KR100771005B1 - Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display - Google Patents

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Abstract

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되는 전극, 가스공급관, 저항 소자 및 커패시터를 구비한다. 상기 가스공급관은 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결된다. 상기 저항소자는 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결되며, 상기 커패시터는 상기 저항소자와 직렬로 연결된다. 본 발명에 따르면, 가스공급부로부터 공정 챔버로 공정가스를 공급하는 가스공급관에 저항 및 커패시터를 사용한 저역통과 필터를 장착함으로써, 가스공급관에서의 플라즈마 방전이 방지된다.A chemical vapor deposition apparatus for planar displays is disclosed. The chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display of the present invention includes a chamber in which a deposition process for a flat panel display is performed, an electrode provided inside the chamber, a gas supply pipe, a resistance element, and a capacitor. One end of the gas supply pipe is connected to the electrode, and the other end is connected to the gas supply unit. One end of the resistance element is connected to the electrode, the other end is connected to the gas supply part, and the capacitor is connected in series with the resistance element. According to the present invention, plasma discharge in the gas supply pipe is prevented by attaching a low pass filter using a resistor and a capacitor to the gas supply pipe for supplying the process gas from the gas supply part to the process chamber.

평면디스플레이, LCD, 가스공급관 Flat panel display, LCD, gas supply pipe

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착 장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Displays {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 일부를 상세히 나타내는 도면이다.2 is a view showing in detail a portion of the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 저역통과필터 및 고주파 전원부를 상세히 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating in detail the low pass filter and the high frequency power supply shown in FIG. 2.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명     * Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 화학기상증착장치 10 : 챔버1: chemical vapor deposition apparatus 10: chamber

16 : 전극 17 : 가스분배판 16 electrode 17 gas distribution plate

18 : 리모프 플라즈마부 20 : RF 전원부18: Remorph plasma unit 20: RF power unit

22 : RF 라인 24 : 가스공급관22: RF line 24: gas supply pipe

220 : 임피던스 정합기 300 : 저역통과필터220: impedance matcher 300: low pass filter

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상기 화학 기상 증착 장치로 가스를 공급하는 가스공급관에 저주파 필터를 장착하여 가스관에서의 플라즈마 방전을 방지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays, and more particularly, to a planar display capable of preventing plasma discharge in a gas pipeline by attaching a low frequency filter to a gas supply pipe that supplies gas to the chemical vapor deposition apparatus. A chemical vapor deposition apparatus for the present invention.

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as in TVs and computers.

이러한 평면디스플레이는 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include a variety of types such as cathode ray tube (CRT), liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes (OLED).

이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, liquid crystal display (LCD) injects a liquid crystal, which is an intermediate between solid and liquid, between two thin upper and lower glass substrates, and generates light and shade by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.

LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.LCD is a TFT process in which processes such as deposition, photo lithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through the completed module process.

한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다.On the other hand, the chemical vapor deposition process, one of many processes, is plasma-formed by an external high frequency power source, and silicon-based compound ions having high energy are ejected from the gas distribution plate through the electrodes. It is a process to be deposited on a glass substrate. This process takes place in a chamber that performs a chemical vapor deposition process.

자세히 후술하겠지만, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내의 하부 영역에는 증착 대상의 유리기판이 로딩되는 서셉터가 마련되어 있고, 그 상부 영역에 전극인 가스분배판이 배치되어 있다.As will be described in detail later, a susceptor for loading a glass substrate to be deposited is provided in a lower region in a chamber in which a chemical vapor deposition process is performed, and a gas distribution plate serving as an electrode is disposed in the upper region.

서셉터의 상면으로 유리기판이 로딩되면, 공정가스가 가스공급원으로부터 가스공급관을 통하여 챔버 내부로 유입되어 분사된다. 분사된 공정 가스는, 고주파(RF) 전원으로부터 임피던스 정합기, RF 전송라인 및 전극을 통해 공급되는 RF 전력에 의해 플라즈마 상태로 방전된다. 플라즈마 상태의 가스는 가스분배판을 통해 분출되면서 유리기판의 증착 공정이 수행된다.When the glass substrate is loaded on the upper surface of the susceptor, process gas is introduced into the chamber through the gas supply pipe from the gas supply source and injected. The injected process gas is discharged from the high frequency (RF) power source into a plasma state by RF power supplied through an impedance matcher, an RF transmission line, and an electrode. The gas in the plasma state is ejected through the gas distribution plate to perform the deposition process of the glass substrate.

한편, 가스공급관의 일단은 가스공급부에 연결되고, 타단은 공정 챔버 내의 전극에 연결된다. 전극은 또한 RF 라인을 통하여 RF 전원에 연결된다. 가스공급부에 연결된 가스공급관의 일단은 통상적으로 접지된다. 따라서, 공정 가스는 접지된 가스공급부로부터 가스공급관을 통하여 고주파 전원 쪽으로 공급이 되므로, 가스공급관에서 플라즈마 방전이 일어날 수 있다. On the other hand, one end of the gas supply pipe is connected to the gas supply unit, the other end is connected to the electrode in the process chamber. The electrode is also connected to the RF power source via the RF line. One end of the gas supply pipe connected to the gas supply unit is normally grounded. Therefore, since the process gas is supplied from the grounded gas supply to the high frequency power supply through the gas supply pipe, plasma discharge may occur in the gas supply pipe.

이러한 가스공급관에서의 플라즈마 방전을 방지하기 위하여, 종래에는 가스공급관에 저항을 사용하였다. 그런데, 사용되는 저항의 값이 작은 경우에는 여전히 플라즈마 방전이 일어날 수 있으며, 저항 값이 큰 경우에는 저항 소자에서의 열 발생이 증가하고, 심한 경우 저항 소자가 타는 문제점이 있다.In order to prevent plasma discharge in such a gas supply pipe, the resistance was conventionally used for the gas supply pipe. However, when the value of the resistor used is small, plasma discharge may still occur. When the value of the resistor is large, heat generation in the resistor may increase, and in some cases, the resistor may burn.

본 발명의 기술적 목적은, 가스공급부로부터 공정 챔버로 가스를 공급하는 가스공급관에 저항 및 커패시터를 사용한 저역통과 필터를 장착함으로써, 가스공급관에서의 플라즈마 방전을 방지하고, 저항이 파손되는 것을 방지하여 시스템의 안정성을 향상시키는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.A technical object of the present invention is to install a low pass filter using a resistor and a capacitor in a gas supply pipe for supplying gas from a gas supply unit to a process chamber, thereby preventing plasma discharge in the gas supply pipe and preventing the resistance from being broken. It is to provide a chemical vapor deposition apparatus for planar display to improve the stability of the.

상기 기술적 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 측면에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되는 전극, 가스공급관, 저항 소자 및 커패시터를 구비한다. 상기 가스공급관은 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결된다. 상기 저항소자는 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결되며, 상기 커패시터는 상기 저항소자와 직렬로 연결된다.Chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to a preferred aspect of the present invention for achieving the above technical object, a chamber in which a deposition process for a flat display is carried out, the electrode provided in the chamber, a gas supply pipe, a resistor and a capacitor It is provided. One end of the gas supply pipe is connected to the electrode, and the other end is connected to the gas supply unit. One end of the resistance element is connected to the electrode, the other end is connected to the gas supply part, and the capacitor is connected in series with the resistance element.

상기 기술적 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 다른 일 측면에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되는 전극, 가스공급관, RF라인 및 저역통과필터를 구비한다. 상기 가스공급관은 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결되어, 상기 가스공급부로부터 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급한다. 상기 RF 라인은 고주파전원부로부터 상기 전극으로 고주파 전력을 공급한다. 그리고, 상기 저역통과필터는 상기 전극과 접지 노드 사이에 형성되며, 구체적으로는, 상기 전극에 일단이 연결되는 저항 소자, 및 상기 접지 노드에 일단이 연결되고, 상기 저항 소자에 직렬로 연결되는 커패시터를 구비한다.Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to another preferred aspect of the present invention for achieving the technical object, a chamber in which the deposition process for the flat display is performed, the electrode provided in the chamber, a gas supply pipe, an RF line and A low pass filter is provided. One end of the gas supply pipe is connected to the electrode, and the other end is connected to the gas supply part to supply a process gas from the gas supply part into the chamber. The RF line supplies high frequency power from the high frequency power supply to the electrode. In addition, the low pass filter is formed between the electrode and the ground node, and specifically, a resistor connected to one end of the electrode, and a capacitor connected to one end of the resistor and connected in series to the resistor. It is provided.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 대해 상세히 설명하기로 하며, 실시예의 설명 중 동일 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하도록 한다.Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same reference numerals will be given to the same components in the description of the embodiments.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an embodiment of the present invention.

이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 증착 대상의 평면디스플레이(G)를 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온(ion)을 방출하는 전극(16)과, 전극(16)의 하부에 배치되어 평면디스플레이(G)가 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30)의 하부에서 서셉터(30)를 지지하는 복수의 서셉터지지대(40)를 구비한다.As shown in this figure, the planar display chemical vapor deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is provided in the chamber 10 and the upper region in the chamber 10, the planar display of the deposition target (G). And a susceptor 30 disposed below the electrode 16 to load a predetermined silicon-based compound ion, a susceptor 30 loaded with a planar display G, and a susceptor A plurality of susceptor support 40 for supporting the susceptor 30 in the lower portion of the 30 is provided.

챔버(10)는 내부의 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐되어 있다. 챔버(10)의 증착공간(S)에는 전극(16)으로부터 방출된 증착물질인 실리콘계 화합물 이온에 영향을 주지 않고 방전의 안정성을 위해서 불활성 기체(He, Ar)가 사용될 수도 있다In the chamber 10, the outer wall is shielded from the outside so that the deposition space S therein can be maintained in a vacuum atmosphere. An inert gas (He, Ar) may be used in the deposition space S of the chamber 10 for the stability of the discharge without affecting the silicon-based compound ions which are the deposition materials emitted from the electrode 16.

챔버(10)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 평면디스플레이(G)가 챔버(10)의 내외로 유출입되는 통로인 개구부(10a)가 형성되어 있다. 도시하고 있지는 않지만, 개구부(10a)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐된다.The outer wall of the chamber 10 is formed with an opening 10a which is a passage through which a flat display G flows in and out of the chamber 10 by a predetermined working robot. Although not shown, the opening 10a is selectively opened and closed by a door (not shown).

챔버(10) 내의 바닥면(11)에는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에 존재하는 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(12)이 마련되어 있다. 그리고 챔버(10) 내의 바닥면(11) 중앙 영역에는 서셉터(30)의 컬럼(32)이 관통하는 관통홀(10b)이 형성되어 있다. 관통홀(10b)의 주변에는 서셉터지지대(40)의 축부(42)가 관통하는 추가의 관통홀(10c)이 더 형성되어 있다.A gas diffusion plate 12 is provided on the bottom surface 11 of the chamber 10 to diffuse the gas existing in the deposition space S in the chamber 10 back into the deposition space S. In the central region of the bottom surface 11 in the chamber 10, a through hole 10b through which the column 32 of the susceptor 30 penetrates is formed. An additional through hole 10c through which the shaft portion 42 of the susceptor support 40 penetrates is further formed around the through hole 10b.

전극(16)은 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 있다. 전극(16)의 하부에는 다수의 오리피스가 형성되어 증착물질인 실리콘계 화합물 이온을 분배하는 가스분배판(17)이 마련되어 있다. 가스분배판(17)은 서셉터(30)의 기판로딩부(31)와 소정의 이격간격(대략 수십 밀리미터(mm) 정도임)을 두고 나란하게 배치된다.The electrode 16 is provided in the upper region in the chamber 10. A plurality of orifices are formed below the electrode 16 to provide a gas distribution plate 17 for distributing silicon compound ions which are deposition materials. The gas distribution plate 17 is disposed in parallel with the substrate loading portion 31 of the susceptor 30 at a predetermined distance (about tens of millimeters (mm)).

여기서, 평면디스플레이(G)란, 전술한 바와 같이 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.As described above, the planar display G may be any of a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes (OLED).

다만, 본 실시예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판(G)을 평면디스플레이(G)라 간주하기로 한다. 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이(G)를 유리기판(G)이라 하여 설명하도록 한다.However, in the present embodiment, a large glass substrate G for a liquid crystal display (LCD) will be regarded as a flat display (G). As described above, the large size refers to the size of the level applied to the 7th or 8th generation. Hereinafter, the flat display G will be described as a glass substrate G.

챔버(10)의 외부 상측에는 챔버(10) 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부가 마련된다. 가스공급부는 가스공급원(9, 예컨대 가스공급탱크) 및 리모트 플라즈마부(18)를 포함하여 구성될 수 있다. 가스공급부(9, 18)는 가스공급관(24)을 통하여 챔버(10) 내부와 연결된다. 즉, 공정가스는 가스공급부(9, 18)로부터 가 스공급관(24)을 통하여 챔버(10) 내부로 공급된다. 리모트 플라즈마부(18)는 공정가스의 공급 경로도 되고, 또한 챔버(10) 내부에 잔존하는 불순물을 제거하기 위한 소정의 클리닝(Cleaning) 가스를 공급하는 역할도 수행한다. 이와 같이 리모트 플라즈마부(18)가 구비되는 경우에는, 공정 가스는 가스공급원(8)으로부터 리모트 플라즈마부(18) 및 가스공급관(24)을 거쳐 챔버(10) 내부로 공급되지만, 리모트 플라즈마부(18)가 구비되지 않는 경우에는, 공정가스는 가스공급원(9)으로부터 가스공급관(24)을 통해 챔버(10) 내부로 공급된다. A gas supply unit for supplying a process gas into the chamber 10 is provided at an outer upper side of the chamber 10. The gas supply unit may include a gas supply source 9 (for example, a gas supply tank) and a remote plasma unit 18. The gas supply parts 9 and 18 are connected to the inside of the chamber 10 through the gas supply pipe 24. That is, the process gas is supplied into the chamber 10 from the gas supply units 9 and 18 through the gas supply pipe 24. The remote plasma unit 18 serves as a supply path for the process gas and also supplies a predetermined cleaning gas for removing impurities remaining in the chamber 10. When the remote plasma unit 18 is provided in this manner, the process gas is supplied into the chamber 10 from the gas supply source 8 via the remote plasma unit 18 and the gas supply tube 24, but the remote plasma unit ( 18 is not provided, the process gas is supplied from the gas supply source 9 into the chamber 10 through the gas supply pipe 24.

그리고 가스공급관(24)의 주변에는 고주파 전원부(20)가 설치된다. 고주파 전원부(20)는 RF라인(22)에 의해 전극(16)과 연결되어 있다.The high frequency power supply unit 20 is installed around the gas supply pipe 24. The high frequency power supply unit 20 is connected to the electrode 16 by the RF line 22.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 일부를 상세히 나타내는 도면이다.2 is a view showing in detail a part of the chemical vapor deposition apparatus 1 for a flat panel display according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 리모트 플라즈마부(18)로부터 챔버(10) 내의 전극(16)으로 가스공급관(24)이 'ㄱ'자형으로 형성된다. 가스공급관(24)은 속이 빈 튜브 형태로서, 그 일단(24-2)은 리모트 플라즈마부(18)에 연결되고, 타단(24-3)은 챔버(10) 내의 전극(16)에 연결된다. 가스공급관(24) 중 리모트 플라즈마부(18)와 연결되는 일단(24-2)은 도전체로서, 리모트 플라즈마부(18)와 함께 접지 전극에 전기적으로 접속된다. 가스공급관(24) 중 전극(16)과 연결되는 타단(24-3) 역시 도전체이다. 가스공급관의 양단(24-2, 24-3) 사이에 세라믹 튜브 가스공급관(24-1)이 형성된다. 그리고, 세라믹 튜브 가스공급관(24-1)의 외부에 저역통과필터가 설치된다. 저역통과필터는 저항 소자(R1) 및 저항 소자(R1)에 직렬로 연결되는 커패시터(capacitor, C1)를 포함한다. 저항 소자(R1)의 일단은 가스공급관의 일단(24-3)에 연결되고, 저항 소자(R1)의 타단은 커패시터(C1)의 일단과 연결되며, 커패시터(C1)의 타단은 가스공급관의 다른 일단(24-2)과 연결됨으로써, 저항 소자(R1)와 커패시터(C1)는 전극(16)과 접지 전극 사이에 직렬로 형성되게 된다. 본 실시예에서는, 저항 소자(R1)와 커패시터(C1)는 세라믹 튜브 가스공급관(24-1)의 외곽에 밀착되게 설치되지만, 이와 다른 형태로 설치될 수 있음은 물론이다.Referring to FIG. 2, the gas supply pipe 24 is formed in a '-' shape from the remote plasma unit 18 to the electrode 16 in the chamber 10. The gas supply pipe 24 is in the form of a hollow tube, one end 24-2 of which is connected to the remote plasma unit 18, and the other end 24-3 of which is connected to the electrode 16 in the chamber 10. One end 24-2 connected to the remote plasma unit 18 of the gas supply pipe 24 is an electric conductor, and is electrically connected to the ground electrode together with the remote plasma unit 18. The other end 24-3 connected to the electrode 16 of the gas supply pipe 24 is also a conductor. A ceramic tube gas supply tube 24-1 is formed between both ends 24-2 and 24-3 of the gas supply tube. Then, a low pass filter is provided outside the ceramic tube gas supply pipe 24-1. The low pass filter includes a resistor R1 and a capacitor C1 connected in series with the resistor R1. One end of the resistor element R1 is connected to one end 24-3 of the gas supply pipe, the other end of the resistor element R1 is connected to one end of the capacitor C1, and the other end of the capacitor C1 is connected to the other end of the gas supply pipe. By being connected to one end 24-2, the resistor R1 and the capacitor C1 are formed in series between the electrode 16 and the ground electrode. In the present embodiment, the resistance element R1 and the capacitor C1 are installed in close contact with the outside of the ceramic tube gas supply pipe 24-1, but may be installed in a different form.

한편, 챔버(10)의 상단 우측에는 임피던스 정합기(220)가 구비되고, 임피던스 정합기(220)로부터 챔버(10) 내의 전극(16)으로 RF 라인(22)이 형성된다. 임피던스 정합기(220)는 고주파 전원(도 3의 210)과 RF 라인(22) 사이에 위치하는 회로로서, 고주파 전원(도 3의 210)의 출력 임피던스와 RF 라인(22)의 임피던스와의 정합을 위한 회로이다. Meanwhile, an impedance matcher 220 is provided at an upper right side of the chamber 10, and an RF line 22 is formed from the impedance matcher 220 to the electrode 16 in the chamber 10. The impedance matcher 220 is a circuit located between the high frequency power supply 210 (FIG. 3) and the RF line 22, and matches the output impedance of the high frequency power supply 210 (FIG. 3) with the impedance of the RF line 22. FIG. It is a circuit for.

도 3은 도 2에 도시된 저역통과필터 및 고주파 전원부를 상세히 나타내는 회로도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 저역통과필터(300)는 커패시터(C1) 및 저항소자(R1)를 포함한다. 고주파 전원부(20)는 고주파 전원(210) 및 임피던스 정합기(220)를 포함한다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating in detail the low pass filter and the high frequency power supply shown in FIG. 2. As shown in FIG. 3, the low pass filter 300 includes a capacitor C1 and a resistor R1. The high frequency power supply unit 20 includes a high frequency power supply 210 and an impedance matcher 220.

저역통과필터(300)의 저항 소자(R1)는 전극(16)과 연결되는 노드(N1, 이하 전극 노드라 함)와 소정 노드(N2) 사이에 연결된다. 커패시터(C1)는 소정 노드(N2)와 접지(N3) 사이에 연결된다. The resistance element R1 of the low pass filter 300 is connected between a node N1 (hereinafter referred to as an electrode node) connected to the electrode 16 and a predetermined node N2. The capacitor C1 is connected between the predetermined node N2 and the ground N3.

자생 커패시터(CP1)는 소정 노드(N2)와 접지(N3) 사이에 존재하는 기생적인 커패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 모델링한 것이다. 기생 커패시턴스(CP2)는 RF 라인(22)과 접지 사이에도 존재한다. 커패시터(C1)는 소정 노드(N2)와 접지(N3) 사이의 자생 커패시터(CP1)와는 별도로 설치되는 커패시터이다.The native capacitor CP1 models a parasitic capacitance component existing between the predetermined node N2 and the ground N3. Parasitic capacitance CP2 is also present between RF line 22 and ground. The capacitor C1 is a capacitor provided separately from the native capacitor CP1 between the predetermined node N2 and the ground N3.

상기와 같이, 저항 소자(R1)와 커패시터(C1)가 직렬로 연결됨으로써, 저역 통과 필터(300)가 형성된다. 이 때, 저역 통과 필터(300)의 컷오프 주파수(fo)는 1/RC 에 의해 결정된다.As described above, the low pass filter 300 is formed by connecting the resistance element R1 and the capacitor C1 in series. At this time, the cutoff frequency fo of the low pass filter 300 is determined by 1 / RC.

따라서, 컷오프 주파수(fo)에 비하여 상당히 높은 주파수 성분은 차단된다. 예를 들어, R=1㏁, (C1+CP)=100㎊ 라고 가정하면, 컷오프 주파수(fo)는 다음의 수학식과 같다.Thus, significantly higher frequency components are cut off compared to the cutoff frequency fo. For example, assuming that R = 1 ㏁ and (C1 + CP) = 100 컷, the cutoff frequency fo is given by the following equation.

Figure 112006011151818-pat00001
Figure 112006011151818-pat00001

통상적으로 고주파 전원(210)의 주파수는 10 MHz이상이므로, 고주파 전원(210)으로부터 입력되는 신호 성분은 저역통과필터(300)에 의해 대부분 차단된다. Since the frequency of the high frequency power source 210 is typically 10 MHz or more, the signal component input from the high frequency power source 210 is mostly blocked by the low pass filter 300.

임피던스 정합기(220)는 도시된 바와 같이, 코일(221) 및 가변 커패시터들(CM1, CM2)을 구비한다. 고주파 전원(210)의 출력 임피던스와 RF 라인(22)의 임피던스간의 정합을 위하여, 가변 커패시터들(CM1, CM2)의 커패시터값이 가변될 수 있다.The impedance matcher 220 includes a coil 221 and variable capacitors CM1 and CM2 as shown. In order to match between the output impedance of the high frequency power supply 210 and the impedance of the RF line 22, the capacitor values of the variable capacitors CM1 and CM2 may be varied.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 가스공급부(9, 18)로부터 공정 챔버(10)로 공정가스를 공급하는 가스공급관(24)에 저항(R1) 및 커패시터(C1)를 사용한 저역통과 필터(300)를 장착함으로써, 고주파 전원부(20)로부터 유입되는 고주파수 신호 성분을 차단한다. 따라서, 가스공급관에서의 플라즈마 방전이 방지된다. As described above, according to the present invention, the low-pass filter using the resistor (R1) and the capacitor (C1) in the gas supply pipe 24 for supplying the process gas from the gas supply unit (9, 18) to the process chamber 10 ( By attaching 300, the high frequency signal component flowing from the high frequency power supply unit 20 is cut off. Therefore, plasma discharge in the gas supply pipe is prevented.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 가스공급부로부터 공정 챔버로 공정가스를 공급하는 가스공급관에 저항 및 커패시터를 사용한 저역통과 필터를 장착함으로써, 가스공급관에서의 플라즈마 방전이 방지된다. 따라서, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 안정성이 향상된다.As described above, according to the present invention, the plasma discharge in the gas supply pipe is prevented by attaching a low-pass filter using a resistor and a capacitor to the gas supply pipe for supplying the process gas from the gas supply part to the process chamber. Therefore, the stability of the chemical vapor deposition apparatus for planar displays is improved.

Claims (10)

평면디스플레이에 대한 증착 공정을 위한 챔버;A chamber for a deposition process for planar displays; 상기 챔버 내부에 구비되는 전극;An electrode provided inside the chamber; 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 가스공급부에 연결되는 가스공급관;A gas supply pipe having one end connected to the electrode and the other end connected to a gas supply unit; 상기 가스공급관의 일단 및 타단 사이에 형성되는 저역통과 필터를 구비하며,It has a low pass filter formed between one end and the other end of the gas supply pipe, 상기 저역통과 필터는The low pass filter 직렬로 연결되는 저항소자 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display comprising a resistor and a capacitor connected in series. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스공급관의 타단은 접지 전극에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And the other end of the gas supply pipe is electrically connected to a ground electrode. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 커패시터의 일단은 상기 저항소자와 전기적으로 접속되고, 상기 커패시터의 타단은 상기 접지 전극에 전기적으로 접속되며,One end of the capacitor is electrically connected to the resistance element, the other end of the capacitor is electrically connected to the ground electrode, 상기 저항 소자의 일단은 상기 커패시터에 전기적으로 접속되고, 상기 저항 소자의 타단은 상기 전극에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.One end of the resistive element is electrically connected to the capacitor, and the other end of the resistive element is electrically connected to the electrode. 제 2 항에 있어서, 상기 저항 소자는The method of claim 2, wherein the resistance element 상기 가스공급관 중 세라믹 튜브로 형성되는 부분의 외곽에 밀착되게 설치되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the gas supply pipe is installed in close contact with the outside of the portion formed of a ceramic tube. 제 2 항에 있어서, 상기 저항 소자의 저항값은The method of claim 2, wherein the resistance value of the resistance element 0.01 ㏁ 에서 10 ㏁ 까지의 범위에 속하는 값인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.A chemical vapor deposition apparatus for planar displays, characterized in that it is a value in the range from 0.01 kHz to 10 kHz. 제 2 항에 있어서, 상기 커패시터의 축전용량은The method of claim 2, wherein the capacitance of the capacitor is 1 ㎊ 에서 100 ㎊ 까지의 범위에 속하는 값인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.A chemical vapor deposition apparatus for planar displays, characterized in that it is a value in the range from 1 kHz to 100 kHz. 제1항에 있어서, 상기 평면디스플레이는 The flat panel display of claim 1, wherein LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus for flat panel display, characterized in that the large glass substrate for LCD (Liquid Crystal Display). 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버;A chamber in which a deposition process for a flat panel display is performed; 상기 챔버 내부에 구비되는 전극;An electrode provided inside the chamber; 일단은 상기 전극에 연결되고 타단은 가스공급부에 연결되어, 상기 가스공급부로부터 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급관;A gas supply pipe having one end connected to the electrode and the other end connected to a gas supply unit, for supplying a process gas from the gas supply unit to the inside of the chamber; 고주파 전원부로부터 상기 전극으로 고주파 전력을 공급하는 RF 라인; 및An RF line for supplying high frequency power from the high frequency power supply to the electrode; And 상기 전극과 접지 노드 사이에 형성되는 저역통과필터를 구비하며,A low pass filter formed between the electrode and the ground node, 상기 저역 통과 필터는 The low pass filter 직렬로 연결되는 저항소자 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display comprising a resistor and a capacitor connected in series. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 저항 소자의 일단은 상기 전극에 연결되고,One end of the resistance element is connected to the electrode, 상기 커패시터의 일단은 상기 접지노드에 연결되고, 타단은 상기 저항 소자에 직렬로 연결되는 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.One end of the capacitor is connected to the ground node, the other end is a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display comprising a capacitor connected in series with the resistance element. 제 9 항에 있어서, 상기 저항 소자는The method of claim 9, wherein the resistance element 상기 가스공급관의 외곽에 설치되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that installed on the outer periphery of the gas supply pipe.
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