KR100707018B1 - Liquid-crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시장치(Liquid-Crystal Display Device)를 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 액정표시장치는 액정 패널상에 행방향으로 배열된 복수의 게이트 라인; 상기 액정 패널상에 열방향으로 배열된 복수의 데이터 라인; 상기 복수의 게이트 라인과 상기 복수의 데이터 라인의 교차 영역에 매트릭스 형태로 배치된 스위칭용 복수의 박막 트랜지스터; 상기 복수의 박막 트랜지스터의 드레인단과 상기 복수의 게이트 라인중 선행 게이트 라인 사이에 결합된 복수의 스토리지 커패시터; 상기 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 데이터 라인을 통해 입력되는 정전기를 방전시키기 위한 방전라인을 구비하며, 상기 복수의 스토리지 커패시터중 제 1행의 복수의 스토리지 커패시터는 상기 방전라인에 결합되어 각각이 스토리지 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치이다.The present invention discloses a Liquid-Crystal Display Device. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of gate lines arranged in a row direction on a liquid crystal panel; A plurality of data lines arranged in a column direction on the liquid crystal panel; A plurality of switching thin film transistors arranged in a matrix at an intersection area of the plurality of gate lines and the plurality of data lines; A plurality of storage capacitors coupled between a drain terminal of the plurality of thin film transistors and a preceding gate line of the plurality of gate lines; And a discharge line for discharging static electricity input through the plurality of gate lines and the plurality of data lines, wherein a plurality of storage capacitors in a first row of the plurality of storage capacitors are coupled to the discharge lines, respectively It is a liquid crystal display device which forms a capacitance.
Description
도 1은 종래의 스토리지 온 컴온 방식의 게이트 라인을 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram illustrating a gate line of a conventional storage on comon method.
도 2는 종래의 스토리지 온 게이트 방식의 게이트 라인을 나타낸 회로도.2 is a circuit diagram illustrating a conventional storage on gate gate line;
도 3a내지 도 3c는 종래의 스토리지 온 게이트 방식에 따라 구성된 액정표시장치를 나타낸 회로도.3A to 3C are circuit diagrams illustrating a liquid crystal display device constructed according to a conventional storage on gate method.
도 4a내지 도 4c는 본 발명의 일실시예에 따른 방전라인으로 구성된 액정 표시 장치를 나타낸 회로도.4A to 4C are circuit diagrams illustrating a liquid crystal display device including discharge lines according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 로우 전극을 설명하기 위한 회로도.5 is a circuit diagram illustrating a gate row electrode according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히,스토리지 온 게이트 방식의 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device of a storage on gate type.
일반적으로, 액정표시장치의 단위화소는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터가 각각 게이트 라인,데이터 라인 및 화소전극과 결합되어있는 구조로 되어있다. 상기 화소전극과 공통전극사이에는 액정 커패시 턴스 가 형성되고 화소전극 및 선행 게이트라인 사이에는 스토리지 커패시턴스가 형성되며 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 오정렬(misalignment)등에 기인한 기생 커패시턴스가 생긴다. 이때 트랜지스터가 온(On) 상태로 되면 액정 커패시터및 스토리지 커패시터에 인가된 전압은 상기 트랜지스터가 오프(off) 상태로 된 후에도 계속 지속되어야 하나, 상기 기생 커패시턴스(Cgs) 때문에, 화소전극에 인가된 전압은 왜곡이 생기게 된다. 이와 같이 왜곡된 전압을 피드쓰루(feed Through) 전압(이하 ▽Vp라 칭함.)이라 하는데, 이 전압은 다음의 수학식 1로 구해진다.In general, a unit pixel of a liquid crystal display device has a structure in which a thin film transistor including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode is coupled with a gate line, a data line, and a pixel electrode, respectively. Liquid crystal capacitance is formed between the pixel electrode and the common electrode, storage capacitance is formed between the pixel electrode and the preceding gate line, and parasitic capacitance due to misalignment is generated between the gate electrode and the drain electrode. In this case, when the transistor is turned on, the voltage applied to the liquid crystal capacitor and the storage capacitor should be maintained even after the transistor is turned off. However, due to the parasitic capacitance Cgs, the voltage applied to the pixel electrode Will cause distortion. This distorted voltage is referred to as a feed through voltage (hereinafter referred to as? V p ), which is obtained by the following equation.
여기서 Cgs는 게이트 전극과 소오스 전극사이의 기생 캐패시턴스를, Clc는 액정을 사이에 두고 화소전극과 공통전극사이의 액정 캐패시턴스를, Cst는 스토리지 캐패시턴스를, Vgp-p는 게이트의 피크 투 피크(peak to peak) 전압을 각각 나타낸다.Where Cgs is the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode, Clc is the liquid crystal capacitance between the pixel electrode and the common electrode with the liquid crystal in between, Cst is the storage capacitance, and Vgp-p is the peak to peak of the gate. peak) voltage, respectively.
상기 ▽Vp값은 게이트 전압 공급시 게이트 라인의 첫단과 끝단의 값에 차이로 인하여 생기는 값으로 플리커(Flicker)현상이나 기타 화면품위발생의 원인이 되는데, 이것은 공통전극의 오프-셋(Off-Set)전압의 조정으로 보정이 가능하지만, ▽Vp가 상수가 아니고 상기 수학식1의 변수들에 따라 바뀔 수 있으므로 완벽한 보정은 불가능하다. 그러므로 ▽Vp의 범위를 좁히는데 설계의 초점을 맞추고 있는 실태 이다.▽ V p value is caused by the difference between the value of the first end and the end of the gate line when the gate voltage is supplied, and may cause flicker or other screen quality, which is caused by the offset of the common electrode. Set) can be adjusted by correction of the voltage, however, ▽ V p is not a constant because it can vary depending on the variables of the equation (1) complete compensation is not possible. Therefore, the design is focused on narrowing the scope of ▽ V p .
위와 같은 문제점을 개선하기 위한 방법으로 화소내의 스토리지 커패시턴스의 값을 증가시켜 ▽Vp값을 줄이는 방법을 사용하고 있다.As a method for improving the above problem, a method of reducing ▽ V p value by increasing the value of storage capacitance in a pixel is used.
통상적으로 사용되는 스토리지 캐패시턴스의 형성방법에는 크게 게이트 라인과 독립된 공통 전극 라인을 별도로 배치시켜 스토리지 커패시터와 결합하는 스토리지 온 컴온(Storage on Common)방식과, 게이트 라인의 선행 게이트 라인과 결합하여 스토리지 커패시터를 형성하는 스토리지 온 게이트(Storage on Gate)방식이 있다.Commonly used storage capacitance formation methods include a storage on common method in which a common electrode line independent of a gate line is separately arranged to be coupled with a storage capacitor, and a storage capacitor in combination with a preceding gate line of the gate line. There is a storage on gate method.
도 1은 종래의 스토리지 온 컴온 방식을 적용한 액정표시장치를 설명하기 위한 회로도로서, 도시된 바와 같이, 액정패널상에 배열된 게이트 라인 (Gn~Gn+1)과, 데이터 라인(Vn~Vn+1)의 교차부에 형성된 복수의 박막트랜지스터(T1,T2)와, 복수의 게이트 라인(Gn+1)과 상기 게이트 라인 (Gn~Gn+1)중 인접한 게이트 라인(Gn)마다 독립적으로 배열된 공통전극라인(Vcom)으로 구성되며, 상기 복수의 박막 트랜지스터(T1,T2)와 상기 공통 전극라인(Vcom) 사이에 복수의 스토리지 커패시터(Cst1,Cst2)가 형성된다.FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a liquid crystal display device employing a conventional storage-on-comb method. As shown in FIG. 1, gate lines Gn to Gn + 1 and data lines Vn to Vn + are arranged on a liquid crystal panel. 1 are independently arranged for the plurality of thin film transistors T1 and T2 formed at the intersection of 1) and the adjacent gate lines Gn among the plurality of gate lines Gn + 1 and the gate lines Gn to Gn + 1. Comprising a common electrode line (Vcom), a plurality of storage capacitors (Cst1, Cst2) is formed between the plurality of thin film transistors (T1, T2) and the common electrode line (Vcom).
다음으로, 도 2는 종래의 스토리지 온 게이트 방식을 적용한 액정셀 어레이를 설명하기 위한 회로도로서, 도시된 바와 같이, 게이트 라인(Gn+1)과 데이터 라인(V)의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(T1,T2)와, 상기 박막 트랜지스터(T1,T2) 및 선행 게이트 라인(Gn)사이에 스토리지 커패시터(Cst)를 형성하는 구조로 되어 있다. 여기서 참조부호 Cgs는 상기 트랜지스터의 소오스 전극(s)과 드레인 전극(d)사이에 발생하는 기생 커패시턴스이며, 참조부호 Clc는 드레인 전극(d)과 화소내 공통전극(Com)사이에서 발생하는 액정 커패시턴스이다.Next, FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a liquid crystal cell array using a conventional storage on gate method. As shown in FIG. 2, a thin film transistor formed at an intersection of a gate line Gn + 1 and a data line V may be formed. A storage capacitor Cst is formed between T1 and T2 and the thin film transistors T1 and T2 and the preceding gate line Gn. Here, reference numeral Cgs denotes a parasitic capacitance generated between the source electrode s and the drain electrode d of the transistor, and reference numeral Clc denotes a liquid crystal capacitance generated between the drain electrode d and the common electrode Com in the pixel. to be.
그러나, 상술한 바와 같이, 상기 스토리지 온 컴온 방식으로 액정셀 어레이를 구성하는 경우, 게이트 라인들사이에 공통전극 라인이 설치되는데, 이는 개구율이 감소되어 투과율을 떨어 뜨리고 회로가 복잡해지는 문제가 초래된다. 이러한 이유로 해서 상기 스토리지 온 게이트 방식으로 액정셀 어레이를 구성하는 추세이다.However, as described above, when the liquid crystal cell array is configured in the storage-on-communication method, a common electrode line is disposed between the gate lines, which causes a problem that the aperture ratio is reduced, the transmittance is reduced, and the circuit is complicated. . For this reason, a liquid crystal cell array is constructed using the storage on gate method.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 스토리지 온 게이트 방식으로 액정표시장치를 구성하는 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of configuring a liquid crystal display device in a conventional storage on gate method will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3a내지 도 3c는 종래의 스토리지 온 게이트 방식의 액정표시장치를 나타낸 회로도이다.3A to 3C are circuit diagrams illustrating a liquid crystal display of a conventional storage on gate type.
도 3a에 도시된 바와 같이, 종래의 액정표시장치는 복수의 게이트 라인 (G1~Gn+1)이 액정패널상에 일정간격을 두고 배열되어 게이트 드라이버부(10)로 부터 게이트 구동 신호를 각각 인가받고, 복수의 데이터 라인(V1~Vn+1)이 상기 게이트 라인(G1~Gn+1)과 교차하도록 일정간격을 두고 배열되어 데이터 드라이버(20)로부터 구동신호를 각각 인가받도록 구성되어 있다. As shown in FIG. 3A, in the conventional liquid crystal display device, a plurality of gate lines G1 to Gn + 1 are arranged on the liquid crystal panel with a predetermined interval to apply gate driving signals from the
또한, 상기 액정 패널(30)에는 상기 게이트 라인(G1~Gn+1)및 데이터 라인(V1~Vn+1)과의 교차점마다 트랜지스터가 형성된 액정셀(미도시)이 배열되어 있으며 구동시 발생되는 정전기를 분산시키기 위해 액정패널 가장자리에 정전기 방전을 위한 쇼트링 라인(40)이 구성된다. In addition, a liquid crystal cell (not shown) in which a transistor is formed at each intersection of the gate lines G1 to Gn + 1 and the data lines V1 to Vn + 1 is arranged in the
상기 쇼트링 라인(40)은 마지막 소오스 패드부에서에서 형성된 공통전극라인 (Vcom)과 결합된다. 또한 회로 구동시 게이트 패드및 소오스 패드를 통해 유입되는 정전기를 상기 쇼트링 라인(40)으로 흡수될 수 있도록 상기 데이터 라인(V1~Vn+1)과 쇼트링 라인(40), 상기 게이트 라인(G1~Gn+1)과 쇼트링 라인(40)이 교차하는 지점마다 정전기 방지회로(50)가 설치된다. 여기서 트랜스퍼(60)는 상기 액정 패널(30)상의 공통 전극라인(Vcom)과 접촉되어 각각의 액정셀의 공통전압(Com)을 인가하기 위하여 형성한 것이다. The
도3b는 상기 스토리지 온 게이트방식의 액정표시장치의 게이트 라인 (G1~Gn+1) 및 쇼트링 라인(40)의 구조를 상세히 설명하기 위하여 도 3a의 A부분을 확대한 도면이다.FIG. 3B is an enlarged view of portion A of FIG. 3A to describe in detail the structures of the gate lines G1 to Gn + 1 and the shorting
도 3b에 도시된 바와 같이, 종래의 액정표시장치는 등가회로적으로 각 게이트 라인 (G1~G2)에 게이트전극(g)이 결합되며 데이터 라인(V1~V2)에 소오스전극(s)이 결합되는 스위칭용 박막트랜지스터(T1~T2)와, 상기 박막 트랜지스터(T1~T2)의 드레인(d)과 화소내의 공통전압(Com) 사이에 병렬 연결된 액정커패시터(Clc1,Clc2)및 스토리지 커패시터(Cst1,Cst2)로 이루어져 있다. As shown in FIG. 3B, in the conventional LCD, the gate electrode g is coupled to each gate line G1 to G2 and the source electrode s is coupled to the data lines V1 to V2 in an equivalent circuit. The liquid crystal capacitors Clc1 and Clc2 and the storage capacitors Cst1, which are connected in parallel between the switching thin film transistors T1 to T2, the drains d of the thin film transistors T1 to T2, and the common voltage Com in the pixel. Cst2).
여기서 상기 박막트랜지스터(T1~T2)에 연결된 스토리지 커패시터(Cst1,Cst2)는 선행 게이트 라인과 연결되어 있는 구조를 이루고 있으므로, 결국 상기와 같은 방식으로 액정표시장치를 구성하기 위해선 첫 번째 행의 복수의 스토리지 커패시터(Cst1)와 결합될 선행 게이트 라인이 필요하고, 이를 위해 상기 첫번째 행의 스토리지 커패시터 (Cst1)와 결합될 게이트 더미라인(70)이 추가로 구성된다.Here, the storage capacitors Cst1 and Cst2 connected to the thin film transistors T1 to T2 have a structure connected to the preceding gate line. Thus, in order to configure the liquid crystal display device as described above, a plurality of first rows A preceding gate line to be coupled with the storage capacitor Cst1 is required, and a
도 3c는 도 3a의 B부분으로써, 게이트 패드(10) 반대부의 쇼트링 라인(40)과 게이트 더미라인(70)의 배선처리를 도시한 회로도이다. 도시된 바와 같이, 상기 쇼트링 라인(40)은 게이트 패드(10)의 반대부에 있는 소오스 패드부(20)의 가장 마지막 소오스 패드(21)에서 공통전극 라인(Vcom)과 결합된다.FIG. 3C is a circuit diagram illustrating a wiring process of the
그러나, 상기와 같은 방식에 따라 구성된 액정표시장치에서는 첫번째 행의 스토리지 커패시턴스를 형성하기 위해 게이트 더미라인(70)을 추가로 형성해야 하고 게이트 패드부(10)내에서도 별도의 신호라인(signal line)을 형성해야 하므로 그 만큼의 공간이 필요하게 되고, 이는 패널 크기를 축소해 가려는 향후 추세에도 맞지 않는다.However, in the liquid crystal display configured according to the above method, the
이에 본 발명은, 상기 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서 기존의 스토리지 온 게이트 방식으로 액정표시장치를 구성하였을 경우, 게이트 더미라인과 방전 라인을 하나의 라인으로 통합하여 두 라인이 갖고 있는 고유 기능을 동시에 수행하도록 회로구성을 단순화 시킴으로써, 액정패널의 크기를 축소할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and when the liquid crystal display device is configured by the conventional storage on gate method, the two lines have a gate dummy line and a discharge line in one line. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of reducing the size of a liquid crystal panel by simplifying a circuit configuration to simultaneously perform a unique function.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 액정패널상에 행방향으로 배열된 복수의 게이트 라인; 상기 액정 패널상에 열방향으로 배열된 복수의 데이터 라인; 상기 복수의 게이트 라인과 상기 복수의 데이터 라인의 교차 영역에 매트릭스 형태로 배치된 스위칭용 복수의 박막 트랜지스터; 상기 복수의 박막 트랜지스터의 드레인단과 상기 복수의 게이트 라인중 선행 게이트 라인 사이에 형성된 복수의 스토리지 커패시터; 상기 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 데이터 라인을 통해 입력되는 정전기를 방전시키기 위한 방전라인을 구비하며, 상기 복수의 스토리지 커패시터중 제 1행의 복수의 스토리지 커패시터는 상기 방전라인과 제 1행의 박막 트랜지스터 드레인단 사이에 형성되어 각각이 스토리지 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of gate lines arranged in a row direction on a liquid crystal panel; A plurality of data lines arranged in a column direction on the liquid crystal panel; A plurality of switching thin film transistors arranged in a matrix at an intersection area of the plurality of gate lines and the plurality of data lines; A plurality of storage capacitors formed between a drain terminal of the plurality of thin film transistors and a preceding gate line of the plurality of gate lines; And a discharge line for discharging static electricity input through the plurality of gate lines and the plurality of data lines, wherein the plurality of storage capacitors in the first row of the plurality of storage capacitors are the thin film in the discharge line and the first row. It is formed between the transistor drain terminal is characterized in that each forms a storage capacitance.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 스토리지 온 게이트 방식으로 액정표시장치를 구성하는 방법에 대해 설명하기로 한다. 그리고, 설명의 일관성을 위해 종래기술과 동일한 신호에 대해 동일한 참조 부호를 사용한다.Hereinafter, a method of configuring a liquid crystal display device in a storage on gate method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the same reference numerals are used for the same signals as in the prior art for consistency of description.
도 4a내지 도 4b는 본 발명에 의한 일실시예에 따른 스토리지 온 게이트 방식의 액정표시장치를 설명하기 위한 회로도이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 액정 패널(430)상에 복수의 게이트 라인(G1~G2)이 행방향으로 일정간격을 두고 배열되어 게이트 패드부(410)로 부터 게이트 구동 신호를 각각 인가받고, 복수의 데이터 라인(V1~V2)이 상기 게이트 라인(G1~G2)과 교차하도록 열방향으로 일정간격을 두고 배열되어 소오스 패드부(420)로부터 구동신호를 각각 인가받도록 구성되어 있다. 게이트 패드부(410)와 소오스 패드부(420)는 구동신호를 생성하는 게이트 드라이버(도시되지 않음)와 소오스 드라이버(도시되지 않음)에 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.4A to 4B are circuit diagrams for describing a storage on gate liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4A, a plurality of gate lines G1 to G2 are arranged on the
상기 액정 패널(430)에는 상기 복수의 게이트 라인(G1~G2)과 상기 복수의 데이터 라인(V1~V2)의 교차 영역에 매트릭스형태로 배치된 스위칭용 복수의 박막 트랜지스터(T1~T2)가 게이트 전극과 소오스 전극및 드레인 전극으로 구성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인(G1~G2)과, 상기 소오스 전극은 상기 데이터 라인(V1~V2)과 각각 연결된다.In the
여기서 화소내 박막 트랜지스터(T1,T2)의 드레인 전극과, 복수의 게이트 라인(G1~G2)중 선행 게이트 라인사이에는 스토리지 커패시터(Cst1,Cst2)가 형성되며, 화소내 컬러필터의 공통전극과 드레인 전극사이에는 액정 커패시터(Clc1,Clc2)가 가 형성된다.The storage capacitors Cst1 and Cst2 are formed between the drain electrodes of the pixel thin film transistors T1 and T2 and the preceding gate lines of the plurality of gate lines G1 to G2, and the common electrode and the drain of the color filter in the pixel. Liquid crystal capacitors Clc1 and Clc2 are formed between the electrodes.
그리고 상기 액정패널(430)의 가장자리에는 종래의 게이트 더미 라인과 쇼트링라인을 통합한 방전 라인(440)이 배치되는데, 첫번째 행에 위치한 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 상기 방전 라인(440) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst1)가 형성된다. In addition, a
또한, 회로 구동시 게이트 패드및 소오스 패드를 통해 유입되는 정전기가 상기 방전라인(440)으로 흡수될 수 있도록 상기 데이터 라인(V1~Vn+1)및 방전 라인(440), 그리고 상기 게이트 라인(G1~Gn+1)과 상기 방전 라인(440)이 교차하는 지점에 정전기 방지회로(450)가 각각이 설치된다. In addition, the data lines V1 to Vn + 1, the
도 4b는 상기 방전라인(440)에 인가되는 전압을 설명하기 위하여 상기 액정패널(430)의 게이트 패드(410) 반대부를 도시한 회로도이다. 도시된 바와 같이, 트랜스퍼(460)는 상기 액정패널(430)상의 공통전극라인(Vcom)과 접촉되어 각각의 액정셀 내부에 공통전압(Com)을 인가한다. 또한 상기 방전라인(440)의 일측 종단부분은 종래의 쇼트링 라인과 같이 소오스 패드부(420)의 마지막 소오스 패드(421)에서 형성된 공통전극라인(Vcom)과 연결된다.4B is a circuit diagram illustrating an opposite part of the
또한 도시하지는 않았지만, 본 발명에서 설명한 회로도 이외의 부분, 즉 액정패널 하단부는 종래의 액정표시장치와 동일하게 형성된다.Although not shown, portions other than the circuit diagram described in the present invention, that is, the lower end of the liquid crystal panel, are formed in the same manner as the conventional liquid crystal display device.
도 5는 방전라인의 인가전압 방법에 관하여 본 발명의 다른 실시예를 설명하 기위한 회로도이다. 5 is a circuit diagram for explaining another embodiment of the present invention with respect to an applied voltage method of a discharge line.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구성된 단위 화소내부에 있어서 본 발명의 일실시예의 구성과 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다. Since the liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention has the same structure as the exemplary embodiment of the present invention in the unit pixel including the gate line and the data line, a detailed description thereof will be omitted.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시 장치는 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 교차된 영역에 매트릭스 형태로 배치된 박막 트랜지스터(도시되지 않음)와 상기 박막 트랜지스터의 드레인단과 선행 게이트 라인사이에 스토리지 커패시터가 형성되는데, 스토리지 커패시터중 제1행의 스토리지 커패시터는 제 1행의 박막 트랜지스터의 드레인단과 액정패널(530) 주변부에 형성된 방전라인(540)과 사이에 형성된 구조를 갖는다.As shown in FIG. 5, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor (not shown) and a thin film transistor arranged in a matrix form in a region where a plurality of gate lines and a plurality of data lines cross each other. A storage capacitor is formed between the drain terminal of the first gate line and the first gate line. The storage capacitor of the first row of the storage capacitors is formed between the drain terminal of the thin film transistor of the first row and the
먼저 E부분을 참조하면, 방전라인(540)의 하나의 종단부분은 소오스 패드부(520)의 마지막 소오스 패드(521)에 형성된 공통전극라인(542)과 연결되고, 방전라인(540)의 다른 하나의 종단부분은 소오스 패드부(520)의 마지막 소오스 패드(521)에 형성된 게이트로우전극라인(544)과 연결된다. 게이트 로우 전극라인(544)을 통해 게이트로우 전압(VGLOW)이 방전라인(540)에 인가될 수 있다.
다음으로 C부분을 참조하면 트랜스퍼(550)는 게이트 패드부(510)에 연결되지 않도록 구성된다.
다음으로 D부분을 참조하면, 게이트 로우 전극 라인(544)에 연결되는 방전라인(540)과 공통전극라인(542)에 연결되는 방전라인(540) 사이에 정전기 방지회로(560)를 연결하여 상기 공통전극라인(542) 및 게이트 로우 전극라인(544)의 전압차에 의한 정전기 발생을 제어하도록 구성한다.Referring first to the portion E, one end portion of the
Next, referring to part C, the
Next, referring to part D, an
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치에 의하면, 스토리지 온 게이트방식으로 액정표시장치를 구성할 경우, 게이트 더미 라인과 방전 라인을 통합한 방전 라인을 액정패널 첫번째 행의 스토리지 커패시터에 연결함으로써 ▽Vp값을 감소시키고 동시에 정전기 방지 역할도 수행함으로써 화면 품위를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the liquid crystal display device according to the present invention, when the liquid crystal display device is configured in a storage-on-gate method, a discharge line integrating the gate dummy line and the discharge line is connected to the storage capacitors in the first row of the liquid crystal panel. By reducing the V p value and at the same time playing an antistatic role, screen quality can be improved.
또한, 하나로 통합된 방전라인은 종래의 각각 구성된 라인들과 비교하였을 경우, 데이터 전압이 게이트 라인을 타고 넘어가는 부분이 두 군데에서 한 군데로 줄어들기 때문에 데이터 오픈(Data open)을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the discharge line integrated into one can prevent data open since the portion where the data voltage crosses the gate line is reduced from one to two when compared with the conventionally configured lines. It works.
또한, 회로가 간단해지고, 액정 패널내에 라인이 감소함으로써 액정패널을 소형화 할 수 있는 효과가 있다.In addition, the circuit can be simplified, and the lines in the liquid crystal panel are reduced, so that the liquid crystal panel can be miniaturized.
한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능 할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiment, and any person having ordinary skill in the art to which the invention pertains can make various changes without departing from the gist of the invention claimed in the claims. something to do.
Claims (6)
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