링은 홈의 측벽을 따라 설치된 것이 바람직하다.

본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 트레이는, 웨이퍼가 적재되는 홈의 측벽에 홈의 중앙을 향하여 아래를 향하도록 형성된 경사면을 구비한다.

본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 트레이는, 웨이퍼가 적재되는 홈의 바닥면에 웨이퍼를 지지할 수 있는 돌출부가 형성된다.

바람직하게, 돌출부는 홈의 가장자리를 따라 형성된다.

이하, 첨부된 도면들을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ’단면도이며, 도 8은 도 6의 Ⅷ-Ⅷ’단면도이다.

도면을 참조하면, 상기 웨이퍼 트레이(100)는 홈(20)의 중앙이 가장자리에 비하여 낮게 되도록 홈(20)의 바닥면이 경사지게 형성된다.

따라서, 웨이퍼 트레이(100)에 웨이퍼(1)가 적재되면, 웨이퍼(1)의 에지(edge)(도 1의 3)만이 홈(20)의 바닥면과 접촉된다. 그러므로, 웨이퍼(1)의 에지(edge)(3)를 제외한 나머지 부분이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 웨이퍼(1)는 로보트 핀(미도시)에 의하여 홈(20)에 안착되거나 홈(20)으로부터 밖으로 이동된다. 따라서, 홈(20)에는 로보트 핀(미도시)이 관통하는 관통홈(미도시)이 형성되지만, 본 명세서의 도면에서는 그 도시를 생략하기로 한다.

도 9는 이러한 웨이퍼 트레이(100)에 적재되어 상압 CVD 공정을 거친 웨이퍼를 보여준다. 도 5와 비교하면, 웨이퍼 트레이(100)를 사용한 경우가 오염의 정도가 훨씬 작음을 알 수 있다.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 보여주는 평면도이고, 도 11은 도 10의 ⅩⅠ-ⅩⅠ’단면도이며, 도 12는 도 10의 ⅩⅡ-ⅩⅡ’단면도이다.

상기 웨이퍼 트레이(100a)에는 웨이퍼(1)를 지지할 수 있는 가이드 링(30)이 홈(20a)의 측벽(21a)을 따라 설치되고, 가이드 링(30)은 횡단면의 바깥쪽이 높고 안쪽이 낮게 형성된다. 가이드 링(30)은 웨이퍼(1)의 에지(edge)(3)를 지지함으로써 에지(3)를 제외한 나머지 부분이 오염되는 것을 방지한다. 가이드 링(30)은 그 바깥면이 홈(20a)의 측벽(21a)에 접촉되도록 설치되는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼 트레이(100a)는 바닥면이 평평한 종래의 웨이퍼 트레이(10)에 가이드 링(30)을 설치하여 만들 수 있기 때문에 종래의 웨이퍼 트레이(10)를 활용할 수 있다는 장점이 있다.

한편, 도면은 홈(20a)의 측벽(21a)을 따라 설치된 가이드 링(30)을 보여주고 있으나, 가이드 링(30)은 홈(20a)의 다른 위치 예를 들어, 홈(20a)의 중앙에 설치될 수도 있다.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 보여주는 단면도이다.

상기 웨이퍼 트레이(100b)는 홈(20b)의 측벽(21b)에 형성된 경사면(22b)을 구비한다. 경사면(22b)은 홈(20b)의 중앙을 향하여 아래를 향하도록 형성된 것으로서, 웨이퍼(1) 에지(3)와 접촉된다.

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 보여주는 단면도이다. 상기 웨이퍼 트레이(100c)는 홈(20c)의 바닥면에 마련된 돌출부(40)를 구비한다. 돌출부(40)가 웨이퍼(1)를 지지함으로써 웨이퍼(1)의 오염을 최소화할 수 있다.

바람직하게, 돌출부(40)는 홈(20c)의 가장 자리를 따라 형성된다. 또한, 웨이퍼(1)와의 접촉면적을 최소화할 수 있도록 돌출부(40)의 상단이 뾰족하게 형성되는 것이 바람직하다. 돌출부(40)는 바닥면과 일체로 형성될 수도 있고, 바닥면에 탈착 가능하게 설치될 수도 있다. 돌출부(40)가 바닥면에 탈착 가능하게 설치되는 경우에는 종래의 웨이퍼 트레이(10)를 활용할 수 있다는 장점이 있다.

알려진 바와 같이, 웨이퍼(1) 제작공정은 잉곳 그로잉(Ingot Growing) 공정과, 웨이퍼(1) 형태로 가공하는 쉐이핑(shaping) 공정과, 경면화를 진행하는 폴리싱(Polishing) 공정과, 에피택셜(Epitaxial)층을 성장시키는 에피 그로잉(EPI Growing) 공정 순으로 진행된다.

CVD 공정은 상기 공정 중에서 폴리싱(Polishing) 공정 이전에 진행되는 것이 보통이지만, 양면 폴리싱(Polishing)되는 제품은 스탁 폴리싱(Stock Polishing) 후에 CVD 공정을 진행하고 최종 폴리싱(Final Polishing)을 하게 된다. 특히, 양면 폴리싱하는 제품은 CVD 공정 후 최종 폴리싱을 하는 경우에 제거량이 작기 때문에 오염에 특별히 취약하다. 본 발명은 CVD 공정에서 웨이퍼(1)가 오염되는 것을 방지 하기 때문에 양면 폴리싱을 적용하는 제품에 그 효과가 더욱 크다.

본 출원인은 12인치 양면 폴리싱 제품에 대해 최종 폴리싱을 CVD를 적용하지 않은 제품에 비하여 두 배의 제거(removal)량을 적용하고 있다. 본 발명을 적용하게 되면 CVD를 적용한 제품에 대해 제거(removal)량을 획기적으로 줄일 수 있기 때문에 고품질의 웨이퍼(1)를 얻을 수 있다는 장점이 있다.

한편, 이상의 명세서에서는 상압 CVD 공정에서 웨이퍼(1)의 오염을 방지하는 것을 예로 들어 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 에피 그로잉(EPI Growing) 공정의 서셉터(susceptor)에 적용하여 웨이퍼(1) 뒷면(backside)의 오염을 방지할 수도 있다.

본 발명에 따른 웨이퍼 트레이는 적재된 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있고, 기존의 웨이퍼 트레이를 활용할 수 있다는 장점이 있다. 또한, CVD 공정을 거친 제품에 대해 제거(removal)량을 획기적으로 줄일 수 있다.

Claims

웨이퍼가 적재되는 홈이 형성된 웨이퍼 트레이에 있어서,

홈의 중앙이 홈의 가장자리에 비하여 낮게 되도록 홈의 바닥면이 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
웨이퍼가 적재되는 홈이 형성된 웨이퍼 트레이에 있어서,

웨이퍼를 지지할 수 있는 가이드 링이 홈의 바닥면에 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
제2항에 있어서,

가이드 링은 횡단면의 바깥쪽이 높고 안쪽이 낮게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
제2항 또는 제3항에 있어서,

가이드 링은 홈의 측벽을 따라 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
웨이퍼가 적재되는 홈이 형성된 웨이퍼 트레이에 있어서,

홈의 측벽에 홈의 중앙을 향하여 아래를 향하도록 형성된 경사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
웨이퍼가 적재되는 홈이 형성된 웨이퍼 트레이에 있어서,

홈의 바닥면에 웨이퍼를 지지할 수 있는 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.
제6항에 있어서,

돌출부는 홈의 가장자리를 따라 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 오염 방지를 위한 웨이퍼 트레이.