KR100737387B1 - 밀리미터파 대역 주파수 체배기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성

Description

밀리미터파 대역 주파수 체배기 {Frequency doubler for millimetric wave band}
도 1은 본 발명에 따른 밀리미터파 대역 주파수 체배기를 설명하기 위한 회로도.
도 2는 본 발명에 따른 주파수 체배기의 출력전력 특성을 설명하기 위한 그래프.
도 3은 본 발명에 따른 주파수 체배기의 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo)에 대한 입출력 특성을 설명하기 위한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101, 103: 직류 블록 캐패시터
102: 트랜지스터
110: 입력정합회로
111, 113, 121, 132, 151: 마이크로 스트립 라인
112: RC 병렬회로
120, 150: 바이어스 공급부
123, 152: 바이패스 캐패시터
130: 출력정합회로
131: 오픈 스터브
140: 레이디얼 스터브
본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 사용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 출력주파수(2fo)에 대한 입력주파수(fo)의 억압 특성 및 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo)의 입출력 정합 특성이 향상된 밀리미터파 대역 주파수 체배기에 관한 것이다.
밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서는 일반적인 발진기를 이용하여 원하는 주파수를 얻는 데 한계가 있다. 이는 발진기의 공진기 부분을 밀리미터파 대역까지 적용할 수 있도록 설계 및 제작하기 매우 힘들기 때문이다. 그래서 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 원하는 주파수 대역의 1/2 주파수 대역에서는 발진기를 이용하고, 그 외의 주파수 대역에서는 주파수 체배기를 이용하여 2배로 체배된 주파수를 얻는다.
이러한 주파수 체배기의 응용을 위해서는 주파수 체배기의 출력주파수(2fo)에 대한 입력주파수(fo)의 억압(suppression) 특성이 30dBc 이하가 되어야 하며, 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo)의 입출력 정합 특성이 우수해야 한다. 억압 특성이 30dBc 이하가 되지 못하면 입력주파수(fo)가 체배된 출력주파수(2fo) 성분에 영향을 미쳐 왜곡된 특성을 보일수 있으며, 입출력 정합 특성이 우수하지 못하면 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo) 대역에서 반사손실이 증가하여 원하는 시스템에 적용이 어려워진다. 또한, 주파수 체배기를 단일칩 집적회로(MMIC)로 제작하고 설계 기간을 단축하기 위해서는 보다 작은 사이즈와 간결한 회로가 필요하다.
본 발명의 목적은 출력주파수(2fo)에 대한 입력주파수(fo)의 억압 특성이 30dBc 이하이고, 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo)의 입출력 정합 특성이 우수한 밀리미터파 대역 주파수 체배기를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 밀리미터파 대역 주파수 체배기는, 입력주파수를 체배시키기 위한 트랜지스터; 입력포트를 통해 제공된 상기 입력주파수를 상기 트랜지스터의 게이트로 전달하며, 상기 입력포트 및 상기 게이트 사이에 접속된 제 1 및 제 2 마이크로 스트립 라인과, 상기 제 1 및 제 2 마이크로 스트립 라인 사이에 접속된 RC 병렬 회로로 구성된 입력정합회로; 상기 트랜지스터의 게이트 및 직류 전압원 사이에 직렬 접속된 마이크로 스트립 라인 및 저항과 상기 직류 전압원에 병렬로 접속된 캐패시터로 구성되며, 상기 트랜지스터의 게이트에 직류 전압을 공급하는 제 1 바이어스 공급부; 상기 트랜지스터의 드레인에 병렬로 접속된 마이크로 스트립 라인 및 오픈 스터브로 구성되며, 상기 트랜지스터에 의해 체배된 출력주파수를 출력포트로 전달하는 출력정합회로; 상기 출력정합회로에 병렬로 접속된 레이디얼 스터브로 구성되며, 상기 레이디얼 스터브의 길이와 각도에 따라 출력주파수에 대한 입력주파수의 억압 특성이 조절되는 억압 특성 조절수단; 및 상기 트랜지스터의 드레인에 직류 전압을 공급하는 제 2 바이어스 공급부를 포함하며, 상기 트랜지스터가 고주파 대역에서 안정적으로 동작하도록 상기 입력정합회로의 RC 병렬 회로의 저항값이 조절되고, 상기 트랜지스터가 저주파 대역에서 안정적으로 동작하도록 상기 제 1 바이어스 공급부의 저항값이 조절되며, 상기 출력주파수에 대한 입력주파수의 억압 특성이 30dBc 이하가 되도록 상기 레이디얼 스터브의 길이와 각도가 조절되는 것을 특징으로 한다.
상기 입력포트 및 상기 출력포트에 각각 연결된 직류 블록 캐패시터들을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 바이어스 공급부는 상기 출력정합회로 및 직류 전압원 사이에 접속된 마이크로 스트립 라인과, 상기 직류 전압원에 병렬로 접속된 캐패시터로 구성된 것을 특징으로 한다.
삭제
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 밀리미터파 대역 주파수 체배기를 설명하기 위한 회로도이다.
기본파(fundamental frequency)인 입력주파수(fo)를 체배시키고, 체배된 제 2 고조파(2nd harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)를 출력하기 위해 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)와 같은 트랜지스터(102)가 사용된다.
입력포트(Input)를 통해 제공된 입력주파수(fo)는 직류 블록 캐패시터(DC blocking capacitor)(101)를 통해 입력정합회로(110)로 전달된다. 상기 입력정합회로(110)는 상기 직류 블록 캐패시터(101)와 상기 트랜지스터(102)의 게이트 사이에 직렬 접속된 마이크로 스트립 라인(111 및 113)과, 상기 마이크로 스트립 라인(111 및 113) 사이에 접속되며 저항(R)과 캐패시터(C)로 이루어지는 RC 병렬회로(112)로 구성된다.
상기 입력정합회로(110)로부터 출력되는 상기 입력주파수(fo)는 상기 트랜지스터(102)에 의해 체배되고, 상기 트랜지스터(102)에 의해 체배된 출력주파수(2fo)는 출력정합회로(130)로 전달된다. 상기 출력정합회로(130)는 상기 트랜지스터(102)의 출력단에 병렬 접속된 오픈 스터브(131) 및 마이크로 스트립 라인(132)으로 구성된다.
상기 출력정합회로(130)로부터 출력되는 상기 출력주파수(2fo)는 직류 블록 캐패시터(103)를 통해 출력포트(Output)로 전달된다.
한편, 상기 트랜지스터(102)의 게이트에는 직류(DC) 전압을 공급하기 위한 바이어스 공급부(120)가 연결되며, 상기 출력정합회로(130)의 출력단에는 상기 트랜지스터(102)의 드레인으로 직류(DC) 전압을 공급하기 위한 바이어스 공급부(150)가 연결된다. 상기 바이어스 공급부(120)는 상기 트랜지스터(102)의 게이트와 직류 전압원(VDC1) 사이에 직렬 접속된 고주파 쵸크(RF-choke) 및 입력정합회로용 마이크로 스트립 라인(121) 및 저항(122)과, 상기 직류 전압원(VDC1)에 병렬 접속된 바이패스 캐패시터(123)로 구성되며, 상기 바이어스 공급부(150)는 상기 출력정합회로(130)의 출력단과 직류 전압원(VDC2) 사이에 접속된 고주파 쵸크(RF-choke) 및 출력정합회로용 마이크로 스트립 라인(151)과 상기 직류 전압원(VDC2)에 병렬 접속된 바 이패스 캐패시터(152)로 구성된다.
또한, 상기 출력정합회로(130)의 출력단에는 출력주파수(2fo)에 대하여 입력주파수(fo)의 억압특성을 조절하기 위한 레이디얼 스터브(radial stub)(140)가 병렬로 접속된다.
그러면 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 주파수 체배기의 동작을 설명하면 다음과 같다.
상기 입력포트(Input)를 통해 제공되는 입력주파수(fo)는 상기 직류 블록 캐패시터(101)를 통해 상기 입력정합회로(110)로 전달된다. 상기 입력정합회로(110)를 통해 상기 트랜지스터(102)로 전달된 상기 입력주파수(fo)는 상기 트랜지스터(102)에 의해 체배되고, 상기 트랜지스터(102)에 의해 체배된 출력주파수(2fo)는 상기 출력정합회로(130)에 의해 출력포트(Output)로 전달된다.
상기 입력정합회로(110)의 상기 마이크로 스트립 라인(111 및 113)은 상기 입력주파수(fo) 신호가 상기 트랜지스터(102)의 입력단에 반사되지 않고 정합되도록 하며, 상기 RC 병렬회로(112)는 고주파 대역에서의 안정도를 향상시킨다. 즉, 상기 RC 병렬회로(112)의 저항(R)을 조절하여 고주파 대역에서 상기 트랜지스터(102)의 불안정한 동작이 방지되도록 한다. 이 때 저항값은 상기 트랜지스터(102)의 동작 특성에 따라 결정된다. 이와 동일한 원리로 상기 바이어스 공급부(120)의 저항(122)을 조절하여 저주파 대역에서의 안정도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 출력정합회로(130)는 체배된 출력주파수(2fo) 신호에 포함된 다른 주파수의 신호를 제거하여 출력포트(Output)로 전달하는데, 이 때 상기 레이디 얼 스터브(140)에 의해 상기 출력주파수(2fo) 신호는 아주 우수한 정합 특성과 안정도 특성을 갖게 된다. 즉, 상기 레이디얼 스터브(140)의 길이와 각도를 조절하여 상기 입력주파수(fo)가 상기 출력주파수(2fo)에 영향을 미치지 못하게 억압함으로써 출력주파수(2fo)에 대한 입력주파수(fo)의 억압 특성을 30dBc 이하로 제어할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 주파수 체배기의 출력전력 특성을 나타낸 그래프이다.
출력주파수(2fo)(76.5GHz)의 출력전력 특성(M1)과 입력주파수 (fo)(38.25GHz)의 출력전력 특성(M2)을 비교한 것으로, 억압 특성이 37dBc인 것을 알 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 주파수 체배기의 입출력 특성을 나타낸 그래프이다.
입력주파수(fo)(38.5GHz)의 입력정합 특성(M1)과 출력주파수(2fo)(77GHz)의 출력정합 특성(M2)을 나타낸다.
도 2 및 도 3을 통해 알 수 있듯이, 상기와 같이 구성된 본 발명의 주파수 체배기는 출력주파수(2fo)에 대한 입력주파수(fo)의 억압 특성과 입출력 정합 특성이 매우 우수함을 알 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브를 병렬로 연결하여 체배된 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시키므로써 입력주파수(fo)와 출력주파수(2fo)의 입출력 정합 특성이 향상된다. 그러므로 본 발명의 주파수 체배기를 단일칩으로 설계하면 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템의 구현이 가능해진다.

Claims (6)

  1. 입력주파수를 체배시키기 위한 트랜지스터;
    입력포트를 통해 제공된 상기 입력주파수를 상기 트랜지스터의 게이트로 전달하며, 상기 입력포트 및 상기 게이트 사이에 접속된 제 1 및 제 2 마이크로 스트립 라인과, 상기 제 1 및 제 2 마이크로 스트립 라인 사이에 접속된 RC 병렬 회로로 구성된 입력정합회로;
    상기 트랜지스터의 게이트 및 직류 전압원 사이에 직렬 접속된 마이크로 스트립 라인 및 저항과 상기 직류 전압원에 병렬로 접속된 캐패시터로 구성되며, 상기 트랜지스터의 게이트에 직류 전압을 공급하는 제 1 바이어스 공급부;
    상기 트랜지스터의 드레인에 병렬로 접속된 마이크로 스트립 라인 및 오픈 스터브로 구성되며, 상기 트랜지스터에 의해 체배된 출력주파수를 출력포트로 전달하는 출력정합회로;
    상기 출력정합회로에 병렬로 접속된 레이디얼 스터브로 구성되며, 상기 레이디얼 스터브의 길이와 각도에 따라 출력주파수에 대한 입력주파수의 억압 특성이 조절되는 억압 특성 조절수단; 및
    상기 트랜지스터의 드레인에 직류 전압을 공급하는 제 2 바이어스 공급부를 포함하며,
    상기 트랜지스터가 고주파 대역에서 안정적으로 동작하도록 상기 입력정합회로의 RC 병렬 회로의 저항값이 조절되고,
    상기 트랜지스터가 저주파 대역에서 안정적으로 동작하도록 상기 제 1 바이어스 공급부의 저항값이 조절되며,
    상기 출력주파수에 대한 입력주파수의 억압 특성이 30dBc 이하가 되도록 상기 레이디얼 스터브의 길이와 각도가 조절되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 주파수 체배기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 입력포트 및 상기 출력포트에 각각 연결된 직류 블록 캐패시터들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 주파수 체배기.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 바이어스 공급부는 상기 출력정합회로 및 직류 전압원 사이에 접속된 마이크로 스트립 라인과,
    상기 직류 전압원에 병렬로 접속된 캐패시터로 구성된 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 주파수 체배기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115411481B (zh) * 2022-09-07 2023-07-18 北京邮电大学 波导型集成utc-pd装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930009226A (ko) * 1991-10-10 1993-05-22 김광호 주파수 체배기
US6388546B1 (en) 1998-09-04 2002-05-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry Through The Communications Research Centre Method and apparatus for cascading frequency doublers
KR20040054435A (ko) * 2002-12-18 2004-06-25 한국전자통신연구원 초고주파 전력 증폭기
KR20050060279A (ko) * 2003-12-16 2005-06-22 세원텔레텍 주식회사 2차 주파수 체배기 및 그 설계방법
KR20190000940U (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 김태연 이탈방지구를 갖는 볼체인

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930009226A (ko) * 1991-10-10 1993-05-22 김광호 주파수 체배기
US6388546B1 (en) 1998-09-04 2002-05-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry Through The Communications Research Centre Method and apparatus for cascading frequency doublers
KR20040054435A (ko) * 2002-12-18 2004-06-25 한국전자통신연구원 초고주파 전력 증폭기
KR20050060279A (ko) * 2003-12-16 2005-06-22 세원텔레텍 주식회사 2차 주파수 체배기 및 그 설계방법
KR20190000940U (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 김태연 이탈방지구를 갖는 볼체인

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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