KR100712187B1 - An apparatus for removing the edge bead of the blank mask and removing method thereof - Google Patents

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KR100712187B1 KR1020060010847A KR20060010847A KR100712187B1 KR 100712187 B1 KR100712187 B1 KR 100712187B1 KR 1020060010847 A KR1020060010847 A KR 1020060010847A KR 20060010847 A KR20060010847 A KR 20060010847A KR 100712187 B1 KR100712187 B1 KR 100712187B1
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edge bead
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beads
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강긍원
이형재
김동건
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주식회사 에스앤에스텍
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Abstract

개시된 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치는, 블랭크 마스크의 상부에 이격되어 위치하는 외부척과; 이 외부척의 하부에 공간부가 형성되도록 이격되어 위치하고, 이 공간부를 통해 에지 비드 제거용 용해제가 통과되는 내부척과; 블랭크 마스크 중앙 상부에 형성된 노즐을 통하여 불활성 가스를 분사시켜 에지 비드 제거용 용해제가 블랭크 마스크의 주패턴으로 침투하는 것을 방지하는 기체공급부; 및 블랭크 마스크와 내부척 사이에 개재되어 기체공급부를 통해 유입되는 불활성 가스가 블랭크 마스크로 직접 접촉되지 않도록 차단하는 보호막을 구비한다. 이와 같은 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치에 따르면, 블랭크 마스크의 사이드 및 코너부에 형성된 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 주패턴에 발생할 수 있는 프린지 및 오염현상을 현저히 줄일 수 있다.An edge bead removal device of the disclosed blank mask includes: an outer chuck spaced apart from the top of the blank mask; An inner chuck spaced apart from each other so as to form a space at a lower portion of the outer chuck, and through which the solvent for removing edge beads passes; A gas supply unit for injecting an inert gas through a nozzle formed at the center of the blank mask to prevent the edge bead removal solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask; And a protective film interposed between the blank mask and the inner chuck to block the inert gas flowing through the gas supply unit from being directly contacted with the blank mask. According to the edge bead removal device of the blank mask, it is possible to effectively remove the edge beads formed on the side and corner portions of the blank mask, and significantly reduce the fringes and stains that may occur in the main pattern.

블랭크 마스크, 에지 비드, 용해, 보호막 Blank Mask, Edge Bead, Melt, Protective Film

Description

블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치 및 제거방법{An apparatus for removing the edge bead of the blank mask and removing method thereof}An apparatus for removing the edge bead of the blank mask and removing method

도 1은 종래 일반적인 방법에 의해 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 블랭크 마스크,1 is a blank mask showing a state in which the edge bead is removed by a conventional method,

도 2는 종래 블랭크 마스크에 간격유지핀이 부착되는 위치를 나타낸 도면, 2 is a view showing a position where the spacer pin is attached to the conventional blank mask,

도 3은 도 2에 도시된 블랭크 마스크에 에지 비드 제거 공정을 실행한 후의 상태를 나타낸 도면,3 is a view showing a state after performing an edge bead removal process on the blank mask shown in FIG.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거 장치를 나타낸 도면, 4 illustrates an edge bead removal device of a blank mask according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에 도시된 보호막이 설치된 위치를 나타낸 도면, 5 is a view showing a position where the protective film shown in FIG. 4 is installed;

도 6은 본 발명의 일 예에 따른 블랭크 마스크에 간격유지핀이 접촉되는 위치를 나타낸 도면, 6 is a view showing a position where the spacer pin is in contact with the blank mask according to an embodiment of the present invention,

도 7은 도 6에 도시된 블랭크 마스크에 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 도면,FIG. 7 illustrates a state in which edge beads are removed from the blank mask shown in FIG. 6;

도 8은 일반적으로 포토레지스트가 스핀방식으로 블랭크마스크에 코팅되어 에지 비드가 형성된 상태를 나타낸 도면, FIG. 8 is a view illustrating a state in which edge beads are formed by coating a photomask on a blank mask in a spin method.

도 9는 본 발명의 일 예에 따른 에지 비드 제거용 용해제를 사용하여 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 도면,9 is a view showing a state in which the edge bead is removed using a solvent for removing the edge bead according to an embodiment of the present invention,

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 에지 비드 제거 공정을 나타낸 도면,10 illustrates an edge bead removal process according to another embodiment of the present invention;

도 11은 본 발명에 따른 에지 비드 제거장치 및 제거방법에 의해 에지 비드가 제거된 블랭크 마스크를 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a view showing a blank mask from which edge beads are removed by an edge bead removal device and a removal method according to the present invention. FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100... 에지 비드 제거장치 110... 노즐100 ... Edge bead remover 110 ... Nozzle

120... 외부척 130... 내부척120 ... external chuck 130 ... internal chuck

140... 블랭크 마스크 150... 보호막140 ... Blank Mask 150 ... Shield

본 발명은 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치 및 제거방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토레지스트 코팅 후 블랭크 마스크의 사이드 및 코너 에지부에 생성되는 에지 비드를 효과적으로 제거하기 위한 블랭크 마스의 에지 비드 제거장치 및 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to an edge bead removal device and a method of removing a blank mask, and more particularly, to an edge bead removal device of a blank mask for effectively removing edge beads generated on side and corner edge portions of a blank mask after photoresist coating. And a method of removal.

일반적으로, 블랭크 마스크는 반도체ㆍLCD 공정에 사용되는 포토마스크의 원자재로, 블랭크 마스크에 패턴을 그려 반도체 및 LCD의 포토마스크를 제조하게 된 다.In general, a blank mask is a raw material of a photomask used in semiconductor and LCD processes, and a pattern is drawn on the blank mask to manufacture photomasks for semiconductors and LCDs.

한편, 이와 같은 블랭크 마스크는 스핀 코팅의 방법을 통해 포토레지스트가 표면에 코팅되나 포토레지스트가 균일하게 블랭크 마스크에 코팅되지 않고, 사이드부나 코너부에 있어서 두껍게 코팅되어 에지 비드가 형성되는 문제점이 발생하게 된다.On the other hand, such a blank mask has a problem that the photoresist is coated on the surface by spin coating, but the photoresist is not uniformly coated on the blank mask, but is thickly coated at the side portion or the corner portion to form edge beads. do.

통상적으로 블랭크 마스크는 적재시나 생산시에 저장 케이스나 저장 카세트에 적재되거나 이송되는데, 이러한 에지 비드는 저장 카세트 또는 블랭크 마스크의 취급 공정에 의하여 떨어져 나와 먼지를 발생시켜 불량을 증가시키게 되는 것이다.Typically, the blank mask is loaded or transported in a storage case or a storage cassette at the time of loading or production, and these edge beads are separated by the handling process of the storage cassette or the blank mask to generate dust and increase defects.

따라서, 이러한 에지 비드를 제거하기 위한 공정이 필연적으로 수반되게 된다.Thus, a process for removing such edge beads is inevitably involved.

그리고, 블랭크 마스크의 외곽 부분에 형성된 에지 비드는 포토레지스트 제거용 용해제에 의해 제거되는데, 특히 용해제의 용해 속도(dissolution rate)에 따라 공급되는 포토레지스트 용해제의 종류, 공급량 및 공급시간이 결정된다. The edge beads formed on the outer portion of the blank mask are removed by a photoresist removal solvent, and in particular, the type, supply amount and supply time of the photoresist solvent supplied are determined according to the dissolution rate of the solvent.

일반적으로 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 휘발성을 가지는 조성물로 구성되며, 따라서 장시간의 에지 비드 제거 공정 중 포토레지스트 용해제가 공급될 경우 원심력에 의한 힘이 주패턴 영역에서 에지 비드 제거 영역 방향으로 작용하더라도 주패턴 영역으로 용해제의 액체 및 증기가 침투할 수 있는 가능성을 가진다. 또한, 회전 중에 포토레지스트 용해제가 공급됨에 따라 불규칙한 공급액의 흐름과 회전에 따른 이상 기류가 형성되어 불균일한 에지 비드 제거의 결과를 가져오게 된다. 이러한 현상들은 결국 에지 비드 제거 공정 중에서의 불량품 발생률의 증가를 초래하게 된다.Generally, the photoresist edge bead removal solvent is composed of a volatile composition. Therefore, when the photoresist solvent is supplied during a long time of the edge bead removal process, the centrifugal force acts in the direction of the edge bead removal region in the main pattern region. There is a possibility that the liquid and vapor of the solvent can penetrate into the main pattern region. In addition, as the photoresist dissolving agent is supplied during the rotation, an irregular air flow due to the flow of the irregular feed and the rotation is formed, resulting in uneven edge bead removal. These phenomena eventually lead to an increase in reject rate during the edge bead removal process.

게다가, 기존의 방법은 200 RPM 이상의 회전수로 회전하면서 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급되는 것이 일반적인데, 200 RPM 이상의 회전수로 회전시 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제의 균일한 공급은 유도되지만, 200 RPM 이상의 회전수에서 발생하는 원심력에 의해 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 블랭크 마스크의 에지 코너로 집중되어 모이는 현상이 발생한다.In addition, the conventional method is generally supplied with a solvent for removing photoresist edge beads while rotating at a rotational speed of 200 RPM or more, while a uniform supply of the solvent for removing photoresist edge beads is induced when rotating at a rotational speed of 200 RPM or more. , The dissolving agent for removing the photoresist edge beads due to the centrifugal force generated at a rotation speed of 200 RPM or more is concentrated at the edge corners of the blank mask.

도 1은 종래 일반적인 방법에 의해 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 블랭크 마스크이다.1 is a blank mask illustrating a state in which edge beads are removed by a conventional method.

도 1을 참조하면, 종래 일반적인 방법에 의해 에지 비드가 제거된 블랭크 마스크(10)는 포토레지스트가 코팅된 영역(1)과 사이드 에지부 및 코너 에지부에서 에지 비드가 제거된 크롬막 영역(2)으로 구분되어지는데, 코너부에서 과도하게 에지 비드가 제거된 형상을 나타내게 된다.Referring to FIG. 1, a blank mask 10 having edge beads removed by a conventional method may include a photoresist-coated region 1 and a chrome film region 2 having edge beads removed from side edges and corner edges. It is divided into), which shows the shape of the edge bead removed excessively.

이러한 블랭크 마스크(10)는 추후 포토마스크 제작 공정에서 유효 패턴 영역이 그만큼 감소하고, 그로 인하여 바코드와 같은 보조패턴의 삽입에 어려움이 발생하게 된다.In the blank mask 10, the effective pattern area is reduced by that in the photomask fabrication process, and thus, it is difficult to insert an auxiliary pattern such as a barcode.

또한, 종래에는 블랭크 마스크와 내부척의 간격을 유지시키는 간격유지핀이 블랭크 마스크의 사이드 에지부에 형성되는 것이 일반적이었다.In addition, conventionally, a gap retaining pin for maintaining a gap between the blank mask and the internal chuck is generally formed at the side edge portion of the blank mask.

도 2는 종래 블랭크 마스크에 간격유지핀이 부착되는 위치를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 블랭크 마스크에 에지 비드 제거 공정을 실행한 후의 상태를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a position where a spacer pin is attached to a conventional blank mask, Figure 3 is a view showing a state after performing the edge bead removal process to the blank mask shown in FIG.

먼저, 도 2를 참조하면, 블랭크 마스크(10)와 내부척(미도시)의 간격을 유지시키는 간격유지핀(미도시)은 블랭크 마스크(10) 외곽 사이드(2)의 사이드에지부(3)에 위치한다. 한편, 기판의 코너에지부(4)에는 포토레지스트가 코팅되지 않은 투명기판이 드러나게 된다.First, referring to FIG. 2, a gap retaining pin (not shown) for maintaining a gap between the blank mask 10 and the inner chuck (not shown) may be a side edge portion 3 of the outer side 2 of the blank mask 10. Located in On the other hand, in the corner edge portion 4 of the substrate is exposed a transparent substrate that is not coated with a photoresist.

한편, 도 3을 참조하면, 상기 사이드에지부(3)에 간격유지핀이 부착된 상태로 에지 비드 제거 공정이 진행되면 간격유지핀과 접촉된 사이드에지부(3')는 에지 비드 제거용 용해제가 침투하지 못하고 포토레지스트가 그대로 잔존하게 된다. Meanwhile, referring to FIG. 3, when the edge bead removal process is performed while the gap holding pin is attached to the side edge part 3, the side edge part 3 ′ in contact with the gap holding pin is a solvent for removing edge beads. Does not penetrate and the photoresist remains.

그리고, 이 상태에서 후공정인 크롬 에칭이 진행될 경우 간격유지핀과 접촉된 사이드에지부(3')의 핀 자국이 블랭크 마스크(10)의 에지 비드 영역 내에 그대로 남게 되는 문제점이 발생한다.In this state, when chrome etching is performed in the post process, a pin mark of the side edge portion 3 ′ in contact with the spacer pin remains in the edge bead region of the blank mask 10.

따라서, 핀 자국을 제거하기 위해서는 부득이하게 1회의 에지 비드 제거 공정 진행 후 기판을 90°회전하여 앞선 에지 비드 제거 공정에서 제거된 부위에 핀을 다시 위치시키고 두 번째 에지 비드 제거 공정을 진행하여야 한다.Therefore, in order to remove the pin marks, the substrate must be rotated by 90 ° after one edge bead removal process is inevitable, and the pins are repositioned at the portions removed in the previous edge bead removal process and the second edge bead removal process is required.

그러므로, 동일한 공정을 반복 진행함에 따라 공정 시간이 늘어나고, 동일한 공정의 반복으로 인하여 불량이 발생할 확률은 더 높아지게 되는 것이다.Therefore, the process time is increased by repeating the same process, and the probability of defects is increased due to the repetition of the same process.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 포토레지스트 코팅시 블랭크 마스크의 사이드 및 코너부에 형성된 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 주패턴에 발생할 수 있는 프린지(fringe) 및 오염현상을 현저히 줄이고, 에 지 비드 제거 공정시 핀 자국이 생성되지 않는 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치를 제공하고자 하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and effectively removes the edge beads formed on the side and corner portions of the blank mask during photoresist coating, and significantly reduces fringes and stains that may occur in the main pattern. In order to provide an edge bead removal device of a blank mask, pin marks are not generated during an edge bead removal process.

본 발명의 또 다른 목적은, 에지 비드 제거용 용해제를 용해 특성을 고려하여 단계적으로 투입하여 에지 비드를 효과적으로 제거할 수 있는 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법을 제공하는 것이다. It is still another object of the present invention to provide a method for removing edge beads of a blank mask which can effectively remove edge beads by introducing a dissolving agent for edge bead removal in consideration of dissolution characteristics.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.Other objects and advantages of the invention will be described below and will be appreciated by the embodiments of the invention. Furthermore, the objects and advantages of the present invention can be realized by means and combinations indicated in the claims.

본 발명에 일 측면에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치는, 상기 블랭크 마스크의 상부에 이격되어 위치하는 외부척; 상기 외부척의 하부에 공간부가 형성되도록 이격되어 위치하고, 이 공간부를 통해 에지 비드 제거용 용해제가 통과되는 내부척; 상기 블랭크 마스크 중앙 상부에 형성된 노즐을 통하여 불활성 가스를 분사시켜 에지 비드 제거용 용해제가 블랭크 마스크의 주패턴으로 침투하는 것을 방지하는 기체공급부; 및 상기 블랭크 마스크와 상기 내부척 사이에 개재되어 상기 기체공급부를 통해 유입되는 불활성 가스가 상기 블랭크 마스크로 직접 접촉되지 않도록 차단하는 보호막을 구비한다. Edge bead removal device of the blank mask according to an aspect of the present invention, the outer chuck spaced apart on the upper portion of the blank mask; An inner chuck spaced apart to form a space under the outer chuck, and through which the dissolving agent for removing the edge beads passes; A gas supply unit for injecting an inert gas through a nozzle formed at the center of the blank mask to prevent the edge bead removal solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask; And a protective film interposed between the blank mask and the inner chuck to block an inert gas flowing through the gas supply unit from being directly contacted with the blank mask.

여기서, 상기 보호막은 상기 블랭크 마스크와 수직방향으로의 간격(G1)이 1 내지 2.5 mm 인 것이 바람직하다. Here, the protective film preferably has a distance G1 in the vertical direction from the blank mask of 1 to 2.5 mm.

또한, 상기 보호막은 상기 내부척과 수직방향으로의 간격(G2)이 0.5 내지 2 mm인 것이 바람직하다.In addition, the protective film preferably has a distance G2 in the vertical direction from the inner chuck of 0.5 to 2 mm.

또한, 상기 보호막은 상기 내부척과 수평방향으로의 이격거리(d)가 10 내지 30 mm인 것이 바람직하다.In addition, the protective film is preferably a distance (d) of 10 to 30 mm in the horizontal direction and the inner chuck.

그리고, 상기 내부척은 상기 블랭크 마스크와 소정 간격을 유지시키는 간격유지핀이 더 구비되고, 상기 간격유지핀은 상기 내부척의 각 코너에 부착되는 것이 바람직하다.The inner chuck may further include a gap retaining pin for maintaining a predetermined gap with the blank mask, and the gap retaining pin is attached to each corner of the inner chuck.

또한, 상기 내부척은 두께가 0.5 내지 3.0 mm인 것이 바람직하다.In addition, the inner chuck preferably has a thickness of 0.5 to 3.0 mm.

본 발명의 다른 측면에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법은, 회전원판 위에 블랭크 마스크를 안착시켜 회동하며 내부척과 외부척 사이에 형성된 공간부로 에지 비드를 용해시키는 용해제를 투입하여 에지 비드를 제거시키고, 불활성 가스를 공급하여 블랭크 마스크의 주패턴을 보호하는 것을 특징으로 한다.Edge bead removal method of the blank mask according to another aspect of the present invention, by inserting a solvent to dissolve the edge bead into the space formed between the inner chuck and the outer chuck rotating the blank mask on the rotating disc to remove the edge bead, The main pattern of the blank mask is protected by supplying an inert gas.

여기서, 상기 회전원판의 회전수는 100 내지 200 RPM인 것이 바람직하다.Here, the rotational speed of the rotating disc is preferably 100 to 200 RPM.

또한, 상기 불활성 가스의 유입 압력은 0.01 내지 0.05 MPa인 것이 바람직하다.In addition, the inlet pressure of the inert gas is preferably 0.01 to 0.05 MPa.

그리고, 상기 용해제는 아세톤, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르(PGME), 톨루엔, 부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMA), 이소프로필알콜(IPA), 메틸 이소아밀 케톤(MAK), 에틸 렉테이트(EL), 디에킬렌 글리콜 디메틸 에테르(DIGLYME) 및 테트라 메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다.The solubilizing agent may be acetone, propylene glycol monomethyl ether (PGME), toluene, butyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMA), isopropyl alcohol (IPA), methyl isoamyl ketone (MAK), ethyl lectate ( EL), diethylene glycol dimethyl ether (DIGLYME) and tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH) are preferably used.

또한, 상기 용해제는 아세톤, EL 및 DIGLYME로 이루어진 군에서 선택된 제1용해제; MAK, 부틸 아세테이트, PGMA 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 제2용해제; 및 IPA, PGME 및 톨루엔으로 이루어진 군에서 선택된 제3용해제를 순차적으로 공급하는 에지 비드를 제거하는 것이 바람직하다.In addition, the solubilizing agent is a first dissolving agent selected from the group consisting of acetone, EL and DIGLYME; Secondary solubilizers selected from the group consisting of MAK, butyl acetate, PGMA and TMAH; And it is preferable to remove the edge bead sequentially supplying a third solubilizer selected from the group consisting of IPA, PGME and toluene.

또한, 상기 용해제의 공급시, 제1용해제에서 선택된 용해제를 1 내지 5초 범위로 공급하고, 제2용해제에서 선택된 용해제를 1 내지 3초 범위로 공급하고, 제3용해제에서 선택된 용해제를 5 내지 10초 범위로 공급하고, 각 용해제가 공급된 후 상기 용해제를 10 내지 100초 동안 건조시키는 건조 단계를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, when the dissolving agent is supplied, the dissolving agent selected from the first dissolving agent is supplied in the range of 1 to 5 seconds, the dissolving agent selected from the second dissolving agent is supplied in the range of 1 to 3 seconds, and the dissolving agent selected from the third dissolving agent is 5 to 10 It is preferred to include a drying step of supplying in the second range, and drying the solubilizer for 10 to 100 seconds after each solubilizer is supplied.

또한, 상기 건조 단계는 회전원판의 회전수와 동일하거나 그 이하의 회전수로 회전하여 건조되는 것이 바람직하다.In addition, the drying step is preferably dried by rotating at a rotational speed equal to or less than the rotational speed of the rotating disc.

또한, 상기 용해제 중 하나 이상의 용해제를 사용하여 블랭크 마스크의 백 사이드(back side)에 형성된 에지 비드를 제거하는 것이 바람직하다. It is also desirable to remove edge beads formed on the back side of the blank mask using one or more of these solvents.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.The terms or words used in this specification and claims are not to be construed as being limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to best describe their invention. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들 이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거 장치를 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 보호막이 설치된 위치를 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 예에 따른 블랭크 마스크에 간격유지핀이 접촉되는 위치를 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 블랭크 마스크에 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 도면이다.4 is a view showing an edge bead removal device of a blank mask according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a view showing a position in which the protective film shown in Figure 4 is installed, Figure 6 according to an embodiment of the present invention FIG. 7 is a view showing a position where the spacer pin is in contact with the blank mask, and FIG. 7 is a view showing an edge bead removed from the blank mask shown in FIG. 6.

먼저, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치(100)는 회전원판(미도시)과 외부척(120)과 내부척(130)과 기체공급부(미도시)와 보호막(150)을 구비한다.First, referring to FIG. 4, the edge bead removing device 100 of the blank mask according to an embodiment of the present invention includes a rotating disc (not shown), an outer chuck 120, an inner chuck 130, and a gas supply unit (not shown). C) and a protective film 150.

상기 회전원판은 블랭크 마스크(140)를 상면에 안착시켜 회동시키며, 상기 블랭크 마스크(140)의 상부에 소정 간격 이격되어 외부척(120)이 위치한다. The rotation disc is rotated by seating the blank mask 140 on the upper surface, the outer chuck 120 is located at a predetermined interval spaced above the blank mask 140.

한편, 본 발명의 일 예로써 블랭크 마스크를 회전시키기 위해 회전원판이 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 회전원판을 사용하지 않고 후술할 외부척(120) 및 내부척(130)의 의해 동일한 효과를 나타낼 수 있다.On the other hand, as an example of the present invention, a rotating disc may be used to rotate the blank mask, but is not necessarily limited thereto, and the same effect may be achieved by the outer chuck 120 and the inner chuck 130 which will be described later without using the rotating disc. Can be represented.

그리고, 상기 외부척(120)의 하부에 일정 간격 이격되어 공간부(131)가 형성되는 내부척(130)이 구비되고, 상기 공간부(131)를 통해 에지 비드 제거용 용해제가 통과되게 된다. In addition, an inner chuck 130 having a space portion 131 spaced apart from the outer chuck 120 by a predetermined interval is provided, and a solvent for removing edge beads is passed through the space portion 131.

이때, 상기 내부척(130)의 두께는 0.5~3.0 mm인 것이 바람직하다. At this time, the thickness of the inner chuck 130 is preferably 0.5 ~ 3.0 mm.

에지 비드 제거용 용해제가 블랭크 마스크(140)의 사이드 에지부 및 코너 에지부를 용해시킬때 상기 내부척(130)의 두께에 따라 에지 비드가 제거되는 폭이 결 정되는데, 그러한 이유로는 상기 내부척(130)과 상기 블랭크 마스크(140) 사이에서 모세관 현상이 일어나기 때문이다.When the edge bead removal solvent dissolves the side edges and corner edges of the blank mask 140, the width of the edge beads is determined according to the thickness of the inner chuck 130. This is because a capillary phenomenon occurs between 130 and the blank mask 140.

따라서, 상기 내부척(130)의 두께는 모세관 현상에 의해 용해제가 흡입될 수 있는 중요한 요인이 되며, 상기 내부척(130)의 두께가 0.5 mm 미만일 경우에는 용해제가 블랭크 마스크(140)의 사이드 및 코너 에지부에 형성된 에지 비드를 제거하기가 어렵고, 두께가 3.0 mm를 초과할 경우에는 많은 양의 용해제가 흡입되어 에지 비드 제거 폭이 너무 넓어질 수 있다.Therefore, the thickness of the inner chuck 130 is an important factor in which the solvent can be sucked by the capillary phenomenon, and when the thickness of the inner chuck 130 is less than 0.5 mm, the solvent and the side of the blank mask 140 It is difficult to remove the edge beads formed at the corner edges, and when the thickness exceeds 3.0 mm, a large amount of solvent may be sucked in and the edge bead removal width may be too wide.

이하, 본 발명의 일 예에 따른 보호막과 기체공급부에 대해 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the protective film and the gas supply unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

에지 비드 제거용 용해제는 상기 공간부(131)를 통하여 상기 블랭크 마스크(140)의 사이드 및 코너에지부로 유입되는데, 이때 유입되는 용해제는 보통 휘발성이 강하기 때문에 기상의 용해제가 블랭크 마스크(140)의 중앙부의 주패턴으로 유입될 수 있다. Edge bead removal solvent is introduced into the side and corner edges of the blank mask 140 through the space portion 131, the solvent is introduced in the gas phase of the blank mask 140 because the solvent is usually highly volatile Can flow into the main pattern of the central portion.

이와 같은 기상의 용해제가 블랭크 마스크(140)의 주패턴으로 침투하는 것을 막기 위하여 기체공급부를 통해 불활성 가스를 공급한다.In order to prevent the gaseous solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask 140, an inert gas is supplied through the gas supply unit.

상기 기체공급부에 있어서, 상기 블랭크 마스크(140)의 중앙 상부에 형성된 노즐(110)을 통해 불활성 가스가 블랭크 마스크(140)의 중앙부로부터 주변부로 분사되고, 따라서 블랭크 마스크(140)의 상부에는 강제 기류가 형성되게 된다. In the gas supply unit, an inert gas is injected from the center of the blank mask 140 to the periphery through the nozzle 110 formed at the center of the blank mask 140, and thus, the forced air flow is formed in the upper part of the blank mask 140. Will be formed.

그러나, 기상의 용해제가 블랭크 마스크(140)의 주패턴으로 침투하는 것을 방지하기 위해 강한 기류를 조성할 경우, 포토레지스트 코팅 후 소프트 베이킹 되 지 않는 블랭크마스크(140)의 주패턴 영역에 직접 마찰함에 따라 주변부와 달리 강제 건조를 하는 것과 동일한 상태가 조성되어 프린지(fringe)가 발생한다. 또한, 강한 기류를 조성할 경우 기체 공급 라인에 필터가 장착되어 있더라도 먼지 및 이물질이 제대로 필터링되지 않고 직접 주패턴 영역에 부착되는 문제가 유발된다.However, when a strong air flow is formed to prevent the gaseous solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask 140, it is directly rubbed against the main pattern region of the blank mask 140 which is not soft baked after the photoresist coating. Therefore, unlike the periphery, the same state as that of forced drying is formed, so that fringe occurs. In addition, when a strong air flow is formed, even if a filter is installed in the gas supply line, dust and foreign matters are not properly filtered and directly attached to the main pattern region.

상기와 같이 강제 기류가 형성됨으로 인하여 블랭크 마스크(140)의 주패턴에 영향을 미치는 것을 방지하기 위하여 보호막(150)이 구비된다.As the forced air flow is formed as described above, the protective film 150 is provided to prevent the influence of the main pattern of the blank mask 140.

상기 보호막(150)은 상기 블랭크 마스크(140)와 상기 내부척(130) 사이에 개재되어 상기 기체공급부를 통해 유입되는 불활성 가스가 상기 블랭크 마스크(140)로 직접 접촉되지 않도록 차단시킨다.The passivation layer 150 is interposed between the blank mask 140 and the inner chuck 130 to block the inert gas flowing through the gas supply unit from being directly contacted with the blank mask 140.

본 발명의 일 예로써의 상기 보호막(150)은 상기 블랭크 마스크와 수직방향으로의 간격(G1)이 1 내지 2.5 mm 이고, 상기 내부척(130)과 수직방향으로의 간격(G2)이 0.5 내지 2 mm이고, 상기 내부척(130)과 수평방향으로의 이격거리(d)가 10 내지 30 mm인 것이 바람직하다(도 5 참조).As an example of the present invention, the protective film 150 has a distance G1 in the vertical direction from the blank mask of 1 to 2.5 mm, and a distance G2 in the vertical direction from the inner chuck 130. 2 mm, the distance (d) in the horizontal direction and the inner chuck 130 is preferably 10 to 30 mm (see Fig. 5).

상기 보호막(150)과 상기 블랭크 마스크와 수직방향으로의 간격(G1)이 1 mm 미만일 경우에는 포토레지스트 코팅 후 후속 베이킹 전에 에지 비드 제거 공정이 진행됨으로 포토레스트가 코팅된 표면에서 발생되는 용해제의 휘발 증기에 의해 와류가 발생되어 다시 코팅된 표면에 마찰되어 감도의 변화 및 기타 오염을 유발할 수 있다. When the gap G1 between the protective film 150 and the blank mask in the vertical direction is less than 1 mm, an edge bead removal process is performed after the photoresist coating and before subsequent baking, thereby volatilizing the solvent generated on the photorest coated surface. Vortex may be generated by the vapor and rubbed back onto the coated surface, causing changes in sensitivity and other contamination.

그리고 간격(G1)이 2,5 mm 초과할 경우에는 내부척과 너무 밀착되어 기체공급부로부터 유입되는 기체의 비정상적인 공기의 흐름이 유도되어 효과적인 에지 비 드 제거 공정이 이루어 지지 못한다. If the gap G1 exceeds 2,5 mm, it is too close to the internal chuck, leading to abnormal air flow of the gas flowing from the gas supply unit, thereby preventing the effective edge bead removal process.

또한, 상기 보호막(150)과 상기 내부척(130)의 수직방향으로의 간격(G2)과 상기 내부척(130)의 수평방향으로의 이격거리(d)의 범위에 따라 에지 비드 제거폭의 균일성이 결정된다. In addition, the edge bead removal width is uniform depending on the distance G2 in the vertical direction between the passivation layer 150 and the inner chuck 130 and the separation distance d in the horizontal direction of the inner chuck 130. The sex is determined.

상기 보호막(150)과 상기 내부척(130)의 수평방향 이격거리(d)는 유입된 기체가 각 에지부에 균일하게 가압되어 용해제에 의한 에지비드가 균일하게 제거되도록 유도하는 역할을 한다. The horizontal separation distance d between the passivation layer 150 and the inner chuck 130 serves to induce the inlet gas to be uniformly pressurized at each edge to uniformly remove the edge beads by the solvent.

또한, 상기 보호막(150)과 상기 내부척(130)의 수직방향 간격(G2)은 기체 공급부에서 유입된 불활성 기체가 회전하는 회전원판 상부에서도 각 에지 코너부로의 효과적인 기류형성 및 유도를 통하여 에지 코너부에도 용해제의 공급을 안정적으로 하여 에지부와 동일한 폭으로 에지 비드가 제거될 수 있도록 한다.In addition, the vertical gap G2 between the passivation layer 150 and the inner chuck 130 is an edge corner through effective airflow and induction to each edge corner portion even in the upper portion of the rotating disk on which the inert gas flowing from the gas supply portion rotates. The supply of dissolving agent to the part is stabilized so that the edge beads can be removed with the same width as the edge part.

한편, 본 발명의 일 예로써의 불활성 가스의 공급은 0.01 내지 0.05 MPa의 범위에서 사용된다. 이때 상기 불활성 가스의 공급압력이 0.01MPa 미만일 경우에는 가스 공급압이 약해서 저회전수로 인해 유입된 용해제가 블랭크 마스크 주패턴 영역으로 흘러 들어오는 문제가 발생한다. On the other hand, the supply of inert gas as an example of the present invention is used in the range of 0.01 to 0.05 MPa. At this time, when the supply pressure of the inert gas is less than 0.01MPa, the gas supply pressure is weak so that the solvent introduced due to the low rotational speed flows into the blank mask main pattern region.

반면, 0.05MPa를 초과할 경우에는 가압력이 너무 크게 작용하여 에지 비드를 제거해야 하는 용해제가 에지 비드를 거치지 않고 바로 흘러 내려버리는 문제가 발생한다.On the other hand, if it exceeds 0.05 MPa, the pressing force is too large to cause the problem that the solvent to remove the edge bead flows down immediately without passing through the edge bead occurs.

그리고, 본 발명의 일 예로써의 회전원판의 회전수는 100 내지 200 RPM의 저속도를 유지하는 것이 바람직하다.And, the rotational speed of the rotating disc as an example of the present invention preferably maintains a low speed of 100 to 200 RPM.

왜냐하면, 종래 일반적으로 200 RPM 이상의 회전수로 회전원판이 회전하면서 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급되는데, 내부척(130)의 표면을 타고 흘러내리는 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 200 RPM 이상의 고 회전 속도에 의해 네 개의 에지 코너로 흐르는 양이 많아지게 된다. Because, in general, a solvent for removing photoresist edge beads is supplied while the rotating disc rotates at a rotational speed of 200 RPM or more, and the solvent for removing photoresist edge beads flowing down the surface of the inner chuck 130 is 200 RPM or more. The speed of rotation increases the amount of flow to the four edge corners.

따라서, 상기와 같은 조건에서 에지 비드를 제거하게 되면 네 개의 에지 코너부에 존재하는 비드가 에지 사이드부보다 많이 용해되어 균일한 폭의 에지 비드 제거가 어렵게 된다. 그리고 추후 포토마스크 제작 공정에서 유효 패턴 영역이 그만큼 감소하며, 바코드와 같은 보조패턴의 삽입에 어려움이 발생한다. Therefore, when the edge bead is removed under the above conditions, the beads present in the four edge corner portions are more dissolved than the edge side portions, thereby making it difficult to remove the edge beads having a uniform width. In the photomask fabrication process, the effective pattern area is reduced by that amount, and difficulty in inserting an auxiliary pattern such as a barcode is generated.

이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 일 예로써 원심력에 의한 코너 쏠림 현상을 줄이기 위해 100 내지 200 RPM의 저속도를 채택하는 에지 비드 제거 공정을 수행한다.In order to solve such a problem, as an example of the present invention, an edge bead removal process adopting a low speed of 100 to 200 RPM is performed to reduce corner deflection caused by centrifugal force.

저속도로 에지 비드 제거 공정을 수행하면, 에지 비드 제거 폭이 균일하게 되고, 에지 코너 부분에서 줄어들 수 있는 유효 패턴 부분을 확장할 수 있는 장점이 있다. Performing the edge bead removal process at a low speed has the advantage of making the edge bead removal width uniform and extending the effective pattern portion which can be reduced at the edge corner portion.

이때 회전원판이 저속도로 회전하여 원심력이 감소할 경우 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제의 에지 코너부로의 쏠림 현상은 개선되지만, 휘발성이 강한 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급되어 에지 비드가 제거될 경우, 용해제의 액체 및 증기가 에지부에서 주패턴 영역으로 흡입되는 문제가 발생할 수 있다. At this time, when the rotating disk rotates at a low speed and the centrifugal force decreases, the pulling phenomenon of the photoresist edge bead removal solvent to the edge corner portion is improved, but when the edge bead is removed by supplying a highly volatile photoresist edge bead removal solvent. Therefore, a problem may occur that the liquid and vapor of the solvent are sucked from the edge portion to the main pattern region.

그러나, 용해제가 주패턴 영역으로 흡입되는 문제점은, 상기 기체공급부로부 터 공급되는 불활성 가스와 보호막(150)의 구비로 극복될 수 있게 된다.However, the problem that the solvent is sucked into the main pattern region can be overcome by the provision of the inert gas and the protective film 150 supplied from the gas supply unit.

그리고, 본 발명의 일 예로써 상기 기체공급부로 공급되는 불활성 가스는 N2가 사용되었으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 이와 동종의 불활성 가스가 사용될 수 있는 것은 주지되어야 할 것이다.In addition, as an example of the present invention, the inert gas supplied to the gas supply part is N2, but is not necessarily limited thereto, and it should be noted that an inert gas of the same kind may be used.

도 6은 본 발명의 일 예에 따른 블랭크 마스크에 간격유지핀이 접촉되는 위치를 나타낸 도면이다.6 is a view showing a position where the spacer pin is in contact with the blank mask according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 예에 따른 간격유지핀은 내부척(130)의 각 코너에 부착되며, 따라서 포토레지스트가 코팅된 블랭크 마스크(140)의 코너에지부(144)에서 간격유지핀이 접촉되게 된다.The spacer pin according to an embodiment of the present invention is attached to each corner of the inner chuck 130, and thus the spacer pin is contacted at the corner edge portion 144 of the blank mask 140 coated with the photoresist.

종래에는 간격유지핀이 블랭크 마스크의 사이드에지부(3; 도 2참조)에 접촉하게 되며, 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 사이드에지부(3)에 침투하지 못하고, 결국 핀 자국이 기판의 에지비드 제거 영역 내에 그대로 남게 되는 문제가 발생한다. Conventionally, the spacer pins are brought into contact with the side edge portions 3 (see FIG. 2) of the blank mask, and the solvent for removing photoresist edge beads does not penetrate the side edge portions 3. A problem remains that remains in the bead removal region.

본 발명에서는 이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 간격유지핀의 부착 위치를 내부척(130)의 각 코너로 조정시켰다. In the present invention, in order to solve such a problem, the attachment position of the spacing pin is adjusted to each corner of the inner chuck 130.

이를 보다 구체적으로 살펴보면, 내부척(130)의 각 코너에 대응하는 4곳의 크롬이 성막되지 않은 코너(143)의 코너에지부(144)에 간격유지핀을 접촉시키면, 크롬이 없는 부위에 접촉됨으로써 일부 포토레지스트가 에지 비드 제거 공정에서 남게 되더라도 후공정 중 포토레지스트 제거 공정에서 깨끗이 제거되어 간격유지핀 접촉에 의한 크롬 막의 잔존이나 기타 이물질의 흡착을 방지할 수 있게 된다.Looking at this in more detail, when the space holding pin is in contact with the corner edge portion 144 of the corner 143 of the four chromium corresponding to each corner of the inner chuck 130, the contact with the chromium-free portion As a result, even if some photoresist remains in the edge bead removal process, the photoresist removal process may be cleanly removed during the post-process to prevent the remaining of the chromium film and the adsorption of other foreign substances due to the contact between the spacer pins.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, an edge bead removal method of a blank mask according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법은, 블랭크 마스크를 회전원판에 안착시켜 회동하며 내부척과 외부척 사이에 형성된 공간부로 에지 비드를 용해시키는 용해제를 투입하여 에지 비드를 제거시키고, 불활성 가스를 공급하여 블랭크 마스크의 주패턴을 보호하는 것을 특징으로 한다.Edge bead removal method of the blank mask according to another embodiment of the present invention, by inserting a solvent to dissolve the edge bead into the space formed between the inner chuck and the outer chuck to rotate the blank mask on the rotating disk to remove the edge bead The main pattern of the blank mask is protected by supplying an inert gas.

이때, 상기 용해제는 아세톤, PGME, 톨루엔, 부틸 아세테이트, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하며, 본 발명의 일 예로써의 상기 용해제는 휘발되는 속도와 상기 블랭크 마스크에 코팅된 포토레지스트에 대한 용해 정도에 따라 아세톤, EL 및 DIGLYME로 이루어진 군에서 선택된 제1용해제; MAK, 부틸 아세테이트, PGMA 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 제2용해제; 및 IPA, PGME 및 톨루엔으로 이루어진 군에서 선택된 3제용해제로 분류되고, 상기 A군, B군 및 C군에서 각각 선택된 용해제를 순차적으로 공급하여 에지 비드를 제거한다.At this time, the solubilizer is preferably at least one selected from the group consisting of acetone, PGME, toluene, butyl acetate, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME and TMAH, the solvent is volatilized as an example of the present invention A first dissolving agent selected from the group consisting of acetone, EL and DIGLYME depending on the rate and degree of dissolution in the photoresist coated on the blank mask; Secondary solubilizers selected from the group consisting of MAK, butyl acetate, PGMA and TMAH; And three solubilizers selected from the group consisting of IPA, PGME and toluene, and the edge beads are removed by sequentially supplying the solubilizers selected from the A, B and C groups, respectively.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 에지 비드 제거 방법을 단계별로 설명하면, 블랭크 마스크를 회전원판에 안착시켜 회동하며, 상기 블랭크 마스크의 상부에 이격되어 위치하는 내부척과 외부척 사이에 형성된 공간부로 에지 비드를 용해시키는 용해제를 투입하는 단계; 블랭크 마스크 중앙 상부에 형성된 노즐을 통하여 불활성 가스를 분사시켜 상기 용해제가 블랭크 마스크의 주패턴으로 침투하는 것을 방지하는 단계; 및 상기 불활성 가스가 상기 블랭크 마스크로 직접 접촉되지 않도 록 보호막으로 차단하는 단계로 구성된다.On the other hand, when the step of removing the edge bead according to another embodiment of the present invention step by step, the blank mask is rotated by seating on the rotating disc, the space portion formed between the inner chuck and the outer chuck spaced above the blank mask. Introducing a solvent to dissolve the edge beads; Spraying an inert gas through a nozzle formed at the center of the blank mask to prevent the solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask; And blocking the inert gas with a protective film so that the inert gas does not directly contact the blank mask.

이하, 상기 용해제를 휘발 속도와 용해 속도에 따라 분류하는 방법에 대해 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the method of classifying the solubilizer according to the volatilization rate and the dissolution rate will be described in detail.

<표 1>은 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제를 휘발성 및 포토레지스트의 용해 정도에 따라 분류한 표이다.<Table 1> is a table | surface which classified the solvent for removing photoresist edge beads according to the volatile and the degree of melt | dissolution of a photoresist.

<표 1>TABLE 1

휘발 속도에 따른 분류Classification according to volatilization speed 용해 속도에 따른 분류 (노볼락/아세탈 고분자에 대한 용해도)Classification by Dissolution Rate (Solubility in Novolak / Acetal Polymers) A군(T<10s)A curve group (T <10s) 아세톤, PGME, 톨루엔Acetone, PGME, Toluene A군(T<5s)Group for A (T <5s) 아세톤, DIGLYME, MAKAcetone, DIGLYME, MAK B군(10≤T≤15s)B luminance group (10≤T≤15s) 부틸 아세테이트, PGMA, IPAButyl Acetate, PGMA, IPA A군(T<10s)A dragon group (T <10s) 톨루엔, TMAH, EL, 부틸 아세테이트Toluene, TMAH, EL, Butyl Acetate C군(T>15s)C curve group (T> 15s) MAK, EL, DIGLYME, TMAHMAK, EL, DIGLYME, TMAH A군(T<10s)A dragon group (T <10s) IPA, PGME, PGMAIPA, PGME, PGMA

<표 1>은 구체적으로 동일 온도 및 습도와 동일 회전수에서 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 완전히 건조되는 시간에 따른 용해제를 분류한 것으로써, 용해 속도에 따른 분류는 특정 포토레지스트가 코팅된 마스크를 일정 회전수로 회전시키면서 마스크 위에 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제를 동일 유량을 계속 공급하면서 마스크에 코팅된 포토레지스트가 완전히 제거되는 시간을 통계로 분류하였다. <Table 1> specifically classifies the solvents according to the time when the solvent for removing photoresist edge beads is completely dried at the same temperature and humidity and the same rotation speed. The time at which the photoresist coated on the mask was completely removed was statistically classified while rotating at a constant rotational speed while continuously supplying the same flow rate of the solvent for removing photoresist edge beads on the mask.

<표 2>는 이를 다시 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제를 블랭크 마스크에 공급될 때 휘발되는 속도와 포토레지스트에 대한 용해 정도를 종합하여 분류한 것이다.<Table 2> is classified by combining the rate of volatilization and the degree of dissolution in photoresist when the solvent for removing photoresist edge beads is supplied to the blank mask.

<표 2>TABLE 2

포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제의 분류Classification of Solvents for Removing Photoresist Edge Beads 비고Remarks A군A group 아세톤, EL, DIGLYMEAcetone, EL, DIGLYME 에지 비드 중 가장 두꺼운 부위를 제거하는 역할Remove the thickest part of the edge bead B군B group MAK, 부틸 아세테이트, PGMA, TMAHMAK, Butyl Acetate, PGMA, TMAH 에지 비드가 제거된 경계부분을 균일하게 하는 역할Uniform edge of edge bead removed C군Group C IPA, PGME, 톨루엔IPA, PGME, Toluene 에지 비드 중 가장 두꺼운 부위에 잔존하는 자국을 완전 제거하는 역할Complete removal of marks remaining on the thickest part of edge beads

A, B 및 C군으로 분류된 각 그룹은 코팅 공정 후 발생한 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는데 있어서 각기 다른 스텝별로 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급되어 다른 역할을 수행하게 된다.Each group classified into groups A, B, and C is supplied with a solvent for removing photoresist edge beads at different steps in removing edge beads of photoresist generated after the coating process, thereby performing a different role.

도 8은 일반적으로 포토레지스트가 스핀방식으로 블랭크마스크에 코팅되어 에지 비드가 형성된 상태를 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 예에 따른 에지 비드 제거용 용해제를 사용하여 에지 비드가 제거된 상태를 나타낸 도면이다.8 is a view illustrating a state in which edge beads are formed by coating a photomask on a blank mask in a spin method, and FIG. 9 is a state in which edge beads are removed using an edge bead removal solvent according to an embodiment of the present invention. The figure which shows.

도 8 및 도 9를 참조하면, <표 2>와 같이 분류된 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 1차로 A군에서 선택된 용해제가 공급되어 주로 A영역의 가장 두껍게 형성되는 에지 비드 위주로 제거하는 역할을 수행하게 된다. 따라서 포토레지스트에 대한 용해능력이 우수한 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제 위주로 선택돼야 한다. A군이 공급되는 공정에서는 균일한 경계를 고려하지 않고 단순히 두꺼운 에지 비드만 제거하는 조건에서 A군 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제의 공급을 차단하고 건조단계를 진행한다. Referring to FIGS. 8 and 9, the solvents for removing photoresist edge beads classified as shown in <Table 2> are primarily supplied with a solvent selected from group A and mainly remove edge beads formed thickest in region A. Will be performed. Therefore, it should be selected based on the solvent for removing photoresist edge bead which has excellent solubility in photoresist. In the process in which the group A is supplied, the supply of the group A photoresist edge bead removal solvent is cut off and the drying step is performed under conditions that only thick edge beads are removed without considering uniform boundaries.

에지 비드가 제거된 A' 영역은 도 9에서 도시된 바와 같이 에지 비드가 완전히 제거되었다. In the region A ′ where the edge beads were removed, the edge beads were completely removed as shown in FIG. 9.

그리고 2차로 공급되는 B군의 경우, 1차 에지 비드 제거 후 에지 비드가 제거된 경계 부분(도 8 및 도 9의 B영역)에 있는 포토레지스트를 제거하고, 또한 경 계부분을 균일하게 하는 역할을 한다. 이 과정에서 에지 비드 제거 폭을 조정할 수 있다. 요구하는 폭에 따라서 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제를 선택하거나, 공급시간과 불활성 기체로 공급으로 발생하는 강제기류의 가압조건을 조정하여 결정할 수 있다. In the case of the second group B, the photoresist in the boundary portion (region B of FIGS. 8 and 9) from which the edge beads are removed after the first edge bead removal is removed, and the boundary portion is made uniform. Do it. In this process, the edge bead removal width can be adjusted. It can be determined by selecting a solvent for removing photoresist edge beads according to the required width, or by adjusting the supply time and pressurization conditions of the forced air generated by supplying with inert gas.

경계 부분인 B' 영역에서 에지 비드가 제거된 형상은 도 9에서 도시된 바와 같이 경사부 내면으로 약간 상면으로 포토레지스트가 솟아 있는 형상을 띄고 있는데, 이는 모세관 현상에 의해 내부로 유입되는 용해제에 의해 용해되는 포토레지스트가 내부로 미세하게 유입되기 때문이다.As shown in FIG. 9, the edge bead removed from the boundary portion B ′ has a shape in which the photoresist rises slightly upward to the inner surface of the inclined portion, which is caused by a dissolving agent introduced into the interior by capillary action. This is because the dissolved photoresist is finely introduced into the inside.

마지막 3단계로 공급되는 C군에서 선택된 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 전 단계 후 A 영역에 잔존하게 되는 포토레지스트 및 포토레지스트 에비 비드 제거용 용해제의 건조된 자국 및 이물질을 마지막으로 제거하는 단계이다. 이 단계는 포토레지스트에 대한 용해 능력이 낮고 휘발성이 낮은 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 효과적이다. The solvent for removing photoresist edge beads selected from the group C supplied in the last three steps is to finally remove the dried marks and foreign substances of the photoresist and photoresist avid bead removing solvent remaining in the area A after the previous step. . This step is effective for dissolving the photoresist edge beads with low volatility and low volatility.

본 발명의 일 예에 따른 상기 용해제는 1, 2, 3차의 공급 스텝으로 A, B 및 C군에서 각각 선택된 용해제가 공급되는 에지 비드 제거 공정 순서를 가지나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 포토레지스트의 종류에 따라서 임의로 A, B 및 C군의 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 혼합되어 공급될 수도 있으며, 공급 스텝도 임의로 줄이거나 추가하여 시행할 수도 있다. The dissolving agent according to an embodiment of the present invention has an edge bead removal process step of supplying a dissolving agent selected from the A, B, and C groups in the first, second, and third feeding steps, but is not necessarily limited thereto. Depending on the type, solvents for removing photoresist edge beads of A, B, and C groups may be optionally mixed and supplied, and the feeding step may be optionally reduced or added.

한편, 상기의 에지 비드 제거 공정에서는 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급될 때의 회전수와 공급이 정지된 후 건조하는 공정의 회전수가 동일하 게 진행된다. On the other hand, in the edge bead removal process, the rotation speed when the solvent for removing photoresist edge beads is supplied and the rotation speed of the drying process after the supply is stopped are the same.

종래에는 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급된 후 완전 건조되기 전에 회전수를 증가하도록 변경시켜 가건조시키는 것이 일반적인데, 이러한 경우 이상 기류가 블랭크 마스크에 형성되어 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 주패턴 영역으로 침투하거나, 튀는 현상이 발생하여 불량률을 증가시키게 된다. Conventionally, after the supply of the photoresist edge bead removal solvent is supplied, it is generally changed to increase the rotation speed before it is completely dried. In this case, an abnormal air flow is formed in the blank mask, and the solvent for the photoresist edge bead removal is mainly used. Penetration or splashing occurs in the pattern area to increase the defective rate.

따라서, 본 발명의 일 예에 따른 건조 단계에서는 용해제의 공급시의 회전원판의 회전수와 동일하거나 또는 그 이하의 회전수로 건조 공정을 진행시켜 이러한 문제점을 방지하고자 하였다.Therefore, in the drying step according to an example of the present invention, the drying process is performed at a rotation speed equal to or less than the rotation speed of the rotating disc at the time of supplying the solvent to prevent such a problem.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 에지 비드 제거 공정을 나타낸 도면이다.10 illustrates an edge bead removal process according to another embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, A군에서 선택된 용해제를 1 내지 5초 범위로 공급하며, B군에서 선택된 용해제를 1 내지 3초 범위로 공급하고, C군에서 선택된 용해제를 5 내지 10초 범위로 공급하고, A군, B군 및 C군의 용해제가 각각 공급된 후에 상기 용해제를 10 내지 100초간 건조시키는 건조 단계를 거친 후에 최종 건조를 실시하여 에지 비드를 제거시킨다.Referring to the drawings, the solubilizer selected in Group A is supplied in a range of 1 to 5 seconds, the solubilizer selected in Group B is supplied in a range of 1 to 3 seconds, the solubilizer selected in Group C is supplied in a range of 5 to 10 seconds, After the solubilizers of Group A, Group B and Group C are fed, respectively, the solvent is dried for 10 to 100 seconds, followed by final drying to remove edge beads.

이때, 상기 각 건조 단계는 회전원판의 회전수와 동일한 회전수로 회전하여 건조된다.At this time, each drying step is dried by rotating at the same rotational speed as the rotational speed of the rotating disc.

한편, 상기 각 군으로 분류된 용해제 중 하나 이상의 용해제를 사용하여 블랭크 마스크의 백 사이드에 형성된 에지 비드를 제거할 수도 있다.Meanwhile, the edge beads formed on the back side of the blank mask may be removed using one or more of the solvents classified into the above groups.

도 11은 본 발명에 따른 에지 비드 제거장치 및 제거방법에 의해 에지 비드 가 제거된 블랭크 마스크를 나타낸 도면이다. FIG. 11 is a view showing a blank mask from which edge beads are removed by an edge bead removal device and a removal method according to the present invention. FIG.

도면을 참조하면, 포토레지스트 에지 비드 제거장치 및 제거방법에 의해 에지 비드 제거 폭이 일정하고 포토레지스트 자국이 전혀 잔존하지 않는 우수한 품질을 가지는 에지 비드가 제거된 블랭크 마스크(140)을 제조할 수 있다.Referring to the drawings, by using the photoresist edge bead removal device and the removal method, it is possible to manufacture a blank mask 140 is removed edge bead having a high quality of the edge bead removal width is constant and no photoresist marks remaining. .

미설명된 도면 부호는 에지 비드 제거 영역(142)과 포토레지스트가 코팅된 영역(141)을 나타낸 것이다. Unexplained reference numbers indicate edge bead removal regions 142 and photoresist coated regions 141.

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예들은 본 발명을 예시하는 것으로 본 발명의 내용이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are illustrative of the present invention, and the content of the present invention is not limited by the examples.

<비교예 1>Comparative Example 1

IP 3500(일본 TOK社 제작) 포토레지스트를 스핀 코팅 장치를 이용하여 4650Å의 코팅 두께가 형성되도록 블랭크 마스크를 제조하였다. 그리고 발생한 에지 비드를 제거하기 위해 하기의 공정을 진행하였다. The blank mask was manufactured so that an IP 3500 (made by TOK, Japan) photoresist was formed using the spin coating apparatus, and the coating thickness of 4650 mmW was formed. And the following process was performed in order to remove the edge beads which generate | occur | produced.

보호막을 형성시키지 않고, IP 3500의 용매인 MAK를 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제로 이용하여 최적화된 공정 조건으로 에지 비드를 제거하였다. 이때, 불활성 기체인 질소가 0.05 MPa 압력으로 가압되며, 회전원판의 회전수는 300 RPM으로 하였으며, 1차 건조 회전수는 450 RPM으로 하였다.Without forming a protective film, edge beads were removed under optimized process conditions using MAK, a solvent of IP 3500, as a solvent for removing photoresist edge beads. At this time, nitrogen as an inert gas was pressurized to a pressure of 0.05 MPa, the rotation speed of the rotating disc was 300 RPM, the primary drying rotation speed was 450 RPM.

그 결과, 에지 비드가 깨끗이 제거되었다. 또한, 사이드 에지부의 에지 비드 제거 폭 평균이 1.74mm를 보이며 균일한 결과를 나타내었다. 그러나 에지 코너 부분이 사이드 에지부의 평균 폭보다 0.3 ~ 0.5mm 넓게 제거되었다. 또한 에지 비드 가 제거된 일부 영역에는 포토레지스트 및 용해제의 건조된 자국이 일부 존재하였다.As a result, the edge beads were removed cleanly. Moreover, the edge bead removal width average of the side edge part showed 1.74 mm, and showed the uniform result. However, the edge corner portions were removed 0.3 to 0.5 mm wider than the average width of the side edge portions. There were also some dried marks in the photoresist and solvent in some areas where edge beads were removed.

<실시예 1> <Example 1>

비교예1과 동일한 블랭크 마스크를 이용하여 하기 공정으로 에지 비드를 제거하였다.Edge beads were removed using the same blank mask as in Comparative Example 1 in the following process.

즉, 두께가 0.5 mm 인 스테인레스로 제작된 보호막을 구비하고, 가압되는 질소의 압력은 0.01 MPa으로 하고, 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 1차로 아세톤을 공급하며, 2차로 MAK를, 마지막으로 IPA를 단계적으로 공급하였다. 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급될 때의 회전수는 180 RPM이며, 1차 건조 회전수도 동일하게 하였다.That is, a protective film made of stainless steel having a thickness of 0.5 mm, the pressure of nitrogen is 0.01 MPa, the solvent for removing the photoresist edge bead first supplies acetone, secondly MAK, and finally IPA Was fed stepwise. The rotation speed when the solvent for removing photoresist edge beads was supplied was 180 RPM, and the first drying rotation speed was the same.

그 결과, 에지 비드를 제거한 결과가 양호하였으며, 사이드 에지부의 에비 비드 제거 폭 평균이 약 1.65mm를 나타내었다. 에지 코너 부분의 에지 비드 제거 폭도 평균과 거의 동일한 1.71mm를 나타내는 결과를 보였다. 또한 에지 비드가 제거된 영역에서는 어떠한 포토레지스트 및 용해제 자국이 발생하지 않았다. As a result, the result of removing the edge bead was good, and the average width of the edge bead removal of the side edge portion was about 1.65 mm. The edge bead removal width of the edge corner portion also showed a result of 1.71 mm which was almost equal to the average. In addition, no photoresist and solvent traces occurred in the region where the edge beads were removed.

<실시예 2> <Example 2>

다른 포토레지스트에 대한 평가로 FEP 171(일본 FUJI社 제작)에 대해서도 에지 비드 제거에 대한 평가를 시행하였다. FEP 171을 스핀 코팅 장치를 이용하여 3000Å의 두께를 가지는 블랭크 마스크를 제조하였다. 이때 발생한 에지 비드를 제거하기 위해 실시예 2와 동일한 보호막이 구비된 에지 비드 제거장치를 이용하였다. 가압되는 질소의 압력은 0.1 MPa, 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제는 1 차로 아세톤을 공급하였고, 2차로 PGMA를, 마지막으로 PGME를 단계적으로 공급하였다. 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제가 공급될 때의 회전수는 175 RPM으로 하였으며, 1차 건조 회전수도 175 PRM으로 동일하게 진행하였다. 진행 결과는 상기에 설명된 IP 3500의 실시예 1과 같이, 에지 비드의 제거결과가 양호하였으며, 사이드 에지부의 에지 비드 제거 폭도 약 1.59mm를 나타내었다. 에지 코너 부분의 에지 비드 제거 폭도 평균과 거의 동일한 1.62mm를 나타내는 결과를 보였다. 따라서 본 발명에 의해 제작된 에지 비드 제거장치와 제거방법에 의해 진행될 때 아주 양호한 결과를 나타내는 것을 확인할 수 있다.As an evaluation of other photoresists, FEP 171 (manufactured by FUJI, Japan) was also evaluated for edge bead removal. FEP 171 was manufactured using a spin coating apparatus to produce a blank mask having a thickness of 3000 mm 3. In order to remove the edge beads generated at this time, an edge bead removal device equipped with the same protective film as in Example 2 was used. The pressure of nitrogen to be pressurized was 0.1 MPa, and the solvent for removing photoresist edge beads was first supplied with acetone, secondly with PGMA, and finally with PGME. The rotation speed when the solvent for removing the photoresist edge beads was supplied was 175 RPM, and the first drying rotation speed was also the same at 175 PRM. As shown in Example 1 of the IP 3500 described above, the result of the proceeding was good, and the edge bead removal width of the side edge part was about 1.59 mm. The edge bead removal width of the edge corner portion also showed a result of 1.62 mm which is almost equal to the average. Therefore, it can be seen that the result shows a very good result when proceeded by the edge bead removal device and the removal method produced by the present invention.

<실시예 3> <Example 3>

<표 4>는 도 5에 도시된 보호막의 위치에 따른 에지 비드의 제거 상태를 나타낸 것이다.Table 4 shows the removal of the edge bead according to the position of the protective film shown in FIG.

<표 4>TABLE 4

구분division G2(단위: mm)G2 (unit: mm) 0.20.2 0.50.5 1.01.0 1.51.5 2.02.0 2.52.5 CC SS CC SS CC SS CC SS CC SS CC SS d(단위: mm)d in mm 55 ×× ×× ×× ×× 1515 ×× ×× 2525 ×× ×× 3535 ×× ×× ×× ××

C : 블랭크 마스크의 코너에지부C: corner edge of blank mask

S : 블랭크 마스크의 사이드에지부S: side edge of blank mask

△ : 보통 ○ : 좋음 ◎ : 매우 좋음 × : 나쁨△: Normal ○: Good ◎: Very good ×: Bad

상기 <표 4>에 나타난 결과를 통해, 보호막과 내부척의 수평방향 이격거리(d)는 10 내지 30 mm 일 경우에 에지 비드의 제거 특성이 가장 좋은 것으로 나타났 고, 보호막과 내부척의 수직방향 간격(G2)은 0.5 내지 2 mm인 경우에 에지 비드의 제거 특성이 좋게 나타났다. 보호막과 내부척의 수평방향 이격거리(d)는 유입된 기체가 각 에지부에 균일하게 가압되어 용해제에 의한 에지비드가 균일하게 제거되도록 유도하는 역할을 한다. 이때 10 내지 30 mm 일 때 가장 안정적인 기류가 형성됨을 확인 하였다. 보호막과 내부척의 수직방향 간격(G2)은 기체 공급부에서 유입된 불활성 기체가 회전하는 에지 비드 제거척 상부에서도 각 에지 코너부로의 효과적인 기류형성 및 유도를 통하여 에지 코너부에도 용해제의 공급이 안정적으로 공급되어 에지부와 동일한 폭으로 에지 비드가 제거될 수 있도록 하는 역할을 한다. 이때 0.5 내지 2 mm가 효과적인 결과를 보였다. Through the results shown in Table 4, the horizontal separation distance d between the protective film and the inner chuck was 10 to 30 mm, and the edge beads had the best removal characteristics. (G2) showed good removal characteristics of the edge beads when 0.5 to 2 mm. The horizontal separation distance d between the passivation layer and the inner chuck serves to induce the inlet gas to be uniformly pressurized at each edge portion to uniformly remove edge beads by the solvent. At this time, it was confirmed that the most stable air flow is formed at 10 to 30 mm. The vertical gap (G2) between the protective film and the inner chuck ensures a stable supply of solvent to the edge corners through effective airflow and induction to each edge corner even at the top of the edge bead removal chuck where the inert gas flowing from the gas supply rotates. It serves to remove the edge bead with the same width as the edge portion. At this time, 0.5 to 2 mm showed an effective result.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치 및 제거방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.As described above, the edge bead removal device and the removal method of the blank mask according to the present invention provides the following effects.

첫째, 저속도로 에지 비드 제거 공정을 진행하여 코너 에지부로 용해제가 쏠리는 현상을 방지하여 균일한 에지 비드 제거 폭을 유지할 수 있는 장점이 있다.First, the edge bead removal process is performed at a low speed to prevent the solvent from being concentrated at the corner edges, thereby maintaining a uniform edge bead removal width.

둘째, 블랭크 마스크와 내부척 사이에 보호막을 구비하여 불활성 가스의 유입으로 인한 주패턴에 생성될 수 있는 프린지 및 오염을 사전에 방지할 수 있는 장점이 있다.Second, a protective film is provided between the blank mask and the inner chuck to prevent fringes and contamination that may be generated in the main pattern due to the inflow of inert gas.

셋째, 간격유지핀을 코너에지부로 위치시켜 한 번의 공정으로 핀자국을 제거할 수 있어 공정 시간을 단축시킬 수 있고, 불량 발생을 줄일 수 있는 장점이 있 다.Third, it is possible to shorten the process time and reduce the occurrence of defects because the pin can be removed in a single process by placing the spacing pin as a corner edge.

넷째, 포토레지스트 에지 비드 제거용 용해제를 휘발속도와 용해 정도를 고려하여 분류하고, 순차적으로 공급하여 균일한 폭의 에지 비드가 제거 될 수 있고, 이물질 및 자국이 남지 않는 우수한 품질의 블랭크 마스크를 제공할 수 있는 장점이 있다.Fourth, the solvent for removing photoresist edge beads is classified in consideration of the volatilization rate and the degree of dissolution, and is sequentially supplied to remove edge beads of uniform width, and provides a good quality blank mask that does not leave foreign substances and marks. There is an advantage to this.

다섯째, 용해제의 투입후에 회전원판의 회전속도를 건조시에도 동일하게 유지시킴으로 인해 이상기류에 의해 불균일하게 에지 비드가 제거되는 현상을 사전에 방지할 수 있는 장점이 있다.Fifth, since the rotational speed of the rotating disk is kept the same even after drying the solvent after dissolving the solvent, there is an advantage of preventing the phenomenon that the edge bead is unevenly removed by the abnormal airflow.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated by the limited embodiment and drawing, this invention is not limited by this, The person of ordinary skill in the art to which this invention belongs, Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalent claims.

Claims (13)

블랭크 마스크의 상부에 이격되어 위치하는 외부척;An outer chuck spaced apart from the top of the blank mask; 상기 외부척의 하부에 공간부가 형성되도록 이격되어 위치하고, 이 공간부를 통해 에지 비드 제거용 용해제가 통과되는 내부척;An inner chuck spaced apart to form a space under the outer chuck, and through which the dissolving agent for removing the edge beads passes; 상기 블랭크 마스크 중앙 상부에 형성된 노즐을 통하여 불활성 가스를 분사시켜 에지 비드 제거용 용해제가 블랭크 마스크의 주패턴으로 침투하는 것을 방지하는 기체공급부; 및A gas supply unit for injecting an inert gas through a nozzle formed at the center of the blank mask to prevent the edge bead removal solvent from penetrating into the main pattern of the blank mask; And 상기 블랭크 마스크와 상기 내부척 사이에 개재되어 상기 기체공급부를 통해 유입되는 불활성 가스가 상기 블랭크 마스크로 직접 접촉되지 않도록 차단하는 보호막을 구비하는 것을 특징으로 하는,And a protective film interposed between the blank mask and the inner chuck to block an inert gas flowing through the gas supply unit from being directly contacted with the blank mask. 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치.Edge bead removal device of blank mask. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막은, 상기 블랭크 마스크와 수직방향으로의 간격(G1)이 1 내지 2.5 mm이고, The protective film has a distance G1 in the vertical direction from the blank mask of 1 to 2.5 mm, 상기 내부척과 수직방향으로의 간격(G2)이 0.5 내지 2 mm이며,The distance G2 in the vertical direction and the inner chuck is 0.5 to 2 mm, 상기 내부척과 수평방향으로의 이격거리(d)가 10 내지 30 mm인 것을 특징으로 하는,Characterized in that the separation distance d in the horizontal direction with the inner chuck is 10 to 30 mm, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치. Edge bead removal device of blank mask. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 내부척의 하부로 일정 간격 이격되어 설치되고, 상기 블랭크 마스크를 안착시켜 회동하기 위한 회전원판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는,It is provided with a predetermined interval spaced below the inner chuck, further comprising a rotating disc for seating and rotating the blank mask, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치. Edge bead removal device of blank mask. 제 1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 내부척은, 상기 블랭크 마스크와 소정 간격을 유지시키는 간격유지핀이 더 구비되고, 상기 간격유지핀은 상기 내부척의 각 코너에 부착되는 것을 특징으로 하는,The inner chuck is further provided with a space holding pin for maintaining a predetermined distance with the blank mask, the space holding pin is characterized in that attached to each corner of the inner chuck, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치. Edge bead removal device of blank mask. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 내부척은, 두께가 0.5 내지 3.0 mm인 것을 특징으로 하는,The inner chuck is characterized in that the thickness of 0.5 to 3.0 mm, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거장치.Edge bead removal device of blank mask. 블랭크 마스크의 에지 및 에지 코너에 불필요하게 잔존하는 에지 비드를 제거하기 위한 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법에 있어서,A method for removing edge beads of a blank mask for removing edge beads that remain unnecessarily at edges and edge corners of a blank mask, 상기 블랭크 마스크를 회전원판에 안착시켜 회동하며 내부척과 외부척 사이에 형성된 공간부로 에지 비드를 용해시키는 용해제를 투입하여 에지 비드를 제거 시키고, 불활성 가스를 공급하여 블랭크 마스크의 주패턴을 보호하는 것을 특징으로 하는,The blank mask is rotated by seating on the rotating disc, and a dissolving agent is added to a space formed between the inner chuck and the outer chuck to remove the edge beads, and an inert gas is supplied to protect the main pattern of the blank mask. Made, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 회전원판의 회전수는 100 내지 200 RPM인 것을 특징으로 하는,Rotational speed of the rotating disc is characterized in that 100 to 200 RPM, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 불활성 가스의 유입 압력은 0.01 내지 0.05 MPa인 것을 특징으로 하는,Inlet pressure of the inert gas is characterized in that from 0.01 to 0.05 MPa, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 용해제는 아세톤, PGME, 톨루엔, 부틸 아세테이트, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는,The solubilizer is characterized in that at least one selected from the group consisting of acetone, PGME, toluene, butyl acetate, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME and TMAH is used, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 용해제는 아세톤, EL 및 DIGLYME로 이루어진 군에서 선택된 제1용해제; MAK, 부틸 아세테이트, PGMA 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 제2용해제; 및 IPA, PGME 및 톨루엔으로 이루어진 군에서 선택된 제3용해제를 순차적으로 공급하는 것을 특징으로 하는, The solubilizing agent is a first solubilizer selected from the group consisting of acetone, EL and DIGLYME; Secondary solubilizers selected from the group consisting of MAK, butyl acetate, PGMA and TMAH; And sequentially supplying a third solubilizer selected from the group consisting of IPA, PGME, and toluene, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1용해제를 1 내지 5초 범위로 공급하고,The first dissolution is supplied in the range of 1 to 5 seconds, 상기 제2용해제를 1 내지 3초 범위로 공급하고,Supplying the second solution in a range of 1 to 3 seconds, 상기 제3용해제를 5 내지 10초 범위로 공급하며,The third dissolution is supplied in the range of 5 to 10 seconds, 각 용해제가 공급된 후 10 내지 100초 동안 건조하는 것을 특징으로 하는,After each solubilizer is supplied, characterized in that for 10 to 100 seconds to dry, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 건조는, 회전원판의 회전수와 동일 또는 그 이하의 회전수로 회전하여 건조되는 것을 특징으로 하는, The drying is characterized in that the drying by rotating at a rotational speed equal to or less than the rotational speed of the rotating disc, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 용해제 중 하나 이상의 용해제를 사용하여 블랭크 마스크의 백 사이드(back side)에 형성된 에지 비드를 제거하는 것을 특징으로 하는,Characterized in that the edge beads formed on the back side of the blank mask are removed using at least one of the solvents, 블랭크 마스크의 에지 비드 제거방법.How to remove edge bead of blank mask.
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