KR100764916B1 - Plasma analyzer - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치의 사시도.1 is a perspective view of a plasma inspection apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1에 대한 분해사시도.2 is an exploded perspective view of FIG. 1.
도 3은 도 1의 제 2 케이스를 다른 각도에서 바라본 형태를 도시한 예시도.3 is an exemplary view showing a form of the second case of FIG. 1 viewed from another angle;
도 4a는 플라즈마 발생장치의 수직 단면을 도시한 단면예시도.4A is a cross-sectional view illustrating a vertical cross section of the plasma generator.
도 4b는 플라즈마 발생장치를 상부에서 바라본 상부 투영도.4B is a top projection view of the plasma generator from above;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 자계발생기의 배치를 설명하기 위한 예시도들.5A to 5C are exemplary diagrams for describing an arrangement of a magnetic field generator according to other embodiments of the present invention.
도 6a는 2개의 영구자석을 배열한 경우를 도시한 예시도.6A is an exemplary view showing a case where two permanent magnets are arranged.
도 6b는 세 개의 전자석을 배열한 경우를 도시한 예시도.6B is an exemplary view showing a case where three electromagnets are arranged.
도 7는 도 1의 분광장치의 내부 구조 및 분광방법을 도시한 예시도.7 is an exemplary view showing the internal structure and spectroscopy method of the spectrometer of FIG.
도 ㅋ8은 분광장치, 플라즈마 발생장치 및 케이스의 결합을 설명하기 위한 예시도.8 is an exemplary view for explaining the combination of the spectrometer, the plasma generator and the case.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
101, 102, 103 : 케이스 107 : 차폐플레이트101, 102, 103: case 107: shielding plate
110 : 플라즈마 발생장치 111 : 히트싱크110: plasma generator 111: heat sink
112 : 팬 115 : 외부연결기112: fan 115: external connector
116 : 가스유입구 117 : 어댑터116: gas inlet 117: adapter
118 : 안착부 119 : 투광부118: seating portion 119: floodlight
120 : 사파이어튜브 121 : 코일120: sapphire tube 121: coil
122 : 고주파발생부 125, 225, 325, 425 : 자계발생기122:
126 : 날개 127 : 결합홀126: wing 127: coupling hole
128 : 지지대 140 : 분석장치128: support 140: analysis device
160 : 분광장치 162, 163, 164 : 반사경160:
165 : 촬상소자 170 : 광섬유165: imaging device 170: optical fiber
171 : 접속단자 179 : 포트171: connection terminal 179: port
180 : 중앙통제부 181 : 회로기판180: central control unit 181: circuit board
182 : 중앙처리장치 190 : 입출력포트182: central processing unit 190: input and output port
197 : IO 케이블 198 : 데이터케이블197: IO cable 198: data cable
본 발명은 플라즈마 검사장치에 관한 것으로 특히, 설치, 분해, 이동 및 운용이 용이하도록 플라즈마 소스, 분광장치 및 운용시스템이 블럭 형태로 일체화된 플라즈마 검사장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma inspection apparatus, and more particularly, to a plasma inspection apparatus in which a plasma source, a spectrometer, and an operation system are integrated in a block form so as to facilitate installation, disassembly, movement, and operation.
반도체 제조, 디스플레이 패널 제조를 비롯한 각종 제조 공정 및 제조 설비 에서는 제조 속도 및 효율뿐만 아니라, 제조의 진행 중에 발생할 수 있는 각종 불량을 점검하는 것이 중요한 사항이 되고 있다. 이 중 반도체 제조, 디스플레이 패널의 제조와 같이 미세한 패턴, 회로, 구조물 등을 매우 작은 영역에 형성하는 경우에는 불량에 대한 점검 및 불량발생 요인을 사전검출하는 것이 더욱 중요한 사항으로 여겨진다.In various manufacturing processes and manufacturing facilities including semiconductor manufacturing and display panel manufacturing, it is important to check not only manufacturing speed and efficiency, but also various defects that may occur during the progress of manufacturing. Among them, in the case of forming fine patterns, circuits, structures, etc. in very small areas such as semiconductor manufacturing and display panel manufacturing, it is considered to be more important to check for defects and pre-detect the cause of defects.
이로 인해, 반도체 또는 디스플레이 패널의 제조 설비에는 공정 중에 사용되는 재료 및 재료 사용 후의 잔여물을 통해 불량 및 불량발생 요인을 검출하고 있다. 특히, 반도체나 디스플레이 패널의 경우 회로 패턴의 형성 등을 위해 리쏘그래피 공정, 에칭 공정, 애싱공정 및 증착공정 등의 다양한 공정이 진행되며, 이러한 공정에 가스를 이용하는 경우가 빈번하다. 이 때문에, 종래의 반도체 또는 디스플레이 패널 제조 설비에는 공정에 사용된 가스 폐기물의 잔여물을 검사하여 불량 및 불량발생요인을 사전 검출하는 검사장치가 이용되고 있다.For this reason, in the manufacturing facilities of semiconductors or display panels, defects and defect occurrence factors are detected through materials used during the process and residues after use of the materials. In particular, in the case of a semiconductor or a display panel, various processes such as a lithography process, an etching process, an ashing process, and a deposition process are performed for the formation of a circuit pattern, and a gas is often used for such a process. For this reason, the inspection apparatus which detects the residue of the gaseous waste used for a process, and detects the defect and the cause of defect in advance in the conventional semiconductor or display panel manufacturing facility is used.
하지만, 종래에 사용되는 검사장치 특히, 가스 폐기물 혹은 이에 포함된 잔여물을 검사하는 장치는 제조설비에 적용하기에는 너무 큰 크기와, 설치 및 운용을 위한 막대한 비용이 소비되는 단점이 있다. 일례로, 질량분석법을 이용하는 검사장치의 경우 제조설비의 가스압력을 낮추어 검사장치로 전달해야 하는 번거로움으로 인해 검사장치의 크기가 커지는 것과 아울러, 가스압력을 낮추는 장치를 설치함으로 인해 설치비용이 커지는 문제점이 있었다. 이 질량분석 검사장치의 경우 필라멘트로부터 발생되는 열전자가 가스 분자를 이온화시키고, 이 분자의 에너지 변화를 측정함으로써 원하는 결과를 얻게 된다. 이와 같은 질량분석 검사장치의 필 라멘트는 검사를 위한 기압보다 낮은 압력에서는 비선형성을 가지고, 높은 기압에서는 필라멘트가 파괴되는 특성이 있다. 하지만, 제조공정에서의 가스 압력은 대체로 검사를 위한 압력보다 1000배 이상 높은 압력을 나타내기 때문에 이를 바로 적용하여 검사를 할 수 있는 방법이 없었다.However, the inspection apparatus used in the past, in particular, the device for inspecting the gas waste or the residue contained therein has a disadvantage that the size is too large to be applied to the manufacturing equipment, a huge cost for installation and operation. For example, in the case of an inspection apparatus using mass spectrometry, the size of the inspection apparatus is increased due to the hassle of lowering the gas pressure of the manufacturing facility and delivered to the inspection apparatus, and the installation cost is increased by installing a device that lowers the gas pressure. There was a problem. In this mass spectrometer, hot electrons generated from a filament ionize gas molecules and measure the energy change of the molecules to obtain a desired result. The filament of the mass spectrometry test device has a nonlinearity at a pressure lower than the air pressure for inspection, and the filament is destroyed at a high air pressure. However, since the gas pressure in the manufacturing process generally represents a pressure 1000 times higher than the pressure for inspection, there is no way to directly apply the inspection.
이러한 특성으로 인해 제조설비를 운용하는 운용자들은 검사장치의 효용성은 인정하면서도 운용의 불편함과 운용을 위한 막대한 제반비용의 소요로 인해 검사장치를 제조설비에 부가하여 운용하지 못하고 있는 실정이다.Due to these characteristics, operators operating manufacturing facilities do not operate the inspection equipment in addition to the manufacturing facilities due to the inconvenience of the operation and the enormous cost required for the operation.
따라서, 본 발명의 목적은 설치, 분해, 이동 및 운용이 용이하도록 플라즈마 소스, 분광장치 및 운용시스템이 블럭 형태로 일체화된 플라즈마 검사장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a plasma inspection apparatus in which a plasma source, a spectrometer, and an operation system are integrated in a block form to facilitate installation, disassembly, movement, and operation.
또한, 본 발명의 다른 목적은 일체화된 블럭 간의 전자파 노이즈 간섭, 열 간섭을 방지하여 안정적인 운용이 가능하도록 한 플라즈마 검사장치를 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a plasma inspection apparatus that enables stable operation by preventing electromagnetic noise interference and thermal interference between integrated blocks.
또한, 본 발명의 다른 목적은 부식성 가스에 의한 부식과 이에 따른 고장 발생을 방지하도록 사파이어 튜브를 가지는 플라즈마 검사장치를 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a plasma inspection apparatus having a sapphire tube to prevent corrosion by the corrosive gas and thereby failure.
마지막으로, 본 발명의 다른 목적은 사파이어 튜브로부터 발생된 광의 전달 경로에 가스 침전물이 침착되어 광 전달을 저해하지 않도록 전달경로 상에 자계형성부재가 구비되는 플라즈마 검사장치를 제공하는 것이다.Finally, another object of the present invention is to provide a plasma inspection apparatus having a magnetic field forming member on the delivery path so that gas deposits are deposited on the delivery path of the light generated from the sapphire tube so as not to inhibit the light transmission.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치는 제조설비의 가스공급라인과 연결되어 가스를 공급받고, 상기 가스 및 상기 가스에 포함된 불순물을 플라즈마 상태로 변환하여 광을 생성하는 플라즈마 발생장치; 상기 플라즈마 발생장치로부터의 상기 광을 제공받아 분광하여 스펙트럼을 형성하고, 상기 광 스펙트럼을 전기신호로 변환하는 분광장치; 및 상기 분광장치로부터의 상기 전기신호를 제공받아 상기 가스 및 상기 불순물의 성분과 상태를 분석하는 중앙통제부;를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, the plasma inspection apparatus according to the present invention is connected to a gas supply line of a manufacturing facility, receives a gas, and converts the gas and impurities contained in the gas into a plasma state to generate light. ; A spectrometer configured to receive the light from the plasma generator and spectroscopically form spectra and convert the light spectrum into an electrical signal; And a central controller configured to receive the electrical signal from the spectrometer and analyze components and states of the gas and the impurities.
상기 플라즈마 발생장치는 제 1 케이스; 상기 제 1 케이스의 일면을 관통하여 고정되며, 상기 가스공급라인과 연결되어 상기 가스의 전달경로를 제공하는 가스유입구가 형성된 외부연결기; 일측이 개구되고 타측이 밀폐되어 투광부를 형성하는 관형태로 형성되고, 개구부가 상기 외부연결기의 상기 가스유입구를 통해 가스를 제공받아 수용하는 사파이어튜브; 상기 사파이어튜브의 상기 투광부에 상기 제 1 케이스의 타면을 관통하여 고정되는 어댑터; 상기 사파이어튜브에 자계를 형성하기 위해 상기 사파이어튜브와 나란한 방향으로 배치되는 자계발생기; 상기 사파이어튜브에 고주파신호를 공급하기 위한 코일; 및 상기 고주파신호를 생성하고, 상기 코일과 전기적으로 연결되어 상기 고주파신호를 상기 코일에 제공하는 고주파 발생부;를 포함하여 구성될 수 있다.The plasma generator includes a first case; An external connector fixed through one surface of the first case and connected to the gas supply line and having a gas inlet for providing a gas delivery path; A sapphire tube whose one side is opened and the other side is sealed to form a light transmitting part, and the opening receives and receives gas through the gas inlet of the external connector; An adapter fixed to the light transmitting portion of the sapphire tube through the other surface of the first case; A magnetic field generator arranged in parallel with the sapphire tube to form a magnetic field in the sapphire tube; A coil for supplying a high frequency signal to the sapphire tube; And a high frequency generator configured to generate the high frequency signal and to be electrically connected to the coil to provide the high frequency signal to the coil.
상기 자계발생기는 복수의 자석을 포함하여 구성되고, 상기 자석은 영구자석 및 전자석 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다. The magnetic field generator includes a plurality of magnets, and the magnets may be any one selected from permanent magnets and electromagnets, or a combination thereof.
상기 복수의 자석은 상기 사파이어튜브와 상기 자석들간의 거리 및 상기 자석들 서로 간의 거리 중 어느 하나가 균등하도록 상기 사파이어튜브의 길이방향과 직교하는 방향에 배치될 수 있다.The plurality of magnets may be disposed in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the sapphire tube so that any one of the distance between the sapphire tube and the magnets and the distance between the magnets is equal.
상기 자계발생기의 상기 복수의 자석은 상기 사파이어튜브와 나란한 방향으로 등간격으로 배치될 수 있다.The plurality of magnets of the magnetic field generator may be arranged at equal intervals in the direction parallel to the sapphire tube.
상기 복수의 자석은 상기 자석의 같은 극이 상기 사파이어튜브를 향하도록 배치될 수 있다.The plurality of magnets may be arranged such that the same pole of the magnet faces the sapphire tube.
상기 제 1 케이스는 방열을 위한 히트싱크 및 팬 중 선택된 어느 하나를 포함하여 구성될 수 있다.The first case may include any one selected from a heat sink and a fan for heat dissipation.
상기 분광장치는 복수의 확대 반사경과 촬상소자를 포함하여 구성될 수 있다.The spectrometer may include a plurality of magnifying reflectors and an image pickup device.
상기 분광장치는 상기 플라즈마 발생장치와 광섬유에 의해 연결될 수 있다.The spectrometer may be connected to the plasma generator by an optical fiber.
상기 분광장치, 상기 중앙통제부 및 상기 플라즈마 발생기는 일체형으로 조립되어 모듈화될 수 있다.The spectrometer, the central control unit and the plasma generator may be integrally assembled and modularized.
상기 플라즈마 발생장치와 상기 분광장치의 사이에 배치되어 열 및 전자파 중 선택된 어느 하나를 차폐하기 위한 차폐플레이트를 더 포함하여 구성될 수 있다.It may be configured to further include a shielding plate disposed between the plasma generator and the spectrometer for shielding any one selected from heat and electromagnetic waves.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 특징 및 작용들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 상세한 설명을 통해 명백하게 드러나게 될 것이다.Other features and operations of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도면과 연관하여 이하에서 개시되는 상세한 설명은 발명의 바람직한 실시예들을 설명할 의도로서 행해진 것이고, 발명이 실행될 수 있는 형태들만을 나타내는 것은 아니다. 본 발명의 사상이나 범위에 포함된 동일한 또는 등가의 기능들이 다른 실시예들에 의해서도 달성될 수 있음을 주지해야 한다.The detailed description set forth below in connection with the appended drawings is made with the intention of describing preferred embodiments of the invention, and does not represent the only forms in which the invention may be practiced. It should be noted that the same or equivalent functions included in the spirit or scope of the present invention may be achieved by other embodiments.
도면에 개시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대한 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.Certain features disclosed in the drawings are enlarged for ease of description, and the drawings and their components are not necessarily drawn to scale. However, those skilled in the art will readily understand these details.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 대한 분해사시도이며, 도 3은 제 2 케이스를 다른 각도에서 바라본 예를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view of a plasma inspection apparatus according to the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of Figure 1, Figure 3 is a perspective view showing an example of the second case viewed from another angle.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치(100)는 플라즈마 발생장치(110)와 분석장치(140)로 구성된다. 또한, 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치(100)의 분석장치(140)는 케이스(101 : 102, 103), 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)를 포함하여 구성된다.1 to 3, the
플라즈마 발생장치(110)는 제조설비(미도시)와 연결되어 제조설비로부터 제조에 사용되는 가스 및 가스에 포함되는 잔류물을 제공받으며, 제공받은 가스 및 가스 잔류물을 플라즈마로 변환하고, 플라즈마 변환시 발생되는 광(Emission Light)을 분석장치(140)에 제공한다. 이를 위해, 플라즈마 발생장치(110)는 제 1 케이스(102) 외부에 형성되는 외부연결기(External Coupling : 115)를 포함하여 구성되고, 이 외부연결기(115)에 의해 제조설비와 결합되어, 외부연결기(115)의 가스유입구(116)를 통해 가스 및 잔류물을 공급받는다. 이 플라즈마 발생장치(110)는 가스 및 가스 잔류물을 플라즈마 상태로 변환하기 위해 일정한 주파수의 무선주파수(Radio Frequency : RF)를 플라즈마 발생장치 내부로 유입된 가스 및 잔류물에 공급한다. 그리고, 플라즈마 발생장치(110)는 고주파신호(RF)에 의해 가스 및 가스 잔류물이 플라즈마 상태로 변환되면서 발생하는 광(EL)을 광섬유(170)를 통해 분석장치(140)에 제공한다. 이 플라즈마 발생장치(110)에 대해서는 도 4를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The
분석장치(140)는 플라즈마 발생장치(110)로부터 광(EL)을 제공받아 이를 스펙트럼 분석법을 이용하여 분석한다. 이를 위해 분석장치(140)는 분광장치(160)와 중앙통제부(180)를 포함하여 구성된다. 도 1 및 도 2에서는 하나의 제 2 케이스(103) 내에 분광장치(160)와 중앙통제부(180)가 모두 수용되는 것으로 도시하였으나, 케이스(103)는 개체별로 구성될 수 있으며, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. The
분광장치(160)는 광섬유(170)에 의해 플라즈마 발생장치(110)로 광(EL)을 제공받는다. 그리고, 분광장치(160)는 전달받은 광(EL)을 스펙트럼화하고, 스펙트럼화된 광패턴을 내부 인식장치를 통해 전기신호로 변환하여 중앙통제부(180)에 전달한다. 중앙통제부(180)는 분광장치(160)로부터 전달된 전기신호를 이용하여 가스 및 가스 잔류물의 상태 및 성분을 파악하게 된다. 특히, 이 중앙통제부(180)는 외 부로의 정보 제공을 위한 입출력포트(190)뿐만 아니라, 플라즈마 발생장치(110) 및 분광장치(160)의 구동을 제어하고, 분광장치(160)로부터의 전기신호를 분석하여 분석된 데이터를 외부에 제공하게 된다. The
제 2 케이스(103)는 내부에 분광장치(160)와 중앙통제부(180)를 수용하고, 일측에서 플라즈마 발생기(110)의 제 1 케이스(102)와 결합된다. 이 제 2 케이스(103)는 제조환경의 오염물 및 충격과 같은 외부환경으로부터 내부의 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)를 보호한다. 특히, 제 2 케이스(103)는 플라즈마 발생장치(110)의 제 1 케이스(102)와 결합되어, 플라즈마 검사장치(100)가 하나의 모듈로 구성되도록 한다. 이를 통해, 제 2 케이스(103)는 내부에 수납되는 분광장치(160), 중앙통제부(180) 및 기타 수용품의 불량, 고장, 유지 및 점검 시에 용이한 분리 및 재결합이 가능하도록 하여 플라즈마 검사장치(100)의 제조설비에 대한 적응성을 높이게 된다. 아울러, 이 제 2 케이스(103)에는 플라즈마 검사장치(100)와 외부 장치 간의 연결을 위한 입출력포트(190)가 설치될 수 있으나 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 이 제 2 케이스(103)에 설치되는 입출력포트(190)로는 외부 디스플레이 장치를 연결할 수 있는 비디오 포트, 랜 또는 인터넷의 연결을 위한 네트워크 포트, 프린터 포트, 외장메모리 슬롯, USB포트 및 이의 등가입출력포트가 구성될 수 있으며, 입출력포트(190)는 무선통신모듈로 대체할 수도 있으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 아울러, 제 2 케이스(103)의 입출력포트(190)는 중앙통제부(180)의 IO케이블(197)과 연결된다. 여기서, 도 1 내지 도 3에 도시된 제 2 케이스(103)의 크기는 플라즈마 발생기(110)에 비해 다소 큰 크기 로 제조될 수 있다. 그리고, 플라즈마 발생기(110)와 제 2 케이스(103)의 결합시 케이스(103)의 크기 차이로 인해 생기는 잔여공간은 광섬유(170), 케이블(197, 198)의 설치공간 및 방열을 위한 공기 유통 공간으로 활용이 가능하다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 제 2 케이스(103)의 형태는 다양하게 변형이 가능하다. 본 발명의 실시예들을 설명하기 위해 제시된 도면들에는 플라즈마 발생장치(110)가 외부에서 개구부를 밀폐하는 형태로 제 2 케이스(103)와 결합되과, 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)는 제 2 케이스(103) 내부에 수용되는 예를 도시하였다. 하지만, 플라즈마 발생장치(110), 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)가 하나의 케이스 내부에 수용되는 형태로 이용하는 것도 가능하며, 이들을 각각의 케이스에 수납한 후 각 케이스를 결합하는 형태, 이와같이 결합된 형태를 다시 하나의 케이스 내부에 수용하는 형태 등 케이스의 형태는 다양하게 변경 및 적용하는 것이 가능하다. 즉, 본 발명의 플라즈마 검사장치(100)는 사용의 편리, 공간의 절약과 같은 목적을 위해 분광장치(160), 중앙통제부(180) 및 플라즈마 발생기(110)는 일체형으로 조립되어 하나의 모듈을 이루도록 구성될 수 있다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The
분광장치(160)는 플라즈마 발생장치(110)로부터 발생된 광(EL)을 제공받아 스펙트럼화하고, 스펙트럼정보를 전기신호로 변환하여 중앙통제부(180)에 제공한다. 이를 위해 분광장치(160)는 광섬유(170)에 의해 플라즈마 발생장치(110)와 연결되고, 이 광섬유(170)를 통해 광(EL)을 제공받는다. 그리고, 분광장치(160)는 내부에서 반사경 등을 이용하여 광(EL)을 분산 및 발산시켜 분광하며, 분광된 광은 CCD(Charge-coupled Device)와 같은 이미지 촬상소자에 의해 전기신호로 변환된다. 그리고, 변환된 전기신호는 분광장치(160)에 구비되는 포트(179)와 포트(179)에 연결되는 데이터케이블(198)을 통해 중앙통제부(180)로 전달된다. 여기서, 분광장치(160)와 플라즈마 발생장치(110)의 연결은 석영 등을 이용하여 제조되는 광터널을 이용할 수도 있다. 하지만, 분광장치(160)와 플라즈마 발생장치(110)의 용이한 결합 및 광(EL)의 효율적인 전달을 위해서는 광섬유(170)를 이용하는 것이 좋다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 아울러, 광섬유(170)의 종단에는 플라즈마 발생장치(110)와의 연결을 위한 접속단자(171)가 구비될 수 있다. The
중앙통제부(180)는 데이터케이블(198)에 의해 분광장치(160)와 연결되어 전기신호를 전달받는다. 그리고, 중앙통제부(180)는 전달받은 전기신호를 데이터화함과 아울러 미리 저장된 분석데이터와 비교하여 현재의 가스 및 가스 잔유물의 성분 및 상태를 분석한다. 특히, 중앙통제부(180)는 상술한 바와 같이 플라즈마 발생장치(110) 및 분광장치(160)와 전기적으로 연결되어 이들을 제어한다. 즉, 플라즈마 검사장치(100)에 전원이 공급되어 동작을 하게되면, 중앙통제부(180)는 플라즈마 발생장치(110) 및 분광장치(160)를 프로그램된 사항에 따라 세팅하고, 동작시키게 된다. 이에 따라 중앙통제부(180)는 중앙통제부(180)를 통해 공급되는 데이터를 외부장치 예를들어, 상위 서버 또는 상위 시스템에 전송한다. 이를 위해 중앙통제부(180)에는 제어 및 분석을 위한 중앙처리장치(182)와 데이터 및 운용 어플리케이션의 저장을 위한 메모리가 포함되어 구성될 수 있다. 이 중앙통제부(180)는 분광장치(160)로부터 스펙트럼화되어 분광된 광(EL) 즉, 광(EL)의 파장대별 값 을 저장하고, 이 파장대별 값을 수치신호로 변환한다. 그리고, 중앙통제부(180)는 외부장치와 IO 케이블(197) 및 입출력포트(190)를 경유하여 연결되고, 이를 통해 수치신호를 외부장치에 전달한다. 특히, 이 중앙통제부(180)는 일반적인 퍼스널 컴퓨터 급의 처리능력을 가지는 소수의 기판 또는 모듈에 의해 구현될 수 있다. 즉, 중앙통제부(180)는 그래픽 카드, 각종 입출력 장치, 통신 장치를 중앙처리장치 및 저장장치와 함께 소수의 기판에 실장하여 검사장치 내에 수용할 수 있다. 이를 통해, 중앙통제부(180)는 분광장치(160)로부터 공급되는 전기신호를 프로그래밍된 절차에 의해 분석, 가공하여 저장하고 이를 입출력포트(190)를 통해 연결되는 디스플레이 장치, 통신선, 프린트 등으로 출력하여 제공한다. 또한, 중앙통제부(180)는 입출력포트(190)를 통해 연결되는 마우스, 키보드, 외부 메모리 등에 의해 프로그래밍되어, 사용자가 의도하는 형태로 데이터를 분석, 가공하여 사용자에게 제공할 수도 있다. 아울러, 중앙통제부(180)는 사용환경 및 목적에 따라 모니터, 프린터와 같은 출력장치를 포함하여 구성될 수 있으며, 이를 위해 제 2 케이스(103)의 형태는 다소 변경될 수 있다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The
도 4는 도 1의 플라즈마 발생장치의 내부 구성을 간략히 도시한 구조도로서, 도 4a는 플라즈마 발생장치의 수직 단면을 도시한 단면예시도이고, 도 4b는 플라즈마 발생장치를 상부에서 바라본 상부 투영도이다.4 is a structural diagram schematically showing the internal configuration of the plasma generating apparatus of FIG. 1, FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a vertical cross section of the plasma generating apparatus, and FIG. 4B is a top projection view of the plasma generating apparatus viewed from above.
도 4a 내지 도 4b를 참조하면 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치(110)는 제 1 케이스(102), 팬(112), 외부연결기(115), 어댑터(117), 사파이어튜브(120), 코 일(121), 고주파발생부(122) 및 자계발생기(125)를 포함하여 구성된다.4A to 4B, the
제 1 케이스(102)는 내부에 팬(112), 사파이어튜브(120), 코일(121) 및 고주파발생부(122)를 수납하며, 어댑터(117) 및 외부연결기(115)를 고정한다. 이 제 1 케이스(102)는 내부에서 발생되는 열 및 전자기 노이즈가 외부 특히, 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)로 전달되는 것을 방지한다. 이를 위해 제 1 케이스(102) 중 분광장치(160) 및 중앙통제부(180)가 배치되는 위치 즉, 제 2 케이스(103)와 결합되는 부분에는 방열 및 전자기 노이즈의 차폐를 위한 차폐플레이트(107)가 배치될 수 있으나 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 아울러, 도 4a에서는 차폐플레이트(107)가 상면에만 배치되는 것으로 도시되었으나 효율적인 차폐를 위해 형태 및 배치는 다양하게 변경하는 것이 가능하다. 아울러, 제 1 케이스(102)에는 냉각을 위한 팬(112)이 고정되며, 팬(112) 부착 위치 및 주변에는 공기의 유통을 위한 다수의 홀이 형성될 수 있다. 또한, 제 1 케이스(102)에는 도 4a에 도시된 바와 같이 방열을 위한 히트싱크(111) 구조가 형성되거나, 별도의 히트싱크가 부착될 수 있다. 이 히트싱크(111) 역시 플라즈마 발생기(110) 내부에서 발생된 열을 방열하기 위한 것으로, 원활한 방열을 위해 형태 및 배치를 다양하게 변경하는 것이 가능하며, 제 1 케이스(102)의 재질과 히트싱크(111)의 재질은 달리할 수 있으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 그리고, 제 1 케이스(102)는 제 1 케이스(102)의 일면을 관통하여 고정되는 외부연결기(115)가 부착된다. 또한, 제 1 케이스(102)는 제 1 케이스(102)의 다른 일면을 관통하여 고정되는 어댑터(117)가 부착된다. 아울러, 제 1 케이스(102)의 내부에는 고주파발생 부(122)가 배치되어 코일(121)을 통해 무선신호를 공급하게 된다. 이를 위해 제 1 케이스(102)에는 도 4a에 도시된 것과 같이 고주파발생부(122)의 배치를 위한 안착부(118)가 형성될 수 있으나 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The
팬(112)은 플라즈마 발생기(110) 내부로 공기를 흡기하거나 내부의 공기를 배기하여 플라즈마 발생기(110) 내부의 온도가 상승하는 것을 방지한다. 도 3a에서 팬(112)이 제 1 케이스(102)에 부착되는 것으로 도시하였으나 이로써 한정하는 것은 아니며 방열효율을 고려하여 적절히 배치될 수 있고, 복수로 구성될 수도 있다. The
외부연결기(115)는 제조설비와 플라즈마 발생기(110) 특히, 제조설비와 사파이어튜브(120)를 연결하여, 제조설비에서 공급되는 가스가 사파이어튜브(120)로 공급되도록 가스 공급경로를 제공한다. 이를 위해 외부연결기(115)는 제 1 케이스(102)를 관통하는 형태로 설치되며, 제 1 케이스(102) 외부에 노출되는 부분은 제조설비의 가스 공급라인과 연결가능한 형태로 제조된다. 또한, 외부연결기(115)는 제 1 케이스(102) 내부에서 사파이어튜브(120)의 일단을 지지하게 된다. 이 외부연결기(115)에는 가스가 유입될 수 있도록 가스유입구(116)가 형성된다.The
어댑터(117)는 사파이어튜브(120)의 타단과 광섬유(170)를 연결한다. 이를 위해 어댑터(117)는 제 1 케이스(102)를 관통하는 형태로 설치되며, 일측에서 광섬유(170)의 접속단자(171)가 결합되고 타측에서 사파이어튜브(120)의 종단과 결합된다.The
사파이어튜브(120)는 내부로 유입된 가스가 플라즈마로 변환될 수 있는 공간 을 제공함과 아울러, 가스가 플라즈마로 변환될 때 발생하는 광(EL)을 광섬유(170)에 전달한다. 이 사파이어튜브(120)는 종래의 석영관에 비해 가스 및 플라즈마에 대한 내식성 및 내열성이 양호하며, 석영관과 동등 또는 그 이상의 광투과율을 가지기 때문에 내부에서 발생되는 광(EL)을 안정적으로 광섬유(170)에 전달하게 된다. 아울러, 사파이어튜브(120)의 외부에는 고주파신호의 공급을 위한 코일(121)이 권취된다. 또한, 사파이어튜브(120)의 양측 종단 중 외부연결기(120) 방향 일단은 개구되어 가스의 유입이 가능하도록 하며, 광섬유(170)와 연결되는 일단은 막힌구조를 갖도록 제조된다. 이 사파이어튜브(120)의 막힌 부분은 투광부(119)의 역할을 하게 되며, 사파이어튜브(120) 내부에서 발생된 광(EL)은 이 투광부(119)를 통해 광섬유(170)로 전달된다.The
코일(121)은 사파이어튜브(120) 내부에 유입되는 가스에 고주파발생부(122)로부터의 고주파신호를 공급한다. 이를 위해 코일(121)은 사파이어튜브(120)의 길이방향 대략 중앙에 1회 이상 권취된다. 사파이어튜브(120) 내부에 유입된 가스는 코일(121)을 통해 공급된 고주파신호에 의해 에너지를 공급받아 이온화되며, 가스에 포함된 잔류물은 가스의 이온화시 여기에너지와 고주파 에너지에 의해 이온화된다.The
고주파발생부(122)는 중앙통제부(180)의 제어에 따라 사파이어튜브(120) 내부로 유입된 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 고주파신호를 코일(121)에 공급한다. 이를 위해, 고주파발생부(122)는 코일(121)과 전기적으로 연결되며, 도 4a에서와 같이 제 1 케이스(102) 내부에 마련된 안착부(118)에 고정될 수 있다. 특히, 본 발명에서는 고주파신호에 의한 이온화효율을 향상시키기 위해 고주파발생부(122)가 약 440MHz 정도의 신호를 발생하여 코일(121)에 공급하게 된다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The
자계발생기(125)는 사파이어튜브(120)의 투광부(119) 부근에 배치되어 사파이어튜브(120)에 자계에 의한 척력장을 제공한다. 이를 통해 자계발생기(125)는 척력장에 의해 사파이어튜브(120) 내부의 잔류물이 투광부(119)에 침착되는 것을 방지하여 광전달 효율의 저하를 방지한다. 플라즈마 상태의 이온화된 입자는 전자가 분리된 양극 입자 형태로 존재하게 된다. 이때 플라즈마 상태로 변한 입자들은 시간이 지남에 따라 활성이 저하되고, 이로인해 사파이어튜브(120)의 내부에 침착하게 된다. 이를 해소하기 위해 본 발명에서 자계발생기(125)로 하여금 사파이어 튜브(120)에 척력장을 제공함으로써, 입자들의 활성을 유지 또는 증가시킨다. 이에 따라 사파이어튜브(120) 내부의 입자들은 사파이어튜브(120)의 내부에 침착하지 않게되어 사파이어튜브(120)의 수명을 연장하는 것이 가능해진다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시예에서는 이를 이용하여 사파이어튜브(120)의 투광부(119) 부근에 둘 이상의 동극 자석을 배치하여 투광부(119)에 입자에 의한 침착이 발생하는 것을 방지하였다. 이에 따라 투광부(119)의 광전달 효율을 장기간에 걸쳐 안정적인 수준에서 유지할 수 있게되어, 플라즈마 검사장치의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다. 이를 위해, 자계발생기(125)는 동일한 극성을 가지는 전자석 또는 영구자석으로 구성되며 적어도 2개 이상이 투광부(119) 부근에 배치된다. 여기서, 2개의 자계발생기(125)가 배치되는 경우 마주보도록 배치되며, 3개 이상인 경우 균등한 자기장을 생성하도록 정삼각형, 정사각형과 같이 등간격으로 배치된다. 본 발명에서는 자계발생기(125)로 영구자석이 사용된 예를 제시하였으나 전자석에 의한 구성도 가능하며, 전자석에 의해 구성되는 경우 전자석을 구동하기 위한 회로가 더 포함되어 구성될 수 있다. 또한, 자계발생기(125)로 전자석을 사용하는 경우 별도의 전원을 공급해야 하기 때문에 플라즈마 발생기의 구조가 복잡해질 수 있으므로, 영구자석에 의한 간소하게 구성하는 것이 바람직할 수 있으나 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 그리고, 영구자석으로는 사마륨코발트(Sm-Co), 네오디뮴(Nd-Fe-B)을 포함하는 희토류, 바륨(Ba), 스트론튬(Sr)을 포함하는 페라이트류, 고무자석 및 플라스틱류 중 적어도 어느 한 종류 또는 이들의 조합을 이용할 수 있으나, 플라즈마 발생기(110) 내부의 온도가 높아지는 점을 고려하여 고열에서도 우수한 자계형성 능력을 가지는 종류를 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 아울러, 본 실시예에서는 투광부(119) 부근에 자계발생기(125)가 배치되는 것으로 도시하였지만, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다. 즉, 자계발생기(125)는 사파이어튜브(120) 내부의 침착을 방지하기 위하여 사파이어튜브(120)의 길이방향 어느 곳에든 설치가 가능하다.The
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 자계발생기의 배치를 설명하기 위한 도면들로써, 도 4에 도시된 도면을 간략하게 표현하였다.5A to 5C are diagrams for describing an arrangement of a magnetic field generator according to other exemplary embodiments of the present invention. The drawings illustrated in FIG. 4 are briefly represented.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 플라즈마 발생기(110)는 자계발생기(225)가 다수의 자석으로 구성되고, 각각의 자석이 사파이어 튜브(120)의 길이 방향으로 서로 이격되어 배치된 형태로 이용된다. 이 중 도 5a는 대면하는 자석이 서로 평행하게 배치된 예를 도시한 것이고, 도 5b는 사파이어튜브(120)를 기준으로 양쪽이 지그재그 형태로 배치된 예를 도시한 것이다.5A and 5B, the
도 5a와 도 5b에서와 같이 자석을 배치하는 경우 사파이어튜브(120) 전반에 걸쳐 척력장을 제공할 수 있게 되며, 이를 통해 사파이어튜브(120) 내에 가스 및 잔류물이 침전되는 것을 방지할 수 있다. 단, 도 5a 및 도 5b와 같이 배치하는 경우, 사파이어튜브(120)로 자석의 같은 극이 향하게 배치되어야 한다. 만약, 다른 극이 마주보도록 자석을 배치하는 경우 자계의 방향에 따라 입자의 흐름이 생겨 사파이어튜브(120)의 일정부분에 침착물이 형성될 수 있으므로, 자석들의 같은 극이 사파이어튜브(120)를 향하도록 배치해야 한다.When the magnet is arranged as shown in Figure 5a and 5b it is possible to provide a repulsive field throughout the
도 5c는 사파이어튜브(120)의 길이와 대략 같은 길이를 가지는 자석을 자계발생기로 이용하는 경우이다. 도 5a 및 도 5b의 경우, 자계발생기(225)에 속하는 자석의 수 및 조밀도에 따라 원하는 수준의 자계를 형성하고, 균등한 자계를 발생할 수 있는 장점은 있다. 하지만, 많은 수의 자석을 배치해야 하기 때문에 플라즈마 발생기(110)의 내부 구조가 복잡해질 수 있다. 때문에, 도 5c와 같이 구조의 단순화를 위해 크기가 큰 단일 개체의 자석을 자계발생기(325)로 이용할 수도 있다. 하지만, 도 5c의 경우 자석의 종류에 따라 자계의 세기가 약해질 수 있으므로, 이를 고려하여 자계발생기(325)를 이용해야 한다.5c illustrates a case in which a magnet having a length approximately equal to that of the
도 6a 및 도 6b는 자계발생기의 배치를 설명하기 위한 예시도들로써, 도 6a 는 2개의 영구자석을 배열한 경우를, 도 6b는 세 개의 전자석을 배열한 경우를 도시하였다. 6A and 6B illustrate exemplary magnetic field generators, and FIG. 6A illustrates a case in which two permanent magnets are arranged, and FIG. 6B illustrates a case in which three electromagnets are arranged.
도 6a를 참조하면 2개의 자석(125)을 자계발생기로 사용하는 경우 수평방향에서 자계를 형성하도록 배치된다. 이때, 척력장(M1)이 형성되는 주된 방향은 투광부(119)의 중심(C1) 방향이 된다. 도 6a에 도시된 영구자석(125)에 의해 형성되는 자계에 의해 자속밀도가 가장 높아지는 곳이 투광부(119)의 중심이 되는 것이 바람직하다. 이로 인해 영구자석(125)과 사파이어튜브(120)의 거리는 수치적 거리에 의해 정의될 수도 있지만, 실제로 자속밀도를 고려하여 결정되는 것이 바람직하다. 여기서, 도 5b에서는 자계발생기(225)를 구성하는 자석이 지그재그 형태로 배치되는 예를 도시하였다. 한 쌍의 자석을 자계발생기(225)로 이용하는 경우 상술한 바와 같이 투광부(119)의 중심에서 자속밀도가 높아지도록 하는 것이 바람직하다. 하지만, 다수의 자석을 사파이어튜브(120)의 길이방향으로 배열하는 경우, 사파이어튜브(120) 전체적으로 균등한 자계를 형성해야 하기 때문에 도 6a에서 설명한 점과 다소의 차이점이 있을 수는 있다. 즉, 도 6a 및 도 6b의 설명은 투광부(119)의 침착을 방지하기 위한 자석의 배치를 예시적으로 설명한 것으로, 이를 통해 실시예의 가용범위를 고려해야 할 것이다.Referring to FIG. 6A, when two
도 6b의 경우는 3개의 전자석(425)을 자계발생기로 이용한 경우의 예를 도시한 것의로, 3개의 전자석(425)은 정삼각형의 각 꼭지점에 해당하는 위치에 배치된다. 이때, 각 전자석(425)의 극이 동일하도록 권선방향 또는 전류 공급방향이 결정되어야 한다. 이때에도 도 6a와 마찬가지로 각 전자석(425)으로부터 공급되는 자계의 방향은 투광부(119)의 중심(C2) 방향이 되며, 투광부(119)의 중심에서 자속밀도가 최대가 되도록 전자석(425)의 배치 거리 및 자화세기가 결정된다. In the case of FIG. 6B, three
도 7은 도 1의 분광장치의 내부 구조 및 분광방법을 도시한 예시도이다.7 is an exemplary view illustrating an internal structure and a spectroscopic method of the spectrometer of FIG. 1.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 분광장치(160)는 케이스(161), 제 1 내지 제 3 반사경(162, 163, 164), 촬상소자(165) 및 포트(179)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 7, the
케이스(161)는 내부에 밀폐공간을 형성하여 외부 광이 유입되지 않도록 하며, 내부의 반사경(162 내지 164) 및 촬상소자(165)를 고정 및 지지한다. 아울러, 케이스(161)의 일측에는 광섬유(170)의 광노즐(172)이 부착되며, 이 광노즐(172)을 통해 광(EL)이 제 1 반사경(162)을 향해 방사된다.The
제 1 내지 제 3 반사경(162 내지 164)은 광노즐(172)을 통해 조사되는 광(EL)을 반복적으로 반사하여 확산시킴으로써 광 스펙트럼을 형성하고, 이 광 스펙트럼을 촬상소자(165)에 제공한다. 이를 위해 제 1 내지 제 3 반사경(162 내지 164)은 광노즐(172)을 통해 조사되는 광의 경로를 기준으로하여 일정각도를 가지도록 배치된다. 여기서, 반사경(162 내지 164)는 3개로 한정되는 것이 아니며, 이보다 많아지거나 적어질 수 있다. 아울러, 본 발명에서는 반사경을 이용하여 광 스펙트럼을 형성하는 예를 도시하였으나, 렌즈집적체에 의한 분광기를 이용할 수도 있으며, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The first to third reflecting
촬상소자(165)는 제 1 내지 제 3 반사경(162 내지 164)에 형성된 광 스펙트럼을 전기신호로 변환한다. 그리고, 촬상소자(165)는 전기신호를 포트(179)와 포 트(179)에 연결된 데이터케이블(198)을 통해 중앙통제부(180)에 전달한다. 촬상소자(165)로는 CCD(Charge-coupled Device) 소자나 CMOS 이미지 소자를 이용할 수 있으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The
도 8은 분광장치, 플라즈마 발생장치 및 케이스의 결합을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the combination of the spectrometer, the plasma generator and the case.
도 8을 참조하면, 플라즈마 발생장치(110)의 제 1 케이스(102)는 제 2 케이스(103)와의 결합을 위해, 제 2 케이스(103)와 결합되는 면에 다수의 날개(126)가 형성될 수 있다. 아울러, 이 날개(126)에는 제 2 케이스(103)의 결합홀(127b) 형성위치와 대응되는 위체 결합을 위한 결합홀(127a)이 하나 이상 형성된다. 도 8에 도시된 날개(126)는 제 2 케이스(103)의 내부에 위치하게 되고, 결합홀(127a)에 부가되는 볼트, 스크류와 같은 결합부재에 의해 제 2 케이스(103)와 결합된다.Referring to FIG. 8, the
아울러, 도 8에는 날개(126)가 제 1 케이스(102)의 상변(129)의 가장자리 세변을 따라 신장된 것으로 도시하였으나, 반드시 이러한 형태로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 날개(126)의 형태는 결합 및 분리가 용이한 형태로 변형하는 것이 가능하며, 도 8에서는 예시적으로 날개(126)가 형성된 제 1 케이스(102)를 도시하였으나, 이 외에도 공지된 기계적 결합방법을 이용하여 제 2 케이스(103)와 결합시키는 것이 가능하다. 또한, 날개(126)를 1회 이상 굴곡하여 제 2 케이스(103)와의 결합을 위한 가이드의 역할을 하게 하는 것도 가능하다.In addition, although FIG. 8 illustrates that the
또한, 도 8은 점선으로 분광장치(160)가 도시되어 있다. 이 분광장치(160) 는 플라즈마 발생장치(110)에 비해 다소 작은 크기일 수 있으며, 날개(126)가 형성된 플라즈마 발생장치(110)의 제 1 케이스(102) 상면(129)에 결합된다. 제 1 케이스(102)와 제 2 케이스(103)가 결합되는 경우, 분광장치(160)는 제 2 케이스(103) 내부에 수용된다. 아울러, 제 1 케이스(102)의 상변(129)에는 분광장치(160)의 고정을 위한 지지대(128)가 하나 이상 형성될 수 있다. 아울러, 이 지지대(128)에도 결합부재에 의한 결합을 위해 결합홀(127c)이 하나 이상 형성될 수 있으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.8 also shows the
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치는 플라즈마 발생장치, 분광장치 및 운용시스템 각각의 블럭으로 구성되고 하나의 케이스 내에 수용되어 제조설비에 설치됨으로써 설치, 분해, 이동 및 운용이 용이해진다.As described above, the plasma inspection apparatus according to the present invention is composed of blocks of a plasma generator, a spectrometer, and an operation system, and is accommodated in a case and installed in a manufacturing facility, thereby facilitating installation, disassembly, movement, and operation.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치는 차폐 플레이트의 제공을 통해 블럭 간의 전자파 노이즈 간섭 및 열간섭을 방지하여 검사장치의 안정적인 운용이 가능해진다.In addition, the plasma inspection apparatus according to the present invention prevents electromagnetic noise interference and thermal interference between blocks by providing a shielding plate, thereby enabling stable operation of the inspection apparatus.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치는 사파이어튜브를 제공함으로써 가스에 대한 내부식성을 향상시켜, 고장 발생율을 저하시키는 것이 가능해진다.In addition, the plasma inspection apparatus according to the present invention can improve the corrosion resistance to the gas by providing a sapphire tube, it is possible to reduce the failure rate.
아울러, 본 발명에 따른 플라즈마 검사장치는 사파이어튜브의 광 전달경로 상에 척력장을 제공하는 자계발생장치를 제공함으로써 플라즈마 입자 침착에 따른광 전달효율의 저하를 방지하고, 사파이어튜브의 장기간 사용이 가능하게 하여 유 지의 필요성을 감소시키면서도 안정적인 광 전달이 가능해진다.In addition, the plasma inspection apparatus according to the present invention provides a magnetic field generating device that provides a repulsive field on the light transmission path of the sapphire tube to prevent the degradation of the light transmission efficiency due to the plasma particle deposition, it is possible to use the sapphire tube for a long time This allows stable light transmission while reducing the need for maintenance.
이상에서 설명한 것은 본 발명의 기술적 사상을 설명하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로, 본 발명의 기술적 범위는 상술한 실시예에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 청구항에 의해 한정되어야 할 것이다. 또한, 본 발명이 본 발명의 기술분양에서 통상의 지식을 가진 자가 할 수 있는 다양한 변형 및 균등한 타 실시예를 포괄할 수 있음을 이해할 것이다.What has been described above is only one embodiment for explaining the technical idea of the present invention, and the technical scope of the present invention is not limited by the above-described embodiment, but defined by the claims described in the claims of the present invention. Should be. In addition, it will be understood that the present invention may encompass various modifications and equivalent other embodiments that can be made by those skilled in the art.
Claims (11)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070024843A KR100764916B1 (en) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | Plasma analyzer |
PCT/KR2007/001971 WO2008111701A1 (en) | 2007-03-14 | 2007-04-23 | Plasma analyzer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070024843A KR100764916B1 (en) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | Plasma analyzer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100764916B1 true KR100764916B1 (en) | 2007-10-10 |
Family
ID=39419608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070024843A KR100764916B1 (en) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | Plasma analyzer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100764916B1 (en) |
WO (1) | WO2008111701A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101583273B1 (en) * | 2014-09-02 | 2016-01-07 | 주식회사 지앤비에스엔지니어링 | Apparatus for monitering process using plasma |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2955927B1 (en) | 2010-02-01 | 2012-04-06 | Alcatel Lucent | DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING A DEHYDRATION OPERATION DURING A LYOPHILIZATION TREATMENT |
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KR20060107662A (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-16 | 우범제 | Gas analyzer using plasma |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2007-03-14 KR KR1020070024843A patent/KR100764916B1/en not_active IP Right Cessation
- 2007-04-23 WO PCT/KR2007/001971 patent/WO2008111701A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008111701A1 (en) | 2008-09-18 |
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