KR100716455B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents

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KR100716455B1
KR100716455B1 KR1020050015541A KR20050015541A KR100716455B1 KR 100716455 B1 KR100716455 B1 KR 100716455B1 KR 1020050015541 A KR1020050015541 A KR 1020050015541A KR 20050015541 A KR20050015541 A KR 20050015541A KR 100716455 B1 KR100716455 B1 KR 100716455B1
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최준영
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주식회사 에이디피엔지니어링
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Abstract

본 발명은 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 하측에 마련되어 기판이 적재되는 전극부; 상기 전극부의 최상면에 마련되는 정전척의 저면에 접촉한 상태로 구비되어 상기 정전척에 외부의 고전압을 인가시키는 DC 전원라인; 상기 챔버 하측으로 연장되는 DC 전원라인의 하단에 고정된 상태로 구비되어 이 DC 전원라인에 상승력을 부가하는 가압수단;을 포함하며, 상기 DC 전원라인은 가압수단의 작동에 의해 마모량만큼 점진적으로 상승되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate, the plasma processing apparatus comprising: an electrode unit disposed under the chamber and loaded with a substrate; A DC power line provided in contact with a bottom surface of the electrostatic chuck provided on the uppermost surface of the electrode unit to apply an external high voltage to the electrostatic chuck; And a pressurizing means provided in a fixed state at a lower end of the DC power line extending downward to the chamber to add lifting force to the DC power line, wherein the DC power line is gradually raised by the amount of abrasion by the operation of the pressurizing means. It provides a plasma processing apparatus, characterized in that.

플라즈마 처리장치, DC 전원라인, 마모, 가압수단, 상승 Plasma Processing Equipment, DC Power Line, Wear, Pressing Means, Lift

Description

플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus}Plasma processing apparatus

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 상기 플라즈마 처리장치의 전극부에 마련된 DC 전원라인을 도시한 부분단면도이다.2 is a partial cross-sectional view illustrating a DC power line provided in an electrode unit of the plasma processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 전극부에 마련된 DC 전원라인을 도시한 부분단면도이다.3 is a partial cross-sectional view showing a DC power line provided in the electrode portion of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

120 : 하부전극 118 : 냉각판120: lower electrode 118: cooling plate

116 : 절연부재 114 : 베이스 플레이트116: insulation member 114: base plate

130 : 절연부 132 : 접촉단자130: insulation 132: contact terminal

134 : DC 전원라인 136 : 하우징134: DC power line 136: housing

138 : 결합부재 140 : 접지부138: coupling member 140: ground portion

142, 144 : 상, 하판 146 : 고정핀142, 144: upper and lower plate 146: fixing pin

148 : 가압부재 150 ; 고정나사148: pressing member 150; Set screw

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 고전압이 정전척에 인가될 수 있도록 DC 전원라인이 마련되는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus provided with a DC power line so that an external high voltage can be applied to an electrostatic chuck.

상술한 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 과정을 설명하면 우선, 기판 수납 장치(이하 "카세트"라 칭함)에 다수 적재된 반도체 웨이퍼 또는 액정기판(이하 "기판"이라 칭함)을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load Lock Chamber) 내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공으로 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송 챔버(Transfer Chamber)로 이동시킨다.Referring to the process of performing plasma processing on the above-described semiconductor wafer or liquid crystal substrate, first, a plurality of semiconductor wafers or liquid crystal substrates (hereinafter referred to as "substrates") stacked in a substrate storage device (hereinafter referred to as "cassette") are transport robots. Carry in or out by means of a load lock chamber, which circulates vacuum and atmospheric pressure, and pumps the inside of the load lock chamber into a vacuum state to make a vacuum, and then transfer means. In operation to move the substrate into the transfer chamber.

여기서, 상술한 기판이 이송된 반송 챔버는 진공 상태를 유지하는 다수의 공정 챔버(Process Chamber)와 연통되어 있고, 상기 반송 챔버는 각각의 공정 챔버로 이송수단을 통해 반입, 반출을 실시하며, 여기서 각각의 공정 챔버로 반입된 기판은 하부 전극의 상부에 위치된 적재대 상에 놓이게 되며, 상부 전극 하부에 형성된 미세 구멍을 통해 공정 가스가 유입되고, 유입된 가스로 외부의 전원을 인가 받은 상, 하부 전극에 의해 전기 방전을 일으켜 기판의 표면에 플라즈마 공정을 진행하는 것이다.Here, the transfer chamber to which the above-described substrate is transferred is in communication with a plurality of process chambers maintaining a vacuum state, and the transfer chamber carries in and out of each process chamber through transfer means. The substrates introduced into the respective process chambers are placed on the mounting table positioned on the upper part of the lower electrode, the process gas is introduced through the micro holes formed in the lower part of the upper electrode, and external power is applied to the introduced gas. Electrical discharge is caused by the lower electrode to perform a plasma process on the surface of the substrate.

여기서, 상술한 하부 전극에는 외부의 고전압을 인가하기 위해 DC 전원라인이 이 하부 전극의 저면에 접촉한 상태로 마련된다.Here, the above-described lower electrode is provided with a DC power line in contact with the bottom surface of the lower electrode in order to apply an external high voltage.

종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 내부에서 진공 상태에 서 공정 처리가 이루어지는 공정챔버(10)와, 상술한 공정챔버(10)내 상측에 마련되어 외부의 공정 가스가 유입되는 상부전극(12)과, 상술한 상부전극(12)과 대향된 하측에 마련되어 기판(도면에 미도시)이 상면에 적재되며, 고주파 전원이 인가되는 전극부로 이루어진다.In the conventional plasma processing apparatus, as shown in FIG. 1, a process chamber 10 in which a process is performed in a vacuum state and an upper electrode provided at an upper side in the process chamber 10 described above, into which external process gas is introduced. (12) and a substrate (not shown in the figure) provided on the lower side opposite to the upper electrode 12 described above is mounted on the upper surface, and comprises an electrode portion to which high frequency power is applied.

상술한 전극부는 최하부에 위치된 베이스 플레이트(14)와, 상술한 베이스 플레이트(14) 상부 영역에 적재된 절연부재(16)와, 상술한 절연부재(16) 상부 영역에 적재된 냉각판(18)과, 상술한 냉각판(18)의 상부 영역에 적재된 하부전극(도면에 미도시)이 순차적으로 적층되어 이루어지며, 상술한 전극부의 외벽과 상부 영역 가장자리부에 플라즈마로부터 보호하는 절연판 및 세라믹판이 전극부의 둘레를 감싸도록 한 다음 다수개의 볼트에 의해 상면 가장자리부와 측면 및 저면에서 각각 체결된다.The electrode portion described above includes a base plate 14 positioned at the lowermost portion, an insulating member 16 stacked on the upper region of the base plate 14 described above, and a cooling plate 18 stacked on the upper region of the insulating member 16 described above. ) And a lower electrode (not shown) stacked on the upper region of the cooling plate 18 are sequentially stacked, and the insulating plate and ceramics are protected from the plasma at the outer wall and the upper region edge of the electrode portion. The plate is wrapped around the electrode and then fastened at the top edge, side and bottom by a plurality of bolts, respectively.

여기서, 도면에는 도시하지 않았지만 상술한 상부전극(12)의 하부 영역과 전극부의 하부전극 상부 영역에는 정전척(ESC : Electric Static Charge 20)이 마련되어 상술한 정전척(20)의 정전기력에 의해 전극상에 기판을 흡착시킨다.Here, although not shown in the drawings, an electrostatic chuck (ESC) is provided in the lower region of the upper electrode 12 and the upper region of the lower electrode of the electrode unit, and the electrostatic chuck 20 is formed on the electrode by the electrostatic force of the electrostatic chuck 20 described above. The substrate is adsorbed on the substrate.

그리고, 상술한 전극부내에 마련된 하부전극의 정전척(20)에 외부의 고전압을 통전하여 인가시키기 위해 정전척(20)의 저면 중앙부에 최선단이 접하도록 종방향의 DC 전원라인(34)이 마련된다.In addition, in order to energize and apply an external high voltage to the electrostatic chuck 20 of the lower electrode provided in the above-described electrode unit, the DC power line 34 in the longitudinal direction is disposed such that the uppermost end thereof is in contact with the central portion of the bottom surface of the electrostatic chuck 20. Prepared.

여기서, 상술한 전극부의 하부전극(20)에 고주파 전원을 인가하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같이 상하단과 하단 도중에서 돌출되는 원통 형상으로 절연부재(16)와 베이스 플레이트(14)의 중심부를 관통하여 그 관통된 부위에 삽입되는 하 우징(36)과, 상술한 하우징(36)의 상부 영역에서 정전척(20)의 저면까지의 냉각판(18)내 높이 영역에 마련되며, 하단은 개구되고 상단이 관통된 마개 형상을 갖는 절연부(30)와, 상술한 절연부(30)내 상부 영역에서 관통된 구멍에 삽입되어 하부전극의 상부 영역에 마련되는 정전척(20)의 저면에 접하며, 구리 재질로 단면 형상이 凸 인 접촉단자(32)와, 상술한 하우징(36)의 상부 영역과, 절연부(30)내 마련되는 접촉단자(32)와의 하부 영역에 절연 재질의 탄성부재(S)가 개재되어 마련된다.Here, in order to apply the high frequency power to the lower electrode 20 of the above-described electrode unit, as shown in FIG. 2, a cylindrical shape protruding from the upper and lower ends and the lower end passes through the center of the insulating member 16 and the base plate 14. And the housing 36 inserted into the penetrated portion and the height region in the cooling plate 18 from the upper region of the housing 36 to the bottom of the electrostatic chuck 20, the lower end being opened. The upper portion is in contact with the bottom surface of the electrostatic chuck 20 which is inserted into the hole penetrated in the upper region of the insulating portion 30 and the upper region in the above-described insulating portion 30, An elastic member S of insulating material is formed in a lower region of the contact terminal 32 having a cross-sectional shape of copper material, the upper region of the housing 36 and the contact terminal 32 provided in the insulating portion 30. ) Is provided.

한편, 상술한 접촉단자(32)와 DC 전원라인(36)은 특성상 전도도가 우수해야 하므로 구리 등으로 마련된다.On the other hand, since the above-described contact terminal 32 and the DC power line 36 should have excellent conductivity in characteristics, it is made of copper or the like.

그리고, 상술한 접촉단자(32)는 그 저면에 홈이 형성되고 그 홈에 DC 전원라인(34)의 최선단이 삽입 고정되어 전극부에서 소정 간격으로 이격된 공정챔버(10) 하측까지 연장되게 구비된다.In addition, the above-described contact terminal 32 has a groove formed in the bottom thereof, and the top end of the DC power line 34 is inserted and fixed in the groove so as to extend to the lower side of the process chamber 10 spaced apart from the electrode by a predetermined interval. It is provided.

그리고, 상술한 하우징(36)은 냉각판(18)의 상부 영역과, 베이스 플레이트(14)에 고정할 수 있도록 각각 볼트 체결한다.The housing 36 is bolted to each other so as to be fixed to the upper region of the cooling plate 18 and the base plate 14.

그리고, 상술한 냉각판(18)의 하부 영역과 그 냉각판(18)의 하부 영역에 접하도록 마련되는 하우징(36)의 접촉면에는 기밀유지부재가 개재된다. 즉, 상술한 DC 전원라인(34)이 공정챔버(10)의 외부에서 도입되기 때문에 대기와 차단하기 위해 밀폐하는 것이다. 또한, 상술한 하우징(36)의 저면에도 별도의 마감부재가 마련됨에 따라 하우징(36)과 마감부재의 접촉면에 기밀유지부재가 마련된다.The airtight holding member is interposed between the lower region of the cooling plate 18 and the contact surface of the housing 36 provided to contact the lower region of the cooling plate 18. That is, since the above-described DC power line 34 is introduced from the outside of the process chamber 10 is sealed to block the atmosphere. In addition, as a separate finishing member is provided on the bottom of the housing 36 described above, an airtight holding member is provided on the contact surface between the housing 36 and the finishing member.

여기서, 상술한 DC 전원라인(34)은 이 DC 전원라인(34)의 최선단에 고정되는 접촉단자(32)의 저면과, 하우징(36)의 상면에 개재된 탄성부재(S)의 탄성력에 의해 접촉단자(32)의 상부 영역이 정전척(20)의 저면에 접촉하여 외부의 고전압을 그 정전척(20)에 인가하였다.Here, the above-described DC power line 34 is applied to the bottom of the contact terminal 32 fixed to the uppermost end of the DC power line 34 and the elastic force of the elastic member S interposed on the upper surface of the housing 36. The upper region of the contact terminal 32 was in contact with the bottom surface of the electrostatic chuck 20 to apply an external high voltage to the electrostatic chuck 20.

그러나, 상술한 접촉단자(32)와, 하부전극의 상부 영역에 마련된 정전척(20)과의 사이에는 고전압이 걸리기 때문에 그에 따라 발생될 수 있는 스파크(spark) 현상으로 인해 상술한 접촉단자(32)에 마모 등의 문제가 발생할 수 있으므로 탄성부재(S)의 탄성력에 의해 DC 전원라인(34)의 최선단에 고정된 접촉단자(32)를 상부로 밀어 상술한 접촉단자(32)에 의해 DC 전원라인(34)과 정전척(20)의 저면이 항상 접촉한 상태로 마련되였으나, 상술한 DC 전원라인(34)과 그 최선단에 고정된 접촉단자(32)와의 결합 구조상 유지 보수하기 위해서 전극부를 분리하여야 하며, 상술한 탄성부재(S)의 탄성력 조절이 불가능하여 접촉단자(32)가 어느 정도 마모되면 탄성력이 소멸되어 접촉단자(32)가 정전척(20)에서 이격되어 단전되는 문제점이 있었다.However, since the high voltage is applied between the above-described contact terminal 32 and the electrostatic chuck 20 provided in the upper region of the lower electrode, the above-described contact terminal 32 is caused by a spark phenomenon that may occur accordingly. ) May cause abrasion, etc., so that the contact terminal 32 fixed to the uppermost end of the DC power line 34 is pushed upward by the elastic force of the elastic member S, so that the DC is contacted by the aforementioned contact terminal 32. Although the power line 34 and the bottom surface of the electrostatic chuck 20 are always provided in contact with each other, the maintenance of the coupling structure between the above-described DC power line 34 and the contact terminal 32 fixed at the uppermost end thereof. The electrode part must be separated, and the elastic force of the elastic member S cannot be adjusted, and when the contact terminal 32 is worn to some extent, the elastic force disappears and the contact terminal 32 is spaced apart from the electrostatic chuck 20 to be disconnected. There was this.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 정전척의 저면에 접하게 마련되어 마모되는 접촉단자의 마모량 만큼 DC 전원라인이 점진적으로 상승할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a plasma processing apparatus in which a DC power line can be gradually raised as much as the amount of wear of a contact terminal that is worn in contact with a bottom surface of an electrostatic chuck.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 하측에 마련되어 기판이 적재되는 전극부; 상기 전극부의 최상면에 마련되 는 정전척의 저면에 접촉한 상태로 구비되어 상기 정전척에 외부의 고전압을 인가시키는 DC 전원라인; 상기 챔버 하측으로 연장되는 DC 전원라인의 하단에 고정된 상태로 구비되어 이 DC 전원라인에 상승력을 부가하는 가압수단;을 포함하며, 상기 DC 전원라인은 가압수단의 작동에 의해 마모량만큼 점진적으로 상승됨으로써, 상술한 DC 전원라인을 통해 외부의 고전압이 정전척에 인가되기 때문에 그에 따라 발생될 수 있는 DC 전원라인의 상단에 구비된 접촉단자가 마모됨에 따라 상술한 DC 전원라인의 하단에 마련되는 가압수단에 의해 상술한 DC 전원라인을 상승시키며, 상술한 DC 전원라인의 분리가 용이하므로 바람직하다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate, comprising: an electrode portion provided below the chamber and loaded with a substrate; A DC power line provided in contact with a bottom surface of an electrostatic chuck provided on an uppermost surface of the electrode unit to apply an external high voltage to the electrostatic chuck; And a pressurizing means provided in a fixed state at a lower end of the DC power line extending downward to the chamber to add lifting force to the DC power line, wherein the DC power line is gradually raised by the amount of abrasion by the operation of the pressurizing means. As a result, since the external high voltage is applied to the electrostatic chuck through the above-described DC power line, the contact terminal provided on the upper end of the DC power line, which may be generated, is worn out and thus the pressure provided at the lower end of the above-described DC power line. The above-mentioned DC power supply line is raised by means, and the above-mentioned DC power supply line is easy to detach, which is preferable.

또한, 본 발명에서의 가압수단은, 상기 전극부내에 마련된 DC 전원라인의 외측 둘레 영역에 하우징이 구비되고, 상기 하우징의 저면에 결합부재가 구비되어 이 결합부재의 하단에 접하게 마련되는 상판; 상기 상판과 이격된 하측에 구비되며, 연장되는 DC 전원라인의 하단 도중에 고정되는 하판; 상기 상판의 저면과 하판의 상면에 상하단이 고정된 상태로 개재되어 상기 DC 전원라인이 상승될 수 있도록 상승력을 제공하는 탄성부재;로 이루어짐으로써, 상술한 하우징의 하부 영역에 고정되는 상판과, 이 상판과 이격된 하판에 탄성부재가 개재되어 상술한 DC 전원라인의 하단에 하판을 고정하여 접촉단자가 마모됨에 따라 상승하는 DC 전원라인에 상승력을 부가하여 이 DC 전원라인의 마모량에 따라 DC 전원라인이 점진적으로 상승되므로 바람직하다.In addition, the pressing means in the present invention, the housing is provided in the outer peripheral region of the DC power line provided in the electrode portion, the coupling member is provided on the bottom surface of the housing is provided in contact with the lower end of the coupling member; A lower plate provided at a lower side spaced apart from the upper plate and fixed at the lower end of the extended DC power line; An upper plate fixed to the lower region of the housing by being formed of an elastic member interposed in a state where the upper and lower ends of the upper plate and the lower plate of the upper plate are fixed and providing a lift force to raise the DC power line; An elastic member is interposed between the upper plate and the lower plate, and the lower plate is fixed to the lower end of the above-described DC power line to add lift power to the rising DC power line as the contact terminals are worn, and according to the amount of wear of the DC power line. This is preferable because it rises gradually.

또한, 본 발명에서의 DC 전원라인의 하단을 상기 하판에서 분리한 다음 챔버의 하측에서 DC 전원라인이 장탈착됨으로써, 상술한 DC 전원라인의 교체 작업이 용이하므로 바람직하다.In addition, since the lower end of the DC power line in the present invention is separated from the lower plate and then the DC power line is removed from the lower side of the chamber, it is preferable to replace the above-described DC power line.

이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 일 실시예의 플라즈마 처리장치는 도면에는 도시되지 않았지만 공정챔버와, 상술한 공정챔버내 상측에 마련되어 기판에 소정 가스를 분사하는 상부전극과, 상술한 상부전극의 대향된 하측에 마련되어 기판이 적재되며, 고전압이 인가되는 전극부로 이루어진다.Although not shown in the drawings, the plasma processing apparatus of the preferred embodiment of the present invention is provided with a process chamber, an upper electrode provided above the process chamber and injecting a predetermined gas to the substrate, and a substrate provided below the upper electrode. It is loaded and consists of an electrode part to which a high voltage is applied.

여기서, 상술한 전극부는 도 3에 도시된 바와 같이 최하부에 위치된 베이스 플레이트(114)에 순차적으로 절연부재(116)와, 냉각판(118)과, 하부전극(도면에 미도시)이 적층된 상태로 마련되며, 상술한 전극부의 외벽과 상부 영역 가장자리부에 플라즈마로부터 보호하는 절연판 및 세라믹판이 각각 감싸고 있는 구조로 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.Here, as shown in FIG. 3, the insulating member 116, the cooling plate 118, and the lower electrode (not shown) are sequentially stacked on the base plate 114 positioned at the lowermost portion as shown in FIG. 3. It is provided in a state, and the structure is surrounded by the insulating plate and the ceramic plate to protect the plasma from the outer wall and the upper region of the edge portion of the above-described electrode, respectively, so that the same structure and function as that of the prior art will be omitted.

상술한 전극부중 하부전극의 상부 영역에는 정전척(ESC : Electric Static Charge : 120)이 구비되고 상술한 정전척(120)에 고전압을 인가하기 위해 그 전극부를 관통하여 정전척(120) 저면에 접한 상태로 접촉단자(132)가 내재되며, 최상부가 정전척(120)의 저면 중심부에 마련되는 접촉단자(132)에 접하는 DC 전원라인 (134)이 마련된다.An electrostatic chuck (ESC) 120 is provided in an upper region of the lower electrode of the above-described electrode unit and penetrates through the electrode to contact the bottom surface of the electrostatic chuck 120 to apply a high voltage to the electrostatic chuck 120. The contact terminal 132 is embedded in the state, and the DC power line 134 is provided in contact with the contact terminal 132 provided at the center of the bottom surface of the electrostatic chuck 120.

그리고, 상술한 DC 전원라인(134)은 하우징(136)의 내부에 구비되며, 상술한 하우징(136)은 전극부중 절연부재(116)와 베이스 플레이트(114)의 중심부에 형성시킨 구멍에 삽입되며, 상술한 하우징(136)의 하단은 공정챔버(도면에 미도시)의 외부로 연장되게 마련된다.In addition, the above-described DC power line 134 is provided in the housing 136, the housing 136 is inserted into a hole formed in the center of the insulating member 116 and the base plate 114 of the electrode portion. The lower end of the housing 136 is provided to extend outside the process chamber (not shown).

그리고, 상술한 DC 전원라인(134)의 상부 영역에는 정전척(120)의 저면에 접하도록 접촉단자(132)가 마련되고, 상술한 접촉단자(132)에 의해 DC 전원라인(134)과 정전척(120)을 항상 접촉한 상태로 마련되며, 상술한 접촉단자(132)와 DC 전원라인(134)은 특성상 전도도가 우수해야 하므로 구리 등으로 형성되어 마련된다.In addition, a contact terminal 132 is provided in the upper region of the above-described DC power line 134 so as to be in contact with the bottom surface of the electrostatic chuck 120. The chuck 120 is always in contact with each other, and the contact terminal 132 and the DC power line 134 described above are formed of copper because they have excellent conductivity.

또한, 상술한 하우징(136) 내부에 구비되는 DC 전원라인(134)의 외주면에는 길이 방향으로 연장되는 원통 형상의 절연부(130)와 상술한 절연부(130)의 외주면을 감싸는 접지부(140)가 마련된다.In addition, the outer peripheral surface of the DC power line 134 provided in the housing 136 described above has a cylindrical insulating portion 130 extending in the longitudinal direction and a ground portion 140 surrounding the outer peripheral surface of the insulating portion 130 described above. ) Is provided.

여기서, 상술한 하우징(136)의 상단은 직경이 상대적으로 큰 단차 형상을 가지므로, 이 하우징(136) 선단의 단차부가 냉각판(118)과 절연부재(116)의 접촉면에 위치되어 별도의 체결구(도면에 미도시)의 필요없이 하우징(136) 고정이 가능하다.Here, since the upper end of the housing 136 described above has a stepped shape having a relatively large diameter, the stepped portion of the tip of the housing 136 is positioned at the contact surface of the cooling plate 118 and the insulating member 116 to be separately fastened. The housing 136 can be secured without the need for a sphere (not shown in the figure).

그리고, 상술한 하우징(136)의 저면에는 단면 형상이 하우징(136)과 동일하되 소정 두께를 갖는 결합부재(138)가 고정되어 마련되며, DC 전원라인(134)의 둘레면에 마련되는 냉각판(118)과 절연부재(116)의 이탈을 방지하게 된다.In addition, the bottom surface of the housing 136 described above, the cross-sectional shape is the same as the housing 136, but the coupling member 138 having a predetermined thickness is provided is fixed, the cooling plate provided on the circumferential surface of the DC power line 134 The separation of the 118 and the insulating member 116 is prevented.

여기서, 상술한 하우징(136)과 결합부재(138)의 접촉면에는 기밀유지부재가 개재된다.Here, the airtight holding member is interposed in the contact surface of the housing 136 and the coupling member 138 described above.

상술한 결합부재(138)의 상면에는 DC 전원라인(134)과 동일 선상 위치에 관통된 구멍이 형성되고 상술한 구멍의 하단에는 상술한 DC 전원라인(134)과 동심을 갖도록 형성된 구멍보다 직경이 큰 상태로 원통 형상의 홈이 형성된다.On the upper surface of the coupling member 138, a hole penetrated at the same line position as the DC power line 134 is formed, and at the lower end of the hole, the diameter is larger than the hole formed to be concentric with the DC power line 134. A cylindrical groove is formed in a large state.

상술한 가압수단은 상술한 결합부재(138)의 저면에 결합되는 상판(142)과, 상술한 상판(142)과 하방으로 소정 간격을 갖도록 구비되는 하판(144)과, 상술한 상판(142)과 하판(144)과의 이격 공간에 구비되며, 상술한 상판(142)에 상단이 고정되고 하판(144)의 하단이 고정되어 개재되는 탄성부재(S)로 이루어지며, 상술한 탄성부재(S)는 압축 스프링 또는 인장 스프링 중 어느 하나를 사용하게 된다.The above-mentioned pressing means includes an upper plate 142 coupled to the bottom of the coupling member 138, a lower plate 144 provided to have a predetermined distance downward from the upper plate 142, and the upper plate 142 described above. It is provided in the space between the lower plate and 144, the upper plate is fixed to the upper plate 142 and the lower end of the lower plate 144 is made of an elastic member (S) interposed, the elastic member (S) ) Will use either a compression spring or a tension spring.

여기서, 상술한 가압수단의 하판(144)에 DC 전원라인(134)의 하단이 고정되며, 그 고정 방법은 상술한 하판(144)의 일측에서 직경 방향으로 관통되는 횡방향의 홀이 형성되고 상술한 DC 전원라인(134)에도 하판(144)의 고정 위치에 횡방향의 홀이 직경 방향으로 형성되어 상술한 하판(144)의 일측에 형성된 홀을 통해 고정핀(146)을 삽입하면 DC 전원라인(134)의 홀을 통과하여 상술한 DC 전원라인(134)의 하단이 하판(144)에 고정되는 것이다.Here, the lower end of the DC power line 134 is fixed to the lower plate 144 of the above-mentioned pressing means, the fixing method is a transverse hole is formed in one side of the above-described lower plate 144 in the radial direction is formed and In one DC power line 134, a hole in the transverse direction is formed in a fixed position of the lower plate 144 in the radial direction, and when the fixing pin 146 is inserted through the hole formed in one side of the lower plate 144 described above, the DC power line The lower end of the above-described DC power line 134 is fixed to the lower plate 144 through the hole of 134.

그리고, 상술한 DC 전원라인(134)은 결합부재(138)의 저면에 형성되는 단차 형상의 구멍을 통해 하우징(136)내에서 하방으로 연장되며, 상술한 결합부재(138)의 구멍 내주면이 DC 전원라인(134)의 외주면에 접하여 기밀을 유지할 수 있도록 기밀유지부재(O)가 마련되고 그 기밀유지부재(O)의 위치를 고정할 수 있도록 일측의 단면 형상이 "ㄴ" 인 가압부재(148)를 DC 전원라인(134)의 외주면에 삽입하여 기밀유지부재(O)의 저면에 접하도록 위치시키며, 상술한 가압부재(148)의 저면에 마련되되 가압부재(148)가 기밀유지부재(O)를 적정 위치에서 가압한 상태로 고정할 수 있도록 DC 전원라인(134)에 횡방향으로 고정나사(150)가 체결된다.In addition, the above-described DC power line 134 extends downwardly in the housing 136 through a stepped hole formed in the bottom surface of the coupling member 138, and the hole inner circumferential surface of the coupling member 138 is DC. An airtight holding member (O) is provided to be in contact with the outer circumferential surface of the power line 134 and the pressing member (148) having a cross-sectional shape of one side "b" to fix the position of the airtight holding member (O). ) Is inserted into the outer circumferential surface of the DC power line 134 so as to be in contact with the bottom surface of the airtight holding member (O), and is provided on the bottom of the pressure member 148 described above, and the pressure member 148 is the airtight holding member (O). ) Is fixed in the transverse direction to the DC power line 134 so as to be fixed in a pressurized state at an appropriate position.

한편, 상술한 가압수단 중 상판(142)은 결합부재(138)에 고정되고, 하판(144)은 DC 전원라인(134)의 하단에 고정됨에 따라 위치가 가변되며, 상술한 상판(142)과 하판(144)의 이격 높이에 양단이 고정된 상태로 탄성부재(S)가 개재되었을 때, 상술한 탄성부재(S)의 복원력으로 DC 전원라인(134)을 상승시킬 수 있도록 신장된 상태로 탄성부재(S)가 구비된다.On the other hand, the upper plate 142 of the above-mentioned pressing means is fixed to the coupling member 138, the lower plate 144 is changed in position as it is fixed to the lower end of the DC power line 134, and the upper plate 142 and When the elastic member (S) is interposed with both ends fixed to the separation height of the lower plate 144, the elastic member in an extended state to raise the DC power line 134 by the restoring force of the elastic member (S) described above The member S is provided.

즉, 신장된 상태로 개재되는 탄성부재(S)에 의해 복원력을 제공하며, 상술한 탄성부재(S)의 복원력은 DC 전원라인(134)의 하단에 고정된 하판(144)이 항상 상방을 향하도록 작용하여 상술한 DC 전원라인(134)의 선단이 마모되면 상술한 탄성부재(S)의 복원력에 의해 상술한 DC 전원라인(134)을 상승시켜 DC 전원라인(134)이 마모량만큼 점진적으로 상승하여 상술한 DC 전원라인(134)의 상단이 정전척(120)의 저면에 항시 접한 상태로 마련함으로써, 상술한 정전척(120)으로 인가되는 고전압의 단전을 방지한다.That is, the restoring force is provided by the elastic member S interposed in the stretched state, and the restoring force of the elastic member S is the lower plate 144 fixed to the lower end of the DC power line 134 always facing upward. When the front end of the above-described DC power line 134 is worn, the DC power line 134 is raised by the restoring force of the elastic member S, so that the DC power line 134 gradually rises by the amount of wear. Thus, the upper end of the above-described DC power line 134 is always in contact with the bottom of the electrostatic chuck 120, thereby preventing the high voltage applied to the electrostatic chuck 120 described above.

그러므로, 본 발명의 플라즈마 처리장치에 마련된 전극부에 고주파 전원 공급은 도 3에 도시된 바와 같이 정전척(ESC : 120)이 마련되는 하부전극과, 상술한 정전척(120)의 저면에 접하도록 상부 영역에 접촉단자(132)가 마련되는 DC 전원라인(134) 사이에는 고전압이 걸리기 때문에 상술한 접촉단자(132)의 마모가 불가피하게 되며, 상술한 DC 전원라인(134)의 하단에 가압수단을 마련하여 상술한 가압수 단이 상술한 접촉단자(132)의 마모량에 상응하는 높이로 그 DC 전원라인(134)을 상승시켜 정전척(120)의 저면에 항시 접촉단자(132)가 접하도록 하여 상술한 접촉단자(132)가 마모되어도 정전척(120)에 단전없이 고전압의 인가가 가능하다.Therefore, the high frequency power supply is provided to the electrode unit provided in the plasma processing apparatus of the present invention so as to contact the lower electrode provided with the electrostatic chuck (ESC) 120 and the bottom surface of the electrostatic chuck 120 as shown in FIG. 3. Since a high voltage is applied between the DC power lines 134 provided with the contact terminals 132 in the upper region, the above-described wear of the contact terminals 132 is inevitable, and the pressing means is applied to the lower ends of the DC power lines 134 described above. To raise the DC power line 134 to a height corresponding to the amount of wear of the contact terminal 132 described above so that the contact terminal 132 is always in contact with the bottom of the electrostatic chuck 120. Thus, even when the above-described contact terminal 132 is worn, high voltage can be applied to the electrostatic chuck 120 without power failure.

즉, 상술한 정전척(120)의 저면에 접촉되게 구비되며, DC 전원라인(134)의 상부 영역에 마련되는 접촉단자(132)의 마모시 상술한 DC 전원라인(134)의 하단에 고정되고 상판(142)과 하판(144)의 사이에 개재된 탄성부재(S)의 복원력에 의해 DC 전원라인(134)에 고정된 하판(144)이 상승하고 상술한 접촉단자(132)의 마모량에 상응한 높이로 DC 전원라인(134)이 상승하여 정전척(120)의 저면에 항시 접촉하게 된다.That is, it is provided to be in contact with the bottom surface of the electrostatic chuck 120 described above, and is fixed to the lower end of the above-described DC power line 134 when the contact terminal 132 provided in the upper region of the DC power line 134 The lower plate 144 fixed to the DC power line 134 is raised by the restoring force of the elastic member S interposed between the upper plate 142 and the lower plate 144 and corresponds to the amount of wear of the contact terminal 132 described above. The DC power line 134 is raised to one height to always be in contact with the bottom surface of the electrostatic chuck 120.

그리고, 상술한 접촉단자(132)가 마모되어 사용 한계에 이르면 상술한 하판(144)에서 고정핀(146)을 분리시키고 DC 전원라인(134)을 외부로 분리시킨 다음 교환할 접촉단자(132)를 장착하게 된다.In addition, when the contact terminal 132 is worn and the limit of use is reached, the fixing pin 146 is separated from the lower plate 144 and the DC power line 134 is separated to the outside, and then the contact terminal 132 to be replaced. Will be fitted.

여기서, 상술한 DC 전원라인(134)의 상승 높이는 탄성부재(S)를 신장시키는 신장량과 비례하게 되며, 상승시켜 사용할 수 있는 DC 전원라인(134)의 높이만큼 최초의 탄성부재(S)를 신장시킨 상태에서 장착한다.Here, the height of the above-described DC power line 134 is increased in proportion to the amount of elongation of the elastic member (S), and the first elastic member (S) is stretched by the height of the DC power line (134) that can be raised and used. It is attached in the state that had been made.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 정전척에 고전압을 인가하기 위해 DC 전원라인이 정전척의 저면에 마련되고, 상술한 정전척과 DC 전원라인의 상부 영역에 구비된 접촉단자와의 접촉면에는 고전압이 걸리기 때문에 상술한 DC 전원라인의 상부 영역에 마련되는 접촉단자의 마모가 초래되어 이격됨에 따라 DC 전원라인 의 하단에 상술한 DC 전원라인을 상승시키는 가압수단을 마련하게 되며, 상술한 가압수단 중 상판은 결합부재에 고정되고 하판은 DC 전원라인의 하단에 고정된 상태로 마련되는 바, 상, 하판에 신장시킨 상태로 개재되는 탄성부재를 마련하여 선단이 점차적으로 마모되는 접촉단자를 점진적으로 가압수단에 의해 상승시켜 항시 접한 상태므로 단전됨을 방지하며, 상술한 DC 전원라인의 장, 탈착이 용이하게 실시되어 유지 보수가 용이한 효과가 있다.In the plasma processing apparatus of the present invention, in order to apply a high voltage to the electrostatic chuck, a DC power line is provided on the bottom surface of the electrostatic chuck, and a high voltage is applied to the contact surface between the aforementioned electrostatic chuck and the contact terminal provided in the upper region of the DC power line. Therefore, as the wear of the contact terminal provided in the upper region of the above-described DC power line is caused to be spaced apart to provide a pressing means for raising the above-described DC power line at the lower end of the DC power line, the upper plate of the above-mentioned pressing means It is fixed to the coupling member and the lower plate is provided in a fixed state at the lower end of the DC power line, by providing an elastic member interposed in a state extending in the upper and lower plates, the contact terminal gradually wears the front end to the pressure means It prevents power shortage because it is always in contact with it, and it is easy to install and detach the above-mentioned DC power line. This has the effect.

Claims (3)

진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,A plasma processing apparatus for generating a plasma inside a chamber in a vacuum state to perform a predetermined treatment on a substrate. 상기 챔버내 하측에 마련되어 기판이 적재되는 전극부;An electrode unit provided below the chamber to load a substrate; 상기 전극부의 최상면에 마련되는 정전척의 저면에 접촉한 상태로 구비되어 상기 정전척에 외부의 고전압을 인가시키는 DC 전원라인;A DC power line provided in contact with a bottom surface of the electrostatic chuck provided on the uppermost surface of the electrode unit to apply an external high voltage to the electrostatic chuck; 상기 챔버 하측으로 연장되는 DC 전원라인의 하단에 고정된 상태로 구비되어 이 DC 전원라인에 상승력을 부가하는 가압수단;을 포함하며,And a pressurizing means provided in a fixed state at a lower end of the DC power line extending below the chamber to add lifting force to the DC power line. 상기 DC 전원라인은 가압수단의 작동에 의해 상단이 마모되며 그 마모량만큼 점진적으로 상승되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The DC power line is a plasma processing apparatus, characterized in that the upper end is worn by the operation of the pressing means and gradually increased by the amount of wear . 제 1항에 있어서, 상기 가압수단은,According to claim 1, wherein the pressing means, 상기 전극부내에 마련된 DC 전원라인의 외측 둘레 영역에 하우징이 구비되고, 상기 하우징의 저면에 결합부재가 구비되어 이 결합부재의 하단에 접하게 마련되는 상판;A top plate provided with a housing in an outer circumferential region of the DC power line provided in the electrode unit, and having a coupling member disposed on a bottom surface of the housing to be in contact with a lower end of the coupling member; 상기 상판과 이격된 하측에 구비되며, 연장되는 DC 전원라인의 하단 도중에 고정되는 하판;A lower plate provided at a lower side spaced apart from the upper plate and fixed at the lower end of the extended DC power line; 상기 상판의 저면과 하판의 상면에 상하단이 고정된 상태로 개재되어 상기 DC 전원라인이 상승될 수 있도록 상승력을 제공하는 탄성부재;로 이루어진 것을 특 징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an elastic member interposed in a state in which upper and lower ends are fixed to a lower surface of the upper plate and an upper surface of the lower plate to provide a lift force to raise the DC power line. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 DC 전원라인의 하단을 상기 하판에서 분리한 다음 챔버의 하측에서 DC 전원라인이 장탈착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that the lower end of the DC power line is separated from the lower plate and then the DC power line is detachable from the lower side of the chamber.
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