KR100753127B1 - 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 - Google Patents
시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100753127B1 KR100753127B1 KR1020060033049A KR20060033049A KR100753127B1 KR 100753127 B1 KR100753127 B1 KR 100753127B1 KR 1020060033049 A KR1020060033049 A KR 1020060033049A KR 20060033049 A KR20060033049 A KR 20060033049A KR 100753127 B1 KR100753127 B1 KR 100753127B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- output interface
- serial input
- balls
- package
- serial
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/16—Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1905—Shape
- H01L2924/19051—Impedance matching structure [e.g. balun]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- 시리얼 입/출력 인터페이스부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제1패키지 볼 아웃 영역과,디램부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제2패키지 볼 아웃 영역을 구비하는 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자.
- 시리얼 입/출력 인터페이스부 및 클럭부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제1패키지 볼 아웃 영역과,디램부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제2패키지 볼 아웃 영역을 구비하는 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자.
- 시리얼 입/출력 인터페이스부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제1패키지 볼 아웃 영역과,디램부 및 클럭부에 대응하는 다수의 볼이 배치된 제2패키지 볼 아웃 영역을 구비하는 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 시리얼 입/출력 인터페이스부는,시리얼 데이터 통신에 사용되는 시리얼 데이터 볼들과,상기 시리얼 데이터 볼들에 전원전압과 접지전압을 공급하는 시리얼 전원접지 볼들을 포함하는 것을 특징으로 하는 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 클럭부는,클럭 신호 전달에 사용되는 클럭 인터페이스 볼들과,상기 클럭 인터페이스 볼들에 전원전압과 접지전압을 공급하는 클럭 전원접지 볼들을 포함하는 것을 특징으로 하는 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060033049A KR100753127B1 (ko) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 |
US11/645,599 US7687924B2 (en) | 2006-04-12 | 2006-12-27 | Multi-port memory device having serial input/output interface |
US12/698,519 US7915745B2 (en) | 2006-04-12 | 2010-02-02 | Multi-port memory device having serial input/output interface |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060033049A KR100753127B1 (ko) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100753127B1 true KR100753127B1 (ko) | 2007-08-30 |
Family
ID=38604086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060033049A KR100753127B1 (ko) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7687924B2 (ko) |
KR (1) | KR100753127B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10056321B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method for routing the package |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970029121A (ko) * | 1995-11-30 | 1997-06-26 | 양승택 | 병렬처리 컴퓨터 시스템에서의 메모리 데이타경로 제어장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100228339B1 (ko) * | 1996-11-21 | 1999-11-01 | 김영환 | 읽기 포트와 쓰기 포트를 공유하는 다중포트 액세스 메모리 |
GB2385984B (en) * | 2001-11-07 | 2006-06-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor package assembly and method for electrically isolating modules |
TW587790U (en) * | 2002-06-18 | 2004-05-11 | King Byte Information Corp | Device for adapting memory card interface to USB interface |
JP2005044334A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-17 | Hitachi Ltd | 非同期制御回路と半導体集積回路装置 |
KR100609038B1 (ko) * | 2004-05-06 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 직렬 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 |
KR100721581B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 직렬 입/출력 인터페이스를 가진 멀티 포트 메모리 소자 |
-
2006
- 2006-04-12 KR KR1020060033049A patent/KR100753127B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-27 US US11/645,599 patent/US7687924B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-02 US US12/698,519 patent/US7915745B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970029121A (ko) * | 1995-11-30 | 1997-06-26 | 양승택 | 병렬처리 컴퓨터 시스템에서의 메모리 데이타경로 제어장치 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
한국 특허공개공보 10-1997-0029121호 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10056321B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method for routing the package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070241465A1 (en) | 2007-10-18 |
US7915745B2 (en) | 2011-03-29 |
US20100135057A1 (en) | 2010-06-03 |
US7687924B2 (en) | 2010-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7215561B2 (en) | Semiconductor memory system having multiple system data buses | |
KR100721581B1 (ko) | 직렬 입/출력 인터페이스를 가진 멀티 포트 메모리 소자 | |
KR101120241B1 (ko) | 반도체 장치, 다중 프로세서 시스템 및 반도체 장치의 인터페이싱 방법 | |
US9530464B2 (en) | Semiconductor apparatus and data bit inversion | |
US20230289309A1 (en) | Multichip package with protocol-configurable data paths | |
CN111540391B (zh) | 层叠存储器件及包括其的存储系统 | |
US20130194881A1 (en) | Area-efficient multi-modal signaling interface | |
KR20120004207A (ko) | 반도체 집적회로 | |
US9318420B2 (en) | Chip stack packages, system in packages including the same, and methods of operating the same | |
US10915487B2 (en) | Switching reduction bus using data bit inversion | |
US11264068B2 (en) | Apparatuses and methods for semiconductor devices including clock signal lines | |
KR100753127B1 (ko) | 시리얼 입/출력 인터페이스를 가진 멀티-포트 메모리 소자 | |
US9502384B2 (en) | Semiconductor devices and semiconductor systems including the same | |
US11289174B2 (en) | Stacked semiconductor device and semiconductor system including the same | |
CN114036086B (zh) | 基于三维异质集成的串行接口存储芯片 | |
KR20140065905A (ko) | 멀티-칩 시스템 및 반도체 패키지 | |
KR100903382B1 (ko) | 직렬 입/출력 인터페이스를 갖는 멀티-포트 메모리 소자 | |
US20160238632A1 (en) | Electrostatic protection circuit and semiconductor device including the same | |
WO2021146912A1 (zh) | 通信接口与封装结构 | |
US10908212B2 (en) | Semiconductor memory device including a shift register | |
KR20070111088A (ko) | 글로벌 라인의 수를 감소시킨 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130723 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140723 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150721 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160721 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170724 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180725 Year of fee payment: 12 |