KR100715123B1 - 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법 - Google Patents

탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100715123B1
KR100715123B1 KR1020050059519A KR20050059519A KR100715123B1 KR 100715123 B1 KR100715123 B1 KR 100715123B1 KR 1020050059519 A KR1020050059519 A KR 1020050059519A KR 20050059519 A KR20050059519 A KR 20050059519A KR 100715123 B1 KR100715123 B1 KR 100715123B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
recording medium
information storage
storage device
type information
Prior art date
Application number
KR1020050059519A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070004158A (ko
Inventor
이철승
신진국
서문석
김성현
최영진
이경일
조진우
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020050059519A priority Critical patent/KR100715123B1/ko
Publication of KR20070004158A publication Critical patent/KR20070004158A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100715123B1 publication Critical patent/KR100715123B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1409—Heads
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
    • G11B9/1472—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체는 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 제1 상전이 박막 상에 제2 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다.
상전이 박막, 기록매체, 정보저장, 기록, 재생, 소거

Description

탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법{Recording media of probe type datastorage device and writing/reading/erasing method thereof}
도 1은 상전이 박막의 온도에 따른 구조 변화를 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 나타내는 구성도이다.
도 3은 종래의 데이터 기록 및 소거를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 나타내는 구성도이다.
도 5는 본 발명에 따른 기록매체를 증착하는 증착장비를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 온도에 따른 상전이 박막의 전기 저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 기록매체에 정보 기록 후 재생 결과를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 하부전극
120 : 상전이 박막 130 : 금속-절연체 상전이 박막
본 발명은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다.
최근 인터넷과 디지털 기술의 급격한 발달은 고용량 정보저장장치의 개발을 절실히 요구하고 있는 실정이다. 그러나 기존의 하드디스크나 광 정보저장장치 등의 정보저장장치는 거대 상자성 효과나 레이저의 회절 한계 등으로 인해 기록밀도증가에 제한을 받고 있다. 이러한 기존 장치의 기술의 한계를 극복할 수 있는 방법으로, 주사 탐침 현미경(Scanning Probe Microscopy, 이하 'SPM'이라 함)의 원리를 이용하여 1Tbit/inch2 이상의 초고용량 정보저장장치를 제작하고자 하는 연구가 진행 중에 있다.
그 중에서도 상전이 박막(비정질 Ge-Sb2-Te4)을 이용한 SPM 기록매체에 관한 것으로, 상전이 박막이란 온도에 따라 결정/비결정의 특성을 보이는 물질이다. 도 1은 상전이 박막의 온도에 따른 구조 변화를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 가열 온도 및 시간에 따라 특정 온도에서 가역적인 상전이를 보인다.
특히 상전이 박막은 이미 상용화되어 있는 CD나 DVD 등의 광 정보저장장치에 널리 사용되고 있으며 빠른 기록속도 및 기록보유시간의 장점을 갖는다. 이는 상전이 물질의 특성 중, 탐침과의 접촉시 발생되는 줄 열을 이용하여 결정/비정질 상태를 조절하고 그 저항차를 판독하는 방법을 구현한 것이다.
도 2는 종래의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 나타내는 구성도이고, 도 3은 종래의 데이터 기록 및 소거를 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 정보를 기록하기 위해서는 탐침(10)을 이용하여 초기 비정질 상태의 상전이 박막(20)에 일정 전압을 가하여 접촉저항에 의한 줄 열로 탐침(10)과 접촉된 부분이 정보를 기록하게 된다. 또한 정보를 소거하기 위해서는 높은 전압을 짧은 시간동안 흘려주어 결정질에서 비정질로 상전이를 발생시켜 기저 부분과 같게 하여 정보를 소거하게 된다.
그러나 상기와 같이 상전이 박막만을 기록매체로 이용하는 경우에는 산화, 마모 등의 문제가 대두된다. 특히 상전이 박막의 자연 산화 문제의 경우에는 정보의 기록시 상전이 박막의 손상이나 비정상적인 기록 등의 문제가 자주 발생되는 문제가 있다. 따라서 산화방지층이 필요한데 이 경우, 금속 같은 전도성 보호막의 경우에는 전류가 누설될 수 있고, 부도체의 경우에는 전류가 하부 전극까지 도달되지 못해 과도한 전류가 팁에 집중되어 팁 선단이 파괴되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상전이에 의한 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하여 구성된 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 의해 달성된다.
본 발명의 다른 목적은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법에 있어서, 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 박막을 결정질 상태로 변환하는 단계 및 상기 결정질 상태로 변환한 금속-절연체 상전이 박막을 통과한 전류가 상전이 박막을 비정질화하여 기록하는 단계를 포함하여 이루어진 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 또 다른 목적은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법에 있어서, 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계 및 상기 금속-절연체 상전이 박막이 결정질화하여 정보를 재생하는 단계를 포함하여 이루어진 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 또 다른 목적은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법에 있어서, 기록매체에 기록된 데이터 비트 부위에 인가 펄스전압을 인가하는 단계 및 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시켜 정보를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법에 의해 달성된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 4는 본 발명에 따른 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 나타내는 구성도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 기록매체는 기판(100) 상에 하부전극(110)을 증착하고, 상기 하부전극(110)을 산소 등의 불순물을 제거하기 위해 습식 또는 건식 세정 공정을 한다. 이후, 상기 하부전극(110) 상에 상전이 박막(120)을 증착한 후, 금속-절연체 상전이 박막(130)을 증착하여 완성한다.
상기 금속-절연체 상전이 박막(130)은 금속-절연체 상전이 박막으로 비정질 상태인데, 상기 금속-절연체 상전이 박막(130)을 증착할 때 필요한 기판 가열에 의해 모두 결정질 상태가 된다. 또한, 상기 금속-절연체 상전이 박막(130)은 가해지는 온도가 60 ~ 80℃가 되면 부도체에서 도체로 변화하는 물질이다.
따라서, 상기와 같이 기판(100), 하부전극(110), 상전이 박막(120), 금속-절연체 상전이 박막(130)으로 제작된 기록매체는 기록시 인가되는 전압의 크기와 시간에 따라 기록/재생/소거가 가능하다.
상기 기판(100)은 높은 평활도와 열전도율이 좋으며 제작 단가가 낮은 실리콘 기판을 이용하고, 하부전극(110)은 전기 전도도가 좋은 100 nm 두께의 Pt, Au 등을 사용함이 바람직하나, 저항이 1 ~ 10Ω㎝ 범위를 갖는 도전성 박막, 즉 W이 함유된 비정질 탄소(W-Diamond-Like Carbon) 박막을 사용하여도 된다. 상기 비정질 탄소 박막의 W의 함유량은 5 ~ 15at.%를 갖고, 두께는 10nm로 한다.
상전이 박막(120)은 Ge2-Sb2-Te5를 이용하는데, 이는 가장 좋은 재현성 및 기록 특성을 보이기 때문이다. 아울러 상전이 박막(120)은 상기 Ge-Sb-Te 계열 외에 Ag-In-Sb-Te 계열의 상전이 박막을 사용하고, 두께는 데이터 비트 크기를 최소화하기 위해서 10 ~ 20nm를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 상전이 박막(120)은 인가되는 열(탐침에 인가 펄스전압을 인가시 발생되는 열)에 의해 결정질 상태에서 비정질 상태로 변화된 후, 그 상태를 유지하는 것이다.
금속-절연체 상전이 박막(130)은 비정질 상태로 있다가 온도가 60℃ 정도의 이상되면(즉, 낮은 인가전압) 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 물질로 이는 상이 변화되는 것이 아니라 박막내의 존재하는 공공 등의 이동으로 전도성을 보이는 것이다. 상기 금속-절연체 상전이 박막(130)은 VO2 박막을 사용함이 바람직하다.
정보 기록의 경우에는 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 탐침(140)과 금속-절연체 상전이 박막(130)이 접촉하게 되면, 상기 금속-절연체 상전이 박막(130)은 줄 열에 의해 가열되고 일정 온도 이상이 되면 결정질 상태로 변환된다. 결정질 상태를 통과하여 연속적으로 가해진 전류는 상전이 박막(120)을 다시 가열하여 비정질화시키면서 통과한다.
따라서 기저 부분(금속-절연체 상전이 박막)은 결정질인 상태이고, 기록된 부분(상전이 박막)은 비정질 상태이기 때문에 저항차이에 의해 데이터 비트(Data Bit)를 구현할 수 있다. 이 경우, 기록시 금속-절연체 상전이 박막(130)을 통과한 전류가 전도성의 상전이 박막(120)을 나노 단위로 집중 통과되는 효과가 있기 때문에 그 데이터 비트 크기는 15nm 이하까지 가능하다.
또한, 정보 재생의 경우에는 상전이 박막(120)을 비정질화시킬 수 있는 전압 이하로 탐침(140)을 접촉시켜 금속-절연체 상전이 박막(130)만을 결정질 상태로 할 수 있는 조건으로 수행하고, 정보 소거의 경우에는 기록매체에 기록된 데이터 비트 부위를 전압은 낮고 인가 시간은 높은 조건으로 상기 탐침(140)을 접촉시키면 된다.
상기와 같이 구현된 기록/재생/소거가 가능한 기록매체는 재생감도가 높고 기록 밀도는 최고 3 Tbit/inch2가 가능하다.
도 5는 본 발명에 따른 기록매체를 증착하는 증착장비를 나타내는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 방법으로 상전이 박막을 10 ~ 20nm의 두께로 증착하고, 상기 상전이 박막이 증착된 후, 같은 챔버 내에서 곧바로 금속-절연체 상전이 박막인 VO2 박막을 증착한다.
이는 상기 금속-절연체 상전이 박막 증착시 기판의 온도는 480℃로 하고, V(Vanadium)의 스퍼터링 증착과 동시에 4sccm의 산소를 유입시켜 다결정 상태의 VO2 박막을 형성시키는 것이다. 상기 증착된 VO2 박막의 물질 특성은 온도가 60℃ 이상이 되면 도체 성격을 갖는다.
도 6은 본 발명에 따른 온도에 따른 상전이 박막의 전기 저항의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상전이 박막은 160 ~ 170℃에서 비정질에서 결정질로 상전이가 발생되어 이때의 전기 저항값은 비정질인 경우 약 100Ωcm이고 결정질인 경우에는 약 0.1Ωcm임을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 기록매체의 정보 기록은 기록매체와 탐침과 접촉시 부하전력을 1 ~ 10nN으로 하고, 인가 펄스전압을 6 ~ 8V로 하며, 전압 인가시간은 100nsec 이하로 한다. 한 개의 데이터 비트를 생성시키기 위해서 인가되는 펄스는 한번 이상일 수 있다.
이 경우, 탐침과 기록매체가 접속된 부분에서 줄 열에 의해 VO2 박막이 결정질 상태가 되고, 통과된 전류는 다시 하부층의 결정질 상태의 Ge2-Sb2-Te5 박막이 국부적으로 비정질화된다. 상기 비정질화된 부분의 전기 저항값은 결정질에 비해 1000배 정도 높다.
또한, 정보 재생은 기록매체와 탐침과 접촉시 부하전력을 1 ~ 10nN으로 하고, 인가 펄스전압을 1 ~ 2V를 인가하여 전기 저항차로 정보를 재생한다.
또한, 정보 기록 소거는 기록매체에 기록된 데이터 비트를 탐침과 다시 접촉시켜 부하전력을 1 ~ 10nN으로 하고, 인가 펄스전압을 5 ~ 6V로 하며, 전압 인가시간은 200 ~ 500nsec 이하로 한다. 이렇게 되면 비정질이었던 부분이 다시 결정질 상태가 되어 전기 저항값이 낮아지게 되어 정보의 소거가 가능하다.
도 7은 본 발명에 따른 기록매체에 정보 기록 후 재생 결과를 나타내는 도면이다. 도 7과 같이, 스캔 영역은 1um이고 이때의 데이터 비트의 크기는 15nm 정도이므로, 이는 3 Tb/inch2에 해당되는 기록 밀도를 갖음을 알 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM(Phase-change RAM) 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서,
    실리콘 기판;
    상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극;
    상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막; 및
    상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막
    을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하부전극은 Pt, Au 및 비정질 탄소 박막 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 비정질 탄소 박막은 W의 함유량이 5 ~ 15at.%이고, 두께가 10nm인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 상전이 박막은 Ge-Sb-Te 계열 및 Ag-In-Sb-Te 계열의 박막 중 어느하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 상전이 박막은 10 ~ 20nm의 두께인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 일정 온도는 60℃인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 금속-절연체 상전이 박막은 VO2인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체.
  8. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법에 있어서,
    (a) 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계;
    (b) 상기 금속-절연체 상전이 박막을 결정질 상태로 변환하는 단계; 및
    (c) 상기 결정질 상태로 변환한 금속-절연체 상전이 박막을 통과한 전류가 상전이 박막을 비정질화하여 기록하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 (a) 단계는 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 6 ~ 8V, 전압 인가시간은 100nsec 이하로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법.
  10. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법에 있어서,
    (a) 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계; 및
    (b) 상기 금속-절연체 상전이 박막이 결정질화하여 정보를 재생하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 (a) 단계는 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 1 ~ 2V로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법.
  12. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법에 있어서,
    (a) 기록매체에 기록된 데이터 비트 부위에 인가 펄스전압을 인가하는 단계; 및
    (b) 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시켜 정보를 제거하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 5 ~ 6V, 전압 인가시간은 200 ~ 500nsec 이하로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법.
KR1020050059519A 2005-07-04 2005-07-04 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법 KR100715123B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059519A KR100715123B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059519A KR100715123B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070004158A KR20070004158A (ko) 2007-01-09
KR100715123B1 true KR100715123B1 (ko) 2007-05-10

Family

ID=37870443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050059519A KR100715123B1 (ko) 2005-07-04 2005-07-04 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100715123B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102389290B1 (ko) 2021-09-28 2022-04-20 최해용 골프공이 돌출되는 타격 연습 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122440A (ja) * 1988-10-31 1990-05-10 Ricoh Co Ltd 強誘電性高分子光記録媒体
KR20010073306A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 구자홍 강유전체 기록 매체 및 그 제조 방법
KR20040042387A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 엘지전자 주식회사 탐침형 정보 저장 장치용 기록매체의 제조방법
KR20050049860A (ko) * 2003-11-24 2005-05-27 삼성전자주식회사 전하-쌍극자가 결합된 정보 저장 매체
KR100561858B1 (ko) 2003-08-25 2006-03-16 삼성전자주식회사 강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및재생방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122440A (ja) * 1988-10-31 1990-05-10 Ricoh Co Ltd 強誘電性高分子光記録媒体
KR20010073306A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 구자홍 강유전체 기록 매체 및 그 제조 방법
KR20040042387A (ko) * 2002-11-14 2004-05-20 엘지전자 주식회사 탐침형 정보 저장 장치용 기록매체의 제조방법
KR100561858B1 (ko) 2003-08-25 2006-03-16 삼성전자주식회사 강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및재생방법
KR20050049860A (ko) * 2003-11-24 2005-05-27 삼성전자주식회사 전하-쌍극자가 결합된 정보 저장 매체

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070004158A (ko) 2007-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hamann et al. Ultra-high-density phase-change storage and memory
Wright et al. Terabit-per-square-inch data storage using phase-change media and scanning electrical nanoprobes
US8178387B2 (en) Methods for reducing recrystallization time for a phase change material
JP5057589B2 (ja) 探査プローブ（ｓｓｐ）を用いた記憶装置、プロセス
KR100519774B1 (ko) 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법
US20040145941A1 (en) Phase change media for high density data storage
JPH05282717A (ja) 記録媒体の製造方法、及び記録媒体、及び情報処理装置
US7233517B2 (en) Atomic probes and media for high density data storage
Wang et al. Overview of probe-based storage technologies
JP2003100084A (ja) 相変化型不揮発性記憶装置
KR100399052B1 (ko) 다중 기능 근접 탐침을 이용한 고밀도 정보 기록 및 재생 장치
Wang et al. The route for ultra-high recording density using probe-based data storage device
Wright et al. Scanning probe memories–Technology and applications
KR100715123B1 (ko) 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법
JPH08297871A (ja) 高密度記録媒体及び大容量記録装置
Wang et al. Ultra high density scanning electrical probe phase-change memory for archival storage
JP4902350B2 (ja) マイクロチップ及び記録媒体を有するデータ記録装置
WO2012117773A1 (ja) 固体メモリ
JP2008052892A (ja) 高密度データ格納装置及びその記録／再生方法
Wright et al. Scanning probe-based phase-change terabyte memories
KR20080076609A (ko) 데이터 기록매체 및 이를 이용한 데이터의 기록방법
Pan Ultra-high density rewritability function achieved using phase-change electrical probe memory
Wang et al. The experimental demonstration of the optimized electrical probe memory for ultra-high density recording
Wang et al. Potential of TePdO Media for Future Archival Storage Applications
JPH09282723A (ja) 情報記録装置、情報記録方法及び情報再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110111

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee