KR100763966B1 - Semiconductor package and lead frame used in manufacturing such - Google Patents

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Abstract

반도체 패키지를 개시한다. 본 발명 반도체 패키지는, 반도체 칩, 상기 반도체 칩이 접착되는 다이 패드, 상기 다이 패드로부터 연장되는 복수의 타이 바, 상기 타이 바의 말단에 형성되어 외부로 열을 발산하는 방열 단자, 상기 반도체 칩의 전극 단자와 와이어 본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드, 및 상기 반도체 칩, 다이 패드, 타이 바, 방열 단자, 및 리드를 감싸는 것으로, 상기 방열 단자 및 리드의 단부가 외부에 노출되도록 하는 엔캡슐레이션을 구비하여 된 것을 특징으로 한다.A semiconductor package is disclosed. The semiconductor package of the present invention includes a semiconductor chip, a die pad to which the semiconductor chip is bonded, a plurality of tie bars extending from the die pad, a heat dissipation terminal formed at an end of the tie bar, and dissipating heat to the outside; Encapsulation for enclosing a lead wire-bonded with an electrode terminal and electrically connected to the outside, and surrounding the semiconductor chip, die pad, tie bar, heat dissipation terminal, and lead to expose the heat dissipation terminal and the ends of the lead to the outside. Characterized in that it has been provided.

Description

반도체 패키지 및 이의 제조에 사용되는 리드프레임{Semiconductor package and lead frame used in manufacturing such}Semiconductor package and lead frame used in manufacturing such}

도 1a 및 1b는 종래의 반도체 패키지의 일 예를 도시한 단면도 및 저면도.1A and 1B are a cross-sectional view and a bottom view showing an example of a conventional semiconductor package.

도 2a, 2b, 및 2c는 본 발명 반도체 패키지 및 이의 제조에 사용되는 리드프레임의 제 1 실시예를 도시한 단면도, 투시도, 및 저면도.2A, 2B, and 2C are cross-sectional, perspective, and bottom views showing a first embodiment of a semiconductor package of the present invention and a leadframe used in its manufacture;

도 3a 및 3b는 본 발명 반도체 패키지의 제 2 실시예를 도시한 단면도 및 저면도.3A and 3B are a cross-sectional view and a bottom view of a second embodiment of the semiconductor package of the present invention.

도 4a 및 4b는 본 발명 반도체 패키지의 제 3 실시예를 도시한 단면도 및 저면도.4A and 4B are a cross-sectional view and a bottom view of a third embodiment of the semiconductor package of the present invention.

도 5는 본 발명 반도체 패키지의 제 4 실시예를 도시한 투시도.5 is a perspective view showing a fourth embodiment of the present invention semiconductor package.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

10,100,200 ...반도체 패키지 11,101,201 ...반도체 칩10,100,200 ... Semiconductor Package 11,101,201 ... Semiconductor Chip

12,110,210 ...다이 패드 13,120.220 ...리드12,110,210 ... Die Pad 13,120.220 ... Lead

115 ...타이 바 130,230 ...방열 단자115 ... tie bar 130, 230 ... heat dissipation terminals

14,140,141 ...본딩 와이어 15,150,250 ...엔캡슐레이션14,140,141 ... bonding wire 15,150,250 ... encapsulation

본 발명은 반도체 패키지 및 이의 제조에 사용되는 리드프레임에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 칩에서 발생되는 열이 용이하게 발산되도록 하여 신뢰성이 향상된 반도체 패키지와 이를 위한 리드프레임에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package and a lead frame used in the manufacture thereof, and more particularly, to a semiconductor package having improved reliability by allowing heat generated from a semiconductor chip to be easily dissipated and a lead frame therefor.

현재 생산되고 있는 반도체 패키지를 구조적인 면에서 두가지로 나눠 보면 리드 프레임을 이용한 것과, 폴리이미드 테이프를 이용한 회로 패턴이 반도체 칩에 접착된 것으로 나눌 수 있다.Dividing the currently produced semiconductor package into two structural aspects can be divided into a lead frame and a circuit pattern using polyimide tape bonded to the semiconductor chip.

도 1a 및 1b는 종래의 리드 프레임을 이용한 CSP(Chip Scale Package) 반도체 패키지의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도 및 저면도이다.1A and 1B are cross-sectional views and bottom views schematically illustrating an example of a chip scale package (CSP) semiconductor package using a conventional lead frame.

도면을 참조하면, 반도체 패키지는 반도체 칩(11), 상기 반도체 칩이 접착된 다이 패드(12), 상기 반도체 칩(11)과 와이어 본딩(14)으로 연결되는 리드(13), 및 상기 구성요소들(11 내지 14)을 감싸는 엔캡슐레이션(15)을 구비한다. 도 1b와 같이 상기 리드(13)는 그 저면이 엔캡슐레이션(15)의 아래로 노출되어 인쇄회로기판과 전기적으로 연결된다. Referring to the drawings, a semiconductor package includes a semiconductor chip 11, a die pad 12 to which the semiconductor chip is bonded, a lead 13 connected to the semiconductor chip 11 by wire bonding 14, and the components. And encapsulation 15 surrounding the fields 11 to 14. As shown in FIG. 1B, the bottom surface of the lead 13 is exposed under the encapsulation 15 so as to be electrically connected to the printed circuit board.

상기의 반도체 패키지(10)는 반도체 칩(11) 및 다이 패드(12)가 엔캡슐레이션(15)에 몰딩되어 있어, 습기 또는 기타 외부적인 요인에 대하여는 강하나, 반도체 칩(11)에서 발생되는 열의 방출 특성이 부족하고, 따라서 열 발생량이 큰 고주파 소자에는 적용이 힘들다는 단점이 있다. 또한, 이로 인해 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있다. In the semiconductor package 10, the semiconductor chip 11 and the die pad 12 are molded in the encapsulation 15, so that the semiconductor package 10 is strong against moisture or other external factors. There is a shortage of emission characteristics, and therefore has a disadvantage in that it is difficult to apply to a high frequency device having a large amount of heat generation. In addition, this may reduce the reliability of the package.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 방열 단자를 구비하여 열 방출 특성이 향상될 수 있는 반도체 패키지를 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor package having a heat dissipation terminal can be improved heat dissipation characteristics.

본 발명의 다른 목적은 고주파 소자로 사용하는 경우에도 높은 신뢰성을 유지할 수 있는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor package capable of maintaining high reliability even when used as a high frequency device.

본 발명의 또다른 목적은 그라운드 단자의 역할을 겸하는 방열 단자를 구비하는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor package having a heat dissipation terminal that also serves as a ground terminal.

본 발명은 또한 열 방출 특성이 향상될 수 있는 반도체 패키지의 제조에 이용되는 리드프레임을 제공하는 것을 목적으로 한다. It is also an object of the present invention to provide a leadframe for use in the manufacture of semiconductor packages in which heat dissipation characteristics can be improved.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 패키지는, 반도체 칩, 상기 반도체 칩이 접착되는 다이 패드, 상기 다이 패드로부터 연장되는 복수의 타이 바, 상기 타이 바의 말단에 형성되어 외부로 열을 발산하는 방열 단자, 상기 반도체 칩의 전극 단자와 와이어 본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드, 및 상기 반도체 칩, 다이 패드, 타이 바, 방열 단자, 및 리드를 감싸는 것으로, 상기 방열 단자 및 리드의 단부가 외부에 노출되도록 하는 엔캡슐레이션을 구비하여 된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a semiconductor package according to the present invention includes a semiconductor chip, a die pad to which the semiconductor chip is bonded, a plurality of tie bars extending from the die pad, and formed at an end of the tie bar to heat heat to the outside. A radiating heat dissipation terminal, a lead wire-bonded with an electrode terminal of the semiconductor chip and electrically connected to the outside, and surrounding the semiconductor chip, a die pad, a tie bar, a heat dissipation terminal, and a lead, and ends of the heat dissipation terminal and the lead Characterized in that the encapsulation to be exposed to the outside.

본 발명에 따른 반도체 패키지에 있어서, 상기 다이 패드의 단부가 외부에 노출되는 것을 특징으로 한다.In the semiconductor package according to the present invention, an end portion of the die pad is exposed to the outside.

본 발명의 반도체 패키지는 반도체 칩이 접착될 장소인 다이 패드, 상기 다 이 패드로부터 연장되는 복수의 타이 바, 상기 타이 바의 말단에 형성되어 외부로 열을 발산하는 방열 단자, 및 상기 다이 패드와 이격되어 방사상으로 연장되며, 상기 방열 단자와 병렬 배열되는 리드를 구비하여 된 것을 특징으로 한다.The semiconductor package of the present invention includes a die pad, which is a place where a semiconductor chip is to be bonded, a plurality of tie bars extending from the die pad, a heat dissipation terminal formed at an end of the tie bar and dissipating heat to the outside, and the die pad; It is spaced apart and extended radially, characterized in that it comprises a lead arranged in parallel with the heat dissipation terminal.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a, 2b, 및 2c는 본 발명 반도체 패키지 및 이의 제조에 사용되는 리드프레임의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 단면도, 투시도, 및 저면도이다. 상기 투시도는 엔캡슐레이션이 제거된 내부의 형상을 도시한 평면 투시도로서 점선은 상기 엔캡슐레이션의 경계를 나타낸다.2A, 2B, and 2C are cross-sectional views, perspective views, and bottom views schematically showing a first embodiment of a semiconductor package of the present invention and a leadframe used for its manufacture. The perspective view is a plan perspective view showing the shape of the interior from which the encapsulation is removed, and the dotted line represents the boundary of the encapsulation.

도면을 참조하면, 반도체 패키지는 반도체 칩(101), 상기 반도체 칩(101)의 아래에 위치하여 접착되는 다이 패드(110), 상기 다이 패드(110)의 4개의 코너에서 각각 방사상으로 연장되는 타이 바(115), 및 상기 타이 바(115)의 말단에 일체로 형성된 방열 단자(130)를 구비한다. 인접하는 방열 단자(130) 사이에는 인쇄회로기판(미도시)과 접속되는 복수개의 리드(120)가 구비된다. 상기 리드(120) 및 방열 단자(130)는 동일 평면상에 위치되므로, 도 2a에서 방열 단자(130)는 리드(120)에 가려 도시되지 않는다. 또한 상기 방열 단자(130) 및 다이 패드(110)를 연결하는 타이 바(115)는 다이 패드(110)로부터 일정 각도 하방으로 기울어져, 즉 다운 셋(down-set) 가공되어 연장됨을 알 수 있다. 상기 반도체 칩(101)의 전극 단자들은 상기 리드들(120)과 각각 와이어 본딩(140)에 의해 전기적으로 연결된다. 아울러 상기 반도체 칩(101)의 전극 단자들 중 접지 단자는 다이 패드(110)와도 별도의 와이어 본딩(141)에 의해 연결된다. 즉 상기 반도체 칩(101)의 접지 본딩 패드와 다이 패드(110)의 본딩 패드들은 와이어 본딩(141)으로 연결되고, 이는 다시 각각 인접한 타이 바(115)를 통하여 방열 단자(130)와 전기적으로 연결되어 있다. 상기 반도체 칩(101), 다이 패드(110), 타이 바(115), 방열 단자(130), 및 리드(120)는 몰딩 수지에 의한 엔캡슐레이션(150)으로 감싸여진다. 다만, 도 2c에서 도시된 바와 같이 상기 방열 단자(130) 및 리드들(120)은 엔캡슐레이션(150)의 저면으로 노출되어 인쇄회로기판(미도시)에 접속될 수 있다. 상기한 바와 같이 방열 단자(130)는 반도체 칩(101)의 그라운드 본딩 패드와 전기적으로 연결되어 있어 접지 단자로서 역할을 할 수 있다. Referring to the drawings, a semiconductor package includes a semiconductor chip 101, a die pad 110 positioned below the semiconductor chip 101, and a tie extending radially from four corners of the die pad 110, respectively. Bar 115, and the heat dissipation terminal 130 formed integrally with the end of the tie bar (115). A plurality of leads 120 connected to a printed circuit board (not shown) are provided between adjacent heat dissipation terminals 130. Since the lead 120 and the heat dissipation terminal 130 are located on the same plane, the heat dissipation terminal 130 is not shown by the lead 120 in FIG. 2A. In addition, it can be seen that the tie bar 115 connecting the heat dissipation terminal 130 and the die pad 110 is inclined downwardly from the die pad 110 by an angle, that is, down-set and extended. . The electrode terminals of the semiconductor chip 101 are electrically connected to the leads 120 by wire bonding 140, respectively. In addition, the ground terminal among the electrode terminals of the semiconductor chip 101 is also connected to the die pad 110 by a separate wire bonding 141. That is, the ground bonding pads of the semiconductor chip 101 and the bonding pads of the die pad 110 are connected by wire bonding 141, which is electrically connected to the heat dissipation terminal 130 through adjacent tie bars 115, respectively. It is. The semiconductor chip 101, the die pad 110, the tie bar 115, the heat dissipation terminal 130, and the lead 120 are encapsulated by encapsulation 150 by molding resin. However, as illustrated in FIG. 2C, the heat dissipation terminal 130 and the leads 120 may be exposed to the bottom surface of the encapsulation 150 and may be connected to a printed circuit board (not shown). As described above, the heat dissipation terminal 130 may be electrically connected to the ground bonding pad of the semiconductor chip 101 to serve as a ground terminal.

반도체 칩(101) 및 다이 패드(110)가 외부에 노출되지 않는 이와 같은 구조에 의해 수분 등의 침투로 인한 반도체 패키지(100)의 성능 저하가 예방될 수 있다. 상기 반도체 칩(101)의 작동시 발생하는 열은 다이 패드(110), 타이 바(115)를 거쳐 방열 단자(130)를 통해 발산된다. 이는 도 1a 및 1b에서 도시된 종래의 경우보다 방열 면적이 크게 증가된 것으로서, 반도체 패키지(100)의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.Due to the structure in which the semiconductor chip 101 and the die pad 110 are not exposed to the outside, performance degradation of the semiconductor package 100 due to penetration of moisture or the like may be prevented. Heat generated during operation of the semiconductor chip 101 is dissipated through the heat dissipation terminal 130 via the die pad 110 and the tie bar 115. This is to increase the heat dissipation area than the conventional case shown in Figures 1a and 1b, it is possible to improve the heat dissipation characteristics of the semiconductor package 100.

도시된 반도체 패키지(100)의 다이 패드(110), 타이 바(115), 방열 단자(130), 및 리드(120)는 일체로 형성되어, 상기 반도체 패키지 제조를 위한 리드프레임으로서 제공될 것이다.The die pad 110, the tie bar 115, the heat dissipation terminal 130, and the lead 120 of the illustrated semiconductor package 100 may be integrally formed and provided as a lead frame for manufacturing the semiconductor package.

도시된 반도체 패키지(100)는 각 유니트별로 개별적으로 몰딩하여 트리밍(trimming)하여 제조하거나, 다수개의 유니트를 한 번에 몰딩한 후 이를 개별 유니트로 잘라 내어(sawing) 제조할 수도 있다. The illustrated semiconductor package 100 may be manufactured by separately molding and trimming each unit, or may be manufactured by molding a plurality of units at once and then cutting them into individual units.                     

도 3a 및 3b는 본 발명 반도체 패키지의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 단면도 및 저면도이다. 3A and 3B are cross-sectional and bottom views schematically showing a second embodiment of the semiconductor package of the present invention.

도면을 참조하면, 반도체 패키지(200)는 도 2a, 2b, 및 2c에서 도시한 제 1 실시예와 동일한 구성요소를 구비한다. 반도체 패키지(200)의 평면 투시도는 도 2b와 유사하다. 다만 반도체 칩(201)의 아래에서 상기 반도체 칩(201)과 접착되는 다이 패드(210)는, 도 3b에서 도시된 바와 같이 그 일부가 엔캡슐레이션(250)의 저면으로 노출되어 있다. Referring to the drawings, the semiconductor package 200 has the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 2A, 2B, and 2C. The plan perspective view of the semiconductor package 200 is similar to that of FIG. 2B. However, as shown in FIG. 3B, a portion of the die pad 210 adhered to the semiconductor chip 201 under the semiconductor chip 201 is exposed to the bottom surface of the encapsulation 250.

따라서 제 2 실시예의 반도체 패키지(200)는 방열 단자(230)뿐만 아니라 다이 패드(210)로도 직접 열의 발산이 이루어질 수 있어 상기 제 1 실시예의 경우보다 우수한 방열 특성을 가질 수 있다. 언급되지 않은 것으로 도면번호 220은 인쇄회로기판상의 단자와 접속될 리드이고, 도면번호 240은 상기 리드(220)와 반도체 칩(201)을 연결하는 본딩 와이어이며, 도면번호 241은 상기 반도체 칩(201)과 다이 패드(210)를 연결하는 본딩 와이어이다. 상기 방열 단자(230)가 접지 단자의 역할을 하는 것은 물론이다.Therefore, the semiconductor package 200 of the second embodiment may have heat dissipation directly not only to the heat dissipation terminal 230 but also to the die pad 210, and thus may have better heat dissipation characteristics than the case of the first embodiment. Not mentioned, reference numeral 220 denotes a lead to be connected to a terminal on a printed circuit board, reference numeral 240 denotes a bonding wire connecting the lead 220 and the semiconductor chip 201, and reference numeral 241 denotes the semiconductor chip 201. ) And a bonding wire connecting the die pad 210. Of course, the heat dissipation terminal 230 serves as a ground terminal.

도 2에서 설명된 바와 마찬가지로, 도시된 반도체 패키지(200)의 다이 패드(210), 타이 바(미도시), 방열 단자(230), 및 리드(220)는 일체로 형성되어, 상기 반도체 패키지 제조를 위한 리드프레임으로서 제공될 것이다. As illustrated in FIG. 2, the die pad 210, the tie bar (not shown), the heat dissipation terminal 230, and the lead 220 of the illustrated semiconductor package 200 are integrally formed to manufacture the semiconductor package. It will be provided as a leadframe for.

도 4a 및 4b는 본 발명 반도체 패키지의 제 3 실시예를 개략적으로 도시한 단면도 및 저면도이다. 4A and 4B are cross-sectional and bottom views schematically showing a third embodiment of the semiconductor package of the present invention.

도면을 참조하면, 반도체 패키지(300)는 상기한 제 1 또는 제 2 실시예와 동 일한 구성요소를 구비한다. 다만 다이 패드(310)가 반도체 칩(301)의 위에서 상기 반도체 칩(301)과 접착되는 이른바 SMCSP(Smart Metal Chip Scale Package) 타입이다. 상기 타입의 반도체 패키지(300)는 저면으로부터 투시하여 보았을 때, 본딩 와이어(340,341)가 도시되어 도 2b와 유사하게 나타날 수 있으며, 엔캡슐레이션(350)을 고려하면 저면도(도 4b)는 도 2c와 유사하게 나타날 수 있다. 도시되어 있진 않으나 상기 다이 패드(310)를 지지하고 방열 단자(330)와 연결되는 타이 바가 구비될 것임은 용이하게 알 수 있을 것이다. 언급되지 않은 것으로 도면번호 320은 인쇄회로기판의 단자에 접속될 리드이다. 상기 방열 단자(330)는 접지 단자의 역할을 할 수 있음은 물론이다. Referring to the drawings, the semiconductor package 300 includes the same components as those of the first or second embodiment described above. However, the die pad 310 is a so-called Smart Metal Chip Scale Package (SMCSP) type that is adhered to the semiconductor chip 301 on the semiconductor chip 301. When the semiconductor package 300 of the type is viewed from the bottom, the bonding wires 340 and 341 are shown, and may be similar to that of FIG. 2B. In view of the encapsulation 350, the bottom view (FIG. 4B) is illustrated in FIG. It may appear similar to 2c. Although not shown, it will be readily understood that a tie bar supporting the die pad 310 and connected to the heat dissipation terminal 330 will be provided. Not mentioned, reference numeral 320 is a lead to be connected to a terminal of a printed circuit board. The heat dissipation terminal 330 may serve as a ground terminal, of course.

상기 다이 패드(310)는 엔캡슐레이션(350)과 동일 높이에 위치하여 외부에 노출되어 있다. 따라서 방열 단자(330)뿐만 아니라 이 부분을 통하여도 방열이 이루어져 제 1 실시예의 반도체 패키지보다 우수한 방열 특성을 가질 수 있다.The die pad 310 is positioned at the same height as the encapsulation 350 and is exposed to the outside. Therefore, heat dissipation is performed not only through the heat dissipation terminal 330 but also through this portion, and thus may have heat dissipation characteristics superior to those of the semiconductor package of the first embodiment.

도 2에서 설명된 바와 마찬가지로, 도시된 반도체 패키지(300)의 다이 패드(310), 타이 바(미도시), 방열 단자(330), 및 리드(320)는 일체로 형성되어, 상기 반도체 패키지 제조를 위한 리드프레임으로서 제공될 것이다. As illustrated in FIG. 2, the die pad 310, the tie bar (not shown), the heat dissipation terminal 330, and the lead 320 of the illustrated semiconductor package 300 are integrally formed to manufacture the semiconductor package. It will be provided as a leadframe for.

도 5는 본 발명 반도체 패키지의 제 4 실시예를 개략적으로 도시한 평면 투시도이다.Fig. 5 is a plan perspective view schematically showing a fourth embodiment of the semiconductor package of the present invention.

도면을 참조하면, 상기 반도체 패키지(400)는 다이 패드(410)가 반도체 칩(401)의 아래에서 상기 반도체 칩(401)과 접착하는 것은 상기 제 1 또는 제 2 실시예와 유사하나 방열 패드(430)가 반도체 패키지(400)의 코너가 아니라 인접하는 코너와 코너 사이에 위치한다. 또한 타이 바(415)도 다이 패드(410)의 인접하는 코너와 코너 사이에서 상기 방열 패드(430)로 연장된다. 이와 같이 반도체 패키지(400)는 인쇄회로기판의 장착부 형상에 따라 다양하게 방열 단자(430) 및 리드(420)를 배열할 수 있다. 상기 방열 패드(430)는 또한 접지 단자의 역할을 할 수 있음은 물론이다.Referring to the drawings, the semiconductor package 400 is similar to the first or second embodiment in which the die pad 410 adheres to the semiconductor chip 401 under the semiconductor chip 401. The 430 is positioned between the adjacent corners and the corners rather than the corners of the semiconductor package 400. The tie bar 415 also extends to the heat dissipation pad 430 between adjacent corners of the die pad 410. As described above, the semiconductor package 400 may arrange the heat dissipation terminal 430 and the lead 420 in various ways according to the shape of the mounting portion of the printed circuit board. The heat dissipation pad 430 may also serve as a ground terminal.

언급되지 않은 것으로 도면번호 440은 반도체 칩(401)과 리드(420)를 연결하는 본딩 와이어이고, 도면번호 441은 반도체 칩(401)과 다이 패드(410)를 연결하는 본딩 와이어이다.Not mentioned, reference numeral 440 denotes a bonding wire connecting the semiconductor chip 401 and the lead 420, and reference numeral 441 denotes a bonding wire connecting the semiconductor chip 401 and the die pad 410.

도 2에서 설명된 바와 마찬가지로, 도시된 반도체 패키지(400)의 다이 패드(410), 타이 바(415), 방열 단자(430), 및 리드(420)는 일체로 형성되어, 상기 반도체 패키지 제조를 위한 리드프레임으로서 제공될 것이다. As illustrated in FIG. 2, the die pad 410, the tie bar 415, the heat dissipation terminal 430, and the lead 420 of the illustrated semiconductor package 400 are integrally formed to manufacture the semiconductor package. It will be provided as a leadframe for it.

이상에서 설명한 반도체 패키지 및 이에 사용되는 리드프레임에 의하여, 타이 바의 말단에 형성된 방열 단자가 반도체 칩에서 발생되는 열의 방출이 촉진되어 반도체 패키지의 열 방출 특성이 향상될 수 있다.By the semiconductor package described above and the lead frame used therein, the heat dissipation terminal formed at the end of the tie bar may be promoted to release heat generated from the semiconductor chip, thereby improving heat dissipation characteristics of the semiconductor package.

따라서 본 발명 반도체 패키지는 통신장비용 등 고주파 소자로서 사용되는 경우에도 높은 제품의 신뢰성을 유지할 수 있다.Therefore, the semiconductor package of the present invention can maintain high reliability even when used as a high frequency device such as for communication equipment.

또한 상기 방열 단자가 인쇄회로기판에 장착되어 접지 단자의 역할도 수행할 수 있어 별도의 접지 단자를 구비할 필요가 없다. In addition, since the heat dissipation terminal is mounted on the printed circuit board, it may also serve as a ground terminal, and there is no need to provide a separate ground terminal.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims (3)

반도체 칩;Semiconductor chips; 상기 반도체 칩이 접착되는 다이 패드;A die pad to which the semiconductor chip is bonded; 상기 다이 패드로부터 연장되는 복수의 타이 바;A plurality of tie bars extending from the die pad; 상기 타이 바의 말단에 형성되어 외부로 열을 발산하는 방열 단자;A heat dissipation terminal formed at an end of the tie bar to dissipate heat to the outside; 상기 반도체 칩의 전극 단자와 와이어 본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드; 및A lead wire-bonded with an electrode terminal of the semiconductor chip and electrically connected to the outside; And 상기 반도체 칩, 다이 패드, 타이 바, 방열 단자, 및 리드를 감싸는 것으로, 상기 방열 단자 및 리드의 단부가 외부에 노출되도록 하는 엔캡슐레이션;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And encapsulation enclosing the semiconductor chip, the die pad, the tie bar, the heat dissipation terminal, and the lead to expose the ends of the heat dissipation terminal and the lead to the outside. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다이 패드의 단부가 외부에 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And an end portion of the die pad is exposed to the outside. 반도체 칩이 접착될 장소인 다이 패드;A die pad at which the semiconductor chip is to be bonded; 상기 다이 패드로부터 연장되는 복수의 타이 바;A plurality of tie bars extending from the die pad; 상기 타이 바의 말단에 형성되어 외부로 열을 발산하는 방열 단자; 및A heat dissipation terminal formed at an end of the tie bar to dissipate heat to the outside; And 상기 다이 패드와 이격되어 방사상으로 연장되며, 상기 방열 단자와 병렬 배열되는 리드;를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 리드프레임.And a lead spaced radially apart from the die pad and arranged in parallel with the heat dissipation terminal.
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