KR100739590B1 - Apparatus for heating chamber gas - Google Patents
Apparatus for heating chamber gas Download PDFInfo
- Publication number
- KR100739590B1 KR100739590B1 KR1020070005167A KR20070005167A KR100739590B1 KR 100739590 B1 KR100739590 B1 KR 100739590B1 KR 1020070005167 A KR1020070005167 A KR 1020070005167A KR 20070005167 A KR20070005167 A KR 20070005167A KR 100739590 B1 KR100739590 B1 KR 100739590B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber gas
- gas
- heater
- chamber
- housing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
도 1은 반도체 제조용 챔버 및 그 주변 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor manufacturing chamber and its peripheral apparatus.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3는 도 2의 열전도부를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating the thermal conductive part of FIG. 2.
도 4a 및 4b는 가스관통공의 위치에 관한 다양한 실시예를 나타내는 도면이다.4A and 4B illustrate various embodiments of the position of gas through holes.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 챔버가스 히팅 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 보다 간편 한 구조로 열효율이 뛰어나며, 파우더의 발생을 방지할 수 있으며, 유지 및 관리도 용이한 챔버가스 히팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chamber gas heating apparatus, and more particularly, to a chamber gas heating apparatus which has excellent thermal efficiency with a simpler structure, prevents generation of powder, and is easy to maintain and manage.
도 1은 반도체 제조용 챔버 및 그 주변 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor manufacturing chamber and its peripheral apparatus.
반도체의 재료가 되는 웨이퍼를 제조하는 챔버(chamber, 10)에는 챔버가스(12,14)가 주입된다. 챔버가스(12)는 일명 분위기 가스로도 불리우며, 챔버내의 공정에 화학적 반응을 고의로 발생시키거나 고의로 발생시키지 않게 하는 가스로서 역할한다.
일반적으로 챔버는 섭씨 150도 내지 200도의 고온이다. 반면 챔버가스(14)는 외부의 가스탱크(30)에 저장되기 때문에 일반적으로 실온(20 도 내지 30도)이다. 이러한 온도차는 첫째 챔버내의 화학적 반응의 저하의 원인이 되며, 둘째 챔버가스가 챔버내에 인입되었을때 파우더(powder)의 형성의 원인이 된다. 파우더(powder)는 저온의 기체가 고온의 반응성 물질을 만났을때의 화학적 반응에 의해 발생하는 화학물질로서 공정의 순도 저하의 원인인 파티클(particle)이 된다.Generally, the chamber is at a high temperature of 150 to 200 degrees Celsius. On the other hand, since the
이러한 문제점을 해결하기 위해, 챔버가스는 챔버에 인입되기 이전에 챔버가스 히팅 장치(20)에 의해 가열된 후 퍼징장치(40)에 의해 챔버내로 퍼징된다.To solve this problem, the chamber gas is heated by the chamber
그러나, 최근 챔버가스 히팅 장치는 그 구조가 복잡하며, 유지관리가 용이하지 않다. 그 일례로서 한국특허출원 제2003-35585호에 나타난 웨이퍼제조용 가스 히팅 장치는 가스를 히팅하기 위해 히터(20) 및 열전도체(16)의 주위에 가스순환튜브(14)를 내장한 기술을 제시하고 있으나, 이러한 구조는 열전달을 위한 경로가 복잡하여 열효율성이 떨어질 뿐 아니라, 그 부피도 커서 작은 히팅 장치의 구현이 용 이하지 않으며, 복잡한 구조로 인해 유지 및 보수가 어렵다는 문제점이 존재하였다.However, recent chamber gas heating apparatus has a complicated structure and is not easy to maintain. As an example, the gas heating apparatus for manufacturing a wafer shown in Korean Patent Application No. 2003-35585 proposes a technology in which a
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 보다 간단하면서도 효율적이고 유지관리가 용이한 연전달경로를 포함하는 챔버가스 히팅장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a chamber gas heating apparatus including a transmission path that is simpler, more efficient and easy to maintain.
전술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 챔버가스 히팅 장치는, 전기에너지를 열에너지로 변환하는 히터; 상기 히터에 의해 발생된 열을 챔버가스로 전달하는 열전도부; 및 상기 히터 및 열전도부의 외부를 둘러싸며, 상부에 흡입구를 포함하고, 하부에 배기구를 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 열전도부는 상기 히터가 삽입될 수 있도록 그 내부가 비어있는 기둥형상이고, 그 기둥 주변에 상기 챔버가스가 관통하기 위한 가스관통공이 형성된 디스크형 날개를 포함한다. In order to solve the above problems, the chamber gas heating apparatus of the present invention comprises a heater for converting electrical energy into thermal energy; A heat conduction unit transferring heat generated by the heater to the chamber gas; And a housing surrounding the outside of the heater and the heat conduction portion, the housing including an intake port at an upper portion and an exhaust port at the bottom thereof, wherein the heat conduction portion is a hollow columnar shape so that the heater can be inserted therein. It includes a disk-shaped wing formed with a gas through-hole for penetrating the chamber gas around.
일 실시예에서, 상기 열전도부는 상기 챔버가스와 반응하지 않는 안정한 재료, 예를 들면 석영으로 형성된다. In one embodiment, the thermally conductive portion is formed of a stable material that does not react with the chamber gas, for example quartz.
일 실시예에서, 상기 열전도부는, 상부표면은 폐쇄되어있으며, 내부가 비어있는 기둥형상의 몸통부; 및 상기 몸통부에 소정의 간격으로 세로방향으로 이격되어 위치하는, 디스크 형상의 날개부를 포함하고, 상기 날개부에는 그 표면에 하나이상의 가스관통공을 포함한다. In one embodiment, the heat conduction portion, the upper surface is closed, the inside of the columnar body is empty; And a disk-shaped wing, which is spaced in the longitudinal direction at a predetermined interval in the body portion, wherein the wing portion includes one or more gas through holes on its surface.
일 실시예에서, 상기 하우징의 내벽과 상기 열전도부사이에 위치하여, 상기 열전도부의 주위를 흐르는 상기 챔버가스가 상기 하우징의 내벽과 접촉하는 것을 차단하는 차단 부재를 더 포함한다. In one embodiment, further comprising a blocking member located between the inner wall of the housing and the heat conducting portion to block the chamber gas flowing around the heat conducting portion from contacting the inner wall of the housing.
일 실시예에서, 상기 몸통부는 상기 날개부중 가장 상부의 첫 번째 날개부로부터 상부로 돌출된 머리부를 포함하고, 상기 머리부에는 상기 머리부내부의 배출가스가 외부로 관통하기 위한 머리부 가스관통공이 형성된다.In one embodiment, the body portion includes a head protruding upward from the first wing of the uppermost portion of the wing, the head portion has a head gas through-hole for penetrating the exhaust gas inside the head to the outside Is formed.
일 실시예에서, 상기 하우징은, 상기 하우징이 상기 열전도부와 접촉하는 부분에, 상기 열전도부의 머리부가 결착되는 결합홈을 포함한다.In one embodiment, the housing includes a coupling groove in which the head portion of the heat conductive portion is coupled to a portion where the housing is in contact with the heat conductive portion.
일 실시예에서, 상기 가스관통공은 서로다른 날개부의 가스관통공과 일치하는 위치에 형성된다.In one embodiment, the gas through hole is formed at a position coinciding with the gas through hole of the different wings.
일 실시예에서, 상기 가스관통공은 서로다른 날개부의 가스관통공과 일치하지 않고 어긋난 위치에 형성되어 있다. In one embodiment, the gas through hole is formed at a position that is not coincident with the gas through hole of the different wing portions.
또한 본 발명은, 전기에너지를 열에너지로 변환하는 히터; 상기 히터에 의해 발생된 열을 챔버가스로 전달하는 열전도부; 및 상기 히터 및 열전도부의 외부를 둘러싸며, 상부에 흡입구를 포함하고, 하부에 배기구를 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 열전도부는 상기 히터가 삽입될 수 있도록 그 내부가 비어있는 기둥형상이고, 그 기둥 주변에 상기 챔버가스가 관통하기 위한 가스관통공이 형성된 디스크형 날개를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1 챔버가스 히팅부; 및 상기 제1 챔버가스 히팅부와 구조가 동일한 제2 챔버가스 히팅부를 포함하고, 상기 제1챔버가스 히팅부와 제2챔버가스 히팅부는 제1챔버가스히팅부의 배기구로 기능하고 상기 제2챔버가스히팅부의 흡입구로 기능하는 연결 통로를 통해 연결된 것을 특징으로 한다. In addition, the present invention, a heater for converting electrical energy into thermal energy; A heat conduction unit transferring heat generated by the heater to the chamber gas; And a housing surrounding the outside of the heater and the heat conduction portion, the housing including an intake port at an upper portion and an exhaust port at the bottom thereof, wherein the heat conduction portion is a hollow columnar shape so that the heater can be inserted therein. A first chamber gas heating unit comprising a disk-shaped wing having a gas through hole formed therein for penetrating the chamber gas; And a second chamber gas heating part having the same structure as the first chamber gas heating part, wherein the first chamber gas heating part and the second chamber gas heating part function as an exhaust port of the first chamber gas heating part and the second chamber gas heating part. It is characterized by being connected through a connection passage that functions as a suction port of the heating portion.
일 실시예에서, 상기 하우징의 내벽과 상기 열전도부사이에 위치하여, 상기 열전도부의 주위를 흐르는 상기 챔버가스가 상기 하우징의 내벽과 접촉하는 것을 차단하는 차단 부재를 더 포함한다. In one embodiment, further comprising a blocking member located between the inner wall of the housing and the heat conducting portion to block the chamber gas flowing around the heat conducting portion from contacting the inner wall of the housing.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
챔버가스 히팅 장치(200)는 하우징(210), 열전도부(220) 및 히터(230)를 포함한다.The chamber
히터(230)는 전기적 에너지를 열에너지로 변환한다. 전기적에너지는 배선(234)를 통해 공급된다. 일 실시예에서, 히터(230)는 기둥 형상이다. The
열전도부(220)는 히터(230)에 의해 방출된 열을 챔버가스(14)로 전달함으로써 챔버가스(14)를 가열한다. 열전도부(220)는 열전달이 가능한 동시에 고온의 열에 대해 내구성이 강한 재료, 예를 들면 석영으로 형성된다. 본 발명에서 열전도부(220)는 내부에 히터(230)가 삽입될 수 있도록 그 내부가 비어있는 원기둥형상이고, 그 원기둥 주변에 하나이상의 디스크형 날개를 포함한다. 디스크형 날개에는 가스관통공을 포함한다. 일 실시예에서, 열전도부(220)는 석영을 포함하는 재료로 제조된다. 더욱 자세한 설명은 도 3을 통해 설명한다.The heat
하우징(210)은 상기 히터(230) 및 열전도부(220)의 외부를 둘러싸며, 상기 열전도부(220)의 상부에 대응하는 부분에 흡입구(212)를 포함하고, 상기 열전도 부(220)의 하부에 대응하는 부분에 배기구(214)를 포함한다. The
일 실시예에서, 하우징(210)은 하부덮개(212)를 포함한다. 하부덮개(212)의 중앙에는 중앙홀(214)이 형성되어 있으며, 이 중앙홀(214)에는 히터(230)가 삽입된다. 히터(230)는 고정부재(232)를 통해 하우징(210)에 고정되어 있다. In one embodiment, the
일 실시예에서, 배기구(214)는 하부덮개(212)에 형성된다(도 5참조).In one embodiment, an
챔버가스(14)는 흡입구(212)-> 열전도부(220)의 가스관통공 -> 배기구(214)의 순서로 배출된다. The
도 3는 도 2의 열전도부를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating the thermal conductive part of FIG. 2.
열전도부(220)는 몸통부(310) 및 날개부(320)를 포함한다.The
몸통부(310)는 상부표면은 폐쇄되어있으며, 내부가 비어있는 기둥형상이다. The
날개부(320)는 디스크형상으로서 상기 몸통부(310)에 소정의 간격으로 세로방향으로 이격되어 위치한다. 날개부(320)에는 하나이상의 가스관통공(322)이 날개부의 디스크 표면에 위치한다. 날개부(320)는 복수개일 수 있다. The
본 발명에 의하면, 히터부분과 열전도부 부분이 서로 분리되어 있으므로, 첫째, 히터부분과 열전도부부분을 서로 다른 재료를 사용하여 구현하는 것이 가능함으로써 재료의 절약 및 부품의 분리 생산의 이점을 취할 수 있고, 둘째, 별도의 부품으로 구성되므로 교체 등의 유지보수가 편리하고 비용이 저렴하다는 이점이 있다.According to the present invention, since the heater portion and the heat conductive portion are separated from each other, firstly, it is possible to implement the heater portion and the heat conductive portion using different materials, thereby taking advantage of saving material and separate production of parts. And, second, because it is composed of a separate component there is an advantage that the maintenance, such as replacement is convenient and low cost.
또한, 본 발명에 의하면, 챔버가스(14)는 열전도부에 형성된 가스관통공(322)를 따라 상부에서 하부로 흘러가며, 흘러가는 경로에 디스크 형상의 날개가 위치하기 때문에, 열전달 면적이 증가되면서도 챔버가스의 흐름이 저하되지 않으므로, 효율적인 열전달과 가스흐름이 가능하다.In addition, according to the present invention, the
또한, 본 발명에서 열전도부가 석영(SiO2)으로 형성되는 경우에는, 보통 히터가 그 외부가 금속으로 구성된다는 점을 감안할 때, 챔버가스는 화학적 특성상 매우 안정한 석영과 접할 뿐 화학적 특성상 매우 불안정한 금속성분과 접하지 않으므로, 챔버가스와 금속의 반응으로 발생할 수 있는 파우더(powder)의 발생을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, when the heat conducting portion is formed of quartz (SiO 2), in consideration of the fact that the heater is usually made of a metal outside, the chamber gas is in contact with quartz which is very stable in chemical properties, and is very unstable in metal properties. Since it is not in contact, it is possible to prevent the generation of powder (powder) that can be generated by the reaction of the chamber gas and the metal.
변형된 실시예에서, 상기 몸통부(310)는 첫 번째 날개부(320)로부터 돌출된 머리부(314)를 포함한다. 머리부(314)는 상기 몸통부(310)의 상부 말단에서 첫 번째 날개부(320)이 형성되는 위치까지의 상부로 돌출된 부분이다. 본 실시예에 의하면, 배출가스가 열전도부에 접하는 면적이 증가하기 때문에 열전달율이 증가된다. In a modified embodiment, the
변형된 실시예에서, 상기 머리부(314)는 머리부 가스관통공(312)을 포함한다. 머리부 가스관통공(312)은 상기 머리부(314)의 내부로 유입된 챔버가스를 외부로 횡방향으로 방출한다(도 2 참조). 본 실시예에 의하면, 몸통부 가스관통공(312)에 의해 가스흐름이 자연스러워지므로, 머리부(314)의 추가에 의해 발생할 수 있는 배출가스 흐름 저하를 방지할 수 있다.In a modified embodiment, the
도 4a 및 4b는 가스관통공의 위치에 관한 다양한 실시예를 나타내는 도면이다.4A and 4B illustrate various embodiments of the position of gas through holes.
도 4a의 실시예에서 제1날개부(401), 제2날개부(402), 제3날개부(403),... 으로의 진행시에 각 날개부의 가스관통공(411,412,413,...)의 위치는 서로 일치한 다. 즉, 도 4a의 오른쪽 도면에 나타난 바와 같이, 가스 관통공은 서로 나란하게 일치하며, 이로 인해 가스의 흐름은 빨라서 열전달 시간이 작으므로, 상대적으로 많은 열전달을 필요로 하지 않는 챔버에 효율적으로 적용가능하다.In the embodiment of FIG. 4A, the gas through
도 4b의 실시예에서 제1날개부(421), 제2날개부(422), 제3날개부(423),... 으로의 진행시에 각 날개부의 가스관통공(431,432,433,...)의 위치는 서로 일치하지 않고 어긋나 있다. 즉, 도 4b의 오른쪽 도면에 나타난 바와 같이, 가스 관통공은 홀수번째 가스관통공끼리 서로 나란하게 일치하며, 짝수번째 가스관통공끼리 서로 나란하게 일치하지만, 홀수번째와 짝수번째 가스관통사이에는 서로 어긋난 위치에 형성되어 있다. 이 경우에 가스흐름은 도 4a 의 실시예보다 가스흐름속도가 저하되는 대신 열전달 시간이 증가하므로, 많은 열전달을 필요로 하는 챔버에 효율적으로 구현가능하다.In the embodiment of FIG. 4B, the gas through
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
챔버가스 히팅 장치(500)는 하우징(510), 열전도부(520), 히터(530) 및 차단부재(540)를 포함한다.The chamber
차단부재(540)는 하우징(510)의 내벽과 열전도부(520)사이에 위치하여, 열전도부(520)의 주위를 흐르는 챔버가스(14)가 하우징(510)의 내벽과 접촉하는 것을 차단한다. 차단부재(540)는 챔버가스(14)가 접촉하더라도 화학적 반응이 일어나지 않도록 안정한 재료로 형성되며, 가장 바람직하게는 석영(Sio2)로 형성된다. 일 실시예에서, 차단부재(540)는 하우징 내벽과 동일한 형상으로 형성된다. The blocking
본 실시예에 의하면, 차단부재(540)에 의해 챔버가스(14)가 하우징(510)의 외벽에 직접 닿지 않으므로, 하우징(510)의 내벽이 챔버가스와 반응하기 쉬운 금속으로 형성될 경우, 챔버가스가 하우징의 내벽과 반응하여 파우더(powder)가 발생하는 것이 방지된다. According to the present embodiment, since the
또한, 본 실시예에 의하면, 차단부재(540)는 언제든지 분리 및 탈착이 가능하므로, 수리 및 교환이 용이하다.In addition, according to the present embodiment, since the blocking
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6은 도 2 및 3의 변형된 실시예로서 열전도부(220)의 머리부와 하우징(210)이 접촉하는 면을 확대한 도면이다.FIG. 6 is an enlarged view of a surface in which the head of the heat
도 6의 실시예에서, 본 발명의 하우징(210)은 열전도부(220)과 접촉하는 부분에서 결합홈(610)을 포함한다. 결합홈(610)에는 열전도부(220)의 머리부(314)가 결착된다. In the embodiment of Figure 6, the
도 6의 실시예에 의하면, 열전도부(220)가 결합홈(610)에 의해 보다 단단히 고정된다. 또한, 열전도부(220)의 머리부(314)의 내부로 인입한 챔버가스(14)가 달느 경로로 누출되지 않고, 모두 머리부 가스관통공(312)를 관통하게 함으로써 열전달이 보다 효율적으로 이루어지도록 할 수 있다.According to the embodiment of Figure 6, the heat
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버가스 히팅 장치를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a chamber gas heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
챔버가스 히팅 장치(700)는 도 2의 챔버가스 히팅 장치 2개가 연결통로(150) 을 통해 연결된 형상이다. 즉 챔버가스 히팅 장치(700)는 제1하우징(711), 제2하우징(712), 제1히터(731), 제2히터(733), 제1열전도부(721), 제2열전도부(723) 및 연결통로(150)를 포함한다.The chamber
제1하우징(711)은 흡입구(712)만을 포함하고 배기구를 포함하지 않는다. 다만, 제1하우징(711)의 제1열전도부(721)를 통과한 챔버가스(14)는 제1하우징(711)의 하부에 형성된 연결통로(750)를 통해 제2하우징(713)의 하부로 인입한다. The
제2하우징(713)은 배기구(714)만을 포함하고 흡입구를 포함하지 않는다. 다만, 제2하우징(713)으로의 챔버가스의 인입은 제1하우징(711)과 제2하우징(713)사이의 하부에 형성된 연결통로(750)를 통해 수행된다.The
즉 도 2의 챔버가스 히팅 장치 2개가 연결통로를 통해 형성되며, 상기 연결통로는 하나의 히팅 장치의 배기구로 기능하고 나머지 다른 하나의 흡입구로 기능한다.That is, two chamber gas heating apparatuses of FIG. 2 are formed through a connection passage, and the connection passage functions as an exhaust port of one heating apparatus and as the other intake port.
제1,2 히터 및 제1,2열전도부의 형상 및 기능은 도 2의 경우와 동일하다.The shapes and functions of the first and second heaters and the first and second heat conductive parts are the same as those in FIG. 2.
본 실시예에 따르면, 챔버가스의 1경로(흡입부터 배기까지)에 대해 2개의 히터가 열전달을 수행하므로, 히팅의 효과가 더욱 탁월하다. 또한, 2개의 하우징이 일체로 형성되므로 도 2의 히팅장치를 두개를 직렬로 연결하는 것보다 열효율이 훨씬 향상된다.According to this embodiment, since two heaters perform heat transfer for one path (from suction to exhaust) of chamber gas, the effect of heating is more excellent. In addition, since the two housings are integrally formed, the thermal efficiency of the heating apparatus of FIG. 2 is much higher than that of connecting the two in series.
일 실시예에서, 도 7의 히팅 장치(700)는 도 5의 차단부재를 포함한다. In one embodiment, the
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본 질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.
전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 열전도부가 기둥형상+날개형상으로서 열효율이 뛰어남과 동시에 간단한 구조로 구현가능하다.As described above, according to the present invention, the thermally conductive portion has a columnar shape + a wing shape, and is excellent in thermal efficiency and can be implemented in a simple structure.
또한 본 발명에 의하면, 열전도부가 챔버가스와 반응하지 않는 안정한 석영으로 형성되기 때문에, 종래에 챔버가스가 히터 혹은 가스관의 금속성 물질과의 반응으로 인한 파우더의 발생의 문제점이 발생되지 않는다.Further, according to the present invention, since the heat conducting portion is formed of stable quartz which does not react with the chamber gas, there is no problem of powder generation due to the reaction of the chamber gas with the metallic material in the heater or the gas pipe.
또한, 본 발명에 의하면, 차단부재에 의해 챔버가스가 금속성물질과 접촉하는 면이 감소되므로, 파우더의 발생을 더욱 감소시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since the surface of the chamber gas in contact with the metallic material is reduced by the blocking member, it is possible to further reduce the generation of powder.
또한, 본 발명에 의하면, 결합홈에 의해, 열전도부가 단단하게 고정될 뿐 아니라 머리부 내부의 모든 챔버가스가 머리부 가스관통공을 통과하게 함으로써 열전달이 효율적이다. Further, according to the present invention, the heat transfer is efficient by not only firmly fixing the heat conducting portion by the coupling groove but also allowing all the chamber gases inside the head to pass through the head gas through holes.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070005167A KR100739590B1 (en) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | Apparatus for heating chamber gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070005167A KR100739590B1 (en) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | Apparatus for heating chamber gas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100739590B1 true KR100739590B1 (en) | 2007-07-13 |
Family
ID=38504340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070005167A KR100739590B1 (en) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | Apparatus for heating chamber gas |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100739590B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210106205A (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 박복우 | Gas heating apparatus and gas delivery system using the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980057240U (en) * | 1997-01-31 | 1998-10-15 | 문정환 | Pipe heating apparatus of semiconductor manufacturing equipment |
KR20040054872A (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-26 | 장동복 | A Gas Heating Apparatus For Wafer Product System |
-
2007
- 2007-01-17 KR KR1020070005167A patent/KR100739590B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980057240U (en) * | 1997-01-31 | 1998-10-15 | 문정환 | Pipe heating apparatus of semiconductor manufacturing equipment |
KR20040054872A (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-26 | 장동복 | A Gas Heating Apparatus For Wafer Product System |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210106205A (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 박복우 | Gas heating apparatus and gas delivery system using the same |
KR102393965B1 (en) * | 2020-02-20 | 2022-05-02 | 박복우 | Gas heating apparatus and gas delivery system using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6104823B2 (en) | Thin heating substrate support | |
JP6418573B2 (en) | Processing module | |
KR100584189B1 (en) | Substrate-loading instrument having the function of heating a substrate and substrate processing apparatus | |
JPWO2007007744A1 (en) | Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus | |
WO2024066546A1 (en) | Heat dissipation apparatus, power device, and photovoltaic system | |
TW202045040A (en) | Aerosol generating device | |
KR20210127780A (en) | Thermal Management of Plasma Reactors | |
KR100739590B1 (en) | Apparatus for heating chamber gas | |
WO2022247556A1 (en) | Heating assembly and electronic atomizer | |
JP2007155310A (en) | Heat conductive assembly for water heater and manufacturing method of heat conductive assembly | |
KR19990021890A (en) | Plasma etching system | |
US8030597B2 (en) | Partition-type heating apparatus | |
TW201433767A (en) | Substrate heat treatment apparatus | |
JP6516770B2 (en) | Fuel cell device and fuel cell system | |
JP5436541B2 (en) | Reactor | |
WO2007052853A1 (en) | Gas guide apparatus | |
TWI754447B (en) | Thermal storage electric water heater | |
CN219385401U (en) | Sealing mechanism, double-layer furnace tube device and heating furnace | |
KR100688705B1 (en) | Process tube of a vertical furnace | |
JP4684823B2 (en) | High temperature steam generator | |
JP2024030007A (en) | heating device | |
KR102485866B1 (en) | Apparatus for processing substrate | |
KR20070024912A (en) | Heating apparatus of vapour gas | |
CN114026266A (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
KR20230163870A (en) | Nitrogen gas heating device using PTC heater as heat source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130709 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140709 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150709 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160708 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170710 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180709 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190709 Year of fee payment: 13 |