KR100749420B1 - Organic light emitting display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 표시 장치는 기판 부재, 상기 기판 부재 상에 형성된 게이트 전극, 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 형성된 층간 절연막과 무기막으로 형성된 층간 절연막을 포함하고, 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 기판 부재 상에 적층된 복수의 층간 절연막, 상기 복수의 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기층, 그리고 상기 유기층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.The present invention relates to an organic light emitting diode display, wherein the organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate member, a gate electrode formed on the substrate member, and a spin on glass (SOG) film. An interlayer insulating film formed of an interlayer insulating film and an inorganic film, the plurality of interlayer insulating films covering the gate electrode and stacked on the substrate member, source and drain electrodes formed on the plurality of interlayer insulating films, and extending from the drain electrode. A first electrode formed on the same layer, an organic layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic layer.

유기 발광 표시 장치, 스핀 온 글라스막, 무기막 Organic light emitting display, spin on glass, inorganic film

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY} Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 및 Ⅱ'-Ⅱ'선을 따라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along lines II-II and II′-II ′ of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막을 적외선 분광법을 사용하여 성분을 분석한 그래프이다.FIG. 5 is a graph of components analyzed using an infrared spectroscopy of an interlayer insulating film formed of a spin on glass film.

도 6은 무기막으로 형성된 층간 절연막을 적외선 분광법을 사용하여 성분을 분석한 그래프이다.6 is a graph in which components are analyzed by using an infrared spectroscopy for an interlayer insulating film formed of an inorganic film.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터10: first thin film transistor 20: second thin film transistor

70 : 발광 소자 80 : 축전 소자70 light emitting element 80 power storage element

110 : 기판 부재 120 : 버퍼층110 substrate member 120 buffer layer

132 : 반도체층 140 : 게이트 절연막132 semiconductor layer 140 gate insulating film

151 : 게이트 라인 155 : 게이트 전극151: gate line 155: gate electrode

158 : 제1 유지 전극158: first sustain electrode

161 : 제1 층간 절연막 162 : 제2 층간 절연막161: first interlayer insulating film 162: second interlayer insulating film

171 : 데이터 라인 172 : 공통 전원 라인171: data line 172: common power line

176 : 소스 전극 177 : 드레인 전극176: source electrode 177: drain electrode

179 : 제1 전극 180 : 화소 정의막179: first electrode 180: pixel defining layer

187 : 유기층 197 : 제2 전극187: organic layer 197: second electrode

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구조가 간단하면서도 불량의 발생을 억제하고 향상된 성능을 갖는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having a simple structure and suppressing occurrence of defects and having improved performance.

근래에 음극선관(cathode ray tube, CRT)의 단점을 극복하여 경량화 및 소형화가 가능한 평판 표시 장치가 차세대 표시 장치로 각광 받고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로 플라즈마 디스플레이 패널(plama display panel, PDP), 액정 표시 장치(liguid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic luminesecent display) 등이 있다.Recently, a flat panel display device that can be reduced in weight and size by overcoming a disadvantage of a cathode ray tube (CRT) has been spotlighted as a next generation display device. Representative examples of such flat panel displays include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), and an organic luminesecent display.

유기 발광 표시 장치는 유기 화합물을 발광시켜 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치로서, 다른 평판 표시 장치에 비해 넓은 시야각 확보가 가능하며 고해상도 실현이 가능하다. 유기 발광 표시 장치는 구동 방법에 따라 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치와 수동 구동(passive matrix, PM)형 유기 발광 표시 장치로 구분될 수 있다.An organic light emitting display device is a self-luminous display device that emits an organic compound to display an image. The organic light emitting display device can secure a wider viewing angle than other flat panel display devices and realize high resolution. The OLED display can be classified into an active matrix (AM) type organic light emitting display device and a passive matrix (PM) type organic light emitting display device according to a driving method.

능동 구동형 유기 발광 표시 장치에서 화면을 표시하는 최소 단위인 화소는 발광하여 화상을 표시하는 발광부와 발광부를 구동하는 회로부를 포함하는 것이 일반적이다.In an active driving type organic light emitting display device, a pixel, which is a minimum unit for displaying a screen, generally includes a light emitting part that emits light to display an image, and a circuit part that drives the light emitting part.

발광부는 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)라고도 불리며, 이는 정공 주입 전극인 양(+) 전극과, 전자 주입 전극인 음(-) 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 갖는다.The light emitting unit has a diode characteristic and is also called an organic light emitting diode, which includes a positive electrode as a hole injection electrode, a negative electrode as an electron injection electrode, and an organic layer disposed between the electrodes. Has a structure.

회로부는 통상적으로 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 포함한다. 여기서, 축전 소자를 형성하는 양 유지 전극 사이와, 박막 트랜지스터를 형성하는 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에는 층간 절연막이 배치된다.The circuit portion typically includes two thin film transistors (TFTs) and one capacitor. Here, an interlayer insulating film is disposed between both sustain electrodes forming the power storage element, and between the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode forming the thin film transistor.

두개의 박막 트랜지스터 중에서 하나는 복수의 화소들 중에서 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 작용을 하는 스위칭 소자의 기능을 한다. 그리고 다른 하나의 박막 트랜지스터는 선택된 화소의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 인가하는 구동 소자의 기능을 한다.One of the two thin film transistors functions as a switching element that selects a pixel to emit light from among the plurality of pixels. The other thin film transistor functions as a driving element for applying a driving power source for emitting the organic layer of the selected pixel.

종래에는 일반적으로 구동 소자의 기능을 하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극과, 발광부의 양(+) 전극은 각각 별개로 형성되어 상호 연결되었다. 그리고 이 들 사이에는 별도의 절연막이 형성된다. 즉, 드레인 전극의 아래와 위에 각각 별도의 절연막이 형성되었다.In the related art, the drain electrode of the thin film transistor, which generally functions as a driving element, and the positive electrode of the light emitting part are formed separately and interconnected. A separate insulating film is formed between them. That is, separate insulating films were formed below and above the drain electrode.

이와 같이, 종래의 유기 발광 표시 장치는 많은 도전층과 많은 절연층이 반복 형성되어 구조가 복잡하고, 따라서 제조 공정이 늘어 생산성이 떨어지는 문제점 을 가지고 있다.As described above, the conventional organic light emitting diode display has a problem in that a plurality of conductive layers and many insulating layers are repeatedly formed, which results in a complicated structure, and thus a decrease in productivity due to an increase in manufacturing processes.

그리고 이러한 절연층들은 무기막 또는 유기막 등 다양한 소재로 형성될 수 있다. 하지만, 절연층으로 무기막을 사용할 경우에는 평탄화 특성이 좋지 않아서 절연층 위에 형성되는 배선층에 단선 및 단락 등의 불량이 생기는 문제점이 있다. 또한, 절연층으로 유기막을 사용할 경우에는 하부막과의 접착력이 좋지 않아서 뜯김과 같은 불량이 발생될 수 있으며, 절연층을 통해 수분이 침부할 수 있고, 제조 공정 중에 변색되거나 크랙(crack)이 발생하는 문제점이 있었다.The insulating layers may be formed of various materials such as inorganic layers or organic layers. However, when the inorganic layer is used as the insulating layer, the planarization property is not good, and thus there is a problem that defects such as disconnection and short circuit occur in the wiring layer formed on the insulating layer. In addition, when the organic layer is used as an insulating layer, poor adhesion to the lower layer may cause poor defects such as tearing, moisture may penetrate through the insulating layer, and discoloration or cracks may occur during the manufacturing process. There was a problem.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 구조가 간단하면서도 불량의 발생을 억제하고 향상된 성능을 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having a simple structure and suppressing occurrence of defects and having improved performance.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 부재, 상기 기판 부재 상에 형성된 게이트 전극, 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 형성된 층간 절연막과 무기막으로 형성된 층간 절연막을 포함하고, 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 기판 부재 상에 적층된 복수의 층간 절연막, 상기 복수의 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기층, 그리고 상기 유기층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate member, a gate electrode formed on the substrate member, an interlayer insulating film formed of a spin on glass (SOG) film, and an interlayer insulating film formed of an inorganic film. A plurality of interlayer insulating layers covering the gate electrode and stacked on the substrate member, a source electrode and a drain electrode formed on the plurality of interlayer insulating layers, a first electrode extending from the drain electrode and formed on the same layer; An organic layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic layer.

상기 복수의 층간 절연막은 2층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 하부에 배치될 수 있다.The plurality of interlayer insulating layers may be formed of two layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer may be disposed below.

상기 복수의 층간 절연막은 2층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 상부에 배치될 수 있다.The plurality of interlayer insulating layers may be formed of two layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer may be disposed thereon.

상기 복수의 층간 절연막은 3층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 상부 및 하부에 배치될 수 있다.The plurality of interlayer insulating layers may be formed of three layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer may be disposed above and below.

상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 통해 형성된 것이 바람직하다.The interlayer insulating film formed of the inorganic film is preferably formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.

상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 형성된 것이 바람직하다.The interlayer insulating film formed of the spin on glass film is preferably formed by a spin coating method.

상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 규소 산화물(Si oxide)계 물질을 포함하는 것이 바람직하다.The interlayer insulating layer formed of the spin on glass layer may include a silicon oxide-based material.

상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 규소-탄소 결합 구조 및 탄소-수소 결합 구조 중에서 하나 이상의 결합 구조를 포함하는 것이 바람직하다.The interlayer insulating film formed of the spin on glass film may include at least one bonding structure among a silicon-carbon bonding structure and a carbon-hydrogen bonding structure.

상기 층간 절연막을 형성하는 스핀 온 글라스막은 실록산(siloxane)계 화합물, 실라젠(silozne)계 화합물 및 실리케이트(silicate)계 화합물 중에서 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The spin-on glass film forming the interlayer insulating film may include at least one of a siloxane compound, a silozne compound, and a silicate compound.

상기 제1 전극은 반사형 물질을 포함하여 형성되며, 상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 형성될 수 있다.The first electrode may be formed to include a reflective material, and the second electrode may be formed to include a transparent conductive material.

상기 제1 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 형성되며, 상기 제2 전극은 반사형 물질을 포함하여 형성될 수 있다.The first electrode may be formed to include a transparent conductive material, and the second electrode may be formed to include a reflective material.

이에, 유기 발광 표시 장치의 구조를 간소화시키면서 불량의 발생을 억제하고 성능을 향상시킬 수 있게 된다.As a result, it is possible to simplify the structure of the organic light emitting diode display and to suppress occurrence of defects and to improve performance.

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

첨부 도면에서는, PMOS 구조의 박막 트랜지스터를 포함한 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있다. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터에도 모두 적용될 수 있다.In the accompanying drawings, an organic light emitting display device including a thin film transistor having a PMOS structure is illustrated. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and may be applied to both thin film transistors having an NMOS structure or a CMOS structure.

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.In addition, in the accompanying drawings, an active matrix (AM) type organic light emitting display having a 2Tr-1Cap structure having two thin film transistors (TFTs) and one capacitor in one pixel. Although illustrated, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the organic light emitting diode display may include three or more thin film transistors and two or more capacitors in one pixel, and may be formed to have various structures by further forming additional wires.

또한, 설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, prior to description, in the various embodiments, components having the same configuration will be described in the first embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, only the configuration different from the first embodiment will be described. Let's do it.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In addition, in the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is said to be "on" or "on" another portion, this includes not only when the other portion is "right over" but also when there is another portion in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 배치도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 및 Ⅱ'-Ⅱ'선을 따라 도시한 단면도이다. 여기서, Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면은 오른쪽에, Ⅱ'-Ⅱ'선에 따른 단면은 왼쪽에 도시하고 있다.1 is a layout view schematically illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along lines II-II and II′-II ′ of FIG. 1. Here, the cross section along the II-II line is shown to the right, and the cross section along the II'-II 'line is shown to the left.

도 1에서 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 하나의 화소에 제1 박막 트랜지스터(10), 제2 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 발광 소자(70)를 구비한다. 그리고 유기 발광 표시 장치(100)는 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.As illustrated in FIG. 1, the organic light emitting diode display 100 includes a first thin film transistor 10, a second thin film transistor 20, a storage device 80, and a light emitting device 70 in one pixel. do. The OLED display 100 further includes a gate line 151 disposed along one direction, a data line 171 and a common power line 172 that are insulated from and cross the gate line 151.

발광 소자(70)는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다. 유기 발광 다이오드는 정공 주입 전극인 양(+)극, 전자 주입 전극인 음(-)극, 양(+)극과 음(-)극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 가지며, 각 전극으로부터 각각 정공과 전자를 유기층 내부로 주입시켜 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진 다.The light emitting device 70 includes an organic light emitting diode (OLED). The organic light emitting diode has a structure including an organic layer disposed between a positive electrode, which is a hole injection electrode, a negative electrode, which is an electron injection electrode, and a positive and negative electrode, and from each electrode Each of the holes and electrons is injected into the organic layer to emit light when the exciton in which the injected holes and electrons are combined falls from the excited state to the ground state.

축전 소자(80)는 절연막을 사이에 두고 배치된 제1 유지 전극(158)과 제2 유지 전극(178)을 포함한다.The electrical storage element 80 includes a first storage electrode 158 and a second storage electrode 178 with an insulating film interposed therebetween.

제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극(152, 155), 소스 전극(173, 176), 드레인 전극(174, 177) 및 반도체층(131, 132)을 갖는다.The first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 have gate electrodes 152 and 155, source electrodes 173 and 176, drain electrodes 174 and 177, and semiconductor layers 131 and 132, respectively. .

제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 발광 소자(70)를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 박막 트랜지스터(10)의 제1 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)과 전기적으로 연결되고, 제1 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)과 연결되며, 제1 드레인 전극(176)은 축전 소자(80)의 제1 유지 전극(158)과 연결된다.The first thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting the light emitting element 70 to emit light. The first gate electrode 152 of the first thin film transistor 10 is electrically connected to the gate line 151, the first source electrode 173 is connected to the data line 171, and the first drain electrode 176. ) Is connected to the first storage electrode 158 of the power storage element 80.

제2 박막 트랜지스터(20)는 선택된 발광 소자(70)의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 양극에 인가한다. 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 게이트 전극(155)은 축전 소자(80)의 제1 유지 전극(158)과 연결되고, 제2 소스 전극(176)은 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 드레인 전극(177)에서 제1 전극(179)이 일체로 연장 형성된다. 제1 전극(179)은 발광 소자(70)의 양극이 된다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 제1 전극(179)이 발광 소자(70)의 음극이 될 수도 있다.The second thin film transistor 20 applies a driving power to the anode for emitting the organic layer of the selected light emitting device 70. The second gate electrode 155 of the second thin film transistor 20 is connected to the first storage electrode 158 of the power storage device 80, and the second source electrode 176 is connected to the common power line 172. . The first electrode 179 extends integrally from the second drain electrode 177 of the second thin film transistor 20. The first electrode 179 becomes an anode of the light emitting element 70. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the first electrode 179 may be a cathode of the light emitting device 70 according to the driving method of the organic light emitting diode display 100.

이와 같은 구조에 의하여, 제1 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 구동되어 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 제2 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 제2 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 제1 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 제2 박막 트랜지스터(20)를 통해 발광 소자(70)로 흘러 발광 소자(70)가 발광하게 된다.As a result, the first thin film transistor 10 is driven by the gate voltage applied to the gate line 151 to transfer the data voltage applied to the data line 171 to the second thin film transistor 20. Do it. The voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the second thin film transistor 20 from the common power supply line 172 and the data voltage transmitted from the first thin film transistor 10 is stored in the power storage device 80, and the power storage device A current corresponding to the voltage stored in the 80 flows through the second thin film transistor 20 to the light emitting device 70 so that the light emitting device 70 emits light.

도 2를 참조하여 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 도 2는 제2 박막 트랜지스터(20), 발광 소자(70) 및 축전 소자(80)를 중심으로 도시하고 있다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 중심으로 박막 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다. 제1 박막 트랜지스터(10)는 그 구조가 제2 박막 트랜지스터(20)와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting diode display 100 will be described in detail with reference to FIG. 2. 2 illustrates the second thin film transistor 20, the light emitting device 70, and the power storage device 80. Hereinafter, the structure of the thin film transistor will be described with reference to the second thin film transistor 20. Since the structure of the first thin film transistor 10 is the same as that of the second thin film transistor 20, a detailed description thereof will be omitted.

도 2에 도시한 바와 같이, 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 또는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성되는 기판 부재(110) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 그러나 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판 부재(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.As shown in FIG. 2, a buffer layer 120 is formed on a substrate member 110 formed of an insulating substrate made of glass, quartz, ceramic, plastic, or the like, or a metallic substrate made of stainless steel or the like. The buffer layer 120 serves to prevent infiltration of impurities and planarize the surface, and may be formed of various materials capable of performing such a role. However, the buffer layer 120 is not necessarily required and may be omitted depending on the type of the substrate member 110 and the process conditions.

버퍼층(120) 위에는 반도체층(132)이 형성된다. 반도체층(132)은 다결정 규소로 형성될 수 있다. 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영 역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.The semiconductor layer 132 is formed on the buffer layer 120. The semiconductor layer 132 may be formed of polycrystalline silicon. The semiconductor layer 132 includes a channel region 135 in which impurities are not doped, and a source region 136 and a drain region 137 formed by p + doping on both sides of the channel region 135. At this time, the doped ionic material is a P-type impurity such as boron (B), and mainly B 2 H 6 is used. Here, such impurities vary depending on the type of thin film transistor.

반도체층(132) 위에는 규소 산화물 또는 규소 질화물로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(155) 및 제1 유지 전극(158)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 게이트 배선은 게이트 라인(151)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 이 때, 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.A gate insulating layer 140 formed of silicon oxide or silicon nitride is formed on the semiconductor layer 132. A gate wiring including a gate electrode 155 and a first storage electrode 158 is formed on the gate insulating layer 140. Although not shown in FIG. 2, the gate wiring further includes a gate line 151 (shown in FIG. 1) and other wiring. In this case, the gate electrode 155 is formed to overlap at least a portion of the semiconductor layer 132, particularly the channel region 135.

도 2에서 도시한 바와 달리, 게이트 배선(155, 158)은 다중층으로 형성될 수 있다. 일예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 상부층으로 사용하는 것이다. 이는 하부층으로 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용하고, 상부층으로 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 사용하는 것이다. 근래에는 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등이 배선재료로 각광받고 있다.Unlike in FIG. 2, the gate lines 155 and 158 may be formed in multiple layers. For example, aluminum or an aluminum alloy is used as the lower layer and molybdenum-tungsten or molybdenum-tungsten nitride is used as the upper layer. The lower layer uses aluminum or aluminum alloy with low specific resistance to prevent signal resistance due to wiring resistance, and the upper layer uses chemicals to compensate for the shortcomings of aluminum or aluminum alloy where corrosion resistance by chemicals is weak and easily oxidized to cause disconnection. It is to use molybdenum-tungsten or molybdenum-tungsten nitride which are highly corrosion-resistant to chemicals. In recent years, molybdenum, aluminum, titanium, tungsten, and the like have been spotlighted as wiring materials.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 배선(155, 158)을 덮는 복수의 층간 절연 막(161, 162)이 형성된다. 복수의 층간 절연막은 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 평탄하게 형성된 하나 이상의 층간 절연막(162)과 무기막으로 형성된 하나 이상의 층간 절연막(161)을 포함한다. 도 2에서 층간 절연막들(161, 162)은 2층으로 형성되며, 무기막으로 형성된 층간 절연막(161)은 하부에 배치된다. 즉, 복수의 층간 절연막은 무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(161)과, 제1 층간 절연막(161) 상에 형성된 제2 층간 절연막(162)을 포함한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of interlayer insulating layers 161 and 162 covering the gate lines 155 and 158 are formed. The plurality of interlayer insulating layers may include at least one interlayer insulating layer 162 formed of a spin on glass (SOG) film and at least one interlayer insulating layer 161 formed of an inorganic layer. In FIG. 2, the interlayer insulating layers 161 and 162 are formed of two layers, and the interlayer insulating layer 161 formed of an inorganic layer is disposed below. That is, the plurality of interlayer insulating films include a first interlayer insulating film 161 formed of an inorganic film and a second interlayer insulating film 162 formed on the first interlayer insulating film 161.

무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(161)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 통해 형성되며, 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)를 포함하는 물질로 형성된다.The first interlayer insulating layer 161 formed of the inorganic layer is formed through a chemical vapor deposition (CVD) method, and is formed of a material including silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

제2 층간 절연막(162)은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 평탄하게 형성된다. 즉, 스핀 코팅 방법으로 스핀 온 글라스막을 도포하고, 도포된 스핀 온 글라스막을 경화시켜 최종적으로 평탄한 표면을 갖는 제2 층간 절연막들(162)을 형성한다. 이 때, 제2 층간 절연막들(162)은 규소 산화물계 물질(Si oxide)로 형성된다. 그리고 제2 층간 절연막(162)은 규소-탄소(Si-C) 결합 구조 및 탄소-수소(C-H) 결합 구조 중에서 하나 이상의 결합 구조를 포함한다.The second interlayer insulating layer 162 is formed flat by spin coating. That is, a spin on glass film is coated by a spin coating method, and the coated spin on glass film is cured to form second interlayer insulating films 162 having a flat surface. In this case, the second interlayer insulating layers 162 may be formed of silicon oxide (Si oxide). The second interlayer insulating layer 162 may include at least one bonding structure among a silicon-carbon (Si-C) bonding structure and a carbon-hydrogen (C-H) bonding structure.

여기서, 제2 층간 절연막(162) 형성에 사용되는 스핀 온 글라스막은 실록산(siloxane)계 화합물, 실라젠(silozne)계 화합물 및 실리케이트(silicate)계 화합물 중에서 하나 이상의 화합물을 포함하여 이루어진다.Here, the spin-on glass film used to form the second interlayer insulating film 162 may include at least one of a siloxane compound, a silozne compound, and a silicate compound.

이와 같이, 스핀 온 글라스막으로 평탄하게 형성된 제2 층간 절연막(162)의 아래에는 무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(161)이 배치된다. 따라서 제2 층간 절연막(162)과 제1 층간 절연막(161)의 향상된 접착력으로 인해 뜯김 불량과 같이 스핀 온 글라스막으로 형성된 제2 층간 절연막(162)에서 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있다.As such, the first interlayer insulating layer 161 formed of an inorganic layer is disposed under the second interlayer insulating layer 162 formed flat of the spin on glass layer. Accordingly, a defect that may occur in the second interlayer insulating layer 162 formed of the spin-on glass layer, such as a tearing defect, may be prevented due to improved adhesion between the second interlayer insulating layer 162 and the first interlayer insulating layer 161.

또한, 제2 층간 절연막(162)은 평탄화 특성이 우수한 스핀 온 글라스막으로 형성되므로, 제2 층간 절연막(162) 위에 형성될 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다.In addition, since the second interlayer insulating layer 162 is formed of a spin-on glass film having excellent planarization characteristics, defects such as disconnection and short circuit of the conductive layer to be formed on the second interlayer insulating layer 162 may be prevented.

스핀 온 글라스막으로 형성된 제2 층간 절연막(162)과 무기막으로 형성된 제1 층간 절연막은 적외선(IR) 분광법과 같은 방법을 통해 각각 그 성분을 파악할 수 있다. 따라서 형성된 제1 층간 절연막(161) 및 제2 층간 절연막(162)이 각각 어떤 소재 및 제조 공정으로 형성되었는지 알 수 있다.The second interlayer insulating film 162 formed of the spin-on glass film and the first interlayer insulating film formed of the inorganic film may be identified by a method such as infrared (IR) spectroscopy. Accordingly, it is possible to know which material and manufacturing process are formed of the first interlayer insulating layer 161 and the second interlayer insulating layer 162.

게이트 절연막(140)과 층간 절연막들(161, 162)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀들(166, 167)을 가지고 있다.The gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layers 161 and 162 have contact holes 166 and 167 exposing the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132.

층간 절연막들(161, 162) 위에는 소스 전극(176), 드레인 전극(177), 제2 유지 전극(178) 및 드레인 전극에서 일체로 연장 형성된 제1 전극(179)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 데이터 배선은 데이터 라인(171)(도 1에 도시), 공통 전원 라인(172)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.Data lines including a source electrode 176, a drain electrode 177, a second storage electrode 178, and a first electrode 179 extending integrally from the drain electrode are formed on the interlayer insulating layers 161 and 162. . Although not shown in FIG. 2, the data line further includes a data line 171 (shown in FIG. 1), a common power supply line 172 (shown in FIG. 1), and other wires. The source electrode 176 and the drain electrode 177 are connected to the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the contact holes 166 and 167, respectively.

층간 절연막들(161, 162) 상에는 데이터 배선(176, 177, 178, 179)을 덮는 화소 정의막(180)이 형성된다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(179)을 노출시키는 개구부(181)를 갖는다. 그리고 개구부(181) 내의 제1 전극(179) 상에는 유기층(187)이 형성되고, 화소 정의막(180) 및 유기층(187) 상에는 제2 전극(197)이 형성된다. 즉, 유기층(187)은 화소 정의막(180)의 개구부(181) 내에서 제1 전극(179)과 제2 전극(197) 사이에 배치된다.The pixel defining layer 180 covering the data lines 176, 177, 178, and 179 is formed on the interlayer insulating layers 161 and 162. The pixel defining layer 180 has an opening 181 exposing the first electrode 179. The organic layer 187 is formed on the first electrode 179 in the opening 181, and the second electrode 197 is formed on the pixel defining layer 180 and the organic layer 187. That is, the organic layer 187 is disposed between the first electrode 179 and the second electrode 197 in the opening 181 of the pixel defining layer 180.

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극(179), 유기층(187) 및 제2 전극(197)은 발광 소자(70)인 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 형성한다. 여기서, 제1 전극(179)은 발광 소자(70)의 양(+)극이 되고, 제2 전극(197)은 발광 소자(70)의 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라, 제1 전극(179)이 발광 소자(70)의 음극이 되고, 제2 전극(197)이 발광 소자(70)의 양극이 될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the first electrode 179, the organic layer 187, and the second electrode 197 form an organic light emitting diode (OLED), which is a light emitting device 70. Here, the first electrode 179 becomes a positive electrode of the light emitting device 70, and the second electrode 197 becomes a negative electrode of the light emitting device 70. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and according to a driving method of the organic light emitting diode display, the first electrode 179 becomes a cathode of the light emitting element 70, and the second electrode 197 is a light emitting element 70. It can also be the anode of.

제1 전극(179)과 제2 전극(197)은 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투명 또는 반사형 물질로 형성될 수 있다.One of the first electrode 179 and the second electrode 197 may be formed of a transparent conductive material and the other may be formed of a translucent or reflective material.

제1 전극(179)과 제2 전극(197)중에서 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투명 물질로 형성되면, 양면 발광형 유기 발광 표시 장치가 된다. 그리고 제1 전극(177)은 반사형 물질로 형성하고 제2 전극(197)을 투명한 도전성 물질로 형성하면 전면 발광형 유기 발광 표시 장치가, 그 반대는 배면 발광형 표시 장치가 된다. 여기서, 제1 전극(179)을 투명한 도전성 물질로 형성할 경우에는 데이터 배선(176, 177, 178, 179) 일체를 모두 투명한 도전성 물질로 형성 할 수도 있다.When one of the first electrode 179 and the second electrode 197 is formed of a transparent conductive material and the other of the first electrode 179 and the second electrode 197 is formed of a semi-transparent material, it becomes a double-sided light emitting organic light emitting display device. In addition, when the first electrode 177 is formed of a reflective material and the second electrode 197 is formed of a transparent conductive material, a top emission organic light emitting display device is used, and vice versa. When the first electrode 179 is formed of a transparent conductive material, all of the data lines 176, 177, 178, and 179 may be formed of a transparent conductive material.

투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다.As the transparent conductive material, materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium oxide (In 2 O 3 ) may be used.

반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 등의 물질을 사용할 수 있다.Reflective materials include lithium (Li), calcium (Ca), lithium fluoride / calcium (LiF / Ca), lithium fluoride / aluminum (LiF / Al), aluminium (Al), silver (Ag), magnesium ( Mg) and the like can be used.

또한, 데이터 배선(176, 177, 178, 179)은, 게이트 배선(155, 158)과 마찬가지로, 서로 다른 이종의 재질로 만들어진 다중층으로 형성하여 각 재질이 갖는 단점을 보완할 수 있다.In addition, similar to the gate lines 155 and 158, the data lines 176, 177, 178, and 179 may be formed of multiple layers made of different materials to compensate for the disadvantages of each material.

또한, 게이트 배선(155, 158) 및 데이터 배선(176, 177, 178, 179)의 배치 및 구조는 본 실시예에 반드시 한정되는 것은 아니다. 따라서 박막 트랜지스터(10, 20) 및 기타 회로 배선의 구조에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 즉, 게이트 라인, 데이터 라인, 공통 전원 라인 및 그 밖의 구성이 본 실시예와 다른 층에 형성될 수도 있다.In addition, the arrangement and structure of the gate wirings 155 and 158 and the data wirings 176, 177, 178 and 179 are not necessarily limited to this embodiment. Therefore, various modifications may be made depending on the structure of the thin film transistors 10 and 20 and other circuit wirings. That is, a gate line, a data line, a common power supply line, and other configurations may be formed in a layer different from this embodiment.

유기층(187)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기층(187)은 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광층을 이루는 물질에 따라 이의 주위에 형성된 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer), 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL), 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등을 더 포함할 수 있다.The organic layer 187 may be formed of a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material. The organic layer 187 includes an organic light emitting layer, and includes a hole-injection layer (HIL), a hole-transporting layer (HTL), and a hole blocking layer (HIL) formed around the organic light emitting layer. and a hole blocking layer, an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), an electron blocking layer (EBL), and the like.

또한, 도 2에는 도시하지 않았으나, 제2 전극(197) 위로 봉지 부재가 더 형성될 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 2, an encapsulation member may be further formed on the second electrode 197.

이와 같이, 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)을 발광 소자(70)의 양 전극으로 직접 사용하고, 별도의 양 전극을 형성하지 않으므로, 유기 발광 표시 장치(100)의 구조를 단순화 시킬 수 있다.As such, since the drain electrode 177 of the thin film transistor 20 is directly used as a positive electrode of the light emitting device 70 and no separate positive electrode is formed, the structure of the organic light emitting diode display 100 may be simplified. have.

도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)를 설명한다.An organic light emitting diode display 200 according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 기판 부재(110) 위에 형성된 버퍼층(120), 버퍼층(120) 위에 형성된 반도체층(132), 반도체층(132)을 덮는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 형성된 게이트 배선(155, 158)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting diode display includes a buffer layer 120 formed on the substrate member 110, a semiconductor layer 132 formed on the buffer layer 120, a gate insulating layer 140 covering the semiconductor layer 132, Gate wirings 155 and 158 formed on the gate insulating layer 140.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 배선(155, 158)을 덮는 복수의 층간 절연막(261, 262)이 형성된다. 복수의 층간 절연막은 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 평탄하게 형성된 하나 이상의 층간 절연막(261)과 무기막으로 형성된 하나 이상의 층간 절연막(262)을 포함한다. 도 3에서 층간 절연막들(261, 262)은 2층으로 형성되며, 무기막으로 형성된 층간 절연막(262)은 상부에 배치된다. 즉, 복수의 층간 절연막은 제1 층간 절연막(261)과, 제1 층간 절연막(261) 상에 무기막으로 형성된 제2 층간 절연막(262)을 포함한다.A plurality of interlayer insulating layers 261 and 262 are formed on the gate insulating layer 140 to cover the gate lines 155 and 158. The plurality of interlayer insulating layers include at least one interlayer insulating layer 261 formed of a spin on glass (SOG) film and at least one interlayer insulating layer 262 formed of an inorganic layer. In FIG. 3, the interlayer insulating layers 261 and 262 are formed in two layers, and the interlayer insulating layer 262 formed of an inorganic layer is disposed on the upper portion. That is, the plurality of interlayer insulating films include a first interlayer insulating film 261 and a second interlayer insulating film 262 formed of an inorganic film on the first interlayer insulating film 261.

제1 층간 절연막(261)은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 평탄하게 형성된 다. 즉, 스핀 코팅 방법으로 스핀 온 글라스막을 도포하고, 도포된 스핀 온 글라스막을 경화시켜 최종적으로 평탄한 표면을 갖는 제1 층간 절연막들(261)을 형성한다. 이 때, 제1 층간 절연막들(261)은 규소 산화물계 물질(Si oxide)로 형성된다. 그리고 제1 층간 절연막(261)은 규소-탄소(Si-C) 결합 구조 및 탄소-수소(C-H) 결합 구조 중에서 하나 이상의 결합 구조를 포함한다.The first interlayer insulating film 261 is formed flat by spin coating. That is, a spin on glass film is coated by a spin coating method, and the applied spin on glass film is cured to form first interlayer insulating films 261 having a flat surface. In this case, the first interlayer insulating layers 261 are formed of silicon oxide (Si oxide). The first interlayer insulating layer 261 includes at least one bonding structure among a silicon-carbon (Si-C) bonding structure and a carbon-hydrogen (C-H) bonding structure.

여기서, 제1 층간 절연막(261) 형성에 사용되는 스핀 온 글라스막은 실록산(siloxane)계 화합물, 실라젠(silozne)계 화합물 및 실리케이트(silicate)계 화합물 중에서 하나 이상의 화합물을 포함하여 이루어진다.Here, the spin-on glass film used to form the first interlayer insulating film 261 includes at least one compound of a siloxane compound, a silozne compound, and a silicate compound.

무기막으로 형성된 제2 층간 절연막(262)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 통해 형성되며, 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)를 포함하는 물질로 형성된다.The second interlayer insulating layer 262 formed of an inorganic layer is formed through a chemical vapor deposition (CVD) method, and is formed of a material including silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

이와 같이 형성된 제2 층간 절연막(262)은 스핀 온 글라스막으로 형성된 제1 층간 절연막(261)을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하며, 제조 공정 중에 제1 층간 절연막(261)이 변색되거나 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지한다.The second interlayer insulating layer 262 formed as described above prevents moisture from penetrating through the first interlayer insulating layer 261 formed of the spin-on glass layer, and discolors or cracks the first interlayer insulating layer 261 during the manufacturing process. ) Is prevented from occurring.

또한, 제1 층간 절연막(261)이 평탄하게 형성되므로, 그 위에 형성되는 제2 층간 절연막(262) 역시 화학 기상 증착 방법으로 형성하여도 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서 제2 층간 절연막(262) 위에 형성될 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다.In addition, since the first interlayer insulating film 261 is formed flat, the second interlayer insulating film 262 formed thereon may also be formed flat even when formed by a chemical vapor deposition method. Therefore, occurrence of defects such as disconnection and short circuit of the conductive layer to be formed on the second interlayer insulating layer 262 can be prevented.

게이트 절연막(140)과 층간 절연막들(261, 262)은 반도체층(132)의 소스 영 역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 접촉구멍들(166, 167)을 가지고 있다.The gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layers 261 and 262 have contact holes 166 and 167 exposing the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132.

층간 절연막들(261, 262)은 위에는 소스 전극(176), 드레인 전극(177), 제2 유지 전극(178) 및 드레인 전극에서 일체로 연장 형성된 제1 전극(179)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 데이터 배선은 데이터 라인(171)(도 1에 도시), 공통 전원 라인(172)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.The interlayer insulating layers 261 and 262 are formed thereon with data wirings including a source electrode 176, a drain electrode 177, a second storage electrode 178, and a first electrode 179 integrally extending from the drain electrode. do. Although not shown in FIG. 2, the data line further includes a data line 171 (shown in FIG. 1), a common power supply line 172 (shown in FIG. 1), and other wires. The source electrode 176 and the drain electrode 177 are connected to the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the contact holes 166 and 167, respectively.

층간 절연막들(161, 162) 상에는 데이터 배선(176, 177, 178, 179)을 덮는 화소 정의막(180)이 형성된다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(179)을 노출시키는 개구부(181)를 갖는다. 그리고 개구부(181) 내의 제1 전극(179) 상에는 유기층(187)이 형성되고, 화소 정의막(180) 및 유기층(187) 상에는 제2 전극(197)이 형성된다. 즉, 유기층(187)은 화소 정의막(180)의 개구부(181) 내에서 제1 전극(179)과 제2 전극(197) 사이에 배치된다.The pixel defining layer 180 covering the data lines 176, 177, 178, and 179 is formed on the interlayer insulating layers 161 and 162. The pixel defining layer 180 has an opening 181 exposing the first electrode 179. The organic layer 187 is formed on the first electrode 179 in the opening 181, and the second electrode 197 is formed on the pixel defining layer 180 and the organic layer 187. That is, the organic layer 187 is disposed between the first electrode 179 and the second electrode 197 in the opening 181 of the pixel defining layer 180.

도 4를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.An organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

도 4에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 기판 부재(110) 위에 형성된 버퍼층(120), 버퍼층(120) 위에 형성된 반도체층(132), 반도체층(132)을 덮는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 형성된 게이트 배선(155, 158)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the organic light emitting diode display includes a buffer layer 120 formed on the substrate member 110, a semiconductor layer 132 formed on the buffer layer 120, a gate insulating layer 140 covering the semiconductor layer 132, Gate wirings 155 and 158 formed on the gate insulating layer 140.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 배선(155, 158)을 덮는 복수의 층간 절연막(361, 362, 363)이 형성된다. 복수의 층간 절연막은 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 평탄하게 형성된 하나 이상의 층간 절연막(362)과 무기막으로 형성된 하나 이상의 층간 절연막(361, 363)을 포함한다. 도 4에서 층간 절연막들(361, 362, 363)은 3층으로 형성되며, 무기막으로 형성된 층간 절연막(361, 363)은 상부 및 하부에 배치된다. 즉, 복수의 층간 절연막은 무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(361) 및 제3 층간 절연막(363)과, 제1 층간 절연막(361) 및 제3 층간 절연막(363) 사이에 배치되며 스핀 온 글라스막으로 형성된 제2 층간 절연막(362)을 포함한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of interlayer insulating layers 361, 362, and 363 covering the gate lines 155 and 158 are formed. The plurality of interlayer insulating films include at least one interlayer insulating film 362 formed flat with a spin on glass (SOG) film and at least one interlayer insulating film 361 and 363 formed of an inorganic film. In FIG. 4, the interlayer insulating films 361, 362, and 363 are formed of three layers, and the interlayer insulating films 361 and 363 formed of an inorganic film are disposed at upper and lower portions thereof. That is, the plurality of interlayer insulating films are disposed between the first interlayer insulating film 361 and the third interlayer insulating film 363 formed of the inorganic film, and the first interlayer insulating film 361 and the third interlayer insulating film 363, and the spin-on glass A second interlayer insulating film 362 formed of a film is included.

무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(361) 및 제3 층간 절연막(363)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 통해 형성되며, 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)를 포함하는 물질로 형성된다.The first interlayer insulating film 361 and the third interlayer insulating film 363 formed of the inorganic film are formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, and include silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx). It is formed of a material.

제2 층간 절연막(362)은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 평탄하게 형성된다. 즉, 스핀 코팅 방법으로 스핀 온 글라스막을 도포하고, 도포된 스핀 온 글라스막을 경화시켜 최종적으로 평탄한 표면을 갖는 제2 층간 절연막들(362)을 형성한다. 이 때, 제2 층간 절연막들(362)은 규소 산화물계 물질(Si oxide)로 형성된다. 그리고 제2 층간 절연막(362)은 규소-탄소(Si-C) 결합 구조 및 탄소-수소(C-H) 결합 구조 중에서 하나 이상의 결합 구조를 포함한다.The second interlayer insulating film 362 is formed flat by spin coating. That is, the spin on glass film is coated by the spin coating method, and the coated spin on glass film is cured to form second interlayer insulating films 362 having a flat surface. In this case, the second interlayer insulating layers 362 may be formed of silicon oxide (Si oxide). The second interlayer insulating layer 362 may include at least one bonding structure among a silicon-carbon (Si-C) bonding structure and a carbon-hydrogen (C-H) bonding structure.

여기서, 제2 층간 절연막(362) 형성에 사용되는 스핀 온 글라스막은 실록산 (siloxane)계 화합물, 실라젠(silozne)계 화합물 및 실리케이트(silicate)계 화합물 중에서 하나 이상의 화합물을 포함하여 이루어진다.Here, the spin-on glass film used to form the second interlayer insulating film 362 may include at least one of a siloxane compound, a silozne compound, and a silicate compound.

이와 같이, 스핀 온 글라스막으로 평탄하게 형성된 제2 층간 절연막(362)의 아래에는 무기막으로 형성된 제1 층간 절연막(161)이 배치된다. 따라서 제2 층간 절연막(362)과 제1 층간 절연막(361)의 향상된 접착력으로 인해 뜯김 불량과 같이 스핀 온 글라스막으로 형성된 제2 층간 절연막(362)에서 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있다.As such, the first interlayer insulating layer 161 formed of the inorganic layer is disposed under the second interlayer insulating layer 362 formed flat with the spin-on glass layer. Accordingly, a defect that may occur in the second interlayer insulating layer 362 formed of the spin-on glass layer, such as a tearing defect, may be prevented due to improved adhesion between the second interlayer insulating layer 362 and the first interlayer insulating layer 361.

또한, 제2 층간 절연막(362)은 평탄화 특성이 우수한 스핀 온 글라스막으로 형성되므로, 제2 층간 절연막 위에 형성된 제3 층간 절연막(363) 역시 화학 기상 증착 방법으로 형성하여도 평탄하게 형성할 수 있다. 따라서 제3 층간 절연막(363) 위에 형성될 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다.In addition, since the second interlayer insulating film 362 is formed of a spin-on glass film having excellent planarization characteristics, the third interlayer insulating film 363 formed on the second interlayer insulating film may also be formed flat even by chemical vapor deposition. . Therefore, occurrence of defects such as disconnection and short circuit of the conductive layer to be formed on the third interlayer insulating film 363 can be prevented.

또한, 무기막으로 형성된 제3 층간 절연막(363)은 스핀 온 글라스막으로 형성된 제2 층간 절연막(362)을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하며, 제조 공정 중에 제2 층간 절연막(362)이 변색되거나 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지한다.In addition, the third interlayer insulating film 363 formed of the inorganic film prevents moisture from penetrating through the second interlayer insulating film 362 formed of the spin-on glass film, and the second interlayer insulating film 362 is discolored during the manufacturing process. Prevents cracks from occurring.

게이트 절연막(140)과 층간 절연막들(361, 362, 363)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 접촉구멍들(166, 167)을 가지고 있다.The gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layers 361, 362, and 363 have contact holes 166 and 167 exposing the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132.

층간 절연막들(261, 262)은 위에는 소스 전극(176), 드레인 전극(177), 제2 유지 전극(178) 및 드레인 전극에서 일체로 연장 형성된 제1 전극(179)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 데이터 배선은 데 이터 라인(171)(도 1에 도시), 공통 전원 라인(172)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.The interlayer insulating layers 261 and 262 are formed thereon with data wirings including a source electrode 176, a drain electrode 177, a second storage electrode 178, and a first electrode 179 integrally extending from the drain electrode. do. Although not shown in FIG. 2, the data line further includes a data line 171 (shown in FIG. 1), a common power supply line 172 (shown in FIG. 1), and other wires. The source electrode 176 and the drain electrode 177 are connected to the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the contact holes 166 and 167, respectively.

층간 절연막들(161, 162) 상에는 데이터 배선(176, 177, 178, 179)을 덮는 화소 정의막(180)이 형성된다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(179)을 노출시키는 개구부(181)를 갖는다. 그리고 개구부(181) 내의 제1 전극(179) 상에는 유기층(187)이 형성되고, 화소 정의막(180) 및 유기층(187) 상에는 제2 전극(197)이 형성된다. 즉, 유기층(187)은 화소 정의막(180)의 개구부(181) 내에서 제1 전극(179)과 제2 전극(197) 사이에 배치된다.The pixel defining layer 180 covering the data lines 176, 177, 178, and 179 is formed on the interlayer insulating layers 161 and 162. The pixel defining layer 180 has an opening 181 exposing the first electrode 179. The organic layer 187 is formed on the first electrode 179 in the opening 181, and the second electrode 197 is formed on the pixel defining layer 180 and the organic layer 187. That is, the organic layer 187 is disposed between the first electrode 179 and the second electrode 197 in the opening 181 of the pixel defining layer 180.

이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명에 따라 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막과 무기막으로 형성된 층간 절연막을 그 성분을 비교하여 차이점을 설명한다.Hereinafter, the difference between the components of the interlayer insulating film formed of the spin-on glass film and the interlayer insulating film formed of the inorganic film according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막을 적외선 분광법을 사용하여 성분을 분석한 그래프이고, 도 6은 무기막으로 형성된 층간 절연막을 적외선 분광법을 사용하여 성분을 분석한 그래프이다.FIG. 5 is a graph illustrating a component analysis of an interlayer insulating film formed of a spin on glass film using infrared spectroscopy, and FIG. 6 is a graph illustrating a component analysis of an interlayer insulating film formed of an inorganic film using infrared spectroscopy.

도 5에 도시한 바와 같이, 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 규소-탄소 결합 구조 및 탄소-수소 결합 구조를 가지고 있다. 반면, 도 9에 도시한 바와 같이, 무기막으로 형성된 층간 절연막은 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막과 비교하여 규소-탄소 결합 구조 및 탄소-수소 결합 구조를 실질적으로 거의 가지고 있지 않음을 알 수 있다.As shown in FIG. 5, the interlayer insulating film formed of the spin on glass film has a silicon-carbon bond structure and a carbon-hydrogen bond structure. On the other hand, as shown in Figure 9, it can be seen that the interlayer insulating film formed of the inorganic film has substantially no silicon-carbon bond structure and carbon-hydrogen bond structure compared to the interlayer insulating film formed of the spin-on glass film. .

따라서 층간 절연막의 성분을 분석하여 해당 층간 절연막이 스핀 온 글라스막으로 형성된 것인지 아니면 무기막으로 형성된 것인지의 여부를 파악할 수 있다.Accordingly, the components of the interlayer insulating film may be analyzed to determine whether the interlayer insulating film is formed of a spin-on glass film or an inorganic film.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described above, it will be readily understood by those skilled in the art that various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the claims set out below.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 구조가 간단하면서도 불량의 발생을 억제하고 향상된 성능을 갖는다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention has a simple structure and suppresses occurrence of defects and has improved performance.

즉, 스핀 온 글라스막으로 평탄하게 형성된 층간 절연막 아래에 무기막으로 형성된 층간 절연막이 배치하여 층간 절연막들 간에 접착력을 향상시킬 수 있다. 따라서 뜯김 불량과 같이 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막에서 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있다.That is, an interlayer insulating film formed of an inorganic film may be disposed below the interlayer insulating film formed flat with the spin-on glass film to improve adhesion between the interlayer insulating films. Therefore, a defect that may occur in the interlayer insulating layer formed of the spin-on glass layer, such as a tearing defect, may be prevented.

또한, 스핀 온 글라스막으로 평탄하게 형성된 층간 절연막 위에 무기막으로 형성된 층간 절연막이 배치하여 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하며, 제조 공정 중에 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막이 변색되거나 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, an interlayer insulating film formed of an inorganic film is disposed on the interlayer insulating film flatly formed of the spin on glass film to prevent moisture from penetrating through the interlayer insulating film formed of the spin on glass film, and the interlayer formed of the spin on glass film during the manufacturing process. Discoloration or cracking of the insulating film can be prevented.

또한, 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 평탄화 특성이 우수하여, 그 상부 또는 하부에 위치하는 층간 절연막을 화학 기상 증착 방법을 사용한 무기막으로 형성하여도 전체적으로 평탄한 층간 절연막들을 형성할 수 있다. 따라서 층간 절연막들 위에 형성될 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다.In addition, the interlayer insulating film formed of the spin-on glass film has excellent planarization characteristics, so that even if the interlayer insulating film located above or below the inorganic film using the chemical vapor deposition method is formed, the overall interlayer insulating films can be formed. Therefore, occurrence of defects such as disconnection and short circuit of the conductive layer to be formed on the interlayer insulating films can be prevented.

또한, 발광 소자의 제1 전극이 별도의 층을 이루지 않고, 데이터 배선과 동일한 층에서 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 일체로 형성되므로, 유기 발광 표시 장치의 구조를 더욱 단순화 시킬 수 있다.In addition, since the first electrode of the light emitting device does not form a separate layer and is integrally formed with the drain electrode of the thin film transistor in the same layer as the data line, the structure of the organic light emitting diode display may be further simplified.

Claims (11)

기판 부재,Board member, 상기 기판 부재 상에 형성된 게이트 전극,A gate electrode formed on the substrate member, 스핀 온 글라스(spin on glass, SOG)막으로 형성된 층간 절연막과 무기막으로 형성된 층간 절연막을 포함하고, 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 기판 부재 상에 적층된 복수의 층간 절연막,A plurality of interlayer insulating films including an interlayer insulating film formed of a spin on glass (SOG) film and an interlayer insulating film formed of an inorganic film, and covering the gate electrode and stacked on the substrate member; 상기 복수의 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극,A source electrode and a drain electrode formed on the plurality of interlayer insulating films, 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성된 제1 전극,A first electrode extending from the drain electrode and formed on the same layer; 상기 제1 전극 상에 형성된 유기층, 그리고An organic layer formed on the first electrode, and 상기 유기층 상에 형성된 제2 전극A second electrode formed on the organic layer 을 포함하는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting display device comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 복수의 층간 절연막은 2층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 하부에 배치된 유기 발광 표시 장치.The plurality of interlayer insulating layers are formed of two layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer is disposed under the organic light emitting display device. 제1항에서,In claim 1, 상기 복수의 층간 절연막은 2층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 상부에 배치된 유기 발광 표시 장치.The plurality of interlayer insulating layers are formed of two layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer is disposed on the organic light emitting display device. 제1항에서,In claim 1, 상기 복수의 층간 절연막은 3층으로 형성되며, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 상부 및 하부에 배치된 유기 발광 표시 장치.The plurality of interlayer insulating layers are formed of three layers, and the interlayer insulating layer formed of the inorganic layer is disposed above and below the organic light emitting display device. 제1항에서,In claim 1, 상기 무기막으로 형성된 층간 절연막은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 통해 형성된 유기 발광 표시 장치.The interlayer insulating layer formed of the inorganic layer is formed by a chemical vapor deposition (CVD) method. 제1항에서,In claim 1, 상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 형성된 유기 발광 표시 장치.The interlayer insulating layer formed of the spin on glass layer is formed by spin coating. 제1항에서,In claim 1, 상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 규소 산화물(Si oxide)계 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.The interlayer insulating layer formed of the spin on glass layer includes a silicon oxide-based material. 제1항에서,In claim 1, 상기 스핀 온 글라스막으로 형성된 층간 절연막은 규소-탄소 결합 구조 및 탄소-수소 결합 구조 중에서 하나 이상의 결합 구조를 포함하는 유기 발광 표시 장 치.The interlayer insulating layer formed of the spin-on glass layer includes at least one bonding structure among a silicon-carbon bonding structure and a carbon-hydrogen bonding structure. 제1항에서,In claim 1, 상기 층간 절연막을 형성하는 스핀 온 글라스막은 실록산(siloxane)계 화합물, 실라젠(silozne)계 화합물 및 실리케이트(silicate)계 화합물 중에서 하나 이상을 포함하는 유기 발광 표시 장치.The spin on glass layer forming the interlayer insulating layer includes at least one of a siloxane compound, a silozne compound, and a silicate compound. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 전극은 반사형 물질을 포함하여 형성되며, 상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 형성된 유기 발광 표시 장치.The first electrode is formed of a reflective material, and the second electrode is formed of a transparent conductive material. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 형성되며, 상기 제2 전극은 반사형 물질을 포함하여 형성된 유기 발광 표시 장치.The first electrode is formed of a transparent conductive material, and the second electrode is formed of a reflective material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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