KR100706253B1 - Substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 슬라이딩을 방지를 위한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing method for preventing the sliding of the substrate.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버 내부로 기판이 로딩되어 기판이 척에 안착되는 단계, 공정 챔버 내부로 소스 가스, 불활성 가스, 그리고 산소 가스들이 분사되어 상기 기판 상에 소정의 반응 공정이 수행되고, 상기 공정 챔버 내부의 배기 및 압력 조절을 위해 펌핑하는 단계, 상기 펌핑이 유지되는 상태에서 상기 반응 공정이 완료되면, 상기 소스 가스의 공급이 중단되는 단계, 상기 기판이 척으로부터 소정의 간격이 이격되는 단계, 상기 불활성 가스 및 상기 산소 가스의 공급 및 상기 펌핑이 중단되는 단계, 그리고 상기 기판이 상기 공정 챔버 외부로 언로딩되는 단계를 포함한다.In the substrate processing method according to the present invention, a substrate is loaded into a process chamber and the substrate is seated on the chuck, and a source gas, an inert gas, and oxygen gases are injected into the process chamber to perform a predetermined reaction process on the substrate. And pumping the exhaust gas and the pressure control in the process chamber, and stopping the supply of the source gas when the reaction process is completed while the pumping is maintained. Spaced apart, the supply of the inert gas and the oxygen gas and the pumping are stopped, and the substrate is unloaded out of the process chamber.

상기와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치는 소정의 반도체 공정을 수행하는 공정 챔버로부터 기판을 언로딩시킬 때 기판이 척의 상부면에서 슬라이딩 되는 현상을 방지할 수 있으므로 기판이 척의 상부면에 슬라이딩되어 발생되는 기판의 스크래치와 파손을 방지한다.The substrate processing apparatus having the above-described configuration may prevent the substrate from sliding on the upper surface of the chuck when the substrate is unloaded from the process chamber performing a predetermined semiconductor process. Prevent scratches and breakage of the substrate.

기판 처리 장치, 슬라이딩 방지, Substrate processing unit, anti-sliding,

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate Processing Method {SUBSTRATE TREATING METHOD}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 적용되는 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus to which a substrate processing method according to an embodiment of the present invention is applied.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 20 : 가스 공급 라인, 가스 공급원10, 20: gas supply line, gas supply source

100 : 반도체 제조 장치100: semiconductor manufacturing apparatus

110 : 공정 챔버110: process chamber

120, 122, 124 : 샤워 헤드, 전극 플레이트, 분사홀120, 122, 124: shower head, electrode plate, injection hole

130. 132 : 척, 전극판130.132: Chuck, electrode plate

140, 142, 144 : 리프트 핀 부재, 리프트 핀들, 리프트 핀 구동부140, 142, 144: lift pin member, lift pins, lift pin driver

150 : 척 엘리베이터 장치150: Chuck elevator device

162, 164 : 배기 라인, 흡입 부재162, 164: exhaust line, suction member

본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 슬라이딩 방지를 위한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing method for preventing the sliding of the substrate.

반도체 제조 공정에 있어서 플라즈마 처리 공정은 반도체 기판 상에 형성된 소정의 박막을 제거하는 건식 식각 공정, 반도체 기판 상에 소정의 박막을 형성하는 물리적 또는 화학적 기상 증착 공정, 반도체 기판 상에 남아있는 불필요한 감광액을 제거하는 아싱 공정, 그리고 챔버 내벽의 세정을 위한 챔버 클리닝 공정 등을 포함한다.In the semiconductor manufacturing process, a plasma treatment process includes a dry etching process for removing a predetermined thin film formed on a semiconductor substrate, a physical or chemical vapor deposition process for forming a predetermined thin film on a semiconductor substrate, and an unnecessary photoresist remaining on the semiconductor substrate. An ashing process for removing, and a chamber cleaning process for cleaning the inner wall of the chamber.

일반적으로 상술한 플라즈마 처리 공정을 수행하는 플라즈마 처리 장치들은 밀폐되어 소정의 감압 분위기가 제공되는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버 내부에서 고주파 전원이 인가되는 적어도 하나의 전극판, 상기 공정 챔버 내부에서 웨이퍼가 안착되는 척, 공정에 요구되는 소정의 소스 가스 및 불활성 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인, 그리고 상기 공정 챔버의 배기 및 압력 조절을 위한 배기 라인 등이 구비된다.In general, the plasma processing apparatuses performing the above-described plasma processing process are hermetically sealed to provide a predetermined pressure-reduced atmosphere, at least one electrode plate to which high frequency power is applied, and a wafer to be seated in the process chamber. And a gas supply line for supplying a predetermined source gas and an inert gas required for the process, and an exhaust line for controlling the exhaust and pressure of the process chamber.

상술한 구성을 갖는 상기 플라즈마 처리 장치는 로봇암과 같은 기판 이송 장치에 의해 기판이 로딩 및 언로딩된다. 이때의 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 배치는 상기 척의 상부면에서 정확한 공정 포지션을 만족해야되며, 이를 위해, 상기 척에는 진공으로 웨이퍼를 흡입하는 흡입 수단이 구비되거나, 전압을 인가하여 기판을 흡착하거나, 승/하강 되는 리프트 핀 등이 구비되어 기판을 상기 척 상에 공정상 요구되는 포지션에 맞도록 안착한다.In the plasma processing apparatus having the above-described configuration, a substrate is loaded and unloaded by a substrate transfer apparatus such as a robot arm. At this time, when the substrate is loaded and unloaded, the arrangement of the substrate must satisfy an accurate process position on the upper surface of the chuck. For this purpose, the chuck is provided with suction means for suctioning the wafer with a vacuum or applying a voltage to the substrate. A lift pin or the like which is absorbed or lifted / lowered is provided to seat the substrate on the chuck to meet the position required in the process.

그러나, 기판은 여러 가지 요인에 의해서 상기 포지션을 벗어날 수 있다. 예컨대, 상기 공정 챔버가 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버라면 기판이 안착되는 척에는 폴리머와 같은 공정 부산물에 의해 표면이 오염되어 미끄러워지므로 기판의 로딩 및 언로딩시 기판이 슬라이딩될 수 있으며, 상기 배기 라인에서 상기 공정 챔버의 배기 및 압력 조절을 위해 상기 공정 챔버 내부의 공기를 흡입하면, 그에 따른 배기 흐름에 따라 척에 안착된 기판이 영향을 받아 슬라이딩될 수 있다. 그 밖에도 기판 이송 장치의 얼라인 오류, 그리고 척 또는 리프트 핀의 오동작으로 인해 기판의 슬라이딩이 발생될 수 있다.However, the substrate may be out of this position by various factors. For example, if the process chamber is a chamber for performing a chemical vapor deposition process, the surface is contaminated and slipped by a process by-product, such as a polymer, on the chuck on which the substrate is seated, so that the substrate may slide during loading and unloading of the substrate. In the exhaust line, when the air in the process chamber is sucked to control the exhaust and pressure of the process chamber, the substrate seated on the chuck may be slid under the exhaust flow. In addition, misalignment of the substrate transfer device and malfunction of the chuck or lift pin may cause sliding of the substrate.

기판의 슬라이딩 현상이 발생되면, 기판의 로딩 및 언로딩을 위해 로봇암이 기판으로 접근할 때 로봇암이 기판을 장착할 수 있는 위치를 벗어나게 되어 로봇암이 기판을 정확하게 장착할 수 없다. 그리하여, 로봇암의 접근시 기판과 충돌하거나, 기판을 정위치에 안착되지 않은 상태로 로봇암이 기판을 이동하게 되어 기판이 스크래치 및 파손되는 문제점을 갖는다. 또한, 기판이 슬라이딩 되어 정위치를 벗어나면 기판 상에 공정이 정확하게 이루어지지 않는 영역들이 발생될 수 있다.When the sliding phenomenon of the substrate occurs, when the robot arm approaches the substrate for loading and unloading the substrate, the robot arm is out of the position where the substrate can be mounted and the robot arm cannot accurately mount the substrate. Therefore, the robot arm moves the substrate without colliding with the substrate when the robot arm approaches, or the substrate is not seated in the correct position, thereby causing scratches and damage to the substrate. In addition, when the substrate slides out of position, regions in which the process is not accurately performed may be generated.

특히, 이러한 기판의 슬라이딩 현상은 기판에 소정의 공정을 완료한 후 척으로부터 언로딩시에 주로 일어나므로 이를 방지하기 위한 기판 처리 방법이 필요하다.In particular, since the sliding phenomenon of the substrate occurs mainly at the time of unloading from the chuck after completing a predetermined process on the substrate, there is a need for a substrate processing method for preventing this.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 반도체 분야에서 사용되는 기판이 공정 챔버 내부에서 소정의 공정을 완료한 후 척으로 부터 언로딩할 때 기판이 슬라이딩 되는 것을 방지하기 위한 기판 처리 방법을 제공함에 있다.The substrate processing method according to the present invention for solving the above problems is a substrate for preventing the substrate from sliding when the substrate used in the semiconductor field unloaded from the chuck after completing a predetermined process in the process chamber To provide a treatment method.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버 내부로 기판이 로딩되어 기판이 척에 안착되는 단계, 공정 챔버 내부로 소스 가스 및 불활성 가스들이 분사되어 상기 기판 상에 소정의 반응 공정이 수행되고, 상기 공정 챔버 내부의 배기 및 압력 조절을 위해 펌핑하는 단계, 상기 펌핑이 유지되는 상태에서, 상기 반응 공정이 완료되면, 상기 소스 가스의 공급이 중단되는 단계, 상기 기판이 척으로부터 소정의 간격이 이격되는 단계, 상기 불활성 가스의 공급 및 상기 펌핑이 중단되는 단계, 그리고 상기 기판이 상기 공정 챔버 외부로 언로딩되는 단계를 포함한다.In the substrate processing method according to the present invention, the substrate is loaded into the process chamber and the substrate is seated on the chuck, and source gas and inert gases are injected into the process chamber to perform a predetermined reaction process on the substrate. Pumping for controlling the exhaust and pressure inside the chamber, and in the state where the pumping is maintained, when the reaction process is completed, supplying the source gas is stopped, and the substrate is spaced a predetermined distance from the chuck. Supplying the inert gas and the pumping is stopped, and unloading the substrate out of the process chamber.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판을 상기 척으로부터 이격되는 소정의 간격은 20mm이고, 이때의 상기 펌핑에 의해 상기 공정 챔버 내부에 조절되는 압력은 5Torr로 유지되는 것을 포함한다.In an embodiment of the present invention, the predetermined distance from which the substrate is spaced from the chuck is 20 mm, and the pressure controlled inside the process chamber by the pumping at this time includes maintaining 5 Torr.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소스 가스는 테트라에틸오르소실리카이트(TEOS:Tetra Ethyle Ortho Silicate)를 포함하고, 상기 불활성 가스는 산소 가스(O2), 헬륨 가스(He)를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the source gas includes tetraethyl orthosilicate (TEOS), and the inert gas includes oxygen gas (O2), helium gas (He).

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자, 즉 당업자에게 본 발명을 더욱 완전 하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, that is, those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures is exaggerated to emphasize clear explanation.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 적용될 수 있는 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(100)는 공정 챔버(110), 샤워 헤드(120), 척(130), 리프트 핀 부재(140), 그리고 척 구동부(150)를 포함한다.1 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus to which a substrate processing method according to an embodiment of the present invention may be applied. Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a process chamber 110, a shower head 120, a chuck 130, a lift pin member 140, and a chuck driver 150.

공정 챔버(110)는 예컨대, 기판에 소정의 반응 공정을 수행하기 위해 플라즈마가 생성되도록 내부가 밀폐되어 감압 상태의 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 히터(미도시됨)에 의해 소정의 온도로 가열될 수 있으며, 공정 챔버(110) 내부에는 공정 챔버(110) 내부의 배기 및 압력의 조절을 위한 배기 라인(162)이 구비될 수 있다. 배기 라인(162)에는 터보 분자 펌프와 같은 흡입 부재(164)가 제공되어 공정 챔버(110) 내부 공기를 흡입한다. 흡입 부재(164)는 예컨대, 반도체 제조 설비에 구비된 컨트롤 부재(미도시됨)에 의해 조절되며, 상기 컨트롤 부재는 공정 챔버(110)의 공정 순서에 따라 공정 챔버(110) 내부의 배기시 흡입 부재(164)가 공정 챔버(110)를 흡입하는 세기를 조절하여 공정 챔버(110)를 소정의 압력으로 제어한다.The process chamber 110 is sealed inside to provide a space under a reduced pressure so that, for example, a plasma is generated to perform a predetermined reaction process on the substrate. The process chamber 110 may be heated to a predetermined temperature by a heater (not shown), and an exhaust line 162 for controlling exhaust and pressure in the process chamber 110 may be provided inside the process chamber 110. It may be provided. The exhaust line 162 is provided with a suction member 164, such as a turbo molecular pump, to suck air inside the process chamber 110. The suction member 164 is controlled by, for example, a control member (not shown) provided in a semiconductor manufacturing facility, and the control member is sucked when the inside of the process chamber 110 is evacuated in accordance with the process sequence of the process chamber 110. The strength of the member 164 to suck the process chamber 110 is controlled to control the process chamber 110 to a predetermined pressure.

공정 챔버(110) 내부 상측에는 반응 가스를 균일하게 분배하기 위한 가스 분배 매니폴드(미도시됨) 및 상기 반응 가스를 웨이퍼 상에 분사하기 위해 복수개의 분사홀(124)이 형성된 전극 플레이트(122)를 포함하는 샤워 헤드(120)가 결합된다.Above the process chamber 110, a gas distribution manifold (not shown) for uniformly distributing the reaction gas and an electrode plate 122 having a plurality of injection holes 124 formed therein for injecting the reaction gas onto the wafer. Shower head 120 comprising a is coupled.

또한, 샤워 헤드(120)는 고주파 전원이 인가되는 전극의 기능을 수행하며, 이를 위해 위해 샤워 헤드(120)는 공정 챔버(110) 외부에 설치된 고주파 전원 공급원(미도시됨)과 연결될 수 있다.In addition, the shower head 120 functions as an electrode to which high frequency power is applied, and for this purpose, the shower head 120 may be connected to a high frequency power source (not shown) installed outside the process chamber 110.

척(130)은 공정 챔버(110) 내부 하측에 구비된다. 척(130)은 기판(W)이 공정상 요구되는 로딩 및 언로딩 포지션을 제공한다. 척(130)은 기판(W) 상에 소정의 전원이 인가되는 정전척 또는 에어로 기판(W)을 흡착하여 척(130)의 상부에 흡착하는 진공척 등을 포함한다. 척(130)의 상부면에는 전극판(132)이 결합될 수 있으며, 전극판(132)은 웨이퍼가 안착되면, 기판(W) 상에 전원을 인가한다.The chuck 130 is provided below the process chamber 110. The chuck 130 provides the loading and unloading position where the substrate W is required for the process. The chuck 130 includes an electrostatic chuck to which a predetermined power is applied onto the substrate W or a vacuum chuck to suck the aero substrate W to the upper portion of the chuck 130. The electrode plate 132 may be coupled to an upper surface of the chuck 130, and the electrode plate 132 applies power to the substrate W when the wafer is seated.

리프트 핀 부재(140)는 복수개의 리프트 핀들(142)과 리프트 핀들(142)을 상하로 구동시키는 리프트 핀 구동부(144)를 포함한다. 리프트 핀들(142)은 세 개가 구비되며, 척(130)의 상부면에서 트라이 앵글 형상으로 배치된다. 리프트 핀들(142)은 리프트 핀 구동부(144)에 의해 상하로 동작하여, 기판(W)을 척(130)으로부터 이격시키거나, 척(130)에 안착시킨다.The lift pin member 140 includes a plurality of lift pins 142 and a lift pin driver 144 for driving the lift pins 142 up and down. Three lift pins 142 are provided, and are arranged in a triangular shape on the upper surface of the chuck 130. The lift pins 142 are operated up and down by the lift pin driver 144 to separate the substrate W from the chuck 130 or to seat the chuck 130.

또한, 척(130)은 공정 챔버(110) 내부에서 상하로 이동되어 기판을 공정상 요구되는 높이로 정렬하는 기능을 갖는다. 이를 위해 공정 챔버(110) 외부에는 척(130)의 일측과 결합되는 척 엘리베이터 장치(150)가 구비된다. 척 엘리베이터 장치(150)는 리드 스크류와 모터 등을 포함하는 구동 어셈블리이며, 공정 챔버(110) 내부에서 기판(W)의 높이를 조정할 수 있도록 척(130)을 상/하로 이동시켜 기판(W)의 높이 정렬을 맞추는 기능을 수행한다.In addition, the chuck 130 has a function of moving up and down inside the process chamber 110 to align the substrate to a height required for the process. To this end, the chuck elevator device 150 coupled to one side of the chuck 130 is provided outside the process chamber 110. The chuck elevator apparatus 150 is a drive assembly including a lead screw, a motor, and the like, and moves the chuck 130 up and down to adjust the height of the substrate W in the process chamber 110. Performs the function of aligning the height alignment.

이하 상술한 구성을 갖는 반도체 제조 장치(100)의 작동 순서를 도 2를 참조하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 1에 도시된 구성요소들과 동일한 구성요소들은 참조번호를 동일하게 기재하여 설명한다.Hereinafter, an operation procedure of the semiconductor manufacturing apparatus 100 having the above-described configuration will be described in detail with reference to FIG. 2. Here, the same components as those shown in FIG. 1 will be described with the same reference numerals.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2를 참조하면, 처음시 공정이 개시되면, 공정 챔버(110) 내부로 기판(W)이 이동되고, 척(130)으로부터 소정의 높이가 상승되어 있는 복수의 리프트 핀들(142)의 상부에 기판(W)이 안착된다(스텝 S10).2 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, when the initial start process is started, the substrate W is moved into the process chamber 110, and the lift pins 142 are lifted from the chuck 130. The substrate W is seated (step S10).

기판(W)이 복수의 리프트 핀들(142)의 상부에 안착되면, 복수의 리프트 핀들(142)이 리프트 핀 구동부(144)에 의해 하강 운동하거나 척 엘리베이터 장치(150)에 의해 척(130)이 상승 운동하여 기판(W)이 척(130)의 상부면에 안착된다(스텝 S20).When the substrate W is seated on top of the plurality of lift pins 142, the plurality of lift pins 142 moves downward by the lift pin driver 144 or the chuck 130 is moved by the chuck elevator device 150. The substrate W is mounted on the upper surface of the chuck 130 by the upward motion (step S20).

기판(W)이 척(130)의 상부면에 안착되면, 공정 챔버(110)의 샤워 헤드(120)로부터 소스 가스, 불활성 가스, 그리고 산소 가스들이 분사되어 기판(W) 상에 소정의 반응 공정이 수행되고, 공정 챔버(110) 내부의 배기 및 압력 조절을 위해 배기 라인(162)에 구비된 흡입 부재(164)는 펌핑을 실시하여 공정 챔버(110) 내부의 공기를 배출한다(스텝 S30). 여기서, 일 실시예로서, 상기 소스 가스는 테트라에틸오르소실리카이트(TEOS:Tetra Ethyle Ortho Silicate)를 포함하고, 상기 불활성 가스는 헬륨 가스(He)를 포함한다. 또한, 상기 펌핑에 의해 공정 챔버(110) 내부에 조절되는 압력은 5Torr일 수 있다.When the substrate W is seated on the upper surface of the chuck 130, the source gas, the inert gas, and the oxygen gases are injected from the shower head 120 of the process chamber 110, and a predetermined reaction process is performed on the substrate W. Then, the suction member 164 provided in the exhaust line 162 is pumped to exhaust the air inside the process chamber 110 for exhaust and pressure control in the process chamber 110 (step S30). . Here, as an embodiment, the source gas includes tetraethyl orthosilicate (TEOS), and the inert gas includes helium gas (He). In addition, the pressure controlled in the process chamber 110 by the pumping may be 5 Torr.

흡입 부재(164)에 의해 공정 챔버(110) 내부의 펌핑이 지속되는 상태에서 상 기 소스 가스의 공급을 중단하여 상기 소정의 반응 공정을 중단한다(스텝 S40). 즉, 이때의 상기 펌핑에 의해 공정 챔버(110) 내부에 조절되는 압력은 5Torr를 유지하며, 이를 위해, 상기 불활성 가스 및 상기 산소 가스는 소정의 유량으로 공급되어 공정 챔버(110) 내부의 압력이 일정하게 유지될 수 있도록 한다.In the state where the pumping in the process chamber 110 is continued by the suction member 164, the supply of the source gas is stopped to stop the predetermined reaction process (step S40). That is, the pressure regulated inside the process chamber 110 by the pumping at this time maintains 5 Torr. For this purpose, the inert gas and the oxygen gas are supplied at a predetermined flow rate so that the pressure inside the process chamber 110 is increased. Make sure it stays constant.

그리고, (스텝 S40)의 단계가 진행되는 상황에서 기판(W)은 복수의 리프트 핀들(142)의 상승 운동 또는 척(130)의 하강 운동에 의해 척(130)의 상부면으로부터 소정의 간격이 이격된다(스텝 S50). 이때, 일 실시예로서 기판(W)을 척(130)으로부터 이격되는 소정의 간격은 20mm일 수 있다. 여기서, 기판(W)이 복수의 리프트 핀(142)에 안착되어 있을 때는 펌핑에 의한 배기 압력에 의해 슬라이딩 되지 않는다.In the situation where the step S40 is in progress, the substrate W has a predetermined distance from the upper surface of the chuck 130 by the upward movement of the plurality of lift pins 142 or the downward movement of the chuck 130. It is spaced apart (step S50). At this time, as an example, a predetermined distance that separates the substrate W from the chuck 130 may be 20 mm. Here, when the substrate W is seated on the plurality of lift pins 142, the substrate W does not slide due to the exhaust pressure by pumping.

기판(W)이 척(130)으로부터 소정의 간격이 이격되면 상기 불활성 가스 및 상기 산소 가스의 공급이 중단되고, 흡입 부재(164)의 작동이 정지하여 공정 챔버(110) 내부의 배기가 중지된다(스텝 S60).When the substrate W is spaced apart from the chuck 130 by a predetermined interval, the supply of the inert gas and the oxygen gas is stopped, and the operation of the suction member 164 is stopped to exhaust the inside of the process chamber 110. (Step S60).

(스텝 S60)의 단계가 완료되면, 기판 이송 장치(미도시됨)가 공정 챔버(110) 내부의 기판(W)으로 접근하여 기판(W)을 공정 챔버(110) 외부로 언로딩한다(스텝 S70).When the step S60 is completed, the substrate transfer device (not shown) approaches the substrate W inside the process chamber 110 to unload the substrate W outside the process chamber 110 (step). S70).

이상으로 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 설명하였으나 상술한 실시예로 인해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 플라즈마 처리 장치의 구성을 기본으로 설명하였지만, 기판에 소정의 공정을 진행하는 챔버와 리프트 핀이 제공되어 있는 척을 포함하는 모든 반도체 제조 장치에 적용가능함은 당 연하다. 본 발명의 기술적 사상은 리프트 핀의 상부에 놓여진 기판은 슬라이딩 되지 않는다는 것을 기초로 기판의 로딩 또는 언로딩시 기판의 슬라이딩을 방지하는 것이며, 이때의 공정 챔버의 진공 조건 및 기판을 척으로부터 이격되는 간격 등은 다양하게 변경될 수 있다.Although the substrate processing method according to the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, although the embodiment of the present invention has been described based on the configuration of the plasma processing apparatus, it is obvious that it is applicable to any semiconductor manufacturing apparatus including a chamber for performing a predetermined process on a substrate and a chuck provided with a lift pin. The technical idea of the present invention is to prevent the sliding of the substrate during loading or unloading of the substrate based on the fact that the substrate placed on the lift pin is not sliding, and the vacuum condition of the process chamber and the gap spaced apart from the chuck at this time. Etc. may be variously changed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 방법은 소정의 반도체 공정을 수행하는 공정 챔버로부터 기판을 언로딩시킬 때 별도의 기판 슬라이딩 방지 장치 없이 기판이 척의 상부면에서 슬라이딩 되는 현상을 방지할 수 있으므로, 기판이 척의 상부면에 슬라이딩되어 발생되는 기판의 스크래치와 파손을 방지한다.As described above, the substrate processing method of the present invention can prevent the substrate from sliding on the upper surface of the chuck without a separate substrate sliding prevention device when unloading the substrate from the process chamber that performs a predetermined semiconductor process, The substrate is prevented from scratching and breaking of the substrate caused by sliding on the upper surface of the chuck.

Claims (4)

웨이퍼의 슬라이딩 방지를 위한 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method for preventing the sliding of the wafer, 공정 챔버 내부로 기판을 로딩하여 상기 기판을 척에 안착하는 단계와;Loading the substrate into the process chamber to seat the substrate on the chuck; 상기 공정 챔버 내부로 소스 가스 및 불활성 가스, 그리고 산소 가스들이 분사되어 상기 기판 상에 소정의 반응 공정이 수행되고, 상기 공정 챔버 내부의 배기 및 압력 조절을 위해 펌핑하는 단계와;Source gas, inert gas, and oxygen gases are injected into the process chamber to perform a predetermined reaction process on the substrate, and pumping the exhaust gas and the pressure control in the process chamber; 상기 펌핑이 유지되는 상태에서, 상기 반응 공정이 완료되면, 상기 소스 가스의 공급을 중단하는 단계와;Stopping the supply of the source gas when the reaction process is completed while the pumping is maintained; 상기 기판을 척으로부터 소정 간격 이격하는 단계와;Spaced apart the substrate from the chuck by a predetermined distance; 상기 불활성 가스 및 상기 산소 가스의 공급 및 상기 펌핑을 중단하는 단계와; 그리고Stopping the supply and the pumping of the inert gas and the oxygen gas; And 상기 기판을 상기 공정 챔버 외부로 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And unloading the substrate out of the process chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판을 상기 척으로부터 이격되는 소정의 간격은 20mm인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법The predetermined distance from which the substrate is spaced apart from the chuck is 20mm 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 펌핑에 의해 상기 공정 챔버 내부에 조절되는 압력은 5Torr인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the pressure regulated inside the process chamber by the pumping is 5 Torr. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스 가스는 테트라에틸오르소실리카이트(TEOS:Tetra Ethyle Ortho Silicate)를 포함하고, 상기 불활성 가스는 헬륨 가스(He)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Wherein the source gas comprises tetraethyl orthosilicate (TEOS) and the inert gas comprises helium gas (He).
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