KR100712997B1 - 수직 및 수평 임계치수 차이를 조절하기 위한 노광시스템및 이를 이용한 노광방법 - Google Patents

수직 및 수평 임계치수 차이를 조절하기 위한 노광시스템및 이를 이용한 노광방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 수직 및 수평 임계치수 차이를 조절하기 위한 노광시스템은, 일정 파장의 광을 발생시키는 광원과, 광원으로부터 발생된 광의 형상을 수직방향 또는 수평방향으로 치우치는 타원 형태로 변형시키는 렌즈와, 그리고 렌즈를 통과한 타원 형태의 광을 레티클을 통해 웨이퍼로 주사하는 렌즈시스템을 구비한다.
수직패턴, 수평패턴, 임계치수(CD) 차이, 노광, 조명계

Description

수직 및 수평 임계치수 차이를 조절하기 위한 노광시스템 및 이를 이용한 노광방법{Exposure system for controlling the vertical/horizontal CD difference and method of photolithography using the exposure system}
도 1은 종래의 노광시스템의 일 예를 나타내 보인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광시스템을 나타내 보인 도면이다.
도 3은 도 2의 노광시스템에서 일반 조명계를 사용하는 경우의 광의 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 4는 도 2의 노광시스템에서 환상 조명계를 사용하는 경우의 광의 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광시스템을 나타내 보인 도면이다.
도 6은 도 5의 노광시스템에서 일반 조명계를 사용하는 경우의 광의 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 7은 도 5의 노광시스템에서 환상 조명계를 사용하는 경우의 광의 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
본 발명은 반도체소자 제조를 위한 노광시스템 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것으로서, 특히 수직 및 수평 임계치수 차이를 조절하기 위한 노광시스템 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것이다.
일반적으로, 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory)과 같은 반도체소자는 수많은 미세패턴들로 이루어져 있으며, 이와 같은 미세패턴들은 포토리소그라피(photolithography) 공정을 통해 형성된다. 포토리소그라피 공정을 이용해서 미세패턴을 형성하기 위해서는, 먼저 패터닝하고자 하는 대상막 위에 레지스트막을 코팅한다. 다음에 노광공정을 수행하여 레지스트막의 일부분에 대한 용해도를 변화시킨다. 그리고 현상공정을 수행하여 용해도가 변화되거나 또는 변화되지 않은 부분을 제거함으로써, 대상막의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성한다. 이후에 이 레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각으로 대상막의 노출부분을 제거한 후에 레지스트막패턴을 스트립(strip)함으로써 대상막패턴을 형성할 수 있다.
도 1은 이와 같은 포토리소그라피 공정에서 사용하는 노광시스템의 종래의 일 예를 나타내 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 노광시스템은(100)은 광원(110)과, 반사거울(120)과, 그리고 콘덴스렌즈(condense lens)(130)를 포함하여 구성된다. 광원(110)은 일정 파장의 광을 출사시키며, 비록 도면에 나타내지는 않았지만 광원(110) 내에는 조명계(미도시)가 포함된다. 반사거울(120)은 광원(110)으로부터 나오는 광을 반사시켜 콘덴스렌즈(130)쪽으로 광경로를 변경시킨다. 콘덴스렌즈(130)는 반사거울(120)로부터 반사되는 광을 집중시켜 레티클(reticle)(200)로 보내고, 이 광은 레 티클(200)을 통과하여 웨이퍼(300)상에 조사된다.
그런데 일반적으로 포토리소그라피 공정을 진행하는 과정에서 여러 가지 원인들로 인하여 수직패턴과 수평패턴의 임계치수(CD; Critical Dimension)의 차이가 발생할 수 있다. 이와 같은 현상을 발생시키는 원인들로는 마스크 제작과정, 포토리소그라피 설비 자체의 원인 등이 있다. 이와 같은 현상은 최근 사용빈도가 증가하고 있는 비대칭적인 조명계인 경우 더욱 더 심하게 나타나는 경향이 있다. 일반적으로 비대칭적인 조명계로는 환상(annular) 조명계, 쿼드(quad) 조명계, 크로스폴(crosspole) 조명계 등이 등방성 성질을 가지며, 반면에 다이폴(dipole) 조명계는 이방성 성질을 가진다.
종래에는 이와 같은 수직패턴과 수평패턴의 인계치수의 차이로 인한 문제를 해결하기 위하여 여러번에 걸친 시뮬레이션 또는 실제 테스트 노광을 수행한 후에 그 결과를 참고하여 마스크를 다시 제작하는 방법을 사용하였다. 그러나 이와 같은 방법은 마스크 재제작에 따른 비용추가와, 마스크를 새로 제작할 때마다 테스트 및 검증하는데 시간이 많이 소요되며, 그 결과 제품의 단가를 상승시키는 주요 원인들 중의 하나로 작용하고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토리소그라피 공정을 진행하는데 있어서 발생할 수 있는 수직 및 수평 임계치수 차이를 조절할 수 있는 노광시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기와 같은 노광시스템을 이 용한 노광방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 노광시스템은, 일정 파장의 광을 발생시키는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 광의 형상을 수직방향 또는 수평방향으로 치우치는 타원 형태로 변형시키는 렌즈; 및 상기 렌즈를 통과한 타원 형태의 광을 레티클을 통해 웨이퍼로 주사하는 렌즈시스템을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 광원은 조명계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 렌즈는 실린드리컬렌즈인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 실리드리컬렌즈는, 수직방향으로 배치되는 제1 실린드리컬렌즈와, 수평방향으로 배치되는 제2 실린드리컬렌즈를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제1 및 제2 실리드리컬렌즈를 수직방향 및 수평방향으로 줌밍시키는 가변 줌 시스템을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 렌즈시스템은, 상기 렌즈로부터의 광을 반사시켜 광경로를 변경시키는 반사거울, 및 상기 반사거울을 통해 광경로가 변경된 광을 집중시키는 콘덴스렌즈를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광시스템은, 일정 파장의 광을 발생시키는 광원; 상기 광원으로부터 발생된 광의 형상을 수직방향의 양 단부 또는 수평방향의 양 단부를 절단하는 광차단막; 및 상기 광차단막에 의해 양 단부가 절단된 광을 레티클을 통해 웨이퍼로 주사하는 렌즈시스 템을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 광차단막은, 상기 수직방향으로 상호 대향되도록 배치되는 한 쌍의 제1 광차단막과, 상기 수평방향으로 상호 대향되도록 배치되는 한 쌍의 제2 광차단막을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제1 광차단막 및 제2 광차단막은, 상기 광의 절단부의 면적을 조절할 수 있도록 광의 중심으로부터 방사방향으로 이동 가능하도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 광차단막은, 수직방향 또는 수평방향으로 상호 대향하면서 회전 가능하도록 배치될 수도 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법은, 목표 임계치수를 갖는 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계; 상기 수평패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수평패턴의 제1 임계치수 편차를 구하는 단계; 상기 수직패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수직패턴의 제2 임계치수 편차를 구하는 단계; 상기 제1 임계치수 편차와 상기 제2 임계치수 편차의 차이를 구하여 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이를 결정하는 단계; 및 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이에 따라 노광시스템의 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향 또는 수평방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계는, 광학근접보 정, 현상 및 식각공정이 이루어진 후에 수행할 수 있다.
상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 -값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 형상을 수평방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 수행하는 것이 바람직하다.
상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 +값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 수행하는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광방법은, 목표 임계치수를 갖는 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계; 상기 수평패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수평패턴의 제1 임계치수 편차를 구하는 단계; 상기 수직패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수직패턴의 제2 임계치수 편차를 구하는 단계; 상기 제1 임계치수 편차와 상기 제2 임계치수 편차의 차이를 구하여 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이를 결정하는 단계; 및 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이에 따라 노광시스템의 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향의 양 단부 또는 수평방향의 양 단부를 절단하는 형태로 변형시켜 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계는, 광학근접보정, 현상 및 식각공정이 이루어진 후에 수행할 수 있다.
상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 -값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 수직방향으로의 양 단부를 절단하여 수행하는 것이 바람직하다.
상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 +값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 수평방향으로의 양 단부를 절단하여 수행하는 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광시스템을 나타내 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 노광시스템은, 광원(410)과, 반사거울(420)과, 콘덴스렌즈(430)와, 그리고 실린드리컬렌즈(cylindrical lens)(440)를 포함하여 구성된다. 광원(410)은 일정 파장의 광을 출사시키며, 비록 도면에 나타내지는 않았지만 광원(410) 내에는 조명계(미도시)가 포함된다. 상기 조명계는 일반(conventional) 조명계일 수 있으며, 또는 환상 조명계, 쿼드 조명계, 크로스폴 조명계, 다이폴 조명계와 같은 변형 조명계일 수도 있다. 반사거울(420)은 광원(410)으로부터 나오는 광을 반사시켜 콘덴스렌즈(430)쪽으로 광경로를 변경시킨다. 콘덴스렌즈(430)는 반사거울(420)로부터 반사되는 광을 집중시켜 레티클(200)로 보내고, 이 광은 레티클(200)을 통과하여 웨이퍼(300)상에 조사된다.
상기 실린드리컬렌즈(440)는 광원(410)과 반사거울(420) 사이에 배치된다. 이 실린드리컬렌즈(440)는 광원(410)으로부터 출사되는 광의 변형시켜 광의 형상을 타원형(elliptical)으로 변화시킨다. 이를 위하여 실린드리컬렌즈(440)는 X방향으로 배치되는 제1 실린드리컬렌즈와 Y방향으로 배치되는 제2 실린드리컬렌즈를 포함하여, 제1 실린드리컬렌즈 또는 제2 실린드리컬렌즈의 위치가 이동될 수 있도록 배치한다. 또는 실린드리컬렌즈(440)에 X방향 및 Y방향의 가변 줌(zoom) 시스템(450)을 연결시키고, 이 가변 줌 시스템(450)을 이용하여 실린드리컬렌즈(440)가 X방향 및 Y방향으로 줌밍(zooming)되도록 배치한다.
도 3 및 도 4는 도 2의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상을 설명하기 위한 도면들로서, 구체적으로 도 3은 일반 조명계를 사용하는 경우이고, 도 4는 환상 조명계를 사용하는 경우이다.
먼저 도 3을 참조하면, 도면에서 화살표의 좌측에 있는 광(510)은 일반 조명계를 포함하는 광원을 사용하는 경우 종래의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상이다. 이 광(510)은 실질적으로 원형의 형상을 갖는다. 그러나 도 2를 참조하여 설명한 실시예에 따른 노광시스템의 경우, 도면에서 화살표의 우측에 나타낸 바와 같이, X방향인 좌우로 늘어진 타원형태의 광(520) 또는 Y방향인 상하로 늘어진 타원형태의 광(530)으로 변형된다. X방향으로 늘어진 타원형태의 광(520)을 발생시킬지, 아니면 Y방향으로 늘어진 타원형태의 광(530)을 발생시킬 지는 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이가 어떻게 나타나는지에 따라 결정될 수 있다.
다음에 도 4를 참조하면, 도면에서 화살표의 좌측에 있는 광(610)은 환상 조명계를 포함하는 광원을 사용하는 경우 종래의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상 이다. 이 광(610)은 실질적으로 원형의 고리형상을 갖는다. 그러나 도 2를 참조하여 설명한 실시예에 따른 노광시스템의 경우, 도면에서 화살표의 우측에 나타낸 바와 같이, X방향인 좌우로 늘어진 고리형상의 광(620) 또는 Y방향인 상하로 늘어진 고리형상의 광(630)으로 변형된다. X방향으로 늘어진 고리형상의 광(620)을 발생시킬지, 아니면 Y방향으로 늘어진 고리형상의 광(630)을 발생시킬 지는 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이가 어떻게 나타나는지에 따라 결정될 수 있다.
수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이는, 통상적으로 일반적인 노광시스템을 이용하여 노광공정 및/또는 현상공정과 식각공정을 수행하여 알아낼 수 있다. 예컨대 목표 임계치수가 240㎚인 수직패턴, 즉 Y방향으로 길게 배치되는 패턴에 대해 광학근접보정(OPC; Optical Proximity Correction)을 수행한 후에 임계치수를 측정하고, 실제 현상공정을 수행한 후에 임계치수를 측정하고, 최종적으로 노광 및 현상에 의해 만들어진 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 이용한 식각공정을 수행한 후의 최종 임계치수를 측정한다. 여기서 수직패턴의 임계치수의 편차는, 광학근접보정을 수행한 후에 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이를 계산하여 파악할 수 있거나, 또는 실제 현상공정을 수행한 후에 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이를 계산하여 파악할 수도 있다. 그러나 보다 정확하게 파악하기 위해서는 식각공정까지 이루어진 후에 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이를 계산하여 파악한다. 이와 같은 계산은 복수회 반복되며, 이와 같은 반복에 의해 얻어진 수직패턴의 임계치수의 편차를 평균하여 평균값을 구한다. 마찬가지로 수평패턴에 대해서도 동일한 방법으로 임계치수의 평균편차값을 구한다. 즉 수평패턴에 대해 광학근접보정, 현상 및 식각공정을 수행한 후에 수평패턴에 대한 임계치수의 편차를 측정한다. 이 과정을 복수회 반복한 후에 측정된 임계치수에 대한 평균편차를 구한다.
이와 같이 수직패턴의 임계치수의 평균편차값 및 수평패턴의 임계치수의 평균편차값이 측정된 경우, 수직패턴의 임계치수의 평균편차값에서 수평패턴의 임계치수의 평균편차값을 뺀다. 경우에 따라서 수평패턴의 임계치수의 평균편차값에서 수직패턴의 임계치수의 평균편차값을 뺄 수도 있다. 이 값이 0인 경우이면, 수평패턴과 수직패턴의 임계치수의 차이가 존재하지 않는 경우이지만, 실제로 수평패턴과 수직패턴의 임계치수의 차이가 존재하므로 이 값은 0 이외의 값을 갖는다. 수평패턴의 임계치수의 평균편차값에서 수직패턴의 임계치수의 평균편차값을 빼는 경우, 이 값이 -값(negative value)이 나오면 수평방향인 X방향으로 늘어진 타원형태의 광원(520) 또는 고리형상의 광원(620)이 되도록 상기 실린드리컬렌즈(440)의 위치를 조절하거나 줌밍시킨다. 반대로 상기 값이 +값(positive value)이 나오면 수직방향인 Y방향으로 늘어진 타원형태의 광원(530) 또는 고리형상의 광원(630)이 되도록 상기 실린드리컬렌즈(440)의 위치를 조절하거나 줌밍시킨다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광시스템을 나타내 보인 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 노광시스템은, 광원(710)과, 반사거울(720)과, 콘덴스렌즈(730)와, 그리고 광차단막(740)을 포함하여 구성된다. 광원(710)은 일정 파장의 광을 출사시키며, 비록 도면에 나타내지는 않았지만 광원(710) 내에는 조명계(미도시)가 포함된다. 상기 조명계는 일반 조명계일 수 있으 며, 또는 환상 조명계, 쿼드 조명계, 크로스폴 조명계, 다이폴 조명계와 같은 변형 조명계일 수도 있다. 반사거울(720)은 광원(710)으로부터 나오는 광을 반사시켜 콘덴스렌즈(730)쪽으로 광경로를 변경시킨다. 콘덴스렌즈(730)는 반사거울(720)로부터 반사되는 광을 집중시켜 레티클(200)로 보내고, 이 광은 레티클(200)을 통과하여 웨이퍼(300)상에 조사된다.
상기 광차단막(740)은 광원(710)과 반사거울(720) 사이에 배치된다. 이 광차단막(740)은 광원(710)으로부터 출사되는 광의 변형시켜 광의 형상을 상하 또는 좌우의 일부가 제거된 형상으로 만든다. 이를 위하여 광차단막(740)은 X방향에서 상호 대향하도록 배치되는 제1 광차단막과, Y방향으로 상호 대향되도록 배치되는 제2 광차단막을 포함할 수 있다. 이 경우 제1 광차단막 및 제2 광차단막은 각각 광의 중심에서 가깝도록 또는 멀어지도록 이동가능하게 배치된다. 또는 상기 광차단막(740)은 X방향 또는 Y방향으로 상호 대향하도록 배치되고, 광 형상의 둘레를 따라 회전가능하도록 하여 선택적으로 X방향이나 Y방향으로 상호 대향되도록 위치가 고정될 수 있다. 이 경우에도 상기 광차단막(740)은 중심방향에서 가깝도록 또는 멀어지도록 이동가능하게 배치될 수 있다.
도 6 및 도 7은 도 5의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상을 설명하기 위한 도면들로서, 구체적으로 도 6은 일반 조명계를 사용하는 경우이고, 도 7은 환상 조명계를 사용하는 경우이다.
먼저 도 6을 참조하면, 도면에서 화살표의 좌측에 있는 광(810)은 일반 조명계를 포함하는 광원을 사용하는 경우 종래의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상이 다. 이 광(810)은 실질적으로 원형의 형상을 갖는다. 그러나 도 5를 참조하여 설명한 실시예에 따른 노광시스템의 경우, 도면에서 화살표의 우측에 나타낸 바와 같이, X방향으로 양 단부가 절단된 원형태의 광(820) 또는 Y방향으로 양 단부가 절단된 원형태의 광(830)으로 변형된다. X방향으로 양 단부가 절단된 형태의 원광(820)을 발생시킬지, 아니면 Y방향으로 양 단부가 절단된 원형태의 광(830)을 발생시킬 지는 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이가 어떻게 나타나는지에 따라 결정될 수 있다.
다음에 도 7을 참조하면, 도면에서 화살표의 좌측에 있는 광(910)은 환상 조명계를 포함하는 광원을 사용하는 경우 종래의 노광시스템에서 발생하는 광의 형상이다. 이 광(910)은 실질적으로 원형의 고리형상을 갖는다. 그러나 도 5를 참조하여 설명한 실시예에 따른 노광시스템의 경우, 도면에서 화살표의 우측에 나타낸 바와 같이, X방향으로 양 단부가 절단된 고리형상의 광(920) 또는 Y방향으로 양 단부가 절단된 고리형상의 광(930)으로 변형된다. X방향으로 양 단부가 절단된 고리형상의 광(920)을 발생시킬지, 아니면 Y방향으로 양 단부가 절단된 고리형상의 광(930)을 발생시킬 지는 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이가 어떻게 나타나는지에 따라 결정될 수 있다.
수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이를 구하는 방법은 앞서 설명한 방법과 동일하므로 여기서는 생략하기로 한다. 본 실시예에 있어서, 수평패턴의 임계치수의 평균편차값에서 수직패턴의 임계치수의 평균편차값을 빼는 경우, 이 값이 -값(negative value)이 나오면 수직방향인 Y방향으로 양 단부가 절단된 원형태의 광원 (830) 또는 고리형상의 광원(930)이 되도록 상기 광차단막(740)의 위치를 조절한다. 반대로 상기 값이 +값(positive value)이 나오면 수평방향인 X방향으로 양 단부가 절단된 원형태의 광원(820) 또는 양 단부가 절단된 고리형상의 광원(920)이 되도록 상기 광차단막(740)의 위치를 조절하거나 줌밍시킨다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광시스템 및 노광방법에 의하면, 조명계를 포함하는 광원과 렌즈시스템 사이에 실린드리컬렌즈 또는 광차단막을 배치시킴으로써 광원으로부터 출사되는 광의 형상을 변형시킬 수 있으며, 이 변형된 광의 형상을 조절하여 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이를 조절할 수 있으며, 그 결과 수직패턴 및 수평패턴의 임계치수 차이로 인한 마스크의 재 제작이 불필요하다는 이점이 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (18)

  1. 일정 파장의 광을 발생시키는 광원;
    상기 광원으로부터 발생된 광의 형상을 수직방향 또는 수평방향으로 치우치는 타원 형태로 변형시키는 렌즈; 및
    상기 렌즈를 통과한 타원 형태의 광을 레티클을 통해 웨이퍼로 주사하는 렌즈시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 조명계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는 실린드리컬렌즈인 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 실리드리컬렌즈는,
    수직방향으로 배치되는 제1 실린드리컬렌즈; 및
    수평방향으로 배치되는 제2 실린드리컬렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 실리드리컬렌즈를 수직방향 및 수평방향으로 줌밍시키는 가변 줌 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 렌즈시스템은,
    상기 렌즈로부터의 광을 반사시켜 광경로를 변경시키는 반사거울; 및
    상기 반사거울에 의해 광경로가 변경된 광을 집중시키는 콘덴스렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  7. 일정 파장의 광을 발생시키는 광원;
    상기 광원으로부터 발생된 광의 형상을 수직방향의 양 단부 또는 수평방향의 양 단부를 절단하는 광차단막; 및
    상기 광차단막에 의해 양 단부가 절단된 광을 레티클을 통해 웨이퍼로 주사하는 렌즈시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광차단막은,
    상기 수직방향으로 상호 대향되도록 배치되는 한 쌍의 제1 광차단막; 및
    상기 수평방향으로 상호 대향되도록 배치되는 한 쌍의 제2 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 광차단막 및 제2 광차단막은, 상기 광의 절단부의 면적을 조절할 수 있도록 광의 중심으로부터 방사방향으로 이동 가능하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 광차단막은, 수직방향 또는 수평방향으로 상호 대향하면서 회전가능하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 노광시스템.
  11. 목표 임계치수를 갖는 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계;
    상기 수평패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수평패턴의 제1 임계치수 편차를 구하는 단계;
    상기 수직패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수직패턴의 제2 임계치수 편차를 구하는 단계;
    상기 제1 임계치수 편차와 상기 제2 임계치수 편차의 차이를 구하여 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이를 결정하는 단계; 및
    상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이에 따라 노광시스템의 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향 또는 수평방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계는, 광학근접보정, 현상 및 식각공정이 이루어진 후에 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 -값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 형상을 수평방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 +값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향으로 치우치는 타원형태로 변형시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  15. 목표 임계치수를 갖는 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계;
    상기 수평패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수평패턴의 제1 임계치수 편차를 구하는 단계;
    상기 수직패턴에 대해 측정된 임계치수와 목표 임계치수와의 차이인 수직패턴의 제2 임계치수 편차를 구하는 단계;
    상기 제1 임계치수 편차와 상기 제2 임계치수 편차의 차이를 구하여 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이를 결정하는 단계; 및
    상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이에 따라 노광시스템의 조명계를 통과하는 광의 형상을 수직방향의 양 단부 또는 수평방향의 양 단부를 절단하는 형태로 변형시켜 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 수평패턴 및 수직패턴에 대한 임계치수를 측정하는 단계는, 광학근접보정, 현상 및 식각공정이 이루어진 후에 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 -값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 수직방향으로의 양 단부를 절단하여 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 노광을 수행하는 단계는, 상기 수평패턴과 수직패턴의 임계치수 차이가 +값을 갖는 경우 상기 조명계를 통과하는 광의 수평방향으로의 양 단부를 절단하여 수행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
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