KR100772270B1 - Rapid thermal processing apparatus and method for preventing warp of wafer - Google Patents

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Abstract

A method and an apparatus for performing a rapid thermal process on a wafer are provided to prevent the wafer from being bent by minimizing a temperature difference between a wafer edge and a wafer center. A rapid thermal process is performed on a wafer in a process chamber(300). A lift pin driver(312) raises the wafer to a heater, preheats a wafer center by using the heater, and mounts the wafer on a wafer chuck. The heaters(302a,302b) radiate stronger heat on the wafer center, before the wafer is mounted on the wafer chuck. A controller(316) drives the lift pin driver and preheats the wafer center for a predetermined period of time.

Description

웨이퍼 휨 현상의 방지를 위한 급속 열처리 장치 및 방법{RAPID THERMAL PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PREVENTING WARP OF WAFER}RAPID THERMAL PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PREVENTING WARP OF WAFER}

도 1은 종래 급속 열처리 공정 진행에 따른 웨이퍼상 온도 프로파일 그래프 예시도,1 is an exemplary diagram of a temperature profile on a wafer according to a conventional rapid heat treatment process;

도 2는 종래 공정 챔버내에서 사전 가열 시간을 줄여감에 따른 웨이퍼상 온도 프로파일 그래프 예시도,2 is a graph illustrating an on-wafer temperature profile graph with decreasing preheating time in a conventional process chamber.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 급속 열처리 장치의 상세 블록 구성도,3a to 3b is a detailed block diagram of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 웨이퍼 휨 현상을 방지하는 급속 열처리 공정의 흐름도,4 is a flowchart of a rapid heat treatment process for preventing wafer warpage in accordance with an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 휨 현상을 방지시키기 위한 웨이퍼 사전 가열 공정 예시도.5 is an exemplary wafer preheating process for preventing wafer warpage in accordance with an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명><Brief description of the major symbols in the drawings>

300 : 공정챔버 302 : 가열 수단300: process chamber 302: heating means

304 : 웨이퍼척 306 : 리프트핀304: wafer chuck 306: lift pin

308 : 프로브 310 : 모터308 probe 310 motor

312 : 리프트핀 구동부 314 : 열측정부312: lift pin drive unit 314: thermal measurement unit

316 : 제어부316: control unit

본 발명은 반도체 소자 제조 장비 중 급속 열처리(Rapid Thermal Processing : RTP) 장비에 관한 것으로, 특히 급속 열처리 공정에서 웨이퍼의 휨 현상을 방지하는데 적합한 급속 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to rapid thermal processing (RTP) equipment in semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to a rapid thermal processing apparatus and method suitable for preventing warpage of a wafer in a rapid thermal processing process.

통상적으로, 반도체 소자의 제조공정은 열처리의 반복으로 이루어져 있으며, 이러한 열처리 공정을 수행하는 장치로는, 퍼니스(furnace), 고속 열처리 장치(Fast Thermal Processing :FTP), 급속 열처리 장치 등이 있으나, 최근에는 주로 급속 열처리 장치가 사용되고 있다.Typically, the manufacturing process of a semiconductor device consists of repetition of heat treatment, the apparatus for performing such a heat treatment process, such as a furnace (furnace), fast thermal processing (FTP), rapid heat treatment apparatus, etc. The rapid heat treatment apparatus is mainly used for this.

그러나, 종래 급속 열처리 장치에서는 급속한 열처리 공정에 의해 웨이퍼(Wafer)가 챔버(chamber)내 웨이퍼 척(wafer chuck)에 안착되기 이전에 웨이퍼가 안착되는 지점, 즉 웨이퍼 척과 접촉되는 부위인 웨이퍼 에지부위와 접촉되지 않는 부위인 웨이퍼의 중앙부위에서 열구배의 불균형이 발생하게 되며, 이는 웨이퍼가 안착되고 난 후 공정을 진행하기 위한 오픈 루프구간(open loop) 공정 진행 시 열구배 현상이 최대화되어 웨이퍼의 유니포머티(uniformity) 제어를 위한 웨이퍼 RPM 속도가 정상궤도에 올라서는 경우 웨이퍼가 곧바로 휘어지면서 원심력에 의해 웨이 퍼가 튕겨나가 브로큰(broken)되는 현상이 자주 발생하였다.However, in the conventional rapid heat treatment apparatus, a wafer edge portion, which is a point where the wafer is placed, that is, a portion in contact with the wafer chuck, is placed before the wafer is seated on the wafer chuck in the chamber by a rapid heat treatment process. Thermal gradient imbalance occurs at the center of the wafer, which is not in contact with the wafer, and the thermal gradient is maximized during the open loop process to proceed the process after the wafer is seated. When the wafer RPM speed for the uniformity control reached the normal orbit, the wafer was bent immediately and the wafer was bounced and broken due to centrifugal force.

도 1은 종래 급속 열처리 공정 진행에 따른 웨이퍼상 온도 프로파일(profile) 그래프를 도시한 것으로, 상기 도 1에 도시된 오픈 루프 구간에서 알 수 있는 바와 같이, 챔버내를 미리 가열하는 경우 최고 100℃이상의 온도 차이가 나는 현상을 볼 수 있다. 이는 맨처음에 온도를 사전 가열(pre-heat) 구간에서 이미 잠재되어 있던 온도가 오픈 루프(open loop) 구간을 통과하면서 극심해지는 것을 확인할 수 있으며, 이와 같은 현상은 생산성 및 공정 안정화 측면에서 실제 양산라인에서는 치명적인 요소일 수밖에 없다. FIG. 1 is a graph illustrating an on-wafer temperature profile graph according to a conventional rapid heat treatment process. As shown in the open loop section shown in FIG. You can see the difference in temperature. It can be seen that the temperature that is already latent in the pre-heat section first becomes extreme as it passes through the open loop section, which is the actual mass production in terms of productivity and process stabilization. It's a fatal element on the line.

따라서, 이를 위해 종래에는 첫 번째 웨이퍼에 대한 급속 열처리 공정 진행 시 위와 같은 웨이퍼의 휨 방지 목적과 더불어 두 번째 웨이퍼와의 챔버 분위기를 같게 할 목적으로 미리 챔버를 가열하여 주는 사전 가열(Pre-heat) 처리를 행하고 있다.Therefore, in order to accomplish this, in the related art, pre-heating is performed to heat the chamber in advance for the purpose of equalizing the chamber atmosphere with the second wafer as well as preventing the warpage of the wafer during the rapid heat treatment process for the first wafer. The process is performed.

그러나, 상기한 종래 사전 가열(Pre-heat) 처리는 원래의 목적과는 달리 첫 번째 웨이퍼면 내에서 오히려 열구배를 극심하게 함으로써 웨이퍼 휨을 더 발생시키는 원인이 되어, 웨이퍼가 회전하는 챔버 내에서 원심력에 의해 에지링(edge ring) 밖으로 튀어나가 웨이퍼 브로큰이 발생하는 문제점이 있었다.However, the above-mentioned conventional pre-heat treatment, unlike the original purpose, causes the warp to be further generated by intensifying the thermal gradient within the first wafer surface, thereby causing centrifugal force in the chamber in which the wafer rotates. There was a problem that the wafer broken out by the edge ring (edge ring) by the.

도 2는 종래 공정 챔버내에서 사전 가열 시간을 줄여감에 따른 웨이퍼상 온도 프로파일 그래프를 도시한 것으로, 사전 가열 시간이 클수록 웨이퍼상 열구배 불균형이 거지는 것을 알 수 있으며, 또한 반대로 사전 가열 시간을 점차적으로 줄임에 따른 각 사전 가열 시간에서의 온도 프로파일을 도시한 상기 도 2의 (a), (b), (c), (d)의 그래프에서 보여지는 바와 같이 사전 가열시간이 줄어듬에 따라 오픈 루프 구간에서 웨이퍼상 온도가 오히려 안정화되는 것을 볼 수 있다.Figure 2 shows a graph of the wafer-on-temperature temperature profile as the preheating time is reduced in the conventional process chamber. As the preheating time increases, the on-wafer thermal gradient imbalance increases. Open as the preheating time decreases as shown in the graphs of FIGS. 2A, 2B, 2C, and 3D showing the temperature profile at each preheating time with gradually decreasing It can be seen that the temperature on the wafer is rather stabilized in the loop section.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 급속 열처리 장비에서의 웨이퍼상 급속 열처리 공정을 수행할 때 웨이퍼상 열구배 불균형에 따른 웨이퍼 휨 현상을 방지할 수 있는 급속 열처리 장치 및 방법 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, the rapid heat treatment that can prevent the warpage of the wafer due to the thermal gradient imbalance on the wafer when performing the wafer on the rapid heat treatment process in the rapid heat treatment equipment An apparatus and method are provided.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼 휨 현상을 방지시키는 급속 열처리 장치로서, 웨이퍼의 급속 열처리 공정이 수행되는 공정 챔버와, 상기 웨이퍼를 가열 수단 쪽으로 상승시키고, 상기 가열 수단을 통해 일정 시간동안 웨이퍼 중앙부에 대한 사전 가열 후, 웨이퍼 척에 안착시키는 리프트핀 구동부와, 상기 웨이퍼척 안착전 상기 리프트핀 구동부에 의해 리프트된 상기 웨이퍼 상 중앙부로 상대적으로 더 강한 열을 발산시키는 상기 가열 수단과, 상기 웨이퍼를 상기 리프트핀 구동부를 통해 상기 가열 수단 쪽으로 상승시켜 상기 일정시간동안 상기 웨이퍼 중앙부에 대한 사전 가열을 수행하여 상기 웨이퍼척 안착 시 웨이퍼상 열구배 평형을 구현시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a rapid heat treatment apparatus for preventing a wafer warpage phenomenon, a process chamber in which a rapid heat treatment process of the wafer is performed, and raises the wafer toward the heating means, for a predetermined time through the heating means A lift pin driver for seating on a wafer chuck after preheating to the wafer center, the heating means for dissipating relatively stronger heat to the center portion on the wafer lifted by the lift pin driver prior to seating the wafer chuck; And a controller configured to raise a wafer toward the heating means through the lift pin driver to perform preheating on the center portion of the wafer for a predetermined time to implement thermal gradient on the wafer when the chuck is seated.

또한, 본 발명은 급속 열처리 장치에서 웨이퍼 휨 현상을 방지시키는 열처리 방법으로서, (a)상기 급속 열처리 장치의 공정 챔버로 급속 열처리 대상 웨이퍼를 삽입시키는 단계와, (b)상기 웨이퍼를 공정 챔버내 웨이퍼척 상부에 위치시키고, 웨이퍼척 안착전 리프트핀을 통해 상승시켜 공정 챔버내 가열램프 쪽으로 이동 위 치시키는 단계와, (c)상기 가열램프를 제어하여 상기 웨이퍼의 에지부위보다 중앙부위로 더 강한 열을 발산시켜 사전 가열시키는 단계와, (d)상기 중앙부위가 사전 가열된 웨이퍼를 웨이퍼척 위에 안착시켜 상기 웨이퍼상 열구배 평형이 이루어지도록 제어하는 단계와, (e)상기 열구배의 평형이 형성된 상기 웨이퍼에 대해 급속 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention provides a heat treatment method for preventing wafer warpage in a rapid heat treatment apparatus, the method comprising: (a) inserting a wafer to be subjected to rapid heat treatment into a process chamber of the rapid heat treatment apparatus; and (b) placing the wafer in a process chamber. Positioned at the top of the chuck and lifted through the lift pin before the wafer chuck is seated to move toward the heating lamp in the process chamber; Dissipating and preheating, (d) placing the wafer preheated at the center portion onto a wafer chuck to control thermal equilibrium on the wafer, and (e) equilibrium of the thermal gradient is formed. And performing a rapid heat treatment process on the wafer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예의 동작을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the operation of the preferred embodiment according to the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따라 웨이퍼 휨 현상을 방지할 수 있는 급속 열처리 장치의 개략적인 블록 구성을 도시한 것이다.3A and 3B illustrate schematic block configurations of a rapid heat treatment apparatus capable of preventing a wafer warpage phenomenon according to an exemplary embodiment of the present invention.

상기 도 3a을 참조하면, 급속 열처리 장치는 웨이퍼 급속 열처리 공정이 수행되는 공정 챔버(300)와, 급속 열처리 공정 수행을 위한 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척(304)과, 웨이퍼척(304) 상에 안착된 웨이퍼(303)로 열을 발산시키는 가열 수단(302)과, 상기 웨이퍼(303)를 웨이퍼척(304)에 안착시키는 리프트핀(306)을 구동시키는 리프트핀 구동부(312)와, 프로브(probe)(308)를 통해 급속 열처리 공정 수행에 따라 웨이퍼(303)에 발생하는 열을 측정하는 열측정부(314)와, 웨이퍼척(304)을 회전시키는 모터(310) 및 상기 급속 열처리 장치 각부의 동작을 제어하는 제어부(controller)(316)를 포함한다.Referring to FIG. 3A, the rapid heat treatment apparatus includes a process chamber 300 in which a wafer rapid heat treatment process is performed, a wafer chuck 304 on which a wafer for rapid heat treatment is performed, and a wafer chuck 304 are mounted on the wafer chuck 304. A heating means 302 for dissipating heat to the wafer 303, a lift pin driver 312 for driving a lift pin 306 for seating the wafer 303 on the wafer chuck 304, and a probe. 308, the thermal measurement unit 314 for measuring the heat generated in the wafer 303 in accordance with the rapid heat treatment process, the motor 310 for rotating the wafer chuck 304 and each of the rapid heat treatment apparatus A controller 316 for controlling the operation is included.

이하, 도 3a를 참조하여 웨이퍼 휨 현상을 방지시키기 위한 급속 열처리 장치내 각 구성요소에서의 동작을 상세히 설명한다.3A, the operation of each component in the rapid heat treatment apparatus for preventing wafer warpage will be described in detail.

먼저, 리프트핀 구동부(312)는 급속 열처리 공정 챔버(300)내 급속 열처리 대상 웨이퍼(303)가 삽입되어 웨이퍼척(304) 상부의 리프트핀(306) 위에 위치되는 경우 리프트핀(306)을 수직으로 상승하도록 제어하여 상기 웨이퍼(303)의 중앙 부위가 에지부위보다 상대적으로 강한 열로 사전 가열되도록 상기 웨이퍼(303)를 가열 수단(302) 쪽으로 일정 높이 만큼 상승 위치시킨다.First, the lift pin driver 312 vertically lifts the lift pin 306 when the rapid heat treatment target wafer 303 is inserted in the rapid heat treatment process chamber 300 and positioned above the lift pin 306 on the wafer chuck 304. The wafer 303 is raised by a predetermined height toward the heating means 302 so that the central portion of the wafer 303 is preheated with heat that is relatively stronger than the edge portion.

가열 수단(302)은 리프트핀 구동부(312)에 의해 리프트핀(306) 위에 놓여진 웨이퍼(303)가 웨이퍼척(304) 상부의 미리 설정된 일정 높이 만큼 상승되어 위치될 때, 제어부(316)에 제어에 따라 구동되어, 웨이퍼(303)의 중앙 부위(303a)에는 상대적으로 강한 열을 발산시키며, 웨이퍼(303)의 에지부위(303b)에는 상대적으로 약한 열을 발산시켜 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a)에 대한 사전 가열을 수행함으로써, 웨이퍼척(304) 안착시 웨이퍼(303)상 중앙부위(303a)와 에지부위(303b)간 열구배 평형이 이루어지도록 한다. The heating means 302 controls the controller 316 when the wafer 303 placed on the lift pin 306 by the lift pin driver 312 is raised by a predetermined predetermined height above the wafer chuck 304. Is driven to emit heat relatively strong to the center portion 303a of the wafer 303, and to emit relatively weak heat to the edge portion 303b of the wafer 303. By preheating 303a, thermal gradient equilibrium between the central portion 303a and the edge portion 303b on the wafer 303 is achieved upon mounting the wafer chuck 304.

이때, 가열 수단(302)으로는, 예컨대 주로 할로겐 텅스텐 램프가 사용될 수 있으며, 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a)와 에지부위(303b)간을 존별로 서로 다른 세기의 열로 가열이 가능하도록 독립적으로 동작하는 다수의 램프(302a, 302b)로 구성되어 제어부(316)의 제어에 따라 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a) 상부에 위치한 램프에서 보다 강한 열이 발생되도록 제어된다. At this time, as the heating means 302, for example, mainly halogen tungsten lamps can be used, and independently between the center portion 303a and the edge portion 303b of the wafer 303 so as to be heated by heat of different intensities for each zone. It is composed of a plurality of lamps (302a, 302b) to operate in accordance with the control of the control unit 316 is controlled to generate a stronger heat in the lamp located above the central portion 303a of the wafer 303.

한편, 가열 수단(302)은 도 3b에서 보여지는 바와 같이 웨이퍼의 중앙부위(303a)와 에지부위(303b)간 존별로 서로 다른 세기의 열로 가열이 가능한 독립적으로 구현되는 코일로 구성되어 제어부(316)의 제어에 따라 시간차로 구동되며, 웨 이퍼(303)의 중앙부위(303a)가 에지부위(303b)보다 더 일찍 구동되어 더 강한 열을 발산시키도록 구현될 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3B, the heating means 302 is configured as an independently implemented coil capable of heating with heat of different intensities for each zone between the center portion 303a and the edge portion 303b of the wafer, thereby controlling the controller 316. Drive according to the time difference, and the center portion 303a of the wafer 303 may be implemented earlier than the edge portion 303b to dissipate stronger heat.

제어부(controller)(316)는 급속 열처리 장치의 공정 챔버(300)내로 삽입된 웨이퍼(303)가 웨이퍼척(304) 위의 리프트핀(306) 위에 놓여지게 되는 경우 리프트핀 구동부(312)를 통해 리프트핀(306)이 가열 수단(302) 쪽으로 미리 설정된 일정 높이 만큼 수직 상승하도록 제어하고, 웨이퍼(303)가 리프트핀(306)에 의해 일정 높이 만큼 상승되어 위치되는 경우 공정 챔버(300)내 웨이퍼(303) 존별로 독립적인 구동이 가능하도록 구성된 가열 수단(302)을 웨이퍼(303) 존별로 서로 다른 세기의 열이 발산되도록 구동시켜 웨이퍼 에지부위(303b)보다 웨이퍼 중앙부위(303a)로 상대적으로 강한 열이 발산되도록 하여 웨이퍼척(304) 상 안착 전에 웨이퍼(303)의 중앙 부위(303a)에 대한 사전 가열이 수행되도록 한다.The controller 316 is provided through the lift pin driver 312 when the wafer 303 inserted into the process chamber 300 of the rapid heat treatment apparatus is placed on the lift pin 306 on the wafer chuck 304. The lift pin 306 is controlled to rise vertically by a predetermined height toward the heating means 302, and the wafer in the process chamber 300 when the wafer 303 is positioned to be raised by a certain height by the lift pin 306. (303) The heating means 302 configured to enable independent driving for each zone is driven to dissipate heat of different intensities for each zone of the wafer 303 so that the wafer center portion 303a is relatively closer to the wafer center portion 303b than the wafer edge portion 303b. Strong heat is allowed to dissipate so that preheating of the central portion 303a of the wafer 303 is performed prior to seating on the wafer chuck 304.

이는 종래 웨이퍼를 곧바로 웨이퍼척 위에 안착시키는 경우 웨이퍼척(304)과 접촉되는 웨이퍼(303)의 에지 부위(303b)가 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a)에서보다 급속하게 열이 증가하여 웨이퍼의 열구배 불균형에 따른 휨 현상이 발생하는 것을 방지시키기 위한 것으로, 이와 같은 웨이퍼 휨 현상을 방지시킴에 따라 급속 열처리 공정에 따른 웨이퍼의 회전시 원심력에 의해 웨이퍼척상 에지링(307) 밖으로 웨이퍼가 이탈되어 브로큰 되는 문제점을 방지시키게 된다.This is because when the conventional wafer is directly seated on the wafer chuck, the edge portion 303b of the wafer 303 in contact with the wafer chuck 304 heats up more rapidly than at the center portion 303a of the wafer 303 so that In order to prevent the warpage phenomenon due to thermal gradient imbalance, the wafer is separated out of the wafer chuck edge ring 307 by the centrifugal force during the rotation of the wafer during the rapid heat treatment process. This prevents the problem of being broken.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 급속 열처리 장치에서 웨이퍼 휨 현상을 방지시키기 위한 열처리 동작 제어 흐름도를 도시한 것이다. 이하 상기 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 4 is a flowchart illustrating a heat treatment operation control for preventing a wafer warpage phenomenon in the rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

먼저 급속 열처리 공정을 위해 급속 열처리 장치의 공정 챔버내로 급속 열처리 대상 웨이퍼가 삽입되다(S400). 위와 같이 급속 열처리 장치의 공정 챔버(300)내로 웨이퍼(303)가 삽입되는 경우 상기 삽입된 웨이퍼(303)는 도 5의 (a)에서 보여지는 바와 같이 웨이퍼척(304)에 안착을 위한 리프트핀(306) 위에 놓여지게 된다(S402). 상기 리프트핀(306)은 급속 열처리 공정을 위해 챔버(300)내로 삽입된 웨이퍼(303)를 웨이퍼척(304) 위에 안착시키기 위한 핀으로써, 리프트핀 구동부(312)에 의해 웨이퍼척(304) 상/하부로 수직 이동 제어된다.First, the rapid heat treatment target wafer is inserted into the process chamber of the rapid heat treatment apparatus for the rapid heat treatment process (S400). When the wafer 303 is inserted into the process chamber 300 of the rapid heat treatment apparatus as described above, the inserted wafer 303 is lift pins for seating on the wafer chuck 304 as shown in FIG. 306 is placed on (S402). The lift pin 306 is a pin for seating the wafer 303 inserted into the chamber 300 on the wafer chuck 304 for the rapid heat treatment process, and is lifted on the wafer chuck 304 by the lift pin driver 312. Vertical movement is controlled to the bottom / bottom.

위와 같이 웨이퍼(303)가 웨이퍼척(304) 위의 리프트핀(306) 위에 놓여지게 되는 경우 제어부(316)는 리프트핀 구동부(312)를 제어하여 상기 도 5의 (b)에서 보여지는 바와 같이 리프트핀(306)을 웨이퍼척(wafer chuck)(304) 위 가열 수단(302) 쪽으로 일정 높이만큼 상승시켜 본 발명에 따른 웨이퍼 중앙부위(303a)에 대한 사전 가열(pre-heat)을 위해 웨이퍼(303)가 가열 수단(302) 쪽으로 위치되도록 제어한다(S404).When the wafer 303 is placed on the lift pin 306 on the wafer chuck 304 as described above, the controller 316 controls the lift pin driver 312 as shown in FIG. 5 (b). The lift pins 306 are raised by a certain height toward the heating means 302 above the wafer chuck 304 to allow wafers for pre-heat to the wafer center portion 303a according to the present invention. 303 controls to be located toward the heating means 302 (S404).

위와 같이 리프트핀(306)에 의해 급속 열처리 대상 웨이퍼(303)가 가열 수단(302) 쪽으로 미리 설정된 일정 높이 만큼 위치되는 경우 제어부(316)는 공정 챔버(300)내 가열 수단(302)을 제어하여 급속 열처리를 위한 웨이퍼척(304) 상 안착 전에 상기 웨이퍼(303)의 중앙 부위(303a)에 대한 사전 가열이 수행되도록 한다(S406). 즉, 제어부(316)는 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a)와 에지부위(303b)간을 존별로 서로 다른 세기의 열로 가열이 가능하도록 독립적으로 동작하는 다수의 램프(302a, 302b)를 독립적으로 제어하여 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a) 상부에 위치 한 램프에서 보다 강한 열이 발생되도록 한다.As described above, when the rapid heat treatment target wafer 303 is positioned by a predetermined height toward the heating means 302 by the lift pin 306, the controller 316 controls the heating means 302 in the process chamber 300. Before heating on the wafer chuck 304 for rapid heat treatment, preheating of the central portion 303a of the wafer 303 is performed (S406). That is, the controller 316 independently operates a plurality of lamps 302a and 302b that operate independently between the center portion 303a and the edge portion 303b of the wafer 303 so as to be heated by heat of different intensities for each zone. Control to allow a stronger heat to be generated in the lamp located above the central portion 303a of the wafer 303.

이는 종래 웨이퍼(303)를 곧바로 웨이퍼척(304) 위에 안착시키는 경우 웨이퍼척(304)과 접촉되는 웨이퍼(303)의 에지 부위(303b)가 웨이퍼(303)의 중앙부위(303a)에서보다 급속하게 열이 증가하여 웨이퍼의 열구배 불균형에 따른 휨 현상 발생을 방지하기 위한 것이다. This is because when the conventional wafer 303 is directly seated on the wafer chuck 304, the edge portion 303b of the wafer 303 in contact with the wafer chuck 304 is faster than the center portion 303a of the wafer 303. The heat is increased to prevent the occurrence of warpage due to thermal gradient imbalance of the wafer.

즉, 상기 도 5의 (c)에서 보여지는 바와 같이 가열 수단(302)은 제어부(316)에 의해 동작되어 리프트핀(306)에 의해 웨이퍼척(304) 위로 일정 높이 만큼 상승 위치된 웨이퍼(303)에 대해 사전 가열(pre-heat)을 수행하게 되는데, 이때 상기 가열 수단(302)은 제어부(316)에 제어에 따라 웨이퍼(303) 존별로 대응되게 독립적으로 구동되어 웨이퍼(303)의 중앙 부위(303a)에는 상대적으로 강한 열을 발산시키며, 웨이퍼(303)의 에지부위(303b)에는 상대적으로 약한 열을 발산시켜, 웨이퍼척(304)에 안착되어 웨이퍼 에지부위(303b)가 웨이퍼척(304)의 접촉에 따른 열 상승시 웨이퍼(303)상 전체적으로 열구배의 평형이 이루어지도록 하는 것이다.That is, as shown in (c) of FIG. 5, the heating means 302 is operated by the control unit 316, and the wafer 303 is lifted up by a predetermined height above the wafer chuck 304 by the lift pin 306. Pre-heat) is performed, and the heating means 302 is independently driven to correspond to the wafer 303 zones under the control of the controller 316 to control the center portion of the wafer 303. A relatively strong heat is dissipated at 303a, and relatively weak heat is dissipated at the edge portion 303b of the wafer 303, and the wafer edge portion 303b is seated on the wafer chuck 304 so that the wafer edge portion 303b is a wafer chuck 304. The thermal gradient on the wafer 303 is achieved when the heat rises due to the contact of.

위와 같이 가열 수단(302)에 의해 웨이퍼 중앙부위(303a)가 웨이퍼척(304) 안착시 웨이퍼 에지부위(303b)와 열구배 평형이 이루어지도록 미리 계산된 일정시간동안 사전 가열된 경우 제어부(316)는 리프트핀 구동부(312)를 통해 리프트핀(306)을 웨이퍼척(304) 하부로 수직 이동시켜 상기 도 5의 (d)에서 보여지는 바와 같이 리프트핀(306)에 위치된 웨이퍼(wafer)(303)를 웨이퍼척(304) 상에 안착시킨 후(S408), 웨이퍼척(304)에 안착된 웨이퍼(303)에 대해 급속 열처리 공정을 수행시키게 된다(S410). As described above, when the wafer center portion 303a is preheated by the heating means 302 for a predetermined time to be thermally balanced with the wafer edge portion 303b when the wafer chuck 304 is seated, the controller 316. By moving the lift pin 306 vertically down the wafer chuck 304 through the lift pin driver 312, the wafer (wafer) located on the lift pin 306 as shown in FIG. After mounting 303 on the wafer chuck 304 (S408), a rapid heat treatment process is performed on the wafer 303 seated on the wafer chuck 304 (S410).

따라서 상기 본 발명에서와 같이 웨이퍼척에 안착되기 전 웨이퍼 중앙부위를 사전 가열시킴으로써 웨이퍼척에 안착 시 웨이퍼척과 접촉되는 웨이퍼 에지부위와 웨이퍼 중앙부위간 온도 차이를 최소화함으로써, 웨이퍼상 열구배 평형을 이룰수 있어 열구배 불균형에 따른 웨이퍼 휨 현상을 방지시킬 수 있게 된다.Therefore, by preheating the center of the wafer before it is seated on the wafer chuck as in the present invention, by minimizing the temperature difference between the wafer edge portion and the center of the wafer contacting the wafer chuck when seated on the wafer chuck, thermal gradient on the wafer can be achieved. This prevents wafer warpage due to thermal gradient imbalance.

한편 상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위에 의해 정하여져야 한다.Meanwhile, in the above description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the invention should be determined by the claims rather than by the described embodiments.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 반도체 소자 제조 장비중 급속 열처리 장치에서 웨이퍼 휨 현상을 방지시키는 급속 열처리 방법에 있어서, 급속 열처리 대상 웨이퍼를 공정 챔버내 웨이퍼척에 안착시키기 전 챔버내 가열램프와 가깝게 일정 높이로 위치시킨 후, 웨이퍼 중앙부위를 에지부위보다 상대적으로 높은 열로 미리 설정된 일정 시간 동안 사전 가열시킴으로써 웨이퍼척에 안착 시 웨이퍼척과 접촉되는 웨이퍼 에지부위와 웨이퍼 중앙부위간 온도 차이를 최소화함으로써, 웨이퍼상 열구배 평형이 이루지도록 하여 열구배 불균형에 따른 웨이퍼 휨 현상을 방지시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, in the present invention, in the rapid heat treatment method for preventing wafer warpage in the rapid heat treatment apparatus of the semiconductor device manufacturing equipment, the heat treatment target is placed in close proximity to the heating lamp in the chamber before the wafer to be placed on the wafer chuck in the process chamber. After positioning at a certain height, the wafer center is preheated for a predetermined time in a row that is relatively higher than the edge area, thereby minimizing the temperature difference between the wafer edge and the center of the wafer that are in contact with the wafer chuck when seated on the wafer chuck. It is possible to prevent the warpage of the wafer due to the thermal gradient imbalance by achieving the phase thermal gradient.

Claims (10)

웨이퍼 휨 현상을 방지시키는 급속 열처리 장치로서,A rapid heat treatment apparatus that prevents wafer warpage, 웨이퍼의 급속 열처리 공정이 수행되는 공정 챔버와,A process chamber in which a rapid heat treatment process of the wafer is performed; 상기 웨이퍼를 가열 수단 쪽으로 상승시키고, 상기 가열 수단을 통해 일정 시간동안 웨이퍼 중앙부에 대한 사전 가열 후, 웨이퍼 척에 안착시키는 리프트핀 구동부와,A lift pin driver which raises the wafer toward the heating means and, after preheating the wafer center portion for a predetermined time through the heating means, seats the wafer chuck; 상기 웨이퍼척 안착전 상기 리프트핀 구동부에 의해 리프트된 상기 웨이퍼 상 중앙부로 상대적으로 더 강한 열을 발산시키는 상기 가열 수단과,The heating means for dissipating relatively stronger heat to a central portion on the wafer lifted by the lift pin driver before the wafer chuck is seated; 상기 웨이퍼를 상기 리프트핀 구동부를 통해 상기 가열 수단 쪽으로 상승시켜 상기 일정시간동안 상기 웨이퍼 중앙부에 대한 사전 가열을 수행하여 상기 웨이퍼척 안착 시 웨이퍼상 열구배 평형을 구현시키는 제어부 A control unit which raises the wafer toward the heating means through the lift pin driving unit to perform pre-heating of the center portion of the wafer for the predetermined time to realize thermal gradient on the wafer when the chuck is seated. 를 포함하는 급속 열처리 장치.Rapid heat treatment apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단은, 상기 웨이퍼의 중앙부위와 에지부위의 존별로 열을 가하는 독립적으로 구동되는 다수의 램프로 구성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The heating means is a rapid heat treatment apparatus, characterized in that consisting of a plurality of independently driven lamps for applying heat for each zone of the center portion and the edge portion of the wafer. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼에 대한 사전 가열 시, 상기 가열 수단을 제어하여 웨이퍼상 중앙 부위와 에지부위 존별로 서로 다른 온도로 가열시키는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The control unit, during the pre-heating of the wafer, controlling the heating means to heat at a different temperature for each of the center region and the edge region on the wafer. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제어부는, 상기 가열 수단에 의해 일정 시간동안 상기 웨이퍼 중앙부위에 대해 에지부위보다 상대적으로 강한 열이 가해지도록 제어하여 웨이퍼척 안착 시 웨이퍼상 열구배 평형이 구현되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The control unit, by the heating means for a certain period of time to control the heat is applied relatively to the center portion of the wafer relatively stronger than the edge portion by rapid heat treatment characterized in that the thermal gradient equilibrium on the wafer is controlled to be implemented Device. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가열 수단은, 할로겐 램프로 구현되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The heating means is a rapid heat treatment apparatus, characterized in that implemented by a halogen lamp. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단은, 상기 웨이퍼의 중앙부위와 에지부위의 존별로 열을 가하 는 독립적으로 구동되는 다수의 코일로 구성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The heating means is a rapid heat treatment apparatus, characterized in that composed of a plurality of coils that are independently driven to apply heat for each zone of the center portion and the edge portion of the wafer. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼에 대한 사전 가열 시, 상기 가열 수단을 제어하여 웨이퍼상 중앙 부위와 에지부위 존별로 서로 다른 온도로 가열시키는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The control unit, during the pre-heating of the wafer, controlling the heating means to heat at a different temperature for each of the center region and the edge region on the wafer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제어부는, 상기 가열 수단에 의해 일정 시간동안 상기 웨이퍼 중앙부위에 대해 에지부위보다 상대적으로 강한 열이 가해지도록 제어하여 웨이퍼척 안착 시 웨이퍼상 열구배 평형이 구현되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The control unit, by the heating means for a certain period of time to control the heat is applied relatively to the center portion of the wafer relatively stronger than the edge portion by rapid heat treatment characterized in that the thermal gradient equilibrium on the wafer is controlled to be implemented Device. 급속 열처리 장치에서 웨이퍼 휨 현상을 방지시키는 열처리 방법으로서,A heat treatment method for preventing wafer warpage in a rapid heat treatment apparatus, (a)상기 급속 열처리 장치의 공정 챔버로 급속 열처리 대상 웨이퍼를 삽입시키는 단계와,(a) inserting the rapid heat treatment target wafer into the process chamber of the rapid heat treatment apparatus; (b)상기 웨이퍼를 공정 챔버내 웨이퍼척 상부에 위치시키고, 웨이퍼척 안착전 리프트핀을 통해 상승시켜 공정 챔버내 가열 수단 쪽으로 이동 위치시키는 단계와,(b) placing the wafer on top of the wafer chuck in the process chamber, lifting it through a lift pin prior to seating the wafer chuck and moving the wafer toward the heating means in the process chamber; (c)상기 가열 수단을 제어하여 상기 웨이퍼의 에지부위보다 중앙부위로 더 강한 열을 발산시켜 사전 가열시키는 단계와,(c) preheating by controlling the heating means to dissipate more heat to the center than the edge of the wafer; (d)상기 중앙부위가 사전 가열된 웨이퍼를 웨이퍼척 위에 안착시켜 상기 웨이퍼상 열구배 평형이 이루어지도록 제어하는 단계와,(d) placing the wafer preheated at the center portion on a wafer chuck to control thermal gradient on the wafer; (e)상기 열구배의 평형이 형성된 상기 웨이퍼에 대해 급속 열처리 공정을 수행하는 단계(e) performing a rapid heat treatment process on the wafer on which the thermal gradient is formed 를 포함하는 급속 열처리 방법.Rapid heat treatment method comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 가열 수단은, 상기 웨이퍼의 중앙부위와 에지부위의 존별로 열을 가하는 독립적으로 구동되는 다수의 램프 또는 코일로 구성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 방법.The heating means is a rapid heat treatment method, characterized in that composed of a plurality of independently driven lamps or coils for applying heat for each zone of the center portion and the edge portion of the wafer.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101480B1 (en) * 2009-02-25 2012-01-03 실트로닉 아게 Method for producing epitaxially coated silicon wafers
KR101116656B1 (en) 2009-09-09 2012-03-08 세메스 주식회사 Method for inspecting a wafer shape and method for heat treatment a wafer using the same
KR101436059B1 (en) 2013-08-30 2014-09-01 주식회사 엘지실트론 Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR101496674B1 (en) * 2013-09-02 2015-02-27 주식회사 엘지실트론 Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR101589599B1 (en) * 2014-12-22 2016-01-28 주식회사 엘지실트론 Method for Manufacturing Wafer
US11456195B2 (en) 2019-07-23 2022-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110238A (en) 1985-05-13 1986-01-17 Hitachi Ltd Method of plasma treatment
KR930016564A (en) * 1992-01-16 1993-08-26 김광호 Parallel Plate Plasma Etching Equipment
KR940016603A (en) * 1992-12-30 1994-07-23 김주용 Wafer heating method using multi thermocouple
JP2000286267A (en) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method
KR20030053326A (en) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 A Apparatus for Uniformity Temperature of the Semiconductor Wafer
KR20050031926A (en) * 2003-09-30 2005-04-06 니뽄 가이시 가부시키가이샤 Substrate heater and fabrication method for the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110238A (en) 1985-05-13 1986-01-17 Hitachi Ltd Method of plasma treatment
KR930016564A (en) * 1992-01-16 1993-08-26 김광호 Parallel Plate Plasma Etching Equipment
KR940016603A (en) * 1992-12-30 1994-07-23 김주용 Wafer heating method using multi thermocouple
JP2000286267A (en) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method
KR20030053326A (en) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 A Apparatus for Uniformity Temperature of the Semiconductor Wafer
KR20050031926A (en) * 2003-09-30 2005-04-06 니뽄 가이시 가부시키가이샤 Substrate heater and fabrication method for the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101480B1 (en) * 2009-02-25 2012-01-03 실트로닉 아게 Method for producing epitaxially coated silicon wafers
US8372298B2 (en) 2009-02-25 2013-02-12 Siltronic Ag Method for producing epitaxially coated silicon wafers
DE102009010556B4 (en) * 2009-02-25 2013-11-07 Siltronic Ag Process for producing epitaxial silicon wafers
KR101116656B1 (en) 2009-09-09 2012-03-08 세메스 주식회사 Method for inspecting a wafer shape and method for heat treatment a wafer using the same
KR101436059B1 (en) 2013-08-30 2014-09-01 주식회사 엘지실트론 Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR101496674B1 (en) * 2013-09-02 2015-02-27 주식회사 엘지실트론 Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR101589599B1 (en) * 2014-12-22 2016-01-28 주식회사 엘지실트론 Method for Manufacturing Wafer
US11456195B2 (en) 2019-07-23 2022-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same apparatus

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