JP2007232840A - Method for manufacturing photosensitive resist film and liquid crystal device manufactured by using the method - Google Patents

Method for manufacturing photosensitive resist film and liquid crystal device manufactured by using the method Download PDF

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Shinji Kato
真二 加藤
Masayuki Kametani
雅之 亀谷
Hiroshi Ohira
啓史 大平
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a photosensitive resist film with a forward-tapered rim by using a photosensitive resin composition with a reverse-tapered rim, and to provide a liquid crystal device having a topcoat layer comprising the photosensitive resist film with a forward tapered rim manufactured by using the above method. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a photosensitive resist film (topcoat layer) 23A with the forward-tapered rim portions 25A<SB>1</SB>, 25B<SB>1</SB>includes steps of: forming a photosensitive resist composition layer of a predetermined thickness on a substrate; exposing the photosensitive resist composition layer through a mask 1A having a predetermined pattern 2 and long patterns 3A<SB>1</SB>, 3A<SB>2</SB>along the edges of the predetermined pattern; and developing the resist to form the photosensitive resist film 23A in the predetermined pattern having a forward tapered rim. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜の製造方法及び該製造方法により製造された液晶装置に関し、特に周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用ネガ型感光性樹脂組成物を用いた周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜の製造方法及び該製造方法により製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層(絶縁膜)を備えた半透過型液晶表示装置に関する。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a lift-off photosensitive resist film having a forward-tapered peripheral edge and a liquid crystal device manufactured by the manufacturing method, and more particularly to a lift-off negative photosensitive resin composition having a reverse-tapered peripheral edge. A manufacturing method of a lift-off negative photosensitive resist film having a forward-tapered peripheral edge and a topcoat layer comprising a negative photosensitive resist film for lift-off having a forward-tapered peripheral edge manufactured by the manufacturing method. The present invention relates to a transflective liquid crystal display device provided with an insulating film.

まず、従来例の半透過型表示装置としてアクティブマトリクス型の半透過型液晶表示装置を例にとり、その数画素部分の平面図である図7及び図7のA−A断面図である図8を参照して簡単に説明する。   First, as an example of a conventional transflective display device, an active matrix transflective liquid crystal display device is taken as an example, and FIG. 7 which is a plan view of several pixel portions thereof and FIG. A brief description will be given with reference.

従来の半透過型液晶表示装置10は、第1の透光性基板11上にマトリクス状に設けられた走査線Xn、Xn+1・・・と信号線Ym、Ym+1・・・で囲まれた領域毎に画素電極12が設けられているとともに、この画素電極12の反射部の下部にはアルミニウム又は銀等の金属からなる反射板24が形成されている。また、画素電極12は駆動用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)TFTからなるスイッチング素子14に接続されている。なお、図8において、符号13の部分は補助容量電極、符号18の部分はゲート絶縁膜、及び符号21の部分はTFTを構成するアモルファスシリコン等からなる半導体層を示す。   The conventional transflective liquid crystal display device 10 is surrounded by scanning lines Xn, Xn + 1,... And signal lines Ym, Ym + 1,. A pixel electrode 12 is provided for each region, and a reflector 24 made of a metal such as aluminum or silver is formed below the reflective portion of the pixel electrode 12. The pixel electrode 12 is connected to a switching element 14 formed of a driving thin film transistor TFT. In FIG. 8, reference numeral 13 indicates an auxiliary capacitance electrode, reference numeral 18 indicates a gate insulating film, and reference numeral 21 indicates a semiconductor layer made of amorphous silicon or the like constituting the TFT.

TFTは絶縁ゲート型電界効果トランジスタからからなり、そのソース電極Sは信号線Ym、Ym+1・・・に接続されて画像信号の供給を受け、また、ドレイン電極Dはコンタクトホール17を経て画素電極12に接続されている。更に、TFTのゲート電極Gは走査線Xn、Xn+1・・・に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスが印加されるようになされている。   The TFT is composed of an insulated gate field effect transistor, and its source electrode S is connected to the signal lines Ym, Ym + 1... To receive an image signal, and the drain electrode D is connected to the pixel through the contact hole 17. It is connected to the electrode 12. Further, the gate electrode G of the TFT is connected to the scanning lines Xn, Xn + 1... So that a gate pulse having a predetermined voltage is applied.

なお、ここに示した半透過型液晶表示装置10においては、図8に示したように、各TFT、走査線Xn、Xn+1・・・及び信号線Ym、Ym+1・・・を覆うように、第1の透光性基板11の表示領域全体に窒化硅素層(以下、SiN層という。)からなる保護絶縁膜22を介して層間膜19が所定の高さとなるように設けられており、それぞれの画素毎に反射部の層間膜19上には反射板24を介して画素電極12が設けられているとともに透過部領域には層間膜19の表面に直接画素電極12が設けられている。なお、反射部の層間膜19の表面は反射光を拡散光とするために表面が僅かに凹凸状態となるようになされているが、この凹凸状態は図示省略した。   In the transflective liquid crystal display device 10 shown here, as shown in FIG. 8, each TFT, the scanning lines Xn, Xn + 1... And the signal lines Ym, Ym + 1. As described above, the interlayer film 19 is provided over the entire display region of the first light-transmitting substrate 11 so as to have a predetermined height via a protective insulating film 22 made of a silicon nitride layer (hereinafter referred to as SiN layer). The pixel electrode 12 is provided on the interlayer film 19 of the reflective portion for each pixel via the reflector 24, and the pixel electrode 12 is provided directly on the surface of the interlayer film 19 in the transmissive region. Yes. Note that the surface of the interlayer film 19 in the reflecting portion is slightly uneven so that the reflected light is diffused, but this uneven state is not shown.

更に、第2の透光性基板15にはカラーフィルタ層CFを介して共通電極16が設けられているとともに、反射部のセルギャップ(液晶層の層厚)を透過部領域のセルギャップの半分となるようにするためのトップコート層(絶縁膜)23が設けられている。そして、この一対の基板は、周囲をシール材によって貼り合わせ、内部に液晶20を封入することにより組み立てられて半透過型液晶表示装置10が得られる。   Further, a common electrode 16 is provided on the second translucent substrate 15 through the color filter layer CF, and the cell gap (layer thickness of the liquid crystal layer) of the reflection part is half of the cell gap of the transmission part region. A top coat layer (insulating film) 23 is provided for achieving the above. Then, the pair of substrates is assembled by pasting the periphery together with a sealing material and enclosing the liquid crystal 20 therein, whereby the transflective liquid crystal display device 10 is obtained.

ところで、このような構成からなる半透過型液晶表示装置は、内部に封入される液晶20の分子を一定の配列で並べる(配向する)必要がある。そのため、前述のような各構成部材が形成された一対の基板上には、それぞれ液晶分子を配向するための配向膜(図示せず)が形成される。この配向膜は所定の材料(例えばポリイミド)からなり、液晶を基板に対して垂直方向にもしくは垂直方向からわずかに傾斜した方向に配向させる垂直配向膜と、液晶を基板に対して水平方向もしくは水平方向からわずかに傾斜した方向に配向させる水平配向膜とがあり、種々の表示方式(例えばTNモード、STNモード、ECB(Electrically Controlled Birefringence:電界制御複屈折)モード、VA(Vertical Alignment)モード等)に応じて使い分けられる。例えば、TNモード、やSTN、ECBモードでは水平配向膜が用いられ(例えば、下記特許文献1参照)、VAモードでは垂直配向膜が用いられる(下記特許文献2参照)。   By the way, in the transflective liquid crystal display device having such a configuration, it is necessary to arrange (orient) the molecules of the liquid crystal 20 sealed therein in a certain arrangement. Therefore, an alignment film (not shown) for aligning liquid crystal molecules is formed on the pair of substrates on which the respective constituent members as described above are formed. This alignment film is made of a predetermined material (for example, polyimide), and aligns the liquid crystal in a direction perpendicular to the substrate or in a direction slightly inclined from the vertical direction, and the liquid crystal in a horizontal direction or a horizontal direction with respect to the substrate. There are horizontal alignment films that align in a direction slightly inclined from the direction, and various display methods (for example, TN mode, STN mode, ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, VA (Vertical Alignment) mode, etc.) It is used properly according to the. For example, a horizontal alignment film is used in the TN mode, STN, and ECB mode (for example, see Patent Document 1 below), and a vertical alignment film is used in the VA mode (see Patent Document 2 below).

この配向膜を形成する工程は、一般に、配向膜形成材料を溶媒に溶解させた溶液を基板上に所定の方法で塗布し、この基板を加熱することにより溶媒のみを揮発させ(仮焼成)、続いて、溶媒が揮発した配向膜形成材料をさらに高温で加熱することにより配向膜形成材料を硬化させ(本焼成)て配向膜を形成した後、この配向膜にラビング処理を施している(下記特許文献2及び3参照)。   The step of forming this alignment film is generally performed by applying a solution obtained by dissolving an alignment film forming material in a solvent onto a substrate by a predetermined method, and heating the substrate to volatilize only the solvent (temporary baking) Subsequently, the alignment film forming material from which the solvent has volatilized is further heated at a high temperature to cure the alignment film forming material (main firing) to form the alignment film, and then the alignment film is subjected to a rubbing treatment (described below) (See Patent Documents 2 and 3).

ここで、ラビング処理とは、クロス材等のラビング布を巻着させたラビングローラに、基板表面に形成された配向膜を接触させ、このローラを回転させて配向膜の表面を一方向に擦る(ラビングする)ことにより、配向膜表面を毛羽立たせたり溝を形成したりすることで一定のエネルギー指向性をもたせて液晶分子の配列方向をラビング方向に規制するものである。   Here, the rubbing treatment refers to a rubbing roller on which a rubbing cloth such as a cloth material is wound, and an alignment film formed on the substrate surface is brought into contact, and the roller is rotated to rub the surface of the alignment film in one direction. By rubbing the surface of the alignment film, the alignment direction of the liquid crystal molecules is regulated to the rubbing direction by giving a certain energy directivity by fluffing or forming grooves.

図9は、従来のラビング処理工程における被処理基板とラビングローラとの位置関係を示す平面図である。図9において、ステージ上に配置された被処理基板40は、矩形平板状のガラス基板41の一主面に透明電極が形成され、それを覆って配向膜42が形成された構成を有している。また、ラビングローラ43は、回転ローラ44の表面にラビング布45を巻着した構成を有している。   FIG. 9 is a plan view showing a positional relationship between a substrate to be processed and a rubbing roller in a conventional rubbing process. In FIG. 9, a substrate 40 to be processed arranged on a stage has a configuration in which a transparent electrode is formed on one main surface of a rectangular flat glass substrate 41 and an alignment film 42 is formed so as to cover it. Yes. The rubbing roller 43 has a configuration in which a rubbing cloth 45 is wound around the surface of the rotating roller 44.

ラビング処理は、ラビングローラ43を配向膜42の表面に一定の圧力で接触させ、ラビングローラ43を回転軸46を中心として所定の方向48に所定の速度で回転させながら、たとえば被処理基板40の長手方向Xに移動させて、配向膜42の表面を一定方向に擦っていく処理である。このとき、ステージ載置面に平行な平面において、ラビングローラ43の回転軸方向47と相対移動方向49とは通常90°で行われるが、被処理基板40の長手方向Xとラビングローラ43の相対移動方向のなす角度は種々の表示モードによって選択されている(なお、図9はこの角度が0°の場合を示している。)。   In the rubbing process, the rubbing roller 43 is brought into contact with the surface of the alignment film 42 with a constant pressure, and the rubbing roller 43 is rotated at a predetermined speed around a rotation shaft 46 in a predetermined direction 48, for example, on the substrate 40 to be processed. In this process, the surface of the alignment film 42 is rubbed in a certain direction by moving in the longitudinal direction X. At this time, the rotation axis direction 47 and the relative movement direction 49 of the rubbing roller 43 are normally 90 ° on a plane parallel to the stage mounting surface, but the relative direction between the longitudinal direction X of the substrate to be processed 40 and the rubbing roller 43 is relatively long. The angle formed by the moving direction is selected according to various display modes (FIG. 9 shows a case where this angle is 0 °).

このように、配向膜にはラビング処理が必要とされるため、半透過型液晶表示装置10のトップコート層(絶縁膜)23の周縁部25は、図10に示したように順テーパ状となるようにする必要がある。このトップコート層23の周縁部25が逆テーパ状であるとトップコート層23のエッジ部26で液晶分子の配向の乱れが生じ、表示画像のコントラストの低下につながるためである。
特開平6−301036号公報(段落[0003]) 特開平5−203953号公報(段落[0002]〜[0007]) 特開平10−161078号公報(段落[0003]、図2) 特開2003−207904号公報(特許請求の範囲、段落[0003]〜[0009]、[0055]〜[0062])
As described above, since the alignment film needs to be rubbed, the peripheral portion 25 of the topcoat layer (insulating film) 23 of the transflective liquid crystal display device 10 has a forward taper shape as shown in FIG. It is necessary to be. This is because if the peripheral edge portion 25 of the top coat layer 23 is reversely tapered, the alignment of liquid crystal molecules is disturbed at the edge portion 26 of the top coat layer 23, leading to a decrease in contrast of the display image.
JP 6-301036 A (paragraph [0003]) JP-A-5-203953 (paragraphs [0002] to [0007]) Japanese Patent Laid-Open No. 10-161078 (paragraph [0003], FIG. 2) JP 2003-207904 A (claims, paragraphs [0003] to [0009], [0055] to [0062])

ところで液晶表示装置の各TFT、走査線Xn、Xn+1・・・、信号線Ym、Ym+1、画素電極12、反射板24等の導体パターンの形成においては、配線密度の高度化、多層化、導体形状の微細化等に有利なことからリフトオフ法が採用されている。このリフト法は、感光性レジスト材料を用いてパターン化されたレジスト皮膜を形成した表面に、蒸着、スパッタリング等により金属等の導体を成膜し、その後にレジスト層の除去を行い、レジスト皮膜上の導体膜をレジスト皮膜と共に除去(リフトオフ)することで基体上のレジスト皮膜が形成されていなかった部分のみに導体膜を残し、所望の導体パターンを形成する方法である。   By the way, in the formation of conductor patterns such as TFTs, scanning lines Xn, Xn + 1,. The lift-off method has been adopted because it is advantageous for reducing the size and the conductor shape. In this lift method, a conductor such as metal is formed on the surface on which a resist film patterned using a photosensitive resist material is formed by vapor deposition, sputtering, etc., and then the resist layer is removed, The conductive film is removed (lifted off) together with the resist film to leave the conductive film only on the portion where the resist film is not formed on the substrate, thereby forming a desired conductive pattern.

このリフトオフ法においては、レジスト皮膜の表面が導体膜で被覆されるため、レジスト除去液が浸透し難いので、レジスト皮膜の形状を図10に模式的に示すように逆テーパ状とすることによりレジストの除去を容易となすことが行われている(上記特許文献4参照)。したがって、半透過型液晶表示装置の製造に際しては、上述のようにトップコート層(絶縁膜)23の形成用には周縁部25が順テーパ状となるレジスト材料(ポジ型)が必要とされ、各種導体パターン形成用には逆テーパ状となるレジスト材料(ネガ型)が必要とされる。しかしながら、このような感光性材料として相反する性質のものを複数種使い分けることは、複数種の材料の保管スペースも必要となり、不経済である。   In this lift-off method, since the resist film surface is covered with a conductor film, the resist removal solution is difficult to permeate. Therefore, the resist film has a reverse taper shape as schematically shown in FIG. It has been made easy to remove (see Patent Document 4). Therefore, when manufacturing the transflective liquid crystal display device, as described above, a resist material (positive type) in which the peripheral portion 25 has a forward taper shape is required for forming the topcoat layer (insulating film) 23. In order to form various conductor patterns, a resist material (negative type) having a reverse taper shape is required. However, it is uneconomical to use a plurality of types of such photosensitive materials that are in conflict with each other, which requires a storage space for a plurality of types of materials.

本願の発明者等は、上述のような順テーパないし逆テーパという互いに逆の特性を有する感光性材料の一方を用いて他方の特性を実現できる方法につき種々検討を重ねた結果、通常の使用方法では逆テーパ状となるリフトオフ用感光性レジスト組成物を用いて順テーパ状となすことができる方法を見出し、本発明を完成するに至ったのである。   The inventors of the present application have conducted various studies on a method capable of realizing the other characteristic by using one of the photosensitive materials having the opposite characteristics such as the forward taper or the reverse taper as described above. The inventors have found a method capable of forming a forward taper using a lift-off photosensitive resist composition having a reverse taper shape, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の第1の目的は、周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用感光性樹脂組成物を用いて製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜の製造方法を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用感光性樹脂組成物を用いて製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜をトップコート層(絶縁膜)として備える半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。   That is, the first object of the present invention is to provide a method for producing a lift-off photosensitive resist film having a forward-tapered peripheral edge manufactured using a lift-off photosensitive resin composition having a reverse-tapered peripheral edge. There is to do. In addition, the second object of the present invention is to form a lift-off photosensitive resist film having a forward-tapered peripheral edge manufactured using a lift-off photosensitive resin composition having a reverse-tapered peripheral edge with a topcoat layer ( An object is to provide a transflective liquid crystal display device provided as an insulating film.

上記第1の目的を達成するため、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、基体上に所定の厚さの感光性レジスト組成物層を形成する工程と、所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するパターンとが設けられたマスクを用いて前記感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して周縁部が順テーパ状となる前記所定のパターンの感光性レジスト膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。   In order to achieve the first object, a method for producing a photosensitive resist film of the present invention includes a step of forming a photosensitive resist composition layer having a predetermined thickness on a substrate, a predetermined pattern, and the predetermined pattern. A step of exposing the photosensitive resist composition layer using a mask provided with a pattern having a longitudinal shape along the edge portion of the photosensitive layer, and development of the predetermined pattern in which the peripheral portion is forward-tapered by development. And a step of forming a conductive resist film.

また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、前記感光性レジスト組成物層はネガ型感光性レジスト組成物層であり、前記マスクは、遮光部に対する透光部として前記所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するスリットとが設けられており、前記ネガ型感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して前記所定のパターンのネガ型感光性レジスト膜を形成する工程とにより、前記所定のパターンに対応したパターン形状と、前記スリットに対応した周縁部の順テーパ状とを備えたネガ型感光性レジスト膜を形成することを特徴とする。   Further, in the method for producing a photosensitive resist film of the present invention, the photosensitive resist composition layer is a negative photosensitive resist composition layer, and the mask has the predetermined pattern as a translucent portion with respect to a light shielding portion and the predetermined pattern. A slit having a longitudinal shape along an edge portion of a predetermined pattern, a step of exposing the negative photosensitive resist composition layer, and developing to develop a negative photosensitive resist film of the predetermined pattern Forming a negative photosensitive resist film having a pattern shape corresponding to the predetermined pattern and a forward tapered shape of the peripheral edge corresponding to the slit.

また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に沿って複数本形成されていることを特徴とする。   Further, the method for producing a photosensitive resist film of the present invention is the above-described method for producing a photosensitive resist film having a forward-tapered peripheral portion, wherein the pattern having the longitudinal shape is along an edge portion of the predetermined pattern. A plurality of lines are formed.

また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、複数の前記長手形状を有するパターンは、幅が異なるものを含むことを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the photosensitive resist film of this invention WHEREIN: In said manufacturing method of the photosensitive resist film whose peripheral part is a forward taper shape, the pattern which has the said some longitudinal shape contains what has a different width | variety. Features.

また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記長手形状を有するパターンは、所定のパターンのエッジ部に沿って同じ側に複数平行に設けられていることを特徴とする。   The method for producing a photosensitive resist film according to the present invention is the above method for producing a photosensitive resist film having a forward taper in the peripheral edge portion, wherein the pattern having the longitudinal shape is the same along the edge portion of the predetermined pattern. It is characterized by being provided in parallel on the side.

また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記複数の長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に近い側に配置された前記パターンの幅の方が前記所定のパターンのエッジ部に遠い側に配置された前記パターンの幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする。   Further, the method for producing a photosensitive resist film of the present invention is the above method for producing a photosensitive resist film having a forward tapered shape at the peripheral edge, wherein the pattern having the plurality of longitudinal shapes is formed on an edge portion of the predetermined pattern. The width of the pattern arranged on the near side is formed wider than the width of the pattern arranged on the side far from the edge portion of the predetermined pattern.

更に、上記第2の目的を達成するため、本発明の液晶装置は、前記基体が液晶装置を構成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板であり、前記順テーパ状の感光性レジスト膜が前記基板上に形成された絶縁膜であることを特徴とする上記いずれかの製造方法により製造されたことを特徴とする。   In order to achieve the second object, in the liquid crystal device of the present invention, the substrate is at least one of a pair of substrates constituting the liquid crystal device, and the forward tapered photosensitive resist film is It is an insulating film formed on the substrate, and is manufactured by any one of the above manufacturing methods.

本発明は上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、上記発明によれば、所定のパターンのマスクに沿って設けられた長手形状を有するパターン(スリット部分)により所定のパターンのエッジ部の周囲も露光されるため、通常のマスクを用いて露光した場合には周縁部が逆テーパ状の膜しか得られないリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物を用いた場合でも、周縁部が順テーパ状の膜を形成することができるようになる。なお、リフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物は、通常の使用方法では周縁部が逆方向となることが周知のものであり、例えば上記特許文献4に開示されているような組成物を使用し得る。   By providing the above-described configuration, the present invention has the following excellent effects. That is, according to the above-described invention, the periphery of the edge portion of the predetermined pattern is also exposed by the pattern (slit portion) having a longitudinal shape provided along the mask of the predetermined pattern. In this case, even when a lift-off negative photosensitive resist composition is used in which only a film having an inversely tapered edge is obtained, a film having a forward tapered edge can be formed. In addition, it is well known that the negative photosensitive resist composition for lift-off has a reverse edge in a normal usage method. For example, a composition as disclosed in Patent Document 4 is used. obtain.

また、上記発明によれば、所定のパターンの周囲に複数本の長手形状を有するパターン(スリット)を設けることにより、複数方向の周縁部が順テーパ状の膜を形成することができるようになる。   Moreover, according to the said invention, by providing the pattern (slit) which has several longitudinal shape around a predetermined pattern, the peripheral part of a plurality of directions can form a forward taper-like film | membrane. .

また、上記発明によれば、長手形状を有するパターン(スリット)の幅を変えることによってテーパ部分の角度を変えることができるので、所定のパターンの周囲に所望のテーパの傾斜角度を有する順テーパ部分を形成することができるようになる。   In addition, according to the invention, the angle of the taper portion can be changed by changing the width of the pattern (slit) having the longitudinal shape, so that the forward taper portion having a desired taper inclination angle around the predetermined pattern. Can be formed.

また、上記発明によれば、長手形状を有するパターン(スリット)の本数を複数本とすることにより実質的に長手形状を有するパターン(スリット)の幅を太くしたのと同じ状態とすることができ、しかも、周縁部のテーパの傾斜角度をなだらかにするために単に1本の長手形状を有するパターン(スリット)を太くした場合には、この長手形状を有するパターン(スリット)の部分が均一に露光されてしまうため、テーパ部に段差が生じてしまうことがあるが、長手形状を有するパターン(スリット)を複数本に分けることにより段差を無くしながらテーパの傾斜角度が小さい順テーパ部分を形成することができるようになる。   Moreover, according to the said invention, it can be made the same state as having substantially increased the width | variety of the pattern (slit) which has a longitudinal shape by making the number of the pattern (slit) which has a longitudinal shape into multiple pieces. In addition, when a pattern (slit) having only one longitudinal shape is made thick in order to smooth the inclination angle of the taper at the peripheral edge, the pattern (slit) portion having this longitudinal shape is uniformly exposed. As a result, a step may occur in the taper portion, but by dividing the longitudinal pattern (slit) into a plurality of pieces, a forward taper portion having a small taper inclination angle is formed while eliminating the step. Will be able to.

また、上記発明によれば、所定のパターンのエッジ部に近い方が多く露光されるから、テーパの傾斜角度が小さくても滑らかに所定のパターンに繋がるテーパ部が得られるようになる。   In addition, according to the above-described invention, a portion closer to the edge portion of the predetermined pattern is exposed more, so that a tapered portion smoothly connected to the predetermined pattern can be obtained even if the taper inclination angle is small.

更に、上記発明によれば、液晶装置のTFT、走査線、信号線、画素電極、反射層等の導体パターンの形成用に普通に使用されるリフトオフ用感光性レジスト組成物を用いて、例えば半透過反射型の液晶装置においては、順テーパ状の反射部(反射表示領域)のセルギャップ調整用トップコート層(絶縁膜)を形成できるため、膜形成材料を周縁部のテーパの方向に応じて複数用意する必要がなくなるため、経済的となる。加えて、トップコート層のテーパ部を逆テーパ状態となした場合に比すると、エッジ部で発生していた液晶分子の配向の乱れを抑制することができるため、コントラストが良好な液晶装置が得られる。   Furthermore, according to the above invention, a lift-off photosensitive resist composition commonly used for forming a conductor pattern such as a TFT, a scanning line, a signal line, a pixel electrode, and a reflective layer of a liquid crystal device is used. In a transflective liquid crystal device, a cell gap adjusting topcoat layer (insulating film) can be formed in a forward-tapered reflecting portion (reflection display region). Since it is not necessary to prepare a plurality, it becomes economical. In addition, compared with the case where the taper portion of the topcoat layer is in the reverse taper state, the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules generated at the edge portion can be suppressed, so that a liquid crystal device with good contrast can be obtained. It is done.

以下、本発明に係る周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層の製造方法の具体例を図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型液晶表示装置のトップコート層の製造方法を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変形例にも等しく適用し得るものである。なお、以下の実施例により製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層を備える半透過型液晶表示装置の具体的構成は、図7及び図8に示した従来例の半透過型液晶表示装置10と同様であるので、必要に応じて図7及び図8に示した参照符号を引用して説明することとし、その具体的説明は省略する。   Hereinafter, a specific example of a method for producing a topcoat layer made of a negative photosensitive resist film for lift-off having a forward taper in the peripheral edge according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the following embodiments will be described by taking as an example a method of manufacturing a topcoat layer of a transflective liquid crystal display device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is specified thereto. However, the present invention can be equally applied to various modifications without departing from the technical idea shown in the claims. A specific configuration of a transflective liquid crystal display device having a top coat layer made of a negative photosensitive resist film for lift-off having a forward tapered shape and a peripheral edge manufactured according to the following embodiments is shown in FIGS. Since it is the same as the transflective liquid crystal display device 10 of the conventional example shown, the reference numerals shown in FIGS. 7 and 8 will be referred to when necessary, and the detailed description thereof will be omitted.

実施例1の順テーパ状のトップコート層(絶縁膜)23製造用マスク1Aの平面図を図1Aに、また、このマスク1Aを用いて製造されたトップコート層23Aの平面図を図1Bにそれぞれ示す。また、このマスク1Aを用いた露光工程の模式断面図を図2に示す。実施例1で使用したマスク1Aは、遮光マスク部(遮光部)を背景(地)とした中にトップコート層23Aのパターン形状に対応した露光光を透過する長方形状の開口部2を備え、その両側のエッジ部に沿って平行に1本ずつ細幅の棒状(ライン状)のスリット3A及び3A(長手形状を有するパターン)が設けられている。このスリット3A及び3Aの幅は、同一であり、トップコート層(絶縁膜)23Aの周縁部25Aの幅よりも狭くなっている。なお、ここで用いたマスクは1画素分のものであり、実際にはこのようなマスクが多数形成されたものを用いてトップコート層が形成される(以下、同じ)。 FIG. 1A is a plan view of a mask 1A for manufacturing a forward-tapered topcoat layer (insulating film) 23 of Example 1, and FIG. 1B is a plan view of a topcoat layer 23A manufactured using this mask 1A. Each is shown. A schematic cross-sectional view of an exposure process using this mask 1A is shown in FIG. The mask 1A used in Example 1 includes a rectangular opening 2 that transmits exposure light corresponding to the pattern shape of the topcoat layer 23A with the light shielding mask portion (light shielding portion) as a background (ground). Narrow bar-like (line-like) slits 3A 1 and 3A 2 (patterns having a longitudinal shape) are provided in parallel along the edge portions on both sides. The width of the slit 3A 1 and 3A 2 are the same, it is smaller than the width of the peripheral portion 25A of the top coat layer (an insulating film) 23A. Note that the mask used here is for one pixel, and in actuality, a topcoat layer is formed using a mask in which a large number of such masks are formed (hereinafter the same).

このマスク1Aを用いて所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、開口部2のエッジ部分の周縁部は、スリット3A及び3A部分を透過した光により直接露光されるとともに、開口部2を透過した光の散乱光とスリット3A及び3A部分を透過した光の散乱光により露光されるために、スリット3A及び3Aの幅よりも広い順テーパ状の周縁部25Aが形成される。 When exposing a predetermined thickness for lift-off negative photosensitive resist composition formed of layers using the mask 1A, the peripheral edge of the edge portion of the opening portion 2, the light transmitted through the slit 3A 1 and 3A 2 parts In addition to being directly exposed, the exposure is performed by the scattered light of the light transmitted through the opening 2 and the scattered light of the light transmitted through the slits 3A 1 and 3A 2 portions, so that the width is larger than the width of the slits 3A 1 and 3A 2. A tapered peripheral portion 25A is formed.

この実施例1の製造方法により製造されたトップコート層23Aを備える半透過型液晶表示装置は、トップコート層23Aの周縁部25Aを逆テーパ状態となした場合に比すると、トップコート層のエッジ部26Aで発生していた液晶分子の配向の乱れを抑制することができるため、コントラストが良好な半透過型液晶表示装置となる。   In the transflective liquid crystal display device including the topcoat layer 23A manufactured by the manufacturing method of Example 1, the edge of the topcoat layer is compared with the case where the peripheral portion 25A of the topcoat layer 23A is in a reverse tapered state. Since the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules generated in the portion 26A can be suppressed, a transflective liquid crystal display device with good contrast is obtained.

実施例1のトップコート層23Aの周縁部25Aの幅は、マスク1Aのスリット3A及び3Aの幅を広げるとそれに比例して広くできるが、幅を広げすぎるとスリット3A及び3Aの部分で均一に露光されてしまうために、段差が形成されてしまう。実施例2では、このような段差が生じることを避けながら幅広い順テーパ部を得る目的で、スリットを開口部2のエッジ部に沿って複数本平行に設けて実質的にスリットの幅が広い場合と等価となるようにした。実施例2の順テーパ状のトップコート層23B製造用マスク1Bの平面図を図3Aに、また、このマスク1Bを用いて製造されたトップコート層23Bの平面図を図3Bに、それぞれ示す。また、このマスク1Bを用いた露光工程の模式断面図を図4に示す。 The width of the peripheral portion 25A of the top coat layer 23A of the first embodiment, can be widely in proportion to the increase the width of the slit 3A 1 and 3A 2 mask 1A, the slit 3A 1 and 3A 2 too widened Since the portions are uniformly exposed, a step is formed. In Example 2, in order to obtain a wide forward taper portion while avoiding such a step, a plurality of slits are provided in parallel along the edge portion of the opening portion 2 and the slit width is substantially wide. It became equivalent to. FIG. 3A shows a plan view of the mask 1B for manufacturing the forward-tapered topcoat layer 23B of Example 2, and FIG. 3B shows a plan view of the topcoat layer 23B manufactured using this mask 1B. Moreover, the schematic cross section of the exposure process using this mask 1B is shown in FIG.

実施例2で使用したマスク1Bは、中央部にトップコート層23Bに対応する長方形状の開口部2を備え、その両側のエッジ部に平行に2本ずつのスリットが設けられている。このうち、開口部2のエッジ部側のスリット3B及び3Bは同じ太さで等距離に設けられ、更に、その両側に等距離にスリット3B及び3Bが設けられている。ただし、スリット3Bの幅は僅かにスリット3Bよりも太くしてある。 The mask 1B used in Example 2 is provided with a rectangular opening 2 corresponding to the topcoat layer 23B at the center, and two slits are provided in parallel at the edge portions on both sides thereof. Among these, the slits 3B 1 and 3B 3 on the edge part side of the opening 2 are provided with the same thickness and at equal distances, and further, slits 3B 2 and 3B 4 are provided at equal distances on both sides thereof. However, the width of the slit 3B 3 is are thicker than slightly slit 3B 4.

このマスク1Bを用いて所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、開口部2のエッジ部分の周縁部は、一方側はスリット3B及び3B部分を透過した光により、また他方側はスリット3B及び3B部分を透過した光により、それぞれ露光されるため、実施例1のものよりも広い順テーパ部が形成される。加えて、スリット3Bの方が僅かにスリット3Bよりも広くなるようにしたため、図3B及び図4に示したように、図面上右側の順周縁部25Bのテーパの傾斜角度が緩くかつ幅広くなっている。このようにして、本発明の方法ではテーパの傾斜角及び幅を制御することができる。 When the mask 1B with exposing a predetermined a thickness lift-off negative photosensitive resist composition layer, the peripheral portion of the edge of the opening 2 on one side is transmitted through the slits 3B 1 and 3B 2 parts the light was, and by the other side is light transmitted through the slits 3B 3 and 3B 4 parts, because each are exposed, broad forward tapered portion is formed than in example 1. In addition, because you have more right slits 3B 2 is wider than slightly slit 3B 4, as shown in FIGS. 3B and 4, the loose and wide inclination angle of the taper of the drawing on the right side of the forward peripheral edge 25B It has become. In this way, the inclination angle and width of the taper can be controlled in the method of the present invention.

上述のように、半透過型液晶表示装置のトップコート層の表面には配向膜が設けられ、この配向膜にはラビング処理が施される。そして、このラビング処理の方向はそれぞれの半透過型液晶表示装置毎に定まっているため、実施例3ではラビング方向の手前側のトップコート層23Cの周縁部25Cのテーパの傾斜角度がラビング方向の先端側の周縁部25Cのテーパの傾斜角度よりも小さくなるように形成した。実施例3で用いたマスク1Cの平面図を図5に示し、実施例3で得られたトップコート層23Cの平面図を図6Aに、同じく断面図を図6Bに示す。 As described above, an alignment film is provided on the surface of the topcoat layer of the transflective liquid crystal display device, and this alignment film is subjected to rubbing treatment. And this because the rubbing direction is definite for each of the semi-transmissive liquid crystal display device, the inclination angle of the rubbing direction of the taper of the periphery 25C 2 of the top coat layer 23C of the front side of the rubbing direction Example 3 It was formed to be smaller than the inclination angle of the distal end side of the taper of the periphery 25C 1. FIG. 5 is a plan view of the mask 1C used in Example 3, FIG. 6A is a plan view of the topcoat layer 23C obtained in Example 3, and FIG. 6B is a cross-sectional view thereof.

実施例3で使用したマスク1Cは、中央部にトップコート層23Cに対応する長方形状の開口部2を備え、その左右両側のエッジ部に、ラビング方向の先端側(図6A及び図6Bにおいて右側)は細い1本のスリット3Cを設け、ラビング方向の手前側(図6A及び図6Bにおいて左側)は太いスリット3Cとそれに平行に設けられた細いスリット3Cを設け、更にラビング方向と平行な方向(図6Aにおいて上下側)には細いスリット3C及び3Cを設けたものを使用した。 The mask 1C used in Example 3 has a rectangular opening 2 corresponding to the topcoat layer 23C at the center, and the leading edge side in the rubbing direction (on the right side in FIGS. 6A and 6B) at the left and right edges. ) is a slit 3C 1 thin one provided, the front side of the rubbing direction (in FIGS. 6A and 6B the left) is provided with a narrow slit 3C 3 provided in parallel to it with a thick slit 3C 2, further parallel to the rubbing direction In one direction (upper and lower sides in FIG. 6A), those provided with thin slits 3C 4 and 3C 5 were used.

このマスク1Cを使用して所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、ラビング方向の先端側の周縁部25Cに形成されるテーパ部の傾斜角度は大きく、ラビング方向の手前側の周縁部25Cに形成されるテーパ部の傾斜角度は小さく、また、ラビング方向に平行側の周縁部25C3及び25Cのテーパ部の傾斜角度は大きいトップコート層23Cが得られる。 When exposing a predetermined a thickness lift-off negative photosensitive resist composition layer using the mask 1C, the inclination angle of the tapered portion formed on the peripheral portion 25C 1 rubbing direction of the distal end side is large, small inclination angle of the tapered portion formed on the peripheral portion 25C 2 of the rubbing direction of the near side, and the inclination angle is greater topcoat layer 23C is obtained of the tapered portion of the peripheral portion 25C3 and 25C 4 parallel side rubbing direction It is done.

このように、実施例3で使用したような開口部2の四方にそれぞれスリットを有するマスク1Cを用いると、これらのスリットの幅及び数を適宜に偏光することにより、トップコート層23Cの周囲四方のそれぞれの周縁部について全てのテーパの傾斜角度を異ならせたり、一部同じにしたり、更には全て同じにしたりすることができる。   As described above, when the mask 1C having slits on the four sides of the opening 2 as used in Example 3 is used, the width and the number of these slits are appropriately polarized, so that the four sides around the topcoat layer 23C. It is possible to make the inclination angles of all the tapers different from each other, to make them partially the same, or to make them all the same.

尚、上記いずれの実施例においても、ネガ型の感光性レジストを用いた製造方法について説明したが、上記実施例で用いたマスクにおいて、遮光マスク部(遮光部)と露光光の透過部(感光性レジスト膜のパターン形状に対応したパターン2と該パターンの順テーパ部に対応する長手形状を有したパターン3A)との関係を逆にしたマスクを用いて、ポジ型感光性レジストを露光・現像して所定のパターン形状と、該パターン形状の周縁部が順テーパ状とされたポジ型感光性レジスト膜を形成してもよいものである。 In any of the above embodiments, the manufacturing method using the negative photosensitive resist has been described. However, in the mask used in the above embodiments, the light shielding mask portion (light shielding portion) and the exposure light transmission portion (photosensitive portion). The positive photosensitive resist is exposed and exposed using a mask in which the relationship between the pattern 2 corresponding to the pattern shape of the photosensitive resist film and the pattern 3A 1 ) having the longitudinal shape corresponding to the forward tapered portion of the pattern is reversed. A positive photosensitive resist film in which a predetermined pattern shape and a peripheral edge portion of the pattern shape are forward tapered may be formed by development.

図1Aは実施例1で使用したマスクの平面図であり、図1Bは図1Aのマスクを用いて製造されたトップコート層の平面図である。1A is a plan view of a mask used in Example 1, and FIG. 1B is a plan view of a topcoat layer manufactured using the mask of FIG. 1A. 図1Aのマスクを用いた露光工程の模式断面図である。It is a schematic cross section of the exposure process using the mask of FIG. 1A. 図3Aは実施例2で使用したマスクの平面図であり、図3Bは図3Aのマスクを用いて製造されたトップコート層の平面図である。3A is a plan view of the mask used in Example 2, and FIG. 3B is a plan view of a topcoat layer manufactured using the mask of FIG. 3A. 図3Aのマスクを用いた露光工程の模式断面図である。It is a schematic cross section of the exposure process using the mask of FIG. 3A. 実施例3で用いたマスク1Cの平面図である。6 is a plan view of a mask 1C used in Example 3. FIG. 図6Aは実施例3で得られたトップコート層の平面図であり、図6Bは実施例3で得られたトップコート層の断面図である。6A is a plan view of the topcoat layer obtained in Example 3, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the topcoat layer obtained in Example 3. FIG. 従来例の半透過型液晶表示装置の数画素部分の平面図である。It is a top view of the several pixel part of the transflective liquid crystal display device of a prior art example. 図7のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 従来のラビング処理工程における被処理基板とラビングローラとの位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of the to-be-processed substrate and the rubbing roller in the conventional rubbing process. 従来のリフトオフ法におけるレジスト皮膜の形状を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the shape of the resist film in the conventional lift-off method.

符号の説明Explanation of symbols

1A〜1C マスク
2 開口部
3A〜3A、3B〜3B、3C〜3C スリット(長手形状のパターン)
10 半透過型液晶表示装置
11 第1の透光性基板
12 画素電極
14 スイッチング素子
15 第2の透光性基板
16 共通電極
17 コンタクトホール
19 層間膜
20 液晶
22 保護絶縁膜
23、23A〜23C トップコート層(絶縁膜)
24 反射板
25、25A〜25A、25B〜25B、25C〜25C トップコート層の周縁部(順テーパ部)
26、26A〜26C トップコート層のエッジ部
CF カラーフィルタ層
Xn、Xn+1・・・ 走査線
Ym、Ym+1・・・ 信号線
1A to 1C Mask 2 Openings 3A 1 to 3A 2 , 3B 1 to 3B 4 , 3C 1 to 3C 5 slits (longitudinal pattern)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semi-transmissive liquid crystal display device 11 1st translucent board | substrate 12 Pixel electrode 14 Switching element 15 2nd translucent board | substrate 16 Common electrode 17 Contact hole 19 Interlayer film 20 Liquid crystal 22 Protective insulating film 23, 23A-23C Top Coat layer (insulating film)
24 Reflector 25, 25A 1 to 25A 2 , 25B 1 to 25B 2 , 25C 1 to 25C 4 Peripheral edge portion (forward taper portion)
26, 26A to 26C Edge portion CF of top coat layer Color filter layer Xn, Xn + 1... Scanning line Ym, Ym + 1... Signal line

Claims (7)

基体上に所定の厚さの感光性レジスト組成物層を形成する工程と、
所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するパターンとが設けられたマスクを用いて前記感光性レジスト組成物層を露光する工程と、
現像して周縁部が順テーパ状となる前記所定のパターンの感光性レジスト膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする感光性レジスト膜の製造方法。
Forming a photosensitive resist composition layer having a predetermined thickness on a substrate;
Exposing the photosensitive resist composition layer using a mask provided with a predetermined pattern and a pattern having a longitudinal shape along an edge of the predetermined pattern;
A step of developing and forming a photosensitive resist film having the predetermined pattern in which the peripheral portion has a forward tapered shape;
A method for producing a photosensitive resist film, comprising:
前記感光性レジスト組成物層はネガ型感光性レジスト組成物層であり、
前記マスクは、遮光部に対する透光部として前記所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するスリットとが設けられており、
前記ネガ型感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して前記所定のパターンのネガ型感光性レジスト膜を形成する工程とにより、前記所定のパターンに対応したパターン形状と、前記スリットに対応した周縁部の順テーパ状とを備えたネガ型感光性レジスト膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
The photosensitive resist composition layer is a negative photosensitive resist composition layer,
The mask is provided with the predetermined pattern and a slit having a longitudinal shape along an edge portion of the predetermined pattern as a translucent portion with respect to the light shielding portion,
A pattern shape corresponding to the predetermined pattern and the slit are formed by exposing the negative photosensitive resist composition layer and developing to form a negative photosensitive resist film having the predetermined pattern. The method for producing a photosensitive resist film according to claim 1, wherein a negative photosensitive resist film having a corresponding forward tapered shape of a peripheral edge is formed.
前記長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の感光性レジスト膜の製造方法。   The method for producing a photosensitive resist film according to claim 1, wherein a plurality of patterns having the longitudinal shape are formed along an edge portion of the predetermined pattern. 複数の前記長手形状を有するパターンは、幅が異なるものを含むことを特徴とする請求項3に記載の感光性レジスト膜の製造方法。   The method for producing a photosensitive resist film according to claim 3, wherein the plurality of patterns having the longitudinal shape include patterns having different widths. 前記長手形状を有するパターンは、所定のパターンのエッジ部に沿って同じ側に複数平行に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の感光性レジスト膜の製造方法。   4. The method for producing a photosensitive resist film according to claim 3, wherein a plurality of the patterns having the longitudinal shape are provided in parallel on the same side along an edge portion of the predetermined pattern. 前記複数の長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に近い側に配置された前記パターンの幅の方が前記所定のパターンのエッジ部に遠い側に配置された前記パターンの幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の感光性レジスト膜の製造方法。   In the pattern having the plurality of longitudinal shapes, the width of the pattern arranged on the side closer to the edge portion of the predetermined pattern is larger than the width of the pattern arranged on the side farther from the edge portion of the predetermined pattern. The method for producing a photosensitive resist film according to claim 5, wherein the photosensitive resist film is also formed wide. 前記基体が液晶装置を構成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板であり、前記順テーパ状の感光性レジスト膜が前記基板上に形成された絶縁膜であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかの製造方法により製造された液晶装置。   The substrate is at least one of a pair of substrates constituting a liquid crystal device, and the forward tapered photosensitive resist film is an insulating film formed on the substrate. A liquid crystal device manufactured by any one of manufacturing methods 1 to 6.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11531270B2 (en) * 2017-07-07 2022-12-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Fast fabrication of polymer out-of-plane optical coupler by gray-scale lithography

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