KR100768714B1 - Method for fabricating oled display device - Google Patents
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Abstract
포토레지스트를 이용하여 형성되는 격벽의 하부에 포토레지스트와 접착력이 떨어지는 SiO2막 대신에 접착력이 우수한 ITO막이 형성되도록 해줄 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은 형성하고자 하는 각 층별로 별개의 얼라인 마크를 구비하여, 최종적으로 형성되는 격벽의 하부에 형성되는 막의 종류를 자유롭게 선택할 수 있도록 해주는 것을 특징으로 한다.Provided is a method of manufacturing an OLED display device capable of forming an ITO film having excellent adhesion instead of a SiO 2 film having poor adhesion with a photoresist under a partition formed using a photoresist. The manufacturing method of the LED display device according to the present invention is provided with a separate alignment mark for each layer to be formed, it is characterized in that it is possible to freely select the type of film formed on the bottom of the partition to be finally formed.
오엘이디, 격벽, SiO2, ITO, 벗겨짐 OID, bulkhead, SiO2, ITO, peeling
Description
도 1a 내지 도 1d는 종래의 오엘이디 디스플레이 소자를 제조하기 위한 공정 흐름에 따른 얼라인 마크 부분의 레이아웃 구조를 모식적으로 나타낸 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views schematically showing a layout structure of an alignment mark portion according to a process flow for manufacturing a conventional LED display device.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an LED display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
200: 기판 210: SiO2막200: substrate 210: SiO2 film
220: ITO막 225: Cr막220: ITO film 225: Cr film
230: 절연체 240: 격벽230: insulator 240: bulkhead
본 발명은 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 디스플레이 소자를 제조함에 있어서 각 층별로 각각의 얼라인 마크를 형성함으로써 격벽의 하부에 존재하는 층을 자유롭게 선택할 수 있도록 하는 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an OLED display device, and more particularly, in forming an OLED display device, by forming each alignment mark for each layer, a layer existing below the partition wall can be freely selected. The present invention relates to a method for manufacturing an ODL element.
오엘이디(OLED; Organic Light Emission Diode)는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.OLED (Organic Light Emission Diode) can operate at low voltage and can solve the drawbacks of LCD problems such as thinning, wide viewing angle and fast response speed. It is attracting attention as a next-generation display that has the advantages of having an image quality equal to or higher than that of LCD and the simple manufacturing process, which is advantageous in future price competition.
오엘이디는 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.One LED is an organic light emitting material is formed in the space between the lower plate having a form in which the ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on the transparent glass substrate and the upper plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on the substrate, When a predetermined voltage is applied between the metal electrode is a display device using a property that emits light as a current flows through the organic light emitting material.
오엘이디 중 특히 수동형 오엘이디(passive matrix OLED)에 있어서는 상부전극을 다른 상부전극과 전기적으로 분리시켜 주기 위하여 역테이퍼(reverse taper)형 격벽(separator)을 구비하는데, 이러한 격벽은 일반적으로 네가티브 포토레지스트(negative photoresist)를 이용하여 노광량과 노광각을 조절하면서 형성한다.Among passive LEDs, particularly passive matrix OLEDs, a reverse taper-type separator is provided to electrically separate the upper electrode from the other upper electrode, which is generally a negative photoresist. It is formed by adjusting the exposure amount and exposure angle using (negative photoresist).
그런데, 포토레지스트는 그 하부막이 어떤 막이냐에 따라서 하부막과의 결합 력이 차이가 나는데, 일반적으로 격벽으로 사용되는 하부막이 SiO2인 경우엔 포토레지스트와 하부막과의 박리(peeling) 현상이 심하며, 격벽을 구성하는 포토레지스트의 하부막이 ITO 막인 경우에 가장 결합력이 우수한 것으로 알려져 있다.However, the photoresist has a difference in bonding strength with the lower layer depending on the type of the lower layer. Generally, when the lower layer used as the partition wall is SiO 2 , peeling of the photoresist and the lower layer may occur. It is known that the bonding force is most excellent when the lower film of the photoresist constituting the partition is an ITO film.
따라서, 격벽을 구성하는 하부막으로 ITO 막이 오도록 공정을 조정할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to adjust a process so that an ITO film | membrane may come to the lower film | membrane which comprises a partition.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 오엘이디 디스플레이 소자를 제조하기 위한 공정 흐름에 따른 얼라인 마크 부분의 레이아웃 구조를 모식적으로 나타낸 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views schematically showing a layout structure of an alignment mark portion according to a process flow for manufacturing a conventional LED display device.
먼저, 도 1a는 보조전극으로 사용되는 Cr 전극 패터닝을 위해서는 기판(100)과 하부전극패턴을 이루는 ITO막(120) 사이에 기판(100)과 하부전극패턴(120)의 결합력을 높여주기 위한 SiO2막이 구비된 하부 구조물 상에 Cr 전극(125)이 패터닝하는 단계를 나타내고 있으며, 이때의 얼라인 마크는 링형태의 마크이다.First, FIG. 1A illustrates SiO for increasing the bonding force between the
도 1b는 상기의 동일한 링마크를 이용하여 ITO막(120)을 패터닝하는 단계를 나타내고 있다.FIG. 1B shows a step of patterning the ITO
도 1c는 상기의 동일한 링마크를 이용하여 절연막(insulator; 130)을 형성하는 공정단계로서, 절연막(130)은 ITO막(120) 상에 형성된다.FIG. 1C illustrates a process step of forming an
도 1c를 살펴보면 ITO막(120)과 절연막(130)이 형성된 기판(100)의 구조물에 SiO2막(110)이 표면으로 노출되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 1C, it can be seen that the SiO 2
다음으로, 도 1d를 살펴보면 상기 단계를 거친 구조물 상에 포토레지스트, 구체적으로 네가티브 포토레지스트를 이용하여 격벽(140)을 형성한다.Next, referring to FIG. 1D, the
그런데, 도 1d에 도시된 바와 같이 격벽(140)은 노출된 SiO2막(110) 상에 형성되게 되어 상기에서 설명한 바와 같이 격벽(140)은 SiO2막(110)과 결합력이 좋지 않게 때문에 상기와 같이 얼라인 마크 하나를 가지고 오엘이디 디스플레이 소자의 제조공정을 진행하게 되면, 필연적으로 포토레지스트로 형성되는 격벽(140)의 하부에는 SiO2막(110)이 존재하게 되고, 이로 인해 격벽(140)의 벗겨짐(peeling)이 발생하게 된다.However, as shown in FIG. 1D, the
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 형성하고자 하는 각 층별로 각각 별개의 얼라인 마크를 구비하여 최종적으로 형성되는 격벽의 하부에 형성되는 막의 종류를 자유롭게 선택할 수 있도록 해주는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 제공하는데에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for manufacturing an LED display device that allows the user to freely select the type of film formed on the bottom of the partition wall formed by having separate alignment marks for each layer to be formed. It is in
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디 스플레이 소자의 제조방법은 형성하고자 하는 각 층별로 별개의 얼라인 마크를 구비하여, 최종적으로 형성되는 격벽의 하부에 형성되는 막의 종류를 자유롭게 선택할 수 있도록 해주는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above technical problem, a method of manufacturing an LED display device according to an embodiment of the present invention includes a separate alignment mark for each layer to be formed, thereby forming a film formed on a lower portion of a barrier rib that is finally formed. It is characterized by allowing the type to be freely selected.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.
본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은 노광공정(exposure)에 있어서 종래에 하나의 얼라인 마크(align mark)를 가지고 얼라인 하는 방식이 아닌 형성하고자 하는 각 층(layer)별로 별개의 얼라인 마크를 형성하 여 정렬하는 방식을 사용하고, 최종적으로 격벽(separator)의 하부에 SiO2막 대신에 격벽을 형성하는 포토레지스트에 대한 접착력(adhesion)이 높은 ITO막이 위치하도록 해주는데에 특징이 있다.In the method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, each layer to be formed is not a method of alignment with one alignment mark in the exposure process. By forming a separate alignment mark and aligning, and finally placing the ITO film having a high adhesion to the photoresist forming the partition instead of the SiO 2 film at the bottom of the separator. There is a characteristic.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an LED display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 도 2a를 참조하면 보조전극으로 사용되는 Cr전극 패터닝 시에 기판(200)에 차후 형성될 4개의 층에 대응되는 얼라인 마크를 각각 형성해준다.First, referring to FIG. 2A, alignment marks corresponding to four layers to be formed later are formed on the
도 2a의 구조물에 대해 설명하면, 기판(200)과 ITO막(220), ITO막(220)과 기판(200)의 결합력을 증가시켜 주기 위한 SiO2막(210), 절연막(230), 및 Cr층(225)이 형성되어 있다.Referring to the structure of FIG. 2A, the SiO 2
형성된 총 4개의 얼라인 마크는 예비 마크, ITO 패터닝용 마크, 절연체 형성용 마크, 격벽 형성용 마크이다.Four formed alignment marks are a preliminary mark, an ITO patterning mark, an insulator formation mark, and a partition formation mark.
도 2a에서는 예비마크로 Cr 패터닝과 ITO 패터닝이 이루어지게 된다.In FIG. 2A, Cr patterning and ITO patterning are performed as preliminary marks.
다음으로, 도 2b를 참조하면, 다른 마크로 절연막(230) 패턴을 형성한다.Next, referring to FIG. 2B, another
이때, 최초의 예비마크는 절연막 형성시 절연막에 의해 덮이게 되며, 절연막(230) 패턴시에는 절연체 형성용 마크에 의해 패터닝이 이루어 지게 된다.At this time, the first preliminary mark is covered by the insulating film when the insulating film is formed, and patterning is performed by the mark for forming the insulator during the
다음으로, 도 2c를 참조하면, 상기 격벽 형성용 마크로 격벽 패터닝을 하게 된다.Next, referring to FIG. 2C, partition wall patterning is performed with the partition wall forming mark.
이와 같이 각각 다른 마크를 이용하여 패터닝을 하게 되면, 도 2c에 도시된 바와 같이 격벽(240)의 하부에는 ITO막(220)이 위치하게 되어 포토레지스트에 의해 형성되는 격벽(240)의 벗겨짐(peeling) 현상을 방지할 수 있게 된다.When patterning using different marks as described above, as shown in FIG. 2C, the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 의하면 포토레지스트를 이용하여 형성되는 격벽의 하부에 포토레지스트와 접착력이 떨어지는 SiO2막 대신에 접착력이 우수한 ITO막이 형성되도록 해주는 것이 가능해져, 격벽의 벗겨짐 현상을 방지할 수 있게 된다.According to the method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, it is possible to form an ITO film having excellent adhesion instead of a SiO 2 film having poor adhesion with the photoresist at the bottom of the partition wall formed using the photoresist. It is possible to prevent the peeling of the partition wall.
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| G15R | Request for early publication | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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Payment date: 20111004 Year of fee payment: 5 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |