KR100745412B1 - Reflecting plate of liquid crystal display device and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시소자 하판의 보호막 상부에 반사전극으로 적용되는 금속층을 형성하고, 그 금속층 상부에 포토레지스트막을 형성한 다음 반투과 마스크 또는 회절용 슬릿을 갖는 마스크를 통해 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상을 실시하여 연속적인 굴곡을 갖는 포토레지스트막의 패턴을 형성한 다음 포토레지스트막을 식각하고, 계속해서 금속층을 식각하여 금속층이 연속적인 굴곡을 갖도록 한 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention forms a metal layer to be applied as a reflective electrode on the protective film of the lower plate of the liquid crystal display device, a photoresist film is formed on the metal layer and then selectively irradiated with ultraviolet rays through a mask having a transflective mask or a diffraction slit, The present invention relates to a reflective plate of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, in which a pattern of a photoresist film having a continuous bend is formed, the photoresist film is etched, and then the metal layer is etched so that the metal layer has a continuous bend.

Description

반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법{REFLECTING PLATE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}Liquid crystal display device having a reflector and a manufacturing method thereof {REFLECTING PLATE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1a 내지 도1f는 종래 액정 표시소자의 반사판 제조방법에 대한 일 예를 보인 수순단면도.1A to 1F are cross-sectional views showing an example of a method of manufacturing a reflecting plate of a conventional liquid crystal display device.

도2a 내지 도2d는 종래 액정 표시소자의 반사판 제조방법에 대한 다른 예를 보인 수순단면도.2A to 2D are cross-sectional views showing another example of a method of manufacturing a reflecting plate of a conventional liquid crystal display device.

도3a 내지 도3i는 본 발명의 일 실시예를 보인 수순단면도.3A to 3I are cross-sectional views showing an embodiment of the present invention.

도4는 도3a에 있어서, 액정 표시소자의 하판에 대한 상세단면도.FIG. 4 is a detailed sectional view of the lower plate of the liquid crystal display element in FIG. 3A; FIG.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

30:액정 표시소자의 하판 31:보호막30: lower plate 31 of the liquid crystal display element

32:금속층 33:포토레지스트막32: metal layer 33: photoresist film

34:반투과 마스크 A∼D:반투과영역34: semi-transmissive mask A to D: semi-transmissive area

본 발명은 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 사용되는 마스크 갯수를 줄임과 아울러 광반사 효율 및 신뢰성을 향상시키기에 적당하도록 한 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having a reflector and a method of manufacturing the same, and particularly, to a liquid crystal display device having a reflector that is suitable for reducing the number of masks used and improving light reflection efficiency and reliability. It is about.

일반적으로, 액정 표시소자의 반사판은 단순한 거울(mirror) 형태가 사용되었으나, 최근에는 높은 광반사 효율과 우수한 시야각 특성을 확보하기 위하여 다양한 형태를 갖는 반사판에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 이러한 연구에 부합하는 대표적인 형태로는 요철 형태의 반사판을 들 수 있다.In general, the reflection plate of the liquid crystal display device has been used a simple mirror (mirror), but in recent years to study the reflection plate having a variety of forms in order to secure high light reflection efficiency and excellent viewing angle characteristics, active research Representative forms corresponding to the concave-convex reflector.

상기 요철 형태의 반사판을 적용한 액정 표시소자는 반사판의 경사면에 상응하여 반사되는 빛의 산란특성을 이용하여 광반사 효율을 높이는 것에 주안점을 두고 있다. 이와같은 종래 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The liquid crystal display device employing the concave-convex reflector is mainly focused on improving light reflection efficiency by using scattering characteristics of light reflected on the inclined surface of the reflector. Such a reflective plate of a conventional liquid crystal display device and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도1a 내지 도1f의 수순단면도를 참조하여 종래 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법에 대한 일 예를 설명하고자 한다.An example of a reflective plate of a conventional liquid crystal display device and a method of manufacturing the same will be described with reference to the procedure cross-sectional view of FIGS. 1A to 1F.

먼저, 도1a에 도시한 바와같이 기판(10) 상에 스핀 코팅(spin coating) 또는 롤 코팅(roll coating) 방법을 적용하여 중합체 수지의 포토레지스트막(11)을 형성한다. First, as shown in FIG. 1A, a spin coating or roll coating method is applied on the substrate 10 to form a photoresist film 11 made of a polymer resin.

그리고, 도1b에 도시한 바와같이 빛에 대한 비투과영역(A∼D)이 선택적으로 형성된 마스크(12)로 상기 포토레지스트막(11)을 블로킹(blocking)한 다음 자외선(도면 상의 화살표)을 조사한다.As shown in FIG. 1B, the photoresist film 11 is blocked with a mask 12 in which non-transmissive regions A to D are selectively formed, followed by irradiation with ultraviolet rays (arrows on the drawing). do.

그리고, 도1c에 도시한 바와같이 상기 자외선이 조사된 결과물을 현상하여 기판(10) 상에 선택적으로 잔류하는 포토레지스트막(11)의 패턴을 형성한다.As shown in FIG. 1C, the result of irradiating the ultraviolet light is developed to form a pattern of the photoresist film 11 remaining selectively on the substrate 10.

그리고, 도1d에 도시한 바와같이 상기 결과물을 열처리하여 상기 포토레지스트막(11) 패턴의 모서리 굴곡을 연화시킨다.As shown in FIG. 1D, the resultant is heat-treated to soften the corner curvature of the photoresist film 11 pattern.

그리고, 도1e에 도시한 바와같이 상기 결과물의 상부 전면에 스핀 코팅 방법을 적용하여 중합체 수지 등의 오버코트층(13)을 형성한다.As shown in FIG. 1E, an overcoat layer 13 made of a polymer resin is formed by applying a spin coating method to the entire upper surface of the resultant.

그리고, 도1f에 도시한 바와같이 상기 오버코트층(13)의 상부 전면에 스퍼터링(sputtering) 방법을 적용하여 고반사율의 알루미늄 또는 은과 같은 물질로 반사판 기능을 갖는 반사전극(14)을 형성한다.As shown in FIG. 1F, a sputtering method is applied to the entire upper surface of the overcoat layer 13 to form a reflective electrode 14 having a reflector function using a material such as aluminum or silver having a high reflectance.

그러나, 상기한 바와같은 종래 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법에 대한 일 예는 포토레지스트막(11)의 현상이나, 현상 후 잔류하는 포토레지스트막(11) 패턴의 모서리 굴곡 연화 또는 오버코트층(13) 형성 등의 복잡한 공정이 요구되므로, 제조가 매우 어려울 뿐만 아니라 공정수의 증가로 제조비용이 상승하는 문제점이 있었다.However, one example of the reflective plate of the conventional liquid crystal display device and the method of manufacturing the same as described above is the development of the photoresist film 11 or the edge bending softening or overcoat layer of the photoresist film 11 pattern remaining after the development ( 13) Since a complicated process such as formation is required, not only manufacturing is very difficult but also manufacturing cost increases due to an increase in the number of processes.

따라서, 상기한 바와같은 문제들을 해결하기 위하여 상기 오버코트층(13)을 필요로 하지 않는 표면이 연속적인 굴곡부로 형성된 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법이 국내특허 공개번호 제1999-001427호에 제안되었다. 이와같은 종래 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법에 대한 다른 예를 첨부한 도2a 내지 도2d의 수 순단면도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Therefore, in order to solve the problems as described above, a reflection plate of a liquid crystal display device having a surface with continuous curved portions that do not require the overcoat layer 13 and a manufacturing method thereof are proposed in Korean Patent Publication No. 1999-001427. It became. Referring to the water sectional view of Figs. 2a to 2d attached to another example of such a reflective plate and a manufacturing method of the conventional liquid crystal display device as follows.

먼저, 도2a에 도시한 바와같이 기판(20) 상에 스핀 코팅 또는 롤 코팅 방법을 적용하여 중합체 수지의 포토레지스트막(21)을 형성한다. 이때, 기판(20) 상에 형성되는 포토레지스트막(21)은 JNPC 수지와 같은 자외선에 의한 분해정도가 낮은 수지를 충분한 두께로 형성하여 액정 표시소자의 하판 보호막(passivation)으로 잔류할 수 있도록 한다.First, as shown in FIG. 2A, a spin coating or roll coating method is applied on the substrate 20 to form a photoresist film 21 made of a polymer resin. In this case, the photoresist film 21 formed on the substrate 20 may be formed to a sufficient thickness to form a resin having a low decomposition degree by ultraviolet rays such as JNPC resin so as to remain as a lower passivation layer of the liquid crystal display device. .

그리고, 도2b에 도시한 바와같이 빛에 대한 비투과영역(A∼D)이 선택적으로 형성된 마스크(22)로 상기 포토레지스트막(21)을 블로킹한 다음 자외선(도면 상의 화살표)을 조사한다.As shown in FIG. 2B, the photoresist film 21 is blocked with a mask 22 in which non-transmissive regions A to D are selectively formed, followed by irradiation with ultraviolet rays (arrows on the drawing).

그리고, 도2c에 도시한 바와같이 상기 자외선이 조사된 결과물을 열처리한 다음 부분적인 현상을 실시하여 기판(20) 상에 연속적인 굴곡을 갖는 포토레지스트막(21)의 요철을 형성한다. 이때, 포토레지스트막(21)이 상기 설명한 바와같이 자외선에 의한 분해정도가 낮은 수지를 적용하므로, 자외선이 조사된 영역이 현상에 의해 완전히 제거되지 않고, 자외선이 조사되지 않은 영역에 비해 낮은 두께로 기판(20) 상에 잔류한다.As shown in FIG. 2C, the UV-irradiated resultant is heat-treated and then partially developed to form irregularities of the photoresist film 21 having continuous bending on the substrate 20. At this time, since the photoresist film 21 applies a resin having a low decomposition degree by ultraviolet rays as described above, the region irradiated with ultraviolet rays is not completely removed by the development, and has a lower thickness than the region not irradiated with ultraviolet rays. It remains on the substrate 20.

그리고, 도2d에 도시한 바와같이 상기 포토레지스트막(21) 요철의 상부 전면에 스퍼터링 방법을 적용하여 고반사율의 알루미늄 또는 은과 같은 물질로 반사판 기능을 갖는 반사전극(23)을 형성한다.As shown in FIG. 2D, a sputtering method is applied to the entire upper surface of the unevenness of the photoresist film 21 to form a reflective electrode 23 having a reflector function using a material such as aluminum or silver having a high reflectance.

그러나, 상기한 바와같은 종래 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법에 대한 다른 예는 액정 표시소자 하판의 보호막을 기판(20) 상에 연속적인 굴곡을 갖는 포토레지스트막(21)으로 적용함에 따라 액정 표시소자 하판의 보호막이 단차를 갖게 되어 드레인의 콘택홀(contact hole)이나 패드 홀(pad hole)의 형성시 정상적으로 식각되지 않는 경우가 발생하여 단선으로 인한 액정 표시소자의 구동에 치명적인 결함을 유발하는 문제점이 있었다.However, another example of the reflective plate of the conventional liquid crystal display device and the manufacturing method as described above is applied to the protective film of the lower plate of the liquid crystal display device as a photoresist film 21 having a continuous bend on the substrate 20 Since the protective film on the bottom of the display device has a step, it may not be normally etched when forming a contact hole or pad hole of the drain, causing a fatal defect in driving the liquid crystal display device due to disconnection. There was a problem.

또한, 액정 표시소자 하판의 보호막을 선택적으로 식각하여 연속적인 굴곡을 갖도록 형성함에 따라 공정변수(예를 들어 자외선의 노광량, 현상시간 및 식각조건 등)에 영향을 받게 되어 액정 표시소자의 특성에 악영향을 끼칠 수 있으며, 액정 표시소자 하판의 보호막이 요철을 갖도록 하기 위하여 JNPC 수지와 같은 자외선에 의한 분해능이 낮은 수지를 사용함에 따라 사진식각 프로파일(profile)이 균일하지 못하여 광반사 효율이 감소됨과 아울러 액정 표시소자의 광효율 특성을 정확히 정의하기 어렵고, 따라서 신뢰성이 감소되는 문제점이 있었다.In addition, since the protective film of the lower plate of the liquid crystal display is selectively etched to form a continuous curve, it is affected by process variables (for example, exposure amount of ultraviolet rays, development time and etching conditions, etc.) and thus adversely affects the characteristics of the liquid crystal display. In order to make the protective film of the lower panel of the liquid crystal display device have irregularities, the photo-reflection profile is not uniform, so that the light reflection efficiency is reduced and the liquid crystal is reduced. It is difficult to accurately define the light efficiency characteristics of the display device, and thus there is a problem that the reliability is reduced.

그리고, 상기와 같이 보호막이 연속적인 굴곡을 갖도록 하기 위한 제1마스크와, 드레인의 콘택홀이나 패드 홀을 형성하기 위한 제2마스크 및 금속층 형성후의 패터닝을 위한 제3마스크가 요구됨에 따라 사용 마스크 수 증가로 인한 제조비용 상승을 초래하는 문제점이 있었다.As described above, a first mask for making the protective film have continuous bending, a second mask for forming a contact hole or a pad hole of the drain, and a third mask for patterning after forming the metal layer are required. There was a problem that caused an increase in manufacturing costs due to the increase.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 액정 표시소자 하판의 보호막 상에 연속적인 요철을 갖는 금속층을 형성하여 사용되는 마스크 갯수를 줄이고, 높은 광반사 효율 및 신뢰성을 갖는 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to reduce the number of masks used by forming a metal layer having continuous unevenness on the protective film of the liquid crystal display device lower plate, and high light reflection. The present invention provides a liquid crystal display device having a reflection plate having efficiency and reliability, and a method of manufacturing the same.

먼저, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반사판을 구비한 액정 표시소자는 유리기판 상에 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 소스/드레인 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터가 형성된 액정 표시소자의 하판 상부에 형성된 보호막과; 상기 보호막의 상부에 연속적인 굴곡을 갖도록 형성되어 입사되는 빛을 반사시키는 반사전극을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.First, a liquid crystal display device having a reflective plate for achieving the object of the present invention as described above is a lower plate of a liquid crystal display device on which a thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, and a source / drain electrode is formed on a glass substrate. A protective film formed on the upper portion; Formed to have a continuous bend on the upper portion of the protective film characterized in that it comprises a reflective electrode for reflecting the incident light.

그리고, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반사판을 구비한 액정 표시소자 제조방법은 유리기판 상에 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 소스/드레인 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터가 형성된 액정 표시소자의 하판 상부에 보호막을 형성하는 공정과; 상기 보호막의 일부 영역을 선택적으로 식각하여 액정 표시소자의 하판에 형성된 드레인 전극의 일부를 노출시키는 공정과; 상기 결과물의 상부에 입사되는 빛을 반사시키는 반사전극으로 적용될 금속층을 형성하는 공정과; 상기 금속층의 상부에 포토레지스트막을 형성한 다음 반투과 마스크를 통해 자외선을 선택적으로 조사시키고, 현상하여 연속적인 굴곡을 갖는 포토레지스트막의 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트막의 패턴을 식각하여 금속층을 선택적으로 노출시키고, 계속해서 그 금속층이 연속적인 굴곡을 갖게 될때까지 식각을 진행하는 공정과; 상기 포토레지스트막의 패턴을 스트립(strip)하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the liquid crystal display device manufacturing method having a reflective plate for achieving the object of the present invention as described above is a liquid crystal display device in which a thin film transistor consisting of a gate electrode, a gate insulating film, an active layer and a source / drain electrode is formed on a glass substrate. Forming a protective film on the upper plate of the substrate; Selectively etching a portion of the passivation layer to expose a portion of the drain electrode formed on the lower plate of the liquid crystal display; Forming a metal layer to be applied as a reflective electrode for reflecting light incident on the resultant; Forming a photoresist film on the metal layer, selectively irradiating ultraviolet rays through a semi-transmissive mask, and developing the pattern to form a pattern of the photoresist film having continuous bending; Etching the pattern of the photoresist film to selectively expose the metal layer, and subsequently etching until the metal layer has a continuous bend; And a step of stripping the pattern of the photoresist film.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법을 도3a 내지 도3i의 공정단면도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The liquid crystal display device having the reflective plate according to the present invention as described above and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the process cross-sectional views of FIGS. 3A to 3I.

먼저, 도3a에 도시한 바와같이 액정 표시소자의 하판(30) 상부에 보호막(31)을 형성한다. 이때, 액정 표시소자의 하판(30) 상에 형성되는 보호막(31)은 SiNx 또는 아크릴 등의 보호특성이 우수한 물질을 적용한다.First, as shown in FIG. 3A, the passivation layer 31 is formed on the lower plate 30 of the liquid crystal display device. At this time, the protective film 31 formed on the lower plate 30 of the liquid crystal display device is applied to a material having excellent protective properties such as SiNx or acrylic.

한편, 상기 액정 표시소자의 하판(30)은 도4의 상세 단면도에 도시한 바와같이 유리기판(41)의 상부에 게이트전극(42), 게이트절연막(43), 액티브층(44) 및 소스/드레인 전극(45A/45B)으로 이루어지는 박막 트랜지스터(thin film transister : TFT)가 미리 형성된다.Meanwhile, the lower plate 30 of the liquid crystal display device has a gate electrode 42, a gate insulating film 43, an active layer 44 and a source / source on the glass substrate 41 as shown in a detailed cross-sectional view of FIG. 4. A thin film transistor (TFT) consisting of the drain electrodes 45A / 45B is formed in advance.

그리고, 도3b에 도시한 바와같이 상기 보호막(31)의 일부 영역을 선택적으로 식각하여 액정 표시소자의 하판(30)에 형성된 드레인 전극(45B)의 일부를 노출시킨다.As shown in FIG. 3B, a portion of the passivation layer 31 is selectively etched to expose a portion of the drain electrode 45B formed on the lower plate 30 of the liquid crystal display.

그리고, 도3c에 도시한 바와같이 상기 결과물의 상부에 입사되는 빛을 반사시키는 반사전극으로 적용될 금속층(32)을 형성한다. 이때, 금속층(32)은 후속 식각을 통해 형성되는 요철 형태가 끊어지지 않고, 연속적일 수 있도록 충분한 두께를 고려하여 형성하는 것이 바람직하다.Then, as shown in Figure 3c to form a metal layer 32 to be applied as a reflective electrode for reflecting the light incident on the top of the result. In this case, the metal layer 32 may be formed in consideration of a sufficient thickness so that the uneven form formed through subsequent etching is not broken and can be continuous.

그리고, 도3d에 도시한 바와같이 상기 금속층(32)의 상부에 스핀 코팅 또는 롤 코팅 등의 방법을 적용하여 포토레지스트막(33)을 형성한다.As shown in FIG. 3D, the photoresist film 33 is formed by applying a method such as spin coating or roll coating on the metal layer 32.

그리고, 도3e에 도시한 바와같이 빛에 대한 반투과영역(A∼D)이 선택적으로 형성된 반투과 마스크(34)로 상기 포토레지스트막(33)을 블로킹한 다음 자외선(도면 상의 화살표)을 조사한다. 이때, 반투과 마스크(34) 대신에 회절용 슬릿을 갖는 마스크를 적용하여 자외선을 조사하여도 반투과 효과를 낼 수 있으며, 반투과 마스 크(34) 또는 회절용 슬릿을 갖는 마스크는 상기 금속층(32)이 제거되어야 할 영역 상의 포토레지스트막(33)에 자외선이 조사되도록 제작함으로써, 후속 식각을 통해 금속층(32)의 패터닝이 동시에 수행될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.Then, as shown in Fig. 3E, the photoresist film 33 is blocked with a semi-transmissive mask 34 in which semi-transmissive regions A to D are selectively formed, followed by irradiation with ultraviolet rays (arrows on the drawing). do. In this case, a mask having diffraction slits may be applied instead of the transflective mask 34 to produce a transflective effect even when irradiated with ultraviolet rays, and the mask having the transflective mask 34 or the diffraction slits may be formed of the metal layer ( It is preferable to fabricate the photoresist film 33 on the region to be removed 32 so that ultraviolet rays are irradiated, so that the patterning of the metal layer 32 can be simultaneously performed through subsequent etching.

그리고, 도3f에 도시한 바와같이 상기 자외선이 조사된 결과물을 열처리한 다음 현상을 실시하여 금속층(32) 상에 연속적인 굴곡을 갖는 포토레지스트막(33)의 요철을 형성한다. 이때, 포토레지스트막(33)은 상기 반투과 마스크(34) 또는 회절용 슬릿을 갖는 마스크를 적용함에 따라 자외선이 조사된 영역의 노광 강도가 약하여 현상에 의해 완전히 제거되지 않고, 자외선이 조사되지 않은 영역에 비해 낮은 두께로 금속층(32) 상에 잔류한다.Then, as shown in FIG. 3F, the resulting UV-irradiated product is heat-treated and then developed to form the unevenness of the photoresist film 33 having continuous bending on the metal layer 32. At this time, the photoresist film 33 has a weak exposure intensity in the region irradiated with ultraviolet rays due to the application of the transflective mask 34 or a mask having a diffraction slit, so that the photoresist layer 33 is not completely removed by development, and the ultraviolet rays are not irradiated. It remains on the metal layer 32 with a thickness lower than that of the region.

그리고, 도3g에 도시한 바와같이 상기 포토레지스트막(33)의 패턴을 식각하여 상기 금속층(32)을 선택적으로 노출시킨다. 이때, 포토레지스트막(33)을 건식식각하게 되면, 요철 형태를 따라 점차 두께가 낮아지게 되므로, 상기 자외선이 조사된 영역의 포토레지스트막(33)은 완전히 제거되고, 자외선이 조사되지 않은 영역의 포토레지스트막(33)은 잔류하게 되어 금속층(32)이 선택적으로 노출된다.3G, the pattern of the photoresist film 33 is etched to selectively expose the metal layer 32. At this time, when the photoresist film 33 is dry etched, the thickness gradually decreases along the unevenness, so that the photoresist film 33 in the region irradiated with ultraviolet rays is completely removed and the region of the region not irradiated with ultraviolet rays. The photoresist film 33 remains so that the metal layer 32 is selectively exposed.

그리고, 도3h에 도시한 바와같이 상기 식각을 계속 진행하여 금속층(32)이 연속적인 굴곡부(32a)를 갖게 될때까지 진행한다.As shown in FIG. 3H, the etching is continued until the metal layer 32 has a continuous bent portion 32a.

그리고, 도3i에 도시한 바와같이 상기 포토레지스트막(33)의 잔류하는 패턴을 스트립한다.Then, as shown in Fig. 3I, the remaining pattern of the photoresist film 33 is stripped.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 액정 표시소자의 반사판 및 그 제조방법은 액정 표시소자의 보호막(31)을 형성한 다음 드레인의 콘택홀이나 패드 홀을 형성하기 위한 제1마스크와 반사전극으로 적용되는 금속층(32)을 형성한 다음 연속적인 굴곡부(32a)를 갖도록 함과 동시에 금속층(32)의 패터닝을 실시하기 위한 반투과 마스크(34)만이 요구됨에 따라 종래에 비해 사용되는 마스크 갯수를 줄일 수 있게 된다.As described above, the reflective plate of the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention are formed as a protective layer 31 of the liquid crystal display device, and then applied as a first mask and a reflective electrode for forming a contact hole or a pad hole of a drain. Since only the semi-permeable mask 34 for patterning the metal layer 32 is required while forming the metal layer 32 and then having the continuous curved portions 32a, the number of masks used in the related art can be reduced. do.

상기한 바와 같은 본 발명에 의한 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법은 액정 표시소자 하판의 보호막이 굴곡을 갖지 않으므로, 드레인의 콘택홀이나 패드 홀 형성을 위한 식각 불량요인을 제거하여 액정 표시소자의 구동에 치명적인 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In the liquid crystal display device having the reflective plate and the method of manufacturing the same according to the present invention as described above, since the protective film of the lower plate of the liquid crystal display device has no curvature, the liquid crystal display is removed by eliminating etch defects for forming contact holes or pad holes in the drain. There is an effect that can prevent the occurrence of a fatal defect in the driving of the device.

또한, 액정 표시소자 하판의 보호막을 형성하고, 그 보호막의 상부에 반사전극으로 적용되는 금속층을 형성한 다음 선택적으로 식각하여 연속적인 굴곡을 갖도록 함에 따라 공정변수에 영향을 받더라도 액정 표시소자의 특성에 악영향이 끼치는 것을 완화할 수 있는 효과가 있으며, 반사전극으로 적용되는 금속층 상부에 양질의 포토레지스트막을 형성한 다음 반투과 마스크 또는 회절용 슬릿을 갖는 마스크를 적용하여 자외선을 조사하고, 현상함에 따라 사진식각 프로파일이 우수하여 광반사 효율을 증가시킴과 아울러 액정 표시 소자의 광효율 특성을 정확히 정의하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by forming a protective film of the lower plate of the liquid crystal display, and forming a metal layer applied as a reflective electrode on the upper portion of the protective film and selectively etching to have a continuous bend, the characteristics of the liquid crystal display device even if affected by the process variables It is effective to alleviate the adverse effects, and after forming a high quality photoresist film on the metal layer applied as a reflective electrode, applying a semi-transmissive mask or a mask having a slit for diffraction, irradiating ultraviolet rays, and developing the photograph Since the etching profile is excellent, the light reflection efficiency is increased, and the light efficiency of the liquid crystal display device is accurately defined, thereby improving reliability.

그리고, TFT 어레이가 형성된 하판 상에 반사전극을 형성하기 위해서 2개의 추가 마스크만이 요구되므로, 종래에 비해 마스크 갯수를 줄일 수 있게 되어 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, since only two additional masks are required to form the reflective electrode on the lower plate on which the TFT array is formed, the number of masks can be reduced as compared with the prior art, thereby reducing the manufacturing cost.

Claims (7)

유리기판상에 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 소스/드레인 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터가 형성된 액정 표시소자의 하판;A lower plate of a liquid crystal display device having a thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, and a source / drain electrode formed on a glass substrate; 상기 하판상부에 형성된 보호막과; A protective film formed on the upper plate; 상기 보호막에 형성된 콘택; 및A contact formed on the protective film; And 상기 콘택을 포함한 보호막의 상부에 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되도록 형성되고, 연속적인 굴곡부를 갖은 반사전극;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자.And a reflective electrode formed on the upper portion of the passivation layer including the contact and electrically connected to the drain electrode, the reflective electrode having a continuous bent portion. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 SiNx 또는 아크릴 재질을 적용한 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the protective layer is formed of SiNx or acrylic material. 제 1 항에 있어서, 상기 반사전극의 연속적인 굴곡부는 규칙적인 요철 형태인 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the continuous curved portion of the reflective electrode has a regular concave-convex shape. 유리기판상에 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층 및 소스/드레인 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터가 형성된 액정 표시소자의 하판 상부에 보호막을 형성하는 공정과; Forming a protective film on the lower plate of the liquid crystal display device having a thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, and a source / drain electrode formed on a glass substrate; 상기 보호막의 일부 영역을 선택적으로 식각하여 액정 표시소자의 하판에 형성된 드레인 전극의 일부를 노출시키는 공정과; Selectively etching a portion of the passivation layer to expose a portion of the drain electrode formed on the lower plate of the liquid crystal display; 상기 결과물의 상부에 입사되는 빛을 반사시키는 반사전극으로 적용될 금속층을 형성하는 공정과; Forming a metal layer to be applied as a reflective electrode for reflecting light incident on the resultant; 상기 금속층의 상부에 포토레지스트막을 형성한 다음 반투과 마스크를 통해 자외선을 선택적으로 조사시키고, 현상하여 연속적인 굴곡부를 갖는 포토레지스트막패턴을 형성하는 공정과; Forming a photoresist film on the metal layer, selectively irradiating ultraviolet rays through a semi-transmissive mask, and developing the photoresist film pattern having a continuous curved portion; 상기 포토레지스트막패턴을 식각하여 금속층을 선택적으로 노출시키고, 계속해서 그 금속층이 연속적인 굴곡부를 갖게 될때까지 금속층 식각을 진행하는 공정; 및 Etching the photoresist film pattern to selectively expose the metal layer, and subsequently etching the metal layer until the metal layer has a continuous bent portion; And 상기 포토레지스트막패턴을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자의 제조방법.A method of manufacturing a liquid crystal display device with a reflecting plate, comprising the step of removing the photoresist film pattern. 제 4 항에 있어서, 상기 보호막은 SiNx 또는 아크릴 재질로 형성한 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자의 제조방법.5. The method of claim 4, wherein the protective film is formed of SiNx or acrylic material. 제 4 항에 있어서, 상기 포토레지스트막에 자외선을 선택적으로 조사시키기 위하여 상기 반투과 마스크 대신에 회절용 슬릿을 갖는 마스크를 적용하는 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자의 제조방법.The method of manufacturing a liquid crystal display device with a reflection plate according to claim 4, wherein a mask having a diffraction slit is applied in place of the transflective mask to selectively irradiate ultraviolet rays to the photoresist film. 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 반투과 마스크 또는 회절용 슬릿을 갖는 마스크는 포토레지스트막에 자외선을 선택적으로 조사시켜 후속 식각을 통해 반사전극으로 적용되는 금속층이 연속적인 굴곡부를 갖도록 함과 아울러 그 금속층이 제거되어야 할 영역 상의 포토레지스트막에 자외선을 조사시킴으로써, 후속 식각을 통해 금속층의 패터닝이 동시에 수행될 수 있도록 제작한 것을 특징으로 하는 반사판을 구비한 액정 표시소자의 제조방법.The method of claim 4 or 6, wherein the semi-transmissive mask or the mask having a diffraction slit selectively irradiates the photoresist film with ultraviolet light so that the metal layer applied to the reflective electrode through subsequent etching has a continuous bent portion. In addition, the method of manufacturing a liquid crystal display device with a reflector, characterized in that the photoresist film on the region where the metal layer is to be removed by irradiating ultraviolet light, so that the patterning of the metal layer can be performed simultaneously by subsequent etching.
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