KR100757848B1 - Apparatus of treating a substrate in a single wafer type - Google Patents

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Abstract

An apparatus for processing a substrate in a single wafer type is provided to prevent the substrate from being polluted due to a process liquid and fumes generated from the process liquid by forming a descending air current in a space. A substrate processing is performed in a housing(110), and a substrate is supported by a support(200) in the housing. A process fluid is supplied onto the substrate by a nozzle(140), and the process fluid is recovered by a recovery member. The support has a rotatable body and an air-stream generating member installed around the body for generating a descending air current in the body. The recovery member is formed in a circular shape along an outer wall of the support, and has a recovering line connected to a recovery container.

Description

매엽식 기판 처리 장치{APPARATUS OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}Single wafer type processing apparatus {APPARATUS OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 지지부의 사시도이다.2 is a perspective view of the support shown in FIG.

도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a support according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a support according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지체의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a support according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a process of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 기류 발생부재에 의해 기류가 발생되는 것을 보여주는 도면이다.8 is a view showing that air flow is generated by the air flow generating member according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 매엽식 기판 처리 장치100: sheet type substrate processing apparatus

110 : 하우징110: housing

120 : 약액 회수부재120: chemical recovery member

130 : 기판 지지부재130: substrate support member

140 : 노즐부140: nozzle unit

150 : 노즐부 구동기150: nozzle unit driver

160 : 처리유체 공급부재160: treatment fluid supply member

200 : 지지체200: support

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판상에 처리유체를 공급하여 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for processing a semiconductor substrate by supplying a processing fluid on the substrate.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, an etching process and a cleaning process are processes for removing foreign substances remaining on the wafer.

일반적으로 식각 공정 및 세정 공정은 건식 처리 장치와 습식 처리 장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리 장치는 하우징, 기판 지지부재, 그리고 노즐부를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지부재는 하우징 내부에서 회전가능하도록 설치되며, 공정시 웨이퍼를 고정시킨다. 그리고, 노즐부는 회전되는 웨이퍼의 처리면으로 처리유체들을 순차적으로 분사하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.Generally, the etching process and the cleaning process are divided into a dry processing device and a wet processing device. Among these, the wet processing apparatus has a housing, a substrate supporting member, and a nozzle unit. The housing provides a space therein in which etching and cleaning processes are performed. The substrate support member is rotatably installed inside the housing and fixes the wafer during the process. Then, the nozzle unit sequentially sprays the processing fluids onto the processing surface of the rotating wafer to remove foreign substances remaining on the surface of the wafer.

그러나, 상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 공정 진행시 사용되는 처리유체들에 의해 하우징 내부가 오염된다. 즉, 공정 진행시 사용되는 식각액, 세정액, 그 리고 린스액들은 하우징의 내벽에 잔류하여 하우징 내부를 오염시킨다. 하우징 내벽에 잔류하는 처리액들은 다시 기판의 처리면으로 떨어져나가 기판을 오염시킨다.However, the wet substrate processing apparatus as described above is contaminated inside the housing by the processing fluids used during the process. That is, the etchant, cleaning liquid, and rinse liquid used during the process remain on the inner wall of the housing to contaminate the inside of the housing. The processing liquids remaining on the inner wall of the housing fall back to the processing surface of the substrate and contaminate the substrate.

또한, 약액 처리시에는 사용되는 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)에 의해 하우징 내부가 오염된다. 처리액으로부터 발생되는 흄은 하우징 내부 및 설비 내부에 잔류하다가 공정 진행시 기판상에 재유입되어 기판을 오염시킨다.In the chemical liquid treatment, the inside of the housing is contaminated by fumes generated from the treatment liquid used. The fume generated from the treatment liquid remains in the housing and inside the facility and is re-introduced onto the substrate during the process to contaminate the substrate.

본 발명은 소정의 처리액으로 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정의 효율을 상승시키는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that increases the efficiency of a process of removing foreign matter remaining on a processing surface of a substrate with a predetermined processing liquid.

또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판의 처리면이 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which prevents the process surface of a board | substrate from being contaminated by the process liquid and the fume generated from the process liquid.

또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 설비가 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which prevents a facility from being polluted by the process liquid and the fume generated from the process liquid.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체, 그리고 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되, 상기 지지체는 회전가능한 몸체 및 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a housing that provides a space for performing a substrate processing process therein, a support for supporting a substrate in the housing during the process, and processing on a substrate placed on the support And a nozzle portion for supplying fluid, wherein the support includes a rotatable body and an air flow generating member provided around the body to form an air flow in the space from an upper region to a lower region of the space.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 하우징의 하부에 제공되며, 상기 하부 영역으로 이동된 공기를 외부로 배기시키는 배기 부재를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an exhaust member provided under the housing and exhausting air moved to the lower region to the outside.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 사용되는 처리액들을 회수하는 회수 부재를 더 포함하되, 상기 회수 부재는 상기 지지체의 외측벽 외부를 따라 환형으로 구비되며, 입구가 서로 적층되도록 제공되는 복수의 회수통들 및 상기 회수통들 각각에 연결되는 회수라인을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a recovery member for recovering the processing liquids used in the process, the recovery member is provided in an annular shape along the outside of the outer wall of the support, the inlet is stacked on each other It includes a plurality of recovery bins provided and a recovery line connected to each of the recovery bins.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 중심을 기준으로 균등한 각도로 형성되고, 각각이 상기 몸체의 회전방향으로 갈수록 상향되는 나선형상이다.According to an embodiment of the present invention, the blades are formed at an equal angle with respect to the center of the body, each of which is a spiral shape upwards toward the rotation direction of the body.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 회전 방향으로 볼록하게 라운드진다.According to another embodiment of the invention, the blades are convexly rounded in the direction of rotation of the body.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체의 회전 방향으로 오목하게 라운드진다.According to another embodiment of the invention, the blades are concave round in the direction of rotation of the body.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 블레이드들은 상기 몸체로부터 돌출되는 제 1 돌출부와 상기 제 1 돌출부의 끝단으로부터 상기 몸체의 회전 방향으로 연장되는 제 2 돌출부를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, the blades include a first protrusion protruding from the body and a second protrusion extending in the direction of rotation of the body from the end of the first protrusion.

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이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

또한, 본 발명의 실시예에서는 세정 및 건조 공정을 수행하는 매엽식 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지부재가 구비되는 모든 반도체 제조 장치에 적용될 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention will be described taking the sheet type substrate processing apparatus for performing the cleaning and drying process as an example. However, the present invention can be applied to any semiconductor manufacturing apparatus provided with a substrate supporting member for supporting a substrate.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 지지부의 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of the support shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 처리액 회수부재(120), 기판 지지부재(130), 노즐부(140), 노즐부 구동기(150), 그리고, 처리유체 공급부재(160)를 포함한다.1 to 3, the sheet type substrate processing apparatus 100 according to the present invention may include a housing 110, a treatment liquid recovery member 120, a substrate support member 130, a nozzle unit 140, and a nozzle unit. The driver 150, and the processing fluid supply member 160.

하우징(110)는 내부에 세정 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 출입구로 사용된다.The housing 110 provides a space for performing a cleaning process therein. The housing 110 has a cylindrical shape with an open top. The open upper portion of the housing 110 is used as an entrance and exit of the substrate W during the process.

처리액 회수부재(120)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 처리액 회수부재(120)는 서로간의 상하 적층되는 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)을 가진다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공된다. The processing liquid recovery member 120 recovers the processing liquids injected into the processing surface of the substrate W during the process. The treatment liquid recovery member 120 has first to third recovery cylinders 122, 124, and 126 stacked on top of each other. Each of the first to third recovery containers 122, 124, and 126 is provided annularly along the inner wall of the housing 110.

제 1 회수통(122)은 내부에 제 1 세정액을 회수하는 공간(s1)을 가진다. 같은 방식으로 제 2 회수통(124)은 내부에 제 2 세정액을 회수하는 공간(s2)을 가지고, 제 3 회수통(126)은 내부에 린스액을 회수하는 공간(s3)을 가진다. 또한, 회수통들(122, 124, 126) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 개방된 일부를 통해 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액을 유입시킨 후 각각의 공간(s1, s2, s3)에 처리액을 수용한다.The first recovery container 122 has a space s1 for recovering the first cleaning liquid therein. In the same manner, the second recovery container 124 has a space s2 for recovering the second cleaning liquid therein, and the third recovery container 126 has a space s3 for recovering the rinse liquid therein. In addition, each of the recovery containers 122, 124, and 126 is partially opened to allow the first and second cleaning liquids and the rinse liquid to be supplied to the processing surface of the substrate W. Each of the first to third recovery containers 122, 124, and 126 receives the treatment liquid into each of the spaces s1, s2, and s3 after introducing the first and second cleaning liquids and the rinse liquid through the opened part. do.

제 1 회수라인(122a)은 공간(s1)과 연결되어, 공간(s1) 내 제 1 세정액을 회 수한다. 같은 방식으로서, 제 2 회수라인(124a)은 공간(s2)과 연결되어, 공간(s2) 내 제 2 세정액을 회수하고, 제 3 회수라인(126a)은 공간(s3)과 연결되어, 공간(s3) 내 린스액을 회수한다. 여기서, 제 1 및 제 2 처리액은 서로 다른 종류의 세정액이고, 상기 제 3 처리액은 린스액일 수 있다. 예컨대, 제 1 세정액은 불산(HF) 용액이고, 제 2 세정액은 SC-1(Standard Clean-1) 용액이고, 린스액은 초순수이다.The first recovery line 122a is connected to the space s1 to recover the first cleaning liquid in the space s1. In the same manner, the second recovery line 124a is connected to the space s2 to recover the second cleaning liquid in the space s2, and the third recovery line 126a is connected to the space s3 to connect the space ( s3) Recover the rinse liquid in. Here, the first and second treatment liquids may be different kinds of cleaning liquids, and the third treatment liquid may be a rinse liquid. For example, the first cleaning liquid is a hydrofluoric acid (HF) solution, the second cleaning liquid is a SC-1 (Standard Clean-1) solution, and the rinse liquid is ultrapure water.

기판 지지부재(130)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부재(130)는 지지체(200), 회전축(134), 그리고 구동부(136)를 가진다. 지지체(200)는 상부에 기판을 지지한다. 회전축(134)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(134)은 일단이 지지체(200)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동부(136)에 결합된다. 구동부(136)는 회전축(134)을 회전시켜 지지체(200)를 회전시킨다. 또한, 구동부(136)는 회전축(134)을 승강시켜 지지체(200)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(136)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 지지체(200)의 높이를 조절한다. 여기서, 지지체(200)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The substrate support member 130 supports the substrate W during the process. The substrate support member 130 has a support 200, a rotation shaft 134, and a driver 136. The support 200 supports the substrate thereon. The rotating shaft 134 is installed to be rotatable in the center of the housing 110. One end of the rotating shaft 134 is coupled to the center lower portion of the support 200, and the other end thereof is coupled to the driving unit 136. The driving unit 136 rotates the rotation shaft 134 to rotate the support 200. In addition, the driving unit 136 raises and lowers the rotation shaft 134 to adjust the height of the support 200. In particular, the driving unit 136 adjusts the height of the support 200 so that the treatment liquids used in the cleaning and drying processes are effectively recovered to the first to third recovery containers 122, 124, and 126. Here, a detailed description of the support 200 will be described later.

노즐부(140)는 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 노즐부(140)는 적어도 하나의 노즐(nozzle)들을 가진다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 구동한다. 노즐부 구동기(150)는 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(140)를 이동시킨다. 공정 위치(a)는 노즐부(140)가 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사하는 위치이고, 대기 위치(b)는 공정 위치(a)로 이동되기 전에 하우 징(110) 외부에서 대기하는 위치이다.The nozzle unit 140 injects the processing fluid to the processing surface of the substrate (W). The nozzle unit 140 has at least one nozzle. The nozzle unit driver 150 drives the nozzle unit 140. The nozzle unit driver 150 moves the nozzle unit 140 between the process position (a) and the standby position (b). The process position (a) is a position where the nozzle unit 140 injects the processing fluid to the processing surface of the substrate (W), and the standby position (b) is outside the housing 110 before moving to the process position (a). Waiting position.

노즐부 구동기(150)는 제 1 아암(152), 제 2 아암(154), 그리고 구동모터(156)를 가진다. 제 1 아암(152)은 용기(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제 1 아암(152)의 일단은 노즐부(140)와 결합되고, 제 1 아암(152)의 타단은 제 2 아암(154)과 결합된다. 제 2 아암(154)은 제 1 아암(152)과 수직하게 설치된다. 구동모터(156)는 제 2 아암(154)을 회전 및 승강 운동한다. 따라서, 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 승강 운동 및 회전 운동시킨다.The nozzle unit driver 150 has a first arm 152, a second arm 154, and a drive motor 156. The first arm 152 is installed horizontally at the top of the vessel 110. One end of the first arm 152 is coupled to the nozzle unit 140, and the other end of the first arm 152 is coupled to the second arm 154. The second arm 154 is installed perpendicular to the first arm 152. The drive motor 156 rotates and lifts the second arm 154. Therefore, the nozzle unit driver 150 raises and lowers the nozzle unit 140.

처리유체 공급부재(160)는 노즐부(140)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(160)는 세정액 공급부재(162), 린스액 공급부재(164), 그리고 건조가스 공급부재(166)를 포함한다. 세정액 공급부재(162)는 세정액 공급원(162a) 및 세정액 공급라인(162b)을 가진다. 세정액 공급원(162a)은 제 1 및 제 2 세정액을 저장하고, 세정액 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 제 1 및 제 2 세정액을 공급한다. 린스액 공급부재(164)는 린스액 공급원(164a) 및 린스액 공급라인(164b)을 가진다. 린스액 공급원(164a)은 린스액을 저장하고, 린스액 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 건조가스 공급부재(166)는 건조가스 공급원(166a) 및 건조가스 공급라인(164b)을 가진다. 건조가스 공급원(166a)은 건조가스를 공급하고, 건조가스 공급라인(164b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 여기서, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.The treatment fluid supply member 160 supplies the treatment fluid to the nozzle unit 140. The treatment fluid supply member 160 includes a cleaning liquid supply member 162, a rinse liquid supply member 164, and a dry gas supply member 166. The cleaning liquid supply member 162 has a cleaning liquid supply source 162a and a cleaning liquid supply line 162b. The cleaning liquid supply source 162a stores the first and second cleaning liquids, and the cleaning liquid supply line 162b supplies the first and second cleaning liquids from the cleaning liquid supply source 162a to the nozzle unit 140. The rinse liquid supply member 164 has a rinse liquid supply source 164a and a rinse liquid supply line 164b. The rinse liquid supply source 164a stores the rinse liquid, and the rinse liquid supply line 164b supplies the rinse liquid from the rinse liquid supply source 164a to the nozzle unit 140. The dry gas supply member 166 has a dry gas supply source 166a and a dry gas supply line 164b. The dry gas supply source 166a supplies dry gas, and the dry gas supply line 164b supplies dry gas from the dry gas supply source 166a to the nozzle unit 140. Here, nitrogen gas may be used as the dry gas.

배기부재(170)는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시킨다. 배기부재(170) 는 배출라인(172) 및 흡입 부재(174)를 가진다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하측에서 하우징(110) 내 공간과 통한다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하부 영역 내 공기를 외부를 배출시킨다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172) 상에 설치된다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172)에 유동압을 제공하여, 하우징(110) 내 공기를 강제 흡입한다. 흡입 부재(174)로는 진공 펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 배기부재(170)가 흡입 부재(174)를 구비하여, 하우징(110) 내 공기를 진공으로 흡입하여 강제 배출시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 배기부재(170)는 배출라인(172)만을 구비하여 하우징(110)의 하부 영역으로 이동된 공기가 하강기류에 의한 힘에 의해 자연적으로 배출되도록 제공될 수 있다.The exhaust member 170 discharges the air in the housing 110 to the outside. The exhaust member 170 has a discharge line 172 and the suction member 174. The discharge line 172 communicates with the space in the housing 110 at the lower side of the housing 110. The discharge line 172 discharges the air in the lower region of the housing 110 to the outside. The suction member 174 is installed on the discharge line 172. The suction member 174 provides flow pressure to the discharge line 172 to force suction of air in the housing 110. As the suction member 174, a vacuum pump may be used. In the present exemplary embodiment, the exhaust member 170 includes the suction member 174, and a method of forcibly discharging the air in the housing 110 by vacuum is described as an example. However, the exhaust member 170 includes the discharge line 172. ) May be provided such that the air moved to the lower region of the housing 110 is naturally discharged by the force of the downdraft.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 지지체(200)의 구성을 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the support 200 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2 및 도 3을 참조하면, 지지체(200)는 몸체(210) 및 기류 발생부재(220)를 포함한다. 몸체(210)는 원통형상을 제작된다. 몸체(210)의 상부에는 척킹핀(212)들이 설치된다. 척킹핀(212)들은 기판(W)을 지지한다. 척킹핀(212)들은 몸체(210)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 설치된다. 각각의 척킹핀(212)들은 공정 진행시 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)하거나 언척킹(unchucking)한다.2 and 3, the support 200 includes a body 210 and an airflow generating member 220. Body 210 is made of a cylindrical shape. The chucking pins 212 are installed on the upper portion of the body 210. The chucking pins 212 support the substrate (W). The chucking pins 212 are installed at an equal angle with respect to the center of the body 210. Each of the chucking pins 212 chucks or unchucks a portion of the edge of the substrate W during the process.

기류 발생부재(220)는 복수의 블레이드(222)들을 포함한다. 블레이드(222)들은 몸체(210)의 외측면(214)에 제공된다. 일 실시예로서, 블레이드(222)들은 몸체(210)의 외측면(214)으로부터 돌출된다. 블레이드(222)들은 몸체(210)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 배치된다. 각각의 블레이드(222)들은 몸체(210)의 회전방향(X)으로 갈수록 상향되는 나선형상을 가진다. 또한, 블레이드(222)들은 몸 체(210)가 회전될 때 하우징(110) 내 공기와 충돌하는 면(222)을 가진다. 상기 면(222)은 몸체(210)가 회전하면, 하우징(110) 내 공기와 충돌되어 충돌되는 공기의 흐름을 아래 방향으로 유도시킨다.The airflow generation member 220 includes a plurality of blades 222. The blades 222 are provided on the outer side 214 of the body 210. In one embodiment, the blades 222 protrude from the outer surface 214 of the body 210. The blades 222 are disposed at an equal angle with respect to the center of the body 210. Each of the blades 222 has a spiral shape upward toward the rotational direction X of the body 210. In addition, the blades 222 have a surface 222 that collides with the air in the housing 110 when the body 210 is rotated. When the body 210 rotates, the surface 222 induces a flow of air collided with air in the housing 110 in a downward direction.

또는, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기류 발생부재(320)는 공정 진행시 공기와 충돌하는 면(322)이 라운드(round)처리된 블레이드(320)들을 가진다. 상기와 같은 구조의 블레이드(320)들은 공정 진행시 몸체(310)가 회전되면, 많은 양의 공기를 아래 방향으로 유도시켜, 보다 강한 흐름의 하강기류를 발생시킨다. Alternatively, referring to FIG. 4, the airflow generation member 320 according to another embodiment of the present invention has blades 320 in which a surface 322 that collides with air during processing is rounded. The blade 320 of the structure as described above, when the body 310 is rotated during the process, induces a large amount of air in the downward direction, generates a strong air flow down stream.

또는, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에에 따른 기류 발생부재(420)는 공정 진행시 공기와 충돌하는 면(422)이 상술한 블레이드(320)의 면(322)과 반대되는 방향으로 형성된다. 상기와 같은 구조의 블레이드(420)들은 본 발명의 다른 실시예에 따른 블레이드(320)와 비교할 때, 공정 진행시 강한 하강기류를 발생시키기 어려우나, 몸체(410)의 회전시 블레이드(420)의 공기 저항이 적어 몸체(410)와 하우징(110) 사이 공간에 와류가 발생되는 방지할 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 5, in the airflow generating member 420 according to another embodiment of the present invention, the surface 422 colliding with air during the process is opposite to the surface 322 of the blade 320 described above. It is formed in the direction. Compared with the blade 320 according to another embodiment of the present invention, the blades 420 having the above-described structure are less likely to generate a strong downdraft during the process, but the air of the blade 420 when the body 410 rotates. Since the resistance is small, the vortex may be prevented from occurring in the space between the body 410 and the housing 110.

또는, 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기류 발생부재(520)는 제 1 돌출부(522)와 제 2 돌출부(524)를 가지는 블레이드(520)를 포함한다. 제 1 돌출부(522)는 본 발명의 일 실시예에 따른 블레이드(220)의 면(222)을 가지는 형상이다. 제 2 돌출부(524)는 제 1 돌출부(522)로부터 회전방향(X)으로 경사지도록 연장된다. 상기와 같은 구조를 가지는 기류 발생부재(520)는 공정 진행시 몸체(510)가 회전되면, 보다 많은 양의 공기를 아래 방향으로 유도시켜, 보다 강한 흐름의 하강기류를 발생시킨다. Alternatively, referring to FIG. 6, the airflow generating member 520 according to another embodiment of the present invention includes a blade 520 having a first protrusion 522 and a second protrusion 524. The first protrusion 522 has a shape having a surface 222 of the blade 220 according to an embodiment of the present invention. The second protrusion 524 extends to be inclined in the rotation direction X from the first protrusion 522. The airflow generating member 520 having the structure as described above, when the body 510 is rotated during the process, guides a larger amount of air downward, thereby generating a lower airflow of a stronger flow.

본 실시예에서는 네 개의 실시예에 따른 기류 발생부재를 제시하였으나, 기류 발생부재는 기판 처리 공정이 수행되는 하우징(110) 내 공간에 하강기류를 형성하기 위한 것으로, 그 구조 및 형상 등은 다양하게 변형 및 변경이 가능하다.In this embodiment, although the airflow generation member according to the four embodiments is provided, the airflow generation member is for forming the downdraft in the space in the housing 110 in which the substrate treatment process is performed, and the structure and shape thereof are variously varied. Modifications and variations are possible.

이하, 상술한 구조를 가지는 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략하고, 참조번호를 동일하게 병기한다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 100 having the above-described structure will be described in detail. Here, detailed descriptions of the same components as those described above will be omitted, and the same reference numerals will be given.

도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 8은 본 발명에 따른 기류 발생부재에 의해 기류가 발생되는 것을 보여주는 도면들이다.7 is a flowchart illustrating a process of a substrate processing apparatus according to the present invention. 8 is a view showing that air flow is generated by the air flow generating member according to the present invention.

도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 기판(W)이 지지부재(1320)의 상부에 로딩(loading)된다(S110). 기판(W)이 로딩되면, 지지체(200)의 척킹핀(212)들은 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)한다. 기판(W)이 지지체(200)에 고정되면, 구동부(136)는 지지체(200)를 공정 속도로 회전시킨다.Referring to FIG. 7, when the process of the substrate processing apparatus 100 is started, the substrate W is loaded on the support member 1320 (S110). When the substrate W is loaded, the chucking pins 212 of the support 200 chuck a portion of the edge of the substrate W. When the substrate W is fixed to the support 200, the driving unit 136 rotates the support 200 at a process speed.

지지체(200)의 회전에 의해 하우징(110) 내부는 하우징(110) 내 상부영역으로부터 하부영역으로 이동되는 기류가 형성된다(S120). 기류가 형성되는 과정은 다음과 같다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지체(200)가 회전되면, 각각의 블레이드(222)에 제공되는 면(222)은 하우징(110) 내 공기와 충돌한다. 블레이드(222)와 충돌되는 공기의 흐름은 나선형상의 면(222)를 따라 아래방향으로 유도된다. 따라서, 하우징(110) 내 공간에는 하강기류가 형성된다. 하강되는 공기는 하우징(110) 의 하부 영역에서 배기부재(170)에 의해 하우징(110) 외부로 배출된다.Due to the rotation of the support 200, the inside of the housing 110 is provided with an airflow moving from the upper region to the lower region in the housing 110 (S120). Air flow is formed as follows. 8 and 9, when the support 200 is rotated, the surface 222 provided on each blade 222 collides with air in the housing 110. The flow of air impinging the blade 222 is directed downward along the helical face 222. Therefore, the downdraft is formed in the space in the housing 110. The lowered air is discharged to the outside of the housing 110 by the exhaust member 170 in the lower region of the housing 110.

하우징(110) 내 공간에 하강기류가 형성되면, 기판(W)의 세정 공정 및 건조 정이 수행된다(S130). 세정 공정은 다음과 같다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 대기 위치(b)로부터 공정 위치(a)로 이동시킨다. 밸브(162b')가 오픈되고, 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부(140)로 제 1 세정액을 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 제 1 세정액을 기판(W)의 처리면으로 분사한다. 분사된 제 1 세정액은 기판(W) 처리면에 잔류하는 이물질을 제거한 후 제 1 회수통(122)으로 이동된다. 제 1 회수통(122)에 수용된 제 1 세정액은 제 1 회수라인(122a)을 통해 회수된다. 기판(W)의 제 1 세정이 완료되면, 세정액 공급원(164a)은 제 2 세정액을 노즐부(140)로 공급하고, 노즐부(140)는 공급받은 제 2 세정액을 기판(W)의 처리면에 분사한다. 분사된 제 2 세정액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 제 1 세정액을 2차적으로 세정한 후 제 2 회수통(124)으로 이동된다. 제 2 회수통(124)에 수용된 제 2 세정액은 제 2 회수라인(124a)을 통해 회수된다.When the downdraft is formed in the space in the housing 110, the cleaning process and the drying of the substrate W are performed (S130). The cleaning process is as follows. The nozzle unit driver 150 moves the nozzle unit 140 from the standby position b to the process position a. The valve 162b 'is opened, the supply line 162b supplies the first cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 162a to the nozzle unit 140, and the nozzle unit 140 supplies the first cleaning liquid supplied with the substrate W. Spray to the treatment surface of The injected first cleaning liquid is moved to the first recovery container 122 after removing foreign matter remaining on the substrate W processing surface. The first cleaning liquid contained in the first recovery container 122 is recovered through the first recovery line 122a. When the first cleaning of the substrate W is completed, the cleaning liquid supply source 164a supplies the second cleaning liquid to the nozzle unit 140, and the nozzle unit 140 supplies the supplied second cleaning liquid to the processing surface of the substrate W. Spray on. The injected second cleaning liquid is secondarily cleaned of the first cleaning liquid remaining on the processing surface of the substrate W, and then moved to the second recovery container 124. The second cleaning liquid contained in the second recovery container 124 is recovered through the second recovery line 124a.

기판(W)의 세정이 완료되면, 밸브(164b')가 오픈되고, 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 노즐부(140)를 통해 분사되는 린스액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 세정액을 제거한 후 제 3 회수통(126)에 수용된다. 제 3 회수통(126)에 수용된 린스액은 제 3 회수라인(126)을 통해 회수된다. When the cleaning of the substrate W is completed, the valve 164b 'is opened, and the supply line 164b supplies the rinse liquid from the rinse liquid supply source 164a to the nozzle unit 140. The rinse liquid injected through the nozzle unit 140 is received in the third recovery container 126 after removing the cleaning liquid remaining on the processing surface of the substrate W. The rinse liquid contained in the third recovery container 126 is recovered through the third recovery line 126.

기판(W)의 린스가 완료되면, 밸브(166b')가 오픈되고, 공급라인(166b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 노즐부(140)를 통해 분사되는 건조가스는 기판(W)을 건조한다(S140).When the rinse of the substrate W is completed, the valve 166b ′ is opened, and the supply line 166b supplies the dry gas from the dry gas supply source 166a to the nozzle unit 140. The dry gas injected through the nozzle unit 140 dries the substrate W (S140).

기판(W)의 건조가 완료되면, 구동부(136)는 지지체(200)의 회전을 중지하고, 척킹핀(212)들은 기판(W)을 언척킹(unchucking)한다. 그리고, 구동부(136)는 지지체(200)를 상승시켜, 기판(W)이 하우징(110)의 개방된 상부를 통해 하우징(110) 외부로 상승시킨다. 그리고, 기판(W)은 설비 일측에 구비된 로봇암(미도시됨)에 의해 기판 처리 장치(100)로부터 언로딩(unloading)된다.When drying of the substrate W is completed, the driving unit 136 stops the rotation of the support 200, and the chucking pins 212 unchuck the substrate W. In addition, the driving unit 136 raises the support 200, thereby raising the substrate W to the outside of the housing 110 through the open upper portion of the housing 110. In addition, the substrate W is unloaded from the substrate processing apparatus 100 by a robot arm (not shown) provided at one side of the facility.

상술한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정시 하우징(110) 내 공간에 하강기류를 형성시킨다. 하우징(110) 내 공기는 하우징(110)의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 이동된 후 하우징(110) 외부로 효율적으로 배출된다. 따라서, 하우징(110) 내 파티클들과 같은 부유성 오염물질들을 효과적으로 배기할 수 있다. The substrate processing apparatus described above forms a downdraft in a space in the housing 110 during the substrate processing process. Air in the housing 110 is moved from the upper region to the lower region of the housing 110 and then efficiently discharged to the outside of the housing 110. Thus, floating contaminants such as particles in the housing 110 can be effectively evacuated.

또한, 공정시 사용되는 처리액들로부터 발생되는 흄(fume)을 공정이 이루어지는 공간으로부터 효율적으로 배기시킬 수 있다. 따라서, 설비의 오염을 방지하고, 공정시 기판(W)의 처리면이 흄(fume)에 의해 오염되는 것을 방지한다. 또한, 유독성의 가스가 외부로 누출되는 것을 방지하여 작업 환경의 안전성을 상승시킨다. In addition, the fumes generated from the treatment liquids used in the process can be efficiently exhausted from the space where the process is performed. Therefore, the contamination of the equipment is prevented and the processing surface of the substrate W is prevented from being contaminated by the fume during the process. In addition, by preventing the leakage of toxic gas to the outside to increase the safety of the working environment.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 하강기류를 형성시켜 배기시킨다. 따라서, 본 발명은 기판 처리 공정시 사용되는 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판이 오염되는 것을 방지한다. As described above, the substrate processing apparatus according to the present invention forms and discharges a downdraft in the space where the substrate processing process is performed. Therefore, the present invention prevents the substrate from being contaminated by the treatment liquid and the fume generated from the treatment liquid used in the substrate treatment process.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 파티클과 같은 부유성 오염물질들을 효과적으로 배출시킨다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention effectively discharges suspended contaminants such as particles in the space where the substrate processing process is performed.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로부터 유독성 가스들이 누출되는 것을 방지하여 작업 환경의 안전성을 상승시킨다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention prevents leakage of toxic gases from the space where the substrate processing process is performed, thereby increasing the safety of the working environment.

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space therein for performing a substrate processing process; 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,A support for supporting a substrate in the housing during the process; 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부, 그리고A nozzle unit for supplying a processing fluid onto a substrate placed on the support, and 공정시 사용되는 처리액들을 회수하는 회수 부재를 포함하되,It includes a recovery member for recovering the treatment liquids used in the process, 상기 지지체는,The support, 회전가능한 몸체와,Rotatable body, 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,An airflow generating member provided around the body to form an airflow in the space from an upper region to a lower region of the space, 상기 회수 부재는,The recovery member, 상기 지지체의 외측벽 외부를 따라 환형으로 구비되며, 입구가 서로 적층되도록 제공되는 복수의 회수통들 및 상기 회수통들 각각에 연결되는 회수라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a plurality of recovery bins provided in an annular shape along an outer side of the outer wall of the support, the inlets being stacked so as to be stacked on each other, and a recovery line connected to each of the recovery bins. 삭제delete 삭제delete 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space therein for performing a substrate processing process; 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,A support for supporting a substrate in the housing during the process; 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되,A nozzle unit for supplying a processing fluid on the substrate placed on the support, 상기 지지체는,The support, 회전가능한 몸체와,Rotatable body, 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,An airflow generating member provided around the body to form an airflow in the space from an upper region to a lower region of the space, 상기 기류 발생부재는,The air flow generating member, 상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되며 상기 몸체의 회전 방향으로 볼록하게 라운드지는 형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a plurality of blades protruding from an outer surface of the body and having a shape convexly rounded in the rotational direction of the body. 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space therein for performing a substrate processing process; 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체와,A support for supporting a substrate in the housing during the process; 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리유체를 공급하는 노즐부를 포함하되,A nozzle unit for supplying a processing fluid on the substrate placed on the support, 상기 지지체는,The support, 회전가능한 몸체와,Rotatable body, 상기 몸체의 둘레에 제공되어 상기 공간 내 기류를 상기 공간의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 형성시키는 기류 발생부재를 포함하고,An airflow generating member provided around the body to form an airflow in the space from an upper region to a lower region of the space, 상기 기류 발생부재는,The air flow generating member, 상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되며 상기 몸체의 회전 방향으로 오목하게 라운드지는 형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a plurality of blades protruding from an outer surface of the body and having a shape concave round in a rotational direction of the body. 삭제delete
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