KR100769586B1 - Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에 형성된 유기 박막층 및 이러한 유기 박막층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극은 애노드 전극이고, 타 전극은 캐소드 전극이며, 이러한 캐소드 전극은 금(Au)을 포함한 소정 두께의 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 및 그 제조 방법이 제공된다.The present invention relates to an organic EL device and a method for manufacturing the same, comprising a first electrode formed on a substrate, an organic thin film layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic thin film layer. One of the two electrodes is an anode electrode, the other electrode is a cathode electrode, the cathode electrode is provided with a thin film of a predetermined thickness including gold (Au), and an organic EL device and a manufacturing method thereof are provided.

유기 EL, 애노드 전극, 캐소드 전극, 금(Au), 진공 열 증착 Organic EL, anode electrode, cathode electrode, gold (Au), vacuum thermal evaporation

Description

유기 ＥＬ 소자 및 그 제조 방법 {Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same}Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 개략 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an organic EL device according to another embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 유기 EL 소자의 발광 메커니즘 및 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도이다.FIG. 3 is a diagram showing a light emitting mechanism and an energy band diagram of the organic EL element shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 금(Au)으로 이루어진 캐소드 전극과 ITO로 이루어진 애노드 전극의 투과율 및 면저항을 나타낸 도이다.4 is a view showing transmittance and sheet resistance of a cathode electrode made of gold (Au) and an anode electrode made of ITO according to the present invention.

도 5는 캐소드 전극의 두께에 따른 유기 EL 소자의 I-V(전류밀도-전압) 특성을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing I-V (current density-voltage) characteristics of the organic EL device according to the thickness of the cathode electrode.

도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 바텀 발광 및 탑 발광 특성을 나타낸 그래프이다.6A and 6B are graphs showing bottom emission and top emission characteristics of the organic EL device of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.7 is a flowchart showing a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10; 기판 20; 애노드 전극10; Substrate 20; Anode electrode

30; 유기 박막층 31; 정공 주입층30; An organic thin film layer 31; Hole injection layer

33; 정공 수송층 35; 유기 발광층33; Hole transport layer 35; Organic light emitting layer

37; 전자 주입층 40; 캐소드 전극37; Electron injection layer 40; Cathode electrode

본 발명은 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금(Au)으로 이루어진 박막으로 형성된 캐소드 전극을 포함한 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic EL device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic EL device including a cathode electrode formed of a thin film of gold (Au) and a method of manufacturing the same.

LCD, PDP에 이어 차세대 평판 디스플레이로 기대되고 있는 유기 EL 디스플레이는 발광체인 유기화합물을 여러 겹 쌓고 전압을 가하면 전류가 흘러서 발광하는 현상을 이용한 디스플레이로서, Organic Electroluminescent Display(OELD) 또는 Organic Light Emitting Diode(OLED)로도 불린다.The organic EL display, which is expected to be the next-generation flat panel display after LCD and PDP, is a display that utilizes a phenomenon in which a stack of organic compounds, which emit light, and emits light when a voltage is applied, is applied to an organic electroluminescent display (OELD) or organic light emitting diode ( OLED).

LCD는 광의 선택적 투과를 통하여 화상을 표시하고, PDP가 플라즈마 방전을 통하여 화상을 표시하는 것에 반하여, 유기 EL 디스플레이는 전계 발광이라는 메커니즘을 통하여 화상을 표시하게 된다. 이는 두 개의 전극 사이에 유기발광재료를 삽입하고, 각 전극에 전압을 가하면, 양극과 음극에서 각각 전자와 정공이 유기층 안으로 주입되어, 전자와 정공이 재결합되는데, 이 때 발생하는 재결합 에너지가 유기 분자들을 자극함으로써 빛을 발생시키는 방식이다. 이러한 유기 EL 디스플레 이는 자체 발광 특성과 함께 시야각이 넓고, 고선명, 고화질, 고속 응답성 등의 장점을 갖고 있어 소형 디스플레이에 많이 적용되고 있다. The LCD displays an image through selective transmission of light, and the organic EL display displays an image through a mechanism called electroluminescence, while the PDP displays an image through plasma discharge. The organic light emitting material is inserted between two electrodes, and when a voltage is applied to each electrode, electrons and holes are injected into the organic layer at the anode and the cathode, respectively, and the electrons and holes are recombined. It stimulates them to generate light. The organic EL display is widely applied to a small display due to its self-luminous characteristics and a wide viewing angle, high definition, high image quality, and high speed response.

한편, 유기 EL 디스플레이는 빛의 발광 방향에 따라, 바텀 발광 방식(bottom emission), 탑 발광 방식(top emission) 및 듀얼 발광 방식(dual emission)으로 구분되며, 상기 바텀 발광 방식은 투명 애노드 전극(anode)을 통하여, 기판 방향으로 빛이 나오며, 상기 탑 발광 방식은 유기층 상에 증착된 투명 캐소드 전극(cathode)을 통하여 빛이 나오며, 상기 듀얼 발광 방식은 양 방향(애노드 및 캐소드 전극)에서 빛이 나오는 방식이다.Meanwhile, the organic EL display is classified into a bottom emission method, a top emission method, and a dual emission method according to a light emission direction, and the bottom emission method is a transparent anode electrode. ), Light is emitted toward the substrate, and the top light emitting method emits light through a transparent cathode electrode deposited on the organic layer, and the dual light emitting method emits light in both directions (anode and cathode electrode). That's the way.

이 중 듀얼 발광 방식은 다양한 디스플레이 어플리케이션에 적용할 수 있는 장점을 지니고 있어, 현재 다양한 형태로 연구되고 있으며, 종래 기술에 따른 듀얼 발광 방식의 유기 EL에서는 투명 캐소드 전극을 형성하기 위하여, 투명 도전 옥사이드 예를 들면, 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide) 또는 징크 옥사이드:알루미늄(zinc oxide:aluminum)을 RF 스퍼터링에 의해 유기층 상에 증착하였다. 그러나, RF 스퍼터링은 유기층에 많은 손상을 주기 때문에, 유기 EL 디스플레이의 성능을 악화시키는 문제점이 발생하였다.Among them, the dual light emission method has an advantage that can be applied to various display applications, and is currently being studied in various forms. In the organic EL of the dual light emission method according to the prior art, to form a transparent cathode electrode, a transparent conductive oxide example For example, indium zinc oxide or zinc oxide: aluminum was deposited on the organic layer by RF sputtering. However, since RF sputtering causes a lot of damage to the organic layer, a problem arises that degrades the performance of the organic EL display.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기 박막층을 보호하면서, 투과율이 개선된 듀얼 발광 방식의 유기 EL 디스플레이를 구현하기 위하여, 캐소드 전극을 금(Au)으로 이루어진 박막으로 형성한 유기 EL 소자 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and the technical problem to be achieved by the present invention is to protect the organic thin film layer, while implementing a dual emission type organic EL display of improved transmittance, the cathode electrode is gold (Au It is an object to provide an organic EL device formed of a thin film made of a thin film) and a method of manufacturing the same.

본 발명의 또 다른 기술적 과제는 유기 EL 소자의 유기 박막층 및 캐소드 전극을 진공 열 증착을 통해서 증착시켜 형성함으로써, 유기 박막층의 손상을 최소화한 유기 EL 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.Another technical problem of the present invention is to provide an organic EL device and a method of manufacturing the same, which are formed by depositing an organic thin film layer and a cathode electrode of an organic EL device through vacuum thermal vapor deposition, thereby minimizing damage to the organic thin film layer.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 박막층 및 상기 유기 박막층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극은 애노드 전극이고, 타 전극은 캐소드 전극이며, 상기 캐소드 전극은 금(Au)을 포함한 소정 두께의 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the object of the present invention, a first electrode formed on a substrate; An organic thin film layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the organic thin film layer, wherein one of the first electrode and the second electrode is an anode electrode, the other electrode is a cathode electrode, and the cathode electrode An organic EL device is provided, which is formed from a thin film having a predetermined thickness including silver gold (Au).

상기 제1 전극은 애노드 전극이며, 상기 제2 전극은 캐소드 전극인 것을 특징으로 한다.The first electrode is an anode electrode, the second electrode is characterized in that the cathode electrode.

상기 유기 박막층 및 상기 제2 전극은 진공 열 증착에 의해 순차적으로 형성된 것을 특징으로 한다.The organic thin film layer and the second electrode is characterized in that formed sequentially by vacuum thermal vapor deposition.

상기 제2 전극은 10nm 초과 내지 100nm 미만의 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.The second electrode is characterized in that formed in a thickness of more than 10nm to less than 100nm.

상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 포함한 소정 두께의 박막으로 형성된 것을 특징으로 한다.The anode electrode is formed of a thin film having a predetermined thickness including indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by further comprising a transparent protective film for protecting the organic EL device.

상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic thin film layer is characterized in that it comprises an organic light emitting layer.

상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic thin film layer may further include a layer formed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

상기 유기 박막층은 전자 주입층으로 Al막을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic thin film layer is characterized in that it comprises an Al film as an electron injection layer.

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 증착한 후, 패터닝하는 단계; 상기 제1 전극 상에 유기 박막층을 증착하는 단계; 상기 유기 박막층 상에 제2 전극을 증착하는 단계 및 상기 제2 전극을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 제2 전극을 증착하는 단계는 금(Au)을 소정 두께의 박막으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법이 제공된다.On the other hand, according to another aspect of the invention, preparing a substrate; Depositing a first electrode on the substrate and then patterning; Depositing an organic thin film layer on the first electrode; And depositing a second electrode on the organic thin film layer and patterning the second electrode, and depositing the second electrode comprises depositing gold (Au) into a thin film having a predetermined thickness. An organic EL device manufacturing method is provided.

상기 유기 박막층 및 제2 전극을 증착하는 단계는 진공 열 증착에 의해 상기 유기 박막층과 제2 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다.The depositing the organic thin film layer and the second electrode may include sequentially depositing the organic thin film layer and the second electrode by vacuum thermal deposition.

상기 제2 전극을 증착하는 단계는 금(Au)을 10nm 초과 내지 100nm 미만의 박막으로 증착하는 단계를 포함한다.Depositing the second electrode includes depositing gold (Au) into a thin film of greater than 10 nm and less than 100 nm.

상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함한다.The organic thin film layer includes an organic light emitting layer.

상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함한다.The organic thin film layer further includes a layer composed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method further includes forming a transparent protective film for protecting the organic EL device.

도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상부 또는 위에 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 바로 상부 또는 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, panels, etc., may be exaggerated for clarity, and like reference numerals designate like elements. In addition, when a part such as a layer, a film, an area, or a plate is expressed as being on or above another part, not only when each part is directly above or directly above the other part but also another part between each part and another part It also includes cases where there is.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.

상기 도 1을 참조하면, 유기 EL 소자는 기판(10), 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)을 포함하며, 상기 기판(10) 상에 상기 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성된 구조이다.Referring to FIG. 1, an organic EL device includes a substrate 10, an anode electrode 20, an organic thin film layer 30, and a cathode electrode 40, and the anode electrode 20 on the substrate 10. The organic thin film layer 30 and the cathode electrode 40 are sequentially formed.

상기 기판(10)은 유리 기판이 사용되며, 플렉서블 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. The substrate 10 may be a glass substrate, and in the case of implementing a flexible display, a plastic substrate may be used.

상기 기판(10) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 이용하여 애노드 전극(20)이 형성된다. 상기 애노드 전극(20) 상에는 유기 박막층(30)이 형성된다. 즉, 상기 유기 박막층이 후술되는 유기 발광층의 기능을 수행할 수 있다. An anode electrode 20 is formed on the substrate 10 using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The organic thin film layer 30 is formed on the anode electrode 20. That is, the organic thin film layer may perform the function of the organic light emitting layer described later.

상기 유기 박막층(30) 상에는 캐소드 전극(40)이 형성되는데, 이때, 캐소드 전극(40)은 금(Au)으로 이루어진 소정 두께의 박막으로 형성된다. 금(Au) 박막이 두껍게 형성되는 경우에는 상기 유기 박막층(30)에서 나오는 빛을 기판 방향으로 반사시키는 반사막으로 작용하지만, 상기 금(Au) 박막이 소정 두께, 예를 들면 100nm 미만의 두께로 형성하면 상기 유기 박막층(30)에서 나오는 빛을 투과시키게 된다. 또한, 상기 유기 박막층(30)과 캐소드 전극(40)은 종래 기술과 같이 RF 스퍼터링에 의해서 형성되는 것이 아니라, 진공 열 증착(Vacuum Thermal Evaporation)에 의해서 순차적으로 적층되어 형성되므로, 상기 유기 박막층(30)을 손상시키지 않으면서, 캐소드 전극(40)이 형성된다. The cathode electrode 40 is formed on the organic thin film layer 30, wherein the cathode electrode 40 is formed of a thin film having a predetermined thickness of gold (Au). In the case where the Au thin film is formed thick, the Au thin film functions as a reflective film reflecting light emitted from the organic thin film layer 30 in the direction of the substrate, but the Au thin film is formed to a predetermined thickness, for example, less than 100 nm. When the light emitted from the organic thin film layer 30 is transmitted. In addition, the organic thin film layer 30 and the cathode electrode 40 are not formed by RF sputtering as in the prior art, but are sequentially formed by vacuum thermal evaporation, so that the organic thin film layer 30 ), The cathode electrode 40 is formed.

상기에서 살펴본 바와 같이, 상기 애노드 전극(20)을 ITO 또는 IZO를 이용하여 형성하고, 상기 캐소드 전극(40)을 금(Au)을 이용하여 형성하고, 상기 양 전극에 전압을 가하면, 상기 애노드 전극(20) 및 상기 캐소드 전극(40)에서 각각 정공 및 전자가 상기 유기 박막층(30) 안으로 주입되어, 정공 및 전자가 재결합되고, 이러한 재결합 에너지는 유기 분자들을 자극시켜 빛이 발생하게 된다. 상기 유기 박막층(30)에서 발생된 빛은 상기 애노드 전극(20) 및 기판(10)을 통하여 유기 EL 소자의 바텀 방향으로 나오게 되며, 또한 상기 캐소드 전극(40)을 통하여 유기 EL 소자의 탑 방향으로 나오게 된다.As described above, when the anode electrode 20 is formed using ITO or IZO, the cathode electrode 40 is formed using gold (Au), and a voltage is applied to both electrodes, the anode electrode Holes and electrons are injected into the organic thin film layer 30 at 20 and the cathode electrode 40, respectively, and holes and electrons are recombined, and the recombination energy stimulates organic molecules to generate light. Light generated in the organic thin film layer 30 is emitted through the anode electrode 20 and the substrate 10 in the bottom direction of the organic EL device, and also through the cathode electrode 40 in the top direction of the organic EL device. Come out.

한편, 상기와 같은 구조의 유기 EL 소자를 보호하기 위해 각층을 둘러싸도록 투명 보호막(미도시)이 형성될 수도 있다. 상기 투명 보호막은 외부 환경으로부터의 산소, 저분자 성분 및 수분 등의 투과를 방지하여 이들에 의한 유기 박막층(30)의 기능이 저하되는 것을 방지한다. 그러므로, 상기 투명 보호막은 전기 절연성을 가지며 수분, 산소 등에 대한 배리어성을 가지며 바람직하게는 적정 정도 이상의 경도를 갖는 것이 좋으며, 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, in order to protect the organic EL device having the above structure, a transparent protective film (not shown) may be formed to surround each layer. The transparent protective film prevents permeation of oxygen, low molecular weight components, moisture, and the like from the external environment, thereby preventing the function of the organic thin film layer 30 from being lowered by them. Therefore, the transparent protective film is electrically insulating, has a barrier property against moisture, oxygen, and the like, and preferably has a hardness of an appropriate level or more, and may be formed of a single layer or a plurality of layers.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 개략 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 유기 EL 소자의 발광 메커니즘 및 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an organic EL device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a light emitting mechanism and an energy band diagram of the organic EL device shown in FIG.

상기 도 2에 도시된 유기 EL 소자는 상기 도 1에 도시된 유기 EL 소자와 비교하여, 유기 박막층이 복수층으로 구성된다는 점이 상이하며, 나머지 구성요소는 거의 유사하므로, 이하에서는 상이한 구성요소를 중심으로 설명한다.The organic EL element shown in FIG. 2 is different from the organic EL element shown in FIG. 1 in that the organic thin film layer is composed of a plurality of layers, and the remaining components are almost similar, so that different components will be described below. Explain.

상기 도 2를 참조하면, 상기 유기 EL 소자는 기판(10), 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)을 포함하며, 상기 유기 박막층(30)은 정공 주입층(hole injection layer; 31), 정공 수송층(hole transport layer; 33), 유기 발광층(35), 전자 주입층(electron injection layer; 37)을 포함하고, 상기 기판(10) 상에 상기 애노드 전극(20), 유기 박막층(30) 및 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성된 구조이다.2, the organic EL device includes a substrate 10, an anode electrode 20, an organic thin film layer 30, and a cathode electrode 40, and the organic thin film layer 30 includes a hole injection layer. an injection layer 31, a hole transport layer 33, an organic emission layer 35, an electron injection layer 37, and the anode electrode 20 on the substrate 10. The organic thin film layer 30 and the cathode electrode 40 are sequentially formed.

상기 기판(10) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재료를 이용하여 애노드 전극(20)이 형성된다. An anode electrode 20 is formed on the substrate 10 using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 애노드 전극(20) 상에는 복수층의 유기 박막층(30)이 형성된다. 상기 유기 박막층(30)은 정공 주입층(31), 정공 수송층(33), 유기 발광층(35), 전자 주입층(37)이 순차적으로 적층되어 형성된다.A plurality of organic thin film layers 30 are formed on the anode electrode 20. The organic thin film layer 30 is formed by sequentially stacking a hole injection layer 31, a hole transport layer 33, an organic light emitting layer 35, and an electron injection layer 37.

상기 유기 박막층(30)의 각층의 재료로서는 다음의 것들이 사용된다. 예를 들면, 상기 정공 주입층(31)으로는 Copper phthalocyanine (CuPc)등이 사용되며, 상기 정공 수송층(33)으로는 N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine (α-NPB) 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층(35)으로는 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3) 등을 사용할 수 있다. 한편, 상기 유기 발광층(35)은 전자 수송층을 더 포함할 수도 있다. 상기 전자 주입층(37)으로는 LiF(37a)와 Al(37b)를 사용할 수 있다.As a material of each layer of the said organic thin film layer 30, the following are used. For example, copper phthalocyanine (CuPc) is used as the hole injection layer 31, and N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'- is used as the hole transport layer 33. diphenylbenzidine (α-NPB) and the like can be used. In addition, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ) or the like may be used as the organic emission layer 35. The organic light emitting layer 35 may further include an electron transport layer. LiF 37a and Al 37b may be used as the electron injection layer 37.

상기 복수층으로 이루어진 유기 박막층(30) 상에는 캐소드 전극(40)이 형성되는데, 이때, 캐소드 전극(40)은 금(Au)으로 이루어진 소정 두께 예를 들면, 100nm 미만의 박막으로 형성된다. 또한, 상기 유기 박막층(30)과 캐소드 전극(40)은 종래 기술과 같이 RF 스퍼터링에 의해서 형성되는 것이 아니라, 진공 열 증착(Vacuum Thermal Evaporation)에 의해서 순차적으로 적층되어 형성되므로, 상기 유기 박막층(30)을 손상시키지 않으면서, 캐소드 전극(40)이 형성된다.The cathode electrode 40 is formed on the organic thin film layer 30 formed of the plurality of layers. In this case, the cathode electrode 40 is formed of a thin film having a predetermined thickness of gold (Au), for example, less than 100 nm. In addition, the organic thin film layer 30 and the cathode electrode 40 are not formed by RF sputtering as in the prior art, but are sequentially formed by vacuum thermal evaporation, so that the organic thin film layer 30 ), The cathode electrode 40 is formed.

상기 도 3에는, 상기 기판(10), ITO로 형성된 애노드 전극(20), CuPc(정공주입층; 31), α-NPB (정공 수송층; 33), Alq3 (유기발광층; 35), LiF(전자 주입층; 37a), Al(전자 주입층; 37b) 및 Au로 형성된 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성된 유기 EL 소자의 에너지 밴드 다이어그램이 도시된다. 이때, 상기 CuPc(31), α-NPB(33), Alq3(35), LiF(37a) 및 Al(37b)은 각각 20nm, 40 nm, 60 nm, 0.5 nm 및 1 nm로 형성되며, 상기 Au로 형성된 캐소드 전극(40)은 10, 15, 20, 50, 또는 100 nm로 형성될 수 있다. 이는 설명의 편의를 위한 예시일 뿐, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 각 층의 두께가 이에 한정되는 것은 아니다.3, the substrate 10, the anode electrode 20 formed of ITO, CuPc (hole injection layer; 31), α-NPB (hole transport layer; 33), Alq 3 (Organic light emitting layer; 35), an energy band diagram of an organic EL element in which a cathode electrode 40 formed of LiF (electron injection layer; 37a), Al (electron injection layer; 37b) and Au are sequentially formed is shown. At this time, the CuPc (31), α-NPB (33), Alq 3 (35), LiF (37a) and Al (37b) is formed in 20nm, 40nm, 60nm, 0.5nm and 1nm, respectively, The cathode electrode 40 formed of Au may be formed at 10, 15, 20, 50, or 100 nm. This is merely an example for convenience of description, and the thickness of each layer of the organic EL device according to the present invention is not limited thereto.

이러한 구조의 유기 EL 소자는 애노드와 캐소드에서 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해 발광이 일어나는 메커니즘을 갖는데, 재결합 에너지가 발광 중심을 여기시키는 동작 메커니즘을 살펴보면, 우선 애노드와 캐소드 전극에서 유기 박막층으로 정공과 전자가 주입된다. 주입된 정공과 전자는 이동하게 되고, 정공과 전자의 재결합에 의한 여기자(excition)를 생성하고, 이러한 여기자로부터의 에너지에 의해 특정 파장의 빛이 발생된다. 한편, 전하의 주입을 더욱 활성화시키기 위하여, 유기 발광층의 상부와 하부에 각각 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층 또는 정공 주입층 등을 적층시킨다. 여기서, 도 3의 에너지 밴드 다이어그램에서 보여주듯이 유기발광층(Alq3)와 캐소드 전극(Au) 사이는 에너지 밴드 레벨 차이가 매우 크므로 유기 발광층으로 전자를 용이하게 이동시키기 위해서는 중간값의 에너지 밴드값을 가지는 중간층 즉 전자 주입층이 요구된다. 이에 본 발명에서는 전자 주입층으로 LiF와 Al를 사용하며, 특히 4.28eV의 에너지 밴드 값을 가지는 Al를 사용하여 에너지 베리어를 효과적으로 낮추어 줌에 의해 전자를 용이하게 이동시킨다. The organic EL device having such a structure has a mechanism in which light emission is caused by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode. And electrons are injected. The injected holes and electrons are moved to generate excitons by recombination of holes and electrons, and light of a specific wavelength is generated by the energy from these excitons. On the other hand, in order to further activate the injection of the charge, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer or a hole injection layer, etc. are laminated on the upper and lower portions of the organic light emitting layer, respectively. Here, as shown in the energy band diagram of FIG. 3, since the energy band level difference between the organic light emitting layer Alq 3 and the cathode electrode Au is very large, an intermediate energy band value may be changed in order to easily move electrons to the organic light emitting layer. The intermediate layer, that is, the electron injection layer, is required. Therefore, in the present invention, LiF and Al are used as the electron injection layer, and in particular, Al having an energy band value of 4.28 eV is used to effectively lower the energy barrier to easily move the electrons.

한편, 상기 실시예에서는 상기 유기 박막층(30)이 정공 주입층(31), 정공 수송층(33), 유기 발광층(35), 전자 주입층(37)이 순차적으로 적층되어 형성된 경우를 예로서 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유기 박막층(30)은 이하와 같이 다양하게 형성될 수 있다. In the above embodiment, the organic thin film layer 30 will be described as an example in which the hole injection layer 31, the hole transport layer 33, the organic light emitting layer 35, and the electron injection layer 37 are sequentially stacked. However, the present invention is not limited thereto, and the organic thin film layer 30 may be variously formed as follows.

예를 들면, 상기 유기 박막층은 정공 주입층/유기 발광층, 유기 발광층/전자 주입층, 정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층, 정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층, 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층 또는 정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.For example, the organic thin film layer may include a hole injection layer / organic emission layer, an organic emission layer / electron injection layer, a hole injection layer / organic emission layer / electron injection layer, a hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer, a hole injection layer / hole transport layer / The organic light emitting layer / the electron injection layer or the hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer may be formed in various forms.

도 4는 본 발명에 따른 금(Au)으로 이루어진 캐소드 전극과 ITO로 이루어진 애노드 전극의 투과율 및 면저항을 나타낸 도이다. 상기 캐소드 전극과 애노드 전극의 투과율 측정은 발광 파장(l)이 각각 660, 525, 470 nm 인 발광 다이오드를 이용하여 측정하였다. 4 is a view showing transmittance and sheet resistance of a cathode electrode made of gold (Au) and an anode electrode made of ITO according to the present invention. The transmittance measurement of the cathode electrode and the anode electrode was measured using a light emitting diode having an emission wavelength l of 660, 525, and 470 nm, respectively.

도 4를 참조하면, ITO의 투과율은 적색(R, l = 660 nm): 90 %, 녹색 (G, l = 525 nm): 89 % 그리고 청색 (B, l = 470 nm): 81 %를 보이고 있으며, ITO의 면저항은 13 Ω/□로 측정되었다. Referring to FIG. 4, the transmittance of ITO is shown to be red (R, l = 660 nm): 90%, green (G, l = 525 nm): 89% and blue (B, l = 470 nm): 81% The sheet resistance of ITO was measured to be 13 Ω / □.

한편, 금(Au) 박막의 두께가 두꺼워질수록 투과율 값은 작아지고, 면저항 값은 작아짐을 알 수 있다. 그러나, 100 nm의 금(Au) 박막은 투과가 거의 되지않고, 오직 반사만이 일어나는 것을 알 수 있었다. On the other hand, the thicker the gold (Au) thin film, the smaller the transmittance value, and the lower the sheet resistance value. However, it was found that 100 nm gold (Au) thin film was hardly transmitted and only reflection occurred.

또한, 10 nm의 금(Au) 박막은 투과율 특성이 가장 양호하나, 상기에서 살펴본 구조를 갖는 유기 EL 소자 즉, 기판(10), ITO로 형성된 애노드 전극(20), CuPc(정공주입층; 31), α-NPB (정공 수송층; 33), Alq3 (유기발광층; 35), LiF(전자 주입층; 37a), Al(전자 주입층; 37b) 및 Au로 형성된 캐소드 전극(40)이 순차적으로 형성되며, 상기 CuPc(31), α-NPB(33), Alq3(35), LiF(37a), Al(37b) 및 Au(40)은 각각 20nm, 40 nm, 60 nm, 0.5 nm, 1 nm 및 10nm로 형성된 유기 EL 소자는 전류 밀도값이 매우 낮고 전혀 발광이 되지 않았다. 따라서, 상기와 같은 데이터를 참조할 때, Au의 두께는 10nm 보다는 크고, 100nm 보다는 작게 형성하는 것이 바람직함을 알 수 있다.In addition, although the 10 nm gold (Au) thin film has the best transmittance characteristics, the organic EL device having the structure described above, that is, the substrate 10, the anode electrode 20 formed of ITO, CuPc (hole injection layer; 31). ), α-NPB (hole transport layer; 33), Alq 3 (Organic light emitting layer; 35), LiF (electron injection layer; 37a), Al (electron injection layer; 37b) and cathode electrode 40 formed of Au are sequentially formed, the CuPc (31), α-NPB (33) ), Alq 3 (35), LiF (37a), Al (37b), and Au (40) are formed at 20 nm, 40 nm, 60 nm, 0.5 nm, 1 nm and 10 nm, respectively. It was low and did not emit light at all. Therefore, when referring to the above data, it can be seen that the thickness of Au is preferably formed larger than 10nm, less than 100nm.

도 5는 캐소드 전극을 형성하는 금(Au) 박막의 두께에 따른 유기 EL 소자의 I-V(전류밀도-전압) 특성을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing I-V (current density-voltage) characteristics of an organic EL device according to a thickness of a gold (Au) thin film forming a cathode.

상기 도 5를 참조하면, 다양한 금(Au) 박막두께로 형성된 유기 EL 소자의 I-V특성을 보여주고 있다. 상기 그래프에서 도시된 바와 같이, 7.5 V에서 금 박막의 두께가 15 nm일 때 334 mA/cm2, 20 nm일 때 308 mA/cm2, 50 nm일 때 179 mA/cm2 그리고 100 nm 일 때 141 mA/cm2의 결과를 얻었다. 따라서, 전류 밀도는 금(Au) 박막의 두께가 두꺼워질수록 감소되는 경향을 보이고 있는데, 이는 금 박막의 두께가 두꺼워질수록 면저항 값은 작아 지지만, 소자의 두께가 더 두꺼워지기 때문이다. Referring to FIG. 5, IV characteristics of organic EL devices formed of various gold (Au) thin film thicknesses are illustrated. As shown in the graph, the thickness of the gold thin film at 7.5 V is 334 mA / cm 2 at 15 nm, 308 mA / cm 2 at 20 nm, 179 mA / cm 2 at 50 nm and 100 nm A result of 141 mA / cm 2 was obtained. Therefore, the current density tends to decrease as the thickness of the Au thin film becomes thicker, because the thickness of the thin film becomes smaller, but the thickness of the device becomes thicker.

도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 바텀 발광 및 탑 발광 특성을 나타낸 그래프이다. 상기 도 6a에는 캐소드 전극을 형성하는 금(Au) 박막 두께에 따른 바텀 발광 특성이 도시되며, 도 6b에는 금(Au) 박막 두께에 따른 탑 발광 특성이 도시된다.6A and 6B are graphs showing bottom emission and top emission characteristics of the organic EL device of the present invention. 6A illustrates bottom emission characteristics according to the thickness of the Au thin film forming the cathode, and FIG. 6B illustrates top emission characteristics according to the thickness of the Au thin film.

상기 도 6a를 참조하면, 금(Au) 박막 두께가 15, 20, 50, 100 nm일 일 때, 각각, 6.3, 6.5, 6.3, 6.4 V에서 휘도가 약 1000cd/m2의 결과를 얻었다. 즉, 동일 전압에서 거의 유사한 휘도값을 보이고 있으며, 이는 바텀 발광 특성은 금(Au) 박막 두께에 따른 변화가 거의 없는 것을 의미한다. 이것은 애노드 전극을 형성하는 ITO의 투과율이 금(Au) 박막 두께 변화에 영향이 없기 때문이다. 다만, 위의 결과에서 50과 100 nm두께의 금(Au) 박막은 15와 20 nm두께의 금(Au) 박막 보다 더 낮은 전류 밀도 값을 갖지만 휘도는 더 높은 값을 갖는데, 이는 50과 100 nm의 두께를 갖는 금(Au) 박막은 투과율이 매우 떨어지기 때문에, 빛이 탑 방향으로 투과하는 대신에 강한 반사가 많이 일어나기 때문이다.Referring to FIG. 6A, when the thickness of the Au thin film is 15, 20, 50, and 100 nm, luminance of about 1000 cd / m 2 was obtained at 6.3, 6.5, 6.3, and 6.4 V, respectively. That is, almost the same luminance value is shown at the same voltage, which means that the bottom emission characteristic is hardly changed according to the thickness of the Au thin film. This is because the transmittance of ITO forming the anode electrode does not affect the thickness change of the gold (Au) thin film. However, in the above results, gold (Au) thin films of 50 and 100 nm thickness have lower current density values than gold (Au) thin films of 15 and 20 nm thickness but higher luminance, which is 50 and 100 nm. This is because a thin film of gold (Au) has a very low transmittance, and thus a lot of strong reflection occurs instead of light passing in the top direction.

상기 도 6b를 참조하면, 7.5 V에서, 금(Au) 박막의 두께가 15, 20, 50 nm일 때, 각각 1620, 1300 그리고 397 cd/m2의 결과를 얻었다. 이는, 금(Au) 박막이 두꺼워질수록 즉, 금(Au) 박막의 투과율이 낮아질수록, 탑 방향으로 나오는 빛이 줄어들어, 휘도가 줄어든다는 것을 의미한다. 또한, 금(Au) 박막의 두께가 100 nm 일 때는 모두 반사시키기 때문에, 탑 방향으로는 빛이 전혀 나오지 않게 된다. Referring to FIG. 6B, when the thickness of the Au thin film was 15, 20, and 50 nm at 7.5 V, results of 1620, 1300, and 397 cd / m 2 were obtained, respectively. This means that the thicker the gold (Au) thin film, that is, the lower the transmittance of the gold (Au) thin film, the less light is emitted toward the top, and the luminance is reduced. In addition, when the thickness of the gold (Au) thin film is 100 nm, all of them are reflected, so that no light is emitted in the top direction.

한편, 금(Au) 박막이 두꺼워 질수록, 유기 EL 소자가 발광되는 임계 전압(15 nm: 4.2 V, 20 nm: 4.7 V, 50 nm: 5.3 V)가 점점 높아짐을 확인할 수 있다.On the other hand, the thicker the gold (Au) thin film, the higher the threshold voltage at which the organic EL device emits light (15 nm: 4.2 V, 20 nm: 4.7 V, 50 nm: 5.3 V).

도 7은 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.7 is a flowchart showing a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention.

상기 도 7을 참조하면, 우선 기판을 준비하는 과정을 수행한다(S710). 이때, 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 이러한 기판은 초음파 세정기에서 이소프로필 알코올과 탈이온화수에 의하여 세척한 후, 후술하는 과정을 수행한다. Referring to FIG. 7, first, a process of preparing a substrate is performed (S710). In this case, the substrate may be a glass substrate or a plastic substrate. The substrate is washed with isopropyl alcohol and deionized water in an ultrasonic cleaner, and then a process described below is performed.

상기 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 ITO 또는 IZO 등을 증착시킨 후, 패터닝하는 과정을 수행한다(S720). 이때, ITO 또는 IZO막은 마이크로리소그라피(microlithography)를 이용하여 패터닝하며, 패터닝을 수행한 후에 기판을 150도에서 1시간 동안 열처리를 하고, 산소 플라즈마(oxygen plasa)처리를 100W에서 30초 동안 수행할 수도 있다.After depositing ITO or IZO forming an anode on the substrate, patterning is performed (S720). In this case, the ITO or IZO film is patterned using microlithography, the substrate is heat treated at 150 ° C. for 1 hour after the patterning, and the oxygen plasma treatment may be performed at 100 W for 30 seconds. have.

그 다음, 상기 애노드 전극 상에 단일층 또는 복수층으로 구성된 유기 박막층을 증착하는 과정을 수행한다(S730). 그리고 나서, 상기 유기 박막층 상에 캐소드 전극을 형성하는 금(Au)을 소정 두께로 증착시킨 후, 패터닝하는 과정을 수행한다(S740). 이때, 상기 유기 박막층 및 캐소드 전극은 진공에서 저항 가열 방식으로 물질을 기화시켜 증착시키는 진공 열 증착 방식으로 순차적으로 증착시킨다. 본 실시예에서, 증착 시의 진공도는 5×10-7 Torr이고, 증발율(evaporation rates)은 0.1 - 5 Å/s로 수행하였으나, 진공도 및 증발율의 조건은 필요에 따라 가변될 수 있다.Then, a process of depositing an organic thin film layer composed of a single layer or a plurality of layers on the anode (S730). Then, gold (Au) forming a cathode on the organic thin film layer is deposited to a predetermined thickness and then patterned (S740). At this time, the organic thin film layer and the cathode electrode is sequentially deposited by a vacuum thermal vapor deposition method to vaporize and deposit the material in a vacuum by resistance heating method. In this embodiment, the degree of vacuum during deposition is 5 x 10 -7 Torr and the evaporation rates are performed at 0.1-5 kW / s, but the conditions of the vacuum degree and the evaporation rate can be varied as necessary.

그리고 나서, 필요에 따라 상기 유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 형성하는 과정을 수행한다(S750).Then, a process of forming a transparent protective film for protecting the organic EL device is performed as necessary (S750).

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기 EL 소자 및 그 제조 방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is merely an exemplary embodiment of the organic EL device and its manufacturing method according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment, and as claimed in the following claims, the present invention Without departing from the gist of the present invention, one of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 캐소드 전극을 형성하기 위하여, 소정 두께의 금(Au)박막을 진공 열 증착 방식으로 유기 박막층 상에 형성함으로써, 유기 박막층을 보호하면서, 투과율을 개선할 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, in order to form a cathode, a gold (Au) thin film having a predetermined thickness is formed on the organic thin film layer by vacuum thermal evaporation, thereby protecting the organic thin film layer and improving the transmittance. .

또한, 캐소드 전극을 형성하는 금(Au) 박막의 두께를 조절함으로써, 유기 EL 소자의 투과율 및 휘도를 제어할 수 있는 효과를 얻게 된다.In addition, by controlling the thickness of the gold (Au) thin film forming the cathode electrode, the effect of controlling the transmittance and luminance of the organic EL element is obtained.

Claims (15)

기판 상에 형성된 제1 전극;A first electrode formed on the substrate; 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 박막층 및An organic thin film layer formed on the first electrode; 상기 유기 박막층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극은 애노드 전극이고, 타 전극은 캐소드 전극이며, A second electrode formed on the organic thin film layer, wherein one of the first electrode and the second electrode is an anode electrode, and the other electrode is a cathode electrode, 상기 캐소드 전극은 금(Au)을 포함한 10nm 초과 내지 100nm 미만의 박막으로 형성되어, 듀얼 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.The cathode is formed of a thin film of more than 10nm to less than 100nm including gold (Au), the organic EL device, characterized in that the dual light emission. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극은 애노드 전극이며, 상기 제2 전극은 캐소드 전극인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.And the first electrode is an anode electrode, and the second electrode is a cathode electrode. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 유기 박막층 및 상기 제2 전극은 진공 열 증착에 의해 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.And the organic thin film layer and the second electrode are sequentially formed by vacuum thermal evaporation. 삭제delete 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 포함한 소정 두께의 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.And the anode electrode is formed of a thin film having a predetermined thickness including indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.An organic EL device further comprising a transparent protective film for protecting the organic EL device. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.The organic thin film layer comprises an organic light emitting layer. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.The organic thin film layer further comprises a layer composed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 유기 박막층은 전자 주입층으로 Al막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.And the organic thin film layer comprises an Al film as an electron injection layer. 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 제1 전극을 증착한 후, 패터닝하는 단계;Depositing a first electrode on the substrate and then patterning; 상기 제1 전극 상에 유기 박막층을 증착하는 단계;Depositing an organic thin film layer on the first electrode; 상기 유기 박막층 상에 제2 전극을 증착하는 단계 및Depositing a second electrode on the organic thin film layer; and 상기 제2 전극을 패터닝하는 단계를 포함하며, Patterning the second electrode; 상기 제2 전극을 증착하는 단계는 금(Au)을 10nm 초과 내지 100nm 미만의 박막으로 증착하는 단계를 포함하여, 듀얼 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.The depositing the second electrode includes depositing gold (Au) in a thin film of more than 10 nm and less than 100 nm, and dual emission. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 유기 박막층 및 제2 전극을 증착하는 단계는 진공 열 증착에 의해 상기 유기 박막층과 제2 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 유기 EL 소자 제조 방법.And depositing the organic thin film layer and the second electrode sequentially depositing the organic thin film layer and the second electrode by vacuum thermal vapor deposition. 삭제delete 제10항 또는 제11항에 있어서,The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.And the organic thin film layer comprises an organic light emitting layer. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.The organic thin film layer further comprises a layer composed of any one or a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 제10항 또는 제11항에 있어서,The method according to claim 10 or 11, wherein 유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.A method of manufacturing an organic EL device, further comprising the step of forming a transparent protective film for protecting the organic EL device.
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