KR100705799B1 - 전계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전계 발광 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100705799B1 KR1020050129106A KR20050129106A KR100705799B1 KR 100705799 B1 KR100705799 B1 KR 100705799B1 KR 1020050129106 A KR1020050129106 A KR 1020050129106A KR 20050129106 A KR20050129106 A KR 20050129106A KR 100705799 B1 KR100705799 B1 KR 100705799B1
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이걸희
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Abstract

본 발명은 전계 발광 소자가 전계 발광 시에 빛의 전반사로 인해 콘트라스트 비율(Contrast Ratio)이 저하되는 것을 방지하기 위하여 전계 발광 소자의 기판 상면 또는 하면에 형성된 불투명한 보조막과 다른 불투명한 보조막 및 기판의 하부에 형성된 편광판을 포함하는 것을 제공한다.
전계 발광 소자, 홈(groove), 불투명한 보조막

Description

전계 발광 소자 및 그 제조방법{Light Emitting Diodes and Method for manufacturing thereof}
도 1은 종래 하나의 일예인 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에 도시한 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자가 전계 발광시에 발생하는 빛의 경로를 A~A영역으로 잘라서 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제작되는 것을 나타낸 순서도.
도 4a 내지 도 4f는 도 3에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제조되는 과정을 보여주기 위한 공정도.
도 5는 도 4f에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 전계 발광 시에 발생하는 빛의 경로를 B~B영역으로 잘라서 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제작되는 것을 나타낸 순서도.
도 7a 내지 도 7f는 도 6에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제조되는 과정을 보여주기 위한 공정도.
도 8은 7f에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 전계 발광 시에 발 생하는 빛의 경로를 C~C영역으로 잘라서 나타낸 단면도.
도 9는 도 5의 변형된 실시예로써, 기판의 하부에 편광판이 형성되는 것을 나타낸 단면도.
도 10은 도 8의 변형된 실시예로써, 기판의 하부에 편광판이 형성되는 것을 나타낸 단면도.
본 발명은 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED) 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라함) 및 일렉트로루미네센스(Electro-luminescence : 이하 "EL"이라 함) 표시장치등이 있다. 이와같은 평판 표시 장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발하게 진행되고 있다.
평판 표시 장치중 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단순하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT" 라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체공정을 이용하기 때문에 대화면화에 어려움이 있지만 노트북 컴퓨터의 표시소자로 주로 이용되면서 수요가 늘고 있다. 그러나 LCD는 대면적화가 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있다. 또한, LCD는 편광필터, 프리즘시트, 확산판등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다.
이에 비하여, EL 표시소자는 발광층의 재료에 따라 무기(Inorganic) EL 소자와 유기(organic) EL 소자로 크게 구별되며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 이러한, EL 표시소자중 유기물을 이용하는 EL 소자인 유기 전계 발광 소자(Organic Emitting Light Diode)는 낮은 직류구동전압, 박막화가능, 발광되는 빛의 균일성, 용이한 패턴형성, 다른 발광소자에 견줄만한 발광효율, 가시영역에서의 모든 색상발광등의 이점을 가지고 있어, 디스플레이 소자에의 응용을 위하여 매우 활발히 연구되고 있는 기술분야이다.
한편, 유기 전계 발광 소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 바텀-이미션(Bottomm-Emission) 방식과 탑-이미션(Top-Emission) 방식이 있다. 또한, 유기 전계 발광 소자는 구동방식에 따라 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자(Passive Matrix Organic Organic Emitting Light Diode: PMOELD)와 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자(Active Matrix Organic Organic Emitting Light Diode : AMOELD)로 구분된다.
여기서, 유기 전계 발광 소자중 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자를 살펴보면 다음 도 1과 같다.
도 1은 종래 하나의 일예인 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 하나의 일예인 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자(100)는 기판(102)상에 소정간격으로 이격되어 애노드 전극(104)이 다수개로 형성되고, 전술한 애노드 전극(104) 상부에는 EL셀 영역마다 개구부를 갖는 절연막(106)이 형성된다.
또한, 절연막(106) 상부에는 이후에 적층될 발광부(108) 및 캐소드 전극(110)의 분리를 위한 격벽(112)이 형성된다. 이때, 격벽(112)은 애노드 전극(104)을 가로지르는 방향으로 교차되게 형성되고 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 갖는 역사다리꼴 모양의 형상으로 형성된다.
또한, 격벽(112) 상부와 발광영역 사이에 위치한 애노드 전극(104) 상부에는 유기화합물로 구성되는 발광부(108)와 캐소드 전극(110)이 순차적으로 형성된다. 이때, 발광부(108)는 도시하지는 않았지만 정공 수송층(미도시), 정공 전달층(미도시), 발광층(미도시), 전자 수송층(미도시), 전자 전달층(미도시)등을 포함하게 된다.
이러한, 전계 발광 소자는 애노드 전극(104)과 캐소드 전극(110)에 구동신호가 인가되면 애노드 전극(104)으로부터 발광층(미도시)으로 정공이 주입되고, 캐소드 전극(110)으로부터 발광층(미도시)으로 전자가 주입되어 정공과 전자가 재결합하면서 가시광을 발생하게 된다.
이때, 발생된 가시광은 애노드 전극(104)을 통하여 외부로 나오게 되어 소정의 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
그러나, 이와같은 종래 하나의 일예인 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 전계 발광 소자가 전계 발광시에 애노드 전극(104)을 통하여 빛이 외부로 출사되므로, 빛의 전반사 또는 난반사로 인해 인접해 있는 발광영역(A1)에 영향을 주어 콘트라스트가 저하되는 문제점이 발생하게 된다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 전계 발광 소자의 기판 상면 또는 하면에 불투명한 보조막과 다른 불투명한 보조막 및 기판 하부에 편광판을 더 구비함으로써, 전계 발광 시에 빛의 전반사로 인한 발광영역간의 간섭을 최소화 시켜 콘트라스트 비율(Contrast Ratio)을 개선시키는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판과 기판상에 위치되며 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 갖는 픽셀회로부 및 기판의 어느 한 부분에는 홈(groove)이 형성되고, 홈에 형성된 불투명한 보조막을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 홈은 발광부를 제외한 부분에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격되어 기판의 하면에 홈(groove)이 형성되고, 홈(groove)에 다른 불투명한 보조막이 더 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 두 개의 전극 중 어느 하나는 기판과 불투명한 보조막상에 형성된 애노드 전극이고, 다른 하나는 발광부 상에 형성된 캐소드 전극인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 전극 상부에 불투명한 보조막과 대응되게 불투명한 절연막이 더 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 절연막은 흑색의 무기절연물질 또는 유기절연물질중 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 흑색의 무기절연물질은 크롬옥사이드 또는 탄소계열물질이고, 유기절연물질은 에폭시 화합물 또는 유기안료인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 절연막 상면에 격벽이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판의 하부에 편광판(polarizer)이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광부는 유기물층을 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, (a) 기판을 준비하는 단계와 (b) 기판의 어느 한 부분에 홈(groove)을 형성하는 단계 및 (c) 홈(groove)에 불투명한 보조막 을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 홈을 형성하는 단계는 발광부를 제외한 부분에 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 보조막을 형성하는 단계 이후에, 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 기판의 하면에 홈(groove)을 형성하고, 홈(groove)에 다른 불투명한 보조막을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 보조막과 다른 불투명한 보조막을 형성하는 단계는 포토리소그래피 공법 또는 샌드블라스팅 공법중 어느 하나의 공법으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 보조막을 형성하는 단계 이후에, 애노드 전극을 형성하고 애노드 전극 상부에 불투명한 보조막과 대응되게 불투명한 절연막을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 불투명한 절연막을 형성하는 단계 이후에, 불투명한 절연막 상면에 격벽을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판의 하부에 편광판(polarizer)을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광부는 유기물층을 포함한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세히 설명하기로 한다.
<제 1 실시예>
도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제작되는 것을 나타낸 순서도이다. 먼저, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 기판의 상면중 각각의 발광층이 서로 구분되어질 면에 홈(groove)이 형성되고, 그 홈(groove)에 불투명한 보조막이 더 형성된다. 이러한, 본 발명에 따른 패시브 릭매트스형 전계 발광 소자를 살펴보면 다음 도 3과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 먼저, 기판을 준비하고(S301), 기판의 상면중 각각의 발광층이 서로 구분되어질 면에 홈(groove)을 형성한다(S302).
이 후, 홈(groove)에 불투명한 보조막을 형성하고(S303), 마지막으로 애노드 전극, 불투명한 절연막, 격벽, 발광층, 캐소드 전극을 형성한다(S304).
여기서, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적인 과정을 통하여 제조되는 과정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 4a 내지 도 4f와 같다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제조되는 과정을 보여주기 위한 공정도이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 기판(102)을 준비하여 기판의 어느 한 부분에 홈(groove, 102a)을 형성한다. 바람직하게는, 발광부를 제외한 부분에 홈(102a)을 형성시킨다.
더욱 바람직하게는, 기판(102)의 상면중 도시하지는 않았지만 이후에 형성할 발광부(미도시)가 서로 구분되어질 면에 홈(groove, 102a)을 형성한다. 이때, 홈(102a)은 포토리소그래피 공법 또는 샌드블라스팅 공법중 어느 하나의 공법으로 도시하지는 않았지만 이후에 진술할 불투명한 절연막(미도시)과 위치가 대응되도록 형성된다.
이 후, 도 4b에 도시된 바와 같이 기판(102)에 형성된 홈(102a)에 불투명한 보조막(403)을 형성한다. 이러한, 불투명한 보조막(403)은 전계 발광 소자의 전계 발광시에 도시하지는 않았지만 이후에 진술할 애노드 전극(미도시)을 통하여 빛이 외부로 출사될 때, 빛의 전반사 또는 난반사로 인해 인접해 있는 발광영역에 영향을 주는 것을 최소화시키므로 반사율이 저하되어 콘트라스트를 향상시킬 수가 있게 된다.
이 후, 도 4c에 도시된 바와 같이 불투명한 보조막(403)을 포함하고 있는 기판(102) 상부에 애노드 전극(104)을 형성한다. 이때, 애노드 전극(104)은 투명전도성물질인 ITO, IZO, ITZO중 어느 하나의 물질로 전면 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다.
이 후, 도 4d에 도시된 바와 같이 애노드 전극(104) 상부에 불투명한 보조막(403)과 대응되게 불투명한 절연막(106)을 형성한다. 이때, 불투명한 절연막(106)은 인접한 발광영역들 간의 간섭을 최소화하고 콘트라스트를 향상시키기 위해 애노드 전극(104) 상부에 형성된다. 이러한, 불투명한 절연막(106)은 흑색의 무기절연물질인 크롬옥사이드 또는 탄소계열의 물질로 형성되거나, 흑색의 유기절연물질인 애폭시 화합물 또는 유기안료의 물질로 형성된다.
이 후, 도 4e에 도시된 바와 같이 불투명한 절연막(106) 상부에 격벽(112)을 형성하여 도시하지는 않았지만 이후에 진술할 발광부(미도시) 및 캐소드 전극(미도시)을 서로 구분하여 분리하고 가시광이 인접한 발광영역에 누설되는 것을 방지하게 된다. 이때, 격벽(112)은 애노드 전극(104)을 가로지르는 방향으로 교차되게 형성되고 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 갖는 역사다리꼴 모양의 형상으로 형성된다.
마지막으로, 도 4f에 도시된 바와 같이 격벽(112) 상부와 발광영역 사이에 위치된 애노드 전극(104) 상부에 발광부(108) 및 캐소드 전극(110)을 순차적으로 형성한다. 이때, 발광부(108)는 도시하지는 않았지만 정공 수송층(미도시), 정공 전달층(미도시), 발광층(미도시), 전자 수송층(미도시), 전자 전달층(미도시)등을 포함하게 된다. 여기서, 전술한 발광층(미도시)은 유기물층을 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 무기물층을 포함하는 것도 가능하다.
한편, 설명의 편의상 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자중 제조공정의 순서를 불투명한 보조막(403) 상부에 애노드 전극(104)을 형성하고, 그 애노드 전극(104) 상부에 발광부(108)를 형성한 후, 캐소드 전극(110)을 형성하는 것으로 도시하여 설명하였다.
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 불투명한 보조막(403) 상부에 캐소드 전극(110)을 형성하고, 그 캐소드 전극(110) 상부에 발광부(108)를 형성한 후, 애노드 전극(104)을 형성하는 것도 가능하다. 이때, 캐소드 전극(110)은 투명한 재질 의 ITO, IZO, ITZO중 어느 하나의 물질로 형성되고, 애노드 전극(104)은 금속 물질인 Cu, Ag, Al등과 같은 물질로 형성된다. 이것은, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 전계 발광시에 전자와 정공을 더욱 원활하게 재결합시켜 발광효율을 높이기 위해서 애노드 전극(104)과 캐소드 전극(110)의 위치를 발광부(108)의 상부 또는 하부에 배치시키는 것이다.
이와같은 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 도 5에 도시된 바와 같이, 전계 발광 소자의 기판(102) 상면에 불투명한 보조막(403)이 형성되므로, 전계 발광 소자가 전계 발광시에 애노드 전극(104)을 통하여 빛이 외부로 출사될 때 발생하는 빛의 전반사 또는 난반사로 인한 발광영역(B1)간의 간섭을 최소화 시킬수가 있어 콘트라스트 비율(Contrast Ratio)은 개선된다.
또한, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자를 기판의 상면에 형성된 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 기판의 하면에 다른 불투명한 보조막을 더 형성시킴으로써, 콘트라스트 비율을 더욱 높힐 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자를 자세하게 살펴보면 다음 도 6과 같다.
<제 2 실시예>
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제작되는 것을 나타낸 순서도이다. 먼저, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 도 3에 도시하여 전술한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자와 동일하게 순차적으로 형성된다. 다만, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 기판의 상면에 형성된 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 기판의 하면에 다른 불투명한 보조막이 더 형성된다. 이러한, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자를 살펴보면 다음 도 6과 같다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 먼저, 기판을 준비하고(S601), 기판의 상면중 각각의 발광층이 서로 구분되어질 면에 홈(groove)을 형성하고, 기판의 상면과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 기판의 하면에 다른 홈(groove)을 형성한다(S602).
이 후, 각각의 홈(groove)에 불투명한 보조막과 다른 불투명한 보조막을 형성하고(S603), 마지막으로 애노드 전극, 불투명한 절연막, 격벽, 발광층, 캐소드 전극을 형성한다(S604).
여기서, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적인 과정을 통하여 제조되는 과정을 더욱 자세하게 살펴보면 다음 도 7a 내지 도 7f와 같다.
도 7a 내지 도 7f는 도 6에 도시한 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 순차적으로 제조되는 과정을 보여주기 위한 공정도이다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이 기판(102)을 준비하여 기판의 어느 한 부분에 홈(groove, 102a)을 형성하고, 이러한 홈(102a)과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 다른 홈(102b)을 형성한다. 바람직하게는, 발광부를 제외한 부분에 홈(102a, 102b)을 형성시킨다.
더욱 바람직하게는, 기판(102)의 상면중 도시하지는 않았지만 이후에 형성할 발광부(미도시)가 서로 구분되어질 면에 홈(102a)을 형성하고, 기판의 상면과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 기판의 하면에 다른 홈(102b)을 형성한다. 이때, 홈(102a, 102b)은 포토리소그래피 공법 또는 샌드블라스팅 공법중 어느 하나의 공법으로 형성되고, 도시하지는 않았지만 이후에 진술할 불투명한 절연막(미도시)과 위치가 대응되도록 홈(102a)이 형성된다.
이 후, 도 7b에 도시된 바와 같이 기판(102)에 형성된 홈(102a, 102b)에 불투명한 보조막(403)과 다른 불투명한 보조막(405)을 형성한다. 이러한, 불투명한 보조막(403)과 다른 불투명한 보조막(405)은 전계 발광 소자의 전계 발광시에 도시하지는 않았지만 이후에 진술할 애노드 전극(미도시)을 통하여 빛이 외부로 출사될 때, 빛의 전반사 또는 난반사로 인해 인접해 있는 발광영역에 영향을 주는 것을 최소화시키므로 반사율이 저하되어 콘트라스트를 향상시킬 수가 있게 된다.
이 후, 도 7c 내지 도 7f에 도시하여 전술한 전계 발광 소자의 제조공정은 도 4c 내지 도 4f에 도시하여 전술한 전계 발광 소자의 제조공정과 동일하게 순차적인 과정을 통하여 제조되므로, 이것들에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다.
이것역시, 설명의 편의상 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자중 제조공정의 순서를 불투명한 보조용 절연막(403) 상부에 애노드 전극(104)을 형성하고, 그 애노드 전극(104) 상부에 발광층(108)을 형성한 후, 캐소드 전극(110)을 형성하는 것으로 도시하여 설명하였다.
그러나, 본 발명은 이에 한정하지 않고 불투명한 보조막(403) 상부에 캐소드 전극(110)을 형성하고, 그 캐소드 전극(110) 상부에 발광부(108)를 형성한 후, 애노드 전극(104)을 형성하는 것도 가능하다. 이때, 캐소드 전극(110)은 투명한 재질의 ITO, IZO, ITZO중 어느 하나의 물질로 형성되고, 애노드 전극(104)은 금속 물질인 Cu, Ag, Al등과 같은 물질로 형성된다. 이것은, 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자가 전계 발광시에 전자와 정공을 더욱 원활하게 재결합시켜 발광효율을 높이기 위해서 애노드 전극(104)과 캐소드 전극(110)의 위치를 발광부(108)의 상부 또는 하부에 배치시키는 것이다.
이와같은 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 도 8에 도시된 바와 같이, 전계 발광 소자의 기판(102) 상면에는 불투명한 보조막(403)이 형성되고 전계 발광 소자의 기판(102) 하면에는 다른 불투명한 보조막(405)이 형성되므로, 도 5에 도시하여 전술한 전계 발광 소자보다 전계 발광시에 애노드 전극(104)을 통하여 빛이 외부로 출사될 때 발생하는 빛의 전반사 또는 난반사로 인한 발광영역(B1)간의 간섭을 더욱 최소화시킬 수가 있어 콘트라스트 비율(Contrast Ratio)은 더욱 개선된다.
한편, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 전계 발광 소자는 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 기판(102)의 하부에 편광판(polarizer, 905, 1005)을 형성하여 외부에서 내부로 들어오는 광의 편광방향과 내부에서 외부로 나가는 광의 편광방향을 달리하여 캐소드 전극(110)에 의한 입사광의 반사를 상당히 줄임으로써 콘트라 스트 비율을 더욱 개선시키는 것도 가능하다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
전계 발광 소자의 기판 상면 또는 하면에 불투명한 보조막과 다른 불투명한 보조막 및 기판 하부에 편광판을 더 구비함으로써, 전계 발광 시에 빛의 전반사로 인한 발광영역간의 간섭을 최소화시켜 콘트라스트 비율(Contrast Ratio)을 개선 시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 기판과;
    상기 기판상에 위치되며 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 갖는 픽셀회로부 및
    상기 기판의 어느 한 부분에는 홈(groove)이 형성되고, 상기 홈에 형성된 불투명한 보조막을 포함하는 전계 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 홈은 상기 발광부를 제외한 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격되어 상기 기판의 하면에 홈(groove)이 형성되고, 상기 홈(groove)에 다른 불투명한 보조막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 두 개의 전극 중 어느 하나는 상기 기판과 상기 불투명한 보조막상에 형성된 애노드 전극이고, 다른 하나는 상기 발광부 상에 형성된 캐소드 전극인 것 을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 애노드 전극 상부에 상기 불투명한 보조막과 대응되게 불투명한 절연막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 불투명한 절연막은 흑색의 무기절연물질 또는 유기절연물질중 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 흑색의 무기절연물질은 크롬옥사이드 또는 탄소계열물질이고, 상기 유기절연물질은 에폭시 화합물 또는 유기안료인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 불투명한 절연막 상면에 격벽이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 하부에 편광판(polarizer)이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 발광부는 유기물층을 포함하는 전계 발광 소자.
  11. (a) 기판을 준비하는 단계와;
    (b) 상기 기판의 어느 한 부분에 홈(groove)을 형성하는 단계 및
    (c) 상기 홈(groove)에 불투명한 보조막을 형성하는 단계를 포함하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 홈을 형성하는 단계는 발광부를 제외한 부분에 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 불투명한 보조막을 형성하는 단계 이후에, 상기 불투명한 보조막과 대응되게 소정 간격으로 이격시켜 상기 기판의 하면에 홈(groove)을 형성하고, 상기 홈(groove)에 다른 불투명한 보조막을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 불투명한 보조막과 상기 다른 불투명한 보조막을 형성하는 단계는 포토리소그래피 공법 또는 샌드블라스팅 공법중 어느 하나의 공법으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 불투명한 보조막을 형성하는 단계 이후에, 애노드 전극을 형성하고 상기 애노드 전극 상부에 상기 불투명한 보조막과 대응되게 불투명한 절연막을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 불투명한 절연막을 형성하는 단계 이후에, 상기 불투명한 절연막 상면에 격벽을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 기판의 하부에 편광판(polarizer)을 더 형성하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 발광부는 유기물층을 포함하는 전계 발광 소자의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190067307A (ko) 2017-12-07 2019-06-17 금호타이어 주식회사 벨트 컨베이어의 벨트 자석 각도 자동 조절 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930011313A (ko) * 1991-11-04 1993-06-24 이헌조 박막 el 소자의 제조방법
JPH118070A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP2001118678A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 有機電子発光素子及びその製造方法
KR20020020388A (ko) * 2000-09-08 2002-03-15 구자홍 유기ｅｌ 디스플레이 패널
KR20020077773A (ko) * 2001-04-04 2002-10-14 헬릭스 테크놀로지 인코퍼레이티드 유기 발광 다이오드 제조 방법
KR20030030084A (ko) * 2001-10-08 2003-04-18 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자와 그 제조방법
KR20040021294A (ko) * 2002-09-03 2004-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930011313A (ko) * 1991-11-04 1993-06-24 이헌조 박막 el 소자의 제조방법
JPH118070A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP2001118678A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 有機電子発光素子及びその製造方法
KR20020020388A (ko) * 2000-09-08 2002-03-15 구자홍 유기ｅｌ 디스플레이 패널
KR20020077773A (ko) * 2001-04-04 2002-10-14 헬릭스 테크놀로지 인코퍼레이티드 유기 발광 다이오드 제조 방법
KR20030030084A (ko) * 2001-10-08 2003-04-18 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자와 그 제조방법
KR20040021294A (ko) * 2002-09-03 2004-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190067307A (ko) 2017-12-07 2019-06-17 금호타이어 주식회사 벨트 컨베이어의 벨트 자석 각도 자동 조절 장치

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