KR100726139B1 - 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 매우 얇은 두께의 측면형 발광다이오드 패키지 및 반사판을 구현하기 위한 것이다.

이를 위하여 본 발명은, 베이스 기판에 (+)(-)단자부와 칩 안착부를 펀칭하고, 펀칭 영역의 외벽과 (+)(-)단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성하는 단계; (+)(-)단자부에 베어칩을 장착하고 전기적 연결을 위한 와이어 본딩을 실시하는 단계; 베이스 기판의 전면에 형광체-에폭시 혼합물을 도포 및 경화시켜 형광층을 형성하는 단계; 형광층에 부분 절단을 실시하여 베이스 기판 상에 일정하게 배열되는 다수 개의 형광체 블럭을 형성하는 단계; 형광체 블럭의 표면에 금속을 증착하여 반사막을 형성하는 단계; 형광체 블럭의 상부 표면에 증착된 반사막을 제거한 후 필요한 크기에 맞게 베이스 기판을 각각 절단하여 원하는 크기의 발광다이오드 패키지를 형성하는 단계를 포함하여, 소형화 및 경량화된 전자부품에 적합한, 유닛형 패지키, 멀티 패키지 등의 다양한 패키지의 구현을 가능하게 한다.

측면형, 발광다이오드, 형광체 블럭, 세라믹, 베이스 기판

Description

측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{Side view type Light Emitted Diode package and Fabricating method thereof}

도 1은 종래 측면형 발광다이오드 패키지의 사시도

도 2는 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지를 구성하는 베이스 기판의 사시도 및 일부 확대도

도 3은 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조공정에서의 형광층 형성공정도

도 4는 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조공정에서 부분 절단 및 반사판 형성공정 이후의 기판 사시도와 일부 확대도

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 의해 제조 가능한 유닛형 패키지와 모듈형 패키지와 도트매트릭스형 패키지의 사시도

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 베이스 기판 10a : 하부 하우징

11 : 리드부 12 : 칩 안착부

13,14 : 단자부 15 : 도금막

40 : 외벽 50 : 형광층

50a : 형광체 블럭 60 : 반사막

본 발명은 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드 패키지에 실장된 반사판의 재질 및 구조를 개선하여 전자부품의 소형화 및 경량화 추세에 따라 매우 얇은 두께를 갖는 카메라 플래시 또는 핸드캐리어 플래시 또는 백라이트유닛에 적합하게 사용될 수 있도록 한 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 발광다이오드는 반도체의 P-N 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어를 만들어내고 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. 즉 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.

이러한 발광다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있으므로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.

특히 정보통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, 발광다이오드도 표면 실장장비(Surface Mount Device)를 통해 인쇄회로기판에 직접 실장하기 위하여 표면 실장형으로 만들어지고 있다.

이러한 SMD 방식의 발광다이오드 패키지는 그 사용도에 따라 탑뷰(Top view) 방식과 사이드뷰(Side view) 방식으로 제조된다. 상기 SMD 방식의 발광다이오드 패키지는 주로 휴대폰에 사용되는 액정 디스플레이용 백라이트 유닛으로 사용되고 있는데, 일반적으로 발광다이오드는 정전기 또는 역전압에 취약한 것으로 알려져 있다.

따라서 이러한 발광다이오드의 취약성을 보완하기 위하여 역방향으로 전류가 흐를 수 있는 수단을 제공하고 있으며, 그러한 수단으로 바람직하게는 제너다이오드를 발광다이오드 칩과 병렬로 연결함으로써 정전기에 효율적으로 대응하도록 하고 있다.

즉, 양극과 음극에 발광다이오드 및 제너다이오드를 실장하고, 이 발광다이오드와 제너 다이오드를 금(Au)성분의 와이어 등으로 서로 연결함으로써 병렬구조를 갖도록 한다.

이러한 제너 다이오드는 일명 정전압 다이오드라고도 하며, 반도체 P-N접합다이오드의 하나로서, P-N접합의 항복영역에서 동작 특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. 그리고 제너 회복현상을 이용하여 일정 전압을 얻는 소자이며, 실리콘의 P-N접합에서 전류 약 10[mA]로 동작하고 품종에 따라 3-12[V]의 정전압을 얻을 수 있는 다이오드이다.

따라서 발광다이오드에 이러한 제너다이오드를 와이어 등에 의하여 병렬로 연결함으로써 정전기로 인하여 역방향의 전류가 인가되어도 상기 제너다이오드에 의하여 손상을 방지할 수 있다.

그리고 제너 다이오드에 의한 정전기대응구조의 회로는 기판에 직접 실장하 거나 리드 프레임을 통하여 실장할 수 있다.

이러한 방식 중 기판에 실장하는 방식은 발광 다이오드와 제너 다이오드를 연결하기 위한 와이어의 본딩 영역이 충분히 확보되므로 공간의 제약을 받지 않고 연결할 수 있다.

그러나, 기판에 실장되는 방식이 아닌 리드 프레임 방식상에 발광다이오드와 제너다이오드를 실장하는 경우에는 리드 프레임의 크기가 작으므로 와이어를 본딩하기 위한 영역이 충분하지 못한 문제점이 있다.

결과적으로 리드 프레임 방식의 발광다이오드 패키지는 공간의 제약으로 인하여 실장공정을 신속하게 진행할 수 없고 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.

따라서 종래에는 리드 프레임의 본딩영역을 확장하여 리드 프레임상의 좁은 공간에서도 발광다이오드와 제너다이오드의 실장을 용이하게 하는 측면형 발광다이오드 패키지가 개발되었다.

도 1은 종래 측면형 발광다이오드 패키지의 사시도로서, 금속재(LEAD FRAME) 및 합성수지를 사용하여 다수개의 상부 하우징(30a)과 하부 하우징(10a)이 각각 배열된 두 개의 층(10,30)을 접합 가공하여 패키지를 몰딩한 후 트리밍(TRIMMING) 공정 및 포밍(FORMING) 공정을 걸쳐 인쇄회로기판 또는 전극에 연결되는 리드부(11)를 형성함으로써, 발광다이오드 패키지를 형성할 수 있게 된다.

상기 발광다이오드 패키지는 상기 하부 하우징의 상측에 상부 하우징이 배설된 후 가열 압착에 의해 상기 하부 하우징과 일체가 된다. 여기서 상기 상부 하우징은 내부가 관통되는 공동(32)을 형성하여 관통면으로 조사된 발광다이오드 칩의 광을 반사하는 반사체역할을 한다. 이를 위해 상기 상부 하우징의 공동(32) 내부에는 발광다이오드 칩에서 발산된 빛을 효과적으로 발산하기 위한 광반사 물질을 도포되어야 하며, 이러한 광반사 물질 도포공정이 추가로 수행된다.

그러나 이와 같이 구성되는 종래의 측면형 발광다이오드 패키지는 최근의 전자부품의 소형화 및 경량화 추세에 적합하지 않을 뿐만 아니라 단자부의 형성 및 멀티 패키지의 구현이 어렵고, 패키지 어레이의 구현 및 패키지 모듈화가 어려워 가격 경쟁력이 저하되고 다양한 패키지를 구현하는데에 현실성이 저하되는 등의 문제점이 과제로 남아있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자부품의 소형화 및 경량화 추세에 따른 매우 얇은 두께를 갖는 측면형 발광다이오드 패키지 및 반사판을 구현하여, 카메라 플래시, 핸드캐리어 플래시, 백라이트유닛의 광원으로 사용될 수 있도록 한 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 특징은, (a) 베이스 기판에 (+)(-)단자부와 칩 안착부를 펀칭하고, 펀칭 영역의 외벽과 (+)(-)단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성하는 제1단계; (b) (+)(-)단자부에 베어칩을 장착하고 전기적 연결을 위한 와이어 본딩을 실시하는 제2단계; (c) 베이스 기판의 전면에 형광체-에폭시 혼합물을 도포 및 경화시켜 형광층을 형성하는 제3단계; (d) 형광층에 부분 절단을 실시하여 베이스 기판 상에 일정하게 배열되는 다수 개의 형광체 블럭을 형성하는 제4단계; (e) 형광체 블럭의 표면에 금속을 증착하여 반사막을 형성하는 제5단계; (f) 형광체 블럭의 상부 표면에 증착된 반사막을 제거한 후 필요한 크기에 맞게 베이스 기판을 각각 절단하여 원하는 크기의 발광다이오드 패키지를 형성하는 제6단계를 포함하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법이다.

상기 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법에서, 상기 제1단계는 상기 베이스 기판의 펀칭 영역 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 은 페이스트로 도금막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있을 것이다.

또한 상기 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법에서, 상기 제 3단계는 형광층을 형성하기 이전에 상기 와이어 본딩이 완료된 베이스 기판의 외곽 부위에 COB(Chip on Board) 에폭시와 합성수지를 이용하여 외벽을 형성하는 단계를 포함하여 상기 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지가 외벽을 포함하는 구조로 형성할 수 있을 것이며, 또는 상기 형광체 및 실리콘 에폭시 혼합물을 프린팅 방식으로 전면 도포하여 형광층을 형성할 수 있을 것이다.

상기 본 발명에서 형성되는 형광체 블럭은 형광체와 실리콘 에폭시가 믹싱된 혼합물로 형성될 수 있을 것이며, 또는 상기 베이스 기판의 층상에 장착된 각 베어칩에 대응되는 개수로, 또는 단위 패키지의 크기로 형성될 수 있을 것이다.

상기 본 발명에서 사용되는 베이스 기판은 세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 것이 바람직할 것이다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징은, 미리 정해진 위치에 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성한 베이스 기판; 상기 도금막이 형성된 베이스 기판의 단자부에 장착되며 전기적인 연결을 위해 상기 (+)(-) 단자부에 와이어 본딩된 베어칩(bare chip); 상기 베어칩이 실장된 베이스 기판의 층상에 형성되는 형광체 블럭; 상기 형광체 블럭의 측면에 형성된 반사막을 포함하는 측면형 발광다이오드 패키지 유닛이다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 특징은, 미리 정해진 위치에 다수 개의 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성한 베이스 기판; 상기 도금막이 형성된 베이스 기판의 각 단자부에 장착되며 전기적인 연결을 위해 상기 (+)(-) 단자부에 일정하게 배열되어 와이어 본딩된 다수의 베어칩(bare chip); 상기 베어칩이 실장된 베이스 기판의 층상에 형성되는 형광체 블럭; 상기 형광체 블럭의 측면에 형성된 반사막을 포함하는 측면형 발광다이오드 패키지이다.

상기 본 발명의 목적과 특징 및 장점은 첨부도면 및 다음의 상세한 설명을 참조함으로서 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예의 구성 및 그 작용 효과에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지를 구성하는 베이스 기판의 사시도와 일부 확대도로서, 본 발명에 의한 제조공정에서는, 우선 도 2에 도시된 바와 같이 (a) 세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 베이스 기 판(10)을 준비하여, 그 기판의 가장 자리를 제외한 미리 정해진 위치에 다수 개의 (+)(-)단자부(13)(14)와 칩 안착부(12)를 펀칭한 후, 상기 펀칭된 칩 안착부(12)의 외벽과 (+)(-)단자부(13)(14)에 은 페이스트로 도금막(15)을 형성하는 제1단계의 제조공정을 실시하고, 다음으로 (b) 상기 (+)(-)단자부에 베어칩(bare chip)을 장착하고 이들 단자부들과 베어칩의 리드 사이에 와이어 본딩을 실시하여 베어칩과 기판상의 단자부들을 전기적 연결하는 제2단계의 공정을 실시함으로써, 향후에 측면형 발광다이오드 패키지의 하부 하우징(10a)(도 5a)으로 가공될 수 있는 베이스 기판(10)을 제조한다.

도 3은 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조공정에서의 형광층 형성공정 예시도로서, 본 발명에 의한 제조공정에서는, 도 3에 도시된 바와 같이 (c) 상기 베어칩 실장 및 와이어 본딩이 완료된 베이스 기판(10)의 전면에 형광체와 실리콘 에폭시가 믹싱된 혼합물을 도포 및 경화시키는 제3단계의 제조공정을 실시함으로써, 측면형 발광다이오드 패키지의 상부 하우징인 형광체 블럭(50a)(도 5a)으로 가공될 수 있는 형광층(50)을 형성한다. 이 공정에서는 특히 형광체 및 실리콘 에폭시 혼합물을 프린팅 방식으로 전면 도포하여 형광층(50)을 형성할 수 있게 된다.

또한 상기 제 3단계의 제조공정에서는 선택적으로 상기 베어칩 실장 및 와이어 본딩이 완료된 베이스 기판(10)의 외곽 부위에 COB(Chip on Board) 에폭시와 합성수지를 이용하여 외벽(40)을 형성하는 단계를 상기 형광층(50)을 형성하기 이전단계에서 먼저 실시함으로써, 형광층의 제조공정이 보다 용이하게 이루어질 수 있 게 된다.

도 4는 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 제조공정에서 부분 절단 및 반사막 형성공정 이후의 기판 사시도와 일부 확대도로서, 본 발명에 의한 제조공정에서는 (d) 상기 베이스 기판의 층상에 형성된 형광층(50)과 외벽(40)에 절단장비 등을 이용하여 부분 절단(half-cutting)하는 제4단계의 공정을 실시함으로써, 베어칩이 실장된 베이스 기판(10) 상에 구현하고자 하는 배열로 일정하게 정렬되는 다수 개의 형광체 블럭(50a)을 형성할 수 있게 된다. 물론, 이때 상기 형광체 블럭은, 상기 베이스 기판의 층상에 장착된 각 베어칩에 대응되는 개수로, 또는 단위 패키지의 크기로 형성할 수 있게 된다.

그리고나서 상기 제 4단계의 제조공정이 완료된 (e) 상기 형광체 블럭(50a)의 표면(상면과 측면 등)에 진공 증착방법으로 알루미늄 또는 니켈 등의 금속을 증착하여 반사막(60)을 형성하는 제5단계의 공정을 실시한 후, 다시 (f) 상기 형광체 블럭(50a)의 표면에 형성된 반사막 중에서 측면에 형성된 반사막(60)을 제외한 상부 표면의 반사막을 제거하고, 마지막으로 필요한 크기에 맞게 베이스 기판을 각각 절단하여 원하는 크기의 발광다이오드 패키지를 형성하는 제6단계의 공정을 실시하여 칩에서 방출되는 빛이 츠형광체 블럭의 측면에 형성된 반사막을 통해 반사되고, 형광체 블럭의 상부 표면을 통해 방출될 수 있는 원하는 크기의 측면형 발광다이오드 패키지를 형성할 수 있게 된다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 의해 제조 가능한 유닛형 패키지와 모듈형 패키지와 도트매트릭스형 패키지의 사시로서, 도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 의해 제 조 가능한 측면형 발광다이오드 패키지의 예시도로서, 도 2a는 유닛형 발광다이오드 패키지이고, 도 2b는 모듈형 발광다이오드 패키지이고, 도 2c는 도트 매트릭스형 발광다이오드 패키지이다.

도 5a에 도시된 바와 같은, 유닛형 발광다이오드 패키지는, 세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 단일의 하부 하우징(10a)에 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 (+)(-)단자부 및 칩 안착부에 은으로 구성된 도금막(도면에는 미도시됨)이 형성되며, 상기 도금막이 형성된 단자부와 베어칩 간에는 전기적인 연결을 위해 와이어 본딩되어 구성되고, 상기 하부 하우징의 상부에는 측면에 반사막이 형성된 형광체 블럭(50a)이 상부 하우징으로 프린팅되어 구성됨으로써, 소형화 및 경량화된 전자부품에 적합한 패지키를 쉽게 구현할 수 있게 된다.

도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같은, 모듈형 발광다이오드 패키지 및 도트 매트릭스형 발광다이오드 패키지는, 세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 다수 개의 하부 하우징(10a)에 각각의 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 각각의 (+)(-)단자부 및 칩 안착부에 은으로 구성된 도금막(도면에는 미도시됨)이 각각 형성되며, 상기 각 도금막이 형성된 각각의 단자부와 각 베어칩 간에는 전기적인 연결을 위해 와이어 본딩되어 구성되고, 상기 각 하부 하우징의 상부에는 측면에 반사막이 형성된 다수 개의 형광체 블럭(50a)이 상부 하우징으로 프린팅되어 구성됨으로써, 상기 유닛형 패키지는 물론, 멀티 패키지 등의 다양한 패키지의 구현 뿐만 아니라 패키지 모듈화를 용이하게 한다.

이상의 본 발명에 의한 측면형 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법은 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 형태로 변형, 응용 가능하다. 따라서 상기 실시예와 도면은 발명의 내용을 상세히 설명하기 위한 목적일 뿐, 발명의 기술적 사상의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니므로, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위뿐만이 아니라 그와 균등한 범위를 포함하여 판단되어야 한다.

이상의 본 발명에 의하면, 세라믹 등으로 이루어진 하부 하우징에 (+)(-)단자부와 칩 안착부의 펀칭 및 와이어 본딩 공정이 실시되고, 하부 하우징의 상부에 측면 반사막이 형성된 형광체 블럭을 상부 하우징으로 프린팅하여 구성할 수 있게 되므로, 소형화 및 경량화된 전자부품에 적합한 유닛형 패지키를 쉽게 구현할 수 있게 이점이 있으며, 이러한 유닛형 패키지는 물론, 멀티 패키지 등의 다양한 패키지의 구현 뿐만 아니라 패키지 모듈화를 용이하게 하는 등의 이점을 얻을 수 있게 된다.

Claims (13)

1. (a) 베이스 기판에 (+)(-)단자부와 칩 안착부를 펀칭하고, 펀칭 영역의 외벽과 (+)(-)단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성하는 제1단계;

   (b) (+)(-)단자부에 베어칩을 장착하고 전기적 연결을 위한 와이어 본딩을 실시하는 제2단계;

   (c) 베이스 기판의 전면에 형광체-에폭시 혼합물을 도포 및 경화시켜 형광층을 형성하는 제3단계;

   (d) 형광층에 부분 절단을 실시하여 베이스 기판 상에 일정하게 배열되는 다수 개의 형광체 블럭을 형성하는 제4단계;

   (e) 형광체 블럭의 표면에 금속을 증착하여 반사막을 형성하는 제5단계;

   (f) 형광체 블럭의 상부 표면에 증착된 반사막을 제거한 후 필요한 크기에 맞게 베이스 기판을 각각 절단하여 원하는 크기의 발광다이오드 패키지를 형성하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제3단계는,

   상기 형광층을 형성하기 이전에 상기 와이어 본딩이 완료된 베이스 기판의 외곽 부위에 COB(Chip on Board) 에폭시와 합성수지를 이용하여 외벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1단계는,

   상기 베이스 기판의 펀칭 영역의 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 은 페이스트로 도금막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제3단계는,

   상기 형광체 및 실리콘 에폭시 혼합물을 프린팅 방식으로 전면 도포하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 제4단계는,

   상기 형광체 블럭을 단위 패키지의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지 제조방법.
7. 미리 정해진 위치에 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성한 베이스 기판;

   상기 도금막이 형성된 베이스 기판의 단자부에 장착되며 전기적인 연결을 위해 상기 (+)(-) 단자부에 와이어 본딩된 베어칩(bare chip);

   상기 베어칩이 실장된 베이스 기판의 층상에 형성되는 형광체 블럭;

   상기 형광체 블럭의 측면에 형성된 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
8. 미리 정해진 위치에 다수 개의 (+)(-)단자부와 칩 안착부가 펀칭되고, 상기 펀칭 영역의 외벽과 단자부 및 칩 안착부에 도금막을 형성한 베이스 기판;

   상기 도금막이 형성된 베이스 기판의 각 단자부에 장착되며 전기적인 연결을 위해 상기 (+)(-) 단자부에 일정하게 배열되어 와이어 본딩된 다수의 베어칩(bare chip);

   상기 베어칩이 실장된 베이스 기판의 층상에 형성되는 형광체 블럭; 및

   상기 형광체 블럭의 측면에 형성된 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
9. 제7항 또는 제 8항에 있어서,

   상기 베이스 기판의 외곽 부위에 COB(Chip on Board) 에폭시와 합성수지로 형성된 외벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
10. 제7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 형광체 블럭은,

    형광체와 실리콘 에폭시가 믹싱된 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
11. 제7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 형광체 블럭은,

    상기 베이스 기판의 층상에 장착된 각 베어칩에 대응되는 개수로 형성되는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
12. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 형광체 블럭은,

    단위 패키지의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.
13. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 베이스 기판은,

    세라믹 또는 하드(hard) 인쇄회로기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면형 발광다이오드 패키지.

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