KR100740318B1 - 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법 - Google Patents

질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100740318B1
KR100740318B1 KR1020060070782A KR20060070782A KR100740318B1 KR 100740318 B1 KR100740318 B1 KR 100740318B1 KR 1020060070782 A KR1020060070782 A KR 1020060070782A KR 20060070782 A KR20060070782 A KR 20060070782A KR 100740318 B1 KR100740318 B1 KR 100740318B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
srtio
batio
thin film
silicon substrate
buffer layer
Prior art date
Application number
KR1020060070782A
Other languages
English (en)
Inventor
김태언
김보람
문종하
이병택
김진혁
Original Assignee
전남대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전남대학교산학협력단 filed Critical 전남대학교산학협력단
Priority to KR1020060070782A priority Critical patent/KR100740318B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100740318B1 publication Critical patent/KR100740318B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판 상에 에피성장할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.
펄스레이저증착(PLD)장치, SrTiO3/BaTiO3 인공초격자, 질화티타늄(TiN) 버퍼층

Description

질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에 ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법{METHOD FOR SYNTHESIZING EPITAXIAL SrTiO3/BaTiO3 ARTIFICIAL SUPERLATTICES ON SILICON SUBSTRATES USING TiN BUFFER LAYER}
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 포함하는 박막의 XRD θ-2θ 스캔결과 및 XRD φ 스캔결과를 나타낸 그래프들이고,
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 투과전자현미경(TEM) 명시야상(Bright-Field image)과 고분해능상(High Resolution Image)이고,
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제한시야 전자회절상과 그 회절상을 인덱싱한 결과이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자와 다양한 산화물 박막들 간의 상대적인 유전상수 값을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 기판상에 에피성장(epitaxial growth)이 가능하며, 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전특성이 좋은 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
산화물 인공초격자는 격자변형(lattice strain), 적층 두께, 적층 주기를 조절하여 기존 디바이스의 성능을 향상시키거나 새로운 기능을 제공하는 등 다양하게 응용될 수 있기 때문에 많은 관심을 받고 있다.
특히, SrTiO3/BaTiO3 (001) 인공초격자는 유전성 및 강유전성을 편광된 방향에 따라 격자변형을 조절하여 강화시킬 수 있기 때문에 더욱 주목을 받고 있다.
이러한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 에피성장시키기 위해 종래에는 격자불일치가 적고, 필름 재료와 유사한 결정구조를 가지고 있으며, 박막 형성이 용이한 SrTiO3나 MgO와 같은 산화물 단결정 기판을 주로 사용하였다.
그러나, 상기 단결정 기판은 가격이 매우 비싸고, 기존의 실리콘 반도체 기술과 호환성이 없는 문제점 등이 있다.
한편, 실리콘(Si) 기판은 가격도 훨씬 저렴할 뿐만 아니라 기존의 실리콘 기판을 사용했던 다른 디바이스들과의 집적화가 용이하다는 장점을 있어 이후 많은 연구가 이루어지고 있다. 즉, 즉, BaTiO3, SrTiO3, CeO2, NdNiO3 및 ZnO와 같은 재료들이 펄스레이저 증착법(PulsedLaser Deposition, PLD), 유기금속 화학 증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MCVD)법, MBE법 등과 같은 제조방법에 의해 실리콘 기판상에 제조되고 있다. 즉, BaTiO3, SrTiO3, CeO2, NdNiO3 및 ZnO와 같은 재료들이
그러나, 실리콘 기판상에 산화물 박막을 제조하는 종래의 제조방법 역시 실리콘 기판의 표면이 산화되고 계면에서의 상호확산이 일어나며, 실리콘 기판과 산화물박막 사이의 큰 격자 불일치가 발생하는 등의 문제로 인하여 제조된 산화물박막의 결정성이 낮아지거나 비정질이 형성되는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘(Si) 기판상에서 에피성장시킬 뿐만 아니라 결정성 및 유전특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조하는 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증 착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하여 인공초격자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650 내지 750℃일 수 있으며 특히, 700℃에서 증착하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 300 내지 750℃일 수 있으며 특히, 650℃에서 증착하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 챔버 내의 산소분압은 1m torr일 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계는 멀티타깃을 이용하여 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 진공을 깨지않고 연속하여 증착할 수 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 또한 상기 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법에 의해 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제공한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예 는 본 발명의 예시일 뿐 본 발명을 이로써 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1]
질화티타늄(TiN) 버퍼층과 산화물 박막(SrTiO3 박막과 BaTiO3 박막)을 고진공 챔버(5 × 10-6 torr)와 KrF 엑시머레이저(λ=248 nm)를 구비한 멀티타깃 펄스레이저증착(PLD)장치를 이용하여 실리콘 기판(Si)상에 에피성장한다. 먼저, Si(001) 기판은 적당한 크기로 절단한 후 아세톤, 메탄올, 이소프로필알콜, 증류수 순으로 초음파 세척한 후 표면 산화층을 제거하기 위해 10w% HF 용액에 1분간 담근다. 세척된 실리콘 기판은 기판상에 산화물이 형성되는 것을 막기 위해서 챔버내로 신속하게 로딩한다. 이후 상기 실리콘 기판을 고진공압력 5 × 10-6 torr에서 바람직한 온도로 가열한다. 고순도 SrCO3, BaCO3와 TiO2파우더의 고상반응에 의해 준비된 산화물 타깃들(BaTiO3, SrTiO3)과 TiN 타깃(99.5%, CERAC, USA)에 KrF 엑시머 레이져(λ=248 nm) 빔이 타깃에 잘 맞도록 조정한다. 이때 실리콘 기판과 타깃과의 거리는 50nm로 유지한다. TiN 버퍼층은 진공상태에서 제조된다. 최초 인공초격자와 산화물 박막의 몇몇 원자층들은 TiN 버퍼층의 산화가능성을 막기 위하여 진공조건에서 제조된다. 그리고 나서, 상기 층들은 산소분압 1m torr에서 합성된다. 레이저 반복주기는 TiN 버퍼층의 경우 8Hz, 산화물 박막의 경우 10Hz를 유지한다. TiN과 산화물 타깃들의 레이저 에너지밀도는 각각 3과 2 J/cm2이다. 상기 TiN의 증착온도는 700℃이고, 상기 산화물 박막의 경우 650℃이다. 산화물 박막의 두께는 증착시 간을 변화시켜서 조절하고, 상기 산화물 박막은 멀티타깃 홀더를 사용하여 진공을 깨지 않고 연속적으로 교대로 제조한다.
각각의 공정조건에서 얻어진 박막들은 X선 회절 분석(X-Ray Diffraction, XRD), 투과전자 현미경(TransmissionElectronic Microscopy, TEM), 고분해능 전자현미경(High-Resolution Transmission Electronic Microscopy, HRTEM), 임피던스 분석기(impedance analyzer)를 이용하여 특성을 분석하였다. X선 회절분석을 통해서는 박막의 결정성을 분석하였고, 임피던스 분석기(HP4192A, HP, USA)를 통해서 100kHZ, 실온에서 초격자와 에피성장한 산화물 박막들의 상대적인 유전상수 값을 측정하였다. 이때, 버퍼층으로 사용하기 위하여 실리콘 기판 위에 성장시킨 질화티타늄(TiN) 버퍼층(700℃, 5 × 10-6 torr, 2 J/cm2)은 XRD 및 TEM의 분석결과 실리콘 기판과 에피관계를 만족하며 잘 성장하였다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따라 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 분석결과 및 특징을 살펴보기로 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 포함하는 박막의 XRD θ-2θ 스캔결과 및 XRD φ 스캔결과를 나타낸 그래프이다. 상기 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자는 실리콘 기판의 온도 650℃, 산소분압 1m torr하에서 성장시킨 것이다.
도 1a를 참조하면, XRD θ-2θ 스캔결과 인공초격자와 TiN 박막이 배향 성(out of plane)을 가지고 성장하였음을 잘 보여주고 있다. 특히, 인공초격자의 {001}면만이 높은 피크를 나타내고 있음을 알 수 있다. 이때, 2θ각 40 내지 50°사이에서 인공초격자가 형성되었음을 나타내는 피크들("*" 표시된 피크들)이 많이 생성되었다.
도 1b를 참조하면, XRD φ 스캔결과 TiN 박막과 SrTiO3/BaTiO3 박막이 평면정렬(in-plane) 배향을 이루며 성장하였음을 잘 보여주고 있다.
실리콘 기판, TiN 박막, SrTiO3 박막, BaTiO3 박막 들의 {110} 면들에 의한 피크가 90°간격으로 같은 위치에서 나타나고 있음을 알 수 있다. 이는 BaTiO3 박막, SrTiO3 박막, TiN 박막, 실리콘 기판이 (001)[110]초격자||(001)[110]TiN||(001)[110]Si 의 에피 방위 관계를 가지며 성장된 것을 잘 보여주고 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 명시야상과 고해상도 투과전자현미경상이다.
도 2a를 참조하면, 실리콘 기판상에 형성된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 투과전자현미경(TEM)으로 촬영한 명시야상 이미지를 볼 수 있다. 어두운 부분이 BaTiO3 박막, 밝은 부분이 SrTiO3 박막을 나타내는 것으로, 상기 두 박막이 동일한 두께를 가지고 교대로 잘 성장되었음을 확인할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 고해상도 투과전자현미경상을 통해 볼 수 있는 바와 같이 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자가 에피성장 하였음을 알 수 있고, SrTiO3/BaTiO3 가 원자 단위로 평활하게 계면을 형성하는 것을 알 수 있다. 이때, 상기 SrTiO3 박막과 BaTiO3 박막의 평균 두께는 약 2.4nm 정도이다. 따라서, SrTiO3/BaTiO3 인공초격자가 TiN 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 주기적으로 에피성장이 잘 되었음을 알 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제한시야 전자회절상과 그 회절상을 인덱싱한 결과이다.
도 3a를 참조하면, 실리콘 기판 Si[110] 방향의 STO/BTO/TiN/Si 계면에서 관찰되는 제한시야 전자회절상(SAD) 패턴을 볼 수 있다. 왼쪽 아래에서 보여주는 회절상은 중앙에 있는 하얀색으로 표시된 사각형 부분을 확대한 것이다. “T”부분은 투과빔을 의미하고, 화살표로 표시된 부분을 자세히 살펴보면, 인공초격자 구조가 잘 형성된 것을 보여주는 위성 회절점(satellite spots)들이 존재하는 것을 알 수가 있다.
도 3b를 참조하면, 사각형 (a)는 SrTiO3/BaTiO3 박막을, 사각형 (b)는 실리콘을, 사각형 (c)는 TiN 버퍼층으로부터 얻어진 회절상을 나타낸다. 이 회절상의 인덱싱한 결과에 따르면, 상기 TiN 버퍼층이 증착된 상기 실리콘 기판 위에 상기 SrTiO3/BaTiO3 박막이 (001)[110]초격자||(001)[110]TiN||(001)[110]Si 의 에피 방 위 관계를 가지며 성장된 것을 잘 보여주고 있다. 이는 도 1a 및 도 1b에서 관찰한 XRD θ-2θ와 φ-스캔 결과와 일치함을 보여주는 결과이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 기판상에 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자와 다양한 산화물 박막들 간의 상대적인 유전상수 값을 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 상기 SrTiO3/BaTiO3 가 1nm/1nm 주기로 성장된 박막을 측정한 결과이다. BaTiO3 박막, SrTiO3 박막, (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 박막 및 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 유전상수가 각각 약 300, 410, 520, 680 정도의 값을 나타냄을 알 수 있다. 상기 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자는 다른 박막들보다 더 큰 유전상수 값을 보여주고 있는바 이는 박막 내 층간의 격자 부정합에 따른 층간 응력을 조절하여 아주 높은 유전 상수 값을 만들어내기 때문이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 에피성장을 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판상에 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역 으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si) 기판을 제공하는 단계;
    상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계; 및
    상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하여 인공초격자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화티타늄 버퍼층 증착단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 700℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기 판의 온도는 300 내지 750℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 실리콘 기판의 온도는 650℃인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계에서 상기 챔버 내의 산소분압은 1m torr인 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계는 멀티타깃을 이용하여 상기 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 진공을 깨지않고 연속하여 증착하는 것을 특징으로 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자.
KR1020060070782A 2006-07-27 2006-07-27 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법 KR100740318B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060070782A KR100740318B1 (ko) 2006-07-27 2006-07-27 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060070782A KR100740318B1 (ko) 2006-07-27 2006-07-27 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100740318B1 true KR100740318B1 (ko) 2007-07-18

Family

ID=38498897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060070782A KR100740318B1 (ko) 2006-07-27 2006-07-27 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100740318B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733292A (zh) * 2015-03-06 2015-06-24 西安电子科技大学 超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法
CN110527952A (zh) * 2019-07-26 2019-12-03 沈阳工业大学 一种钛酸钡/镍酸镧铁电超晶格薄膜材料及其制备方法
CN113594025A (zh) * 2021-06-11 2021-11-02 河北大学 硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用
CN113690051A (zh) * 2021-06-30 2021-11-23 中国科学院深圳先进技术研究院 具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法
US11442297B2 (en) 2018-12-20 2022-09-13 Imec Vzw Perovskite oxides with a-axis orientation

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of the Korean Ceramic Society Vol.43, No.6, pp.362~368(2006)
Journal of the Korean Physical Society, Vol.35, pp S1184~S1187(1999)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733292A (zh) * 2015-03-06 2015-06-24 西安电子科技大学 超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法
US11442297B2 (en) 2018-12-20 2022-09-13 Imec Vzw Perovskite oxides with a-axis orientation
CN110527952A (zh) * 2019-07-26 2019-12-03 沈阳工业大学 一种钛酸钡/镍酸镧铁电超晶格薄膜材料及其制备方法
CN113594025A (zh) * 2021-06-11 2021-11-02 河北大学 硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用
CN113594025B (zh) * 2021-06-11 2023-07-28 河北大学 硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用
CN113690051A (zh) * 2021-06-30 2021-11-23 中国科学院深圳先进技术研究院 具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kim et al. Synthesis of ZnO nanorod on bare Si substrate using metal organic chemical vapor deposition
Schwarzkopf et al. Epitaxial growth of ferroelectric oxide films
Blank et al. Pulsed laser deposition in Twente: from research tool towards industrial deposition
Vila-Fungueiriño et al. Integration of functional complex oxide nanomaterials on silicon
JP2001068467A (ja) シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
KR100740318B1 (ko) 질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법
Diaz-Fernandez et al. Multi-stage pulsed laser deposition of high quality epitaxial ultra-thin SrTiO3 on Si substrates
WO2014172131A2 (en) Methods of forming perovskite films
Wang et al. Epitaxial integration and properties of SrRuO3 on silicon
Cho c-Axis oriented (Na, K) NbO3 thin films on Si substrates using metalorganic chemical vapor deposition
Li Ferroelectric/superconductor heterostructures
Iwaya et al. Atomically resolved surface structure of SrTiO3 (001) thin films grown in step-flow mode by pulsed laser deposition
Posadas et al. Growth and novel applications of epitaxial oxide thin films
Wu et al. Epitaxial and highly electrical conductive La 0.5 Sr 0.5 TiO 3 films grown by pulsed laser deposition in vacuum
Kim et al. Integration of artificial SrTiO3/BaTiO3 superlattices on Si substrates using a TiN buffer layer by pulsed laser deposition method
Kalyanaraman et al. Influence of oxygen background pressure on crystalline quality of SrTiO 3 films grown on MgO by pulsed laser deposition
Bousquet et al. Structural and electrical properties of Bi0. 5Na0. 5 TiO3 based superlattices grown by pulsed laser deposition
Bayart et al. Microstructural investigations and nanoscale ferroelectric properties in lead-free Nd 2 Ti 2 O 7 thin films grown on SrTiO 3 substrates by pulsed laser deposition
Ueno et al. Epitaxial growth of nonpolar AlN films on ZnO substrates using room temperature grown GaN buffer layers
Smith et al. Recent studies of oxide-semiconductor heterostructures using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy
Jovanović et al. Tiling the Silicon for Added Functionality: PLD Growth of Highly Crystalline STO and PZT on Graphene Oxide-Buffered Silicon Surface
US20220246714A1 (en) Low temperature route for epitaxial integration of perovskites on silicon
Jeong et al. Properties of epitaxial barium titanate thin films using a highly volatile Ba (hfa) 2triglyme precursor
Yamada et al. Preparation of (11n) oriented Bi2Sr2CaCu2O8+ x thin films by solution methods using NdGaO3 (100) substrates
Goodrich et al. Improved epitaxy of barium titanate by molecular beam epitaxy through a single crystalline magnesium oxide template for integration on hexagonal silicon carbide

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130515

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150805

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee