KR100730381B1 - electrostatic chuck of Semiconductor wafer and liquid crystal module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 및 액정 모듈의 식각 또는 증착 공정 중에 냉각용으로 사용되는 헬륨가스를 사용할 필요가 없는 구조를 가지는 반도체 및 액정모듈 공정용 정전척에 관한 것으로; 바디의 상부에 구비되어 피가공물에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부로 이루어진 정전척에 있어서, 상기 정전기 발생부는 상기 피가공물의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 도전성(導電性) 매체가 이동하는 관체가 배치되는 제1 관체부와, 상기 제1 관체부의 일측 관체의 유로(流路) 내부로 관통되게 전극 단자로 이루어지는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process, and more particularly, a semiconductor and a liquid crystal module having a structure that does not require the use of helium gas for cooling during the etching or deposition process of the semiconductor wafer and the liquid crystal module. To a process electrostatic chuck; In the electrostatic chuck made of an electrostatic chuck provided on the upper portion of the body to generate and set the electrostatic power to the workpiece, the electrostatic generating portion maintains a predetermined interval so that the lower surface of the workpiece can be placed, the conductive medium And an electrode terminal to penetrate the inside of the flow path of one pipe of the first pipe of the first pipe and the pipe of which the pipe moves.

본 발명에 의한 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척을 사용하여 피가공물을 이용하여 반도체 및 액정모듈을 챔버 내에서 제조하는 경우 헬륨가스를 계속적으로 공급할 필요없이 도전성 매체를 순환시켜 피가공물을 냉각시켜 줌으로서 반영구적으로 사용할 수 있는 효과가 있다.When the semiconductor and the liquid crystal module are manufactured in the chamber by using the electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the present invention, the workpiece is cooled by circulating a conductive medium without continuously supplying helium gas. There is an effect that can be used semi-permanently as a zoom.

반도체, 액정, 정전척, 헬륨, 도전성 매체 Semiconductor, Liquid Crystal, Electrostatic Chuck, Helium, Conductive Media

Description

반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척{electrostatic chuck of Semiconductor wafer and liquid crystal module}Electrostatic chuck of semiconductor wafer and liquid crystal module

도 1은 종래 일반적인 정전척의 단면을 개략적으로 도시한 도면이고,1 is a view schematically showing a cross section of a conventional general electrostatic chuck,

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 측단면도이고, 2 is a side cross-sectional view of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to a first embodiment of the present invention,

도 3은 도 2에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 도전성 매체의 순환 계통을 설명하기 위해 도시한 도면이고,3 is a view illustrating a circulation system of a conductive medium of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to FIG. 2;

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 측단면도이고, 4 is a side cross-sectional view of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to a second embodiment of the present invention,

도 5는 도 4에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 도전성 매체의 순환 계통을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a circulation system of a conductive medium of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to FIG. 4.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

10: 정전척 12: 바디10: electrostatic chuck 12: body

20: 정전기 발생부 22: 제1 관체부20: static electricity generating portion 22: first tube portion

23a: 제1 유입관 23b: 제1 배출관23a: first inlet pipe 23b: first outlet pipe

24: 제2 관체부 25a: 제2 유입관24: second pipe portion 25a: second inlet pipe

25b: 제2 배출관 30: 전원부25b: second discharge pipe 30: power supply

40: 냉각수단 100,100': 도전성 매체40: cooling means 100,100 ': conductive medium

W: 피가공물 W1,W2: 전선W: Workpiece W1, W2: Wire

본 발명은 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 및 액정 모듈의 식각 또는 증착 공정 중에 냉각용으로 사용되는 헬륨가스를 사용할 필요가 없는 구조를 가지는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process, and more particularly, a semiconductor and a liquid crystal module having a structure that does not require the use of helium gas for cooling during the etching or deposition process of the semiconductor wafer and the liquid crystal module. An electrostatic chuck for a manufacturing process.

일반적으로 반도체나 PDP/OLED/LCD 등과 같은 액정모듈를 제조시에 챔버내에서 반도체 웨이퍼나 액정모듈과 같은 피가공물을 안착시키기 위한 장치를 척(CHUCK)이라고 하며, 통상적으로 척의 중심부에서 진공을 피가공물에 가해 피가공물을 고정하는 배큠척(VACUUM CHUCK)과, 척에 직류(DC) 전압을 인가하여 정전장을 형성시켜 피가공물과의 정전상호작용에 의해 피가공물를 고정하도록 하는 정전척(ELECTROSTATIC CHUCK;ESC) 등이 있다. In general, a device for mounting a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal module in a chamber in manufacturing a liquid crystal module such as a semiconductor or a PDP / OLED / LCD is called a chuck (CHUCK). A vaccuum chuck to fix the workpiece, and an electrostatic chuck to apply the direct current (DC) voltage to the chuck to form an electrostatic field to fix the workpiece by electrostatic interaction with the workpiece; ESC).

특히, 상기 정전척은 주로 피가공물의 기상증착시에 주로 사용되는데, 이러 한 정전척에는 그 흡착 방식에 따라 유니폴라(Unipolar) 또는 바이폴라(Bipolar) 등의 다양한 타입으로 나누어진다. In particular, the electrostatic chuck is mainly used for vapor deposition of the workpiece, and such an electrostatic chuck is divided into various types such as unipolar or bipolar according to its adsorption method.

이와 같은 바이폴라(Bipolar), 유니폴라(Unipolar) 등을 포함하는 종래의 정전척은 도 1에 도시한 바와 같이 알루미늄 재질의 바디(1)의 중앙 하부에서 관통하여 분기된 다수의 헬륨(He)가스 공급 라인(2)이 설치되어 있어 공정중 공정가스 등과의 반응에 의해 피가공물(W)이 과열(過熱) 손상되는 것을 방지하기 위해 가스제어부(3)의 작동에 의해 주입되는 헬륨가스를 정전척의 상면(上面)과 피가공물(W)의 하면(下面) 사이에 공급하여 피가공물(W)를 적절하게 냉각시키게 되는 구성을 취하고 있다.Conventional electrostatic chucks including such bipolars, unipolars, and the like have a large number of helium (He) gases that penetrate through a central lower portion of the aluminum body 1 as shown in FIG. 1. The supply line 2 is installed so that the helium gas injected by the operation of the gas control unit 3 is prevented from being overheated by the reaction with the process gas or the like during the process. The upper surface and the lower surface of the work W are supplied to cool the work W properly.

이때, 상기 정전척은 피가공물(W)를 냉각시키기 위해 필수적으로 헬륨가스를 사용하는데 이는 피가공물(W)의 제조 공정상의 다른 가스와 부반응을 일으키지는 않는 불활성 가스이지만, 이와 같은 헬륨가스를 주입하기 위해 정전기를 발생시키기 위한 전극(4)을 구비함과 동시에 헬륨(He)가스 공급 라인(2)이 함께 구비되어 냉각을 위해서는 계속적으로 헬륨가스를 투입해야 하는 문제점을 가지고 있었다.In this case, the electrostatic chuck essentially uses helium gas to cool the workpiece W, which is an inert gas that does not cause side reactions with other gases in the manufacturing process of the workpiece W, but injects such helium gas. In order to provide an electrode 4 for generating static electricity and at the same time a helium (He) gas supply line (2) is provided with a problem that helium gas must be continuously added for cooling.

아울러, 정전척의 상면의 부분적으로 헬륨(He)가스 공급 라인(2)의 가스가 이동할 수 있는 분사홀(5)이 상방향으로 형성되어 있어 그 간격을 촘촘히 한다고 하더라도 부분적으로 냉각되거나 하여 피가공물(W)의 제조공정시에 그 수율(收率)을 저하시키는 문제점도 가지고 있었다.In addition, the injection hole 5 through which the gas of the helium (He) gas supply line 2 can move is formed in the upper direction of the upper surface of the electrostatic chuck, even if the gap is tightly cooled or partially processed ( The manufacturing process of W) also had the problem of reducing the yield.

따라서, 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 헬륨가스를 사용하지 않고도 반도체 및 액정모듈과 같은 피가공물의 냉각을 수행할 수 있는 구조를 가지는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척을 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to solve these problems, an object of the present invention is to have a structure capable of cooling the workpiece, such as semiconductor and liquid crystal module without using helium gas electrostatic chuck for the manufacturing process To provide.

본 발명의 다른 목적은 피가공물의 하면 전체를 고르게 냉각시켜 줌으로서 반도체 또는 액정모듈의 제조시의 수율 향상을 기대할 수 있는 구조를 가지는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process having a structure that can be expected to improve the yield of the semiconductor or liquid crystal module by cooling the entire lower surface of the workpiece evenly.

본 발명은 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척에 관한 것으로; 바디의 상부에 구비되어 피가공물에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부로 이루어진 정전척에 있어서, 상기 정전기 발생부는 상기 피가공물의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 도전성(導電性) 매체가 이동하는 관체가 배치되는 제1 관체부와, 상기 제1 관체부의 일측 관체의 유로(流路) 내부로 관통되게 전극 단자로 이루어지는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an electrostatic chuck for semiconductor and liquid crystal module manufacturing process; In the electrostatic chuck made of an electrostatic chuck provided on the upper portion of the body to generate and set the electrostatic power to the workpiece, the electrostatic generating portion maintains a predetermined interval so that the lower surface of the workpiece can be placed, the conductive medium And an electrode terminal to penetrate the inside of the flow path of one pipe of the first pipe of the first pipe and the pipe of which the pipe moves.

본 발명에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척을 첨부한 도면을 참고로 하여 이하에 상세히 기술되는 실시예에 의하여 그 특징들을 이해할 수 있을 것이다.With reference to the accompanying drawings, an electrostatic chuck for semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the present invention will be understood by the embodiments described in detail below.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전 척의 측단면도이고, 도 3은 도 2에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 도전성 매체의 순환 계통을 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 측단면도이고, 도 5는 도 4에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 도전성 매체의 순환 계통을 설명하기 위해 도시한 도면이다.2 is a side cross-sectional view of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the first embodiment of the present invention, Figure 3 is to explain the circulation system of the conductive medium of the electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to FIG. 4 is a side cross-sectional view of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a circulation of the conductive medium of the electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to FIG. It is a figure shown in order to demonstrate a system.

먼저, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전척은 유니폴라(Unipolar) 타입의 정전척(10)으로서 알루미늄 재질의 바디(12)의 중앙 하측에 위치하는 받침부(14)에는 전압을 인가할 수 있는 전선(W1)이 구비되며, 상기 바디(12)의 상부에는 그 상부에 놓여지는 피가공물(W)에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부(20)가 구비된다.First, FIGS. 2 and 3 show that the electrostatic chuck according to the first embodiment of the present invention is a unipolar type electrostatic chuck 10 which is located below the center of the aluminum body 12. ) Is provided with a wire (W1) for applying a voltage, the upper portion of the body 12 is a static electricity generating unit 20 for generating and mounting a static electricity to the workpiece (W) placed on the upper portion It is provided.

여기서, 상기 정전기 발생부(20)는 도전성(導電性) 매체(100)가 이동하며 피가공물(W)의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 관체(22a)가 다수의 열로 배치되는 제1관체부(22)로만 이루어지며 제1 관체부(22)는 세라믹 또는 유리 재질로 이루어져 있어 그 자체(自體)로 유전체(誘電體)로서의 역할을 수행하게 된다.Here, the static electricity generating unit 20 maintains a predetermined interval so that the conductive medium 100 moves and the lower surface of the workpiece W can be placed thereon, and the tubular body 22a is arranged in a plurality of rows. It consists only of the tubular portion 22, and the first tubular portion 22 is made of a ceramic or glass material, and thus serves as a dielectric.

한편, 상기 제1 관체부(22)의 일측에는 '+' 또는 '-' 중에 어느 하나의 전압을 공급하기 위한전극 단자(27a)가 유로(流路)(22b) 내부로 관통되게 구비되어 전원부(30)의 전원이 공급되면 도전성 매체(100)를 통전시키게 된다.On the other hand, one side of the first tube portion 22 is provided with an electrode terminal 27a for supplying any one of '+' or '-' to penetrate into the flow path 22b and is a power supply unit. When the power supply 30 is supplied, the conductive medium 100 is energized.

이와 같은 제1 관체부(22)의 일측 유로에는 제1 유입관(23a)이 연결되고, 타측 유로에는 제1 배출관(23b)이 연결되며, 상기 제1 유입관(23a)과 제1 배출관 (23b)의 사이에는 도전성 매체(100)를 강제 순환시키기 위한 제1 펌핑수단(P1)이 구비된다.The first inflow pipe 23a is connected to one side flow path of the first pipe part 22, and the first discharge pipe 23b is connected to the other flow path, and the first inflow pipe 23a and the first discharge pipe ( A first pumping means P1 for forcibly circulating the conductive medium 100 is provided between 23b).

여기서, 상기 도전성 매체(100)는 물 또는 소금물과 같은 액체 또는 혼합액체를 사용하거나 전기전도가 가능하도록 형성되는 공지(公知)의 가스 또는 혼합가스 중에 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있다.Here, the conductive medium 100 may selectively use any one of a known gas or a mixed gas formed using a liquid or a mixed liquid such as water or brine, or capable of electrical conductivity.

이와 같은 도전성 매체(100)는 상기 제1 관체부(22)의 유로(22b) 내부로 서로 독립적으로 순환하게 되며, 이는 제1 펌핑수단(P1)의 작동에 의해 강제순환하는 기능을 수행하게 된다.The conductive medium 100 is circulated independently of each other into the flow path 22b of the first tubular portion 22, which performs a function of forced circulation by the operation of the first pumping means P1. .

이때, 상기 제1 유입관(23a)과 제1 배출관(23b)의 재질은 부도체(不導體)인 물질로 구성함으로서 시스템 구동시에 안정성을 향상시킬 수 있다.At this time, the material of the first inlet pipe (23a) and the first discharge pipe (23b) is made of a non-conductive material can improve the stability when the system is driven.

한편, 상기 바디(12)의 중앙 하부에서 지지하는 지지부(14)의 내측에는 상기 정전기 발생부(20)의 제1 관체부(22)와 연결되는 제1 유입관(23a)와 제1 배출관(23b) 및 전극 단자(27a)가 구비된다.On the other hand, the first inlet pipe 23a and the first discharge pipe connected to the first pipe part 22 of the electrostatic generator 20 are located inside the support part 14 supported by the lower center of the body 12. 23b) and electrode terminal 27a are provided.

또한, 상기 제1 배출관(23b)을 통해 이송되는 도전성 매체(100)는 일정한 잠열을 가지고 있으므로 이를 그대로 재순환시키는 경우 냉각효율이 저하될 수 있으므로 이는 냉각수단(40)을 통과시켜 줌으로서 냉각효율을 극대화 시키게 된다.In addition, since the conductive medium 100 conveyed through the first discharge pipe 23b has a constant latent heat, when it is recycled as it is, the cooling efficiency may be lowered. To maximize.

이때, 상기 냉각수단은 다수의 방열판(미도시됨)으로 이루어지거나, 또는 열전반도체를 이용하여 구성하거나 송풍팬과 같은 공지(公知)의 장치를 부가적으로 구성함으로서 순환되는 도전성 매체(100)를 냉각시켜 주게 된다. At this time, the cooling means is composed of a plurality of heat sinks (not shown), or by using a thermoelectric semiconductor or by additionally configuring a known device such as a blower fan to form a conductive medium (100) Cool it down.

이하, 도 2 및 도 3을 참고로 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 작동예를 설명한다.Hereinafter, an operation example of the electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

피가공물(W)에 대한 식각(蝕刻) 또는 증착 등과 같은 다양한 작업 중의 일예인 식각 작업을 행하는 경우에는 전원부(30)의 전원을 투입하면, 전극 단자(27a)에 전원이 투입되며, 이는 제1 관체부(22)의 유로(22b)에 채워진 도전성 매체(100)를 '+' 또는 '-' 극성(極性)을 가지게 한다.In the case of performing an etching operation, which is an example of various operations such as etching or deposition on the workpiece W, when the power of the power supply unit 30 is turned on, power is supplied to the electrode terminal 27a, which is the first one. The conductive medium 100 filled in the flow passage 22b of the tubular portion 22 has a '+' or '-' polarity.

한편, 상기 제1 관체부(22)의 재질이 유리 또는 세라믹 재질로 구성되어 유전체(誘電體, dielectric)의 기능을 하게 되어 피가공물(W)의 하부를 잡아당기는 힘으로 작용하게 된다.On the other hand, the material of the first tubular portion 22 is made of glass or ceramic material to function as a dielectric to act as a force to pull the lower portion of the workpiece (W).

이와 같은 작용을 하는 과정 중에 식각 작업을 진행시에 챔버(미도시됨) 내부에 투입되는 식각가스의 활성화를 위해 통상적으로 식각가스를 고온의 상태로 유지시켜 주게 되는데, 그에 따라 챔버 내부는 150 ~ 250℃의 고온(高溫)으로 가열된다.During this process, the etching gas is generally maintained at a high temperature to activate the etching gas that is introduced into the chamber (not shown) during the etching operation. It is heated to a high temperature of 250 ℃.

이와 같은 고온상태는 정전척(10)의 정전기발생부(20) 상부에 놓여지는 피가공물(W)의 변형을 유발하거나 수율의 감소를 유발할 수 있게 된다.Such high temperature state may cause deformation of the workpiece W placed on the static electricity generating portion 20 of the electrostatic chuck 10 or cause a decrease in yield.

한편, 상기 피가공물(W)에 전달된 고온의 열은 그 하부에 위치하는 정전기발생부(20)에 전달되며, 상기 정전기발생부(20)의 관체(22a)를 거쳐 도전성 매체(100)로 전이된다. On the other hand, the high temperature heat transferred to the workpiece (W) is transferred to the electrostatic generating unit 20 located below, to the conductive medium 100 via the tubular body 22a of the electrostatic generating unit 20. Is transferred.

따라서, 상기 정전기 발생부(20)의 제1 관체부(22) 내부에 존재하는 도전성 매체(100)의 온도는 상승하게 되며, 이는 제1 펌핑수단(P1)에 의해 순환된다.Therefore, the temperature of the conductive medium 100 existing in the first tube portion 22 of the static electricity generating portion 20 is increased, which is circulated by the first pumping means P1.

이때, 제1 배출관(23b)을 통해 순환 이송되는 도전성 매체(100)를 냉각시켜 주기 위한 냉각수단(40)이 더 구비되어 냉각효율을 극대화 시키게 된다. At this time, the cooling means 40 for cooling the conductive medium 100 circulated through the first discharge pipe (23b) is further provided to maximize the cooling efficiency.

한편, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 제2 실시예를 도시한 도면으로서, 도시한 바에 의하면 정전척(10)은 반도체 및 액정모듈을 제조하기 위해 챔버(미도시됨)내에 설치되어 피가공물(W)을 고정하는 바이폴라(bipolar) 타입의 정전척으로서, 알루미늄 재질의 바디(12)의 중앙 하측에 위치하는 받침부(14)에는 전압을 인가할 수 있는 전선(W1,W2)이 구비되며, 상기 바디(12)의 상부에는 그 상부에 놓여지는 피가공물(W)에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부(20)가 구비된다.4 and 5 illustrate a second embodiment of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the present invention. As shown, the electrostatic chuck 10 is a chamber for manufacturing a semiconductor and a liquid crystal module. It is a bipolar type electrostatic chuck installed in (not shown) to fix the workpiece W, and voltage can be applied to the supporting portion 14 located below the center of the aluminum body 12. Is provided with wires (W1, W2), the upper portion of the body 12 is provided with an electrostatic generator 20 for generating a static electricity to be placed on the workpiece (W) placed on the upper portion.

여기서, 상기 정전기 발생부(20)는 도전성(導電性) 매체(100)가 이동하며 피가공물(W)의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 관체(22a)가 다수의 열로 배치되는 세라믹(ceramic) 또는 유리 재질의 제1 관체부(22)와, 상기 제1 관체부(22)의 관체(22a) 사이에 교대로 다수의 관체(24a)가 배치되는 세라믹 또는 유리재질의 제2 관체부(24)로 이루어진다.Here, the static electricity generating unit 20 maintains a predetermined interval so that the conductive medium 100 moves and the lower surface of the workpiece W is placed, and the ceramic body 22a is arranged in a plurality of rows ( ceramic or glass second tubular portion 24a in which a plurality of tubular bodies 24a are alternately disposed between the first tubular portion 22 of a ceramic or glass material and the tubular body 22a of the first tubular portion 22. It consists of 24.

이와같은 제1 관체부(22)와 제2 관체부(24)는 세라믹재질 또는 유리로 이루어져 있어 그 자체(自體)로 유전체(誘電體)로서의 역할을 수행하게 된다.The first tubular portion 22 and the second tubular portion 24 are made of a ceramic material or glass, and thus serve as a dielectric.

한편, 상기 제1 관체부(22)의 일측에는 '+'전극 단자(27a)가 유로(流路)(22b) 내부로 관통되게 구비되고, 상기 제2 관체부(24)의 일측에는 '-'전극 단자(27b)가 유로(24b) 내부로 관통되게 구비되어 전원부(30)의 전원이 공급되면 도전 성 매체(100,100')를 통전시키게 된다.On the other hand, one side of the first tube portion 22 is provided with a '+' electrode terminal 27a penetrating into the flow path 22b, and one side of the second tube portion 24 is '-'. 'The electrode terminal 27b penetrates into the flow path 24b, and when the power of the power supply unit 30 is supplied, the conductive medium 100, 100' is energized.

이와 같은 제1 관체부(22)의 일측 유로에는 제1 유입관(23a)이 연결되고, 타측 유로에는 제1 배출관(23b)이 연결되며, 상기 제1 유입관(23a)과 제1 배출관(23b)의 사이에는 도전성 매체(100)를 강제 순환시키기 위한 제1 펌핑수단(P1)이 구비된다.The first inlet pipe 23a is connected to one flow path of the first pipe part 22, and the first discharge pipe 23b is connected to the other flow path, and the first inflow pipe 23a and the first discharge pipe ( A first pumping means P1 for forcibly circulating the conductive medium 100 is provided between 23b).

또한, 제2 관체부(24)의 일측 유로에는 제2 유입관(25a)이 연결되고, 타측 유로에는 제2 배출관(25b)이 연결되며, 상기 제2 유입관(25a)과 제2 배출관(25b)의 사이에는 상기 제1 관체부(22)를 순환하는 도전성 매체(100)와는 별개의 도전성 매체(100')를 강제 순환시키기 위한 제2 펌핑수단(P2)이 구비된다.In addition, a second inflow pipe 25a is connected to one flow path of the second pipe portion 24, and a second discharge pipe 25b is connected to the other flow path, and the second inflow pipe 25a and the second discharge pipe ( Second pumping means (P2) for forcibly circulating the conductive medium (100 ') separate from the conductive medium (100) circulating the first tubular portion (22) is provided between 25b).

여기서, 상기 도전성 매체(100,100')는 물 또는 소금물과 같은 액체 또는 혼합액체를 사용하거나 전기전도가 가능하도록 형성되는 공지(公知)의 가스 또는 혼합가스 중에 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있다.Here, the conductive medium (100, 100 ') may be any one of a known gas or mixed gas formed using a liquid or mixed liquid, such as water or brine, or to enable electrical conductivity.

이와 같은 도전성 매체(100,100')는 상기 제1 관체부(22) 및 제2 관체부(24)의 유로(22b, 24b) 내부로 서로 독립적으로 순환하게 되며, 이는 제1 및 제2 펌핑수단(P1,P2)의 작동에 의해 강제순환하는 기능을 수행하게 된다.The conductive medium 100, 100 ′ circulates independently of each other into the flow paths 22b and 24b of the first tubular portion 22 and the second tubular portion 24, which is the first and second pumping means ( Forced circulation is performed by the operation of P1 and P2).

이때, 상기 제1 및 제2유입관(23a,25a)과 제1 및 제2배출관(23b,25b)의 재질은 부도체(不導體)인 물질로 구성함으로서 시스템 구동시에 안정성을 향상시킬 수 있다.At this time, the material of the first and second inlet pipe (23a, 25a) and the first and second discharge pipe (23b, 25b) is made of a non-conductive material can improve the stability when driving the system.

한편, 상기 바디(12)의 중앙 하부에서 지지하는 지지부(14)의 내측에는 상기 정전기 발생부(20)의 제1 관체부(22)와 연결되는 제1 유입관(23a)와 제1 배출관 (23b) 및 '+'전극 단자(27a)가 구비되고, 상기 제2 관체부(24)와 연결되는 제2 유입관(25a)와 제2 배출관(25b) 및 '-'전극 단자(27b)도 구비된다.On the other hand, the first inlet pipe (23a) and the first discharge pipe (connected to the first pipe portion 22 of the electrostatic generator 20, the inner side of the support portion 14 supported from the lower center of the body 12 ( 23b) and the '+' electrode terminal 27a, and the second inlet pipe 25a, the second discharge pipe 25b and the '-' electrode terminal 27b which are connected to the second pipe part 24 are also provided. It is provided.

또한, 상기 제1 및 제2 배출관(23b,25b)을 통해 이송되는 도전성 매체(100,100')는 일정한 잠열을 가지고 있으므로 이를 그대로 재순환시키는 경우 냉각효율이 저하될 수 있으므로 이는 냉각수단(40)을 통과시켜 줌으로서 냉각효율을 극대화 시키게 된다.In addition, since the conductive medium 100, 100 ′ transferred through the first and second discharge pipes 23b and 25b has a constant latent heat, when it is recycled as it is, the cooling efficiency may be lowered, so it passes through the cooling means 40. By maximizing the cooling efficiency.

이때, 상기 냉각수단은 다수의 방열판(미도시됨)으로 이루어지거나, 또는 열전반도체를 이용하여 구성하거나 송풍팬과 같은 공지(公知)의 장치를 부가적으로 구성함으로서 순환되는 도전성 매체(100,100')를 냉각시켜 주게 된다. At this time, the cooling means is composed of a plurality of heat sinks (not shown), or a conductive medium (100,100 ') circulated by using a thermoelectric semiconductor or by additionally configuring a known device such as a blower fan. It will cool.

이하, 도 4 및 도 5를 참고로 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척의 작동예를 설명한다.Hereinafter, an operation example of an electrostatic chuck for a semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

피가공물(W)에 대한 다양한 적업 중의 일예인 식각(蝕刻) 작업을 행하는 경우에는 전원부(30)의 전원을 투입하면, '+'전극 단자(27a)와 '-'전극 단자(27b)에 전원이 투입되며, 이는 제1 및 제2 관체부(22,24)의 유로(22b,24b)에 채워진 도전성 매체(100,100')를 '+' 및 '-' 극성(極性)을 가지게 한다.In the case of performing an etching operation, which is an example of various operations on the workpiece W, when the power of the power supply unit 30 is turned on, the power is supplied to the '+' electrode terminal 27a and the '-' electrode terminal 27b. Is introduced, which causes the conductive mediums 100, 100 'filled in the flow paths 22b, 24b of the first and second tubular portions 22, 24 to have' + 'and'-'polarities.

한편, 상기 제1 및 제2 관체부(22,24)의 재질이 유리 또는 세라믹 재질로 구성되어 유전체(誘電體, dielectric)의 기능을 하게 되어 피가공물(W)의 하부를 잡아당기는 힘으로 작용하게 된다.On the other hand, the material of the first and second tubular parts 22 and 24 is made of glass or ceramic material to function as a dielectric and act as a force to pull the lower portion of the workpiece W. Done.

한편, 상기 피가공물(W)에 전달된 고온의 열은 그 하부에 위치하는 정전기발 생부(20)에 전달되며, 상기 정전기발생부(20)의 관체(22a,24a)를 거쳐 도전성 매체(100,100')로 전이된다. On the other hand, the high temperature heat transferred to the workpiece (W) is transferred to the electrostatic generator 20 located below the conductive medium (100,100) through the tubular body (22a, 24a) of the electrostatic generator 20 Transition to ').

따라서, 상기 정전기 발생부(20)의 제1 및 제2 관체부(22,24) 내부에 존재하는 도전성 매체(100,100')의 온도는 상승하게 되며, 이는 제1 및 제2 펌핑수단(P1,P2)에 의해 순환된다.Therefore, the temperature of the conductive medium 100, 100 ′ present in the first and second tubular portions 22, 24 of the static electricity generating unit 20 is increased, which is the first and second pumping means P1, Circulated by P2).

이때, 제1 및 제2 배출관(23b,25b)을 통해 순환 이송되는 도전성 매체(100,100')를 냉각시켜 주기 위한 냉각수단(40)이 더 구비되어 냉각효율을 극대화 시키게 된다. At this time, the cooling means 40 for cooling the conductive medium (100, 100 ') circulated through the first and second discharge pipe (23b, 25b) is further provided to maximize the cooling efficiency.

이상과 같이 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시예와 실질적으로 균등의 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 미친다.As described above, embodiments of the present invention have been described in detail, but the scope of the present invention is not limited thereto, and the scope of the present invention extends to the range substantially equivalent to the embodiments of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척을 사용하여 피가공물을 이용하여 반도체 및 액정모듈을 챔버 내에서 제조하는 경우 헬륨가스를 계속적으로 공급할 필요없이 도전성 매체를 순환시켜 피가공물을 냉각시켜 줌으로서 반영구적으로 사용할 수 있는 효과가 있다.As described above, when the semiconductor and the liquid crystal module are manufactured in the chamber by using the electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process according to the present invention, the conductive medium is circulated without supplying helium gas continuously. By cooling the workpiece, there is an effect that can be used semi-permanently.

아울러, 피가공물의 하면 전체를 고르게 냉각시켜 줌으로서 반도체 또는 액정모듈의 제조시의 수율을 극대화하는 효과가 있다.In addition, by cooling the entire lower surface of the workpiece evenly, there is an effect of maximizing the yield in manufacturing the semiconductor or liquid crystal module.

Claims (5)

바디(12)의 상부에 구비되어 피가공물(W)에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부(20)로 이루어진 정전척에 있어서;In the electrostatic chuck which is provided on the upper portion of the body 12 and composed of an electrostatic generator 20 for generating and mounting the electrostatic force to the workpiece (W); 상기 정전기 발생부(20)는; The static electricity generating unit 20; 상기 피가공물(W)의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 도전성(導電性) 매체(100)가 이동하는 관체(22a)가 배치되는 제1 관체부(22)와, 상기 제1 관체부(22)의 일측 관체(22a)의 유로(流路) 내부로 관통되게 전극 단자(27a)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척. A first pipe part 22 and a first pipe part 22 in which a pipe body 22a on which a conductive medium 100 is moved is disposed while maintaining a predetermined interval so that a lower surface of the workpiece W can be placed thereon; An electrostatic chuck for semiconductor and liquid crystal module manufacturing process, characterized in that the electrode terminal (27a) is formed so as to penetrate into the flow path of one side of the tube (22a). 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 관체부(22)의 일측 유로에는 제1 유입관(23a)이 연결되고, 타측 유로에는 제1 배출관(23b)이 연결되며, 상기 제1 유입관(23a)과 제1 배출관(23b)의 사이에는 도전성 매체(100)를 강제 순환시키기 위한 제1 펌핑수단(P1)가 구비되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척. A first inflow pipe 23a is connected to one flow path of the first pipe portion 22, and a first discharge pipe 23b is connected to the other flow path, and the first inflow pipe 23a and the first discharge pipe 23b are connected to each other. And a first pumping means (P1) for forcibly circulating the conductive medium (100). 바디(12)의 상부에 구비되어 피가공물(W)에 정전력을 발생시켜 안착시키기 위한 정전기 발생부(20)로 이루어진 정전척에 있어서;In the electrostatic chuck which is provided on the upper portion of the body 12 and composed of an electrostatic generator 20 for generating and mounting the electrostatic force to the workpiece (W); 상기 정전기 발생부(20)는; The static electricity generating unit 20; 상기 피가공물(W)의 하면이 놓여질 수 있도록 일정간격을 유지하며 도전성(導電性) 매체(100)가 이동하는 관체(22a)가 다수의 열로 배치되는 제1 관체부(22)와, 상기 제1 관체부(22)의 관체(22a) 사이에 교대로 배치되되 도전성 매체(100')가 이동하는 관체(24a)가 배치되는 제2 관체부(24)와, 상기 제1 관체부(22)의 일측에는 '+'전극 단자(27a)가 관체(22a)의 유로(流路)(22b) 내부로 관통되게 구비되고, 상기 제2 관체부(24)의 일측에는 '-'전극 단자(27b)가 관체(24a)의 유로(24b) 내부로 관통되게 구비되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척. A first pipe part 22 having a plurality of rows of pipe bodies 22a in which a conductive medium 100 is moved while maintaining a predetermined interval so that the lower surface of the workpiece W can be placed; The second tubular portion 24 and the first tubular portion 22, which are alternately arranged between the tubular bodies 22a of the first tubular portion 22, and on which the tubular body 24a on which the conductive medium 100 'is moved is disposed. One side of the '+' electrode terminal 27a is provided to penetrate into the flow path 22b of the tubular body 22a, and one side of the second tubular portion 24 has a '-' electrode terminal 27b. ) Is an electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process, characterized in that is provided so as to penetrate into the passage (24b) of the tube (24a). 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 관체부(22)의 일측 유로에는 제1 유입관(23a)이 연결되고, 타측 유로에는 제1 배출관(23b)이 연결되며, 상기 제1 유입관(23a)과 제1 배출관(23b)의 사이에는 도전성 매체(100)를 강제 순환시키기 위한 제1 펌핑수단(P1)가 더 구비되고, 상기 제2 관체부(24)의 일측 유로에는 제2 유입관(25a)이 연결되고, 타측 유로에는 제1 배출관(25b)이 연결되며, 상기 제2 유입관(25a)과 제2 배출관(25b)의 사이에는 도전성 매체(100')를 강제 순환시키기 위한 제2 펌핑수단(P2)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척. A first inflow pipe 23a is connected to one flow path of the first pipe portion 22, and a first discharge pipe 23b is connected to the other flow path, and the first inflow pipe 23a and the first discharge pipe 23b are connected to each other. ) Is further provided with a first pumping means (P1) for forcibly circulating the conductive medium (100), the second inlet pipe (25a) is connected to one side flow path of the second tube portion 24, the other side A first discharge pipe 25b is connected to the flow path, and a second pumping means P2 for forcibly circulating the conductive medium 100 'is further provided between the second inflow pipe 25a and the second discharge pipe 25b. Electrostatic chuck for semiconductor and liquid crystal module manufacturing process characterized in that it is provided. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 도전성 매체(100,100')는 물 또는 소금물 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척.The conductive medium (100, 100 ') is an electrostatic chuck for the semiconductor and liquid crystal module manufacturing process, characterized in that any one of water or brine.
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