KR100764300B1 - flexible metal clad laminate and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 연성금속 적층판은 연성회로기판에 사용되는 원자재로서, 고분자 필름, 이종 금속층, 금속 시드층 및 금속 전도층을 포함하고, 금속 전도층에 마련된 (111)면 집합조직 분율, I(111)/Iall 이 0.5~0.65 이고, (200)면 집합조직 분율, I(200)/Iall 이 0.15 이상인 것을 특징으로 한다.The flexible metal laminate of the present invention is a raw material used in a flexible circuit board, and includes a polymer film, a dissimilar metal layer, a metal seed layer, and a metal conductive layer, and the (111) plane texture fraction provided on the metal conductive layer, I (111). / I all is 0.5 ~ 0.65, the (200) plane texture fraction, I (200) / I all is characterized in that more than 0.15.

연성인쇄회로기판, 연성금속 적층판, 연성동박 적층판, 전해도금 Flexible printed circuit boards, flexible metal laminates, flexible copper foil laminates, electroplating

Description

연성금속 적층판 및 그 제조방법{flexible metal clad laminate and method for manufacturing the same}Flexible metal clad laminate and method for manufacturing the same

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연성금속 적층판의 구성을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a flexible metal laminate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 연성금속 적층판의 제조공정을 순서대로 도시한 순서도.Figure 2 is a flow chart showing the manufacturing process of the flexible metal laminate according to the present invention in order.

<도면의 주요 참조 부호에 대한 설명><Description of Major Reference Marks in Drawing>

100..고분자 필름 110..이종 금속층100. Polymer film 110. Dissimilar metal layer

120..금속 시드층 130..금속 전도층120. Metal seed layer 130. Metal conductive layer

본 발명은 연성금속 적층판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휴대폰이나 PDA등 소형 전자기기에 사용되는 연성회로기판의 주재료인 연성금속 적층판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible metal laminate, and more particularly, to a flexible metal laminate, which is a main material of a flexible circuit board used in small electronic devices such as mobile phones and PDAs.

일반적으로, 인쇄회로기판이란, 인쇄회로 원판에 전기배선의 회로설계에 따라 각종 부품을 연결하거나 지지해 주는 것으로 흔히 전자제품의 신경회로에 비유되고 있다. 노트북 컴퓨터, 휴대폰, PDA, 소형 비디오 카메라 및 전자수첩 등의 전자기기의 괄목할 만한 성장에 따라 인쇄회로기판은 제품의 고집적화, 소형화에 있어서 중요성이 증대되고 있다.In general, a printed circuit board is connected to or supported by various printed circuit boards according to the circuit design of electrical wiring, and is often compared to neural circuits of electronic products. With the remarkable growth of electronic devices such as notebook computers, mobile phones, PDAs, small video cameras, and electronic notebooks, printed circuit boards are becoming more important for high integration and miniaturization of products.

인쇄회로기판은 그 물리적 특성에 따라 리지드(rigid) 인쇄회로기판(PCB;Printed Circuit Board), 연성(flexible) 인쇄회로기판, 이 두 가지가 결합된 리지드-플렉서블 인쇄회로기판 및 리지드-플렉서블 인쇄회로기판과 유사한 멀티-플렉서블 인쇄회로기판으로 나뉜다. Printed circuit boards are rigid-flexible printed circuit boards and rigid-flexible printed circuit boards that combine two types of rigid printed circuit boards (PCBs) and flexible printed circuit boards, depending on their physical characteristics. It is divided into a multi-flexible printed circuit board similar to the substrate.

여기서, 연성회로 기판의 원자재인 연성금속 적층판은 휴대폰ㆍ디지털캠코더ㆍ노트북ㆍLCD모니터 등 디지털 가전제품에 사용되는 것으로 굴곡성이 강하고 경박단소화에 유리하다는 특성에 힘입어 최근 수요가 급격히 늘고 있다. Here, flexible metal laminates, which are the raw materials for flexible circuit boards, are used in digital home appliances such as mobile phones, digital camcorders, laptops, and LCD monitors. Recently, demand is increasing rapidly due to their high flexibility and low weight.

연성금속 적층판은 금속 전도층과 수지층을 적층한 것으로, 가요성을 갖는 것으로부터, 유연성이나 굴곡성이 요구되는 부분에 이용되며, 전자기기의 소형화, 경량화에 공헌하고 있다. 이러한 연성금속 적층판을 제조하는 방법으로서는, 박막 형태의 금속 전도층에 필름상의 폴리이미드를 에폭시수지 등의 접착제를 이용하여 접합시키는 방법이나 금속 전도층 상에 폴리이미드 수용액을 직접 도포해서 제조하는 방법을 들 수 있다. 그러나 전자에 의한 제조방법은 접착제에 의한 특성 저하가 발생할 우려가 있고, 후자에 의한 제조방법은 컬발생, 물결주름의 발생, 수지층의 발포, 동박의 산화열화와 같은 문제점이 있다. 따라서, 불량을 초래하지 않는 다른 연성금속 적층판의 제조방법이 요구되어지고 있다.A flexible metal laminate is a laminate of a metal conductive layer and a resin layer. The flexible metal laminate is used for a part that requires flexibility and flexibility, and contributes to miniaturization and weight reduction of electronic devices. As a method of manufacturing such a flexible metal laminate, a method of bonding a film-like polyimide to a thin metal conductive layer by using an adhesive such as an epoxy resin or a method of directly applying a polyimide aqueous solution onto a metal conductive layer is prepared. Can be mentioned. However, the former manufacturing method may cause deterioration of properties due to the adhesive, while the latter manufacturing method has problems such as curling, generation of ripples, foaming of the resin layer, and oxidation deterioration of copper foil. Therefore, there is a need for another method for producing a flexible metal laminate that does not cause defects.

상기의 결점을 개선하기 위해, 수지층을 표면 처리하여 표면의 조도를 제어하거나 수지층과 금속 전도층 사이에 이종 금속층을 도입하는 방법이 이용되고 있다. 또한, 금속 전도층의 형성을 용이하게 하기 위해 금속 시드층을 형성시킨 후 전기 도금법에 의해 금속 전도층을 전착하는 방법이 이용되고 있다. 이러한 방법으로 형성된 금속 전도층은 전도층 형성방법 외에 수지층의 표면 처리 상태, 이종 금속층의 상태 및 스퍼터링 방식으로 형성된 금속 시드층 및 금속 전도층의 형성 방법 등에 따라 금속 전도층의 집합조직이 결정된다. 이러한 집합조직은 금속 전도층의 강도 및 기재인 수지층과의 접합력 등과 밀접한 관계가 있으며, 금속 전도층의 집합조직에 따라 초기 물성 및 시간의 경과에 따른 물성 저하 강도에도 영향을 미친다.In order to improve the above-mentioned drawback, the method of controlling the roughness of a surface by surface-treating a resin layer, or introducing a dissimilar metal layer between a resin layer and a metal conductive layer is used. In addition, in order to facilitate formation of the metal conductive layer, a method of forming a metal seed layer and then electrodepositing the metal conductive layer by an electroplating method is used. The metal conductive layer formed by the above method is determined in addition to the conductive layer forming method, depending on the surface treatment state of the resin layer, the state of the dissimilar metal layer, the metal seed layer formed by the sputtering method, and the method of forming the metal conductive layer. . This texture has a close relationship with the strength of the metal conductive layer and the bonding force with the resin layer, which is a substrate, and also affects the initial physical properties and the strength of the physical property deterioration with time.

본 발명은 상기와 같은 기술적 배경하에서 창안된 것으로서, 금속 전도층의 집합조직을 제어함으로써 금속 전도층의 강도 및 다른 기재와의 접합력이 우수한 연성금속 적층판 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made under the technical background as described above, and an object thereof is to provide a flexible metal laminate having excellent strength of the metal conductive layer and bonding strength with other substrates by controlling the texture of the metal conductive layer and a manufacturing method thereof.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 연성금속 적층판은, 금속 전도층의 집합조직 분율을 조절하여 고분자 필름과 금속 전도층간의 접착력이 강화 되고, 강도가 향상된다. In order to achieve the above object, in the flexible metal laminate according to the present invention, the adhesive force between the polymer film and the metal conductive layer is enhanced by increasing the texture fraction of the metal conductive layer.

본 발명의 일 측면에 따른 연성금속 적층판은, 연성회로기판에 사용되는 원자재로서, 고분자 필름과, 이종 금속층과, 금속 시드층 및 금속 전도층을 포함하고, 상기 금속 전도층에 마련된 (111)면 집합 조직의 집합조직 분율, I(111)/Iall 이 0.5 내지 0.65, (200)면 집합 조직의 집합조직 분율, I(200)/Iall 이 0.15 이상인 것을 특징으로 한다.A flexible metal laminate according to an aspect of the present invention is a raw material used for a flexible circuit board, and includes a polymer film, a dissimilar metal layer, a metal seed layer, and a metal conductive layer, and the (111) plane provided on the metal conductive layer. The aggregate fraction of the aggregate, if I (111) / I all is 0.5 to 0.65, (200), the aggregate fraction of the aggregate, I (200) / I all is characterized in that more than 0.15.

본 발명의 다른 측면에 따른 연성금속 적층판이 제조방법은, 고분자 필름을 진공 분위기에서 활성화 이온으로 표면 처리하여 고분자 필름을 준비하는 단계와, 표면처리된 고분자 필름 상부에 이종 금속을 코팅하는 단계와, 이종 금속층이 마련된 고분자 필름 상부에 스퍼터링 방식으로 금속 시드층을 형성하는 단계 및 금속 시드층을 형성한 면에 도금액을 접촉시켜 상기 금속 시드층 상부에 (111)면의 집합조직 분율, I(111)/Iall 이 0.5~0.65 이고, (200)면의 집합조직 분율, I(200)/Iall 이 0.15 이상인 금속 전도층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flexible metal laminate, comprising: preparing a polymer film by surface treating a polymer film with activated ions in a vacuum atmosphere, coating a dissimilar metal on the surface-treated polymer film; Forming a metal seed layer on the polymer film provided with a dissimilar metal layer by sputtering, and contacting a plating solution to the surface on which the metal seed layer is formed, thereby forming an aggregate structure fraction of the (111) surface on the metal seed layer, I (111) / I all is 0.5 ~ 0.65, forming a metal conductive layer having a texture fraction of the (200) plane, I (200) / I all is 0.15 or more.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연성금속 적층판의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a flexible metal laminate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 연성금속 적층판은 고분자 필름(100)상에, 금속으로 이루어진 이종 금속층(110), 이종 금속층(110) 상에 증착된 금속 시드층(120) 및 상기 금속 시드층(120) 상에 전착된 금속 전도층(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the flexible metal laminate according to the present embodiment may include a heterogeneous metal layer 110 made of metal, a metal seed layer 120 deposited on a heterogeneous metal layer 110, and the metal on the polymer film 100. And a metal conductive layer 130 electrodeposited on the seed layer 120.

바람직하게, 고분자 필름(100)은, 연성금속 적층판에 적합하도록 굴곡성을 갖는 폴리이미드 필름으로 이루어진다. 폴리이미드 필름은 높은 내열성과 굴곡성 및 우수한 기계적 강도를 가지며, 금속과 비슷한 열팽창계수를 가지므로 연성 필름의 재료로 많이 사용된다. Preferably, the polymer film 100 is made of a polyimide film having flexibility to be suitable for a flexible metal laminate. The polyimide film has high heat resistance, flexibility, and excellent mechanical strength, and has a coefficient of thermal expansion similar to that of metal, and thus is widely used as a material for flexible films.

이종 금속층(110)은, 고분자 필름(100) 표면상에 진공성막된다. 그리고 이종 금속층(110)은, 고분자 필름(100)과 이종 금속층(110)상에 증착될 금속 시드층(120) 사이에 개재되어 두 층간의 접합력 강화 및 배리어(barrier)로서의 역할을 한다. 따라서, 연성금속 적층판이 고온 처리되더라도 금속 시드층(120)이 고분자 필름(100)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.The dissimilar metal layer 110 is vacuum deposited on the surface of the polymer film 100. The dissimilar metal layer 110 is interposed between the polymer film 100 and the metal seed layer 120 to be deposited on the dissimilar metal layer 110 to serve as a barrier and a bonding strength between the two layers. Therefore, even when the flexible metal laminate is subjected to high temperature treatment, the metal seed layer 120 may be prevented from being peeled from the polymer film 100.

이종 금속층(110)의 두께는 고온 처리 후, 또는 회로 형성시 도금액 침투에 의해 박리되지 않는 범위로 조절하는 것이 바람직하다. 또한 이종 금속층(110)은 고분자 필름(100)과 금속 시드층(120) 사이에 개재되어 두 층간의 결합을 증진시키기 위한 용도를 가지고 있으므로 너무 두꺼울 필요는 없다. 바람직하게, 이종 금속층(110)의 두께는 50 내지 200Å이다. 이종 금속층(110)의 두께가 너무 얇을 경우, 고온에 약하고 내식성이 좋지 않게 되어 고온 처리후, 또는 회로 형성시 도금액 침투에 의해 박리될 우려가 있다. It is preferable to control the thickness of the dissimilar metal layer 110 to a range that does not peel off due to the penetration of the plating liquid after the high temperature treatment or when the circuit is formed. In addition, the dissimilar metal layer 110 may be interposed between the polymer film 100 and the metal seed layer 120, and thus the use of the heterogeneous metal layer 110 does not need to be too thick. Preferably, the thickness of the dissimilar metal layer 110 is 50 to 200 mm 3. When the thickness of the dissimilar metal layer 110 is too thin, it is weak to high temperature and poor in corrosion resistance, and may be peeled off due to plating solution penetration after high temperature treatment or when forming a circuit.

이종 금속층(110)의 재료로는 다른 물질과 결합력 및 반응성이 좋은 금속, 예컨대, 크롬, 니켈, 또는 크롬과 니켈의 합금이 바람직하다. As the material of the dissimilar metal layer 110, a metal having good bonding strength and reactivity with other materials, for example, chromium, nickel, or an alloy of chromium and nickel is preferable.

금속 시드층(120)은, 이종 금속층(110) 상에 스퍼터링을 비롯한 다양한 진공증착 방식으로 형성된다. 바람직하게, 금속 시드층(120)은 구리(Cu) 또는 구리 합금이다. 그리고, 그 두께는 후술하게 될 금속 전도층(130)과 일정 범위 이상의 접착력을 갖도록 조절한다. 바람직하게, 금속 시드층(120)의 두께는 500Å이상이다.The metal seed layer 120 is formed on the dissimilar metal layer 110 by various vacuum deposition methods including sputtering. Preferably, the metal seed layer 120 is copper (Cu) or a copper alloy. And, the thickness is adjusted to have an adhesive force of a predetermined range or more with the metal conductive layer 130 which will be described later. Preferably, the thickness of the metal seed layer 120 is 500 kPa or more.

금속 전도층(130)은, 금속 시드층(120) 상에 전해도금 방식으로 형성된다. 즉, 진공 증착에 의해 금속 시드층(120)을 형성한 후, 이를 도금액에 침지시켜 전기화학적 반응에 의해 금속 전도층(130)이 금속 시드층(120) 상에 전찰될 수 있도록 한다. 바람직하게, 상기 금속 전도층(130)은 구리 또는 구리의 합금층이다.The metal conductive layer 130 is formed on the metal seed layer 120 by an electroplating method. That is, after the metal seed layer 120 is formed by vacuum deposition, the metal seed layer 120 is immersed in the plating solution so that the metal conductive layer 130 can be transferred onto the metal seed layer 120 by an electrochemical reaction. Preferably, the metal conductive layer 130 is copper or an alloy layer of copper.

금속 전도층(130)은 물리적 성질이 우수한 집합조직을 갖도록 형성한다. 구체적으로는 (111)면이 하층 면에 수평한 방향으로 정렬된 정도, 즉 금속 전도층(130)의 (111)면의 집합조직 분율(I[111]/Iall)은 0.5 내지 0.65이고, (200)면의 집합조직 분율(I[200]/Iall)은 0.15 이상이 되도록 한다. 이러한 조건을 가지는 금속 전도층(130)이 우수한 물리적 성질을 가진다는 것에 대해서는 후술하기로 한다.The metal conductive layer 130 is formed to have an aggregate structure having excellent physical properties. Specifically, the degree to which the (111) plane is aligned in the horizontal direction with respect to the lower layer plane, that is, the texture fraction I [111] / I all of the (111) plane of the metal conductive layer 130 is 0.5 to 0.65, The texture fraction (I [200] / I all ) of the (200) plane should be 0.15 or more. It will be described later that the metal conductive layer 130 having such a condition has excellent physical properties.

한편, 집합 조직이란, 다결정 재료에서 동일한 결정방위를 갖는 수많은 결정립으로 구성된 하나의 집합체를 말한다. 예컨대, 결정방위 (100)면의 집합조직은 재료가 특정방향(100면에 수직한 방향)의 축으로 질서있게 정렬되어 있는 집합조직을 말한다. 2개 이상의 집합조직을 갖는 금속판재는 물리적 성질에서 중요한 특성을 나타낸다. On the other hand, aggregated structure means one aggregate composed of many crystal grains having the same crystal orientation in a polycrystalline material. For example, the texture of the crystal orientation (100) plane refers to the texture of the material in orderly alignment with the axis in a specific direction (direction perpendicular to the plane of 100). Metal sheets having two or more textures exhibit important properties in physical properties.

다결정 재료의 집합 조직에 대한 정도는 집합조직 분율(fraction)으로 판단할 수 있다. 본 실시예에서 사용한 집합조직 분율은 수학식 1과 같다.The degree of texture of the polycrystalline material can be judged by the texture fraction. The aggregate fraction used in the present embodiment is shown in Equation 1.

Figure 112006007995516-pat00001
Figure 112006007995516-pat00001

여기서, I(hkl)은 실험 시편의 (hkl)면에서의 세기(intensity)이고, Iall은 (111)면에서의 세기 즉, I(111)과, I(200)과, I(220)과, I(311)의 총합이다. 여기서, 세기란 다결정 재료로 투과된 X선이 결정 구조에 따라 회절되어 나타나는 X선의 상대적인 강도이다.Where I (hkl) is the intensity at the (hkl) plane of the test specimen, and I all is the intensity at the (111) plane, i.e., I (111), I (200), and I (220). And I (311). Here, the intensity is the relative intensity of the X-rays that are diffracted by the X-rays transmitted through the polycrystalline material according to the crystal structure.

금속 전도층(130)에 있어서, 특정(hkl) 면의 집합조직분율 값이 다른 면들의 평균값보다 크면 금속 전도층(130)은 그 결정의 [hkl] 방향이 기판에 수직인 집합조직을 상대적으로 많이 갖고 있는 것을 의미하고, 집합조직 분율의 값이 1에 가까울수록 금속 전도층(130)의 결정이 [hkl] 방향으로 잘 성장되었음을 의미한다.In the metal conductive layer 130, if the texture fraction value of the specific (hkl) face is larger than the average value of the other faces, the metal conductive layer 130 is relatively inclined to the texture in which the [hkl] direction of the crystal is perpendicular to the substrate. It means that it has a lot, and the closer the value of the texture fraction is to 1, the better the crystal of the metal conductive layer 130 is grown in the [hkl] direction.

다음으로, 본 발명에 따른 연성금속 적층판의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, the manufacturing method of the flexible metal laminate according to the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연성금속 적층판을 제조하는 공정을 개략적으로 나타낸 공정 순서도이다.2 is a process flowchart schematically showing a process of manufacturing a flexible metal laminate according to a preferred embodiment of the present invention.

먼저, 고분자 필름(100)을 준비하고(단계 S10), 금속으로 이루어진 이종 금속층(110)을 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 진공성막법에 의해 형성한다(단계 S20). 구체적으로, 고분자 필름(100)을 진공이 유지되는 챔버 안에 반입하고 아르곤, 산소, 질소 등의 가스나 그 혼합가스를 주입한 플라즈마로 건식 전처리 하여 고분자 필름의 표면을 개질 한다. 이어서, 챔버내 진공도를 유지하고 아르곤 등의 불활성 가스 분위기에서 금속 타겟(니켈-크롬합금 원소의 금속 타겟)으로부터 스퍼터링을 포함한 다양한 진공성막법으로 고분자 필름(100)상에 이종 금속층(110)을 형성한다. First, the polymer film 100 is prepared (step S10), and a dissimilar metal layer 110 made of metal is formed by a vacuum film forming method such as sputtering, vacuum deposition, or ion plating (step S20). Specifically, the polymer film 100 is brought into a chamber in which vacuum is maintained, and dry pre-treatment with a plasma in which gas such as argon, oxygen, nitrogen, or a mixture thereof is injected to modify the surface of the polymer film. Subsequently, the heterogeneous metal layer 110 is formed on the polymer film 100 by various vacuum deposition methods including sputtering from a metal target (a metal target of nickel-chromium alloy element) in an inert gas atmosphere such as argon and maintaining the vacuum degree in the chamber. do.

이어서, 이종 금속층(110)상부에 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속 시드층(120)을 형성한다(단계 S30). 금속 시드층(120)은 챔버내 진공도를 유지하고 아르곤 등의 불활성 가스 분위기에서 구리 또는 구리합금 타겟으로부터 스퍼터링함으로써 이종 금속층(110)상에 금속 시드층(120)을 형성한다.Subsequently, a metal seed layer 120 made of copper or a copper alloy is formed on the dissimilar metal layer 110 (step S30). The metal seed layer 120 maintains the vacuum in the chamber and sputters from the copper or copper alloy target in an inert gas atmosphere such as argon to form the metal seed layer 120 on the dissimilar metal layer 110.

이어서, 금속 시드층(120) 상부에 금속 전도층(130)을 형성한다(단계 S40). 금속 전도층(130)은 도금액을 사용하는 전해도금 방식을 이용한다. 전해도금 방식으로 금속 전도층(130)을 형성시, 금속 전도층(130)의 집합조직은 하기 여러 변수에 따라 조절된다.Subsequently, a metal conductive layer 130 is formed on the metal seed layer 120 (step S40). The metal conductive layer 130 uses an electroplating method using a plating solution. When the metal conductive layer 130 is formed by the electroplating method, the texture of the metal conductive layer 130 is adjusted according to the following variables.

고분자 필름(100) 상에 이종 금속층(110) 및 금속 시드층(120)을 적층할 때, 고분자 필름의 개질 전처리 조건, 즉, 가스 종류, 혼합비, 파워(power) 및 전처리 방식과, 적층시 압력, 고분자 필름과 금속 타겟과의 거리, 적층 속도 및 고분자 필름의 온도를 변화시킨다. 또한, 금속 전도층(130)을 도금할 때, 도금액의 온도, 도금액의 조성 및 전해도금시 전류밀도를 변화시킨다. 이에 따라 형성되는 이종 금속층(110) 및 금속 시드층(120)의 결정립 크기, 표면 상태 등은 금속 전도층(130)을 이루는 집합조직을 변화시킨다. When stacking the dissimilar metal layer 110 and the metal seed layer 120 on the polymer film 100, the modified pretreatment conditions of the polymer film, that is, gas type, mixing ratio, power and pretreatment, and pressure during lamination , The distance between the polymer film and the metal target, the lamination rate, and the temperature of the polymer film. In addition, when plating the metal conductive layer 130, the temperature of the plating liquid, the composition of the plating liquid, and the current density during electroplating are changed. The grain size, surface state, etc. of the dissimilar metal layer 110 and the metal seed layer 120 thus formed change the texture of the metal conductive layer 130.

또한, 도금될 금속이온을 함유한 도금액이 수용된 도금조 외부에 별도의 자석을 마련하고, 자석으로부터 자기장을 인가함으로써 금속 전도층(130)의 집합조직을 변화시킬 수도 있다. 이때 금속이온에 가해지는 로렌츠 힘을 이용하여 금속 이온을 일정한 방향으로 이동시킨다. In addition, by providing a separate magnet outside the plating bath containing the plating liquid containing the metal ion to be plated, by applying a magnetic field from the magnet may be changed the texture of the metal conductive layer 130. At this time, the Lorentz force applied to the metal ions is used to move the metal ions in a constant direction.

도금조에 가해지는 자기장과 이에 따른 로렌츠 힘의 관계는 하기 수학식 2와 같다.The relationship between the magnetic field applied to the plating bath and the Lorentz force according to it is shown in Equation 2 below.

F = q(E+v×B)F = q (E + v × B)

여기서, F는 로렌츠 힘, q는 금속 이온의 전하, v는 금속 이온의 속도 벡터, B는 자장 벡터이다.Where F is the Lorentz force, q is the charge of the metal ion, v is the velocity vector of the metal ion, and B is the magnetic field vector.

이러한 로렌츠 힘은 도금될 금속 이온이 일정한 방향성을 갖고 성장되게 한다.This Lorentz force causes the metal ions to be plated to grow with a certain orientation.

한편, 본 발명의 보다 구체적인 실험예를 설명함으로써 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 하기 실험예에 한정되는 것은 아니며 첨부된 특 허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예들이 구현될 수 있다. On the other hand, the present invention will be described in more detail by explaining a more specific experimental example of the present invention. However, the present invention is not limited to the following experimental examples, and various forms of embodiments may be implemented within the scope of the appended claims.

본 실험예에서는 고분자 필름상에 이종 금속층, 금속 시드층을 순차적으로 형성한 뒤, 이러한 시료들에 전기 도금 방식으로 금속 전도층을 형성한다. 이때, 금속 전도층의 집합조직을 제어하여 두 층간의 접합력이 강화될 수 있는 집합조직 분율의 적합한 범위를 구체화 한다.In the present experimental example, a heterogeneous metal layer and a metal seed layer are sequentially formed on the polymer film, and then a metal conductive layer is formed on the samples by electroplating. At this time, by controlling the texture of the metal conductive layer to specify a suitable range of texture fraction that can strengthen the bonding force between the two layers.

즉, 금속 시드층의 적층 공정 중, 적층시 압력, 고분자 필름과 금속 타겟과의 거리, 적층속도 및 고분자 필름의 온도를 변화시키고, 금속 전도층의 도금 공정 중, 도금액의 온도, 조성 및 전해도금시 전류밀도를 변화시켜 금속 전도층을 이루는 집합조직의 상태 변화를 살펴본다.  In other words, during the lamination process of the metal seed layer, the pressure during lamination, the distance between the polymer film and the metal target, the lamination speed, and the temperature of the polymer film are changed, and during the plating process of the metal conductive layer, the temperature, composition and electroplating of the plating solution. The change of the current density in the metal structure of the conductive layer will be examined.

그런다음, 금속 전도층의 결정 구조를 X선 회절법을 이용하여 알아본다. 구체적으로, 금속 시드층이 형성된 고분자 필름의 표면에 대해 수평하게 배열된 결정의 (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 집합 조직 유무 및 집합 조직 정도를 확인하였다. 집합 조직 정도는 실험예에 따라 마련된 시편의 (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 집합조직 세기의 총합, 즉 Iall에 대한 각 (hkl)면의 집합조직 세기 즉, I(hkl)의 비율인 집합조직 분율(수학식 1 참조)로부터 알 수 있다.Then, the crystal structure of the metal conductive layer is examined by X-ray diffraction method. Specifically, the presence or absence of texture and degree of texture of the (111), (200), (220) and (311) planes of the crystals arranged horizontally with respect to the surface of the polymer film on which the metal seed layer was formed were confirmed. . The degree of aggregate structure is the sum of the aggregated strengths of the (111) planes, (200) planes, (220) planes, and (311) planes of the specimen prepared according to the experimental example, that is, the aggregate structure of each (hkl) plane for I all . This can be seen from the texture fraction (see Equation 1), which is the ratio of intensity, i (hkl).

하기 표 1은 X선 회절법을 이용하여 측정된 각 면의 집합조직 세기(I)이고, 각 면에서의 세기, 즉 I(hkl) 값은 (111)면의 집합조직 세기를 기준값 1로 하여 표준화한 값이다. 또한, Io는 표준분말 시료의 집합조직 세기이다.Table 1 shows the texture intensity (I) of each surface measured by X-ray diffraction method, and the intensity at each surface, that is, the value of I (hkl), is based on the texture strength of the (111) plane as reference value 1. Normalized value. In addition, Io is the strength of the texture of the standard powder sample.

I(111)I (111) I(200)I (200) I(220)I (220) I(311)I (311) I(111)/IoI (111) / Io I(200)/IoI (200) / Io 실험예 1Experimental Example 1 1.01.0 0.140.14 0.110.11 0.100.10 0.740.74 0.110.11 실험예 2Experimental Example 2 1.01.0 0.220.22 0.130.13 0.180.18 0.660.66 0.140.14 실험예 3Experimental Example 3 1.01.0 0.300.30 0.150.15 0.110.11 0.640.64 0.190.19 실험예 4Experimental Example 4 1.01.0 0.420.42 0.180.18 0.150.15 0.570.57 0.240.24 실험예 5Experimental Example 5 1.01.0 0.370.37 0.230.23 0.350.35 0.510.51 0.190.19

또한, 상술한 실험예에 따라 제조된 연성금속 적층판에 대하여 각 실험예에 따른 샘플을 5개 채취하여 90도에서 박리 강도(A)를 테스트하고, 상기한 샘플들을 1주일간 방치해 두었다가 90도에서 박리 강도(B)를 테스트하고, 또한 상기한 샘플들을 150℃의 오븐에서 1주일간 고온 처리한 후, 90도에서 박리 강도(C)를 테스트하고 그 결과를 하기 표 2에 도시하였다.In addition, to test the peel strength (A) at 90 degrees by taking five samples according to each experimental example for the flexible metal laminate prepared according to the experimental example described above, the samples were left for one week and then left at 90 degrees Peel strength (B) was tested, and the samples were also subjected to high temperature treatment in an oven at 150 ° C. for 1 week, followed by testing the peel strength (C) at 90 ° and the results are shown in Table 2 below.

박리 강도 A [kgf/㎝]Peel Strength A [kgf / cm] 박리 강도 B [kgf/㎝]Peel Strength B [kgf / cm] 박리 강도 C [kgf/㎝]Peel Strength C [kgf / cm] 실험예 1Experimental Example 1 0.740.74 0.540.54 0.130.13 실험예 2Experimental Example 2 0.760.76 0.600.60 0.170.17 실험예 3Experimental Example 3 0.680.68 0.660.66 0.280.28 실험예 4Experimental Example 4 0.710.71 0.700.70 0.300.30 실험예 5Experimental Example 5 0.700.70 0.690.69 0.330.33

표 1 및 표 2를 참조하면, 실험예 1 및 실험예 2의 경우 I(111)/Io 값과 I(200)/Io 값이 각각 0.66~0.74, 0.11~0.14로 나타났고, 이러한 시료의 초기 박리 강도는 0.74kgf/㎝, 0.76kgf/㎝으로 높았으나, 1주일 동안 방치한 후 박리 강도와 150℃의 오븐에서 1주일간 고온 처리한 후 박리 강도는 물성저하에 의해 초기 박리 강도의 20% 이하로 낮아졌다. Referring to Table 1 and Table 2, in Experimental Example 1 and Example 2, I (111) / Io value and I (200) / Io value was 0.66 ~ 0.74, 0.11 ~ 0.14, respectively, and the initial Peel strength was as high as 0.74kgf / cm and 0.76kgf / cm, but after 1 week of high temperature in peeling strength and oven at 150 ℃, peel strength was less than 20% of initial peel strength Lowered to.

한편, 실험예 3 내지 실험예 5의 경우 I(111)/Io 값과 I(200)/Io 값이 각각 0.51~0.64, 0.19~0.24로 나타났고, 이러한 시료의 초기 박리 강도는 0.68kgf/㎝, 0.71kgf/㎝, 0.70kgf/㎝으로 높으며, 1주일 동안 방치한 후 박리강도와 150℃의 오븐에서 1주일간 고온 처리한 후 박리 강도도 초기 박리 강도의 40% 이상으로 유지되었다.On the other hand, in the case of Experimental Examples 3 to 5, I (111) / Io value and I (200) / Io value was 0.51 ~ 0.64, 0.19 ~ 0.24, respectively, the initial peel strength of these samples is 0.68kgf / cm , 0.71kgf / cm, high as 0.70kgf / cm, and after 1 week of standing, the peel strength and high temperature treatment in an oven at 150 ℃ was maintained at 40% or more of the initial peel strength.

따라서, 상기한 실험예의 결과를 종합하면, 금속 시드층이 형성된 고분자 필름상에 금속 전도층을 전기 도금 방식으로 형성할 때, 금속 이온이 방향성을 갖고 전착 되어 집합조직을 이루게 하고, 이때 (111)면의 집합조직 분율, I(111)/Iall 은 0.5~0.65 값을 갖도록 하고, (200)면의 집합조직 분율, I(200)/Iall 은 0.15 이상의 값을 갖도록 제어하는 것이 바람직하다.Therefore, when the results of the above experimental example are summed up, when the metal conductive layer is formed by electroplating on the polymer film on which the metal seed layer is formed, the metal ions are oriented and electrodeposited to form an aggregate structure, wherein (111) The texture fraction of the face, I (111) / I all is to have a value of 0.5 ~ 0.65, and the texture fraction, I (200) / I all of the (200) plane is preferably controlled to have a value of 0.15 or more.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described above by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.

본 발명에 의하면, 고분자 필름 상부에 진공 성막법에 의한 이종 금속층과, 스퍼터링 방식으로 금속 시드층을 형성하고, 그 상부에 전기 도금 방식으로 금속 전도층을 형성할 때 금속 전도층을 이루는 금속 이온의 집합 조직을 제어하여 금속 전도층의 강도를 향상시키고, 또한 시간의 경과 후에도 일정한 물성을 유지할 수 있다.According to the present invention, a heterogeneous metal layer formed by vacuum deposition on a polymer film and a metal seed layer formed by sputtering, and a metal conductive layer formed on the upper portion of the polymer film by electroplating are formed on the polymer film. The texture of the aggregate can be controlled to improve the strength of the metal conductive layer and to maintain constant physical properties even after elapse of time.

Claims (9)

고분자 필름, 이종 금속층, 금속 시드층 및 금속전도층을 포함하는 연성금속 적층판에 있어서,In the flexible metal laminate comprising a polymer film, a dissimilar metal layer, a metal seed layer and a metal conductive layer, 상기 금속 전도층의 (111)면의 집합조직 분율, I(111)/Iall 이 0.5~0.65 이고, (200)면의 집합조직 분율, I(200)/Iall 이 0.15 이상인 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판.The textured fraction of the (111) plane of the metal conductive layer, I (111) / I all is 0.5 ~ 0.65, the textured fraction of the (200) plane, I (200) / I all is characterized in that more than 0.15 Flexible metal laminates. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이종 금속층은 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판.The dissimilar metal layer is a flexible metal laminate, characterized in that made of nickel (Ni), chromium (Cr) or an alloy thereof. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 시드층 및 금속 전도층은 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판.The metal seed layer and the metal conductive layer is a flexible metal laminate, characterized in that made of copper or copper alloy. 연성회로기판에 사용되는 연성금속 적층판의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a flexible metal laminate used for a flexible circuit board, 고분자 필름을 준비하는 단계;Preparing a polymer film; 고분자 필름 상부에 이종 금속층을 형성하는 단계;Forming a dissimilar metal layer on the polymer film; 이종 금속층이 형성된 고분자 필름 상부에 금속 시드층을 형성하는 단계; 및Forming a metal seed layer on the polymer film on which the dissimilar metal layer is formed; And 상기 금속 시드층을 형성한 면에 도금액을 접촉시켜 상기 금속 시드층 상부에 (111)면의 집합조직 분율, I(111)/Iall 이 0.5~0.65 이고, (200)면의 집합조직 분율, I(200)/Iall 이 0.15 이상인 금속 전도층을 형성하는 단계;를 포함하는 연성금속 적층판의 제조방법.Contacting the plating liquid to the surface on which the metal seed layer was formed, the texture fraction of the (111) plane on the metal seed layer, I (111) / I all is 0.5 ~ 0.65, the texture fraction of the (200) plane, Forming a metal conductive layer I (200) / I all is 0.15 or more; manufacturing method of a flexible metal laminate comprising a. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 이종 금속층은 진공성막 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판의 제조방법.The dissimilar metal layer is a method of manufacturing a flexible metal laminate, characterized in that formed in a vacuum film forming method. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 진공성막 방식은 스퍼터링법, 진공증착법, 이온 플레이팅법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판의 제조방법.The vacuum film forming method is any one of a sputtering method, vacuum deposition method, ion plating method characterized in that the manufacturing method of the flexible metal laminate. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 금속 시드층은 스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 연성 금속 적층판의 제조방법.The metal seed layer is a method of manufacturing a flexible metal laminate, characterized in that formed by the sputtering method. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 금속 전도층의 집합 조직은, 고분자 필름의 개질전처리 조건, 이종 금속층 및 금속 시드층의 적층시 압력, 고분자 필름과 금속 타겟과의 거리, 적층 속도 및 고분자 필름의 온도를 제어하여 결정하는 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판의 제조방법.The texture structure of the metal conductive layer is determined by controlling the pre-treatment conditions of the polymer film, the pressure upon lamination of the dissimilar metal layer and the metal seed layer, the distance between the polymer film and the metal target, the lamination rate, and the temperature of the polymer film. A method for producing a flexible metal laminate. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 금속 전도층의 집합 조직은, 도금액의 온도, 도금액의 조성 및 전해도금시 전류밀도를 제어하여 결정하는 것을 특징으로 하는 연성금속 적층판의 제조방법.The aggregate structure of the metal conductive layer is determined by controlling the temperature of the plating liquid, the composition of the plating liquid and the current density during electroplating.
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