KR100732128B1 - A bead-varistor integrated device with different materials - Google Patents
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Abstract
본 발명은 비드와 배리스터 이종 소재의 부품을 단일화함으로써 평소에는 고주파 노이즈 필터 역할을 하고 정전기 방전이나 서어지 발생시에는 정전기 방전이나 서어지를 효과적으로 차단함으로써 회로 부품을 보호할 수 있는 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자에 관한 것이다. The present invention serves as a high-frequency noise filter in general by unifying components of beads and varistor heterogeneous materials, and bead-varistors using heterogeneous materials that can protect circuit components by effectively blocking electrostatic discharge or surge when electrostatic discharge or surge occurs. It relates to a composite device.
이러한 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 복합 다련형 비드-배리스터 복합소자는 정전기 방전이나 서어지를 차단하는 복합 소자에 있어서, 하나 이상의 배리스터 시트와 하나 이상의 비드 시트를 적층하여 구성하되, 상기 배리스터 시트는 배리스터 특성을 갖는 재료로 만들어진 시트 표면에 배리스터 특성을 갖는 캐패시터 전극을 형성하여 구성되고, 상기 비드 시트는 투자율이 높은 페라이트계 재료로 만들어진 시트 표면에 인덕터 비드 특성을 갖는 비드 전극이 형성하여 구성되며, 상기 각 시트들은 접착제로 접착하여 구성되며, In the composite multiple type bead-varistor composite device using a heterogeneous material according to the present invention, in a composite device that blocks electrostatic discharge or surge, one or more varistor sheets and one or more bead sheets are laminated, but the varistor sheet is a varistor. A capacitor electrode having varistor characteristics is formed on a sheet surface made of a material having a characteristic property, and the bead sheet is formed by forming a bead electrode having inductor bead characteristics on a sheet surface made of a ferrite-based material having a high permeability. Each sheet is composed of adhesive glue,
상기 배리스터 시트와 비드 시트에 형성되는 캐패시터 전극과 비드 전극은 각 시트의 소성 온도보다 낮은 온도에서 Cu, Ni, Pd, Pt, Ag, Au 등의 전극 재료 중 어느 하나를 후막 인쇄법으로 인쇄하여 형성하고, 상기 각 배리스터 시트와 비드 시트를 접착시키는 접착제는 에폭시 또는 폴리머 중 어느 하나를 사용하며, 상기 비드 시트와 배리스터 시트들 사이에는 절연 시트가 더 설치하고, 상기 인덕터를 구현하는 비드 전극은 직선형이거나 혹은 구불구불한 미앤더 구조로 형성하고, 상기 인덕터 비드 전극과 캐패시터 전극은 글라스 프릿을 포함한 금속 페이스트로 형성하거나 폴리머 성분을 포함한 전도성 에폭시 페이스트로 형성한다. The capacitor electrode and the bead electrode formed on the varistor sheet and the bead sheet are formed by printing any one of electrode materials such as Cu, Ni, Pd, Pt, Ag, Au, etc. by a thick film printing method at a temperature lower than the firing temperature of each sheet. The adhesive for adhering each varistor sheet and the bead sheet may be made of either epoxy or polymer, and an insulating sheet may be further disposed between the bead sheet and the varistor sheets, and the bead electrode implementing the inductor may be linear. Alternatively, the winding meander structure may be formed, and the inductor bead electrode and the capacitor electrode may be formed of a metal paste including a glass frit or a conductive epoxy paste including a polymer component.
배리스터, 노이즈 필터, 복합소자, 산화아연계, 페라이트, 비드-인덕터, 이종 복합 소재 Varistor, noise filter, composite device, zinc oxide, ferrite, bead inductor, heterogeneous composite material
Description
도 1은 종래의 페라이트 비드 및 배리스터를 이용한 고주파 노이즈 제거 및 정전기 방전 방지를 구현하기 위한 회로도의 일예이고, 1 is an example of a circuit diagram for implementing a high frequency noise cancellation and electrostatic discharge prevention using conventional ferrite beads and varistors,
도 2는 본 발명에 따른 페라이트 비드와 배리스터를 한 몸으로 제작하여 간소화시킨 비드-배리스터의 회로도의 일예이고, 2 is an example of a circuit diagram of a bead-varistor simplified by manufacturing a ferrite bead and a varistor according to the present invention in one body,
도 3은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자 중 3단자 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이고, 3 is an assembled perspective view illustrating a sheet stack structure of an example of a 3-terminal bead-varistor composite device among the bead-varistor composite devices using different materials according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 다련형 비드-배리스터 복합 소자 중 3단자 비드-배리스터 복합 소자의 일예를 도시한 사시도이고, Figure 4 is a perspective view showing an example of a three-terminal bead-varistor composite device of the multiple-type bead-varistor composite device using a heterogeneous material according to the present invention,
도 5는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자의 배리스터부의 시트 전극의 평면도이고, 5 is a plan view of a sheet electrode of the varistor portion of the bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention,
도 6은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자의 비드부의 시트 전극의 평면도이고, 6 is a plan view of the sheet electrode of the bead portion of the bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention,
도 7은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 2련형 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이고, 7 is an assembled perspective view illustrating an example sheet lamination structure of a double bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention;
도 8은 도 7에 도시한 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 2련형 비드-배리스 터 복합 소자의 외부 사시도이고, 8 is an external perspective view of a double-type bead-varistor composite device using heterogeneous materials according to the present invention shown in FIG.
도 9는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이고, 9 is an assembled perspective view illustrating an example sheet lamination structure of a quadruple bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention;
도 10은 도 9에 도시한 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 외부 사시도이고, FIG. 10 is an external perspective view of a quadruple bead-varistor composite device using heterogeneous materials according to the present invention shown in FIG. 9;
도 11은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이고, 11 is an assembled perspective view illustrating an example sheet lamination structure of a quadruple bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention;
도 12는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 다른 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이다.12 is an assembled perspective view showing another example of the sheet stack structure of the quadruple bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention.
본 발명은 비드-배리스터 복합 소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 페라이트 비드와 배리스터 이종 소재의 부품을 단일화함으로써 평소에는 고주파 노이즈 필터 역할을 하고, 정전기나 서어지 발생시에는 정전기나 서어지를 효과적으로 차단함으로써 회로 부품을 보호하는 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a bead-varistor composite device, and more particularly, by unifying the parts of the ferrite bead and the varistor heterogeneous material to act as a high-frequency noise filter, and in the event of static electricity or surge, circuit components by effectively blocking static electricity or surge. It relates to a bead-varistor composite device using a heterogeneous material to protect the.
전기, 전자 기술의 발달에 따라 많은 종류의 전기 전자 장비가 제공되고 있 다. 이러한 전기, 전자 기기 중 최근 들어 휴대전화, 가전제품, PC(Personal Computer), PDA(Personal Digital Assistant), LCD(Liquid Crystal Display) 등과 같은 전자기기가 있고, 이들은 점차 소형화되어 가고 있으며, 이러한 소형화를 위해 점차 디지털 화되고 고속화되고 있다. 이에 따라 외부에서 이상 전압과 고주파 노이즈가 전자기기의 내부 회로로 유입되어 회로가 파손되거나 신호가 왜곡되는 경우가 발생하고 있다. With the development of electric and electronic technology, many kinds of electric and electronic equipment are provided. Among these electric and electronic devices, there are electronic devices such as mobile phones, home appliances, personal computers (PCs), personal digital assistants (PDAs), liquid crystal displays (LCDs), and the like. Increasingly, digitalization is becoming faster. As a result, abnormal voltages and high frequency noises are introduced into the internal circuits of electronic devices, resulting in breakage of circuits or distortion of signals.
이러한 이상 전압과 노이즈의 원인으로는 낙뢰, 인체에 대전된 정전기(ESD)방전, 회로 내에서 발생하는 스위칭 전압, 전원전압에 포함된 전원 노이즈, 불필요한 전자기신호 또는 전자기잡음 등으로 다양하다. 이러한 이상 전압과 고주파 노이즈가 회로로 유입되는 것을 방지하기 위해 필터를 사용하고 있다.The causes of the abnormal voltage and noise are various, such as lightning strikes, electrostatic discharge (ESD) discharge to the human body, switching voltage generated in the circuit, power supply noise included in the power supply voltage, unnecessary electromagnetic signals or electromagnetic noise. The filter is used to prevent such abnormal voltage and high frequency noise from entering the circuit.
모바일 기기의 경우에는 보드 커넥터(board to board connector), 카메라 모듈 커넥터(camera module connector), 입출력 포트(I/O port), 사이드 키(side key), 마이크로폰(microphone), 스피커, 수신기(receiver) 등에 이러한 이상 전압과 노이즈가 특히 많이 발생되며, 이러한 노이즈나 이상 전압으로부터 회로를 보호하기 위해 필터 회로를 구비하고 있다. For mobile devices, board to board connector, camera module connector, I / O port, side key, microphone, speaker, receiver In particular, such abnormal voltages and noise are particularly generated, and a filter circuit is provided to protect the circuit from such noise and abnormal voltages.
그러나 모바일 기기의 기술이 발전함에 따라 송수신 및 기기 내부의 신호가 고속화, 고주파화되어 이러한 필터 회로를 통한 노이즈 감쇠효과는 점점 떨어지게 되어 신호의 왜곡이나 불필요한 고주파 노이즈의 회로 내 유입 등으로 인한 많은 문제점을 야기하게 된다. However, as the technology of the mobile device develops, the transmission / reception and the signal inside the device become high speed and high frequency, and the noise attenuation effect through these filter circuits gradually decreases, causing many problems due to signal distortion or inflow of unnecessary high frequency noise into the circuit. Cause.
따라서 통신 품질을 향상시키기 위하여 여러 가지 노이즈 대책이 필요하며 이러한 노이즈 대책 방안으로 LC 필터나 RC 필터를 이용하여 고주파 노이즈를 차단한다. Therefore, various noise countermeasures are needed to improve the communication quality and high frequency noise is blocked by using LC filter or RC filter.
일반적으로 고주파 노이즈와 정전기 방전 등을 차단하기 위하여 회로 상에 하나의 비드 혹은 인덕터와 한개 혹은 두개의 배리스터를 이용한다. In general, one bead or inductor and one or two varistors are used on a circuit to block high frequency noise and electrostatic discharge.
이러한 예를 도 1에 나타내었다. 신호의 입력단(1a) 및 출력단(1b) 사이에 페라이트로 제작된 비드(B1)를 연결하고 그 양 끝단에 두개의 배리스터(C1, C2)를 연결하여 각각의 접지(G1, G2)로 연결하였다. 이와 같이 여러 개의 소자를 이용하여 노이즈를 제거하고, 정전기방전 등을 방지하는 회로를 구성할 수 있으며, 이러한 경우 넓은 실장 공간과 여러 부품을 실장하여야 하는 번거로움을 가지고 있다.This example is shown in FIG. A ferrite bead B1 was connected between the
이러한 번거로움을 없애기 위하여 개발된 것이 위에서 열거한 3개의 부품의 특성을 하나의 부품에 집속한 것이 있다. One thing that has been developed to eliminate this hassle is that the characteristics of the three components listed above are focused on one component.
이러한 부품을 제조하기 위해서는 페라이트 및 배리스터 원료의 그린 테이프를 제작하여 적층 한 후 동시에 소성하여 제작되나, 이 경우 두 물질간의 상호 확산에 의하여 물질의 특성이 나빠지는 경향을 보인다. In order to manufacture such components, green tapes made of ferrite and varistor raw materials are manufactured, laminated, and fired at the same time, but in this case, the characteristics of the materials are deteriorated by mutual diffusion between the two materials.
또한 두 물질간의 소결 온도 및 수축률이 다를 경우 두 물질간의 접합이 이루어지지 않기 때문에 이러한 특성이 맞는 한정된 특성을 가진 물질만 사용이 가능하여 원하는 특성의 제대로 구현하기 어려운 문제점을 가지고 있다.In addition, when the sintering temperature and shrinkage ratio between the two materials are different, the bonding between the two materials is not made, so it is difficult to properly implement the desired properties because only materials having limited properties that meet these characteristics can be used.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 개발된 것으로 서, 배리스터 특성을 갖는 반도성 재료로 만들어진 커패시터 층과 페라이트 등 자성 물질로 이루어진 인덕터 층을 각각 소성하여 완성된 두 제품을 에폭시 등을 이용하여 접합하여 구성함으로서 즉, 두개의 세라믹 소자를 소결 이후에 접착함으로써 일반적으로 두 물질의 동시 소성에서 발생하는 상호 확산에 의한 특성 열화를 막을 수 있을 뿐만 아니라, 두 물질의 수축률 차이로 인한 분리 현상을 방지할 수 있으며, 이에 따라 각각의 물질의 고유한 성능을 완전히 발현 할 수 있는 고 성능의 이종소재를 이용한 다련형 비드-배리스터 복합 소자를 제공을 목적으로 한다. The present invention was developed to solve the problems of the prior art as described above, and the two products completed by firing the inductor layer made of a magnetic material such as a capacitor layer and a ferrite made of a semiconducting material having varistor properties, respectively, such as epoxy By bonding together, that is, by bonding two ceramic elements after sintering, it is possible not only to prevent the deterioration of properties due to the interdiffusion generally occurring in the simultaneous firing of two materials, but also to separate them due to the difference in shrinkage of the two materials. The purpose of the present invention is to provide a multi-layered bead-varistor composite device using high-performance heterogeneous materials capable of preventing the phenomenon and thus fully expressing the unique performance of each material.
또한, 세라믹을 소성 한 후에 전극을 형성함으로써 세라믹의 소성 온도와 관계없이 가격이 저렴하며, 전기 전도도가 높은 Ag 전극을 이용할 수 있기 때문에 저가의 이종소재를 이용한 다련형 비드-배리스터 복합 소자를 제공을 목적으로 한다. In addition, since the electrode is formed after firing the ceramic, the Ag electrode can be used at low cost regardless of the firing temperature of the ceramic and has a high electrical conductivity. The purpose.
이러한 본 발명의 목적은 정전기 방전이나 서어지를 차단하는 복합 소자에 있어서, 하나 이상의 배리스터 시트와 하나 이상의 비드 시트를 적층하여 구성하되, 상기 배리스터 시트는 배리스터 특성을 갖는 재료로 만들어진 시트 표면에 배리스터 특성을 갖는 캐패시터 전극을 형성하여 구성되고, 상기 비드 시트는 투자율이 높은 페라이트계 재료로 만들어진 시트 표면에 인덕터 비드 특성을 갖는 비드 전극이 형성하여 구성되며, 상기 각 시트들은 접착제로 접착하여 구성됨을 특징으로 하는 이종소재를 이용한 복합 다련형 비드-배리스터 복합소자에 의해 이루어진다.An object of the present invention is a composite device for preventing electrostatic discharge or surge, comprising at least one varistor sheet and at least one bead sheet laminated, wherein the varistor sheet has a varistor characteristic on the surface of the sheet made of a material having varistor properties Wherein the bead sheet is formed by forming a bead electrode having inductor bead characteristics on a sheet surface made of a ferrite-based material having a high permeability, and each sheet is formed by adhering with an adhesive. It is made by a composite multiple type bead-varistor composite device using heterogeneous materials.
또한 본 발명의 목적은 상기 배리스터 시트와 비드 시트에 형성되는 캐패시터 전극과 비드 전극은 각 시트의 소성 온도보다 낮은 온도에서 Cu, Ni, Pd, Pt, Ag, Au 등의 전극 재료 중 어느 하나를 후막 인쇄법으로 인쇄하여 형성하고, 상기 각 배리스터 시트와 비드 시트를 접착시키는 접착제는 에폭시 또는 폴리머 중 어느 하나를 사용하며, 상기 비드 시트와 배리스터 시트들 사이에는 절연 시트가 더 설치함에 의해 이루어진다. In addition, an object of the present invention is the capacitor electrode and the bead electrode formed on the varistor sheet and the bead sheet is a thick film of any one electrode material such as Cu, Ni, Pd, Pt, Ag, Au at a temperature lower than the firing temperature of each sheet The adhesive is formed by printing by printing, and the adhesive for adhering each varistor sheet and the bead sheet is made of either epoxy or polymer, and an insulating sheet is further provided between the bead sheet and the varistor sheets.
또한, 상기 인덕터를 구현하는 비드 전극은 직선형이거나 혹은 구불구불한 미앤더 구조로 형성하고, 상기 인덕터 비드 전극과 커패시터 전극은 글라스 프릿을 포함한 금속 페이스트로 형성하거나 폴리머 성분을 포함한 전도성 에폭시 페이스트로 형성함에 의해 이루어진다. In addition, the bead electrode for implementing the inductor is formed in a straight or twisted meander structure, the inductor bead electrode and the capacitor electrode is formed of a metal paste containing a glass frit or a conductive epoxy paste containing a polymer component Is made by
이하, 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 복합 다련형 비드-배리스터 복합소자의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of a composite multiple beads-varistor composite device using a heterogeneous material according to the present invention will be described in detail.
본 발명에 따른 이종소재를 이용한 복합 다련형 비드-배리스터 복합소자는 페라이트와 산화 아연계 산화물의 이종소재를 각각 제작하여 에폭시 등의 접착제를 이용하여 접합함으로써 두 가지 기능을 동시에 수행 할 수 있는 비드-배리스터 단품 혹은 다련의 비드-배리스터 복합 소자를 제공한다.Composite multi-layered bead-varistor composite device using a heterogeneous material according to the present invention is to produce a hetero material of ferrite and zinc oxide-based oxide, respectively, and beaded using an adhesive such as epoxy to perform both functions simultaneously- Varistor single or multiple bead-varistor composite devices are provided.
도 2는 본 발명에 따른 페라이트 비드와 배리스터를 한 몸으로 제작하여 간소화시킨 비드-배리스터의 회로도의 일예이다. 2 is an example of a circuit diagram of a bead-varistor simplified by manufacturing the ferrite beads and the varistor according to the present invention in one body.
도시한 바와 같이 인덕터 혹은 비드 회로(102)를 포함하는 페라이트(101)와 두개의 커패시터(104,105)를 포함하는 배리스터(103)로 이루어 졌으며, 본 발명에서는 종래의 기술에서 사용되는 동시 소성 기술과 달리 두개의 이종 소재 소자를 소성한 후 접착제를 이용하여 접합하여 복합 소자를 구현하였다. As shown, it consists of a
이렇게 소성한 후 300~400도 이하의 저온에서의 접착을 함으로써 두 세라믹 간의 상호 확산에 의한 특성 열화를 막을 수 있을 뿐 아니라, 두 물질의 소성 수축률에 의한 분리 현상을 막을 수 있는 비드-배리스터 복합 소자를 제공한다.After firing in this manner, adhesion at low temperatures of 300 to 400 degrees or less can prevent the deterioration of properties due to mutual diffusion between the two ceramics, and the bead-varistor composite device that can prevent the separation phenomenon caused by the plastic shrinkage rate of the two materials. To provide.
실시예 1Example 1
도 3은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자 중 3단자 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도로서, 도시한 바와 같이 인덕터 혹은 페라이트 비드를 제작하기 위하여 페라이트 분말과 유기 바인더 성분을 혼합하여 페라이트 슬러리를 제작하고, 제작된 슬러리는 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 그린 테이프로 제작하였으며, 그린 테이프는 원하는 두께로 적층한 후 850℃~1300℃에서 평평하게 소성하여 페라이트 세라믹 비드 시트(이하, '페라이트 시트'라 칭함)를 제작하였다. 3 is an assembled perspective view showing an example of a sheet stack structure of a three-terminal bead-varistor composite device among the bead-varistor composite device using a heterogeneous material according to the present invention, as shown in the ferrite beads to produce an inductor or a ferrite bead The ferrite slurry was prepared by mixing the powder and the organic binder component, and the prepared slurry was made of green tape by using a tape casting method. The green tape was laminated to a desired thickness and then calcined flat at 850 ° C to 1300 ° C. Ceramic bead sheets (hereinafter referred to as 'ferrite sheets') were produced.
소성 시 두께는 원하는 특성 구현에 적합하게 맞추어 소성하였고, 소성된 페라이트 시트는 정해진 크기로 절단하였다.The thickness was calcined to suit the desired properties, and the calcined ferrite sheet was cut to a predetermined size.
본 발명에서 배리스터 층을 형성하는 배리스터 시트를 제작하는데 사용된 금속 산화물들은 산화아연(ZnO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화안티몬(Sb2O3), 산화망간(Mn2O4), 산화코발트(Co3O4), 산화크롬(Cr2O3) 등을 첨가하여 만들어진다. The metal oxides used to fabricate the varistor sheet forming the varistor layer in the present invention are zinc oxide (ZnO), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), manganese oxide (Mn 2 O 4 ) , Cobalt oxide (Co 3 O 4 ), chromium oxide (Cr 2 O 3 ) and the like are added.
구체적으로는 산화아연(ZbO) 90mol%이상, 산화비스무트(Bi2O3) 0.25∼2 mol%, 산화안티몬(Sb2O3) 0.25∼2 mol%, 산화망간(Mn3O4) 0.1~1 mol%, 산화코발트(Co3O4) 0.1~1 mol%, 산화크롬(Cr2O3) 0.1~1 mol%의 범위 내에서 조절된다.Specifically, zinc oxide (ZbO) 90 mol% or more, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) 0.25-2 mol%, antimony oxide (Sb 2 O 3 ) 0.25-2 mol%, manganese oxide (Mn 3 O 4 ) 0.1- 1 mol%, cobalt oxide (Co 3 O 4 ) 0.1-1 mol%, chromium oxide (Cr 2 O 3 ) It is controlled in the range of 0.1-1 mol%.
상기와 같은 성분을 가진 혼합물은 볼밀(ball mill)방법에 의하여 혼합되었고, 600℃ 내지 800℃의 온도에서 하소 공정을 거쳐 화합물의 형태로 변화되고, 하소된 분말은 미분쇄 공정을 거쳐 분쇄한 후 유기 바인더와 알코올, 톨루엔 등과 혼합하여 슬러리 상태로 제조한다. 제조된 슬러리는 테입 캐스팅(tape casting)방법을 이용하여 시트(sheet) 형태의 성형을 실시함으로 그린시트를 얻을 수 있다.The mixture having the above components was mixed by a ball mill method, changed to a compound form through a calcination process at a temperature of 600 ℃ to 800 ℃, the calcined powder is ground through a fine grinding process The organic binder is mixed with alcohol, toluene and the like to prepare a slurry. The manufactured slurry can be obtained by forming a sheet in the form of a tape using a tape casting method.
이와 같은 산화 아연계 세라믹 그린시트를 원하는 두께로 적층하여 평평하게 소성하여 산화아연계 세라믹 시트(이하, '배리스터 시트'라 칭함)를 제작하였고, 상기의 페라이트 시트와 같은 크기로 절단하여 준비하였다.The zinc oxide-based ceramic green sheet was laminated to a desired thickness and calcined flat to produce a zinc oxide-based ceramic sheet (hereinafter, referred to as a “varistor sheet”), and cut and prepared to the same size as the ferrite sheet.
준비된 하나의 페라이트 시트(120)에 후막 인쇄법을 이용하여 은(Ag) 페이스트(paste)를 인쇄하고, 600℃~850℃의 온도에서 열처리함으로써 비드 전극(121)을 형성하고, 또 하나의 페라이트 시트(160)에도 같은 방법으로 비드 전극(161)을 형성하였다.Silver (Ag) paste is printed on the prepared
같은 크기로 절단된 배리스터 시트(130, 140)들의 상면과 배면에 같은 방법을 이용하여 커패시터용 전극인 캐패시터 전극(131, 132, 141, 142)들을 형성하였다. 이때 배리스터 시트(130, 140)의 양면에 인쇄된 캐패시터 전극(131)과 배면 접지 전극(132), 캐패시터 전극(141)과 이에 대한 배면의 접지 전극(142)에 의하여 각각의 배리스터가 형성된다.
상기 캐패시터 전극(131, 141)은 입력 및 출력단 쪽의 전극이 되고, 캐패시터 전극(132, 142)은 접지단의 전극이 된다.The
상기 전극들의 재료로는 600℃ ~ 850℃에서 소성하여 전극으로 사용하는 은 페이스트(Ag paste )뿐만 아니라 300도 이하의 저온에서 열처리하여 전기적인 전도특성을 얻을 수 있는 전도성 에폭시 등이 사용될 수 있다. As the material of the electrodes, not only a silver paste used as an electrode by firing at 600 ° C. to 850 ° C., but also a conductive epoxy that can obtain electrical conductivity by heat treatment at a low temperature of 300 degrees or less can be used.
전극이 형성된 시트들(120, 130, 140, 160)과 전극이 형성되지 않은 시트(110, 160)을 순서대로 에폭시 혹은 접착제를 이용하여 접착하고 열처리하여 경화시켜 몸체를 형성하였다. The
이 경우 4개의 시트(110, 120, 130, 140)만을 접착하여도 비슷한 성능을 가진 제품을 제작 할 수 있으며, 또 다른 조합인 시트(110, 120, 130, 150)의 시트만의 접착을 통하여도 비슷한 성능의 특성을 구현할 수 있었다.In this case, only four sheets (110, 120, 130, 140) can be glued to produce a product with similar performance. Similar performance characteristics could be achieved.
이와 같이 제작된 몸체에 은(Ag) 등 전도성 물질을 포함하는 전도성 에폭시를 이용하여 외부 전극을 형성하였는데 이와 같이 제작된 제품의 형태를 도 4에 나타내었다. The external electrode was formed using a conductive epoxy containing a conductive material such as silver (Ag) in the body manufactured as described above, and the shape of the manufactured product is shown in FIG. 4.
외부 전극이 형성된 이후 Ni과 Sn 도금을 실시하여 도 4에 도시한 바와 같은 형상을 갖는 복합 소자를 완성하였다.After the external electrode was formed, Ni and Sn plating were performed to complete the composite device having the shape as shown in FIG. 4.
상기와 같이 구성된 비드-배리스터 복합 소자는 페라이트 세라믹으로 형성된 페라이트 시트(110, 160)로 이루어진 상부시트(210)와 하부시트(220)에 존재하며, 배리스터 세라믹으로 형성된 배리스터 시트로 구성된 중앙시트(230)에 샌드위치 형 태로 구비되어 있다. The bead-varistor composite device configured as described above exists in the
비드-배리스터 복합 소자의 입력단자(212)는 페라이트 시트(120)들 사이에 있는 비드 전극(121, 161)을 통하여 출력단자(221)에 연결되어 있다.The
또한 소자의 입력단자(212)는 배리스터 시트의 일측 표면에 형성된 캐패시터 전극(131)과 연결되어 있으며, 이 캐패시터 전극(131)은 배리스터 시트(130)의 반대 면에 형성된 접지 전극(132)과 마주보고 있다. In addition, the
상기 접지 전극(132)은 접지 단자(214, 215)와 연결되어 회로상의 접지로 연결된다. The
따라서 도 2와 같이 배리스터 시트에 형성된 커패시터 전극들이 신호라인과 접지를 연결하는 구조를 갖는다. Therefore, as shown in FIG. 2, the capacitor electrodes formed on the varistor sheet have a structure connecting the signal line and the ground.
또 하나의 배리스터 시트(140) 상에 형성된 캐패시터 전극(142)은 출력단자(221)에 연결되어 있으며, 그와 대항하는 접지 전극(141)은 접지단자(214, 215)에 연결되어 신호라인과 접지라인을 연결하는 커패시터의 역할을 한다.The
회로 상으로 살펴보면 도 2의 형태를 가지고 있으며, 신호라인 상의 하나의 인덕터 비드와 그 양 끝에 접지라인으로 연결된 두개의 커패시터의 형태를 가진 전형적인 LC 노이즈 필터의 형상을 이룬다. Looking at the circuit, it has the form of FIG. 2 and forms a typical LC noise filter in the form of one inductor bead on the signal line and two capacitors connected to ground lines at both ends thereof.
따라서 신호와 더불어 고주파 노이즈가 들어올 경우 이러한 노이즈 필터를 통과하면서 노이즈는 접지를 통해 배출되고, 신호는 출력 단자를 통하여 다음 단으로 전달됨으로써 노이즈 제거 효과를 나타낸다. Therefore, when a high frequency noise comes along with the signal, the noise passes through the noise filter and is discharged through the ground, and the signal is transmitted to the next stage through the output terminal, thereby exhibiting a noise removing effect.
정전기 방전이나 서어지 같은 고전압의 노이즈가 발생하였을 경우 전술한 LC 노이즈 필터에서 커패시터의 역할을 하던 배리스터는 배리스터 본연의 자세로 돌아와 저항이 매우 낮은 단락(short circuit) 상태가 되고 이에 따라서 정전기 방전이나 서어지는 배리스터를 통하여 접지로 배출됨으로써 정전기 방전이나 서어지로부터 뒷단의 부품을 보호하는 역할을 수행한다. When a high voltage noise such as an electrostatic discharge or surge occurs, the varistor, which acted as a capacitor in the LC noise filter described above, returns to the varistor's original position and becomes a short circuit state with a very low resistance. The paper is discharged to ground through the varistor, which protects the rear part from electrostatic discharge or surge.
즉, 평소에는 고주파 노이즈필터의 역할을 하고, 정전기 방전이나 서어지의 발생시에는 회로 보호소자의 역할을 하는 복합 비드-배리스터 소자가 제공된다.That is, a composite bead-varistor device is usually provided that serves as a high frequency noise filter and serves as a circuit protection device in the event of electrostatic discharge or surge.
이러한 공정상에서 각각의 세라믹 시트들은 기타의 물질과의 반응 없이 자체적인 소결 공정을 거쳐 제조되고, 소결 온도보다 훨씬 낮은 온도에서 접합되기 때문에 두 가지 이물질 사이의 물질 교환이 이루어지지 않으며 이에 따라 동시 소성 방법에 의해 제작되는 부품에 비하여 각각의 특성을 완벽하게 구현되는 고 성능의 비드-배리스터 복합 소자가 구성된다. In this process, each ceramic sheet is manufactured through its own sintering process without reacting with other materials, and is bonded at a temperature much lower than the sintering temperature, so that there is no material exchange between the two foreign matters. High performance bead-varistor composite devices are constructed that fully realize their respective characteristics compared to the parts manufactured by
또한 완전히 소결된 이후에 접착이 이루어짐으로써 일반적으로 동시 소성 시에 발생하는 수축률 차이로 인한 두 물질 경계에서의 크랙 발생, 두 물질 간의 이탈 현상을 막을 수 있다. In addition, since the adhesion is performed after the sintering is completed, it is possible to prevent the occurrence of cracking at the boundary between two materials and the separation between the two materials due to the difference in shrinkage that occurs during co-firing.
제조 공정상에서 위와 같은 소자를 제조할 때 세라믹 시트를 소자의 크기로 잘라 인쇄하거나 접합하는 것은 거의 불가능하며, 이에 따라 본 발명에서는 소자의 크기보다 훨씬 큰 형태의 세라믹 시트를 제조하고 이를 접착제로 접착 한 후 절단하여 구성된다. When manufacturing the above devices in the manufacturing process, it is almost impossible to cut or print or bond the ceramic sheet to the size of the device, and accordingly, in the present invention, a ceramic sheet having a shape much larger than the size of the device is manufactured and bonded with an adhesive. After cutting is configured.
도 5는 배리스터 시트(310, 320)의 캐패시터 전극(311, 312, 321, 322)과 절단선(300) 등이 인쇄된 형태를 보여주며, 도 6은 페라이트 시트(410)에 형성된 비 드 전극(411)과 절단선(400)을 도시한 것이다. FIG. 5 illustrates a form in which
이와 같이 제작된 세라믹 시트들(310, 320, 410)을 도 3의 순서대로 에폭시 등 접착제를 이용하여 접착하고, 절단선(300, 400)을 따라 절단하여 소자의 몸체를 형성한 후, 바랠 연마를 통하여 귀퉁이 부분을 부드럽게 하였다.The
이와 같이 적층하여 제작된 복합 세라믹 몸체에 전도성 에폭시를 이용하여 외부 전극을 형성하고, Ni도금과 Sn 도금을 실시하여 도 4와 같은 3단자 비드 배리스터 복합 소자를 제작하였다.As described above, an external electrode was formed on the composite ceramic body manufactured by lamination using conductive epoxy, and Ni plating and Sn plating were performed to fabricate a three-terminal bead varistor composite device as shown in FIG. 4.
실시예 2Example 2
도 7은 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 2련형 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이다. 7 is an assembled perspective view showing an example sheet lamination structure of a double bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention.
도시한 바와 같이 본 발명에 따른 다련형 비드-바리스터 복합 소자는 상기한 바와 같은 방법으로 제작된 페라이트 시트(520, 560)에 각각 2개씩의 인덕터 비드용 전극(521, 522, 561, 562)을 은 페이스트를 이용하여 형성시켰다. As illustrated, the multiple bead-varistor composite device according to the present invention uses two
또한 두 장의 배리스터 시트(530, 540) 위에 커패시터 전극(531, 532, 542, 543)과 접지 전극(533, 541)을 같은 방법을 이용하여 형성하였다.In addition,
상기의 시트(510, 520, 530, 540, 550, 560)들를 순서대로 에폭시 및 접착제를 이용하여 접착하고 경화한 후, 절단하여 2련의 비드-배리스터 복합 소자의 몸체가 제작된다. The
상기에서 각 시트(510, 520, 530, 540, 550, 560)들은 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 넓은 시트에 전극을 인쇄하여 여러 개의 소자가 동시에 제작될 수 있 도록 인쇄하고 적층된 것을 절단하여 하나의 소자가 구성된다. Each of the
제작된 몸체를 연마 한 후 도 8과 같이 형태의 외부에 전극단자를 앞에서 기술한 실시예의 방법대로 형성하였다. After polishing the manufactured body was formed according to the method of the embodiment described above the electrode terminal on the outside of the shape as shown in FIG.
이러한 2련의 복합소자 역시 두 층의 페라이트 시트층(610, 620)들 사이에 배리스터 시트층(630)이 적층되어 있다. In the two composite devices, the
도시한 바와 같이 두개의 신호 입력단자(614, 616)와 두개의 출력단자(615, 617)를 가지고 있고, 배리스터 시트 층(630)내에 형성된 접지 전극(533, 541)에 연결된 두개의 접지단자(612, 621)가 형성됨으로서 하나의 소자를 실장함으로써 근접한 두개의 신호라인에 대한 노이즈 필터와 배리스터 역할을 동시에 수행함으로써 일반적으로 6개의 부품을 하나의 부품으로 줄이는 비드-배리스터 복합 소자가 제공된다.As shown, two ground terminals having two
실시예 3Example 3
도 9는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이다. 9 is an assembled perspective view showing an example sheet lamination structure of a quadruple bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention.
도시한 바와 같이, 페라이트 시트(720, 760)들 위에 형성된 인덕터 비드의 신호라인 역할을 하는 비드 전극(721~724, 761~764)들을 은 등의 도전성 페이스트를 이용하여 각각 인쇄하고, 배리스터 시트(730, 740)들 위에 커패시터용 전극(731~735, 741~745)들을 인쇄하였다.As shown, the
인쇄된 시트들을 600℃ ~ 850℃ 사이에서 열처리하였고, 도시한 바와 같은 순서로 시트들(710, 720, 730, 740, 750, 760)을 에폭시 등 접착제를 이용하여 접 합하였다.The printed sheets were heat-treated between 600 ° C. and 850 ° C., and the
접착이 완료된 시트를 정해진 크기로 절단하여 복합 소자의 몸체를 완성하고, 연마를 실시 한 후 상기의 실시 예와 같은 방법을 이용하여, 외부 전극 및 도금을 실시하였다.After completion of the adhesion sheet is cut to a predetermined size to complete the body of the composite device, and after polishing, using the same method as in the above embodiment, the external electrode and the plating was performed.
상기 도 9에 도시한 바와 같은 시트로 제작된 복합 소자의 외형을 도 10에 도시하였다.The external shape of the composite device made of the sheet as shown in FIG. 9 is shown in FIG. 10.
도시한 바와 같이 제작된 제품은 4개의 입력단자(812, 814, 816, 818)와 4개의 출력단자(813, 815, 817, 819)를 가지며, 2개의 공통 접지단자(821, 822)를 갖는 4련형 비드-배리스터를 구형할 수 있으며, 이렇게 구성될 경우 총 12개의 부품을 하나의 제품으로 완성 할 수 있다. The product manufactured as shown has four
이러한 다련의 비드-배리스터 복합 소자는 평상시 병렬의 4개의 고주파 노이즈 필터 역할을 수행하며, 정전기 방전 및 서어지 발생시 4개의 신호라인에 발생하는 고전압 노이즈를 제거하는 배리스터 역할을 수행한다.The multiple bead-varistor composite device functions as four high frequency noise filters in parallel in general, and serves as a varistor that removes high voltage noise generated in four signal lines during electrostatic discharge and surge.
실시예 4Example 4
도 11은 본 발명에 의한 또 다른 하나의 실시예로서 제조 공정은 도 9의 제조공정과 동일하게 구성되어지나, 페라이트 시트(720')상에 형성된 인덕터 비드의 신호라인 역할을 하는 비드 전극(721', 722', 761', 762')들이 도 9에 도시한 전극들과 달리 한 층에 2개씩 형성되어 있으며, 이들 전극(721', 722', 761', 762')들은 인덕턴스 값을 늘이기 위해 구불구불한 미앤더 구조를 가지고 있다.FIG. 11 is a further embodiment according to the present invention, the manufacturing process is the same as the manufacturing process of Figure 9, but the
실시예 5Example 5
도 12는 본 발명에 따른 이종소재를 이용한 4련형 비드-배리스터 복합 소자의 다른 일예의 시트 적층 구조를 도시한 조립 사시도이다.12 is an assembled perspective view showing another example of the sheet stack structure of the quadruple bead-varistor composite device using a dissimilar material according to the present invention.
본 실시예의 4련형 비드-배리스터 복합 소자는 위의 실시예들과 같은 공정을 통하여 제작된 페라이트 시트(910, 960)들 위에 각각 비드 전극(911, 912, 961, 962)을 형성하였다.In the quadruple bead-varistor composite device of the present embodiment,
또한 배리스터 시트(930, 940)들 위에 상기의 실시 예와 같은 방법으로 커패시터 전극(931~935, 941~945)들을 인쇄하여 준비하였다. In addition, the
본 실시 예에서는 페라이트 시트(910)와 배리스터 시트(930)의 접착 시에 둘 사이에 얇은 폴리머 시트 혹은 접착 시트(920)를 이용하여 접착함으로써 전체적으로 두께를 줄일 수 있다.In the present embodiment, when the
또한 페라이트 시트(910)와 폴리머 시트 혹은 접착 시트(920) 사이에 페라이트 입자를 함유한 에폭시를 이용하여 접착을 실시함으로써 비드 전극 주위에 형성되는 자속을 단속할 수 있는 형태를 취하게 할 수 있다.In addition, by performing adhesion between the
이와 같은 방식을 이용하여 시트(910, 920, 930, 940, 950, 960)들을 접착하고, 절단한 후 전극을 형성하여 그림 10에 나타난 형태의 4련형 비드-배리스터 복합 소자를 제작하였다.In this manner, the
따라서 페라이트 세라믹 시트와 배리스터 세라믹 시트를 각각 소성하여 전극을 형성 한 후 접착하여 3단자 비드-배리스터 및 다련의 비드-배리스터 복합 소자를 제작함으로써 소결 온도 및 수축률에 관계없이 다양한 페라이트 재료와 배리스터 재료를 이용한 다양한 특성의 비드 배리스터를 제작할 수 있었다. Therefore, by firing the ferrite ceramic sheet and the varistor ceramic sheet, respectively, and forming an electrode, they are bonded to produce a three-terminal bead-varistor and multiple bead-varistor composite elements. Bead varistors of various characteristics could be produced.
상기한 바와 같이 구성된 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합소자는 배리스터 특성을 가지는 산화아연계 세라믹과 투자율이 높은 페라이트 세라믹 등 두 가지 재료를 독자적으로 소결하여 전극을 형성 한 후 저온에서 접착을 실시하여 소자를 제작함으로써 이종 소재의 동시 소성시에 필연적으로 발생하는 두 물질 간의 상호 확산 현상을 막을 수 있으며, 이에 따라 상호 확산에 의한 두 물질의 특성 열화를 근본적으로 차단함으로서 고성능의 복합 소자를 제공할 수 있다. The bead-varistor composite device using a heterogeneous material configured as described above independently sinters two materials such as zinc oxide-based ceramics having varistor properties and ferrite ceramics with high permeability to form electrodes, and then performs adhesion at low temperatures. It is possible to prevent the interdiffusion phenomenon between two materials inevitably generated by simultaneous firing of dissimilar materials, thereby providing a high performance composite device by fundamentally blocking the deterioration of characteristics of the two materials due to the interdiffusion. .
또한, 소결이 완료된 세라믹 시트를 저온 공정을 이용하여 접착을 실시함으로써, 이물질 동시 소성 시 발생하는 수축률 차이로 인한 경계면의 균열(crack) 및 층 분리 현상을 근본적으로 차단하여 신뢰성 높은 제품을 제공하며, 소성 수축률의 영향을 받지 않으므로 다양한 특성을 가진 페라이트 및 배리스터 소재를 사용할 수 있어 다양한 특성을 가진 비드-배리스터 복합 소자를 제공할 수 있다.In addition, by bonding the sintered ceramic sheet using a low temperature process, it provides a reliable product by fundamentally blocking the cracks and layer separation of the interface due to the shrinkage difference that occurs during the simultaneous firing of foreign matter, Since it is not affected by the plastic shrinkage rate, ferrite and varistor materials having various characteristics can be used, thereby providing a bead-varistor composite device having various characteristics.
비드와 배리스터가 노이즈 필터의 형태를 가지고 있기 때문에 평소에는 노이즈 필터 역할을 수행하며, 정전기 방전 및 서어지 발생시 주위 회로를 보호하는 두 가지 역할을 수행하는 복합 소자를 제공하며, 다련의 소자를 제공함으로써 실장의 편이성 및 공간적인 절약 효과를 제공한다.Since beads and varistors have the form of noise filters, they usually act as noise filters, and provide a composite device that performs two roles to protect the surrounding circuits in the event of electrostatic discharge and surge. It offers ease of installation and space savings.
소결 온도에 구애 받지 않고 사실상의 내부 전극을 형성시킬 수 있기 때문에 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 등 고가의 전극 재를 배제하고, 은(Ag)과 같은 저가이며 전기전도도가 우수한 전극 재를 사용할 수 있기 때문에 저렴하고, 삽입손실이 적은 다련의 비드-배리스터 복합 소자를 제공할 수 있으며, 중간의 절연층을 매우 얇은 폴리머 혹은 접착시트를 이용하여 사용할 수 있기 때문에 전체적으로 두께가 얇은 비드-배리스터 복합 소자를 구현 할 수 있는 효과가 있다.Since internal electrodes can be formed regardless of the sintering temperature, expensive electrode materials such as palladium (Pd) and platinum (Pt) are excluded, and low-cost electrode materials such as silver (Ag) and excellent electrical conductivity can be used. It is possible to provide a plurality of bead-varistor composite devices which are inexpensive and have low insertion loss, and the thin-walled bead-varistor composite devices can be used because the intermediate insulating layer can be used using a very thin polymer or adhesive sheet. There is an effect that can be implemented.
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