KR100709502B1 - A method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 반사형과 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a structure of an array substrate for a reflection type and a reflection type liquid crystal display device.

어레이기판에 구성되는 이웃하는 화소전극을 절연층을 개재하고 상/하로 엇갈려 구성하면, 상기 어레이기판에 구성되는 게이트배선과 데이터배선 부분까지도 상기 화소전극을 연장하여 형성할 수 있다.When the neighboring pixel electrodes of the array substrate are alternately arranged up and down with an insulating layer interposed therebetween, the gate electrodes and the data wiring portions of the array substrate can be extended to form the pixel electrodes.

따라서, 개구부 증가에 따른 휘도 증가와 이에 따른 컨트라스트 개선과 화질개선 효과를 얻을 수 있다.

Therefore, an increase in luminance due to an increase in openings, a contrast improvement, and an image quality improvement effect can be obtained.

Description

반사형 및 투과반사형 액정 표시장치와 그 제조방법{a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same} Reflective and transmissive liquid crystal display device and method for manufacturing the same {a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same}             

도 1은 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view illustrating a general reflective transmissive liquid crystal display device;

도 2는 일반적인 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,FIG. 2 is an enlarged plan view schematically showing some pixels of a typical reflective liquid crystal display array substrate;

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이고,3 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 2;

도 4는 일반적인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,4 is an enlarged plan view schematically illustrating some pixels of a general array of reflective transmissive liquid crystal display devices;

도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이고,FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV ′ of FIG. 4;

도 6은 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,6 is an enlarged plan view schematically showing some pixels of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention;

도 7a 내지 도 7c는 도 6의 Ⅵ-Ⅵ`,Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,7A to 7C are cross-sectional views taken along the line VI-VI ′ and VIII-VIII of FIG. 6, according to a process sequence of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고, 8 is an enlarged plan view schematically showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention;                 

도 9a 내지 도 9d는 도 8의 Ⅷ-Ⅷ`와 Ⅸ-Ⅸ`를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
9A to 9D are cross sectional views taken along the lines VII-VII and VII-VII of FIG. 8 and shown in the process sequence of the present invention.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

T1 : N번째 박막트랜지스터 T2 : N+1번째 박막트랜지스터T1: Nth thin film transistor T2: N + 1th thin film transistor

119b : 반사전극 135` : 드레인 전극 119b: reflective electrode 135`: drain electrode

147 : 제 2 보호층 149 : 드레인 콘택홀
147: second protective layer 149: drain contact hole

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 반사모드를 사용하는 반사형 액정표시장치와, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and in particular, to a reflective liquid crystal display device using a reflection mode, and a reflective liquid crystal display device capable of selectively using a reflection mode and a transmission mode. device).

일반적으로, 반사형 액정표시장치는 광원을 외부광원으로 대체할 수 있기 때문에 백라이트와 같은 부가적인 광원장치를 필요로 하지 않는다. In general, the reflective liquid crystal display device does not require an additional light source device such as a backlight since the light source can be replaced with an external light source.

그리고, 상기 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(backlight)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있음으로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.In addition, the reflective liquid crystal display device has the functions of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device at the same time, it is possible to use both backlight light and external natural light or artificial light source to limit the surrounding environment There is an advantage that can reduce the power consumption (power consumption).

상기 두 종류의 액정표시장치의 구조 중 상기 반사투과형 액정표시장치를 예를 들어 액정표시장치의 대략적인 구조와 구동방법을 설명한다.The structure and driving method of the liquid crystal display device will be described using, for example, the reflection-transmissive liquid crystal display device among the two types of liquid crystal display devices.

도 1 은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a general reflective transmissive color liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(16)를 포함하는 컬러필터(17)와 컬러필터 상에 투명한 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 화소영역(P)과 화소영역에 투과부(A)와 반사부(C)가 동시에 형성된 화소전극(19)과 스위칭소자(T)와 어레이배선이 형성된 하부기판(21)으로 구성되며, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21) 사이에는 액정(23)이 충진되어 있다.As shown in the drawing, a general reflection-transmissive liquid crystal display 11 includes a color filter 17 including a black matrix 16, an upper substrate 15 having a transparent common electrode 13 formed on the color filter, and a pixel region. A pixel electrode 19 having a transmissive portion A and a reflecting portion C formed at the same time as the pixel region 19 and a lower substrate 21 having a switching element T and an array wiring formed thereon. ) And the lower substrate 21 are filled with the liquid crystal 23.

상기 하부기판(21)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 형성된다.The lower substrate 21 is also referred to as an array substrate, and the thin film transistor T, which is a switching element, is positioned in a matrix type, and the gate wiring 25 and the data wiring 27 passing through the plurality of thin film transistors cross each other. Is formed.

이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 교차하여 정의되는 영역이다.In this case, the pixel area P is an area where the gate line 25 and the data line 27 cross each other.

전술한 바와 같은 구성에서, 상기 투명화소전극을 제거하고, 상기 반사전극 또는 반사판에 투과홀을 형성하지 않으면 개략적인 반사형 액정표시장치의 구조가 된다.In the above configuration, if the transparent pixel electrode is removed and no transmission hole is formed in the reflective electrode or the reflecting plate, the structure of the reflective liquid crystal display device becomes rough.

이하, 도 2는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 개략적인 평면도이다. 2 is a schematic plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective liquid crystal display device.                         

도시한 바와 같이, 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 평면적으로 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 구성되고, 상기 두 배선의 교차지점에는 스위칭 소자(T)가 형성된다.As shown in the drawing, the array substrate for a reflective liquid crystal display device is configured such that the gate line 25 and the data line 27 vertically intersect in a plane to define the pixel region P, and at the intersection of the two lines The switching element T is formed.

상기 스위칭 소자로(T)는 일반적으로 게이트전극(32)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)과 액티브층(34)으로 구성되는 박막트랜지터(thin film transistor : TFT)를 형성하여 사용한다.Generally, the switching element T is formed by forming a thin film transistor (TFT) including a gate electrode 32, a source electrode 33, a drain electrode 35, and an active layer 34. do.

상기 화소영역(P) 상에는 화소전극(19)이 위치하며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(35)과 접촉하여 액정(도 1의 23)을 구동한다.The pixel electrode 19 is positioned on the pixel region P, and contacts the drain electrode 35 of the thin film transistor to drive the liquid crystal (23 of FIG. 1).

반사 모드에서는 상기 화소전극(19)은 반사전극이며, 반사율이 뛰어난 불투명 도전성금속을 사용하여 형성한다. 이와 같은 불투명 금속물질은 대표적으로 알루미늄(Al)과 알루미늄합금(예 : AlNd)을 포함하는 알루미늄계 금속을 예를 들 수 있다.In the reflective mode, the pixel electrode 19 is a reflective electrode and is formed using an opaque conductive metal having excellent reflectance. Such an opaque metal material may be, for example, an aluminum-based metal including aluminum (Al) and an aluminum alloy (for example, AlNd).

이와 같은 구성을 가지는 어레이기판을 포함하는 반사형 액정표시장치의 동작모드를 간략히 설명한다.The operation mode of the reflective liquid crystal display device including the array substrate having such a configuration will be briefly described.

반사모드의 광원은 전술한 바와 같이 외부광원을 사용함으로, 외부에서 액정패널의 상부기판(미도시)으로 입사된 빛은 상기 어레이기판(21)에 구성된 반사전극(19)에 반사되어 전압에 의해 배향된 액정(미도시)을 통과하면서 액정의 복굴절 특성에 따라 그 빛의 편광상태가 달라진 상태로 출사하게 된다.As the light source of the reflection mode uses an external light source as described above, the light incident from the outside to the upper substrate (not shown) of the liquid crystal panel is reflected by the reflective electrode 19 formed on the array substrate 21 and is affected by the voltage. As the light passes through the aligned liquid crystal (not shown), the light is emitted in a state where the polarization state of the light is changed according to the birefringence characteristic of the liquid crystal.

이와 같이, 상기 액정(미도시)을 출사하는 빛이 컬러필터(미도시)를 통과하면서 상기 컬러필터를 착색하여 적/녹/청의 색감의 보이는 컬러 표시기능을 하게 된다.In this way, the light exiting the liquid crystal (not shown) passes through the color filter (not shown) to color the color filter to perform a visible color display function of red / green / blue color.

이와 같은 구성을 가지는 반사형 액정표시장치의 단면 구조를 이하 도 4를 참조하여 설명한다.A cross-sectional structure of the reflective liquid crystal display device having such a configuration will be described below with reference to FIG. 4.

도 3은 상기 도 2의 Ⅳ-Ⅳ`를 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 2.

도시한 바와 같이 먼저, 기판(21)상에 게이트 전극(32)과 게이트배선(도 2의 25)을 구성하고, 상기 데이터배선(27)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)은 상기 게이트전극(32)과의 사이에 게이트 절연막(41)을 사이에 두고 형성한다.As shown, first, a gate electrode 32 and a gate wiring (25 in FIG. 2) are formed on the substrate 21, and the data wiring 27, the source electrode 33, and the drain electrode 35 are formed as described above. The gate insulating film 41 is formed between the gate electrode 32.

상기 액티브층(34)은 상기 소스전극(33) 및 드레인 전극(35)과 각각 겹쳐 형성된다. The active layer 34 overlaps the source electrode 33 and the drain electrode 35, respectively.

상기 각 전극과 액티브층을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한 후, 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 절연재질의 보호층(43)을 형성한다.After forming the thin film transistor T including each electrode and the active layer, a protective layer 43 made of an insulating material for protecting the thin film transistor is formed.

다음으로, 상기 보호층(43)을 패턴하여 상기 드레인 전극(35)의 상부에 드레인 콘택홀(45)을 형성하고, 이를 통하여 상기 드레인 전극(35)과 접촉하는 반사전극(19)을 구성하였다.Next, the protective layer 43 is patterned to form a drain contact hole 45 on the drain electrode 35, thereby forming a reflective electrode 19 in contact with the drain electrode 35. .

이와 같은 구성에서, 액정(미도시)은 기판(21)의 전면에 위치하게 되지만 상기 반사전극(19)의 상부에 위치한 액정만이 구동하게 된다.In this configuration, the liquid crystal (not shown) is positioned in front of the substrate 21, but only the liquid crystal positioned on the reflective electrode 19 is driven.

따라서, 도시한 바와 같이, 상기 반사전극(19)과 반사전극의 사이영역(A)은 구동영역에서 제외된다.Thus, as shown, the region A between the reflective electrode 19 and the reflective electrode is excluded from the driving region.

특히, A 영역 중 상기 화소전극과 데이터배선의 사이는 설계오차를 감안하여 갭을 두어 형성하며, 이 영역에 위치한 액정은 전압을 인가하였을 경우, 상기 화소 영역에 위치한 액정과는 다른 배향성을 하게 되며, 블랙상태를 나타내야 하는 경우에도 빛의 출사하는 빛샘 현상이 발생하게 된다.In particular, a gap is formed between the pixel electrode and the data wiring in the region A in consideration of a design error. When a voltage is applied, the liquid crystal positioned in the region has a different orientation from that of the liquid crystal positioned in the pixel region. In addition, even when the black state is to be shown, the light leakage phenomenon of the light is generated.

따라서, 상부기판에 제작되는 블랙매트릭스의 형성할 때는 하부의 A 영역과 같은 비정상 구동 영역을 모두 덮도록 넓은 면적으로 제작되기 때문에 그 만큼 액정패널의 개구율이 줄어든다. 이와 같은 현상은 이하 설명하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판에서도 발생한다.Therefore, when the black matrix fabricated on the upper substrate is formed, a large area is formed so as to cover all of the abnormal driving regions such as the lower region A, thereby reducing the aperture ratio of the liquid crystal panel. Such a phenomenon also occurs in the array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device described below.

도 4는 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 평면도이다. 4 is a partial plan view of an array substrate for a conventional transmissive liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 반사 투과형 액정표시장치는 도 1에서 설명한 바와 같이, 반사모드와 투과모드로 모두 동작할 수 있도록 한 화소영역(P)에 투과부(A)와 반사부(B)가 동시에 존재하는 구조이다.As shown in FIG. 1, in the reflective transmissive liquid crystal display, as illustrated in FIG. 1, the transmissive portion A and the reflective portion B are simultaneously present in the pixel region P to operate in both the reflective mode and the transmissive mode. Structure.

상기 반사부와 투과부를 정의하기 위해 사용되는 수단은 투과홀(51)을 포함하는 반사전극(또는 반사판)(19a)과, 상기 반사전극(19a)의 상부 또는 하부에 직접 형성될 수도 있고 상기 반사전극(19a)과의 사이에 절연층(미도시)을 개재하여 형성될 수도 있는 투명 화소전극(19b)으로 구성된다. The means used to define the reflecting portion and the transmitting portion may be formed directly on or below the reflective electrode (or reflecting plate) 19a including the transmission hole 51 and the reflective electrode 19a or the reflection It consists of the transparent pixel electrode 19b which may be formed through the insulating layer (not shown) between the electrode 19a.

이와 같은 구성의 단면구조를 이하 도 5에서 설명한다.The cross-sectional structure of such a structure is demonstrated below in FIG.

도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이다.(도 4의 도면부호를 참조한다.)FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV ′ of FIG. 4. (See FIG. 4.)

먼저, 기판(21)상에 게이트전극(32)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한 후, 박막트랜지스터의 상부에 제 1 보호층(43)을 형성한다. First, the thin film transistor T including the gate electrode 32, the source electrode 33, and the drain electrode 35 is formed on the substrate 21, and then the first passivation layer 43 is formed on the thin film transistor. To form.                         

다음으로, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(35)상부에 드레인 콘택홀(45)을 형성하고 동시에, 상기 화소영역(P)에 구성되는 투과홀(도 4의 51)의 위치에 대응하는 부분의 상기 보호층(43)을 표면으로부터 기판방향으로 식각하여 식각홈(53)을 형성한다.(이때, 식각홈(53)을 형성하지 않을 수 도 있다.)Next, a drain contact hole 45 is formed on the drain electrode 35 of the thin film transistor T, and at the same time, a position corresponding to the position of the transmission hole (51 in FIG. 4) formed in the pixel region P is formed. The protective layer 43 of the portion is etched from the surface in the direction of the substrate to form an etching groove 53. (The etching groove 53 may not be formed at this time.)

다음으로, 상기 드레인 콘택홀(45)을 통해 상기 드레인 전극(35)과 접촉 하면서 화소영역(P) 상에 위치하고, 상기 식각홈(53)에 대응한 위치에 투과홀(51)을 포함하는 반사전극(19a)을 성한다.Next, the reflection is positioned on the pixel region P while contacting the drain electrode 35 through the drain contact hole 45 and includes a transmission hole 51 at a position corresponding to the etch groove 53. The electrode 19a is formed.

다음으로, 상기 반사전극(19a) 상부에 절연물질인 제 2 보호층(47)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인 콘택홀(45)을 통해 드레인 전극(35)과 접촉하는 부분의 반사전극(19a)을 소정 면적 노출한다.Next, the second protective layer 47, which is an insulating material, is formed on the reflective electrode 19a, and then patterned to form a reflective electrode (a portion of the portion contacting the drain electrode 35 through the drain contact hole 45). 19a) is exposed to a predetermined area.

다음으로, 패턴된 제 2 보호층(47)사이로 노출된 상기 반사전극(19a)과 접촉하면서, 상기 화소영역(P) 상에 위치하도록 투명한 화소전극(19b)을 형성한다. Next, the transparent pixel electrode 19b is formed to be positioned on the pixel region P while contacting the reflective electrode 19a exposed between the patterned second protective layers 47.

이와 같은 공정으로 종래의 반사 투과형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.By such a process, a conventional array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device can be manufactured.

전술한 종래의 반사 투과형 어레이기판 또한, 상기 투과홀을 포함하는 반사전극과 반사전극 간에는 전술한 반사형 액정표시장치와 마찬가지로 액정은 위치하나 동작하지 않는 영역이 존재한다.
In the above-described conventional reflective transmissive array substrate, there is an area between the reflective electrode including the transmissive hole and the reflective electrode in the same manner as the above-described reflective liquid crystal display device where the liquid crystal is positioned but does not operate.

따라서, 종래의 반사형 액정표시장치나 반사투과형 액정표시장치는 일반적인 투과형 액정표시장치에 비해 개구율이 떨어지는 단점이 있다.Therefore, the conventional reflective liquid crystal display device or the reflective transmissive liquid crystal display device has a disadvantage in that the aperture ratio is lower than that of the general transmissive liquid crystal display device.

이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 상기 전극과 전극 사이의 비동작 영영을 동작영역으로 활성화하는 구조와 그 방법을 제시하여, 개구율 및 휘도(brightness)와 컨트라스트비(contrast ratio)가 더욱 개선된 반사형 액정표시장치와 반사투과형 액정표시장치를 제작하는데 그 목적이 있다.
The present invention for solving such a problem is proposed a structure and method for activating the non-operation region between the electrode and the electrode to the operating area, the aperture ratio, brightness and contrast ratio (improved) is further improved Its purpose is to manufacture a reflective liquid crystal display and a reflective transmissive liquid crystal display.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 서로 이웃한 제 1, 2 화소영역을 갖는 기판과; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 상기 제 1, 2 화소영역을 정의하는 데이터배선 및 게이트배선과; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성된 제 1 및 제 2 스위칭 소자와; 상기 제 1 스위칭 소자와 연결되며, 상기 제 1 화소영역 상에 위치하고, 상기 제 1 화소영역을 정의하는 상기 게이트배선과 데이터배선의 상부로 연장 형성되는 형태로 이루어진 제 1 반사전극과; 상기 제 1 반사전극 상부로 형성된 절연막과; 상기 절연막 위로 상기 제 2 화소영역 상에 이와 이웃하는 상기 제 1 반사전극과는 그 끝단이 상기 게이트 및 데이터 배선 상에서 일치하도록 구성되며, 상기 제 2 스위칭 소자와 연결되며 형성된 제 2 반사전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, an array substrate for a reflective liquid crystal display device includes: a substrate having first and second pixel regions adjacent to each other; A data line and a gate line intersecting each other vertically on the substrate to define the first and second pixel areas; First and second switching elements configured at intersections of the gate wiring and the data wiring; A first reflective electrode connected to the first switching element and formed on the first pixel region and extending above the gate wiring and the data wiring defining the first pixel region; An insulating film formed over the first reflective electrode; The second reflective electrode adjacent to the adjacent first reflective electrode on the second pixel region is formed on the gate and data lines on the insulating layer, and includes a second reflective electrode connected to the second switching element. .

상기 상기 제 1, 2 반사전극은 알루미늄과 알루미늄계 합금으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성한다.The first and second reflective electrodes are formed of one selected from a group of conductive metals composed of aluminum and an aluminum-based alloy.

상기 제 1 반사전극과 제 2 반사전극 사이에 개재된 상기 절연막은 유전율이 3 이하인 절연물질로 형성한다.The insulating film interposed between the first and second reflective electrodes is formed of an insulating material having a dielectric constant of 3 or less.

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본 발명의 또 다른 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 서로 이웃한 제 1, 2 화소영역을 갖는 기판과; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 상기 제 1, 2 화소영역을 정의하는 데이터배선 및 게이트배선과; 상기 게이트배선과 데이터배선의 각 교차지점에 구성된 제 1, 2 스위칭 소자와; 상기 제 1, 2 화소영역에 대응한 위치에 투과홀을 포함하고, 상기 게이트배선과 데이터배선 상부로 연장하여 전체가 연결되는 형태로 형성된 반사판과; 상기 화소영역간에 연결 형성된 반사판 상부에 위치하며, 상기 제 1 스위칭 소자에 연결되고, 상기 제 1 스위칭 소자를 포함하는 상기 제 1 화소영역 상에 형성되며, 상기 제 1 화소영역을 이루는 상기 게이트배선 및 데이터배선의 상부로 그 끝단이 연장 형성된 제 1 투명 화소전극과; 상기 제 1 투명 화소전극 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 위로 상기 제 2 스위칭 소자와 연결되며, 상기 제 2 스위칭 소자를 포함하는 상기 제 2 화소영역 상에 상기 제 1 투명 화소전극과 그 끝단이 상기 게이트 및 데이터 배선 상에서 일치하도록 형성된 제 2 투명 화소전극을 포함한다.According to still another aspect of the present invention, an array substrate for a transflective liquid crystal display device includes: a substrate having first and second pixel regions adjacent to each other; A data line and a gate line intersecting each other vertically on the substrate to define the first and second pixel areas; First and second switching elements configured at intersections of the gate and data lines; A reflection plate including a transmission hole at a position corresponding to the first and second pixel areas, the reflection plate extending in an upper portion of the gate wiring line and the data wiring line so as to be connected to the whole; The gate wiring disposed on the reflective plate formed between the pixel areas, connected to the first switching device, formed on the first pixel area including the first switching device, and forming the first pixel area; A first transparent pixel electrode having an extended end thereof over the data line; An insulating film formed on the first transparent pixel electrode; A second transparent pixel connected to the second switching element over the insulating layer, the second transparent pixel being formed so that the first transparent pixel electrode and an end thereof coincide on the gate and data lines on the second pixel area including the second switching element; An electrode.

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이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 설명한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

-- 제 1 실시예 --First Embodiment

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다.6 is a plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 게이트배선(125)과 데이터배선(127)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며, 상기 두 배선의 교차지점에는 스위칭 소자(T)가 위치한다.As illustrated, the gate line 125 and the data line 127 vertically intersect to define the pixel area P, and the switching element T is positioned at the intersection of the two wires.

상기 스위칭 소자(T)로 게이트전극(132)과 소스전극(133)및 드레인 전극(135)으로 구성되는 박막트랜지스터를 형성한다. The switching element T forms a thin film transistor including a gate electrode 132, a source electrode 133, and a drain electrode 135.                     

상기 화소영역 상에는 상기 드레인 전극(135)과 접촉하는 화소전극인 반사전극(119)을 형성한다.The reflective electrode 119 is formed on the pixel area, which is a pixel electrode in contact with the drain electrode 135.

이때, 상/하 방향과 좌/방향에서 상기 서로 이웃하는 반사전극(119)은 거의 근접하여 형성한다. 이러한 구성이 가능한 이유는 절연층(미도시)을 개재하여 서로 이웃하는 반사전극(119)을 상/하로 엇갈려 형성하여, 상기 이웃하는 반사전극 사이에 위치한 절연층에 의해 상호 전극간 영향을 최소화 활 수 있기 때문이다.In this case, the adjacent reflective electrodes 119 are formed in close proximity to each other in the up / down direction and the left / right direction. The reason for such a configuration is that the reflective electrodes 119 adjacent to each other are alternately formed up and down through an insulating layer (not shown), thereby minimizing the effects of the mutual electrodes by the insulating layers positioned between the adjacent reflective electrodes. Because it can.

이때, 상기 두 반사전극(119) 사이에 개재되는 절연층(미도시)은 되도록 이면 유전율 값이 작은 벤조사이클로 부텐(benzocyclobutene)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)등으로 구성된 유기절연 물질그룹 중 하나를 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.At this time, the insulating layer (not shown) interposed between the two reflective electrodes 119 is a group of organic insulating materials composed of benzocyclobutene and acryl resin having a low dielectric constant. It is preferable to select and use one.

이하, 도 7a내지 도 7c의 공정 단면도를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the process cross-sectional views of FIGS. 7A to 7C.

도 7a 내지 도 7c는 도 6의 Ⅵ-Ⅵ`와 Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.7A to 7C are cross-sectional views taken along the line VI-VI ′ and VIII-VIII of FIG. 6, according to a process sequence.

먼저, 도 7a에 도시한 바와 같이, 기판 상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 크롬(Cr)등을 포함하는 도전성금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 게이트배선(125)과 게이트전극(도 6의 132)을 형성한다.First, as shown in FIG. 7A, one selected from the group of conductive metals including aluminum (Al), aluminum alloy, molybdenum (Mo), copper (Cu), tungsten (W), chromium (Cr), and the like on a substrate. Is deposited and patterned to form a gate wiring 125 and a gate electrode (132 in FIG. 6).

이때, 상기 게이트전극(132)과 게이트배선(125)을 알루미늄으로 구성할 경우에는 상기 알루미늄배선을 보호하는 다른 도전성 금속을 적층하는 구조를 취할 수 도 있다.In this case, when the gate electrode 132 and the gate wiring 125 are made of aluminum, a structure in which other conductive metals protecting the aluminum wiring may be stacked.

다음으로, 상기 게이트배선(도 6의 125)과 게이트전극(132)이 구성된 기판(111)의 전면에 실리콘 산화막(SiO2)과 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성된 무기절연물질 그룹과, 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등으로 구성된 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(141)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material group composed of a silicon oxide film (SiO 2 ) and a silicon nitride film (SiN x ) on the entire surface of the substrate 111 including the gate wiring (125 in FIG. 6) and the gate electrode 132. Accordingly, the gate insulating layer 141 is formed by depositing or applying one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene, acryl resin, and the like.

상기 게이트 절연막(141) 상에 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층을 적층하여 패턴하여, 상기 게이트 전극(132) 상부에 아일랜드 형상으로 반도체층(134)을 형성한다.A pure amorphous silicon layer and an impurity amorphous silicon layer are stacked and patterned on the gate insulating layer 141 to form a semiconductor layer 134 in an island shape on the gate electrode 132.

다음으로, 상기 반도체층(134)이 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속물질을 증착한 후 패턴하여, 상기 게이트배선(도 6의 125)과는 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(127)과, 상기 데이터배선(127)에 연결된 소스전극(133)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(135)을 형성한다. Next, the conductive metal material as described above is deposited on the entire surface of the substrate 111 on which the semiconductor layer 134 is formed, and then patterned to cross the gate line 125 of FIG. A data line 127 defining P), a source electrode 133 connected to the data line 127, and a drain electrode 135 spaced apart from each other are formed.

결과적으로, 기판(111)상에 게이트배선(도 6의 125)과 데이터배선(127)이 구성되고, 상기 두 배선이 교차하는 지점에 박막트랜지스터(T)가 형성된 구조를 얻을 수 있다.As a result, a structure in which the gate wiring 125 and the data wiring 127 are formed on the substrate 111 and the thin film transistor T is formed at the intersection of the two wirings is obtained.

다음으로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(111)의 전면에 절연물질인 제 1 보호층(143)을 형성한 후 패턴하여, 상기 다수의 각 화소에 대응하여 위치하는 박막트랜지스터(T)중 n번째 박막트랜지스터(T1)에 구성되는 드레인 전극(135)의 일부가 노출되도록 제 1 드레인 콘택홀(145)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 7B, the first protective layer 143, which is an insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 111 on which the thin film transistor T is formed, and then patterned to correspond to each of the plurality of pixels. The first drain contact hole 145 is formed to expose a portion of the drain electrode 135 formed in the nth thin film transistor T1 among the thin film transistors T positioned.

다음으로, 상기 드레인 콘택홀(145)이 형성된 기판(111)상에 저항이 낮고 반사율이 뛰어난 알루미늄(Al)과 알루미늄합금과 같은 도전성 금속물질을 증착하고 패턴하여, 상기 n번째 박막트랜지스터(T1)의 드레인 전극(135)과 접촉하는 제 1 반사전극(119a)을 형성한다.Next, a conductive metal material such as aluminum (Al) and an aluminum alloy having low resistance and excellent reflectance is deposited and patterned on the substrate 111 on which the drain contact hole 145 is formed, and the nth thin film transistor T1 is formed. The first reflective electrode 119a is formed in contact with the drain electrode 135.

이때, 상기 제 1 반사전극(119a)을 상기 데이터배선(127)과 게이트배선(도 6의 125)의 일측 상부로 연장 형성한다.In this case, the first reflective electrode 119a is formed to extend over one side of the data line 127 and the gate line 125 of FIG. 6.

다음으로, 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 반사전극(119a)이 형성된 기판(111)의 전면에 절연물질인 제 2 보호층(147)을 형성한 후 패턴하여, 상기 n번째 박막트랜지스터(T1)에 이웃하는 상/하 방향과 좌/우 방향에 위치한 n+1번째 박막트랜지스터(T2)의 각 드레인 전극(135`)상부의 상기 제 1 보호층(143)과 제 2 보호층(147)을 동시에 식각하여 제 2 드레인 콘택홀(149)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 7C, the second protective layer 147, which is an insulating material, is formed on the entire surface of the substrate 111 on which the first reflective electrode 119a is formed and then patterned to form the nth thin film transistor. The first protective layer 143 and the second protective layer on the drain electrode 135 ′ of the n + 1 th thin film transistor T2 positioned in the up / down direction and the left / right direction adjacent to the T1. The second drain contact hole 149 is formed by simultaneously etching 147.

다음으로, 상기 제 2 보호층(147)의 상부에 전술한 바와 같은 반사율이 뛰어난 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 제 2 드레인 콘택홀(149)을 통해 제 2 드레인 전극(135`)과 접촉하는 제 2 반사전극(119b)을 형성한다. Next, a conductive metal having excellent reflectivity as described above is deposited and patterned on the second protective layer 147 to contact the second drain electrode 135 ′ through the second drain contact hole 149. The second reflective electrode 119b is formed.

이때, 상기 제 2 반사전극(119b) 또한 상기 데이터배선(127)과 게이트배선(도 6의 125)의 일 측 상부로 연장 형성한다.In this case, the second reflective electrode 119b also extends above one side of the data line 127 and the gate line 125 of FIG. 6.

이와 같은 구성에서, 상기 임의의 반사전극은 절연층을 사이에 두고 이웃하는 4개의 화소전극과 모두 상하로 엇갈려 구성된 결과를 얻을 수 있다. In such a configuration, the arbitrary reflective electrodes can be obtained by staggering up and down with four neighboring pixel electrodes with an insulating layer interposed therebetween.                     

따라서, 서로 이웃하는 반사전극(119a,119b)은 평면적으로 상기 게이트배선(도 6의 125)과 데이터배선(127) 상부로 연장되어 서로 근접하게 위치한 형상이다.Accordingly, the reflective electrodes 119a and 119b adjacent to each other are planarly extended to the upper portion of the gate line 125 and the data line 127 in a planar manner.

이때, 상기 반사전극(119a,119b)은 상기 박막트랜지스터(T)의 상부까지 연장하여 형성할 수 있다.In this case, the reflective electrodes 119a and 119b may extend to the upper portion of the thin film transistor T.

이와 같은 공정으로 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다. 전술한 구성을 보면, 상기 반사전극과 반사전극간에 비 구동영역이 최소화되는 구조이므로 개구율과 함께 휘도와 컨트라스트비가 개선된 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
In this manner, an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured. According to the above-described configuration, since the non-driving region is minimized between the reflective electrode and the reflective electrode, an array substrate for a reflective liquid crystal display device having improved luminance and contrast ratio as well as aperture ratio can be manufactured.

-- 제 2 실시예-- -Second Example-

도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다. 8 is a plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 기판 상에 게이트배선(125)과 데이터배선(127)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며, 상기 두 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 존재한다.As illustrated, the gate line 125 and the data line 127 vertically intersect on the substrate to define the pixel region P, and the thin film transistor T exists at an intersection point of the two wires.

상기 화소영역(P)은 투과부(A)와 반사부(B)로 정의되며, 이를 위해 투과홀(141)을 포함하는 반사전극(118)을 채용하고, 상기 반사전극(118)의 상부에 투명한 화소전극(119a,119b)을 구성한다.The pixel region P is defined as a transmissive portion A and a reflective portion B. For this purpose, a reflective electrode 118 including a transmissive hole 141 is employed, and a transparent portion is formed on the reflective electrode 118. The pixel electrodes 119a and 119b are formed.

상기 반사전극(118)은 기판(111)의 전면에 구성하며, 상기 각 화소마다 투과홀(141)을 형성하고, 상기 각 화소에 대응하여 형성한 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(135)의 일부 상부에 콘택홀(143)을 형성한다.The reflective electrode 118 is formed on the entire surface of the substrate 111, and the transmission hole 141 is formed in each pixel, and the drain electrode 135 of the thin film transistor T formed corresponding to each pixel is formed. A contact hole 143 is formed in a portion of the upper portion.

이때, 상기 반사전극(118)과 투명한 화소전극(119a,119b)으로 구성된 반투과 전극 중 임의의 투명전극(119a)은 이웃한 화소의 투명전극(119b)과 상하로 엇갈려 구성한다.In this case, any transparent electrode 119a among the transflective electrodes including the reflective electrode 118 and the transparent pixel electrodes 119a and 119b is alternately arranged up and down with the transparent electrodes 119b of neighboring pixels.

이하, 도 9a 내지 도 9d를 참조하여 도 8의 구성을 위한 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process for the configuration of FIG. 8 will be described with reference to FIGS. 9A to 9D.

도 9a 내지 도 9c는 도 8의 Ⅷ-Ⅷ`,Ⅸ-Ⅸ`를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.9A to 9C are cross-sectional views illustrating a process sequence by cutting along lines VIII-VIII and VIII-VIII of FIG. 8.

먼저, 도 9a는 상기 반사형 액정표시장치의 박막트랜지스터 형성공정과 동일하므로 상세한 설명을 생략하도록 한다.First, since FIG. 9A is the same as the thin film transistor forming process of the reflective liquid crystal display, detailed description thereof will be omitted.

도시한 바와 같이, 기판(111)상에 박막트랜지스터(T1,T2)를 형성하고, 게이트배선(도 8의 125)과 이와는 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(127)을 형성한다.As illustrated, the thin film transistors T1 and T2 are formed on the substrate 111, and the data lines 127 defining the pixel area P are vertically intersected with the gate wiring 125 of FIG. 8. Form.

다음으로, 도 9b에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T1,T2)가 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 절연물질을 증착 또는 도포하여 제 1 보호층 (149)을 형성한 후 , 상기 화소영역(P)에 정의된 투과부에 대응하는 위치를 소정면적으로 식각하여 식각홈(151)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9B, after the above-described insulating material is deposited or coated on the entire surface of the substrate 111 on which the thin film transistors T1 and T2 are formed, the first protective layer 149 is formed. An etching groove 151 is formed by etching a position corresponding to the transmissive part defined in the pixel region P with a predetermined area.

다음으로, 상기 제 1 보호층(149)상에 반사율이 뛰어난 불투명 도전성 금속을 증착한 후 패턴하여, 상기 식각홈(151)에 대응하는 위치에 투과홀(141)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터(T)에 구성되는 드레인 전극(135)의 일부 상부에 대응하 여 소정면적 만큼 식각하여 하부 제 1 보호층(149)을 노출하는 콘택홀(143)을 형성한다. 이와 같이 구성하면 상기 반사판(118)에 의해 기판(111)의 디스플레이 영역이 대부분 가려지는 구성이 된다. (즉, 높은 반사율을 얻을 수 있는 구조이다.)Next, an opaque conductive metal having excellent reflectance is deposited on the first passivation layer 149 and then patterned to form a through hole 141 at a position corresponding to the etch groove 151, and the thin film transistor ( A contact hole 143 is formed to expose the lower first passivation layer 149 by etching a predetermined area corresponding to a portion of the drain electrode 135 formed in T). In such a configuration, the display region of the substrate 111 is largely covered by the reflecting plate 118. (In other words, the structure can obtain high reflectance.)

다음으로, 도 9c에 도시한 바와 같이, 상기 투과홀(141)이 형성된 반사판 (118)상부에 전술한 바와 같은 절연물질을 증착하여 제 2 보호층(153)을 형성하고 이를 패턴하여, 상기 박막트랜지스터(T1, T2) 상부의 반사판에 형성한 콘택홀(143)을 통해, 상기 드레인 전극(135) 상부의 제 1 보호층(149)과 제 2 보호층(153)을 동시에 식각하여, n번째 박막트랜지스터(T1)의 드레인 전극(135)이 노출 되도록 제 1 드레인 콘택홀(161)을 형성하고, 상기 n번째 박막트랜지스터의 상/하/좌/우 방향에 이웃한 박막트랜지스터(T2)의 드레인 전극(135`)을 노출하도록 제 2 드레인 콘택홀(163)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 9C, an insulating material as described above is deposited on the reflective plate 118 on which the transmission hole 141 is formed to form a second protective layer 153 and pattern the thin film. The first protective layer 149 and the second protective layer 153 on the drain electrode 135 are simultaneously etched through the contact hole 143 formed in the reflector on the transistors T1 and T2, and the nth The first drain contact hole 161 is formed to expose the drain electrode 135 of the thin film transistor T1, and the drain of the thin film transistor T2 adjacent to the top, bottom, left, and right directions of the nth thin film transistor T1 is formed. The second drain contact hole 163 is formed to expose the electrode 135 ′.

다음으로, 상기 제 2 보호층(153)상에 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : IZO)로 구성된 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 N번째 박막트랜지스터(T1)의 상부에 형성된 제 1 드레인 콘택홀(161)을 통해 드레인 전극(135)과 접촉하는 제 1 투명 화소전극(119a)을 형성한다.Next, a transparent conductive metal group consisting of indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) is selected on the second protective layer 153. One is deposited and patterned to form a first transparent pixel electrode 119a which contacts the drain electrode 135 through the first drain contact hole 161 formed on the Nth thin film transistor T1.

이때, 상기 제 1 투명 화소전극(119a)은 서로 수직으로 교차하여 구성된 게이트배선(도 8의 125)과 데이터배선(127)의 상부로 연장하여 형성한다.In this case, the first transparent pixel electrode 119a extends above the gate line 125 and the data line 127 formed to cross each other vertically.

다음으로, 도 9d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 투명 화소전극(119a)이 구성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 절연물질을 증착 또는 도포하여 제 3 보호층(165)을 형성한다. 다음으로 이를 패턴하여 상기 n번째 박막트랜지스터(T1)와 상/하/좌/우에서 이웃한 박막트랜지스터(T2) 상부의 제 3 보호층(165)을 식각하여 제 2 드레인 콘택홀(167)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9D, a third protective layer 165 is formed by depositing or applying the above-described insulating material on the entire surface of the substrate 111 on which the first transparent pixel electrode 119a is formed. . Next, the second drain contact hole 167 is etched by etching the n th thin film transistor T1 and the third protective layer 165 on the top, bottom, left, and right sides of the thin film transistor T2. Form.

다음으로, 상기 제 3 보호층(165)의 상부에 전술한 바와 같은 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 제 2 드레인 콘택홀(167)을 통해 상기 드레인 전극(135`)과 접촉하며 화소영역(P) 상에 구성되는 제 2 투명화소전극(119b)을 형성한다.Next, a selected one of the transparent conductive metal groups as described above is deposited and patterned on the third passivation layer 165 to form the drain electrode 135 ′ through the second drain contact hole 167. The second transparent pixel electrode 119b is formed on the pixel region P in contact with each other.

이때, 상기 제 2 투명 화소전극(119b)은 상기 게이트배선과 데이트배선 방향으로 연장 형성하여, 평면적으로 상기 제 1 투명 화소전극과 근접하도록 구성한다.In this case, the second transparent pixel electrode 119b extends in the direction of the gate wiring and the date wiring, and is configured to be close to the first transparent pixel electrode in a plan view.

이와 같은 방법으로, 본 발명에 따른 반사 투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.In this manner, the reflective transmission liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.

전술한 바와 같은 구성은 투과홀을 포함하는 반사판이 기판의 대부분에 구성되고, 상기 투명화소전극을 각 화소마다 절연층을 개재하여 상/하로 서로 근접하게 엇갈려 구성하였기 때문에 기판에서 넓은 영역을 동작영역으로 구성할 수 있다.In the above-described configuration, since a reflector including transmissive holes is formed on most of the substrate, and the transparent pixel electrode is alternately arranged up and down close to each other through an insulating layer for each pixel, a large area of the substrate is operated. It can be configured as.

따라서, 반사율과 휘도가 뛰어난 반사형 액정표시장치와 반사투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.
Therefore, a reflective liquid crystal display device and a reflective transmissive liquid crystal display device excellent in reflectance and luminance can be manufactured.

따라서, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 화소간에 비구동 영역을 최소화한 구조이므로, 반사율 이 뛰어나고 높은 콘트라스트와 휘도를 얻을 수 있는 효과가 있다.



Therefore, since the array substrate for the reflective liquid crystal display device and the array for the reflective liquid crystal display device according to the present invention have a structure in which the non-driving region is minimized between the pixels, the reflectivity is excellent and the contrast and luminance can be obtained.



Claims (10)

서로 이웃한 제 1, 2 화소영역을 갖는 기판과;A substrate having first and second pixel regions adjacent to each other; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 상기 제 1, 2 화소영역을 정의하는 데이터배선 및 게이트배선과;A data line and a gate line intersecting each other vertically on the substrate to define the first and second pixel areas; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성된 제 1 및 제 2 스위칭 소자와;First and second switching elements configured at intersections of the gate wiring and the data wiring; 상기 제 1 스위칭 소자와 연결되며, 상기 제 1 화소영역 상에 위치하고, 상기 제 1 화소영역을 정의하는 상기 게이트배선과 데이터배선의 상부로 연장 형성되는 형태로 이루어진 제 1 반사전극과;A first reflective electrode connected to the first switching element and formed on the first pixel region and extending above the gate wiring and the data wiring defining the first pixel region; 상기 제 1 반사전극 상부로 형성된 절연막과;An insulating film formed over the first reflective electrode; 상기 절연막 위로 상기 제 2 화소영역 상에 이와 이웃하는 상기 제 1 반사전극과는 그 끝단이 상기 게이트 및 데이터 배선 상에서 일치하도록 구성되며, 상기 제 2 스위칭 소자와 연결되며 형성된 제 2 반사전극A second reflective electrode formed on the second pixel region and adjacent to the first reflective electrode adjacent to the gate and data lines on the second pixel region, and connected to the second switching element; 을 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판.Array substrate for a reflective liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 2 반사전극은 알루미늄과 알루미늄계 합금으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판.And the first and second reflecting electrodes are formed of one selected from a group of conductive metals composed of aluminum and an aluminum-based alloy. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 2 스위칭 소자는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트전극과, 게이트 절연막과, 액티브층과, 상기 액티브층 상에서 서로 이격하는 상기 데이터 배선과 연결된 소스전극 및 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터인 반사형 액정표시장치용 어레이기판.The first and second switching elements may be thin film transistors including a gate electrode connected to the gate line, a gate insulating layer, an active layer, and a source electrode and a drain electrode connected to the data line spaced apart from each other on the active layer. Array board for display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 반사전극과 제 2 반사전극 사이에 개재된 상기 절연막은 유전율이 3 이하인 절연물질로 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판.And the insulating layer interposed between the first and second reflective electrodes is formed of an insulating material having a dielectric constant of 3 or less. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나인 반사형 액정표시장치용 어레이기판. And the insulating layer is one selected from the group of organic insulating materials consisting of benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin. 서로 이웃한 제 1, 2 화소영역을 갖는 기판과;A substrate having first and second pixel regions adjacent to each other; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 상기 제 1, 2 화소영역을 정의하는 데이터배선 및 게이트배선과;A data line and a gate line intersecting each other vertically on the substrate to define the first and second pixel areas; 상기 게이트배선과 데이터배선의 각 교차지점에 구성된 제 1, 2 스위칭 소자와;First and second switching elements configured at intersections of the gate and data lines; 상기 제 1, 2 화소영역에 대응한 위치에 투과홀을 포함하고, 상기 게이트배선과 데이터배선 상부로 연장하여 전체가 연결되는 형태로 형성된 반사판과;A reflection plate including a transmission hole at a position corresponding to the first and second pixel areas, the reflection plate extending in an upper portion of the gate wiring line and the data wiring line so as to be connected to the whole; 상기 화소영역간에 연결 형성된 반사판 상부에 위치하며, 상기 제 1 스위칭 소자에 연결되고, 상기 제 1 스위칭 소자를 포함하는 상기 제 1 화소영역 상에 형성되며, 상기 제 1 화소영역을 이루는 상기 게이트배선 및 데이터배선의 상부로 그 끝단이 연장 형성된 제 1 투명 화소전극과;The gate wiring disposed on the reflective plate formed between the pixel areas, connected to the first switching device, formed on the first pixel area including the first switching device, and forming the first pixel area; A first transparent pixel electrode having an extended end thereof over the data line; 상기 제 1 투명 화소전극 상부에 형성된 절연막과;An insulating film formed on the first transparent pixel electrode; 상기 절연막 위로 상기 제 2 스위칭 소자와 연결되며, 상기 제 2 스위칭 소자를 포함하는 상기 제 2 화소영역 상에 상기 제 1 투명 화소전극과 그 끝단이 상기 게이트 및 데이터 배선 상에서 일치하도록 형성된 제 2 투명 화소전극A second transparent pixel connected to the second switching element over the insulating layer, the second transparent pixel being formed so that the first transparent pixel electrode and an end thereof coincide on the gate and data lines on the second pixel area including the second switching element; electrode 을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판. Array substrate for a transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반사판은 알루미늄과 알루미늄 계 합금으로 구성된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflecting plate is formed of one selected from a group of conductive metals composed of aluminum and an aluminum-based alloy. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1, 2 스위칭 소자는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트전극과, 게이트 절연막과, 액티브층과, 상기 액티브층 상에서 서로 이격하는 상기 데이터 배선과 연결된 소스전극 및 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.The first and second switching elements may be thin film transistors including a gate electrode connected to the gate line, a gate insulating layer, an active layer, and a source electrode and a drain electrode connected to the data line spaced apart from each other on the active layer. Array board for display device. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 투명 화소전극과 제 2 투명 화소전극 사이에 개재된 상기 절연막은 유전율이 3 이하인 절연물질로 형성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the insulating film interposed between the first transparent pixel electrode and the second transparent pixel electrode is formed of an insulating material having a dielectric constant of 3 or less. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 절연막은 벤조사이클로부텐(ben)과 아크릴계 수지 등으로 구성된 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판. And the insulating film is one selected from the group of organic insulating materials consisting of benzocyclobutene (ben) and acrylic resin, and the like.
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