KR100708750B1 - Method of manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대향전극의 IR 드롭이 방지된 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 위하여, (i) 복수개의 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계와, (ii) 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 복수개의 화소전극들과, 상기 화소전극 상에 배치된 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 상기 기판의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극을 구비하는 유기 발광부를 형성하는 단계와, (iii) 잉크젯 프린팅법을 이용하여, 상기 유기 발광부의 대향전극 상에 상기 유기 발광부의 화소전극들 사이에 대응하도록 대향전극 버스라인을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device in which an IR drop of an opposite electrode is prevented, the method comprising: (i) forming a plurality of thin film transistors, and (ii) a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors. And forming an organic light emitting part including an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed on the pixel electrode, and an opposing electrode disposed over the entire surface of the substrate, and (iii) using an inkjet printing method. And forming a counter electrode bus line on the counter electrode of the organic light emitting part so as to correspond to the pixel electrodes of the organic light emitting part, and a method of manufacturing an organic light emitting display device. .

Description

유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치{Method of manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus}Method of manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법에 의해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device manufactured by a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시하는 평면도이다.FIG. 3 is a plan view schematically illustrating a modified example of the organic light emitting display device illustrated in FIG. 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 TFT: 박막 트랜지스터100: substrate TFT: thin film transistor

OLED: 유기 발광부 222: 대향전극 버스라인OLED: organic light emitting unit 222: counter electrode bus line

400: 대향기판400: counter substrate

본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 대향전극의 IR 드롭이 방지된 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device and an organic light emitting display device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting display device in which IR drop of the counter electrode is prevented and an organic light emitting display device.

유기 발광 디스플레이 장치는 캐소드 전극 및 애노드 전극에 전기적 신호를 인가하면 애노드로부터 주입된 정공이 발광층으로 이동되고 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 발광층으로 이동하여 이 발광층에서 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)를 생성하고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라 발광층에서 광을 생성함으로써 화상을 구현하는 장치이다.In the organic light emitting diode display, when an electrical signal is applied to the cathode electrode and the anode electrode, holes injected from the anode move to the light emitting layer, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer, where holes and electrons are combined to excite in this light emitting layer. Is generated and light is generated in the light emitting layer as the excitons change from the excited state to the ground state.

이러한 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 평판 디스플레이 장치로서 주목받고 있다. 특히, 각 화소의 발광여부 및 발광 정도를 각 화소마다 구비된 박막 트랜지스터를 이용하여 제어하는 능동 구동형(AM: active matrix) 유기 발광 디스플레이 장치에 대한 연구가 최근 활발히 진행되고 있다.Such an organic light emitting display device has attracted attention as a next-generation flat panel display device because it has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed. In particular, research into an active matrix (AM) organic light emitting display device that controls whether or not light emission of each pixel is controlled using a thin film transistor provided for each pixel has been actively conducted in recent years.

그러나 이러한 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 각 화소를 제어하는 박막 트랜지스터가 유기 발광 소자의 하부에 구비됨에 따라, 기판 방향으로 광을 방출하는 소위 배면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치의 경우에는 박막 트랜지스터가 구비되지 않은 부분을 통해서만 광이 외부로 방출되기에 개구율이 감소한다는 문제점이 있었다. 특히 각 화소를 제어하기 위해 복수개의 박막 트랜지스터가 구비됨에 따라, 이러한 개구율 감소는 유기 발광 디스플레이 장치의 성능을 더욱 저하시켰다.However, in the case of the active driving type organic light emitting display device, since the thin film transistor for controlling each pixel is provided under the organic light emitting element, in the case of the so-called bottom emission type organic light emitting display device emitting light toward the substrate, the thin film transistor is used. There is a problem that the aperture ratio is reduced because the light is emitted to the outside only through the portion that is not provided. In particular, as a plurality of thin film transistors are provided to control each pixel, such reduction in aperture ratio further degrades the performance of the organic light emitting display device.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 유기 발광 소자에서 발생된 광을 기판의 반대방향으로 방출하는 소위 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치가 제안되었다. 그러나 이러한 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치의 경우에는 상부전극, 즉 대향전극이 투명전극으로 구비되어야 하기에 그 두께가 얇고 저항이 높아, IR 드롭이 발생한다는 문제점이 있었다.In order to solve this problem, a so-called top-emitting organic light emitting display device which emits light generated in the organic light emitting element in a direction opposite to the substrate has been proposed. However, in the case of the top-emitting organic light emitting display device, since the upper electrode, that is, the counter electrode should be provided as a transparent electrode, there is a problem that the IR drop occurs because the thickness is high and the resistance is high.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대향전극의 IR 드롭이 방지된 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device and an organic light emitting display device is prevented IR drop of the counter electrode.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, (i) 복수개의 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계와, (ii) 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 복수개의 화소전극들과, 상기 화소전극 상에 배치된 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 상기 기판의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극을 구비하는 유기 발광부를 형성하는 단계와, (iii) 잉크젯 프린팅법을 이용하여, 상기 유기 발광부의 대향전극 상에 상기 유기 발광부의 화소전극들 사이에 대응하도록 대향전극 버스라인을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object and various other objects, the present invention provides a method for manufacturing a plurality of thin film transistors, (ii) forming a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors, and Forming an organic light emitting part including an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed on a pixel electrode and a counter electrode disposed over the entire surface of the substrate; and (iii) using the inkjet printing method, And forming a counter electrode bus line on the counter electrode of the light emitting part so as to correspond to the pixel electrodes of the organic light emitting part.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 대향전극 버스라인은 스트라이프 패턴으로 형성되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the counter electrode bus line may be formed in a stripe pattern.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 대향전극 버스라인은 메쉬(mesh) 패턴으로 형성되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the counter electrode bus line may be formed in a mesh pattern.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 대향전극 버스라인은 흑색 도전성 물질을 포함하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the counter electrode bus line may be made of a black conductive material.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 흑색 도전성 물질은 은, 금, 구리 또는 니켈의 나노파티클을 포함하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the black conductive material may include nanoparticles of silver, gold, copper or nickel.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 흑색 도전성 물질은 카본 블랙(carbon black)과 금속 입자(metal particle)를 포함하며, 상기 대향전극 버스라인 형성단계는 상기 흑색 도전성 물질을 대향 전극 상에 배치시킨 후 이를 60℃ 내지 200℃로 소성하는 단계인 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the black conductive material includes carbon black and metal particles, and the forming of the counter electrode bus line may include disposing the black conductive material on the counter electrode. After that, it may be a step of baking at 60 ° C to 200 ° C.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박막 트랜지스터들을 덮는 평탄화막을 형성하는 단계를 더 구비하고, 상기 유기 발광부는 상기 평탄화막 상에 배치되며, 상기 유기 발광부의 화소전극은 상기 평탄화막에 구비된 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결되는 것으로 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the method may further include forming a planarization layer covering the thin film transistors, wherein the organic light emitting unit is disposed on the planarization layer, and the pixel electrode of the organic light emitting unit is a contact provided in the planarization layer. The thin film transistors may be electrically connected to the thin film transistors through holes.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 발광부의 발광층에서 발생된 광은 상기 유기 발광부의 대향전극을 통해 외부로 취출되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the light generated in the light emitting layer of the organic light emitting portion may be taken out through the opposite electrode of the organic light emitting portion.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 발광부의 화소전극은 애노드 전극이고, 상기 유기 발광부의 대향전극은 캐소드 전극인 것으로 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, the pixel electrode of the organic light emitting part may be an anode electrode, and the opposite electrode of the organic light emitting part may be a cathode electrode.

본 발명은 또한, (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 구비된 복수개의 박막 트랜지스터들과, (iii) 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 복수개의 화소 전극들과, 상기 기판의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극과, 화소전극들과 대향전극 사이에 배치되며 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하는 유기 발광부와, (iv) 상기 유기 발광부의 대향전극의 상부에 배치되고, 은, 금, 구리 또는 니켈의 나노파티클을 포함하는 흑색 도전성 물질로 구비되며, 상기 유기 발광부의 화소전극들 사이에 대응하도록 배치된 대향전극 버스라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention also relates to (i) a substrate, (ii) a plurality of thin film transistors provided on the substrate, (iii) a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors, and a front surface of the substrate ( An organic light emitting portion having an opposite electrode disposed over the entire surface, an intermediate layer disposed between the pixel electrodes and the opposite electrode and including at least an emission layer, and (iv) disposed on the opposite electrode of the organic emission portion, It is provided with a black conductive material including nanoparticles of gold, copper or nickel, and provides an organic light emitting display device comprising a counter electrode bus line disposed to correspond between the pixel electrodes of the organic light emitting unit. .

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개념적으로 도시하는 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view conceptually illustrating a part of the organic light emitting display device illustrated in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 복수개의 박막 트랜지스터(TFT)들이 구비되어 있고, 이 박막 트랜지스터(TFT)들 상부에는 유기 발광부(OLED)가 구비되어 있다. 유기 발광부(OLED)는 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된 화소전극(210)과, 기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극(220)과, 화소전극(210)과 대향전극(220) 사이에 배치되며 적어도 발광층을 포함하는 중간층(230)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a plurality of thin film transistors TFTs are provided on a substrate 100, and an organic light emitting part OLED is disposed on the thin film transistors TFTs. The organic light emitting diode OLED includes a pixel electrode 210 electrically connected to the thin film transistor TFT, a counter electrode 220 disposed over the entire surface of the substrate 100, and a pixel electrode 210. The intermediate layer 230 is disposed between the electrodes 220 and includes at least a light emitting layer.

여기서 기판(100)으로는 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다. 물론 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 기판이 이에 한정되는 것은 아니다. As the substrate 100, not only a glass substrate but also various plastic substrates such as acrylic may be used, and further, a metal plate may be used. Of course, the substrate of the organic light emitting display device according to the present invention is not limited thereto.

기판(100) 상에는 게이트 전극(150), 소스 전극 및 드레인 전극(170), 반도체층(130), 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)을 구비한 박막 트랜지스터(TFT)가 구비되어 있다. 물론 박막 트랜지스터(TFT) 역시 도 1에 도시된 형태에 한정되지 않으며, 반도체층(130)이 유기물로 구비된 유기 박막 트랜지스터, 실리콘으로 구비된 실리콘 박막 트랜지스터 등 다양한 박막 트랜지스터가 이용될 수 있다. 이 박막 트랜지스터(TFT)와 기판(100) 사이에는 필요에 따라 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(120)이 더 구비될 수도 있다.A thin film transistor TFT including a gate electrode 150, a source electrode and a drain electrode 170, a semiconductor layer 130, a gate insulating layer 140, and an interlayer insulating layer 160 is provided on the substrate 100. Of course, the thin film transistor TFT is not limited to the form shown in FIG. 1, and various thin film transistors such as an organic thin film transistor including the semiconductor layer 130 as an organic material and a silicon thin film transistor including silicon may be used. A buffer layer 120 formed of silicon oxide or silicon nitride may be further provided between the thin film transistor TFT and the substrate 100 as necessary.

유기 발광부(OLED)는 상호 대향된 화소전극(210) 및 대향전극(220)과, 이들 전극 사이에 개재된 유기물로 된 중간층(230)을 구비한다. 이 중간층(230)은 적어도 발광층을 포함하는 것으로서, 복수개의 층들을 구비할 수 있다. 이 층들에 대해서는 후술한다.The organic light emitting part OLED includes a pixel electrode 210 and a counter electrode 220 which face each other, and an intermediate layer 230 made of an organic material interposed between the electrodes. The intermediate layer 230 includes at least a light emitting layer and may include a plurality of layers. These layers will be described later.

화소전극(210)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대항전극(220)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소전극(210)과 대항전극(220)의 극성은 반대로 될 수도 있다.The pixel electrode 210 functions as an anode electrode, and the counter electrode 220 functions as a cathode electrode. Of course, the polarities of the pixel electrode 210 and the counter electrode 220 may be reversed.

화소전극(210)은 투명전극 또는 반사전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 막을 형성할 수 있다.The pixel electrode 210 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When used as a transparent electrode may be provided with ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 , when used as a reflective electrode Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and compounds thereof After the reflection film is formed, the film can be formed thereon with ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

대항전극(220)도 투명전극 또는 반사전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으 로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 화소전극(210)과 대항전극(220) 사이의 중간층(230)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 증착하여 형성한다.The counter electrode 220 may also be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When used as the transparent electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, and a compound thereof are opposed to the pixel electrode 210. After the deposition is directed toward the intermediate layer 230 between the electrodes 220, an auxiliary electrode or a bus electrode line may be formed on the transparent electrode forming material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3. And, when used as a reflective electrode is formed by depositing the above Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg and their compounds.

한편, 화소 정의막(PDL: pixel defining layer, 300)이 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 화소전극(210) 외측으로 두께를 갖도록 구비된다. 이 화소 정의막(300)은 발광 영역을 정의해주는 역할 외에, 화소전극(210)의 가장자리와 대항전극(220) 사이의 간격을 넓혀 화소전극(210)의 가장자리 부분에서 전계가 집중되는 현상을 방지함으로써 화소전극(210)과 대항전극(220)의 단락을 방지하는 역할을 한다.The pixel defining layer 300 may be formed to cover the edge of the pixel electrode 210 and to have a thickness outside the pixel electrode 210. In addition to defining the emission area, the pixel defining layer 300 widens the gap between the edge of the pixel electrode 210 and the counter electrode 220 to prevent the electric field from being concentrated at the edge of the pixel electrode 210. As a result, a short circuit between the pixel electrode 210 and the counter electrode 220 is prevented.

화소전극(210)과 대항전극(220) 사이에는, 적어도 발광층을 포함하는 다양한 중간층(300)이 구비된다. 이 중간층(300)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다.Between the pixel electrode 210 and the counter electrode 220, various intermediate layers 300 including at least a light emitting layer are provided. The intermediate layer 300 may be formed of a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material.

저분자 유기물을 사용할 경우 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emissive layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용한 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.When using low molecular weight organic material, hole injection layer (HIL), hole transport layer (HTL), emissive layer (EML), electron transport layer (ETL), electron injection layer (EIL) The electron injection layer may be formed by stacking a single or complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N '-Diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum ( Alq3) can be used in various ways. These low molecular weight organic materials may be formed by a method such as vacuum deposition using masks.

고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.In the case of the polymer organic material, the structure may include a hole transporting layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and PPV (Poly-Phenylenevinylene) and polyfluorene are used as the light emitting layer. Polymer organic materials such as (Polyfluorene) are used.

이러한 유기 발광부(OLED)는 그 하부의 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는데, 이때 박막 트랜지스터(TFT)를 덮는 평탄화막(180)이 구비될 경우, 유기 발광부(OLED)는 평탄화막(180) 상에 배치되며, 유기 발광부(OLED)의 화소전극(210)은 평탄화막(180)에 구비된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다.The organic light emitting diode OLED is electrically connected to a thin film transistor TFT below the organic light emitting diode OLED. When the planarization film 180 covering the thin film transistor TFT is provided, the organic light emitting diode OLED may be a flattening film. The pixel electrode 210 of the organic light emitting part OLED is electrically connected to the thin film transistor TFT through a contact hole provided in the planarization layer 180.

한편, 기판 상에 형성된 유기 발광부(OLED)는 대향 기판(400)에 의해 밀봉된다. 대향기판(400)은 기판과 동일하게 글라스 또는 플라스틱재 등의 다양한 재료로 형성될 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting part OLED formed on the substrate is sealed by the counter substrate 400. The counter substrate 400 may be formed of various materials, such as glass or plastic, like the substrate.

상기와 같은 구조에 있어서, 유기 발광부(OLED)의 대향전극(220)의 상부에는 대향전극 버스라인(222)이 구비된다. 이 대향전극 버스라인(222)은 도 2에 도시된 것과 같이 유기 발광부(OLED)의 화소전극(210)들 사이에 대응하도록 배치된다. 이러한 대향전극 버스라인(222)은 잉크젯 프린팅 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다.In the structure as described above, the counter electrode bus line 222 is provided on the counter electrode 220 of the OLED. The counter electrode bus line 222 is disposed to correspond between the pixel electrodes 210 of the OLED as illustrated in FIG. 2. The counter electrode bus line 222 may be formed by various methods such as inkjet printing.

대향전극(220)은 기판(100)의 전면에 걸쳐, 즉 디스플레이부 전 영역을 덮도록 구비된다. 따라서 중간층(230)에 전자 또는 정공을 주입함에 있어서 대향전극(220) 자체의 저항으로 인하여 IR 드롭이 발생하게 된다. 그 결과, 디스플레이부 위치에 따라 동일한 휘도의 광을 방출하도록 신호가 인가되었음에도 불구하고 휘도가 다르다는 등의 문제점이 발생할 수 있다. 특히 최근 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치의 각 부화소의 동작을 제어하는 박막 트랜지스터(TFT) 등의 전기소자의 개수가 증가함에 따라 유기 발광부(OLED)의 중간층(230)에서 발생된 광이 기판(100) 방향이 아닌 대향전극(220)을 통해 외부로 취출되는 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치가 개발되고 있는데, 이 경우 광이 통과해야 하는 대향전극(220)은 투명재료로 형성됨과 동시에 그 두께가 얇아야 한다. 그러나 대향전극(220)의 두께가 얇을수록 대향전극(220)의 저항이 증가하여, 결국 IR 드롭이 더욱 커지게 된다.The counter electrode 220 is provided to cover the entire surface of the substrate 100, that is, the entire area of the display unit. Therefore, injecting electrons or holes into the intermediate layer 230, IR drop occurs due to the resistance of the counter electrode 220 itself. As a result, a problem may occur such that the luminance is different even though a signal is applied to emit light having the same luminance according to the position of the display unit. In particular, as the number of electric elements such as a thin film transistor (TFT) that controls the operation of each subpixel of an active driving type organic light emitting display device increases, light generated in the intermediate layer 230 of the organic light emitting part OLED becomes a substrate. A top emission type organic light emitting display device that is extracted to the outside through the counter electrode 220 instead of the (100) direction has been developed. In this case, the counter electrode 220 to which light passes should be formed of a transparent material and its thickness. Should be thin. However, as the thickness of the counter electrode 220 becomes thinner, the resistance of the counter electrode 220 increases, resulting in a larger IR drop.

따라서 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에서는 대향전극(220) 상에 도전성 물질로 형성된 대향전극 버스라인(222)이 구비되도록 함으로써, 이 대향전극(220)의 IR 드롭을 방지한다. 이때, 대향전극 버스라인(222)은 대향전극(220)을 통해 전면으로 방출되는 광을 차단하지 않도록 비발광영역에 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 대향전극 버스라인(222)은 유기 발광부(OLED)의 화소전극(210)들 사이에 대응하도록 배치된다. 도 2에서는 대향전극 버스라인(222)이 스트라이프 패턴으로 구비되어 있으나, 물론 도 3에 도시된 변형예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치와 같이 메쉬(mesh) 패턴으로 구비될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다. 또한, 외부에서의 콘트라스트 등의 개선효과를 위해 이러한 대향전극 버스라인(222)이 흑색 도전성 물질로 구비되도록 할 수도 있다. 이러한 흑색 도전성 물질은 은, 금, 구리, 니켈 등의 나노파티클을 포함하는 것으로 할 수 있다. 그리고 이러한 흑색 도전성 물질로 형성된 대향전극 버스라인(222)은 카본 블랙(carbon black)과 금속 입자(metal particle)을 포함하는 물질을 60℃ 내지 200℃로 소성하여 형성될 수 있다.Therefore, in the organic light emitting display device according to the present invention, the counter electrode bus line 222 formed of the conductive material is provided on the counter electrode 220, thereby preventing IR drop of the counter electrode 220. In this case, the counter electrode bus line 222 may be formed in the non-light emitting area so as not to block the light emitted to the front through the counter electrode 220. That is, as shown in FIG. 1, the counter electrode bus line 222 is disposed to correspond between the pixel electrodes 210 of the OLED. In FIG. 2, the counter electrode bus line 222 is provided in a stripe pattern, but of course, various modifications are possible, such as the organic light emitting display device shown in FIG. 3. Of course. In addition, the counter electrode bus line 222 may be provided with a black conductive material in order to improve an external contrast. Such a black conductive material can be made to contain nanoparticles, such as silver, gold, copper, and nickel. The counter electrode bus line 222 formed of the black conductive material may be formed by firing a material including carbon black and metal particles at 60 ° C. to 200 ° C. FIG.

한편, 이와 같은 대향전극 버스라인(222)은 상술한 바와 같이 비발광영역에 형성되는 것이 바람직한 바, 이를 위하여 잉크젯 프린팅법으로 형성하는 것이 바람직하다. 전면 증착 후 습식 식각하는 것과 같은 패터닝법은 그 하부의 유기물로 형성된 중간층을 손상시킬 수 있으며, 마스크를 이용한 증착은 고정세의 마스크를 이용해야만 하며 마스크와 기판(100) 사이의 얼라인이 정확하지 않으면 전체 디스플레이 영역에 걸쳐 모든 화소들에 불량을 야기할 수 있기 때문이다. 그러나 잉크젯 프린팅법으로 이와 같은 대향전극 버스라인(222)을 형성하면, 잉크젯 헤드와 기판(100) 사이의 얼라인이 잠시 흐트러지더라도 일부의 화소에서만 불량이 발생할 뿐 전체적인 디스플레이 장치의 평균적인 품질이 유지되도록 할 수 있게 된다.On the other hand, the counter electrode bus line 222 is preferably formed in the non-light emitting region as described above, for this purpose, it is preferable to form by the inkjet printing method. Patterning methods such as wet etching after surface deposition can damage the intermediate layer formed by the underlying organic material, and deposition using a mask must use a high definition mask and the alignment between the mask and the substrate 100 is not accurate. Otherwise it can cause a failure in all the pixels over the entire display area. However, when the counter electrode bus line 222 is formed by the inkjet printing method, even if the alignment between the inkjet head and the substrate 100 is disturbed for a while, only a few pixels may cause defects. To be maintained.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the method of manufacturing the organic light emitting display device and the organic light emitting display device of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 화소전극들 사이에 대응하도록 대향전극 상에 대향전극 버스라인이 구비되도록 함으로써, 대향전극의 IR 드롭을 방지할 수 있다.First, by providing a counter electrode bus line on the counter electrode to correspond to the pixel electrodes, it is possible to prevent the IR drop of the counter electrode.

둘째, 대향전극 버스라인을 흑색 도전성 물질로 형성함으로써, 대향전극의 IR 드롭을 방지하면서 동시에 콘트라스트를 개선할 수 있다.Second, by forming the counter electrode bus line with a black conductive material, it is possible to prevent the IR drop of the counter electrode and at the same time improve the contrast.

셋째, 잉크젯 프린팅법으로 대향전극 버스라인을 형성함으로써, 전체적인 디스플레이 장치의 평균적인 품질을 확보할 수 있다.Third, by forming the counter electrode bus line by the inkjet printing method, it is possible to ensure the average quality of the overall display device.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (10)

복수개의 박막 트랜지스터들을 형성하는 단계;Forming a plurality of thin film transistors; 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 복수개의 화소전극들과, 상기 화소전극 상에 배치된 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 상기 기판의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극을 구비하는 유기 발광부를 형성하는 단계; 및An organic light emitting part including a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors, an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed on the pixel electrode, and a counter electrode disposed over the entire surface of the substrate Doing; And 잉크젯 프린팅법을 이용하여, 상기 유기 발광부의 대향전극 상에 상기 유기 발광부의 화소전극들 사이에 대응하도록 대향전극 버스라인을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.Forming an opposite electrode bus line on the opposite electrode of the organic light emitting part by using an inkjet printing method so as to correspond to the pixel electrodes of the organic light emitting part. 2. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대향전극 버스라인은 스트라이프 패턴으로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The counter electrode bus line may be formed in a stripe pattern. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대향전극 버스라인은 메쉬(mesh) 패턴으로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The counter electrode bus line may be formed in a mesh pattern. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대향전극 버스라인은 흑색 도전성 물질을 포함하는 유기 발광 디스플레 이 장치의 제조방법.The counter electrode bus line is a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a black conductive material. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 흑색 도전성 물질은 은, 금, 구리 또는 니켈의 나노파티클을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The black conductive material includes a nanoparticle of silver, gold, copper or nickel. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 흑색 도전성 물질은 카본 블랙(carbon black)과 금속 입자(metal particle)를 포함하며, 상기 대향전극 버스라인 형성단계는 상기 흑색 도전성 물질을 대향 전극 상에 배치시킨 후 이를 60℃ 내지 200℃로 소성하는 단계인 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The black conductive material includes carbon black and metal particles, and in the forming of the counter electrode bus line, the black conductive material is disposed on the counter electrode and then fired at 60 ° C. to 200 ° C. A method of manufacturing an organic light emitting display device. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 박막 트랜지스터들을 덮는 평탄화막을 형성하는 단계를 더 구비하고, 상기 유기 발광부는 상기 평탄화막 상에 배치되며, 상기 유기 발광부의 화소전극은 상기 평탄화막에 구비된 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.And forming a planarization film covering the thin film transistors, wherein the organic light emitting part is disposed on the planarization film, and the pixel electrode of the organic light emitting part is electrically connected to the thin film transistors through a contact hole provided in the planarization film. Method of manufacturing an organic light emitting display device connected to. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 유기 발광부의 발광층에서 발생된 광은 상기 유기 발광부의 대향전극을 통해 외부로 취출되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The light generated in the light emitting layer of the organic light emitting unit is extracted to the outside through the opposite electrode of the organic light emitting unit. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 유기 발광부의 화소전극은 애노드 전극이고, 상기 유기 발광부의 대향전극은 캐소드 전극인 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.And a pixel electrode of the organic light emitting part is an anode electrode and a counter electrode of the organic light emitting part is a cathode electrode. 기판;Board; 상기 기판 상에 구비된 복수개의 박막 트랜지스터들;A plurality of thin film transistors provided on the substrate; 상기 박막 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 복수개의 화소전극들과, 상기 기판의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극과, 화소전극들과 대향전극 사이에 배치되며 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하는 유기 발광부; 및An organic layer including a plurality of pixel electrodes electrically connected to the thin film transistors, an opposite electrode disposed over the entire surface of the substrate, and an intermediate layer disposed between the pixel electrodes and the opposite electrode and including at least a light emitting layer; Light emitting unit; And 상기 유기 발광부의 대향전극의 상부에 배치되고, 은, 금, 구리 또는 니켈의 나노파티클을 포함하는 흑색 도전성 물질로 구비되며, 상기 유기 발광부의 화소전극들 사이에 대응하도록 배치된 대향전극 버스라인;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.A counter electrode bus line disposed on the counter electrode of the organic light emitting part and formed of a black conductive material including nanoparticles of silver, gold, copper or nickel, and disposed to correspond between pixel electrodes of the organic light emitting part; An organic light emitting display device comprising: a.
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