KR100772005B1 - 새로운 담금 석판 인쇄 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

액체 크리스탈 매개체를 포함하는 담금 석판 인쇄 시스템이 개시된다. 액체 크리스탈은 대물 렌즈와 기판 스테이지 사이에 위치된다. 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 액체 크리스탈 제어기가 노출 공정 동안 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된다.
석판 인쇄, 사진 석판 인쇄, 노출 공정, 패터닝, 굴절률, 액체 크리스탈

Description

새로운 담금 석판 인쇄 장치 및 방법{A NEW IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD}
도 1은 액체 크리스탈을 사용한 담금 석판 인쇄 시스템의 예시적인 실시예의 개략적인 도면이다.
도 2는 액체 크리스탈을 사용한 담금 석판 인쇄 시스템의 다른 실시예의 개략적인 도면이다.
본 발명은 일반적으로 석판 인쇄 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 액체 담금 석판 인쇄 시스템 및 공정에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC) 기술은 외형 크기의 계속적인 최소화 및 패키징 밀도의 최대화를 포함하여 빠른 진화를 경험하고 있다. 외형 크기의 최소화는 사진 석판 인쇄술(photolithography)의 향상과 더 작은 형태를 인쇄할 수 있는 능력에 의존한다. 광학 석판 인쇄 시스템에서 최소 외형 크키는 빛이 통과하는 매개체 및 빛의 파장과 관련된 회절부에 의하여 결정된다. 따라서, 외형 크기를 감소시키고 해상도를 향상시키기 위한 하나의 접근 방법은 짧은 파장의 빛을 사용하는 것이다.
다른 접근 방법은 렌즈와 기판 사이에 공기 외의 다른 매개체를 사용하는 것이다. 매개체의 굴절률('n'으로 언급됨)이 1보다 크다면, 매개체 내의 파장은 n만큼 감소한다. 이것이 해상도를 향상시킬 수 있다. 공기 외의 매개체를 사용하여 해상도를 향상시키는 그러한 방법 중 하나가 담금 석판 인쇄술로 언급된다. 일반적으로 사용되는 담금 석판 인쇄술은 매개체로서 물을 사용한다.
본 발명의 목적은 렌즈와 기판 사이의 매개체의 굴절률을 조절함으로써 해상도를 향상시킨 담금 석판 인쇄 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
본 출원은 첨부된 도면과 함께 읽혀질 이하의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 산업 분야에서 표준 실시예에 따라, 특정 스케일로 제한되지 않는다는 점이 주지되어야 한다. 사실, 다양한 형태들의 크기는 논의의 명확성을 위하여 임의로 증가하거나 감소할 수 있다.
본 발명은 일반적으로 사진 석판 인쇄 시스템용 렌즈에 관한 것으로, 좀더 구체적으로, 액체 담금 석판 인쇄 공정에 사용되는 대물 렌즈에 관한 것이다. 이하에서 개시되는 것들은 서로 다른 실시예들 또는 본 발명의 서로 다른 특징을 구현하기 위한 예들을 제공하기 위한 것으로 이해되어야 한다. 구성요소 및 배치의 특정 실시예가 본 발명을 특정하기 위하여 이하에서 설명될 것이다. 물론, 이러한 것들은 단지 예시적인 것을 뿐이며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 또한, 본 발명은 다양한 실시예에서 참조 부호 및/또는 문자들을 반복할 것이다. 이러한 반 복은 간편성 및 명확성의 목적이며, 그 자체로 개시된 다양한 실시예들 및/또는 형태들 사이의 관계를 나타내는 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에서, 액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)은 방사원(110)을 포함할 수 있다. 방사원(110)은 적절한 광원일 수 있다. 예를 들면, 방사원(110)은 436㎚(G-line) 또는 365㎚(I-line)의 파장을 갖는 수은 램프, 248㎚의 파장을 갖는 플루오르화 크립톤(KrF) 엑시머 레이저, 193㎚의 파장을 갖는 플루오르화 아르곤(ArF) 엑시머 레이저, 157㎚의 파장을 갖는 플루오르(F2) 엑시머 레이저 또는 다른 적절한 파장(예를 들면, 약 100㎚ 이하)을 갖는 다른 광원들일 수 있다.
광원들에 대한 상술한 설명에서, 각 광원들은 정확히 단일 파장보다는 특정 파장 분포나 선폭을 가진 것진 것으로 이해된다. 예를 들면, 수은 램프의 I-line(예를 들면, 365㎚) 파장은 정확히 365㎚가 아닐 수 있으며, 365㎚ 이상 및 이하로 확장된 변화하는 파장 범위를 가진 약 365㎚에 중심을 둔 것일 수 있다. 이러한 범위는 얇은 선폭을 가져오는 적절한 365㎚ 파장으로부터 적은 변이를 가지고, 사진 석판 인쇄 동안 최소 가능 선폭을 결정하기 위하여 사용될 수 있다.
액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)은 조명 시스템(예를 들면, 집광 렌즈; 120)를 포함할 수 있다. 조명 시스템(120)은 단일 렌즈 또는 다수의 렌즈들 및/또는 렌즈 구성요소들을 가진 렌즈 시스템일 수 있다. 예를 들면, 조명 시스템(120)은 마이크로렌즈 어레이들, 그림자 마스크들, 및/또는 광원(110)으로부터의 빛을 포토마스크(130)에 조사시키도록 설계된 다른 구조물들을 포함할 수 있다.
사진 석판 인쇄 패터닝 공정 동안, 포토 마스크(또한 마스크 또는 십자선으로 언급된다)가 액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100) 내에 포함될 수 있다. 포토 마스크(130)는 빛 투과성 기판 및 패터닝된 흡수층으로 이루어질 수 있다. 빛 투과성 기판은 붕규산 유리(borosilicate glass) 및 소다 라임 유리(soda-lime glass)와 같은 상대적으로 결점이 없는 용융 실리카(SiO2)를 사용할 수 있다. 빛 투과성 기판은 플루오르화 칼슘 및/또는 다른 적절한 재료들을 사용할 수 있다. 패터닝된 흡수층은 크롬 및 산화철로 이루어진 금속 필름, 또는 MoSi, ZrSiO, SiN 및/또는 TiN으로 이루어진 무기 필름을 증착하는 것과 같이 다수의 공정들 및 다수의 재료들을 사용하여 형성될 수 있다. 광선은 흡수 영역에 부딪힐 때 부분적으로 또는 완전치 차단될 수 있다. 흡수층은 광선이 흡수층에 의하여 흡수되지 않고 이동할 수 있는 하나 이상의 개구들을 가지도록 패터닝될 수 있다.
액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)은 대물 렌즈(140)를 포함할 수 있다. 대물 렌즈(140)는 단일 렌즈 소자 또는 도 1에서 142, 144 및 146으로 도시된 것들과 같은 다수의 렌즈 소자들로 이루어질 수 있다. 각 렌즈 소자는 빛 투과성 기판을 포함할 수 있고 다수의 코팅층들을 더 포함할 수 있다. 빛 투과성 기판은 종래 대물 렌즈일 수 있고, 용융 실리카(SiO2), 플루오르화 칼슘(CaF), 플르오르화 리튬(LiF), 플루오르화 바륨(BaF2) 또는 다른 적절한 재료들로 만들어질 수 있다. 각 렌즈 소자에 사용되는 재료들은 흡수 및 산란을 최소화하기 위하여 석판 인 쇄 공정에 사용되는 빛의 파장에 근거하여 선택될 수 있다.
적어도 하나의 렌즈 소자가 광원(110)으로부터 조사된 광선을 통과시키는 코팅층을 가질 수 있다. 코팅층은 다층 구조를 가질 수 있고 다양한 기능들을 가질 수 있다. 코팅층은 대물 렌즈와 기판 사이에 채워진 액체 크리스탈을 튜닝하기 위한 전압을 인가하는 하나의 투명 전극으로서 기능할 수 있다.예를 들면 코팅층은 인 주석 산화물(indium-tin-oxide; ITO) 및/또는 다른 적절한 재료들을 포함할 수 있다. 코팅층은 노출 공정 동안 액체 크리스탈에 의한 손상으로부터 대물 렌즈를 보호하기 위한 부식 방지(anti-corrosion)층으로서 기능할 수 있다. 코팅층은 액체 크리스탈 배열층으로서 기능할 수 있도록 설계될 수 있다. 코팅층은 반사 방지 코팅(anti-reflection coating;ARC)층으로서 기능할 수 있다. 하부 대물 렌즈 소자(142)는 평평한 표면을 가질 수 있고 선택적으로 석판 인쇄 공정 동안 그 아래 채워진 담금액을 가둬두기 위한 에지 프레임을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 기판(150)은 석판 인쇄 공정을 수용하기 위하여 액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100) 내에 위치된다. 기판(150)은 크리스탈 실리콘, 폴리크리스탈 실리콘, 무결정 실리콘, 게르마늄 및 다이아몬드와 같은 단일 반도체, 실리콘 카바이드, 갈륨 아세닉과 같은 혼합 반도체, SiGe, GaAsP, AlInAs 및 GaInP와 같은 합금 반도체, 또는 그들의 임의의 조합으로 이루어진 반도체 웨이퍼일 수 있다. 기판(150)은 또한 석판 인쇄 공정 동안 포토레지스트 코팅층을 가질 수 있다. 기판(150)은 액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)의 기판 스테이지(155) 상에 위치될 수 있으며, 여기서 기판 스테이지(155)는 그 기판(150)이 포토마스크 와 나란히 정렬될 수 있도록 병진 모드 및 회전 모드로 움직일 수 있다.
액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)은 석판 인쇄 공정 동안 담금 매개체로서 액체 크리스탈 재료(160)를 사용한다. 액체 크리스탈은 삼차원 크리스탈 격자의 존재 없이 비등방성 특성에 의해 특징지어지는 열역학적 안정상(stable phase)으로 정의될 수 있고, 일반적으로 고체와 등방성 액체상(liquid phase) 사이의 온도 범위 내에 놓여 있으며, 따라서 중간상(mesophase)으로 불린다. 중간상에서, 굴절률과 같은 연관 파라미터들은 전기장 및 온도장을 포함하는 외부 장에 의해 튜닝가능하다. 게다가, 액체 크리스탈의 상태는 또한 경계상의 배열 구조와 같은 경계 조건에 따를 수 있다. 일 예에서, 액체 크리스탈은 인가된 전압의 적용에 따라 방향을 바꿀 수 있는 이방성 분자들을 포함할 수 있다. 액체 크리스탈 재료는 하나 이상의 재료 구성요소들을 사용하여 형성될 수 있다. 이러한 재료 구성요소들은 기대되는 기능과 질을 위하여 선택될 수 있고, 동작 온도, 광 흡수, 굴절률(n), △n(n의 튜닝가능 범위), 렌즈 코팅 및 포토레지스트 성능 및 다른 파라미터들을 포함하는 최적화된 파라미터를 위하여 튜닝될 수 있다.
액체 크리스탈은 네마틱(nematic) 및 스멕틱(smectic) 상태를 포함하는 다양한 구조로 존재할 수 있다. 네마틱 상태의 LC 분자들은 모두 서로 동일한 방향으로 정렬하는 경향이 있다. 네마틱 상태의 LC 분자들은 낮은 점성을 가지고 고(highly)등방성이다. 다양한 서브 그룹들이 있는 스멕틱 LC 분자들은 특별히 층들로 정렬될 수 있다. 이러한 재료들은 더 높은 부피 점성을 가지나, 특정 형상이 네마틱 상태의 분자들보다 훨씬 더 빨리 변경될 수 있다.
액체 크리스탈 담금 석판 인쇄 시스템(100)은 대물 렌즈의 하부와 기판 사이에 전기장을 형성하기 위하여 전압이 인가될 수 있도록 설계 및 구성된 한 쌍의 전극을 더 포함할 수 있다. 제1 전극은 대물 렌즈(140)에 인접하거나 근처의 또는 그 위의 도전성 구조물을 포함한다. 예를 들면, ITO 필름과 같은 투명 도전성 필름이 석판 인쇄 공정 동안 대물 렌즈와 기판 사이에 채워진 액체 크리스탁에 직접 접촉하는 가장 아래의 렌즈 소자(142)의 하부 표면상에 코팅될 수 있다. 대안으로, ITO 필름이 석판 인쇄 공정 동안 액체 크리스탈에 직접 접촉하지 않는 렌즈(142)의 상부 표면에 코팅될 수 있다. 제2 전극은 기판 또는 기판 스테이지에 인접하거나 근처에 또는 그 위에 설계될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극은 최전화된 전기장에 적절한 형상으로 기판 스테이지에 부착될 수 있다. 다른 예에서, 기판은 제2 전극으로 이용되는 뒷면 도전성 코팅 또는 고유 도전성 특징을 가질 수 있다. 제1 및 제2 전극 모두 각각 전압원에 연결되는 리드를 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 액체 크리스탈은 직류 전기장 하에서 손상을 입거나 천천히 성능이 저하될 수 있기 때문에, 인가되는 전압은 교류이다. 전극들의 다른 형태들이 원하는 전기장을 제공할 수 있고 석판 인쇄 공정 동안 광선을 방해하지 않는 한 허용될 수 있다.
액체 크리스탈(160)은 대물 렌즈의 실질적으로 하부 표면 또는 기판의 실질적으로 상부 표면에 확장되어 대물 렌즈와 기판 사이에 분배될 수 있다. 다른 실시예에서, 액체 크리스탈 매개체는 반복 단계 또는 스캔 노출 공정 동안 하나의 노츨 필드 영역만을 덮도록 확장될 수 있다. 액체 크리스탈은 다음 노출 영역 또는 스캐닝 영역을 위하여 대물 렌즈를 따라 이동할 수 있다. 액체 크리스탈은 공기압을 포 함하는 방법에 의하여 방사상으로 배치된 측면에 가둬질 수 있다. 액체 크리스탈은 새 기판이 기판 스테이지에 위치되었을 때 재분배될 수 있다. 대물 렌즈는 다수의 기판들이 처리된 후에 세척될 수 있다.
석판 인쇄 공정 동안, 기판은 기판 스테이지 상에 위치되고; 석판 인쇄 시스템은 두 전극들 각각이 전압을 인가하기 위하여 잘 연결되도록 구성되며; 다음으로 액체 크리스탈은 적절한 방법으로 대물 렌즈와 기판 사이에 분배되고; 전압이 최적화된 석판 인쇄 공정을 위하여 액체 크리스탈을 튜닝하기 위하여 두 전극들 사이에 인가되며; 다음으로 포토마스크, 대물 렌즈 및 액체 크리스탈을 통하여 기판 상에 광선이 조사된다. 노출 공정은 반복 기술 단계에서의 것들과 같은 다중 서브 노출 공정들 또는 스캔 기술 단계에서의 것들과 같은 연속 노출 공정으로 이루어질 수 있다. 노출 공정은 기판의 목표 표면 영역이 식각될 때까지 계속된다. 다음으로 기판은 석판 인쇄 시스템으로부터 언로드되어 다음 제조 공정으로 이동될 수 있다. 상술한 처리 흐름은 다른 기판들에 대하여도 차례대로 반복될 수 있다. 선택적으로 포토마스크는 다른 제품이 처리될 때와 같이 다른 패턴이 요구된다면, 다음 기판에 대하여 공정이 계속되기 전에 변경될 수 있다.
액체 크리스탈 담금 석판 인쇄술은 담음 매개체로서 액체 크리스탈을 사용하는 담금 석판 인쇄 공정을 위한 방법 및 시스템을 제공한다. 액체 크리스탈은 성분 선택과 함유량 조절을 포함하는 방법을 통하여 설계될 수 있는 높은 굴절률을 가질 수 있다. 게다가, 액체 크리스탈은 적절한 전압을 인가하는 것 또는 다른 적절한 방법에 의해 최적화된 굴절률 및 초점 깊이(depth of focus; DOF)를 포함하는 최적 화된 석판 인쇄 공정을 위하여 동적으로 튜닝될 수 있다.
도 2는 액체 크리스탈을 사용한 석판 인쇄 시스템(200)의 일 실시예의 개략적인 도면이다. 도 2를 참조하면, 도 2의 석판 인쇄 시스템(200)은 두 렌즈 사이에 분배된 제2 액체 크리스탈 및 상기 제2 액체 크리스탈을 튜닝하는 전압을 인가하기 위하여 구성된 한 쌍의 제2 전극들(미도시)이 더 설계된 것을 제외하면 담음 석판 인쇄 시스템(100)과 실질적으로 유사하다. 석판 인쇄 시스템(200)에서, 액체 크리스탈(160)이 하부 대물 렌즈 소자와 기판 사이에 분배되거나 분배되지 않고 액체 크리스탈(165)이 두 개의 대물 렌즈 소자 사이에 분배된다. 예를 들면, 액체 크리스탈(160)이 하부 대물 렌즈 소자(142) 및 기판(150) 사이에 분배되는 반면 액체 크리스탈(165)은 두 렌즈 소자들(144 및 146) 사이에 분배될 수 있다. 액체 크리스탈(165)은 액체 크리스탈(160)과 반드시 동일한 재료일 필요는 없다. 제2 쌍의 전극들은 실질적으로 재료나 형상면에서 전극(175)과 실질적으로 유사하다. 제2 액체 크리스탈(165)은 DOF 최적화를 포함하는 공정 최적화를 위하여 제2 쌍의 전극들 상에 전압을 인가하는 것을 통하여 독립적이고 동적으로 튜닝될 수 있다. 액체 크리스탈(165)만이 채워지고 액체 크리스탈(160)은 존재하지 않을 수 있다(건조 노출 시스템). 관련 구성요소와 함께 (튜닝가능한 굴절률을 가진) 액체 크리스탈(165)이 주로 초점 제어 작용을 한다.
따라서, 본 발명은 대물 렌즈; 상기 대물 렌즈 아래 위치된 기판 스테이지; 및 노출 공정 동안 상기 기판 스테이지 상의 기판과 대물 렌즈 사이의 공간에 적어도 부분적으로 채워진 제1 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된 제1 전극 및 제2 전 극을 가진 액체 크리스탈 제어기를 포함한다.
담금 석판 인쇄 시스템에서, 제1 전극은 대물 렌즈에 부착될 것이다. 제2 전극은 기판 스테이지에 부착될 것이다. 선택적으로, 제2 전극은 기판에 부착될 수 있다. 대물 렌즈는 노출 공정 동안 조사용 방사선을 통과시키는 코팅층을 포함한다. 코팅층은 전기적으로 도전성일 수 있다. 예를 들면, 코팅층은 인 주석 산화물(ITO)일 수 있다. 코팅층은 노출 공정 동안 부식 방지 역할을 할 수 있다. 코팅층은 다층 구조로 이루어질 수 있다. 대물 렌즈와 기판 사이의 공간은 약 1㎚ 내지 약 10㎚ 사이 범위일 수 있다. 제1 액체 크리스탈은 노출 공정 동안 석판 인쇄 패터닝을 최적화하도록 튜닝될 수 있다. 노출 공정 동안 대물 렌즈와 기판 사이에 적어도 부분적으로 채워진 제1 액체 크리스탈은 제1 및 제2 전극들 사이에 전압을 인가하는 것에 의하여 생산된 전기장을 사용하여 튜닝가능한 굴절률을 가질 수 있다. 노출 공정 동안 대물 렌즈와 기판 사이에 적어도 부분적으로 채워진 제1 액체 크리스탈은 공기압에 의해 방사상으로 배치된 측면에 가둬질 수 있다. 노출 공정 동안 대물 렌즈와 기판 사이에 적어도 부분적으로 채워진 제1 액체 크리스탈은 적어도 하나의 노출 영역으로 확장된다. 기판은 포토레지스트층으로 코팅된 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다. 대물 렌즈는 CaF2 및/또는 SiO2를 포함할 수 있다. 담금 석판 인쇄 시스템은 노출 공정 동안 제1 렌즈 및 제2 렌즈 사이에 채워진 제2 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된 제3 전극 및 제4 전극을 가진 제2 액체 크리스탈 제어기를 더 포함할 수 있다. 제2 액체 크리스탈은 노출 공정 동안 제2 전극 및 제4 전극 사이에 인가된 제2 전압에 의하여 튜닝가능한 제2 굴절률을 가질 수 있다. 제2 굴절률은 초점 깊이를 최적화하기 위하여 튜닝될 수 있다.
본 발명은 또한 석판 인쇄 시스템을 제공한다. 석판 인쇄 시스템은 제1 렌즈 및 제2 렌즈를 갖는 대물 렌즈, 상기 대물 렌즈 아래 위치된 기판 스테이지, 상기 제1 렌즈 및 제2 렌즈 사이에 채워진 액체 크리스탈 및 상기 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된 상부 전극 및 하부 전극을 갖는 액체 크리스탈 제어기를 포함한다. 상기 석판 인쇄 시스템에서, 액체 크리스탈의 굴절률은 노출 공정 동안 상부 및 하부 전극들 사이에 인가된 전압에 의하여 튜닝가능하다, 굴절률은 초점의 깊이를 최적화하기 위하여 튜닝될 수 있다.
본 발명은 담금 석판 인쇄 공정에 의한 방법을 제공한다. 상기 방법은 담금 석판 인쇄 시스템의 기판 스테이지 상에 기판을 위치시키는 단계; 제1 전극과 제2 전극이 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전압이 인가되었을 때 상기 기판 스테이지 상의 기판과 대물 렌즈 사이에 전기장을 형성하도록 석판 인쇄 시스템을 설정하는 단계; 상기 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 액체 크리스탈은 분배하는 단계; 상기 기판의 최적화된 패터닝을 위하여 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 전압을 인가하는 단계; 및 상기 기판 상에 사진 석판 노출을 수행하기 위하여 대물 렌즈에 조사하는 단계를 포함한다.
상기 방법은 상기 대물 렌즈 옆에 상기 제1 전극을 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 기판 스테이지 상에 상기 제2 전극을 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 이 방법에서, 대물 렌즈와 기판 사이에 액체 크리스탈을 분배하는 단계는 적절한 액체 크리스탈을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 액체 크리스탈은 방사상으로 배치된 측면에 가두는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 방법은 제1 전극으로서 기능하는 투명 코팅층을 가진 적절한 대물 렌즈를 사용하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에 제2 액체 크리스탈을 분배하는 단계; 및 상기 기판 상의 패터닝을 최적화하기 위하여 제3 및 제4 전극들에 제2 전압을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 기판 스테이지 상에 기판을 위치시키는 방법은 포토레지스트 코팅층을 가진 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원은 바람직한 실시예에 대하여 설명해 왔다. 본 출원을 읽은 후 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명백한 개선 및 수정은 본 발명의 사상 및 범위에 속하는 것으로 간주된다. 여러 가지 수정, 변경 및 대체는 상술한 기재에 의도된 것이고 몇몇 실시예에서 본 발명의 몇몇 특징들이 대응되는 다른 특징들 없이 채용될 것으로 이해된다. 따라서, 첨부된 청구범위는 넓고 본 발명의 사상과 일치되도록 해석되어야 할 것이다.
본 명세서 내에 포함되어 있음

Claims (14)

  1. 대물 렌즈;
    상기 대물 렌즈 아래 위치된 기판 스테이지;
    상기 대물 렌즈와 상기 기판 스테이지 상의 기판 사이에 있는 공간의 일부분이나 또는 전체를 채우고 있는 액체 크리스탈; 및
    상기 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된 제1 전극 및 제2 전극을 구비한 액체 크리스탈 제어기를 포함하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 대물 렌즈에 부착되고, 상기 제2 전극은 상기 기판 스테이지 또는 상기 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템
  3. 제1항에 있어서,
    상기 대물 렌즈는 노출 공정 동안 조사용 방사선을 통과시키는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 액체 크리스탈은 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 전압을 인가하는 것에 의하여 생성된 전기장을 사용하여 튜닝가능한 굴절률을 가지며, 상기 굴절률은 초 점 깊이를 최적화하도록 튜닝가능한 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 액체 크리스탈은 공기압에 의하여 방사상으로 배치된 측면으로 제한되는 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  6. 제1 렌즈 및 제2 렌즈를 갖는 대물 렌즈;
    상기 대물 렌즈 아래 위치된 기판 스테이지;
    상기 제1 렌즈와 상기 제2 렌즈 사이에 채워진 제1 액체 크리스탈; 및
    상기 제1 액체 크리스탈을 제어하도록 구성된 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 액체 크리스탈 제어기를 포함하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 대물 렌즈에 부착되고, 상기 제2 전극은 상기 기판 스테이지 또는 상기 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  8. 제6항에 있어서,
    제1 렌즈 및 제2 렌즈 사이에 분배된 제2 액체 크리스탈; 및
    상기 기판 상의 패터닝을 최적화하기 위하여 제2 전압이 인가되는 제3 및 제4 전극들을 더 포함하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 액체 크리스탈은 상기 제1 전극 및 제2 전극들 사이에 전압을 인가하는 것에 의하여 생상된 전기장을 사용하여 튜닝가능한 굴절률을 가지고, 상기 굴절률은 초점 깊이를 최적화하기 위하여 튜닝가능한 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1 액체 크리스탈은 공기압에 의하여 방사상으로 배치된 측면으로 제한되는 것을 특징으로 하는 담금 석판 인쇄 시스템.
  11. 대물 렌즈를 갖는 담금 석판 인쇄 시스템의 기판 스테이지 상에 기판을 위치시키는 단계;
    상기 대물 렌즈와 상기 기판 사이에 제1 액체 크리스탈은 분배하는 단계;
    전압이 인가될 때 상기 대물 렌즈와 상기 기판 스테이지 상의 상기 기판 사이에 전기장이 형성하도록 구성된 제1 전극 및 제2 전극을 제공하는 단계;
    상기 액체 크리스탈의 특성을 변화시키기 위하여 상기 제1 및 제2 전극에 전압을 인가하는 단계; 및
    상기 기판 상에 석판 인쇄 노출을 수행하기 위하여 대물 렌즈에 빛을 조사하는 단계를 포함하는 담금 사진 석판 인쇄 공정.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 대물렌즈에 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 기판 스테이지 또는 상기 기판에 연결된 것을 특징으로 하는 담금 사진 석판 인쇄 공정.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 액체 크리스탈을 분배하는 단계는 소정 굴절률의 적절한 액체 크리스탈을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 담금 사진 석판 인쇄 공정.
  14. 제11항에 있어서,
    제1 렌즈 및 제2 렌즈 사이에 제2 액체 크리스탈을 분배하는 단계; 및
    상기 기판 상의 패터닝을 최적화시키기 위하여 제3 및 제4 전극들에 제2 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 담금 사진 석판 인쇄 공정.
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