KR100716955B1

KR100716955B1 - 광커넥터 제조방법

Info

Publication number: KR100716955B1
Application number: KR1020000057448A
Authority: KR
Inventors: 박경진; 김상채; 최형
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2000-09-29
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2007-05-10
Also published as: KR20020025544A

Abstract

광파이버 또는 볼렌즈 등이 실장되는 V-그루브 또는 마이크로피트의 깊이를 달리하여 정확하게 광축이 정렬되도록 한 광커넥터 제조 방법이 개시되어 있다.

이 광커넥터 제조 방법은, 제1에칭 마스크층을 증착하여 제1 패터닝하는 단계와; 이 제1에칭 마스크층 위에 제2에칭 마스크층을 증착한 후 볼렌즈를 실장할 마이크로피트 대응영역과 마이크로미러 액추에이터를 설치할 홀 대응영역이 노출되도록 제2 패터닝하는 단계와; 마이크로피트 대응영역과 홀 대응영역을 소정 깊이 d1으로 제1에칭을 하는 단계와; 제2에칭 마스크층을 제거한 다음, 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역을 깊이 d2로 제2에칭을 하고 제2마스크충을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 광커넥터 제조 방법에 의하면, 콘벡스 코너 현상을 방지하기 위해 별도의 코너 보상 패턴을 요구하지 않고 다수개의 마스크층을 마련하여 크기가 다른 광학 소자들을 수용하는 그루브를 형성함으로써 제조 공정을 단순화하고, 크기도 소형화 할 뿐 아니라 정확하게 광축 정렬을 할 수 있다.

Description

광커넥터 제조 방법{Manufacture method of optical connector}

도 1은 종래에 따른 광커넥터의 개략적인 사시도,

도 2는 종래에 따른 광커넥터 제조 방법에 사용되는 마스크 패턴을 개략적으로 나타낸 도면,

도 3a 내지 도 3d는 종래에 따른 광커넥터의 상부 기판을 제조하는 공정을 나타낸 도면,

도 4a 내지 도 4b는 종래에 따른 광커넥터의 하부 기판을 제조하는 공정을 나타낸 도면,

도 5a 및 도 5b는 종래에 따른 광커넥터의 상부 기판 및 하부 기판을 부착한 형태를 나타낸 도면,

도 6은 본 발명에 따른 광커넥터의 사시도,

도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도,

도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 광커넥터의 그루브에 설치된 광학 소자의 단면도,

도 9a 내지 도 9i는 본 발명에 따른 광커넥터의 제조 공정을 나타낸 도면.

<도면 중 주요 부분에 대한 설명>

100...마이크로미러 103...홀

105...액추에이터 110...마이크로피트

115...V-그루브 120,122...볼렌즈

125,127...광파이버 130...광학 벤치

133...기준 표시부 135...기판

140...웨이퍼 143,144...제1에칭 마스크층

145...제2에칭 마스크층 147...V-그루브 대응영역

150...마이크로피트 대응영역 155...홀 대응영역

C,C'...광축 R...광파이버 단면의 반지름

L...그루브 반폭 n,d2...그루브 깊이

t...기판 표면으로부터 광축까지의 수직거리

본 발명은 광커넥터 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수개의 에칭 마스크층을 이용하여 광파이버 또는 볼렌즈 등이 실장되는 V-그루브 또는 마이크로피트의 깊이를 다르게 제조함으로써 정확하게 광축이 정렬되도록 한 광커넥터 제조 방법에 관한 것이다.

요즘은 광통신 시스템의 전송 방식이 광통신망에서의 전송 데이타의 증가와 함께 파장 분할 다중(WDM;Wavelength Division Multiplexing) 전송 방식으로 바뀌어 가고 있다. 이러한 파장 분할 다중(WDM) 시스템에서 네트워크간의 연동성이 요 구됨에 따라 회선 분배기(OXC;Optical crossing Connector) 즉, 광커넥터는 필수적인 핵심소자가 되었다.

이러한 광커넥터는 도 1을 참조하면, 마이크로미러(10)가 배치되어 있고 이 마이크로미러(10)를 구동시키는 액추에이터(15)와, 상기 액추에이터(15) 둘레에 상기 마이크로미러(10)로 광신호를 전송하는 입력 광파이버(20)와 상기 마이크로미러(10)로부터 반사된 광신호를 수신하여 전송하는 출력 광파이버(22) 및 상기 입력 및 출력 광파이버(20)(22)와 마이크로미러(10) 사이에 배치되어 광을 집속시켜 주는 볼렌즈(25)(27)가 정렬되어 있는 광학 벤치(30)로 구성된다. 여기에서 상기 입력 및 출력 광파이버(20)(22)는 V-그루브(35)에, 상기 볼렌즈(25)(27)는 이 V-그루브(35)에 연통되어 있는 마이크로피트(40)에 각각 배치된다. 그리고 상기 광파이버(20)(22), 볼렌즈(25) 및 마이크로미러(10)는 광축에 일치하도록 배열된다.

상기와 같이 구성된 광커넥터는 상기 입력 광파이버(20)에서 전달된 광신호가 상기 볼렌즈(25)를 경유하여 마이크로미러(10)에 반사된 다음, 다시 소정의 볼렌즈(27)를 거쳐 출력 광파이버(22)를 통해 출력되어 소정의 장소로 광신호를 전송하도록 되어 있다. 상기 볼렌즈(25)(27)는 광신호를 집속시켜 광손실을 줄이고 광경로를 최소화하는데 사용된다.

한편, 상기 마이크로피트(40)에 상기 액추에이터(15)를 설치하기 위한 홀(17) 및 V-그루브(35)가 연결되는 부분에는 콘벡스 코너(45)가 형성되어 있다. 그리고 상기 액추에이터(15), 볼렌즈(25)(27) 및 상기 광파이버(20)(22)는 각각 그 크기가 다르므로 그 중심을 광축에 정렬시키기 위해서는 이러한 소자들을 수용하는 상기 홀(17), 상기 V-그루브(35) 및 상기 마이크로피트(40)가 그 깊이가 각각 달라야 한다.

그런데 광커넥터의 제조 과정에서 에칭을 할 때, 에칭하고자 하는 그루브의 폭이나 깊이에 따라 시간이나 온도 등의 최적의 에칭조건이 각각 다르게 된다. 다시말하면, 상기 홀(17), 상기 V-그루브(35) 및 상기 마이크로피트(40)가 각각 상이한 폭과 깊이를 가지므로 각각 패터닝한 대로 에칭이 되도록 하기 위해서는 각각의 에칭 조건에 따라 에칭이 행해져야 한다. 그러나 종래에는 한번의 패터닝에 의해 에칭이 이루어지므로, 에칭시 어느 한 곳에 에칭 조건을 맞추거나 그들의 평균적인 조건으로 에칭 조건을 설정할 수밖에 없다. 따라서 이러한 경우, 표준이 된 그루브 외의 다른 곳에서는 그 에칭 조건이 부적합하여 패터닝한 대로 에칭이 이루어질 수 없으며 평균적인 조건에 의한다 하더라도 각각의 에칭에 결함을 가질 수밖에 없다.

특히, 상기 마이크로피트(40)나 홀(17) 등의 콘벡스 코너(45)에서는 그 형상이 정확하게 에칭이 되지 않고 패턴 형상이 손상되는 이른바 콘벡스 코너(convex corner)효과가 발생된다. 그러면, 원래 설계했던 대로 정확한 치수의 규격을 얻을 수 없어 상기 광파이버(20)(22)나 볼렌즈(25)(27) 등의 광학 소자의 배치가 달라지게 된다. 그 결과 광축에 따른 각 소자의 정렬이 일치하지 않게 되므로 광신호의 정확한 전송이 어렵게 되고 광손실을 초래한다.

따라서 이러한 콘벡스 코너 효과에 의한 패턴 손상을 방지할 수 있도록 도 2에 도시된 바와 같은 특수한 코너 보상 패턴(50)(52)이 요구된다. 즉, 콘벡스 코너 효과를 고려하여 에칭시 그러한 현상이 발생되는 것이 억제되도록 보완하는 보상 패턴을 에칭 마스크(65) 상에 형성하고, 그것을 이용하여 광커넥터를 제조함으로써 소망하는 형상의 광커넥터를 얻을 수 있다. 여기에서 도면 번호 17' 및 40'는 상기 에칭 마스크(65)에 각각 형성된 홀 대응영역 및 마이크로피트 대응영역을 나타낸다.

이러한 코너 보상 패턴(50)(52)을 이용하여 광커넥터를 제조하는 방법에 대해 살펴본다.

도 3a 및 도 3b와 같이, 양면 폴리싱된 (100) 방향의 상부 실리콘 웨이퍼(60)에 실리콘다이옥사이드(63)를 입힌 후에 그 위에 실리콘 에칭 마스크로 사용하기 위해 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 실리콘나이트라이드(65)를 양면에 증착한다. 그런 다음, 도 3c와 같이 상기 양쪽의 실리콘나이트라이드 층(65)에 각각 반응 이온 에칭(RIE) 공정을 통해 패터닝 한다. 상기 실리콘나이트라이드 층(65)에는 에칭과정동안 콘벡스 코너 효과에 의해 패턴 형상이 손상되지 않도록 코너 보상 패턴(50)(52)이 추가된다.

또한, 도 4a 및 도 4b와 같이, 하부 실리콘 웨이퍼(70)에도 실리콘 옥사이드(72) 및 실리콘나이트라이드(75)를 차례대로 증착한 다음, 도 4c와 같이 반응 이온 에칭(RIE)공정에 의해 패터닝한다.

그런 다음 상기 상부 및 하부 웨이퍼(60)(70)를 각각 KOH 수용액을 이용하여 비등방성 습식 에칭을 수행하여 도 3d 및 도 4d와 같이 V-그루브 대응영역(67), 마이크로피트 대응영역(68) 및 홀 대응영역(69)(69')을 형성한다. 그리고 이와 같이 형성된 상기 상부 웨이퍼(60)와 하부 웨이퍼(70)를 도 5a 및 도 5b와 같이 접착시 킨다.

이렇게 형성된 광커넥터의 홀(17)에 상기 마이크로미러 액추에이터(15)를 설치하고 V-그루브(35) 및 마이크로피트(40)에 각각 광파이버(20)(22) 및 볼렌즈(25)(27)들을 광축에 맞게 설치한다.

상기한 제조 공정에서 코너 보상 패턴(50)(52)으로 인하여 광커넥터 제조를 위한 전체적인 패턴이 복잡해지고 그 크기 또한 커질 수 밖에 없다.

또한, 광축의 위치가 달라지면, 에칭 깊이를 다르게 하여야 하기 때문에 새로운 형태의 보상 패턴이 요구된다. 즉, 상기 마이크로피트(40)나 홀(17)의 폭이나 깊이 등에 따라서 그에 맞는 보상 패턴(50)(52)의 설계가 달라져야 한다. 따라서 광축이 변할 때마다 보상 패턴을 새로 준비해야 하는 번거로움이 있다.

특히, 광파이버의 입출력단이 인접해 있는 부분이나 콘벡스 코너 영향이 크게 나타나는 부분에서는 이 보상 패턴(50)(52)이 복잡해지므로 광경로를 최소화 할 수 없게 된다. 이에 따라 광경로차에 따른 광손실을 초래한다. 더욱이 광커넥터의 채널수가 많아질수록 복잡해져 보상 패턴 형성에 어려움이 따르고, 광학 소자의 소형화에 대한 요구를 만족시킬 수 없게 된다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 에칭시 콘벡스 코너 현상을 방지하기 위한 코너 보상 패턴을 요하지 않고 다수개의 에칭 마스크 층을 이용하여 간단하게 광커넥터를 제조할 수 있어 전체적인 크기를 줄이고 광축에 따라 광학 소자들을 용이하게 정렬할 수 있도록 한 광커넥터 제조 방법을 제공 하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼 양면에 제1에칭 마스크층을 증착하고 볼렌즈를 실장할 마이크로피트 대응영역과 마이크로미러 액추에이터를 설치할 홀 대응영역 그리고 광파이버를 실장할 V-그루브 대응영역이 노출되도록 제1패터닝하는 단계와; 이렇게 패터닝된 상기 제1에칭 마스크층 위에 제2마스크 층을 증착한 후 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응 영역이 노출되도록 제2패터닝하는 단계와; 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응영역을 소정 깊이 d₁으로 제1에칭을 하는 단계와; 상기 제2에칭 마스크층을 제거한 다음, 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역을 깊이 d₂로 제2에칭을 하고 상기 제2에칭 마스크충을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역이 그 깊이가 상호 다른 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 V-그루브의 깊이 d₂는, 광파이버 단면의 반지름을 R이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 광파이버와 V-그루브 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 한다.

<수학식>

또한, 본 발명은 상기 마이크로미러 액추에이터와 그에 대응되는 위치의 웨이퍼에 각각 기준 표시부가 형성되어 있어 상기 마이크로미러 액추에이터를 상기 홀 대응영역에 정확하게 조립할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 광케넥터 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 광커넥터는 다수개의 마이크로미러(100)가 메트릭스 형태로 배치되어 홀(103) 내에 삽입되고 상기 마이크로미러를 구동시키는 액추에이터(105)와; 상기 마이크로미러(100)와 광축이 일치하도록 각각에 대응되는 마이크로피트(110) 및 V-그루브(115)에 각각 볼렌즈(120)(122)와 광파이버(125)(127)가 설치된 광학 벤치(130);를 포함한다.

상기 광파이버(125)(127)는 전술한 바와 같이 입력 광파이버(125) 및 출력 광파이버(127)로 구분되며, 상기 볼렌즈(120)는 상가 입력 광파이버(125)에 대응되게 인접되어 광신호를 집속시켜 상기 마이크로미러(100)에 전송하고, 상기 볼렌즈(122)는 이 마이크로미러(100)에서 반사된 광신호를 집속시켜 출력 광파이버(127)에 전송한다.

도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도로서, 상기 볼렌즈(120)(122)와 광파이버(125)(127)가 광축(C)에 일치되게 배치된 것을 보인 것이다. 이와 같이 광커넥터에서는 광경로를 최소화 함과 아울러 광손실을 줄이기 위해서는 이들 광학 소자(120)(125)의 광축을 정렬시키는 것이 중요하다. 이에 따라, 상기 마이크로피트(110)나 V-그루브(115)의 폭이나 깊이는 광축(C)의 위치에 따라 달라지게 된다.

도 8a는 광축(C)이 기판(135) 표면보다 수직거리 t만큼 아래에 위치한 경우로서, 광학 요소, 예컨대 볼렌즈(120)(122)나 광파이버(125)(127) 등을 광축 정렬할 수 있도록 하는 배치를 보인 것이다. 여기에서는 광파이버(125)(127)를 예를 들어 설명한다. 상기 광파이버(125)(127)의 반지름을 R, 상기 기판(135) 표면으로부터 상기 광파이버(125)(127)와 V-그루브(115) 경사면이 만나는 점(p)까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브(115)의 깊이를 n, V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 한다. 또한, 상기 V-그루브(115)의 반폭을 L이라 하면, 이 L은 하기의 수학식으로 표현될 수 있다.

위 식에서 상기 V-그루브(115)의 폭은 2L로 계산된다. 또한, 상기 m, n은 하기의 수학식을 만족한다.

상기 수학식 2의 n을 구하는 식에서 L 대신에 상기 수학식 1에서의 L을 대입하여 정리하면 n은 다음의 식으로 나타낼 수 있다.

이상에 설명한 것과 달리, 광축(C')이 도 8b와 같이 기판(135) 표면보다 위쪽에 있는 경우에는 상기 수학식 1,2에서 t 대신에 (-t)를 대입하여 구할 수 있다. 이외에, 광축이 기판 표면과 일치될 경우에는 t에 0을 대입하여 구할 수 있다.

한편, 상기 액추에이터(105)를 상기 홀(103)에 삽입하여 조립할 때, 상기 광파이버(125)(127), 볼렌즈(120)(122) 그리고 마이크로미러(100)를 광축에 맞게 정렬할 수 있도록 기준이 되는 기준 표시부(133)가 마련된다. 따라서, 이 기준 표시부(133)에 의해 상기 액추에이터(105)을 용이하게 조립할 수 있다.

다음은 이러한 구조를 갖는 광커넥터의 제조 방법에 대해 설명한다.

도 9a 및 도 9b와 같이, 양면 폴리싱된 (100)방향의 웨이퍼(140) 양면에 각각 상부 및 하부 제1에칭 마스크층(143)(144)을 증착하고 상기 광파이버(125)(127)가 실장되는 V-그루브 대응영역(147), 상기 볼렌즈(120)(122)가 실장되는 마이크로피트 대응영역(150) 그리고 상기 액추에이터(105)가 설치되는 홀 대응영역(155)이 노출되도록 제1 패터닝을 한다. 여기에서 상기 제1에칭 마스크층(143)은 Si_xN_y로 구성된 물질로 형성되는 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는, 실리콘나이트라이드(Si₃N₄)가 사용된다.

그런 다음, 상기 제1에칭 마스크층(143) 위에 제 9c와 같이 제2에칭 마스크층(145)을 증착시킨다. 또한, 도 9d와 같이 반응 이온 에칭(RIE) 공정에 의해 상기 마이크로피트 대응영역(150)과 홀 대응영역(155)이 노출되도록 한 다음, 도 9e와 같이 하부 제1에칭 마스크층(144)에 홀 대응영역(155)이 노출되도록 하여 제2 패터닝을 한다. 이러한 제2패턴을 따라 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(140) 표면으로부터 깊이 d₁만큼 비등방성 제1에칭을 수행한다. 이때 수산화칼륨(KOH)에 의해 비등방성 습식 에칭 공정을 이용하여 에칭할 수 있다.

상기와 같이 제1에칭을 한 후에 상기 제2에칭 마스크층(145)을 제거하면, 도 9g와 같이 마이크로피트 대응영역(150)과 함께 V-그루브 대응영역(157)도 노출된다. 이렇게 형성된 상기 제1에칭 마스크층(143)의 패턴에 의해 d₂의 깊이로 제2에칭을 한다. 이러한 과정에 의해 상기 홀 대응영역(155)은 상기 홀(103)로 형성된다. 이때에도 제1에칭과 같이 수산화칼륨(KOH)에 의해 비등방성 습식 에칭 공정을 이용하여 제2에칭을 할 수 있다. 제2에칭을 끝낸 후에 도 9i와 같이 상기 제1에칭 마스크층(143)을 제거한다.

한편, 상기 제1에칭 및 제2에칭시 각각의 에칭 조건을 그 에칭 깊이나 폭 등에 맞추어 최적으로 하여 에칭할 수 있다. 또한, 제1에칭시 즉, 마이크로피트 대응영역(150)을 에칭시 상기 콘벡스 코너(45) 부분을 상기 제1에칭 마스크층(143)에 의해 보호함으로써 콘벡스 코너 현상을 방지할 수 있다. 이와 같이, 각각의 에칭을 위해 그에 맞는 2층의 에칭 마스크층(143)(145)을 이용하여 제조함으로써 용이하게 콘벡스 코너 현상을 방지하고 소정의 패턴대로 광커넥터를 제조할 수 있다.

상술한 바와 같이 하여 마이크로피트(110)는 (d₁+d₂) 깊이를, V-그루브(115) 는 d₂의 깊이를 갖는다. 여기에서 이들 깊이 d₁,d₂는 광축(C)의 위치에 따라 달라지며 상기 수학식1, 2에 의해 결정될 수 있다. 또한, 상기 (d₁+d₂) 또는 상기 d₂는 수학식 3에서 그루브의 깊이 n을 구하는 식에 의해 구할 수 있다. 여기에서 변수로서 광파이버(125)(127) 또는 마이크로피트(110) 단면의 반지름(R)과 기판(135) 표면으로부터 광축(C)까지의 수직거리(t) 그리고 에칭 각도(α)가 결정되면 그루브의 폭 및 깊이를 구할 수 있다.

우선, 상기 V-그루브(115)의 깊이 d₂는 수학식 2 또는 3에서 구한 n과 동일하다. 그리고 상기 마이크로피트(110)의 깊이 (d₁+d₂) 또한 볼렌즈(120)(122)에 의해 결정되는 변수들을 대입하여 구할 수 있다. 즉, 상기 볼렌즈(120)(122) 단면의 반지름을 R'이라 하고 상기 웨이퍼(140) 표면으로부터 상기 볼렌즈(120)(122)와 마이크로피트(110) 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m', 상기 마이크로피트의 에칭각을 α'(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우, 하기의 수학식을 만족한다.

이상과 같이 하여 그 크기가 다른 다수의 광학 소자를 갖는 광커넥터를 패턴대로 정확하게 제조할 수 있다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 크기가 각각 다른 각 광학 소자들이 광축에 맞 게 정렬되도록 각 소자가 실장되는 그루브의 에칭 깊이를 다르게 제조한다. 이러한 에칭 깊이의 차이에 따른 에칭 조건의 차이를 개선하기 위해 각각의 에칭 패턴을 갖는 다수개의 에칭 마스크층을 마련한다. 이렇게 하여 각각의 광학 소자에 적합한 최적의 에칭 조건으로 에칭을 함으로써 콘벡스 코너 현상이 방지되고, 콘벡스 코너 현상 방지를 위한 별도의 코너 보상 패턴을 요하지 않으므로 제조 공정이 단순화 되고 광커넥터의 소형화를 이룰 수 있다. 이에 따라 입출력 채널의 다수화 및 집적화를 달성할 수 있다.

또한, 패턴 형상이 정확하게 형성되므로 광축 정렬이 정확하게 이루어지므로 광 입출력단의 광경로를 최소화할 수 있을 뿐 아니라 광손실을 감소시킬 수 있다.

Claims

웨이퍼 양면에 제1에칭 마스크층을 증착하고 볼렌즈를 실장할 마이크로피트 대응영역과 마이크로미러 액추에이터를 설치할 홀 대응영역 그리고 광파이버를 실장할 V-그루브 대응영역이 노출되도록 제1패터닝하는 단계와;

이렇게 패터닝된 상기 제1에칭 마스크층 위에 제2에칭 마스크 층을 증착한 후 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응 영역이 노출되도록 제2패터닝하는 단계와;

상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응영역을 소정 깊이 d₁으로 제1에칭을 하는 단계와;

상기 제2에칭 마스크층을 제거한 다음, 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역을 깊이 d₂로 제2에칭을 하고 상기 제2에칭 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.
제 1항에 있어서, 상기 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역이 그 깊이가 상호 다른 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 V-그루브의 깊이 d₂는,

광파이버 단면의 반지름을 R이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 광파이버와 V-그루브 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.

<수학식>
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 마이크로피트의 깊이 (d₁+d₂)는,

볼렌즈 단면의 반지름을 R'이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 볼렌즈와 마이크로피트 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m', 상기 마이크로피트의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우, 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.
삭제
제 1항에 있어서, 상기 제1에칭 마스크층 및 제2에칭 마스크층은 실리콘나이트라이드(Si₃N₄)를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.
제 1항에 있어서, 상기 마이크로미러 액추에이터와 그에 대응되는 위치의 웨이퍼에 각각 기준 표시부가 형성되어 있어 상기 마이크로미러 액추에이터를 상기 홀 대응영역에 정확하게 조립할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.