KR100771569B1 - Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same - Google Patents

Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR100771569B1
KR100771569B1 KR1020060029513A KR20060029513A KR100771569B1 KR 100771569 B1 KR100771569 B1 KR 100771569B1 KR 1020060029513 A KR1020060029513 A KR 1020060029513A KR 20060029513 A KR20060029513 A KR 20060029513A KR 100771569 B1 KR100771569 B1 KR 100771569B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
reflective cup
emitting device
cup
emitting chip
Prior art date
Application number
KR1020060029513A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070098190A (en
Inventor
세르게이 에이 부케소프
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020060029513A priority Critical patent/KR100771569B1/en
Priority to PCT/KR2007/001310 priority patent/WO2007108616A1/en
Priority to TW096109211A priority patent/TWI331815B/en
Priority to US12/293,328 priority patent/US7777244B2/en
Publication of KR20070098190A publication Critical patent/KR20070098190A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100771569B1 publication Critical patent/KR100771569B1/en
Priority to US12/833,698 priority patent/US8138514B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Abstract

본 발명은 발광소자의 반사컵에 대한 것으로서, 본 발명의 발광소자용 반사컵은 반사컵 본체와, 발광칩이 실장될 부분을 제외한 반사컵 본체의 내측 표면에 높은 반사율 및 낮은 열전도성을 갖는 산화막층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사컵과 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 발광소자용 반사컵 본체의 표면에 높은 광 반사율 및 낮은 열전도율을 갖는 산화막을 형성함으로써, 발광소자 내부의 온도를 감소시키고 반사컵의 광 흡수율을 최소화하는 고효율의 발광소자를 제공한다.The present invention relates to a reflecting cup of a light emitting device, wherein the reflecting cup for a light emitting device of the present invention is an oxide film having a high reflectance and low thermal conductivity on the inner surface of the reflecting cup main body and the reflecting cup main body except for the portion where the light emitting chip is mounted. Provided is a reflective cup for a light emitting device, characterized in that a layer is formed and a method of manufacturing the same. The present invention forms an oxide film having a high light reflectance and a low thermal conductivity on the surface of a reflective cup body for a light emitting device, thereby providing a high efficiency light emitting device that reduces the temperature inside the light emitting device and minimizes the light absorption of the reflective cup.

발광소자, 반사컵, 산화막, 용매, 침전 Light emitting element, reflection cup, oxide film, solvent, precipitation

Description

발광소자용 반사컵과 이를 사용한 발광소자 및 이의 제조방법{Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same}Reflective cup for light emitting device, light emitting device using same and manufacturing method thereof {Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same}

도 1은 본 발명에 따른 반사컵의 단면도.1 is a cross-sectional view of a reflective cup according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 발광소자의 단면도.2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the present invention;

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면.3a to 3d are views for explaining the manufacturing process of the light emitting device according to the present invention.

<도면의 주요부분의 기호에 대한 설명><Description of the symbols of the main parts of the drawings>

120: 메탈슬러그 140: 하우징120: metal slug 140: housing

160a: N측 리드 160b: P측 리드160a: N-side lead 160b: P-side lead

180a: 반사컵 본체 180b: 산화막180a: reflection cup body 180b: oxide film

180: 반사컵 200: 발광칩180: reflecting cup 200: light emitting chip

220a, 220b: 배선 240: 몰딩부 220a, 220b: wiring 240: molding part

본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 자세하게는 발광소자용 반사컵에 대한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a reflective cup for a light emitting device.

종래의 발광소자용 반사컵은 대한민국 특허공개공보 제2002-0057323호에 기재되어 있는 바와 같이 통상 은도금이 된 금속컵을 반사컵으로 사용한다. 또한, 상기의 금속 반사컵은 광출력 패턴을 바꾸기 위해 반사컵 밑면이 타원형이고, 반사컵의 타원형 밑면의 단축 방향이 렌즈의 타원형 수평단면의 장축방향과 나란하게 설치된다.In the conventional reflective cup for a light emitting device, as described in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2002-0057323, a metal cup made of silver plating is generally used as a reflective cup. In addition, the metal reflective cup has an elliptical bottom surface of the reflective cup in order to change the light output pattern, and a short axis direction of the elliptical bottom surface of the reflective cup is installed in parallel with the long axis direction of the elliptical horizontal section of the lens.

상술한 바와 같이 종래의 발광소자용 반사컵은 반사율이 우수한 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속으로 제조된 금속컵을 반사컵으로 사용한다. 또한, 보다 고효율의 반사컵을 제공하기 위해 반사컵의 형태를 변경하기도 한다.As described above, the conventional reflective cup for a light emitting device uses a metal cup made of a metal such as aluminum (Al) or silver (Ag) having excellent reflectance as a reflective cup. In addition, the shape of the reflection cup may be changed to provide a more efficient reflection cup.

그러나 상기한 알루미늄(Al) 및 은(Ag)의 광 반사율 실험값은 각각 0.88 ~ 0.92와 0.96 ~ 0.98이나, 상기의 금속들은 공기중에 산화가 잘되기 때문에 실제 광 반사율은 상기한 값보다 더 작아진다. 즉, 상술한 바와 같은 금속컵을 발광소자의 반사컵으로 사용할 경우 발광칩에서 발산되는 광의 일부분이 반사컵에 흡수되어 발광효율이 떨어지게 된다. 또한, 발광소자 동작 시 발광칩에서 발산되는 열의 일부가 반사컵을 통하여 전달된 후 반사컵 내에 잔류하는 열에 의하여 발광칩의 내부 온도를 높이게 되는 문제점이 있다.However, the light reflectance experimental values of aluminum (Al) and silver (Ag) are 0.88 to 0.92 and 0.96 to 0.98, respectively. However, since the metals are well oxidized in air, the actual light reflectance is smaller than the above values. That is, when the metal cup as described above is used as the reflecting cup of the light emitting device, a part of the light emitted from the light emitting chip is absorbed by the reflecting cup, thereby reducing the luminous efficiency. In addition, there is a problem in that the internal temperature of the light emitting chip is increased by heat remaining in the reflecting cup after a part of the heat emitted from the light emitting chip is transferred through the reflecting cup during operation of the light emitting device.

상기한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 발광소자용 반사컵의 표면에 높은 광 반사율 및 낮은 열전도성을 갖는 산화막을 형성함으로써, 발광소자의 내부 온도를 감소시키고 반사컵의 광 흡수를 최소화하여 보다 고효율의 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention, by forming an oxide film having a high light reflectance and low thermal conductivity on the surface of the reflective cup for the light emitting device, thereby reducing the internal temperature of the light emitting device and minimizing light absorption of the reflective cup The purpose is to provide a light emitting device having high efficiency.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광소자용 반사컵은, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵 본체와, 발광칩이 실장될 부분을 제외한 반사컵 본체의 표면에 형성된 산화막층을 포함한다.Reflective cup for a light emitting device of the present invention for achieving the above object, the reflection cup body containing silver (Ag) or aluminum (Al), and the oxide film formed on the surface of the reflecting cup body except the portion where the light emitting chip is to be mounted Layer.

상기 산화막층은 MgO, BaSO4, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함한다.The oxide layer includes at least one of MgO, BaSO 4 , SiO 2 , Al 2 O 3 .

또한, 본 발명은 상기와 같은 반사컵을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자를 제공한다.In addition, the present invention provides a light-emitting device comprising a reflective cup as described above.

본 발명에 따른 발광소자의 제조방법은 몸체 상에 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵 본체를 형성하는 단계; 상기 반사컵 상에 발광칩을 실장하는 단계; 상기 발광칩을 둘러싸도록 산화물 미립자가 함유된 수지로 몰딩부를 형성하는 단계; 상기 몰딩부의 경화중에 상기 미립자를 반사컵 상에 침전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법을 포함한다.Method of manufacturing a light emitting device according to the present invention comprises the steps of forming a reflection cup body containing silver (Ag) or aluminum (Al) on the body; Mounting a light emitting chip on the reflective cup; Forming a molding part with a resin containing oxide fine particles to surround the light emitting chip; And depositing the fine particles on the reflective cup during curing of the molding part.

상기 산화물은 MgO, BaSO4, SiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The oxide may include at least one of MgO, BaSO 4 , SiO 2 .

본 발명에 따른 반사컵의 제조방법은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵 몸체를 형성하는 단계; 상기 반사컵 몸체의 표면에 용매에 분산된 산화물 미립자를 도포하는 단계; 상기 용매를 증발시키는 단계를 포함한다.Method for producing a reflective cup according to the present invention comprises the steps of forming a reflective cup body containing silver (Ag) or aluminum (Al); Applying oxide fine particles dispersed in a solvent on a surface of the reflective cup body; Evaporating the solvent.

이때, 상기 산화물은 MgO, BaSO4 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 용매는 아세톤 또는 알콜을 포함할 수 있다.In this case, the oxide may include at least one of MgO, BaSO 4 , and the solvent may include acetone or alcohol.

또한, 본 발명에 따른 반사컵의 제조방법은 반사컵 몸체를 형성하는 단계; 상기 반사컵의 몸체에 열산화막을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a reflective cup according to the present invention comprises the steps of forming a reflective cup body; And forming a thermal oxide film on the body of the reflective cup.

이때, 상기 반사컵 본체는 알루미늄(Al)이고, 상기 열산화막은 섭씨 100 ~ 150도의 열을 가해 형성하고, 상기 열산화막은 가열전 반사컵 몸체의 표면을 염화수소(HCL) 및 물로 세척할 수 있다.At this time, the reflection cup body is aluminum (Al), the thermal oxide film is formed by applying a heat of 100 ~ 150 degrees Celsius, the thermal oxide film can be washed with hydrogen chloride (HCL) and water surface of the reflection cup body before heating. .

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 반사컵의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a reflecting cup according to the present invention.

본 발명에 따른 반사컵은 도 1에 도시된 바와 같이, 반사컵 본체(180a)와, 상기 반사컵 본체(180a)의 표면에 형성된 높은 광 반사율 및 낮은 열전도성의 산화막(180b)을 포함한다. 이때, 상기 산화막(180b)은 발광칩이 실장될 위치에는 형성되지 않는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 1, the reflective cup according to the present invention includes a reflective cup body 180a and an oxide film 180b having a high light reflectance and a low thermal conductivity formed on a surface of the reflective cup body 180a. In this case, it is preferable that the oxide film 180b is not formed at the position where the light emitting chip is to be mounted.

상기 반사컵 본체(180a)는 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속으로 소정의 금형공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 반사컵 본체(180a)는 오목형상으로, 산화막(180b)이 형성되지 않은 중심부에 (도시되지 않은) 발광칩이 실장된다. 따라 서, 상기 반사컵(180)은 열전도율 및 전기전도율이 높은 금속을 사용함으로써, 발광소자 동작 시 발광칩에서 발산되는 열을 반사컵(180)으로 빠르게 전달할 수 있다. 또한, 발광칩의 상, 하부에 전극이 형성된 수직형 발광칩을 사용할 경우 하나의 배선만을 사용하는 원-탭 와이어 구조(One-tap wire structure)를 사용하여 제조공정을 줄일 수 있다.The reflective cup body 180a may be formed of a metal such as aluminum (Al) or silver (Ag) through a predetermined mold process. The reflective cup main body 180a has a concave shape, and a light emitting chip (not shown) is mounted at a central portion where the oxide film 180b is not formed. Accordingly, the reflective cup 180 may use a metal having high thermal conductivity and high electrical conductivity to quickly transfer heat emitted from the light emitting chip to the reflective cup 180 when the light emitting device is operated. In addition, in the case of using a vertical light emitting chip having electrodes formed on top and bottom of the light emitting chip, a manufacturing process may be reduced by using a one-tap wire structure using only one wire.

상기 산화막(180b)은 자외선 내지 적외선 영역에서 100퍼센트에 가까운 높은 광 반사율 및 낮은 열전도성을 갖는 산화물로서, 예를 들면 MgO, BaSO4, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 산화막(180b)은 열전도성이 낮아 발광소자 동작 시 발광칩에서 발생되는 열이 반사컵 내부에 모이지 않도록 한다. 즉, 발광칩에서 발생되는 열은 발광칩과 접촉된 반사컵 본체(180a)를 통해 외부로 방출되며, 반사컵 내부는 상기 산화막(180b)에 의해 열적으로 차단(Thermal isolation)된다. 상기와 같이 반사컵 본체(180a)를 통해 반사컵(180) 내부로 방출되는 열이 차단되므로 발광칩이 실장된 반사컵(180) 내부의 오목부 공간으로 반사컵 본체(180a)의 열이 전달되는 것이 방지된다. 따라서, 종래의 반사컵보다 발광소자의 내부온도가 낮아지며, 산화막(180b)의 높은 반사율로 인하여 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The oxide layer 180b is an oxide having high light reflectivity and low thermal conductivity close to 100 percent in the ultraviolet to infrared region, and includes at least one of MgO, BaSO 4 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . The oxide layer 180b has low thermal conductivity, so that heat generated from the light emitting chip during the operation of the light emitting device does not collect in the reflection cup. That is, heat generated from the light emitting chip is emitted to the outside through the reflecting cup body 180a in contact with the light emitting chip, and the inside of the reflecting cup is thermally isolated by the oxide film 180b. As the heat emitted into the reflective cup 180 is blocked through the reflective cup main body 180a as described above, the heat of the reflective cup main body 180a is transferred to the recess space inside the reflective cup 180 in which the light emitting chip is mounted. Is prevented. Therefore, the internal temperature of the light emitting device is lower than that of the conventional reflecting cup, and a high efficiency light emitting device can be provided due to the high reflectance of the oxide film 180b.

이하 상기한 반사컵의 제조공정을 간략히 설명하고자 한다. 본 발명에 따른 반사컵은 도포, 침전, 열처리의 세가지 제조방법이 있으나 다음에 설명하고자 하는 제조방법은 본발명의 제조방법 중 도포, 가열의 두가지 제조방법이며, 침전에 의한 제조방법은 하기의 발광소자의 제조공정 설명 중 언급하기로 한다.Hereinafter, the manufacturing process of the reflective cup will be briefly described. The reflective cup according to the present invention has three manufacturing methods of coating, precipitation, and heat treatment, but the following manufacturing methods are two manufacturing methods of coating and heating in the manufacturing method of the present invention. Reference will be made in the description of the manufacturing process of the device.

본 발명의 일실시예에 따른 반사컵(180)은, 우선 소정의 금형공정을 통해 제조된 오목형상의 반사컵 본체(180a)를 준비한다. 미세입자 형태의 MgO 또는 BaSO4를 아세톤 또는 알콜과 같은 용매에 녹여 용액의 형태로 한다. 발광칩이 실장될 부분을 제외한 상기 반사컵 본체(180a)의 표면에 용액 형태의 MgO 또는 BaSO4와 같은 산화물(180b) 용액을 도포한다. 상기 반사컵 본체(180a)의 표면에 도포된 용액 형태의 산화물에서 용매를 증발시켜 산화막(180b)을 형성한다. 이때, 발광칩이 실장될 부분의 반사컵 본체(180a)에는 마스킹테이프를 미리 부착시킨 후 용매의 도포 또는 증발 후에 이를 제거하여 산화막(180b)을 형성한다.Reflective cup 180 according to an embodiment of the present invention, first prepare a concave reflection cup body 180a manufactured through a predetermined mold process. MgO or BaSO 4 in the form of microparticles is dissolved in a solvent such as acetone or alcohol to form a solution. An oxide 180b solution such as MgO or BaSO 4 in a solution form is applied to the surface of the reflective cup body 180a except for a portion where the light emitting chip is to be mounted. The oxide film 180b is formed by evaporating the solvent from the oxide in the form of a solution applied to the surface of the reflective cup body 180a. At this time, the masking tape is previously attached to the reflective cup body 180a of the portion where the light emitting chip is to be mounted, and then, after application or evaporation of the solvent, the oxide film 180b is formed.

다음은 본 발명의 다른 실시예로서, 가열에 의한 열산화막 형성에 대해 기술하고자 한다.Next, as another embodiment of the present invention, a thermal oxide film is formed by heating.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반사컵(180)은, 일실시예와 같은 알루미늄(Al) 반사컵 본체(180a)를 준비한다. 상기 반사컵 본체(180a)의 표면의 불순물을 염산(HCL)으로 세척하고, 상기 염산(HCL)을 물로 씻어내어 세정한다. 이후, 상기 반사컵 본체(180a)를 공기중에 노출시켜 섭씨 100 ~ 150도로 가열하여 Al2O3의 열산화막(180b)을 형성한다. 이때, 상기 반사컵 본체(180a)에 형성된 열산화막(180b) 중 발광칩이 형성될 영역의 열산화막(180b)을 제거할 필요가 있을 경우, 상기 반사컵 본체(180a)의 발광칩이 실장될 영역에 마스크를 형성하고 열산화막 형성하여 발광칩이 실장될 영역의 열산화막을 제거할 수도 있다. 또한, 상기 반사컵 본체(180a)의 전 영역에 열산화막(180b)을 형성한 후 가공에 의해 발광칩이 실장될 영역의 열산화막을 제거할 수도 있다.Reflective cup 180 according to another embodiment of the present invention, the aluminum (Al) reflecting cup body 180a as in one embodiment is prepared. Impurities on the surface of the reflective cup main body 180a are washed with hydrochloric acid (HCL), and the hydrochloric acid (HCL) is washed with water to clean it. Thereafter, the reflective cup body 180a is exposed to air to be heated to 100 to 150 degrees Celsius to form a thermal oxide film 180b of Al 2 O 3 . In this case, when it is necessary to remove the thermal oxide film 180b in the region where the light emitting chip is to be formed from the thermal oxide film 180b formed on the reflective cup body 180a, the light emitting chip of the reflective cup body 180a may be mounted. A mask may be formed in the region and a thermal oxide layer may be formed to remove the thermal oxide layer in the region where the light emitting chip is to be mounted. In addition, the thermal oxide film 180b may be formed over the entire region of the reflective cup main body 180a, and then the thermal oxide film in the region where the light emitting chip is mounted may be removed by processing.

다음은 본 발명의 반사컵을 적용한 발광소자에 대해 살펴보고자 한다.Next, a light emitting device to which the reflective cup of the present invention is applied will be described.

도 2를 참조하면 본 발명에 따른 발광소자는 하우징(140)과, 상기 하우징(140)에 장착된 메탈슬러그(120)와, 상기 메탈슬러그(120) 상에 장착된 반사컵(180)과, 상기 반사컵(180) 상에 실장된 발광칩(200)과, 상기 하우징(140)에 관통 장착된 N측(160a) 및 P측 리드(160b)와, 상기 N측 및 P측 리드(160a, 160b)와 발광칩(200)을 연결하는 배선(220a, 220b)과, 상기 발광칩(200) 및 배선(220a, 220b)을 덮는 몰딩부(240)를 포함한다.2, the light emitting device according to the present invention includes a housing 140, a metal slug 120 mounted on the housing 140, a reflective cup 180 mounted on the metal slug 120, The light emitting chip 200 mounted on the reflective cup 180, the N side 160a and the P side lead 160b penetrated to the housing 140, and the N side and P side lead 160a, Wires 220a and 220b connecting the light emitting chip 200 and the light emitting chip 200, and a molding part 240 covering the light emitting chips 200 and the wires 220a and 220b.

상기 하우징(140)은 N측 및 P측 리드(160a, 160b)를 고정시키기 위한 것으로서, 열가소성 또는 열경화성 수지를 성형공정을 통해 제조할 수 있다.The housing 140 is for fixing the N-side and P-side leads 160a and 160b and may manufacture thermoplastic or thermosetting resin through a molding process.

상기 하우징(140)에 장착되는 메탈슬러그(120)는 금형공정을 통해 제조될 수 있으며, 발광소자 동작 시 발광칩(200)에서 발생되는 열을 외부로 효율적으로 전달하기 위해 열전도성이 우수한 금속을 선택하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 메탈슬러그(120)의 상부를 오목형상으로 하여 별도의 반사컵 본체를 장착하지 않고 메탈슬러그(120) 자체를 반사컵 본체(180a)로 사용할 수 있다. 이럴경우, 메탈슬러그(120) 자체를 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성할 수 있다.The metal slug 120 mounted on the housing 140 may be manufactured through a mold process, and a metal having excellent thermal conductivity in order to efficiently transfer heat generated from the light emitting chip 200 to the outside during operation of the light emitting device. It can be formed by selection. In this case, the upper portion of the metal slug 120 is concave, and the metal slug 120 itself may be used as the reflection cup body 180a without mounting a separate reflection cup body. In this case, the metal slug 120 itself may be formed of silver (Ag) or aluminum (Al).

상기 발광칩(200)은 동일 평면측에 N형 전극 및 P형 전극이 형성된 수평형 발광칩으로서, 상기 반사컵(180) 상에 실장된다. 상기 발광칩(200)과 반사컵(180) 사이에는 발광칩(200)을 접착하기 위해 (도시되지 않은) 접착제가 형성될 수 있다. 물론 상부에 P형 전극이, 하부에 N형 전극이 형성된 수직형 발광칩을 사용할 수도 있다. 또한, 상기 발광칩(200)의 광을 받아 흡수된 광과 상이한 파장을 발산하는 (도시되지 않은) 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 형광체는 발광칩(200)으로부터 발광된 광의 일부를 흡수하여 흡수된 광과 상이한 파장의 광을 방출하는 것으로서, 임자결정(Host Lattice)과 적절한 위치에 불순물이 혼입된 활성이온으로 구성된다. 상기 활성이온들의 역할은 발광과정에 관여하는 에너지 준위를 결정함으로써 발광색을 결정하며, 그 발광색은 결정구조 내에서 활성이온이 갖는 기저상태와 여기 상태의 에너지 차(Energy Gap)에 의해 결정된다.The light emitting chip 200 is a horizontal light emitting chip having an N-type electrode and a P-type electrode formed on the same plane, and is mounted on the reflective cup 180. An adhesive (not shown) may be formed between the light emitting chip 200 and the reflective cup 180 to adhere the light emitting chip 200. Of course, a vertical light emitting chip having a P-type electrode at an upper portion and an N-type electrode at a lower portion may be used. In addition, the light emitting chip 200 may further include a phosphor (not shown) that emits a wavelength different from that of the light absorbed by the light. The phosphor absorbs a part of the light emitted from the light emitting chip 200 and emits light having a wavelength different from that of the absorbed light. The phosphor is composed of a host crystalline and an active ion in which impurities are mixed at an appropriate position. The role of the active ions determines the emission color by determining the energy level involved in the emission process, the emission color is determined by the energy gap between the ground state and the excited state of the active ion in the crystal structure.

상기 N측 리드(160a) 및 P측 리드(160b)는 소정의 프레스공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 N측 및 P측 리드(160a, 160b)는 입력된 외부전원을 배선(220a, 220b)을 통해 발광칩(200)에 인가하는 역할을 한다.The N-side lead 160a and the P-side lead 160b may be formed through a predetermined press process. The N-side and P-side leads 160a and 160b apply the input external power to the light emitting chip 200 through the wirings 220a and 220b.

상기 몰딩부(240)는 발광칩(200)과 배선(220a, 220b)을 보호하기 위한 것으로서, 그 내부에 상기 발광칩(200)으로부터 방출된 광을 산란에 의해 확산시킴으로써 균일하게 발광시키는 (도시되지 않은) 확산제를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(240)는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 투명한 수지일 수 있으며, 확산제로는 티탄산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화규소 등을 사용할 수 있다.The molding part 240 is to protect the light emitting chip 200 and the wirings 220a and 220b, and uniformly emits light by scattering light emitted from the light emitting chip 200 by scattering therein. May be included). The molding part 240 may be a transparent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, and as the diffusion agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, or the like may be used.

상기 반사컵(180)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 재질인 반사컵 본체(180a)와, 상기 반사컵 본체(180a) 상의 표면에 형성된 산화막(180b)을 포함한다.The reflective cup 180 includes a reflective cup body 180a made of a metal such as aluminum (Al) or silver (Ag), and an oxide film 180b formed on a surface of the reflective cup body 180a.

상기 산화막(180b)은 자외선 내지 적외선 영역에서 100퍼센트에 가까운 높은 광 반사율 및 낮은 열전도성을 갖는 산화물로서, 예를 들어 MgO, BaSO4, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함한다.The oxide layer 180b is an oxide having high light reflectivity and low thermal conductivity close to 100 percent in the ultraviolet to infrared region, and includes at least one of MgO, BaSO 4 , SiO 2 , and Al 2 O 3 .

전술된 실시예에 따른 산화막(180b)은 발광칩(200)을 실장하기 전에 형성하였으나, 이와달리 발광칩(200)에서 발산되는 열이 반사컵 본체(180a)에 효율적으로 전달될 수 있도록 발광칩(200) 실장 후 형성하여 발광칩(200)과 반사컵 본체(180a)의 접촉부에는 산화막(180b)이 형성되지 않게 할 수도 있다.Although the oxide film 180b according to the above-described embodiment is formed before the light emitting chip 200 is mounted, the light emitting chip 180 may efficiently transfer heat emitted from the light emitting chip 200 to the reflecting cup body 180a. The oxide layer 180b may not be formed at the contact portion between the light emitting chip 200 and the reflective cup main body 180a after the mounting.

상기의 설명에서는 몸체로 메탈슬러그(120)를 구비하는 발광소자를 예시하였으나, 본 발명의 발광소자는 이에 한정되지 않으며, 램프형, 탑형 등 여러가지 형태의 발광소자에 적용될 수 있다. 이때, 상기 몸체는 메탈슬러그 또는 램프형의 리드프레임과 같이 반사컵 본체(180a)가 형성될 수 있는 구성을 지칭한다. 또한, 본 실시예에서는 상기 메탈슬러그(120)와 반사컵 본체(180a)을 따로 제작하여 상기 메탈슬러그(120) 상에 반사컵 본체(180a)를 장착하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 메탈슬러그(120)와 반사컵 본체(180a)를 일체형으로 제작할 수도 있다.In the above description, the light emitting device having the metal slug 120 is illustrated as a body, but the light emitting device of the present invention is not limited thereto and may be applied to various types of light emitting devices such as a lamp type and a tower type. In this case, the body refers to a configuration in which the reflective cup body 180a may be formed, such as a metal slug or lamp type lead frame. In addition, in the present embodiment, the metal slug 120 and the reflective cup main body 180a are manufactured separately, and the reflective cup main body 180a is mounted on the metal slug 120, but the present invention is not limited thereto. That is, the metal slug 120 and the reflective cup main body 180a may be manufactured integrally.

지금까지는 산화막이 형성된 반사컵을 발광소자와 별도로 제조하고 이를 통상의 발광소자 제조에 이용하는 실시예가 설명되었다. 이하에서는 발광소자의 제조공정을 거치는 동안 반사컵의 본체 상에 산화막이 형성되는 발광소자에 대해 설명하고자한다.Until now, an embodiment in which the reflective cup on which the oxide film is formed is manufactured separately from the light emitting device and used for manufacturing the conventional light emitting device has been described. Hereinafter, a light emitting device in which an oxide film is formed on a main body of a reflective cup during the manufacturing process of the light emitting device will be described.

이하 이러한 발광소자의 제조공정을 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a manufacturing process of the light emitting device will be described with reference to the drawings.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.3A to 3D are views for explaining a manufacturing process of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 우선 N측, P측 리드 및 메탈슬러그를 지지하는 하우징을 삽입몰딩(Insert Molding)하여 형성한다. (도 3a). 상기 메탈슬러그(120) 상에 소정의 금형공정을 통해 제조된 반사컵 본체(180a)를 장착한다(도 3b).3A to 3D, first, a housing supporting the N side, the P side lead, and the metal slug is formed by insert molding. (FIG. 3A). The reflective cup body 180a manufactured through a predetermined mold process is mounted on the metal slug 120 (FIG. 3B).

이때, 상기 반사컵 본체(180a)는 상기와 같이 따로 제작되어 메탈슬러그(120) 상에 장착되지 않고, 상기 메탈슬러그(120)와 일체로 제작될 수도 있다. 즉, 상기 메탈슬러그(120)를 상기 반사컵 본체(180a)와 동일한 재료를 사용하여 일체로 제작할 수도 있다. 상기 반사컵 본체(180a)의 중심부에 발광칩(200)을 실장하고, 상기 발광칩(200)과 N측 및 P측 리드(160a, 160b)를 와이어 접합공정을 통해 배선(220a, 220b)으로 연결한다(도 3c).In this case, the reflective cup body 180a may be manufactured separately as described above and may not be mounted on the metal slug 120, but may be manufactured integrally with the metal slug 120. That is, the metal slug 120 may be integrally manufactured using the same material as that of the reflective cup body 180a. The light emitting chip 200 is mounted at the center of the reflective cup main body 180a, and the light emitting chip 200 and the N-side and P-side leads 160a and 160b are connected to the wirings 220a and 220b through a wire bonding process. Connect (FIG. 3C).

상기 발광칩(200)이 실장된 반사컵 본체(180a) 내에 미세한 입자형태의 MgO, BaSO4, SiO2와 같은 산화물 중 적어도 하나가 혼합된 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지를 일정량 주입한다. 이후, 일정온도 일정시간 방치하여 몰딩부(240)를 경화시킨다. 이때, 상기 몰딩부(240)가 경화되는 동안 미세입자형태의 산화물이 반사컵 본체(180a)의 표면에 침전되어 산화막(180b)이 형성된다.Oxides such as MgO, BaSO 4 , and SiO 2 in the form of fine particles in the reflective cup body 180a on which the light emitting chip 200 is mounted. A certain amount of a liquid epoxy resin or a silicone resin mixed with at least one of them is injected. Thereafter, the mold part 240 is cured by being left at a predetermined temperature for a predetermined time. At this time, while the molding part 240 is cured, an oxide having a fine particle shape is deposited on the surface of the reflection cup body 180a to form an oxide film 180b.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and various changes and modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the claims. It is self-evident.

예를들어, 상술한 실시예에서는 본 발명의 반사컵을 일반 가시광 발광소자에 적용하여 설명하였으나, 반사컵이 사용되는 발광소자, 즉, 레이저 다이오드 등에도 적용될 수 있음은 물론이다.For example, in the above-described embodiment, the reflective cup of the present invention is applied to a general visible light emitting device. However, the reflective cup may be applied to a light emitting device using a reflective cup, that is, a laser diode.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 발광소자용 반사컵의 표면에 높은 광 반사율 및 낮은 열전도율을 갖는 산화막을 형성함으로써, 발광소자 내부의 온도를 감소시키고 반사컵의 광 흡수율을 최소화하는 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.As described above, the present invention forms an oxide film having a high light reflectance and a low thermal conductivity on the surface of the reflective cup for the light emitting device, thereby reducing the temperature inside the light emitting device and minimizing the light absorption of the reflective cup. Can be provided.

Claims (7)

발광소자용 반사컵으로서,As a reflective cup for a light emitting element, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵 본체와,A reflection cup body including silver (Ag) or aluminum (Al), 발광칩이 실장될 부분을 제외한 반사컵 본체의 내측 표면에 형성된 산화막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사컵.Reflective cup for a light emitting device, characterized in that it comprises an oxide film layer formed on the inner surface of the reflective cup body excluding the portion to be mounted light emitting chip. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 산화막층은 MgO, BaSO4, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사컵.The oxide layer is a reflective cup for a light emitting device comprising at least one of MgO, BaSO 4 , SiO 2 , Al 2 O 3 . 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 2에 따른 발광소자용 반사컵을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.Light-emitting device comprising a reflective cup for a light-emitting device according to claim 1. 몸체 상에 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵 본체를 형성하는 단계;Forming a reflection cup body including silver (Ag) or aluminum (Al) on the body; 상기 반사컵 본체 상에 발광칩을 실장하는 단계;Mounting a light emitting chip on the reflection cup body; 상기 발광칩을 둘러싸도록 산화물 미립자가 함유된 수지로 몰딩부를 형성하는 단계;Forming a molding part with a resin containing oxide fine particles to surround the light emitting chip; 상기 몰딩부의 경화중에 상기 미립자를 반사컵 본체 상에 침전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.And depositing the fine particles on the reflecting cup body during curing of the molding part. 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 반사컵의 본체를 형성하는 단계;Forming a main body of a reflective cup including silver (Ag) or aluminum (Al); 발광칩이 실장될 부분을 제외한 상기 반사컵 본체의 표면에 용매에 분산된 산화물 미립자를 도포하는 단계;Coating oxide fine particles dispersed in a solvent on a surface of the reflection cup body except for a portion where a light emitting chip is to be mounted; 상기 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사컵의 제조방법.Method of producing a reflective cup comprising the step of evaporating the solvent. 알루미늄(Al) 반사컵의 본체를 형성하는 단계;Forming a body of an aluminum (Al) reflecting cup; 발광칩이 실장될 부분을 제외한 상기 반사컵 본체의 표면에 열산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사컵의 제조방법.And forming a thermal oxide film on a surface of the reflective cup body except for a portion where a light emitting chip is to be mounted.
KR1020060029513A 2006-03-17 2006-03-31 Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same KR100771569B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060029513A KR100771569B1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same
PCT/KR2007/001310 WO2007108616A1 (en) 2006-03-17 2007-03-16 Side-view light emitting diode package having a reflector
TW096109211A TWI331815B (en) 2006-03-17 2007-03-16 Side-view light emitting diode package having a reflector
US12/293,328 US7777244B2 (en) 2006-03-17 2007-03-16 Side-view light emitting diode package having a reflector
US12/833,698 US8138514B2 (en) 2006-03-17 2010-07-09 Side-view light emitting diode package having a reflector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060029513A KR100771569B1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070098190A KR20070098190A (en) 2007-10-05
KR100771569B1 true KR100771569B1 (en) 2007-10-30

Family

ID=38804280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060029513A KR100771569B1 (en) 2006-03-17 2006-03-31 Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100771569B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000089A (en) * 2002-06-24 2004-01-03 서울반도체 주식회사 Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same
KR20040018085A (en) * 2002-08-21 2004-03-02 서울반도체 주식회사 White light emitting device
KR20050102319A (en) * 2004-04-21 2005-10-26 서울반도체 주식회사 Light emission diode
KR20060004569A (en) * 2004-07-09 2006-01-12 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package having a monolithic heat sinking slug and method of fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000089A (en) * 2002-06-24 2004-01-03 서울반도체 주식회사 Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same
KR20040018085A (en) * 2002-08-21 2004-03-02 서울반도체 주식회사 White light emitting device
KR20050102319A (en) * 2004-04-21 2005-10-26 서울반도체 주식회사 Light emission diode
KR20060004569A (en) * 2004-07-09 2006-01-12 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package having a monolithic heat sinking slug and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070098190A (en) 2007-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5695488B2 (en) Luminous body package
US9806241B2 (en) Resin-attached lead frame and semiconductor device
JP4791951B2 (en) Illumination module and method of manufacturing the illumination module
JP5596901B2 (en) Power light emitting die package having a reflective lens and method of manufacturing the same
TWI528602B (en) Led with remote phosphor layer and reflective submount
US7264378B2 (en) Power surface mount light emitting die package
JP4989614B2 (en) High power LED package manufacturing method
KR101847938B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR101850432B1 (en) Light emitting moudule
US20070228947A1 (en) Luminescent Light Source, Method for Manufacturing the Same, and Light-Emitting Apparatus
JP2004517502A (en) Light emitting diode and method of manufacturing the same
TW200830560A (en) Housing for optoelectronic component, optoelectronic component and method of manufacturing housing for optoelectronic component
JP2001196644A (en) Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP7030826B2 (en) Methods for manufacturing optoelectronic semiconductor components
KR101012936B1 (en) Light emitting diode package encapsulated by light transmitting substrate and method for fabricating the same
JP2005191192A (en) Substrate for mounting light emitting element and light emitting device
JP2006156662A (en) Light emitting device
KR100771569B1 (en) Reflector for LED and LED using the same and method for manufacturing the same
KR101901890B1 (en) Luminescence device
KR100814014B1 (en) Light-emitting diode with high efficiency
JP2006269531A (en) Optical semiconductor apparatus
EP2793278B1 (en) Package for a light emitting device, and light emitting device including the same
KR101982522B1 (en) Lighting unit and method thereof
JP6038528B2 (en) Light emitting device
TWI282184B (en) Optoelectronic component with a wireless contacting

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120917

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130911

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140912

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150902

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 10