KR100744908B1 - Multi-layerd band pass filter - Google Patents

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KR100744908B1
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조윤희
박윤휘
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삼성전기주식회사
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Abstract

A laminating type band pass filter is provided to reduce the size of the whole system by being embedded in a system module to mount an active device and a passive device. A laminating type band pass filter includes a first resonator(Q1), a second resonator(Q2), a third resonator(Q3), and coupling capacitor patterns(105a,105b). The first resonator(Q1) has a first inductor pattern(102a) formed on a top surface of a first dielectric layer and a first capacitor pattern(104a) formed to be superimposed with at least one part of the first inductor pattern(102a) on a second dielectric layer. The second resonator(Q2) has a second inductor pattern(102b) formed on the top surface of the first dielectric layer and a second capacitor pattern(104b) formed to be superimposed with at least one part of the second inductor pattern(102b) on the second dielectric layer. The third resonator(Q3) has a third inductor pattern(102c) formed on the top surface of the first dielectric layer and a third capacitor pattern(104c) formed to be superimposed with at least one part of the third inductor pattern(102c) on a third dielectric layer. The coupling capacitor patterns(105a,105b) are electrically coupled between the first resonator(Q1) and the second resonator(Q2) and between the second resonator(Q2) and the third resonator(Q3) adjacent to one of the first resonator(Q1) and the third resonator(Q3).

Description

적층형 대역 통과 필터{Multi-layerd band pass filter}Multi-layered band pass filter

도 1은 종래의 적층형 대역 통과 필터의 구조를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the structure of a conventional stacked band pass filter.

도 2는 도 1에 도시한 필터의 등가회로도이다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 적층형 대역 통과 필터의 구조를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the structure of a stacked band pass filter according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시한 필터의 등가회로도이다.FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG. 3.

본 발명은 적층형 대역 통과 필터에 관한 것으로 더욱 상세하게는 필터의 스커트 특성을 개선하고 크기를 줄일 수 있는 적층형 대역 통과 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a stacked band pass filter, and more particularly, to a stacked band pass filter capable of improving the skirt characteristics of the filter and reducing its size.

일반적으로, 대역 통과 필터(band pass filter)는 주파수 신호의 입출력을 담당하는 입출력단, 다수의 전극 패턴 및 주파수 선택적 특성을 갖는 다수의 공진기(resonator)의 조합으로 구현된 RF(Radio Frequency) 소자로서, 이동통신 시스템에 사용되는 주파수 신호 중에서 통과 대역내의 주파수 신호만을 통과시키는 필터이다.In general, a band pass filter is a radio frequency (RF) device implemented by a combination of an input / output terminal, a plurality of electrode patterns, and a plurality of resonators having frequency selective characteristics for input and output of a frequency signal. This is a filter that passes only a frequency signal in a pass band among frequency signals used in a mobile communication system.

휴대전화기 등의 무선통신 기기에서는, 소형화, 박형화의 요구가 강하므로, 고밀도로 기판 내에 부품을 내장하는 기술이 요구되며, 이를 위해서 스트립 라인과 같은 전송선을 이용하여 공진기와 커플링을 조정하는 패턴 등을 다층기판 상에서 구현하는 것도 제안되고 있다.In wireless communication devices such as mobile phones, there is a strong demand for miniaturization and thinning. Therefore, a technique for embedding components in a substrate at high density is required. For this purpose, a pattern for adjusting a resonator and a coupling using a transmission line such as a strip line is required. Is also proposed to implement on a multi-layer substrate.

도 1은 종래의 적층형 대역 통과 필터의 구조를 설명하기 위한 도면으로서, 적층형 대역 통과 필터의 본체는 세라믹 유전 재료로 형성된 다수의 유전체층(1~5)을 적층함으로써 제조되는데, 제1 유전체층(1)과 제5 유전체층(5)의 상면에는 각각 제1 접지면(6)과 제2 접지면(13)이 구현되고, 제2 유전체층(2)의 상면에는 공진기와 병렬로 연결되어 결합 캐패시터(coupling capacitor) Cc를 구현하기 위한 전극 패턴(11) 및 공진기와 접지 사이에 형성되는 부하 캐패시터(load capacitor) CL를 구현하기 위한 전극 패턴(12a,12b)이 후막 인쇄되고, 제3 유전체층(3)의 상면에는 제1 및 제2 스트립라인 공진기(10a,10b)가 후막 인쇄되고, 제4 유전체층(4)의 상면에는 공진기와 입출력단 사이에 형성되는 입출력 결합 캐패시터 C01을 구현하기 위한 전극 패턴(8a,8b)과 공진기와 접지 사이에 형성되는 부하 캐패시터 CL를 구현하기 위한 전극 패턴(9a,9b)이 인쇄된다.FIG. 1 is a view for explaining the structure of a conventional stacked band pass filter. The main body of the stacked band pass filter is manufactured by stacking a plurality of dielectric layers 1 to 5 formed of a ceramic dielectric material. A first ground plane 6 and a second ground plane 13 are respectively formed on the top surfaces of the fifth and fifth dielectric layers 5, and a coupling capacitor is connected to the top surface of the second dielectric layer 2 in parallel with the resonator. ) The electrode pattern 11 for implementing C c and the electrode patterns 12a and 12b for implementing a load capacitor C L formed between the resonator and the ground are thick-printed, and the third dielectric layer 3 is formed. The first and second stripline resonators 10a and 10b are thickly printed on the upper surface of the electrode pattern, and an electrode pattern for implementing the input / output coupling capacitor C 01 formed between the resonator and the input / output terminal on the upper surface of the fourth dielectric layer 4 ( 8a, 8b) between the resonator and ground The electrode patterns (9a, 9b) for implementing a load capacitor C L is resistance of the print.

그러나, 종래의 적층형 대역 통과 필터는 일자 형태의 스트립 라인 공진기가 사용되고 있기 때문에 λ/4의 길이를 갖는 공진기로 인해 전체 부피를 증가시킬 뿐만 아니라 기판상에 실장되는 세라믹 칩 형태의 대역통과 필터로서 전체 시스템의 크기가 커지는 문제가 있었다.However, the conventional stacked band pass filter is not only to increase the overall volume due to the resonator having a length of λ / 4 because the strip-line resonator of the type is used, but also as a band pass filter in the form of a ceramic chip mounted on a substrate. There was a problem of increasing the size of the system.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 필터의 스커트 특성을 개선하고 상단 대역에서 발생하는 고조파를 제거할 수 있는 기술과 크기를 줄일 수 있는 적층형 대역 통과 필터를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a stacked band-pass filter that can reduce the size and technology that can improve the skirt characteristics of the filter and remove harmonics occurring in the upper band. will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 적층형 대역 통과 필터는, 적어도 제1 내지 제5 유전체층이 순차적으로 적층된 세라믹 적층체와; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제1 인덕터 패턴과, 상기 제1 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제2 유전체층에 형성된 제1 커패시터 패턴을 갖는 제1 공진기와; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제2 인덕터 패턴과, 상기 제2 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제2 유전체층에 형성되는 제2 커패시터 패턴을 갖는 제2 공진기와; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제3 인덕터 패턴과, 상기 제3 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제3 유전체층에 형성되는 제3 커패시터 패턴을 갖는 제3 공진기와; 상기 제1 내지 제3 공진기 중 인접하는 제1 공진기와 제2 공진기 및 제2 공진기와 제3 공진기에 전기적으로 용량결합되는 결합 커패시터 패턴과; 상기 제4 및 제5 유전체층의 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 접지면을 포함하며, 상기 제1 내지 제3 인턱터 패턴의 일단은 상기 제2 접지면과 접지되고, 상기 제1 내지 제3 인턱터 패턴이 일단이 미엔더(Meander) 타입의 전송선로 패턴에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a multilayer band pass filter comprising: a ceramic laminate in which at least first to fifth dielectric layers are sequentially stacked; A first resonator having a first inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a first capacitor pattern formed on the second dielectric layer at least partially overlapping the first inductor pattern; A second resonator having a second inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a second capacitor pattern formed on the second dielectric layer at least partially overlapping the second inductor pattern; A third resonator having a third inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a third capacitor pattern formed on the third dielectric layer at least partially overlapping the third inductor pattern; A coupling capacitor pattern electrically capacitively coupled to an adjacent first resonator, a second resonator, a second resonator, and a third resonator among the first to third resonators; And first and second ground planes formed on upper surfaces of the fourth and fifth dielectric layers, respectively, wherein one end of the first to third inductor patterns is grounded with the second ground plane, and the first to third inductors. One end of the pattern is connected to each other by a Meander type transmission line pattern.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 제1 및 제3 인덕터 패턴은 서로 대응되는 형태의 L자형태로 구성되며, 상기 제2 인덕터 패턴은 T자형태로 구성된다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the first and third inductor patterns are formed in an L shape having a shape corresponding to each other, and the second inductor pattern is formed in a T shape.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 제1 커패시터 패턴과 제3 커패시터 패턴에는 각각 상기 제1 유전체층 상면에 형성되는 입출력단 전극과 연결되는 입출력 단자가 마련된다.According to an embodiment of the present invention, the first capacitor pattern and the third capacitor pattern are provided with an input / output terminal connected to an input / output terminal electrode formed on an upper surface of the first dielectric layer, respectively.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 적층형 대역 통과 필터의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시한 필터의 등가회로도이다.3 is a view for explaining the structure of the stacked band pass filter according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.

본 발명의 적층형 대역 통과 필터는 세라믹 유전체 재료로 이루어진 복수의 유전체층(101a∼101g)을 적층하고 일체로 소성하는 세라믹 적층체(100) 내에, 제1∼제3단의 공진기(Q1∼Q3)를 배치한 것이다.The stacked band pass filter of the present invention employs first to third stage resonators (Q1 to Q3) in a ceramic laminate (100) in which a plurality of dielectric layers (101a to 101g) made of ceramic dielectric materials are stacked and fired integrally. It is placed.

제1단의 공진기(Q1)의 인덕턴스(L1)는 L자형 인덕터 패턴(102) 자신이 가지 는 인덕턴스에 의하여 형성된다. 또한, 공진기(Q1)의 커패시터(C1)는 커패시터 패턴(104)과, 상기 커패시터 패턴(104a)에 유전체층(101e)을 이용하여 대향하고 있는 인덕터 패턴(102a)의 선단부에서 구성된다.The inductance L1 of the resonator Q1 of the first stage is formed by the inductance of the L-shaped inductor pattern 102 itself. The capacitor C1 of the resonator Q1 is formed at the tip of the capacitor pattern 104 and the inductor pattern 102a that faces the capacitor pattern 104a by using the dielectric layer 101e.

제2단의 공진기(Q2)의 인덕턴스(L2)는 T자형 인덕터 패턴(102b) 자신이 가지는 인덕턴스에 의하여 형성된다. 또한, 공진기(Q2)의 커패시터(C2)는 커패시터 패턴(105)과, 상기 커패시터 패턴(104b)에 유전체층(101e)을 이용하여 대향하고 있는 인덕터 패턴(102b)의 선단부에서 구성된다.The inductance L2 of the resonator Q2 of the second stage is formed by the inductance of the T-shaped inductor pattern 102b itself. In addition, the capacitor C2 of the resonator Q2 is formed at the tip of the capacitor pattern 105 and the inductor pattern 102b facing the capacitor pattern 104b by using the dielectric layer 101e.

제3단의 공진기(Q3)의 인덕턴스(L3)는 L자형 인덕터 패턴(102c) 자신이 가지는 인덕턴스에 의하여 형성된다. 또한, LC 공진기 Q3의 커패시터(C3)는 커패시터 패턴(102c)과, 상기 커패시터 패턴(102c)에 유전체층(101c)을 이용하여 대향하고 있는 인덕터 패턴(102c)의 선단부에서 구성된다.The inductance L3 of the third stage resonator Q3 is formed by the inductance of the L-shaped inductor pattern 102c itself. The capacitor C3 of the LC resonator Q3 is configured at the tip of the capacitor pattern 102c and the inductor pattern 102c facing the capacitor pattern 102c by using the dielectric layer 101c.

이상의 제1∼제3단의 공진기(Q1∼Q3)는 인접하는 공진기(Q1과 Q2) 및 공진기(Q2와 Q3)가 결합 커패시터(Cs1,Cs2)에 의해 전기적으로 결합하고 있다. 결합 커패시터(Cs1,Cs2)는 유전체층(101e)과 유전체층(101c)에 각각 형성되는 결합 커패시터 패턴(105a, 105b)에 의해 구현된다.In the above-described first to third stage resonators Q1 to Q3, adjacent resonators Q1 and Q2 and resonators Q2 and Q3 are electrically coupled by coupling capacitors Cs1 and Cs2. The coupling capacitors Cs1 and Cs2 are implemented by coupling capacitor patterns 105a and 105b formed in the dielectric layer 101e and the dielectric layer 101c, respectively.

상기 적층체(100)의 최상의 유전체층(101a)과 최하의 유전체층(101g) 상면에는 각각 제1 및 제2 접지면(108a, 108b)이 인쇄된다.First and second ground planes 108a and 108b are printed on top surfaces of the uppermost dielectric layer 101a and the lowermost dielectric layer 101g of the stack 100, respectively.

상기 커패시터 패턴(104a)과 커패시터 패턴(104c)에는 각각 유전체층(101a) 상면에 형성되는 입출력단 전극(109a, 109b)과 연결되는 입출력 단자(106a, 106b)가 마련되어 있다. 여기서, 입출력단 전극(109a, 109b)은 제1 접지면(108a)의 일부 를 "ㅁ"형태로 제거하여 제1 접지면(108a)과 절연시켜 형성된다.Input / output terminals 106a and 106b connected to the input / output terminal electrodes 109a and 109b formed on the dielectric layer 101a are provided on the capacitor pattern 104a and the capacitor pattern 104c, respectively. In this case, the input / output terminal electrodes 109a and 109b are formed by removing a portion of the first ground plane 108a in a shape of “wh” to insulate the first ground plane 108a.

상기 복수의 인턱터 패턴(102a, 102b, 102c)의 일단은 상기 제2 접지면(108b)과 단락되고, 상기 복수의 인턱터 패턴의 일단(102a, 102b, 102c)에는 상기 복수의 인턱터 패턴의 일단(102a, 102b, 102c)을 연결하도록 미엔더(Meander) 타입의 전송선로 패턴(TL, 107)이 제공된다.One end of the plurality of inductor patterns 102a, 102b, 102c is short-circuited with the second ground plane 108b, and one end of the plurality of inductor patterns is disposed at one end 102a, 102b, 102c of the plurality of inductor patterns ( Meander type transmission line patterns TL and 107 are provided to connect 102a, 102b and 102c.

바람직하게, 상기 미엔더 타입의 전송선로 패턴(TL, 107)은 인접하는 인턱터 패턴(102a와 102b) 사이 및 인접하는 인턱터 패턴(102b와 102c) 사이에 제공되며, 교대로 배치된 ㄷ자형 패턴이 연속하여 연결된 형상으로 이루어진다.Preferably, the meander type transmission line patterns TL and 107 are provided between adjacent inductor patterns 102a and 102b and between adjacent inductor patterns 102b and 102c, and alternately arranged c-shaped patterns are provided. It is made of a continuous connected shape.

그리고, 인접하는 인턱터 패턴(102b와 102c) 사이에는 인접하는 인턱터 패턴(102a와 102b) 사이 보다 더 많은 전송선로 패턴(TL)이 형성되게 된다.Further, more transmission line patterns TL are formed between adjacent inductor patterns 102b and 102c than adjacent inductor patterns 102a and 102b.

따라서, 스커트(skirt) 특성이 개선되고 크기가 감소될 수 있을 뿐만 아니라 특히 인덕터 패턴(102a, 102b, 102c)의 에지부로의 자장(H)이 완화될 수 있으며, 그결과 Q 특성이 우수한 대역 통과 필터를 얻을 수 있다.Therefore, not only the skirt characteristic can be improved and the size can be reduced, but also the magnetic field H to the edge portions of the inductor patterns 102a, 102b, 102c can be alleviated, resulting in a band pass having excellent Q characteristics. You can get a filter.

상기 다수의 유전체층은 저온동시소성(LTCC) 기판으로 제조되는 것이 바람직하다.The plurality of dielectric layers is preferably made of a low temperature cofired (LTCC) substrate.

또한, 유전체층(101a)과 유전체층(101c) 사이 및 유전체층(101g)과 유전체층(101e) 사이에는 두께 유지를 위해 패턴이 인쇄되지 않은 복수의 유전체층(101b 또는 101f)이 삽입될 수 있다.In addition, a plurality of dielectric layers 101b or 101f without a pattern printed therebetween may be inserted between the dielectric layer 101a and the dielectric layer 101c and between the dielectric layer 101g and the dielectric layer 101e to maintain thickness.

이러한 본 발명의 실시형태에 따른 필터에서, 상기 공진기(Q1, Q2, Q3)는 하 나의 λ/4 공진기로 동작한다.In the filter according to this embodiment of the present invention, the resonators Q1, Q2, and Q3 operate as one λ / 4 resonator.

한편, 유전체 재료로는 신뢰성이 높고 유전율이 높은 세라믹 유전체가 바람직하다. 예를 들면, 이러한 유전체 재료에는 코제라이토계 유리 분말, TiO2 분말 및 Nd2Ti2O7 분말과의 혼합물 등의 유리계의 것이나, BaO-TiO2-Re2O3-Bi2O3계 조성, 즉 희토류 원소(rare earth) 성분에 약간의 유리 성분이나 유리 분말을 첨가한 것이나, 산화 발리움-산화 티탄-산화 네오듐계 유전체 자기 조성물 분말에 약간의 유리 분말을 첨가한 것이 있다.On the other hand, as the dielectric material, a ceramic dielectric having high reliability and high dielectric constant is preferable. For example, such a dielectric material may be a glass-based one such as a co-geraito-based glass powder, a mixture of TiO 2 powder, and Nd 2 Ti 2 O 7 powder, or a BaO-TiO 2 -Re 2 O 3 -Bi 2 O 3 system. Some glass components or glass powders have been added to the composition, that is, the rare earth element, and some glass powders have been added to the powder of the barium oxide-titanium oxide-neodymium oxide-based dielectric ceramic composition.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiment and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims, and various forms of substitution, modification, and within the scope not departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be apparent to those skilled in the art that changes are possible.

앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 복수의 공진기의 인턱터 패턴들의 일단을 연결하도록 하는 미엔더 타입의 전송선로 패턴을 추가로 제공함으로써, 필터의 스커트 특성을 개선하고 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, by further providing a meander type transmission line pattern for connecting one end of the inductor patterns of the plurality of resonators of the present invention, there is an effect that can improve the skirt characteristics of the filter and reduce the size.

또한, 본 발명의 적층형 대역 통과 필터는 구현하고자 하는 시스템 모듈 내 에 내장하여 그 위에 능동소자나 수동소자 등을 실장하여 제작할 수 있으며, 이를 통해 전체 시스템의 크기를 감소시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the stacked band pass filter of the present invention can be built in the system module to be implemented and mounted thereon with active elements or passive elements, thereby reducing the size of the entire system. .

Claims (5)

적어도 제1 내지 제5 유전체층이 순차적으로 적층된 세라믹 적층체와;A ceramic laminate in which at least first to fifth dielectric layers are sequentially stacked; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제1 인덕터 패턴과, 상기 제1 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제2 유전체층에 형성된 제1 커패시터 패턴을 갖는 제1 공진기와;A first resonator having a first inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a first capacitor pattern formed on the second dielectric layer at least partially overlapping the first inductor pattern; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제2 인덕터 패턴과, 상기 제2 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제2 유전체층에 형성되는 제2 커패시터 패턴을 갖는 제2 공진기와;A second resonator having a second inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a second capacitor pattern formed on the second dielectric layer at least partially overlapping the second inductor pattern; 상기 제1 유전체층 상면에 형성된 제3 인덕터 패턴과, 상기 제3 인덕터 패턴과 적어도 일부 중첩하여 상기 제3 유전체층에 형성되는 제3 커패시터 패턴을 갖는 제3 공진기와;A third resonator having a third inductor pattern formed on an upper surface of the first dielectric layer, and a third capacitor pattern formed on the third dielectric layer at least partially overlapping the third inductor pattern; 상기 제1 내지 제3 공진기 중 인접하는 제1 공진기와 제2 공진기 및 제2 공진기와 제3 공진기에 전기적으로 용량결합되는 결합 커패시터 패턴과;A coupling capacitor pattern electrically capacitively coupled to an adjacent first resonator, a second resonator, a second resonator, and a third resonator among the first to third resonators; 상기 제4 및 제5 유전체층의 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 접지면을 포함하며,First and second ground planes formed on upper surfaces of the fourth and fifth dielectric layers, respectively, 상기 제1 내지 제3 인턱터 패턴의 일단은 상기 제2 접지면과 접지되고, 상기 제1 내지 제3 인턱터 패턴이 일단이 미엔더(Meander) 타입의 전송선로 패턴에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 대역 통과 필터.One end of the first to third inductor patterns is grounded with the second ground plane, and one end of the first to third inductor patterns is connected to each other by a Meander type transmission line pattern. Stacked Bandpass Filters. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제3 인덕터 패턴은 서로 대응되는 형태의 L자형태로 구성되며, 상기 제2 인덕터 패턴은 T자형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 적층형 대역 통과 필터.The first and third inductor patterns are formed in the L-shape of the shape corresponding to each other, the second inductor pattern stacked band pass filter, characterized in that consisting of the T-shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 커패시터 패턴과 제3 커패시터 패턴에는 각각 상기 제1 유전체층 상면에 형성되는 입출력단 전극과 연결되는 입출력 단자가 마련되는 것을 특징으로 하는 적층형 대역 통과 필터.Stacked band pass filter, characterized in that the first capacitor pattern and the third capacitor pattern is provided with input and output terminals connected to the input and output terminal electrodes formed on the upper surface of the first dielectric layer, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유전체층은 저온동시소성 기판인 것을 특징으로 하는 적층형 대역 통과 필터.And said dielectric layer is a low temperature cofired substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 유전체층과 제4 유전체층 사이 및 상기 제3 유전체층과 제5 유전체층 사이의 적어도 하나에는 복수의 두께 조절용 유전체층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 적층형 대역 통과 필터.And a plurality of thickness adjusting dielectric layers are inserted between at least one of the second and fourth dielectric layers and between the third and fifth dielectric layers.
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