KR100723413B1 - 데이터 기록 및 읽기용 멀티 프로브와 그 동작 방법 - Google Patents

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KR100723413B1
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홍승범
민동기
박홍식
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Abstract

데이터 기록 및 읽기용 멀티 프로브(multi-probe)와 그 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기록매체에 대한 데이터 기록 및 읽기에 사용되는 멀티 프로브에 있어서, 상기 멀티 프로브에 포함된 모든 프로브는 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 상기 기록매체로부터 데이터를 읽을 수 있는 동작 프로브(working probe)인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브 및 그 동작 방법을 제공한다.

Description

데이터 기록 및 읽기용 멀티 프로브와 그 동작 방법{Multi-probe for writing and reading data and method of operating the same}
도 1 강유전체 기록매체에 대한 프로브 액세스를 개략적으로 나타낸 모식도와 프로브 액세스에 따른 검출 신호를 프로브 이동 거리에 따라 나타낸 그래프이다.
도 2는 강유전체 기록매체에 대한 프로브 액세스 과정에서의 캐리어 신호(오프셋 신호)를 제거하기 위해 실제 데이터가 기록된 강유전체 기록매체에 액세스하는 프로브(이하, 동작 프로브)와 데이터가 기록되지 않은 강유전체 기록매체에 액세스하는 기준 프로브의 액세스 과정을 개략적으로 나타낸 모식도와 상기 동작 프로브 및 기준 프로브의 동시 액세스에 따른 검출 신호를 이동 거리에 따라 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4는 동작 프로브와 기준 프로브를 포함하는 종래 기술에 의한 멀티 프로브의 구성을 나타낸 평면도들이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 멀티 프로브의 구성 및 동작의 기본 개념을 나타낸 모식도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 의한 멀티 프로브 구성을 나타낸 모식도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 멀티 프로브의 구성을 나타낸 모식도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
60:기록매체 62, 64, 66:제1 내지 제3 동작 프로브
70, 80:동작 프로브 90:대기 상태의 동작 프로브
200:멀티 프로브
P11, P12, P13, P21, P22, P23, P31, P32, P33:복수의 동작 프로브
1. 발명의 분야
본 발명은 데이터 기록 및 읽기 장치 및 그 동작 방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 멀티 프로브 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
정보 기술의 발전과 더불어 휴대용 정보 기기와 메모리 장치의 사용이 증가하고 있다. 이와 함께 다양한 정보가 증가하고 있는 상황에서 정보에 대한 이용 효율을 극대화하기 위해서는 정보를 체계적으로 분류하고 저장할 필요가 있다. 이러한 필요성에 의해 고밀도 데이터 저장 매체에 대한 관심이 높아지면서 다양한 기록매체와 각 기록매체에 적합한 데이터 기록 및 재생 장치들이 소개되고 있다.
최근에 소개되고 있는 고밀도 기록매체의 재료는 강자성체나 강유전체가 많 이 사용된다. 강자성층과 강유전층은 각각 잔류 자기분극과 전기분극특성을 갖고 있기 때문에, 강자성층이나 강유전층이 사용된 기록매체에 기록된 데이터는 전원이 제거된 후에도 소실되지 않는다.
강유전체가 사용된 기록매체로부터 데이터를 읽는 과정은 기록매체 표면의 전하분포를 읽는 과정이다. 이를 위한 장치로 프로브(probe)가 널리 사용되고 있다. 프로브는 데이터를 기록하는데도 사용될 수 있다.
하기에서 기록매체라 함은 강유전체로 형성된 기록매체를 의미한다.
프로브는 기록매체 표면의 전하 분포에 따라 그에 상응하는 신호, 곧 데이터 신호를 발생한다. 그런데 기록매체에서 비트 사이즈는 작다. 때문에 이러한 기록매체로부터 데이터를 읽는 과정에서 프로브를 통해 발생되는 데이터 신호의 세기는 약하다. 그러므로 프로브를 통해 발생되는 데이터 신호는 증폭 과정을 거쳐 증폭된다.
그런데 프로브는 상기 데이터 신호보다 강한 캐리어 신호(오프셋(offset) 신호)를 기본적으로 포함한다. 그리고 상기 증폭 과정에서 상기 캐리어 신호도 함께 증폭된다. 이에 따라 상기 데이터 신호의 증폭 효과는 낮아진다.
도 1은 프로브(10)가 기록매체(12)에 액세스하여 데이터를 읽는 과정을 보여주고, 상기 데이터를 읽는 과정에서 프로브(10)에서 발생되는 신호전류(Id)의 변화를 보여준다.
도 1의 제1 그래프(G1)를 참조하면, 프로브(10)가 기록매체(12)에 액세스하여 화살표 방향으로 이동될 때, 프로브(10)로부터 발생되는 신호전류(Id)는 제1 전 류(Ics)와 제1 신호전류(Is1)의 합 또는 제1 전류(Ics)와 제2 신호전류(Is2)의 합인 것을 알 수 있다. 제1 전류(Ics)는 캐리어 신호에 해당하고, 제1 신호전류(Is1)는 프로브(10)가 기록매체(12)의 잔류분극 방향이 업(↑)인 영역에 액세스되었을 때, 프로브(10)를 통해 발생되는 데이터 신호에 해당한다. 그리고 제2 신호전류(Is2)는 프로브(10)가 기록매체(12)의 잔류분극 방향이 다운(↓)인 영역에 액세스되었을 때, 프로브(10)를 통해 발생되는 데이터 신호에 해당된다. 제1 및 제2 신호전류(Is1, Is2)와 제1 전류(Ics)를 비교하면, 제1 전류(Ics)가 제1 및 제2 신호전류(Is1, IS2)보다 큰 것을 알 수 있다.
캐리어 신호와 데이터 신호는 상기한 바와 같이 합쳐 있기 때문에, 데이터 신호를 증폭하는 과정에서 필연적으로 캐리어 신호도 증폭되는 바, 상기 증폭에 따른 데이터 신호의 증폭 효과는 작아진다.
이에 따라 데이터 신호를 증폭하기에 앞서 프로브를 통해 발생되는 신호에서 캐리어 신호를 제거하는 방안이 마련되었다.
도 2는 상기 방안의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 상기 방안에 따른 프로브(20)는 데이터가 기록된 기록매체(22)에 액세스하는 동작 프로브(working probe)(20a)와 데이터가 기록되어 있지 않은 기록매체(24)(혹은 기록매체(22)의 데이터가 기록되지 않은 영역)에 액세스하는 기준 프로브(reference probe)(20b)를 포함한다. 동작 프로브(20a)를 통해서 발생되는 신호는 데이터 신호와 캐리어 신호를 모두 포함하는 반면, 기준 프로브(20b)를 통해서 발생되는 신호는 캐리어 신호만 포함한다. 그러므로 동작 프로브(20a)로 부터 발생되는 신호, 곧 전류(IdA)에서 기준 프로브(20b)로부터 발생되는 신호, 곧 전류(IdB)를 뺄 경우, 제2 그래프(G2)에서 볼 수 있듯이 데이터 신호에 해당하는 데이터 신호전류(IdA-IdB)만 얻어진다.
이와 같이, 동작 프로브(20a)와 기준 프로브(20b)를 함께 이용함으로써, 동작 프로브(20a)로부터 발생되는 신호에서 데이터 신호만 추출할 수 있다. 그러므로 후속 증폭 과정에서 데이터 신호만 증폭될 수 있다.
도 3과 도 4는 현재까지 소개된, 동작 프로브와 기준 프로브를 포함하는 멀티 프로브(이하, 종래의 멀티 프로브)의 예를 보여준다. 도 3과 도 4에서 참조번호 30과 50a는 동작 프로브를, 40과 50b는 기준 프로브를 나타낸다.
도 3에 도시된 종래의 멀티 프로브(28)는 격자 배열을 이루는 복수의 동작 프로브(30)를 포함한다. 그리고 복수의 동작 프로브(30)와 공통으로 연결된 한 개의 기준 프로브(40)를 포함한다.
도 3에 도시된 종래의 멀티 프로브(28)는 제조 공정이 간단하다는 이점이 있으나, 각 동작 프로브(30)의 균일성이 확보되기 어렵고, 그에 따른 오동작(malfunction) 가능성이 높다.
도 4에 도시된 종래의 멀티 프로브(48)는 격자 배열을 이루는 복수의 프로브 군(50)을 포함한다. 각 프로브 군(50)은 한 개의 동작 프로브(50a)와 한 개의 기준 프로브(50b)를 포함한다.
도 4에 도시된 종래의 멀티 프로브(48)의 경우, 동작 프로브(50a)의 수와 기준 프로브(50b)의 수가 같기 때문에, 동작 프로브(50a)사이의 균일성 차이에 따른 오동작 가능성은 없다. 그러나 격자 배열 형태로 프로브 군(50)을 형성하여야 하는 바, 제조 공정이 복잡해지는 것은 불가피하다.
또한, 도 4에 도시된 멀티 프로브(48)는 도 3에 도시된 멀티 프로브(28)보다 2배정도 많은 프로브를 포함하므로 수율(yield)이 낮아질 수 있다. 또한, 기준 프로브(50b)의 동작 영역이 확보되어야 하므로, 데이터 기록 영역이 줄어들 수 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 프로브간 비 균일성 문제로부터 자유로울 수 있고, 제조 공정을 단순화할 수 있으며, 데이터 기록 영역과 수율 감소 문제로부터 훨씬 자유로울 수 있는 멀티 프로브를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 멀티 프로브의 동작 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기록매체에 대한 데이터 기록 및 읽기에 사용되는 멀티 프로브에 있어서, 상기 멀티 프로브에 포함된 모든 프로브는 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 상기 기록매체로부터 데이터를 읽을 수 있는 동작 프로브(working probe)인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브를 제공한다.
상기 모든 프로브는 상기 기록매체에 액세스하기 위한 대기 상태에서 상기 기록매체로부터 데이터를 읽기 위해 상기 기록매체에 액세스하는 프로브에 대해 기준 프로브로 사용되는 동작 프로브일 수 있다.
상기 액세스하는 프로브는 상기 기준 프로브로 사용되는 동작 프로브에 첫째 또는 둘째로 인접한 동작 프로브일 수 있다.
상기 멀티 프로브에 포함된 모든 프로브는 격자 배열을 이룰 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기록매체에 데이터를 기록하고 상기 기록매체로부터 데이터를 읽을 수 있는 복수의 동작 프로브를 포함하는 멀티 프로브의 동작 방법에 있어서, 상기 기록매체로부터 데이터를 읽기 위해 상기 기록매체에 제1 동작 프로브를 액세스시키면서 다음에 액세스될 제2 동작 프로브를 상기 제1 동작 프로브의 기준 프로브로 사용하는 것을 특징으로 하는 멀티 프로브 동작 방법을 제공한다.
이러한 동작 방법에서 상기 제2 동작 프로브는 상기 제1 동작 프로브로부터 첫째 또는 둘째로 인접한 동작 프로브일 수 있다.
상기 제1 동작 프로브는 상기 복수의 동작 프로브 중 적어도 2개의 동작 프로브를 포함하고, 상기 제2 동작 프로브는 상기 제1 동작 프로브와 동수의 동작 프로브를 포함할 수 있다.
본 발명의 멀티 프로브는 이와 같이 종래의 멀티 프로브와 달리 별도의 기준 프로브를 포함하지 않고, 격자 배열을 이루는 동작 프로브만 포함한다. 그러므로 본 발명의 멀티 프로브를 이용하면 제조 공정을 단순화할 수 있고, 기준 프로브의 존재에 따른 데이터 기록 영역이 감소되는 문제가 없다. 또한, 인접한 동작 프로브를 기준 프로브로 사용하기 때문에, 동작 프로브간 비 균일성 문제로부터 자유로울 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 데이터 기록 및 읽기용 멀티 프로브와 그 동작 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
먼저, 본 발명의 멀티 프로브와 그 동작 개념에 대해 간략히 설명한다.
도 5를 참조하면, 기록매체(60)에 제1 및 제2 동작 프로브(62, 64)가 액세스되어 있고, 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 액세스하기 위해 대기 상태에 있다. 도 5에 도시한 제1 내지 제3 동작 프로브(62, 64, 66)는 본 발명의 멀티 프로브에 포함된 복수의 동작 프로브들 중의 일부이다. 제1 동작 프로브(62)는 기록매체(60)의 잔류분극이 다운(↓)인 영역, 곧 비트 데이터 0이 기록된 영역에 액세스되어 있다. 다운(↓)의 잔류분극으로 인해 이 영역의 상부면과 하부면사이에 -Vg1의 전위차가 형성된다. 제2 동작 프로브(64)는 제1 동작 프로브(62)와 반대로 기록매체(60)의 잔류분극이 업(↑)인 영역, 곧 비트 데이터 1이 기록된 영역에 액세스되어 있다. 이 영역의 상부면과 하부면사이에는 상기 업(↑)의 잔류분극으로 인해 +Vg1의 전위차가 형성된다. 기록매체(60)에서 잔류분극이 업(↑)인 영역과 다운(↓)인 영역의 상부면과 하부면사이의 전위차의 크기는 같다. 그러나 잔류분극의 방향에 따라 두 영역의 상부면에 분포하는 전하의 극성은 반대가 된다. 이에 따라 편의 상 제1 동작 프로브(62)가 액세스된 영역의 상부 및 하부면사이의 전위차 부호는 음(-)으로, 제2 동작 프로브(64)가 액세스된 영역의 상부 및 하부면사이의 전위차 부호는 양(+)으로 하였다.
도 5의 기록매체(60) 아래에 도시한 전압(Vg)-전류(Id) 그래프(G3)에서 가로 축의 전압(Vg)은 잔류분극에 존재에 따른 기록매체(60)의 상부 및 하부면사이의 전위차를 나타낸다. 가로축에서 -Vg1은 상술한 바와 같이 기록매체(60)의 제1 동작 프로브(62)가 액세스된 영역의 상부 및 하부면사이의 전위차를 나타낸다. 또한, 상기 가로축에서 +Vg1은 기록매체(60)의 제2 동작 프로브(64)가 액세스된 영역의 상부 및 하부면사이의 전위차를 나타낸다. -Vg1과 +Vg는 크기가 같으므로 세로축으로부터 같은 거리에 위치한다.
이와 같이 -Vg1은 기록매체(60)의 제1 동작 프로브(62)가 액세스된 영역의 상부 및 하부면사이의 전위차를 나타내는 바, 도 5의 그래프(G3)에서 전압(Vg)이 -Vg1일 때, 측정되는 제1 전류(Id1) 바로 제1 동작 프로브(62)에서 발생되는 신호전류(비트 데이터 0에 해당하는 데이터 신호 전류+캐리어 신호전류)를 나타낸다. 그리고 전압(Vg)이 +Vg1일 때, 측정되는 제2 전류(Id2)는 바로 제2 동작 프로브(64)에서 발생되는 신호전류(비트 데이터 1에 해당하는 데이터 신호전류+캐리어 신호전류)를 나타낸다.
한편, 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 액세스되지 않은 상태인데, 이 상태는 제3 동작 프로브(66)가 잔류분극이 존재하지 않는 기록매체에 액세스된 것과 동일하다. 잔류분극이 존재하지 않는 기록매체의 상부 및 하부면사이의 전위차는 영이 된다. 도 5의 가로축에서 Vgo는 기록매체(60)의 상부 및 하부면의 전위차가 0이라는 것을 나타낸다. 기록매체(60)에서 잔류분극이 존재하지 않는 영역은 없는 바, 도 5의 가로축에서 Vgo는 제3 동작 프로브(66)를 나타낸다고 할 수 있다. 그러므로 전압(Vg)이 Vgo일 때, 측정되는 전류(Ido)는 바로 대기 상태에 있는 제3 동작 프로브(66)로부터 발생되는 신호전류가 된다. 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 액세스되지 않은 상태이므로, 제3 동작 프로브(66)로부터 발생되는 신호전류(Ido)에는 비트 데이터 신호전류가 포함되지 않는다. 곧, 신호전류(Ido)는 캐리어 신호전류만 포함한다. 그러므로 대기 상태에 있는 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 액세스될 때까지 종래의 기준 프로브처럼 사용될 수 있다. 다시 말하면, 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 대해 액세스 중에 있는 인접한 동작 프로브에 대한 기준 프로브로 사용된다.
예를 들면, 도 5에서 제1 동작 프로브(62)가 제3 동작 프로브(66)에 인접한 동작 프로브라고 하면, 제3 동작 프로브(66)는 기록매체(60)에 액세스 될 때까지 제1 동작 프로브(62)에 대한 기준 프로브로 사용된다. 따라서 제1 동작 프로브(62)를 통해서 신호전류(Id1)가 측정되면, 신호전류(Id1)에서 제3 동작 프로브(66)를 통해서 측정된 신호전류(Ido)를 뺀다(이하, 제1 연산). 상기 제1 연산을 통해서 신호전류(Id1)에서 캐리어 신호전류는 제거되는 바, 상기 제1 연산 후, 신호전류(Id1)는 비트 데이터 0에 해당하는 데이터 신호전류만 포함하게 된다. 이러한 결과는 도 5의 그래프(G3)를 Ido의 값이 0이 될 때까지 세로축을 따라 아래로 이동시킨 것과 같다. 상기 제1 연산 후, 신호전류(Id1)를 증폭시킨다.
제2 동작 프로브(64)가 제3 동작 프로브(66)에 인접한 동작 프로브인 경우, 제2 동작 프로브(64)로부터 발생되는 신호전류(Id2)를 측정한 다음, 신호전류(Id2)에서 제3 동작 프로브(66)에서 발생되는 신호전류(Ido)를 뺀다(이하, 제2 연산). 상기 제2 연산 결과, 신호전류(Id2)에서 캐리어 신호전류가 제거되는 바, 신호전류 (Id2)는 비트 데이터 1에 해당하는 데이터 신호 전류만 포함하게 된다. 상기 제2 연산의 결과도 역시 도 5의 그래프(G3)를 Ido의 값이 0이 될 때까지 세로축을 따라 아래로 이동시킨 것과 같다. 상기 제2 연산 후, 신호전류(Id2)를 증폭시킨다.
제3 동작 프로브(66)가 대기 상태에서 기록매체(60)에 대한 액세스 상태로 되는 경우, 제3 동작 프로브(66)에 인접한 다른 동작 프로브(미도시)가 대기 상태에 있으면서 자신이 액세스 될 때까지 제3 동작 프로브(66)에 대한 기준 프로브로 사용된다.
다음에는 본 발명의 제1 실시예에 의한 멀티 프로브와 동작에 대해 설명한다.
도 6을 참조하면, 짝수 행(WL0, WL2, WL4...)과 짝수 열(BL0, BL2, BL4...)이 교차하는 제1 위치와 홀수 행(WL1, WL3...)과 홀수 열(BL1, BL3...)이 교차하는 제2 위치에 각각 동작 프로브가 존재한다. 제1 위치에 존재하는 동작 프로브(70)와 이에 인접한 제2 위치에 존재하는 동작 프로브(80)는 한 쌍을 이룬다. 동작 프로브(70)가 기록매체에 액세스되고 있을 때, 동작 프로브(80)는 대기 상태에 있으면서 동작 프로브(70)에 대한 기준 프로브 역할을 하여 도 5에 설명한 바와 같은 동작을 수행한다. 또한, 제2 위치에 있는 동작 프로브(80)가 수직 기록매체에 액세스될 때, 동작 프로브(80)에 인접하고 대기 상태에 있는 제1 위치에 존재하는 동작 프로브(90)는 동작 프로브(80)에 대한 기준 프로브 역할을 한다. 이러한 관계는 제1 및 제2 위치에 존재하는 모든 동작 프로브에도 동일하게 적용된다.
다음은 본 발명의 제2 실시예에 의한 멀티 프로브와 동작에 대해 설명한다.
도 7을 참조하면, 제2 실시예에 의한 멀티 프로브(200)는 복수의 동작 프로브(P11, P12, P13, P21, P22, P23, P31, P32, P33)를 포함한다. 복수의 동작 프로브(P11...P3)는 격자 형태로 배열되어 있고, 각 격자에 하나의 동작 프로브가 위치한다. 멀티 프로브(200)는 별도의 기준 프로브를 포함하지 않는다. 멀티 프로브(200)는 훨씬 많은 수의 동작 프로브를 포함하고 있으나, 도 7에는 편의 상 9개의 동작 프로브들(P11...P33)만 도시하였다.
다음에는 도 7에 도시한 멀티 프로브(200)의 동작을 살펴본다. 어느 한 동작 프로브, 예를 들면 2행 1열에 위치하는 동작 프로브(P21)가 기록매체에 액세스하고 있을 때, 동작 프로브(P21)에 인접하고 대기 상태(standby state)에 있는 동작 프로브, 예를 들면 2행 2열에 위치한 동작 프로브(P22)는 동작 프로브(P21)의 기준 프로브로 사용된다. 이에 따라 동작 프로브(P21)로부터 발생되는 신호전류는 데이터 신호전류만 포함되게 할 수 있다. 이후, 기준 프로브로 사용되던 동작 프로브(P22)가 기록매체에 액세스될 때는 동작 프로브(P22)에 인접하고, 대기 상태에 있는 다른 동작 프로브, 예를 들면 2행 열에 위치하는 동작 프로브(P33)가 동작 프로브(P22)에 대한 기준 프로브로 사용된다.
한편, 같은 열에 위치하는 동작 프로브들사이에 기록매체에 액세스하는 동작 프로브와 기준 프로브가 있을 수 있다. 예를 들면, 2열에 위치하는 3개의 동작 프로브들(P12, P22, P32) 중 어느 한 동작 프로브, 예컨대 1행 2열에 위치한 동작 프로브(P12)가 기록매체에 액세스하는 동작 프로브인 경우, 이에 인접한 2행 2열의 동작 프로브(P22)가 동작 프로브(P12)에 대한 기준 프로브로 사용될 수 있다.
다른 한편으로는 두 번째로 인접한 동작 프로브를 기준 프로브로 사용할 수도 있다.
예를 들면, 1행 1열에 위치한 동작 프로브(P11)가 기록매체에 액세스하는 동작 프로브인 경우, 동작 프로브(P11)의 기준 프로브로써 그에 첫 번째로 인접한 동작 프로브(P21 또는 P12)가 아니라 두 번째로 인접한 2행 2열에 위치한 동작 프로브(P22)가 사용될 수 있다.
상술한 바는 도 7의 멀티 프로브(200)에서 두개 이상의 동작 프로브가 동시에 기록매체에 액세스하는 경우에도 적용될 수 있다.
예컨대, 1행 1열에 위치한 동작 프로브(P11)와 2행 1열에 위치한 동작 프로브(P21)가 동시에 기록매체에 액세스하는 경우, 동작 프로브(P11)의 기준 프로브는 1행 2열에 위치한 동작 프로브(P12) 또는 2행 2열에 위치한 동작 프로브(P22)가 사용될 수 있고, 동작 프로브(P21)의 기준 프로브는 동작 프로브(P22), 3행 1열에 위치한 동작 프로브(P31) 및 3행 2열에 위치한 동작 프로브(P32) 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 이때, 동작 프로브(P11)의 기준 프로브로써 동작 프로브(P22)가 사용되는 경우, 대기 상태에 있는 어느 한 동작 프로브가 액세스 상태에 있는 두 동작 프로브의 기준 프로브로써 공통으로 사용되는 것을 방지 하기위해, 동작 프로브(P21)의 기준 프로브는 동작 프로브(P31)와 동작 프로브(P32) 중 어느 하나를 사용한다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예 들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 멀티 프로브를 정방형 격자가 가로 세로 길이가 다른 사각형 형태로 배열할 수 있을 것이다. 또한, 상기한 설명에서는 각 격자에 위치하는 동작 프로브가 동일한 저항 프로브(resistive probe)인 것으로 간주하였으나, 필요에 따라 각 격자에 위치하는 동작 프로브는 동일한 기능을 수행할 수 있다면 동일하지 않을 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 멀티 프로브는 종래의 멀티 프로브와 달리 별도의 기준 프로브를 포함하지 않는다. 곧, 본 발명의 멀티 프로브는 격자 배열을 이루는 동작 프로브만 포함한다. 그러므로 본 발명을 이용하면 제조 공정을 단순화할 수 있고, 기준 프로브의 존재에 따른 데이터 기록 영역이 감소되는 문제가 없다. 또한, 인접한 동작 프로브를 기준 프로브로 사용하기 때문에, 동작 프로브간 비 균일성 문제로부터 자유로울 수 있다.

Claims (8)

  1. 기록매체에 대한 데이터 기록 및 읽기에 사용되는 멀티 프로브에 있어서,
    상기 멀티 프로브에 포함된 모든 프로브는 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 상기 기록매체에 기록된 데이터를 읽을 수 있는 동작 프로브인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 모든 프로브는,
    상기 기록매체에 액세스하기 위한 대기 상태에서 상기 기록매체로부터 데이터를 읽기 위해 상기 기록매체에 액세스하는 프로브에 대해 기준 프로브로 사용되는 동작 프로브인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 액세스하는 프로브는 상기 기준 프로브로 사용되는 동작 프로브에 인접한 동작 프로브인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 액세스하는 프로브는 상기 기준 프로브로 사용되는 동작 프로브로부터 두 번째로 인접한 동작 프로브인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 멀티 프로브에 포함된 모든 프로브는 격자 배열을 이루는 것을 특징으로 하는 멀티 프로브.
  6. 기록매체에 데이터를 기록하고 상기 기록매체로부터 데이터를 읽을 수 있는 복수의 동작 프로브를 포함하는 멀티 프로브의 동작 방법에 있어서,
    상기 기록매체로부터 데이터를 읽기 위해 상기 기록매체에 제1 동작 프로브를 액세스시키면서 다음에 액세스될 제2 동작 프로브를 상기 제1 동작 프로브의 기준 프로브로 사용하는 것을 특징으로 하는 멀티 프로브 동작 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 제2 동작 프로브는 상기 제1 동작 프로브로부터 첫째 또는 둘째로 인접한 동작 프로브인 것을 특징으로 하는 멀티 프로브 동작 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 동작 프로브는 상기 복수의 동작 프로브 중 적어도 2개의 동작 프로브를 포함하고, 상기 제2 동작 프로브는 상기 제1 동작 프로브와 동수의 동작 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 프로브 동작 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5734796B2 (ja) * 2011-09-14 2015-06-17 株式会社東芝 記憶装置
CN113009324B (zh) * 2021-05-24 2021-08-03 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种曲面多探针测试治具

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970075919A (ko) * 1996-02-13 1997-12-10 마사오 오오쿠보 프로브, 프로브의 제조, 그리고 프로브를 사용한 수직동작형 프로브 카드 어셈블리
KR20050026754A (ko) * 2003-09-06 2005-03-16 삼성전자주식회사 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519752B1 (ko) * 2002-05-10 2005-10-07 삼성전자주식회사 시분할 다중 방식을 채용한 고속 고밀도 정보저장 장치 및이를 이용한 정보기록방법 및 정보재생방법
WO2005020226A1 (ja) * 2003-08-20 2005-03-03 Pioneer Corporation データ記録再生装置、データ記録再生方法および記録媒体
US7173547B2 (en) * 2004-03-22 2007-02-06 International Business Machines Incorporated Offset compensation in local-probe data storage devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970075919A (ko) * 1996-02-13 1997-12-10 마사오 오오쿠보 프로브, 프로브의 제조, 그리고 프로브를 사용한 수직동작형 프로브 카드 어셈블리
KR20050026754A (ko) * 2003-09-06 2005-03-16 삼성전자주식회사 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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