KR100728920B1 - 전광식 가변형 광감쇠기 - Google Patents

전광식 가변형 광감쇠기 Download PDF

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KR100728920B1
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Abstract

본 발명은 전광식 가변형 광감쇠기, 보다 상게하게는 광학적 비선형 광섬유의 특성과 장주기 격자 쌍 또는 단주기 격자의 특성을 이용하여 전광식으로 광 감쇠를 조절하는 소자에 관한 것으로, 장주기 격자쌍이 미리 정해진 패턴으로 형성된 비선형 광섬유를 포함하는 전광식 가변형 광감쇠기와, 장주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 각각에 형성되어 전체적으로 장주기 격자쌍을 이루는 한 쌍의 광섬유 ;및 상기 한 쌍의 광섬유의 각각의 일단 사이에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하는 전광식 가변형 광감쇠기와, 단주기 격자가 미리 정해진 패턴을 따라 형성된 광섬유;및 상기 광섬유의 일단에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하는 전광식 가변형 광감쇠기와, 단주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 형성된 비선형 광섬유를 포함하는 전광식 가변형 광감쇠기를 제공한다. 여기서 상기 비선형 광섬유의 코어층은 모두 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유한다.
전광, 가변형, 광감쇠기, 비선형광섬유

Description

전광식 가변형 광감쇠기{An all-optical variable optical attenuator}
도 1은 종래 기술(기계적 방식)에 따른 가변형 광감쇠기의 예시도이다.
도 2는 다른 종래 기술(전기적 방식)에 따른 가변형 광감쇠기의 예시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 장주기 격자가 형성된 한쌍의 광섬유 사이에 비선형 광섬유가 융착된 가변형 광감쇠기(제 1실시예)를 나타내는 개념도이다.
도 4는 본 발명에 따른 장주기 격자쌍이 비선형 광섬유를 따라 형성된 가변형 광감쇠기(제 2실시예)를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명에 따른 FBG가 형성된 광섬유에 비선형 광섬유가 융착된 가변형 광감쇠기(제 3실시예)를 나타내는 개념도이다.
도 6은 본 발명에 따른 FBG가 비선형 광섬유에 형성된 가변형 광감쇠기(제 4실시예)를 나타내는 개념도이다.
도 7은 본 발명에 따른 장주기 격자가 형성된 한쌍의 광섬유 사이에 비선형 광섬유가 융착된 가변형 광감쇠기에 의한 LD의 펌프광 세기에 따른 광간섭 패턴의 이동을 나타낸다.
도 8는 본 발명에 따른 장주기 격자가 형성된 한쌍의 광섬유 사이에 비선형 광섬유가 융착된 가변형 광감쇠기에 의한 LD의 펌프광 세기에 따른 광투과도의 변 화를 나타낸다.
본 발명은 전광식 가변형 광감쇠기, 보다 상게하게는 광학적 비선형 광섬유의 특성과 장주기 격자 쌍 또는 단주기 격자의 특성을 이용하여 전광식으로 광 감쇠를 조절하는 소자에 관한 것이다.
광 감쇠기는 입사한 광의 강도에 대한 일정량의 광손실을 부여하여 감쇠된 광을 출사 시키는 수동 광 부품으로, 주로 수광 소자부에서 입사하는 광 강도를 최적값으로 조작하는 역할을 한다. 광 시스템에서 장거리 전송을 위해서는 광 출력이 높아야 하지만, 수광 소자에서는 적절한 입력신호의 세기가 요구되는데, 광 감쇠기가 이 기능을 담당하며 고정형과 가변형의 두 가지 종류로 나누어진다. 가변형 광감쇠기는 전기적 또는 기계적인 방식으로 광신호의 감쇠 정도를 외부에서 조절해 줄 수 있는 광감쇠기를 말한다. 광 감쇠기의 용도는 시스템 또는 소자의 광세기(intensity)에 대한 특성분석 등에서부터 파장분할다중(wave-length division multiplex, WDM)기반 광 교차접속에 이르기까지 다양하다. WDM 기반의 전송 및 전달망 등에서는 다수의 파장이 다중화되어 전송되며, 광세기는 각 파장별로 특정범위내로 균일하게 유지되어야 한다. 그러나 광신호 처리 과정에서 각 파장별로 소자의 증폭 및 손실특성이 다르다. 따라서 가변형 광감쇠기(variable optical attenuator)를 사용하여 각 파장별 출력광의 세기를 균일하게 만들기 위한 과정이 필요하기 때문에 감쇠의 정도를 외부에서 쉽게 조절할 수 있는 가변형 광감쇠기가 필요하다. 또한 다파장을 동시에 병렬로 처리하여야 하기 때문에 여러 개의 광감쇠기가 병렬로 집적화되기 쉬운 구조를 요구하고 있다.
광섬유에서 사용되어 온 광감쇠기로는 크게 기계적으로 이동시키는 방법과 전력을 인가하여 감쇠하는 방법이 있으며, 그 중 기계적인 방법 중 하나로는 도 1에서 나타난 바와 같이, 광섬유(11, 14)종단에 렌즈(12, 13)를 달아서 광섬유에서 공기중으로 출사될 때 평행광이 되도록 제작한 광콜리메이터(optical collimator)를 사용하고 있다. 이는 역으로 평행광으로 입사된 광을 광섬유내로 집광시키기도 한다. 광축이 일직선으로 정렬된 마주보는 두 개의 광 콜리메이터 사이에 완전 불투명한 물체(15)를 삽입하여 회전시키거나 이동시켜 두 개의 광 콜리메이터 사이에서 평행하게 지나가는 광량을 적당량 차단함으로써 광의 세기를 조절하는 방법이 있다. 그러나, 이러한 방법은 광량을 최소에서 최대로 변화시키는 데 소요되는 시간이 수 초 정도 소요되어 매우 늦은 편이다. 또한, 상기 불투명한 물체를 회전시키기 위한 모터 때문에 부피가 커지게 된다.
전력을 인가하여 가열하는 방법으로는 도 2에 도시된 바와 같이, 광 도파로에 열을 인가하여 굴절률을 변화시키는 방법이 있다. 실리콘 웨이퍼위에 실리카 또는 폴리머등으로 광이 지나갈 수 있는 인접한 두 개의 광도파로를 제작하고 그 위에 히터를 형성시킨다. 전력을 인가하여 히터를 가열하면 그 주변의 온도도 상승하 게 된다. 이 때, 광 도파로의 굴절률이 변화되고 이에 따라 인접한 두 도파로 간의 커플링 정도가 변화된다. 따라서, 인접한 도파로(B->B*)로 광이 이전되어 입력 및 출력부와 연결되어 있는 (A->A*)광량을 조절할 수 있게 된다. 그러나 이러한 방법 또한 광도파로를 제작하는 비용이 많이 들고, 광도파로와 광섬유를 연결하기 위한 공정이 필요하며, 인접한 두 도파로 간의 커플링 정도가 파장에 의존하므로 파장의존특성이 나쁜 단점이 있다.
위와 같이 종래의 전기적 또는 기계적인 방식의 가변형 광감쇠기는 정확성, 신뢰성 및 경제성면 등에 있어 만족할 만한 수준이 아니다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 기계식 또는 전기식의 가변형 감쇠기와 비교하여 정확도, 신뢰성 및 경제성 면에서 우수한 새로운 타입의 전광식 가변형 광 감쇠기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명 한 측면에 따른 구성은,
전광식(all-optical) 가변형 광 감쇠기로서,
장주기 격자 쌍이 미리 정해진 패턴으로 비선형 광섬유를 따라 형성되고,
비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유한다.
바람직하게는, 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 구성은,
전광식 가변형 광감쇠기로서,
장주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 각각에 형성되어 전체적으로 장주기 격자쌍을 이루는 한 쌍의 광섬유 ;및
한 쌍의 광섬유의 각각의 일단 사이에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하고,
비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유한다.
바람직하게는, 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 더 다른 측면에 따른 구성은,
전광식 가변형 광감쇠기로서,
단주기 격자가 미리 정해진 패턴을 따라 형성된 광섬유;및
광섬유의 일단에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하고,
비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유한다.
바람직하게는, 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 더욱 더 다른 측면에 따른 구성은,
전광식 가변형 광 감쇠기로서,
단주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 형성된 비선형 광섬유를 포함하고,
비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유한다.
바람직하게는, 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
이하 본 발명의 구성에 대해 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 가장 중요한 특징 중 하나로 비선형 광섬유를 장주기격자 사이에 넣은 이유는, LD로 펌프광을 입사해 주면 일반 광섬유와는 달리 비선형 광섬유는 이 펌프광에 따라 굴절률이 달라져 (즉, 광신호가 달리는 경로가 길어진 것과 같음) 장주기 격자에 의해 생성된 광간섭 패턴이 장파장쪽으로 이동하게 된다. 따라서 펌프광의 세기를 달리하면 굴절률의 변화 또한 달라져, 특정한 파장, 예를 들면 1550nm에서의 광투과도가 변하게 된다.
도 3에서는 0에서 35 mW까지 펌프광 세기를 변화했을 때 광감쇠가 0에서 약 20dB가 이루어진 것을 알 수 있다. 상용되는 LD가 약 500mW까지 흔하게 구할 수 있으므로 작은 파워 값에 변화가 됨을 알 수 있다.
장주기격자는 이를 지나는 광신호의 일부분이 클래딩 부분으로 빠져나가 광투과도가 어떤 파장에서 급격히 줄어드는 것이며, 본 발명의 경우 한 개를 추가하여 쌍으로 만들면 하나의 장주기 격자를 통해 클래딩모드가 진행(코어)모드에서 커플링되어 빠져나감에 따라 대역소거 형태로 광투과도가 변화되고 그런 후 클래딩모드가 다른 하나의 장주기격자를 통해 코어모드로 다시 커플링되어 두 모드의 간섭현상으로 인해 여러개로 나뉘어 지게 되는 광간섭 패턴를 나타낸다. 도 8.에서 보듯이 좁은 파장 영역에서 여러개가 나타나게 된다. 좁은 파장 영역에서 대역소거가 일어나므로 조금만 광간섭 패턴이 이동하여도 광투과도의 변화가 커서, 결국 펌프광의 세기를 작게 해도 원하는 광감쇠를 쉽게 얻을 수 있다. 즉, 장주기 격자 쌍을 이용하는 이유는 낮은 펌프광 세기에서 광감쇠의 폭을 넓히는 데 있다.
본 발명의 또 다른 특징으로, 장주기 격자쌍 (Long Period Grating Pair) 대신 단주기격자(Short Period Grating)을 사용할 수 있는 데, 단주기 격자는 Fiber Bragg Grating (FBG)라고 부르며, 이 명칭이 더 일반화 되어 있다. FBG는 격자의 주기가 0.3 ~0.5 mm인 장주기격자 보다 훨씬 적은(약 1/1000) 0.3 ~ 0.5 um의 주기를 가지는 격자이고 장주기 격자와는 달리 FBG는 코어를 통해 지나가는 광신호가 반사를 함으로써 (클래딩으로는 나가지 않음) 광투과도의 변화가 생기는 것이다. 이 경우에는 쌍을 쓸 필요가 없으며 하나만 사용하면 된다. 이것의 장점은 반사율을 최대 99.9% 이상 할 수 있어 즉, 특정 파장에서 광세기를 반사에 의해 크게 줄일 수 있다. 따라서 광투과도의 변화를 쉽게 40 dB정도까지 만들 수 있다. 이것 또한 LD의 펌프광 세기를 변화하면 광투과 스펙트럼(반사에 의해 변화된)을 이동시킬 수 있으며, 광투과도의 변화를 유도하여 VOA기능을 하게된다.
상기한 바와 같이, 장주기 격자보다 FBG가 유리하다. 장주기 격자로는 40dB정도 까지 변화시키기에 격자형성 시간이 증가하는 단점이 있다. FBG의 경우에는 광감쇠 범위를 40dB까지 증가시키기가 공정상 쉬우며, 광투과 스펙트럼의 선폭 또한 쉽게 조절할 수 있는 장점이 있다.
(실시예 1 및 2)
광학적 비선형 광섬유의 특성은 펌핑의 세기에 따라 굴절률과 그에 따른 투과 특성이 바뀌는 것이며, 장주기 격자의 특성은 광섬유에 격자를 형성하였을 경우 입력광의 일부가 클래딩 모드로 커플링되어 광손실이 발생되는 것이다.
이렇게 비선형 광섬유를 장주기격자가 형성된 광섬유와 연결하거나 또는 직접 비선형 광섬유에 장주기격자를 형성하여, LD 펌핑 세기에 따라 광신호의 손실스펙트럼을 이동함에 의해 새로운 전광식 가변형 광 감쇠기를 제작할 수 있다.
우선 도 3을 참조하여 본 발명의 제 1실시예에 대해서 설명하면, 본 실시예에 있어서, L=30,5cm L1=25.5cm 및 L2=2.5cm로 하였으며 그리고 d=0.5~1cm로 하였다. 본 실시예에 있어서는 Yb 도핑 광섬유(Yb-doped fiber)를 사용하였는데, 이 Yb 도핑 광섬유는 비선형 광섬유의 한종류로 장주기격자 (LPG) 한쌍 사이에 융착하여 연결시켜 제작한다.
그 다음, 도 4를 참조하여 본 발명의 제 2실시예에 대해서 설명하면, L, L1, L2 및 d를 제 1실시예에서와 동일하게 하였다. Ge를 포함하는 비선형 광섬유의 코어에 자외선 노광을 하여 직접 장주기 격자쌍을 새겨 제작한다.
상기한 바와 같이 제작된 본 발명의 제 1 및 제 2실시예에 의한 전광식 가변형 광감쇠기에 파장 980nm의 LD로 광파워를 0부터 56 mW까지 증가시키면서 WDM커플러를 이용해 펌핑하면, ASE로 입사된 광신호가 두개의 장주기격자 (LPG)에 의해 생 성된 광간섭 패턴 (파장에 따른 광투과도 혹은 광흡수도의 주기적인 변화)이 장파장 쪽으로 이동을 하게 된다(도 8 참조). 이때 광간섭 패턴의 이동은 우측의 OSA를 통해서 측정한다. 이러한 이동된 광투과도의 변화를 일정한 파장에서 측정하면 LD의 광파워에 따른 광투과도의 변화 즉, 광감쇠값(dB)의 변화를 알 수 있다(도 8 참고).
결국, 도 3과 같은 VOA구성에서 LD의 파워를 변화시키면 원 광신호 (도 8에서는 1550nm 근처)에서 광감쇠를 이룩할 수 있다.
도 8에서 원하는 파장을 선택하여 투과도의 변화를 그릴 수 있으며, 도 8에서는 4 파장을 선택하여 함께 나타내었다. 원하는 파장을 1개 혹은 다수를 선택할 수 있다.
여기서, 1550nm 파장영역의 광신호를 내는 ASE를 사용하였기 때문에 1550nm근방의 광간섭 패턴을 얻었을 뿐, 1310nm 파장영역의 광신호를 내는 경우 1310nm에서의 광간섭 패턴을 얻을 것이며 LD의 펌프광 세기를 달리하면 또한 이파장에서도 가변형 광감쇠를 할 수 있다.
(실시예 3 및 4)
광학적 비선형 광섬유의 특성은 펌핑의 세기에 따라 굴절률과 그에 따른 투과 특성이 바뀌는 것이며, 단주기 격자의 특성은 코어를 통해 지나가는 광신호가 반사를 함으로써 (클래딩으로는 나가지 않음) 광투과도의 변화가 생기는 것이다.
이렇게 비선형 광섬유를 단주기격자가 형성된 광섬유와 연결하거나 또는 직접 비선형 광섬유에 단주기격자를 형성하여, LD 펌핑 세기에 따라 광신호의 손실스 펙트럼을 이동함에 의해 새로운 전광식 가변형 광 감쇠기를 제작할 수 있다.
먼저, 도 5를 참조하여 본 발명의 제 3실시예에 대하여 설명하면, 본 실시예에 있어서는, L=28cm, L1=25.5cm 및 L2 =2.5cm로 하며, d=0.5~1cm로 하였다. 본 실시예에 있어서는 Yb 도핑 광섬유(Yb-doped fiber)를 사용하였는데, 이 Yb 도핑 광섬유는 비선형 광섬유의 한종류로 단주기격자 (FBG)가 새겨진 광섬유의 일단에 융착하여 연결시켜 제작한다.
그 다음, 도 6를 참조하여 본 발명의 제 4실시예에 대하여 설명하면, 본 실시예에 있어서는, L, L1, L2 및 d를 제 3실시예에서와 동일하게 하였다. Ge를 포함하는 비선형 광섬유의 코어에 자외선 노광을 하여 직접 단주기 격자쌍을 새겨 제작한다.
상기한 바와 같이 제작된 본 발명의 제 3 및 제 4실시예에 의한 전광식 가변형 광감쇠기는 반사율을 최대 99.9% 이상 할 수 있어 즉, 특정 파장에서 광세기를 반사에 의해 크게 줄일 수 있다. 따라서 광투과도의 변화를 쉽게 40 dB정도까지 만들 수 있다. 이것 또한 LD의 펌프광 세기를 변화하면 광투과 스펙트럼(반사에 의해 변화된)을 이동시킬 수 있으며, 광투과도의 변화를 유도하여 VOA기능을 하게된다.
본 발명에 의하면, 종래의 기계식 또는 전기식의 가변형 감쇠기와 비교하여 정확도, 신뢰성 및 경제성 면에서 우수한 새로운 타입의 전광식 가변형 광 감쇠기 를 얻을 수 있다.

Claims (16)

  1. 전광식 가변형 광 감쇠기로서,
    장주기 격자쌍이 미리 정해진 패턴으로 형성된 비선형 광섬유를 포함하고,
    상기 비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  5. 전광식 가변형 광감쇠기로서,
    장주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 각각에 형성되어 전체적으로 장주기 격자쌍을 이루는 한 쌍의 광섬유 ;및
    상기 한 쌍의 광섬유의 각각의 일단 사이에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하고,
    상기 비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  9. 전광식 가변형 광감쇠기로서,
    단주기 격자가 미리 정해진 패턴을 따라 형성된 광섬유;및
    상기 광섬유의 일단에 융착되는 비선형 광섬유를 포함하고,
    상기 비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  12. 제 9항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  13. 전광식 가변형 광 감쇠기로서,
    단주기 격자가 미리 정해진 패턴으로 형성된 비선형 광섬유를 포함하고,
    상기 비선형 광섬유의 코어층은 나노미터 크기의 반도체 미립자, 나노미터 크기의 금속 미립자, 또는 희토류 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, PbSe, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Au, Ag, Cu 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로하는 전광식 가변형 광감쇠기.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Er, Nd, Yb, Tb, Pr, Eu, Dy, Tm, Ho, Sm 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전광식 가변형 광감쇠기.
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