KR100697043B1

KR100697043B1 - Apparatus and method for etching an edge of a substrate

Info

Publication number: KR100697043B1
Application number: KR1020050133120A
Authority: KR
Inventors: 백성신; 최용남
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2005-12-29
Filing date: 2005-12-29
Publication date: 2007-03-20

Abstract

An apparatus and a method for etching an edge of a substrate are provided to control easily a slope of an etched layer at an interface between a center region of a wafer and an edge region in a wafer etching process. A substrate is loaded on a supporting member(100). An etch gas supply member(240) is used for supplying an etch gas from a center region of the substrate loaded on the supporting member to an edge region. A driver(400) is used for rotating the substrate loaded on the supporting member. A slope control member(500) is used for controlling a slope of an etched layer at an interface between the center region and the edge region of the substrate.

Description

Apparatus and method for etching the edge of a substrate {APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING AN EDGE OF A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가장자리 식각 장치를 개략적으로 보여주는 사시도;1 is a perspective view schematically showing a substrate edge etching apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 장치의 종단면도;2 is a longitudinal sectional view of the device of FIG. 1;

도 3은 도 2의 장치에서 식각가스와 차단가스의 흐름 경로를 보여주는 도면; 3 is a view illustrating a flow path of an etching gas and a blocking gas in the apparatus of FIG. 2;

도 4a와 도 4b는 웨이퍼의 회전속도와 식각되는 막질의 경사도 간의 관계를 개략적으로 보여주는 도면, 그리고4A and 4B schematically show the relationship between the rotational speed of a wafer and the inclination of the film quality to be etched; and

도 5는 경사 제어 부재의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.5 is a view schematically showing the configuration of the tilt control member.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 지지부재 200 : 가스 공급 유닛100: support member 200: gas supply unit

220 : 하우징 240 : 식각가스 공급부재220: housing 240: etching gas supply member

260 : 차단가스 공급부재 300 : 플라즈마 발생 유닛260: blocking gas supply member 300: plasma generating unit

320 : 하부전극 340 : 상부전극320: lower electrode 340: upper electrode

380 : 유전판 400 : 구동기380: dielectric plate 400: driver

500 : 경사 조절 부재 520 : 데이터부500: inclination adjustment member 520: data portion

580 : 제어부580: control unit

본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판의 가장자리를 식각하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for etching an edge of a substrate.

일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer) 상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성되고, 이후에 웨이퍼 상에 잔류하는 포토레지스트가 제거된다. 상술한 공정들이 수행되는 웨이퍼의 상부면 가장자리부 또는 하부면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 웨이퍼의 가장자리부가 파지된 채로 이송시 이들 이물질들은 웨이퍼로부터 이탈되어 비산하여 설비를 오염시키고 후속공정에서 파티클로 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리부에 형성된 막 또는 이물질을 식각하는 공정이 필요하다.In general, a plurality of films such as a polycrystalline film, an oxide film, a nitride film, and a metal film are deposited on a wafer used as a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing process. The photoresist film is coated on the film, and the pattern drawn on the photomask by the exposure process is transferred to the photoresist film. Thereafter, a desired pattern is formed on the wafer by an etching process, and then the photoresist remaining on the wafer is removed. Unnecessary foreign substances such as various films or photoresist remain on the upper edge or lower surface of the wafer on which the above-described processes are performed. When transported while the edges of the wafer are gripped, these debris are dislodged and scattered from the wafer, contaminating the equipment and acting as particles in subsequent processes. Therefore, a process of etching the film or foreign matter formed on the edge of the wafer is required.

종래에는 웨이퍼 가장자리부를 식각하기 위해 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면 중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리부를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배스에 담그는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정 을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다. Conventionally, in order to etch the edge of the wafer, a portion of the upper surface of the patterned wafer except for the edge of the wafer to be etched is protected with a protective solution or a mask, followed by spraying the etching solution over the entire wafer, or immersing the wafer in an etch-filled bath. This was mainly used. However, this method has a process of protecting the portions formed with the pattern portion with a protective solution or a mask and removing them again after etching, which takes a long time and consumes a large amount of the etchant.

또한, 최근에는 식각 가스로부터 발생된 플라즈마를 사용하여 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 건식 식각 장치가 많이 사용되고 있다. 일반적으로 사용되고 있는 건식 식각 장치는 플라즈마를 노즐로부터 웨이퍼의 가장자리부 영역으로 직접 공급하여 공정을 수행하는 구조이므로, 웨이퍼 중앙부 영역과 가장자리부 영역간 경계 위치에서 식각되는 막질의 경사도를 조절하기가 어렵다.In recent years, many dry etching apparatuses are used to etch edges of wafers using plasma generated from etching gases. In general, the dry etching apparatus used is a structure in which a process is performed by directly supplying plasma from a nozzle to an edge region of a wafer, and thus, it is difficult to control the inclination of the film quality etched at the boundary position between the wafer central region and the edge region.

또한, 웨이퍼 상에서 플라즈마를 직접 발생시켜 식각 공정을 수행하는 장치가 개발되고 있다. 플라즈마가 발생되는 영역으로 외부의 공기 등이 유입되면 플라즈마가 불안정화되어 공정 효율이 저하된다. 특히, 최근에는 설비의 간소화를 위해 상압에서 공정을 수행하는 장치가 많이 사용되고 있다. 이 경우 장치는 공기 중에 노출되어 있으므로, 플라즈마 발생 영역으로 공기가 유입되는 상술한 문제는 더욱 커진다.In addition, an apparatus for performing an etching process by directly generating a plasma on a wafer has been developed. If outside air or the like flows into the region where the plasma is generated, the plasma becomes unstable and the process efficiency is lowered. In particular, in recent years, a device for performing a process at atmospheric pressure has been frequently used to simplify a facility. In this case, since the apparatus is exposed to air, the above-described problem of introducing air into the plasma generating region is further increased.

본 발명은 기판의 가장자리부 영역 식각을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate edge etching apparatus and method capable of efficiently performing edge region etching of a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역부와 기판의 중앙부 영역의 경계 지점에서 막질이 원하는 경사도를 가지도록 기판의 가장자리부를 식각할 수 있는 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate edge etching apparatus and method capable of etching the edge of the substrate so that the film quality has a desired inclination at the boundary between the edge region of the substrate and the central region of the substrate.

또한, 본 발명은 상압에서 플라즈마를 발생시켜 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 발생 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있는 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate edge etching apparatus and method that can generate a plasma at atmospheric pressure to prevent outside air from entering the plasma generating region during the process.

본 발명은 기판의 가장자리를 식각하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 장치는 기판이 놓이는 지지부재, 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 흐르도록 식각가스를 공급하는 식각가스 공급부재, 상기 지지부재에 놓여진 기판을 회전시키는 구동기, 그리고 상기 기판의 중앙부와 가장자리부의 경계 영역에서 식각되는 막질의 경사를 제어하는 경사 제어 부재를 포함한다. The present invention provides an apparatus for etching the edge of a substrate. According to an embodiment of the present invention, the apparatus includes a support member on which a substrate is placed, an etching gas supply member for supplying etching gas to flow from a central region of the substrate on the support member to an edge region, and a substrate placed on the support member. And an inclination control member for controlling the inclination of the film quality etched in the boundary region between the center portion and the edge portion of the substrate.

일 예에 의하면, 상기 경사 제어 부재는 요구되는 상기 막질의 경사와 대응되는 속도로 기판이 회전되도록 상기 구동기를 제어하는 제어부를 포함한다. According to one example, the inclination control member includes a control unit for controlling the driver to rotate the substrate at a speed corresponding to the inclination of the film quality required.

다른 예에 의하면, 상기 경사 제어 부재는 상기 막질의 경사와 상기 기판의 회전 속도 간의 상관 관계에 관한 데이터들을 저장하는 데이터부와 상기 데이터부에 저장된 데이터에 근거하여 기판의 회전속도가 조절되도록 상기 구동기를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가장자리 식각 장치.In another example, the inclination control member may be configured such that the driver adjusts the rotational speed of the substrate based on a data portion storing data relating to a correlation between the inclination of the film and the rotational speed of the substrate and the data stored in the data portion. Substrate edge etching apparatus comprising a control unit for controlling.

본 발명의 일 특징에 의하면, 상기 장치에는 상기 지지부재에 놓인 기판의 상부에 위치되는 하우징이 제공되고, 상기 식각가스 공급부재는 상기 하우징의 중앙부 영역에 제공되며 상기 지지부재에 놓인 기판과 상기 하우징 사이에 제공된 공간으로 식각가스를 공급하는 식각가스 공급라인을 포함한다. According to one aspect of the invention, the apparatus is provided with a housing located on top of the substrate placed on the support member, the etching gas supply member is provided in the central region of the housing and the substrate and the housing placed on the support member It includes an etching gas supply line for supplying the etching gas to the space provided between.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 장치에는 상기 기판의 가장자리 영역에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛이 제공되고, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 하우징에 설치되는 상부 전극, 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 지지부재에 제공된 하부 전극, 상기 상부 전극 아래에 배치되는 유전판, 그리고 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함한다. According to another feature of the invention, the apparatus is provided with a plasma generating unit for generating a plasma from the etching gas in the edge region of the substrate, the plasma generating unit to correspond to the edge region of the substrate placed on the support member Power to an upper electrode installed in the housing, a lower electrode provided on the support member so as to correspond to an edge region of the substrate on the support member, a dielectric plate disposed below the upper electrode, and the upper electrode or the lower electrode; It includes a power supply for supplying.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 장치에는 외부의 공기가 플라즈마가 발생되는 공간으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 둘레에 차단막을 형성하는 차단가스를 공급하는 차단가스 공급부재가 제공되며, 상기 차단가스 공급부재는 상기 하우징의 가장자리부 영역에 제공되며 상기 지지부재에 놓인 기판을 감싸도록 차단가스를 공급하는 차단가스 공급라인을 포함한다.According to another feature of the invention, the apparatus is provided with a blocking gas supply member for supplying a blocking gas for forming a blocking film around the substrate to prevent the outside air from entering the space where the plasma is generated, The cutoff gas supply member may include a cutoff gas supply line provided at an edge portion of the housing and supplying a cutoff gas to surround the substrate placed on the support member.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 장치는 기판이 놓이는 지지부재, 공정 진행시 상기 지지부재에 놓인 기판의 상부에 위치되며 내부에 상기 기판의 중앙부 영역에서 가장자리 영역으로 흐르도록 상기 기판으로 식각가스를 공급하는 식각가스 공급라인이 제공된 하우징을 가지는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 기판의 가장자리 영역에서 식각 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함한다. 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 하우징에 설치되는 상부 전극, 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 지지부재에 제공된 하부 전극, 상기 상부 전극 아래에 배치되는 유전판, 그리고 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함한다. According to another embodiment of the present invention, the apparatus is a support member on which a substrate is placed, the process gas is located on top of the substrate placed on the support member and the etching gas to the substrate therein to flow from the central region to the edge region of the substrate therein And a gas supply unit having a housing provided with an etching gas supply line for supplying a gas, and a plasma generating unit for generating a plasma from the etching gas in an edge region of the substrate. The plasma generating unit includes an upper electrode installed in the housing so as to correspond to an edge region of the substrate placed on the support member, a lower electrode provided to the support member so as to correspond to an edge region of the substrate placed on the support member; A dielectric plate disposed below the upper electrode, and a power supply for supplying power to the upper electrode or the lower electrode.

상기 기판 가장자리 식각 장치에는 상기 지지부재 상에 놓여진 기판을 회전시키는 구동기가 더 제공될 수 있다. The substrate edge etching device may be further provided with a driver for rotating the substrate placed on the support member.

또한, 본 발명은 기판의 가장자리를 식각하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 본 발명의 방법에 의하면, 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 흐르도록 기판 상으로 식각 가스를 공급하고 상기 기판을 회전시키면서 공정을 수행하되, 상기 기판의 회전속도를 조절함으로써 상기 기판의 중앙부 영역과 가장자리부 영역의 경계에서 식각되는 막질의 경사도를 조절한다. The present invention also provides a method of etching the edge of a substrate. According to one embodiment, according to the method of the present invention, by supplying an etching gas on the substrate to flow from the central region to the edge region of the substrate and performing the process while rotating the substrate, by adjusting the rotational speed of the substrate The inclination of the film quality etched at the boundary between the central region and the edge region of the substrate is adjusted.

일 예에 의하면, 공정 진행 전에 상기 기판의 중앙부 영역과 가장자리 영역의 경계에서 식각되는 막질의 경사와 기판의 회전 속도 간의 상관 관계에 대한 데이터들을 저장하고, 상기 데이터들에 근거하여 공정 진행시 요구되는 상기 막질의 경사에 따라 이에 대응되는 회전속도로 상기 기판을 회전시킨다. According to an example, before the process proceeds, data about the correlation between the inclination of the film etched at the boundary between the center region and the edge region of the substrate and the rotational speed of the substrate may be stored, and based on the data, The substrate is rotated at a rotation speed corresponding to the inclination of the film.

일 예에 의하면, 방법은 상압 상태에서 상기 기판의 가장자리 영역에서 플라즈마를 발생시켜 공정을 수행한다. In one example, the method performs the process by generating a plasma in the edge region of the substrate at atmospheric pressure.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하면서 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

아래의 실시예에서는 웨이퍼와 같은 기판을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 식각 장치 외에 증착 장치 등과 같이 플라즈마를 발생시켜 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. 특히, 본 발명의 기술적 사상은 상압에서 공정을 수행하는 장치에 더욱 유용하게 적용될 수 있다. In the following embodiment, an apparatus for etching a substrate such as a wafer will be described as an example. However, the technical idea of the present invention can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process by generating a plasma such as a deposition apparatus in addition to an etching apparatus. In particular, the technical idea of the present invention may be more usefully applied to an apparatus for performing a process at atmospheric pressure.

아래의 실시예에서 웨이퍼의 중앙부 영역은 회로패턴이 형성된 부분으로 식각을 요구하지 않은 영역이고, 웨이퍼의 가장자리부 영역은 웨이퍼 중앙부 영역을 감싸는 부분으로 본 발명의 장치를 사용하여 식각이 이루어지는 영역이다.In the following embodiment, the center region of the wafer is a portion in which a circuit pattern is formed and does not require etching, and the edge region of the wafer is a region surrounding the center region of the wafer and is etched using the apparatus of the present invention.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(10)를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 1의 기판 처리 장치(10)는 상압에서 웨이퍼(W)와 같은 기판의 가장자리부 영역 전체에서 막질을 제거하는 가장자리 식각 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 지지부재(100), 가스 공급 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(300), 구동기(400), 그리고 경사 제어 부재(500)를 가진다. 지지부재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지한다. 가스 공급 유닛(200)은 식각가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)를 가진다. 식각가스 공급부재(240)는 웨이퍼 가장자리 영역에서 박막을 제거하기 위해 웨이퍼(W)로 식각가스를 공급한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 웨이퍼 가장자리 영역 상부에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 차단가스 공급부재(260)는 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸도록 차단가스를 공급하며, 차단가스는 외부의 공기가 플라즈마 발생영역(도 3의 'A' 영역)으로 유입되는 것을 방지하는 차단막을 형성한다. 구동기(400)는 공정 진행 중 웨이퍼(W를 회전시킨다. 경사 제어 부 재(500)는 웨이퍼(W)의 가장자리 식각시 웨이퍼(W)의 중앙부 영역과 웨이퍼(W)의 가장자리부 영역의 경계 위치에서 식각되는 막질이 원하는 경사도를 가지도록 구동기(400)를 제어한다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus 10 of the present invention. The substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 performs an edge etching process of removing film quality from the entire edge region of the substrate such as the wafer W at normal pressure. The substrate processing apparatus 10 includes a support member 100, a gas supply unit 200, a plasma generation unit 300, a driver 400, and an inclination control member 500. The support member 100 supports the wafer W during the process. The gas supply unit 200 has an etching gas supply member 240 and a cutoff gas supply member 260. The etching gas supply member 240 supplies the etching gas to the wafer W to remove the thin film from the wafer edge region. The plasma generating unit 300 generates a plasma from the etching gas above the wafer edge region. The blocking gas supply member 260 supplies a blocking gas to surround the outer periphery of the wafer W, and the blocking gas prevents external air from entering the plasma generation region (the 'A' region of FIG. 3). To form. The driver 400 rotates the wafer W while the process is in progress. The inclination control part 500 is a boundary position between the center region of the wafer W and the edge region of the wafer W when the edge of the wafer W is etched. The driver 400 is controlled so that the film quality etched in has a desired inclination.

이하, 상술한 구성요소들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the above-described components will be described in detail.

도 1을 참조하면, 지지부재(100)는 대체로 원판 형상으로 제공되며 평평한 상면을 가지는 지지판(120)을 가진다. 지지판(120)은 공정 진행 중 웨이퍼(W)의 저면을 지지하는 복수의 지지 핀들(122)과 공정 진행 중 웨이퍼(W)가 지지부재(100)로부터 이탈되지 않도록 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 척킹 핀들(도시되지 않음)을 구비하여, 지지부재(100)는 기계적 메커니즘에 의해 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 선택적으로 지지부재(100)는 정전척을 구비하여 정전기력으로 웨이퍼(W)를 고정하거나 내부에 진공라인을 구비하여 진공흡착 방식으로 웨이퍼(W)를 고정할 수 있다. Referring to FIG. 1, the support member 100 is generally provided in a disc shape and has a support plate 120 having a flat top surface. The support plate 120 supports a plurality of support pins 122 that support the bottom surface of the wafer W during the process and a side surface of the wafer W so that the wafer W is not separated from the support member 100 during the process. With the chucking pins (not shown), the support member 100 may support the wafer W during the process by a mechanical mechanism. Optionally, the support member 100 may include an electrostatic chuck to fix the wafer W with electrostatic force or a vacuum line therein to fix the wafer W in a vacuum suction method.

상술한 지지부재(100) 둘레에는 용기(180)가 배치된다. 용기(180)는 상부가 개방되고 지지부재(100)가 놓이는 공간을 가지는 컵 형상을 가진다. 용기(180)의 저면에는 공정 진행시 발생된 파티클 및 공정 진행에 사용된 가스 등이 배기되는 배기관(182)이 제공된다. 배기관(182)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 대응되도록 환형의 링 형상으로 제공되어, 용기(180) 내 가스의 흐름이 대체로 위에서 아래 방향으로 형성되도록 한다.The container 180 is disposed around the support member 100 described above. The container 180 has a cup shape having an upper portion and a space in which the support member 100 is placed. The bottom surface of the container 180 is provided with an exhaust pipe 182 through which particles generated during the process and gas used in the process are exhausted. The exhaust pipe 182 is provided in an annular ring shape so as to correspond to the edge region of the wafer W, so that the flow of gas in the container 180 is generally formed from the top to the bottom.

공정 진행 중 웨이퍼(W)가 회전되도록 지지판(120)은 구동기(400)에 의해 회전되는 회전축(140)에 결합된다. 예컨대, 구동기(400)로는 모터가 사용될 수 있다. 또한, 구동기(400)는 회전축(140)을 상하로 이동시킨다. 지지판(120)은 웨이퍼(W)가 지지판(120)에 로딩/언로딩 될 때에는 지지판(120)의 상면이 용기(180)의 상부로 노출되도록 위 방향으로 이동되고, 공정 진행시에는 용기(180) 내에 위치되도록 아래 방향으로 이동된다. The support plate 120 is coupled to the rotating shaft 140 rotated by the driver 400 so that the wafer W is rotated during the process. For example, a motor may be used as the driver 400. In addition, the driver 400 moves the rotation shaft 140 up and down. The support plate 120 is moved upwards so that the upper surface of the support plate 120 is exposed to the upper portion of the container 180 when the wafer W is loaded / unloaded onto the support plate 120. Is moved downward so that

가스 공급 유닛(200)은 하우징(220), 식각가스 공급부재(240), 차단가스 공급부재(260), 그리고 이동부재(280)를 가진다. 하우징(220)은 원통 형상을 가지며 절연 재질로 이루어진다. 하우징(220)의 하부면은 웨이퍼(W)의 지름보다 조금 큰 지름을 가진다. 하우징(220)은 이동부재(280)에 의해 상하 이동 또는 회전 가능한 구조를 가진다. 이동부재(280)는 하우징(220)에 고정결합된 수평로드(282)와 이를 상하 이동 또는 회전시키는 수직로드(284)를 가진다. 수평로드(282)의 일단은 하우징(220)의 상부면에 고정결합되고, 수평로드(282)의 타단에는 수직로드(284)가 결합된다. 수직로드(284)는 유공압 실린더나 모터 등과 같은 구동기(도시되지 않음)에 의해 회전 또는 수직이동될 수 있다. 하우징(220)은 웨이퍼(W)가 지지판(120)에 로딩/언로딩 될 때에는 용기(180)의 상부로부터 벗어나도록 위치되고, 공정 진행 중에는 웨이퍼(W)의 상부에 배치되도록 위치된다. The gas supply unit 200 has a housing 220, an etching gas supply member 240, a cutoff gas supply member 260, and a moving member 280. The housing 220 has a cylindrical shape and is made of an insulating material. The lower surface of the housing 220 has a diameter slightly larger than the diameter of the wafer (W). The housing 220 has a structure capable of vertically moving or rotating by the moving member 280. The moving member 280 has a horizontal rod 282 fixedly coupled to the housing 220 and a vertical rod 284 that vertically moves or rotates it. One end of the horizontal rod 282 is fixedly coupled to the upper surface of the housing 220, the other end of the horizontal rod 282 is coupled to the vertical rod 284. The vertical rod 284 may be rotated or vertically moved by a driver (not shown) such as a hydraulic cylinder or a motor. The housing 220 is positioned to deviate from the top of the container 180 when the wafer W is loaded / unloaded onto the support plate 120, and is disposed to be disposed on the top of the wafer W during the process.

도 2는 도 1의 장치의 종단면도이다. 도 2를 참조하면, 식각가스 공급부재(240)는 식각가스 공급라인(242)과 식각가스 공급관(244)을 가진다. 식각가스 공급라인(242)은 하우징(220)의 중심부에 대체로 상하로 수직한 방향으로 형성된다. 식각가스 공급관(244)은 식각가스 공급라인(242)과 연결되며 외부에 제공된 식각가스 저장부(도시되지 않음)로부터 식각가스 공급라인(242)으로 식각가스를 공급한다. 식각가스 공급관(244)에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(244a)가 설치된다. 식각가스로는 C₂F₈, CF₄, SF₆, NF₃, 또는 CHF₃ 등과 같이 불소 성분을 포함하는 가스가 사용될 수 있다. 식각가스 공급라인(242)의 끝단은 웨이퍼(W)와 수직하게 형성될 수 있으며, 선택적으로 웨이퍼(W)의 중심에서 일정각도 기울어지도록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 식각가스 공급라인(242)으로부터 분사된 식각가스는 웨이퍼(W)의 중앙부 영역에서 가장자리부 영역으로 흐른다. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the device of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the etching gas supply member 240 has an etching gas supply line 242 and an etching gas supply pipe 244. The etching gas supply line 242 is formed in a direction perpendicular to the center of the housing 220 in a vertical direction. The etching gas supply pipe 244 is connected to the etching gas supply line 242 and supplies the etching gas to the etching gas supply line 242 from an etching gas storage unit (not shown) provided outside. The etching gas supply pipe 244 is provided with an on-off valve or a flow control valve 244a. As the etching gas, a gas containing a fluorine component such as C ₂ F ₈ , CF ₄ , SF ₆ , NF ₃ , or CHF ₃ may be used. An end of the etching gas supply line 242 may be formed to be perpendicular to the wafer W, and may be provided to be inclined downward so as to be inclined at an angle from the center of the wafer W. The etching gas injected from the etching gas supply line 242 flows from the central region of the wafer W to the edge region.

차단가스 공급부재(260)는 차단가스 공급라인(262)과 차단가스 공급관(264)을 가진다. 차단가스 공급라인(262)은 상부 라인(262a), 하부 라인(262b), 그리고 연결 라인(262c)을 가진다. 상부 라인(262a)은 하우징(220) 내 상부에 대체로 상하 방향으로 수직하게 형성되며 식각가스 공급라인(242)과 인접한 위치에서 이를 감싸도록 링 형상으로 제공된다. 식각가스 공급라인(242)의 둘레에는 상부 라인(262a)과 식각가스 공급라인(242) 사이에 장벽을 형성하기 위해 절연물질로 이루어진 링 형상의 절연부재(270)가 제공된다. 절연부재(270)는 하우징(220) 내에서 식각가스 공급라인(242) 전체를 감싸도록 제공된다. 하부 라인(262b)은 하우징(220) 내 하부에 대체로 상하 방향으로 수직하게 형성된다. 하부 라인(262b)은 웨이퍼(W)의 외주변보다 큰 지름을 가지는 환형의 링 형상으로 제공된다. 연결 라인(262c)은 하우징(220) 내에 대체로 수평 방향으로 형성되며, 상부 라인(262a)의 하단과 하부 라인(262b)의 상단을 연결한다. The blocking gas supply member 260 has a blocking gas supply line 262 and a blocking gas supply pipe 264. The cutoff gas supply line 262 has an upper line 262a, a lower line 262b, and a connection line 262c. The upper line 262a is formed generally vertically in an upper direction in the upper portion of the housing 220 and is provided in a ring shape to surround it at a position adjacent to the etching gas supply line 242. A ring-shaped insulating member 270 made of an insulating material is provided around the etching gas supply line 242 to form a barrier between the upper line 262a and the etching gas supply line 242. The insulating member 270 is provided to surround the entire etching gas supply line 242 in the housing 220. The lower line 262b is formed perpendicular to the lower portion of the housing 220 in the vertical direction. The lower line 262b is provided in an annular ring shape having a diameter larger than the outer periphery of the wafer W. The connection line 262c is generally formed in the housing 220 in a horizontal direction, and connects a lower end of the upper line 262a and an upper end of the lower line 262b.

차단가스 공급관(264)은 차단가스 공급라인(262)과 연결되어 외부에 제공된 차단가스 저장부(도시되지 않음)로부터 차단가스 공급라인(262)으로 차단가스를 공급한다. 차단가스 공급관(264)에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(264a)가 설치된다. 차단가스로는 질소 가스, 아르곤 가스, 또는 헬륨 가스 등과 같은 비활성 가스가 사용된다. The cutoff gas supply pipe 264 is connected to the cutoff gas supply line 262 to supply the cutoff gas to the cutoff gas supply line 262 from a cutoff gas storage unit (not shown) provided outside. The shutoff gas supply pipe 264 is provided with an on-off valve or a flow control valve 264a. As the blocking gas, an inert gas such as nitrogen gas, argon gas, or helium gas is used.

상술한 구조로 인해, 차단가스 공급라인(262)은 공정 진행시 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸도록 위에서 아래를 향하는 방향으로 차단가스를 공급하고, 이로 인해 공정 진행시 웨이퍼(W)의 둘레에는 차단막이 형성된다. 차단막은 공정 진행시 외부의 공기가 웨이퍼(W)와 가스 공급 유닛(200) 사이의 공간(후술하는 플라즈마 형성 영역)으로 유입되는 것을 방지한다.Due to the structure described above, the blocking gas supply line 262 supplies the blocking gas in a direction from top to bottom to cover the outer periphery of the wafer W during the process, and thus the circumference of the wafer W during the process. A blocking film is formed in the. The blocking film prevents external air from entering the space between the wafer W and the gas supply unit 200 (plasma formation region described later) during the process.

플라즈마 발생 유닛(300)은 웨이퍼(W) 가장자리 영역 상부에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 상부 전극(340), 하부 전극(320), 전력 공급기(360), 그리고 유전판(380)을 가진다. 상부 전극(340)은 하우징(220) 내에 링 형상으로 제공되며 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 대응되는 위치에 배치된다. 하부 전극(320)은 지지부재(100)에 링 형상으로 제공되며, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 대응되는 위치에 배치된다. 상부 전극(340)과 하부 전극(320)은 서로 대향되도록 배치된다. 전력 공급기(360)는 상부 전극(340) 또는 하부 전극(320)에 고주파 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전력 공급기(360)는 상부 전극(340)에 라디오 주파수 전력(radio frequency power, RF 전력)을 인가하고, 하부 전극(320)은 접지된다. 상부 전극(340)의 아래에는 유전판(380)이 장착된다. 유전판(380)은 상부 전극(340)과 대향되도록 링 형상을 가지거나 원판 형상을 가질 수 있다. 유전판(380)은 하우징(220)의 저면에 고정되도록 설치될 수 있다. 상술한 구조로 인해, 식각가스는 웨이퍼의 가장자리 영역에서 불소 이온 및 불소 라디칼을 포함하도록 활성화되어 웨이퍼의 가장자리 영역을 식각한다.The plasma generation unit 300 generates a plasma from the etching gas on the wafer W edge region. The plasma generating unit 300 has an upper electrode 340, a lower electrode 320, a power supply 360, and a dielectric plate 380. The upper electrode 340 is provided in a ring shape in the housing 220 and is disposed at a position corresponding to an edge region of the wafer W. The lower electrode 320 is provided in a ring shape to the support member 100 and is disposed at a position corresponding to an edge region of the wafer W. The upper electrode 340 and the lower electrode 320 are disposed to face each other. The power supply 360 applies high frequency power to the upper electrode 340 or the lower electrode 320. According to an example, the power supply 360 applies radio frequency power (RF power) to the upper electrode 340, and the lower electrode 320 is grounded. The dielectric plate 380 is mounted below the upper electrode 340. The dielectric plate 380 may have a ring shape or a disc shape to face the upper electrode 340. The dielectric plate 380 may be installed to be fixed to the bottom of the housing 220. Due to the above-described structure, the etching gas is activated to include fluorine ions and fluorine radicals in the edge region of the wafer to etch the edge region of the wafer.

또한, 가스 공급 유닛(200)은 하우징(220)을 감싸는 통 형상의 커버(290)를 가질 수 있다. 커버(290)는 공정 진행시 용기(180)로 유입되는 공기의 량을 줄이고 가스 공급 유닛(200)을 보호한다. In addition, the gas supply unit 200 may have a cylindrical cover 290 surrounding the housing 220. The cover 290 reduces the amount of air introduced into the container 180 during the process and protects the gas supply unit 200.

도 3은 본 발명의 장치(10)를 사용하여 공정 진행시 식각가스와 차단가스가 흐르는 경로를 보여준다. 도 3에서 실선으로 된 화살표는 차단가스의 흐름 경로이고, 점선으로 된 화살표는 식각가스의 흐름 경로이며, 점선으로 표시된 영역은 플라즈마가 발생되는 영역이다. 3 shows a path through which an etching gas and a blocking gas flow during the process using the apparatus 10 of the present invention. In FIG. 3, the solid arrow indicates the flow path of the blocking gas, the dotted arrow indicates the flow path of the etching gas, and the area indicated by the dotted line indicates the area where the plasma is generated.

도 3을 참조하면, 식각가스는 하우징(220)의 중심에서 수직 아래로 공급된 후, 웨이퍼(W)의 상부에서 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장자리를 향하는 방향으로 흐른다. 식각가스가 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 도달하면, 식각가스로부터 플라즈마가 발생되고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 가장자리가 식각된다. 식각에 사용되고 남은 잔류가스 및 반응 부산물은 용기(180)의 저면에 제공된 배기관(182)을 통해 배출된다. Referring to FIG. 3, the etching gas is supplied vertically downward from the center of the housing 220 and then flows from the center of the wafer W toward the edge at the top of the wafer W. Referring to FIG. When the etching gas reaches the edge region of the wafer W, plasma is generated from the etching gas, whereby the edge of the wafer W is etched. Residual gas and reaction by-products used for etching are discharged through an exhaust pipe 182 provided at the bottom of the vessel 180.

또한, 차단가스는 하우징(220)의 가장자리 영역에 제공된 차단가스 공급라인(262)으로 아래 방향으로 공급된다. 차단가스는 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸는 차단막을 형성하여, 외부의 공기가 플라즈마 발생영역(A)으로 유입되는 것을 방지한다. 따라서 본 발명에 의하면, 상압에서 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 발생영역 (A)으로 유입되어 플라즈마가 불안정해지는 것을 방지할 수 있다. In addition, the blocking gas is supplied downward to the blocking gas supply line 262 provided in the edge region of the housing 220. The blocking gas forms a blocking film surrounding the outer periphery of the wafer W to prevent outside air from entering the plasma generation region A. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent external air from flowing into the plasma generating region A when the process is performed at normal pressure, thereby making the plasma unstable.

상술한 예에서는 식각가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)가 각각 하우징(220) 내에 제공된 식각가스 공급라인(242)과 차단가스 공급라인(262)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 식각가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)는 하우징(220)과 분리된 별도의 노즐로서 제공될 수 있다.In the above-described example, the etching gas supplying member 240 and the blocking gas supplying member 260 have the etching gas supplying line 242 and the blocking gas supplying line 262 provided in the housing 220, respectively. Alternatively, the etching gas supply member 240 and the blocking gas supply member 260 may be provided as separate nozzles separated from the housing 220.

경사 제어 부재(500)는 웨이퍼의 가장자리부 영역과 웨이퍼의 중앙부 영역의 경계에서 식각되는 막질의 경사도를 조절한다. 본 실시에에 의하면, 경사 제어 부재(500)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)의 회전 속도를 제어함으로써, 식각되는 막질의 경사도를 조절한다. 도 4a와 도 4b는 웨이퍼의 회전속도와 식각되는 막질의 경사도 간의 관계를 보여준다. 도 4a는 공정 진행시 웨이퍼가 고속으로 회전될 때 막질의 경사도를 보여주는 도면이고, 도 4b는 도 4a에 비해 공정 진행시 웨이퍼가 저속으로 회전될 때 막질의 경사도를 보여주는 도면이다. 도 4a 및 도 4b에서 화살표의 길이는 식각가스의 상대 흐름 속도를 나타낸다. 도 4a및 도 4b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 저속으로 회전될 때에 비해 고속으로 회전될 때 식각가스의 흐름 속도는 빠르고, 막질의 경사도는 완만해진다. 즉, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 빠를수록 막질의 경사는 완만하고, 웨이퍼의 회전 속도가 느릴수록 막질의 경사는 급하다.The inclination control member 500 adjusts the inclination of the film quality etched at the boundary between the edge region of the wafer and the central region of the wafer. According to this embodiment, the inclination control member 500 controls the inclination of the film quality to be etched by controlling the rotational speed of the wafer W during the process. 4A and 4B show the relationship between the rotational speed of the wafer and the gradient of the film quality to be etched. 4A is a view showing the inclination of the film quality when the wafer is rotated at a high speed during the process, Figure 4b is a view showing the inclination of the film quality when the wafer is rotated at a low speed during the process proceeding compared to FIG. 4A. The lengths of the arrows in FIGS. 4A and 4B indicate the relative flow rates of the etching gas. As shown in FIGS. 4A and 4B, when the wafer W is rotated at a high speed, the flow velocity of the etching gas is high, and the film quality is smoothed. That is, the faster the rotational speed of the wafer W, the slower the film quality. The slower the rotational speed of the wafer, the faster the film quality.

도 5는 도 2의 경사 제어 부재(500)의 구성을 개략적으로 보여준다. 도 5를 참조하면, 경사 제어 부재(500)는 데이터부(520), 입력부(540), 검출부(560), 그리고 제어부(580)를 가진다. 데이터부(520)는 웨이퍼(W)의 회전속도와 각 회전속도로 웨이퍼(W)의 가장자리를 식각하는 공정 진행시 형성되는 막질의 경사도 간의 상관 관계에 관한 데이터들을 저장된다. 각각의 데이터는 실험에 의해 얻어질 수 있다. 선택적으로, 일부 데이터는 실험에 의해 획득되고, 나머지 데이터들은 상술한 일부 데이터들에 근거하여 수치해석 등의 수학적 계산 방법을 이용하여 근사값으로서 획득될 수 있다. 데이터는 막질의 경사도, 식각이 이루어지는 막질의 종류, 막질의 두께, 막질의 수, 사용되는 식각 가스의 종류 및 량, 또는 상부전극(340) 또는 하부전극(320)에 인가되는 전력의 크기 등을 변수로 하여 다양하게 수집되는 것이 바람직하다. 그러나 상술한 변수들 중 막질의 경사도만을 변수로 하고 나머지 변수들은 모두 고정될 수 있다. 여기에서 막질의 경사도는 막질의 경사를 나타내는 직접적인 항목 이외에 막질의 경사를 도출할 수 있는 간접적인 항목을 모두 포함한다.FIG. 5 schematically shows the configuration of the inclination control member 500 of FIG. 2. Referring to FIG. 5, the tilt control member 500 includes a data unit 520, an input unit 540, a detector 560, and a controller 580. The data unit 520 stores data relating to a correlation between the rotational speed of the wafer W and the inclination of the film quality formed during the process of etching the edge of the wafer W at each rotational speed. Each data can be obtained by experiment. Optionally, some data may be obtained by experiment, and the remaining data may be obtained as an approximation using a mathematical calculation method such as numerical analysis based on some data described above. The data includes the inclination of the film, the type of film to be etched, the thickness of the film, the number of films, the type and amount of etching gas used, or the amount of power applied to the upper electrode 340 or the lower electrode 320. It is desirable to collect variously as variables. However, only the inclination of the film quality among the above-described variables may be a variable, and all other variables may be fixed. Here, the slope of the membrane quality includes all of the indirect items from which the slope of the membrane quality can be derived in addition to the direct item representing the slope of the membrane quality.

입력부(540)는 실제 공정 진행시 요구되는 막질의 경사도를 포함하는 변수가 입력되는 부분이고, 검출부(560)는 입력부(540)로부터 입력된 막질의 경사도를 전송받고, 데이터부(520)로부터 이에 대응되는 웨이퍼(W)의 회전속도를 검출한다. 검출부(560)는 데이터부(520)로부터 검출한 회전속도를 제어부(580)로 전송하고, 제어부(580)는 공정 진행시 웨이퍼(W)가 검출된 회전속도로 회전되도록 구동기(400)를 제어한다.The input unit 540 is a portion in which a variable including an inclination of the film quality required during the actual process is input, and the detection unit 560 receives the inclination of the film quality input from the input unit 540, and the data unit 520 receives the inclination of the film quality. The rotation speed of the corresponding wafer W is detected. The detector 560 transmits the rotation speed detected from the data unit 520 to the controller 580, and the controller 580 controls the driver 400 to rotate the wafer W at the detected rotation speed during the process. do.

회전속도는 고정된 특정 값일 수 있다. 이경우 공정진행시 웨이퍼는 동일 회전속도로 계속적으로 회전될 수 있다. 선택적으로 회전속도는 변화되는 값일 수 있다. 이 경우, 공정진행시 웨이퍼는 공정단계에 따라 또는 계속적으로 변화되는 회전속도로 회전될 수 있다.The rotation speed can be a fixed specific value. In this case, the wafer may be continuously rotated at the same rotation speed during the process. Optionally, the rotational speed can be a variable value. In this case, during the process, the wafer may be rotated at a rotational speed that varies continuously or continuously.

상술한 예에서는 경사 제어 부재는 작업자가 막질의 경사도와 같은 변수를 입력하면 자동으로 검색을 수행하고 검색 결과에 따라 제어부(580)가 구동기(400)를 제어하는 구조를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 작업자가 데이터부 등을 참고하여 요구되는 웨이퍼의 회전속도를 직접 입력하고, 경사 제어 부재(500)는 입력된 회전속도에 따라 구동기(400)를 제어하는 제어부(580)만을 구비할 수 있다.In the above-described example, the inclination control member is described as having a structure in which the operator performs a search automatically when the operator inputs a variable such as the inclination of the film quality, and the controller 580 controls the driver 400 according to the search result. However, unlike this, the operator directly inputs the required rotational speed of the wafer with reference to the data unit, and the inclination control member 500 may include only the controller 580 for controlling the driver 400 according to the input rotational speed. Can be.

본 발명에 의하면, 웨이퍼 가장자리를 식각할 때, 웨이퍼의 중앙부 영역과 가장자리부 영역의 경계 지점에서 식각되는 막질의 경사도를 용이하게 조절할 수 있다.According to the present invention, when etching the wafer edge, it is possible to easily adjust the inclination of the film quality etched at the boundary point between the center region and the edge region of the wafer.

또한, 플라즈마를 이용하여 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 발생 영역으로 유입되는 것을 방지하므로 플라즈마가 안정화되고, 이로 인해 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since plasma is prevented from flowing into the plasma generation region during the process, plasma is stabilized, thereby improving process efficiency.

또한, 본 발명에 의하면, 약액을 사용하여 식각 공정을 수행하는 경우에 비해 장치 구성을 간소화할 수 있으며, 약액으로 인한 환경 오염 등을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to simplify the configuration of the device compared to the case of performing the etching process using the chemical liquid, it is possible to prevent environmental pollution due to the chemical liquid.

Claims

In the apparatus for etching the edge of the substrate,

A support member on which the substrate is placed;

An etching gas supply member supplying the etching gas to flow from the central region of the substrate on the support member to the edge region;

A driver for rotating the substrate placed on the support member; And

And an inclination control member for adjusting the inclination of the film quality etched in the boundary region between the center and the edge of the substrate.

The method of claim 1,

The inclination control member includes a control unit for controlling the driver to rotate the substrate at a speed corresponding to the inclination of the film quality of the substrate edge etching apparatus.

The method of claim 1,

The inclination control member,

Data for storing a correlation between the inclination of the film and the rotational speed of the substrate;

And a controller configured to control the driver so that the rotational speed of the substrate is adjusted based on the data stored in the data unit.

The method of claim 1,

The device,

Further comprising a housing located on the upper portion of the substrate placed on the support member,

And the etching gas supply member is provided in a central region of the housing and includes an etching gas supply line for supplying etching gas to a space provided between the substrate placed on the support member and the housing.

The method according to any one of claims 1 to 4,

The apparatus further includes a plasma generating unit for generating a plasma from the etching gas in the edge region of the substrate,

The plasma generating unit,

An upper electrode installed in the housing so as to correspond to an edge region of the substrate on the support member;

A lower electrode provided to the support member so as to correspond to an edge region of the substrate on the support member;

A dielectric plate disposed under the upper electrode; And

And a power supply for supplying power to the upper electrode or the lower electrode.

The method of claim 5,

The apparatus further includes a blocking gas supply member for supplying a blocking gas to form a blocking film around the substrate to prevent outside air from entering the space where the plasma is generated,

And the blocking gas supply member is provided at an edge region of the housing and includes a blocking gas supply line for supplying a blocking gas to surround the substrate placed on the support member.

In the apparatus for etching the edge of the substrate,

A support member on which the substrate is placed;

A gas supply unit which is positioned above the substrate placed on the support member and has a housing provided therein with an etching gas supply line for supplying etching gas to the substrate so as to flow from the central region to the edge region of the substrate; And

A plasma generating unit for generating a plasma from the etching gas in the edge region of the substrate,

The plasma generating unit,

A dielectric plate disposed under the upper electrode; And

The method of claim 7, wherein

The substrate edge etching apparatus further comprises a driver for rotating the substrate placed on the support member.

In the method of etching the edge of the substrate,

The process is performed while supplying an etching gas onto the substrate so as to flow from the center region to the edge region of the substrate and rotating the substrate, and controlling the rotational speed of the substrate to etch at the boundary between the central region and the edge region of the substrate. Etching the substrate edges, characterized in that for adjusting the inclination of the substrate.

The method of claim 9,

Before the process proceeds, data on the correlation between the inclination of the film etched at the boundary between the center region and the edge region of the substrate and the rotational speed of the substrate are stored, and the inclination of the film quality required in the process proceeds based on the data. The substrate edge etching method, characterized in that for rotating the substrate at a rotation speed corresponding thereto.

The method according to claim 9 or 10,

The substrate processing method is a substrate edge etching method, characterized in that for performing a process by generating a plasma in the edge region of the substrate at atmospheric pressure.