KR100703533B1 - 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착장치 내의 발생된 열에 의한 기판 및 증착 마스크 변형 및 처짐 현상을 방지할 수 있는 증착장치에 관한 것이다.
본 발명의 증착장치는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하단에 마련되는 증착원과, 상기 챔버 내부의 상단에 구비되는 척과, 상기 척의 하측에 밀착 구비되는 히트싱크와, 상기 히트싱크 하측에 밀착 구비되며, 상기 증착원과 소정간격 이격되는 기판과, 상기 기판 하측에 소정패턴이 형성되어 마련된 증착 마스크를 구비한다.
이에 따라, 증착장치의 증착원 내에서 발생되는 열에 의한 기판 및 증착 마스크 변형문제 등을 방지할 수 있다.
히트싱크, 증착원, 기판, 증착 마스크

Description

증착장치{Deposition apparatus}
도 1은 종래기술에 따른 증착장치의 사시도.
도 2는 도 1의 Ⅰ- Ⅰ' 에 따른 증착장치의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 증착장치의 사시도.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ' 에 따른 증착장치의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 히트싱크의 제1 실시 예를 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 히트싱크의 제2 실시 예를 도시한 도면.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
210 : 챔버 220 : 척
230 : 자석 240 : 히트싱크
250 : 기판 260 : 증착 마스크
270 : 증착원
본 발명은 증착장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착장치 내에 히트싱크가 구비된 척을 포함하는 증착 장치에 관한 것이다.
일반적인 유기 전계발광 디스플레이 장치에 구비되는 유기 전계발광 소자에는 서로 대향된 전극들 사이에 적어도 발광층을 포함하는 중간층이 된다. 상기 중간층에는 다양한 층들이 구비될 수 있는 바, 예컨대 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등을 들 수 있다. 유기 전계발광 소자의 경우, 이러한 중간층들은 유기물로 형성된 유기 박막들이다.
상기와 같은 구성을 가지는 유기 전계 발광소자를 제조하는 과정에서, 기판 상에 형성되는 홀 주입층, 홀수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등의 유기 박막들은 증착 장치를 이용하여 증착(deposition)의 방법에 의해 형성될 수 있다.
특히, 기판이 대형화되는 추세하에서, 양호한 스텝 커버리지와 균일도를 갖는 유기물층을 기판 상에 형성하기 위하여 증착원이 진공챔버 내에서 수직 상하방향으로 이동하면서 정지되어 있는 기판에 유기물질을 증발시킴으로써 형성되는 유기기상물질을 분사하는 수직 이동형 유기물 증착장치가 개발되었다.
상기 증착 방법은 일반적으로 진공 챔버 내에 기판을 장착한 후, 증착될 물질을 담은 가열 용기를 가열하여 그 내부의 증착될 물질을 증발 또는 승화시킴으로써 박막을 제작한다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래의 증착장치를 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래기술에 따른 증착장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ- Ⅰ' 에 따른 증착장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 증착장치(100)는 챔버(110) 상단에 자석(130), 기 판(140) 및 증착 마스크(150)를 지지해 주는 척(120)과 상기 챔버(110) 하단에 상기 기판(140)에 증착하고자 하는 면과 소정간격 이격되어 위치하는 증착원(160)이 구비된다.
이와 같은 종래의 증착장비는 증착원 내에서는 250℃ 내지 1000℃ 정도의 온도범위에서 증착물질을 가열한 후 상기 증착물질이 증발 또는 승화되어 상기 기판 상에 증착된다.
그러나 이와 같은 박막증착 공정은 증착원 내에서 발생된 열로 인하여 기판 및 증착 마스크 상에 열이 전도되어, 기판과 증착 마스크의 처짐 및 변형 현상을 야기시킨다. 또한, 증착 마스크 상에 형성된 패턴이 변형되어, 기판 상에 형성될 박막의 패턴 변형의 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 증착장치를 내에 히트싱크를 형성하여, 증착원 내에서 발생된 열로 인한 기판 및 증착 마스크의 처짐 및 변형을 방지할 수 있는 증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 증착장치는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하단에 마련되는 증착원과, 상기 챔버 내부의 상단에 구비되는 척과, 상기 척의 하측에 밀착 구비되는 히트싱크와, 상기 히트싱크 하측에 밀착 구비되며, 상기 증착원과 소정간격 이격되는 기판과, 상기 기판 하측에 소정패턴이 형성되어 마련된 증착 마스크를 구비한다.
바람직하게, 상기 히트싱크는 상기 기판과 정합되는 열전도용 기판, 상기 열전도용 기판에 밀착 구비되는 열방출용 핀으로 형성되며, 상기 열방출용 핀 상부에 열방출용 기판이 더 구비된다. 상기 열방출용 핀은 구리로 형성된다.
이하에서는, 본 발명의 실시 예들을 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 증착장치의 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ' 에 따른 증착장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 증착장치(200)는 챔버(210)와, 상기 챔버(210) 내부의 하단에 마련되어 그 내부에 증발물질이 증발되는 증착원(270)과, 상기 챔버(210) 내부의 상단에 구비되는 척(220)과, 상기 척(220)의 하측에 밀착 구비되는 자석(230)과, 상기 자석(230) 하측에 밀착 구비되는 히트싱크(240)와, 상기 히트싱크(240) 하측에 밀착 구비되며, 상기 증착원(270)과 소정간격 이격되어 상기 증착원(270)에서 증발되는 증발물질이 증착되는 기판(250)과, 상기 기판(250) 하측에 소정패턴이 형성되어 마련된 증착 마스크(260)를 구비한다.
상기 챔버(210)는 진공을 유지할 수 있도록 외부 환경과 분리되도록 밀폐된다. 상기 챔버(210)는 내부의 공기 또는 기체를 배기할 수 있는 진공펌프를 포함하는 배기구가 소정영역에 부착될 수 있다.
상기 척(220)은 상기 챔버(210)의 상단에 설치되며, 상기 자석(230), 상기 히트싱크(240), 상기 기판(250) 및 상기 증착 마스크(260)가 하단에 구비되어 플래튼(platen) 형상으로 형성된다. 이때, 상기 자석(230), 상기 히트싱크(240), 상기 기판(250) 및 상기 증착 마스크(260)는 고정핀(미도시) 또는 클램프(미도시) 등에 의해 연결된다. 또한, 상기 척(220) 하측에 구비된 결과물들은 상기 챔버(210) 하단에 형성된 상기 증착원(270)과 대향되게 형성된다. 상기 척(220)은 회전 수단에 의해 상기 기판(250)을 360˚ 회전시킬 수 있다. 이에 따라, 후술 될 상기 증착원(270)에서 증발된 증착물질이 상기 기판(250)의 하부의 전 영역에 균일하게 증발된다.
상기 자석(230)은 상기 척(220)의 하측에 밀착 구비된다. 상기 자석(230)은 금속으로 형성된 상기 증착 마스크(260)를 상기 기판(250) 상에 밀착시키기 위한 수단으로, 상기 기판(250)과 상기 증착 마스크(260)의 밀착특성을 향상시킨다.
한편, 상기 히트싱크(240)는 상기 자석(230)의 하측 면에 상기 기판(250)과 대략 동일한 사이즈로 형성되어 설치된다. 상기 히트싱크(240)는 상기 자석(230) 및 기판(250)에 설치된 고정핀(미도시) 또는 클램프(미도시)로 연결되며, 상기 기판(250)과의 밀착특성을 더욱 향상시키기 위해 상기 자석(230) 및 기판(250)의 일 영역에 납땜한다. 이와 같이 상기 히트싱크(240)는 상기 기판(250)과의 밀착특성이 향상됨으로써 상기 기판(250)으로부터 발생하는 열을 보다 많이 흡수할 수 있다. 즉, 상기 히트싱크(240)는 열전달 표면적을 넓게 형성하여 상기 기판(250)에 접촉되어, 상기 기판(250)에 발생된 열을 상기 자석(230) 및 상기 척(220)을 통해 외부로 방출시킨다.
또한, 상기 히트싱크(240)의 열방출용 핀(미도시)은 구리로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 통상적으로 사용되는 알류미늄 보다 구리의 열 전도율이 상대적으로 높기 때문에 방열효율을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다.
이에 따라, 상기 챔버(210) 하단에 마련된 상기 증착원(270)의 증착물질을 가열할 때 발생되는 열로 인한 상기 기판(250) 및 상기 증착 마스크(260)의 처짐 및 패턴 변형 현상을 보다 효율적으로 방지한다. 더 나아가 상기 증착 마스크(260)의 패턴 변형문제가 해결되어 상기 기판(250) 상에 정확한 형태의 증착막을 형성시킨다.
상기 기판(250)은 상기 히트싱크(240)의 하측 면에 구비된다. 상기 기판(250)은 상기 증착원(270)과 소정간격 이격되어 상기 증착원(270)에서 증발되는 증착물질이 증착된다.
상기 증착 마스크(260)는 상기 기판(250) 하측 면에 밀착 구비되며, 상기 증착 마스크(260)는 상기 기판(250) 상에 증착하고자 하는 패턴의 슬릿이 형성되어 있다. 상기 증착 마스크(260)의 표면은 상기 챔버(210)의 하측에 형성된 상기 증착원(270)과 대향되어, 상기 증착원(270)의 증착물질이 가열되어 상기 기판(250) 상에 분사될때, 상기 증착 마스크(260) 패턴의 사이사이로 노출된 상기 기판(250)에 증착되어진다.
상기 증착원(270)은 일반적으로, 증착재료를 수용하는 증착원 내에 전류가 인가되어, 그 내부에 증착 재료가 증발원의 벽으로 부터의 방사열 및 벽과의 접촉으로 부터 발생된 전도열을 통하여 가열된다. 상기 가열된 증착재료는 증착원(270) 상부에 개방된 홀을 통해 분산된다. 이처럼, 상기 증착원(270)은 가열된 유기 증착물질이 상기 기판(250)의 표면으로 분사되어 상기 기판(250) 표면 상에 증착하고자 하는 패턴의 증착막으로 형성된다. 또한, 상기 증착원(270)은 상기 유기 증착물질을 상기 기판(250) 표면에 균일하게 증착시키기 위해서 대칭 구조의 다중 증착원으로 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따른 히트싱크의 제1 실시 예를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 히트싱크(240)는 구리로 압출로 제작되어 직사각형 모양의 단면을 가진 열방출용 핀(fin)으로 성형된다. 이러한 열방출용 핀은 하나의 구성요소가 다음 구성 요소와 주름 피치의 반 만큼 엇물리게 배열된다. 상기 핀은 완전한 핀 조립체 예컨대 주름형상(243:corrugation), 벌집모양(honey comb), 꾸불꾸불한 모양 및 톱니형상(saw-tooth)으로 구성된 핀 조립체를 두꺼운 하부 기판(241) 위에 얹어, 접착제 납땜, 브레이징 또는 다른 방법을 이용하여 상부 기판(242)과 하부 기판(241) 사이에 접착된다. 또한, 상기 히트싱크(240)의 상부 기판(242) 및 하부 기판(241) 상에는 개구부가 형성될 수 있다.
상기 히트싱크(240)의 원리는 상기 핀 조립체가 예컨대, 긴 주름 형상으로 형성됨으로써 핀의 수가 증가하여 열전달 표면적을 증가시켜 열을 외부로 방출시키는 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 히트싱크의 제2 실시 예를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 히트싱크(340)는 구리로 이루어진 열방출용 핀을 여러 개의 토막으로 직각 방향으로 구획 절단하여 형성된다. 상기 열방출용 핀(341)의 구성 요소의 길이 방향을 따라 가면서 교대로 좌우 임의대로 정해진 각도로 굴절시킨다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 물론이다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 증발장치는 챔버 내에 발생된 열 및 기판 상에 발생된 열을 외부로 방출시키는 히트싱크가 구비되어, 증착원 내에서 발생되는 열에 의한 기판 및 증착 마스크 변형문제 등을 방지할 수 있다. 또한, 증착 마스크 패턴 변형문제를 방지할 수 있음으로써, 정확한 패턴을 갖는 박막층을 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내부의 하단에 마련되는 증착원과,
    상기 챔버 내부의 상단에 구비되는 척과,
    상기 척의 하측에 밀착 구비되는 히트싱크와,
    상기 히트싱크 하측에 밀착 구비되며, 상기 증착원과 소정간격 이격되는 기판과,
    상기 기판 하측에 소정패턴이 형성되어 마련된 증착 마스크를 구비하는 증착장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 히트싱크는
    상기 기판과 정합되는 열전도용 기판,
    상기 열전도용 기판에 밀착 구비되는 열방출용 핀으로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 열방출용 핀 상부에 열방출용 기판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 열방출용 핀은 구리로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  5. 제2 항에 있어서, 상기 열방출용 핀은 주름형상, 벌집모양 또는 톱니형상 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 증착장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 히트싱크 일면에 자석이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 증착 마스크는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 증착장치.
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050047940A (ko) * 2003-11-18 2005-05-23 삼성에스디아이 주식회사 증발원

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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