KR100696556B1 - 봉지기판에 흡습층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및그의 제조방법 - Google Patents

봉지기판에 흡습층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 발광소자가 형성된 소자기판을 구비한다. 상기 소자기판 상부에 봉지기판이 위치하되, 상기 봉지기판은 상기 소자기판을 바라보는 면의 중앙부에 리세스부를 구비한다. 상기 봉지기판의 리세스부에 흡습층이 위치하되, 상기 흡습층은 그의 에지부에 폭이 0.5㎜ 내지 4㎜인 돌출부를 구비한다. 상기 소자기판의 외곽부와 상기 봉지기판의 외곽부 사이에 상기 소자기판과 상기 봉지기판을 결합시키는 실런트가 개재된다.

Description

봉지기판에 흡습층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 {OLED having moisture absorption layer on encapsulation substrate and fabrication method thereof}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화면 상태를 보여주는 사진이고, 도 5는 종래기술에 따른 유기전계발광표시장치의 화면 상태를 보여주는 사진이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
20: 봉지기판 20a: 리세스부
25: 흡습층 25p: 돌출부
30: 소자기판 40: 소자
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 봉지기판에 흡습층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
평판표시장치의 하나인 유기전계발광표시장치는 자발광형 표시장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 아니라, 응답속도가 빠르다는 장점을 갖고 있어 차세대 디스플레이로서 주목받고 있다. 이러한 유기전계발광표시장치는 애노드, 캐소드 및 그들 사이에 개재된 유기발광층을 구비하는 발광소자를 포함하는데, 상기 유기발광층은 외부의 수분 등에 취약한 특성이 있다. 따라서, 외부의 수분 등으로부터 상기 발광소자를 보호하기 위해 상기 발광소자를 봉지기판을 사용하여 봉지하는 것이 일반적이다. 나아가, 상기 봉지기판이 상기 발광소자를 바라보는 면 상에 흡습층을 형성하여 봉지 후 밀폐공간 내에 잔존할 수 있는 수분을 제거하기도 한다.
이와 같이 봉지기판에 흡습층을 형성하는 기술이 일본공개특허 제2004-296202호에 개시되어 있다. 상기 일본공개특허에 따르면, 기판 상에 유기 EL 소자를 형성하고, 상기 유기 EL 소자가 형성된 기판 상에 상기 유기 EL 소자를 덮는 봉지부재를 접착한다. 상기 봉지부재의 상기 유기 EL 소자를 바라보는 면 상에 상기 유기 EL 소자와 격리되어 건조부재가 설치되며, 상기 건조부재의 상기 유기 EL 소자를 바라보는 대향면에 오목한 상태부가 형성된다.
그러나, 이러한 기술을 전면발광 유기전계발광소자 즉, 발광소자에서 방출된 광을 봉지부재를 투과시킴으로써, 상기 봉지부재면에서 화면을 표시하는 소자의 경우 상기 방출광이 상기 건조부재를 투과하여야 하는데, 상기 건조부재는 그의 오목한 형상으로 인해 중앙부에서 에지부로 갈수록 두께가 두꺼워지므로 상기 방출광의 불균일한 굴절을 일으킬 수 있다. 즉, 표시되는 화면의 가장자리에서 화상이 일그러지는 에지 크롤링(edge crawling)현상이 나타나 화질을 저하시킬 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 에지 크롤링 현상이 줄어든 유기전계발광표시장치를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 에지 크롤링 현상을 줄일 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면(aspect)은 유기전계발광표시장치를 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 발광소자가 형성된 소자기판을 구비한다. 상기 소자기판 상부에 봉지기판이 위치하되, 상기 봉지기판은 상기 소자기판을 바라보는 면의 중앙부에 리세스부를 구비한다. 상기 봉지기판의 리세스부에 흡습층이 위치하되, 상기 흡습층은 그의 에지부에 폭이 0.5㎜ 내지 4㎜인 돌출부를 구비한다. 상기 소자기판의 외곽부와 상기 봉지기판의 외곽부 사이에 상기 소자기판과 상기 봉지기판을 결합시키는 실런트가 개재된다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면(aspect)은 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 중앙부에 리세스부를 구비하는 봉지기판을 준비하는 것을 포함한다. 상기 리세스부 내에 스크린 프린팅법을 사용하여 흡습층을 형성하되, 상기 흡습층은 그의 에지부에 폭이 0.5㎜ 내지 4㎜인 돌출부를 구비하도록 형성한다. 상기 봉지기판의 외곽부에 실런트를 도포한다. 상기 실런트가 도포된 봉지기판과 발광소자가 형성된 소자기판을 상기 실런트를 매개로 하여 결합시킨다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 봉지기판(20)을 제공한다. 상기 봉지기판(20)은 중앙부가 외곽부에 비해 리세스된 리세스부(20a)를 구비할 수 있다. 상기 리세스부(20a)는 식각(etching), 샌드블래스팅(Sand Blasting) 또는 몰딩(Molding) 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 봉지기판(20)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 봉지기판(20), 구체적으로는 상기 리세스부(20a) 상에 흡습층(25)를 형성한다. 상기 흡습층(25)은 수분을 흡수할 수 있는 건조제(desiccant)를 함유하는 층으로, 수분을 흡수하는 경우에도 투명한 상태가 유지될 수 있는 층인 것이 바람 직하다.
이러한 흡습층(25)은 투명 나노다공성 산화물막(transparent nanoporous oxide layer)일 수 있다. 이 경우, 상기 흡습층(25)은 충분한 흡습 및 산소 흡착 특성을 가질 수 있다. 상기 투명 나노다공성 산화물막은 건조제로서 나노사이즈의 다공성 산화물 입자를 포함할 수 있고, 나아가 나노사이즈의 기공을 포함한다. 상기 다공성 산화물 입자는 평균입경이 100nm 이하인 알칼리 금속 산화물, 알칼리토류 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 금속 황산염, 금속 과염소산염 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 알칼리 금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O) 또는 산화칼륨(K2O)일 수 있고, 상기 알칼리토류 금속 산화물은 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO), 또는 산화마그네슘(MgO)일 수 있으며, 상기 금속 황산염은 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Nai2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4)일 수 있다. 또한, 상기 금속 할로겐화물은 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스토론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl2), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr3), 브롬화세륨(CeBr4), 브롬화셀레늄(SeBr2), 브롬화바나듐(VBr2), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화 바륨(BaI2) 또는 요오드화 마그네슘(MgI2)일 수 있고, 상기 금속 과염소산염은 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산 마그네슘(Mg(ClO4)2)일 수 있다. 바람직하게는 상기 다공성 산화물 입자는 산화칼슘(CaO)이다. 나아가, 상기 나노사이즈의 기공의 평균직경은 100nm 이하일 수 있다.
이러한 투명 나노다공성 산화물막을 형성하기 위해서는 먼저, 상기 다공성 산화물 입자를 용매에 분산하여 얻은 졸 또는 액상 상태의 흡습 혼합물을 만든다. 구체적으로 상기 용매에 산을 부가하되, pH를 1 내지 8 범위, 특히 약 2로 조절한후, 상기 다공성 산화물 입자를 상기 산이 부가된 용매에 분산시키는 것이 바람직하다. 상기 산을 부가하는 경우, 분산성이 개선되는 잇점이 있다. 이러한, 산의 예로서는 질산, 염산, 황산 또는 아세트산이 있으며, 그의 함량은 상기 다공성 산화물 입자 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 0.1 중량부인 것이 바람직하다. 상기 용매의 예로서는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로판올. 메틸에틸케톤, 순수, 프로필렌글리콜 (모노)메틸에테르(PGM), 이소프로필셀룰로오즈(IPC), 메틸렌 클로라이드(MC), 에틸렌 카보네이트(EC) 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 그의 함량은 상기 다공성 산화물 입자 100 중량부를 기준으로 하여 60 내지 99 중량부이다.
상기 흡습층(25)을 형성하는 것은 상술한 흡습 혼합물을 스크린 인쇄법을 사용하여 상기 리세스부(20a) 내에 도포한 후, 이를 건조 및 열처리하는 것이 바람직하다. 한편, 도 1에 도시된 봉지기판(20)은 큰 원장기판의 단위 셀을 도시한 것으로, 상기 스크린 인쇄법은 상기 원장기판에 상기 단위 셀(20) 별로 상기 흡습층(25)을 정밀하게 인쇄할 수 있을 뿐 아니라, 복수 개의 흡습층들(25)을 한 번의 인쇄공정을 통해 효율적으로 형성할 수 있어 대량생산에 적합한 장점이 있다.
이러한 스크린 인쇄법을 사용하여 상기 흡습층(25)을 형성하는 경우, 상기 흡습층(25)이 상기 봉지기판(20)의 외곽부 상에 형성되지 않도록 상기 도포되는 흡 습 혼합물은 적절한 표면장력을 가져야 한다. 그러나, 상기 흡습 혼합물의 표면장력은 상기 스크린 인쇄법을 사용하여 상기 흡습층(25)을 형성할 때, 상기 흡습층(25)의 에지부에 돌출부(25p)를 형성할 수 밖에 없다. 이러한 돌출부(25p)가 클수록 즉, 상기 돌출부(25p)의 폭 및 두께가 클수록 에지 크롤링 현상이 나타나기 쉽다. 따라서, 발생할 수밖에 없는 상기 돌출부(25p)의 폭 및 두께를 조절하는 것이 매우 중요하다. 구체적으로, 상기 돌출부(25)의 폭(w)은 0.5㎜ 내지 4㎜인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 돌출부(25)의 경계선은 상기 봉지기판(20)의 중앙부에 형성된 흡습층의 두께에 대해 10%의 두께가 증가한 선이다. 상기 봉지기판(20)의 중앙부에 형성된 흡습층의 두께(t1)는 0.1㎛ 내지 12㎛인 것이 바람직하다. 나아가, 상기 봉지기판(20)의 중앙부에 형성된 흡습층의 두께(t1)를 A라고 가정할 때, 상기 돌출부(25)의 최대 두께(t2)는 1.1A 내지 1.5A인 것이 바람직하다.
도 2를 참조하면, 소자기판(30)을 제공한다. 상기 소자기판(30)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속박막(metal foil)일 수 있다. 상기 소자기판(30) 상에 버퍼층(41)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 소자기판(30) 내에 존재하는 불순물로부터 후속하는 공정에서 형성되는 박막트랜지스터를 보호할 수 있다. 구체적으로, 상기 버퍼층(41)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 바람직하게는 상기 버퍼층(41)은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 적층된 이중층일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(41)은 약 1㎛의 두께로 형성할 수 있다.
상기 소자기판(30)으로 플라스틱 기판 또는 금속박막과 같은 플랙서블 기판을 사용하는 경우, 상기 소자기판(30)의 배면에 배면 절연층(미도시)을 더 형성할 수도 있다. 이에 따라, 상기 버퍼층(41)의 형성으로 인해 상기 소자기판(30)에 발생할 수 있는 기판 휨 현상을 방지할 수 있다. 상기 배면 절연층은 상기 버퍼층(41)을 형성하기 전 또는 후에 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(41) 상에 반도체층(42)을 형성한다. 상기 반도체층(42)은 비정질 실리콘막, 다결정 실리콘막 또는 유기 반도체막일 수 있다. 상기 반도체층(42)을 다결정 실리콘막으로 형성하는 것은 상기 버퍼층(41) 상에 비정질 실리콘막을 적층하고, 상기 비정질 실리콘막을 결정화함으로써 수행할 수 있다.
상기 반도체층(42) 상에 게이트 절연막(43)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(43)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 게이트 절연막(43) 상에 상기 반도체층(42)과 중첩하는 게이트 전극(44)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 전극(44)을 마스크로 하여 상기 반도체층(42)에 불순물을 도핑하여 소오스 영역(42s) 및 드레인 영역(42d)을 형성한다. 그 결과, 상기 소오스 영역(42s)과 드레인 영역(42d) 사이에 채널 영역(42c)이 정의된다.
그 후, 상기 게이트 전극(44) 및 상기 게이트 절연막(43) 상에 층간절연막(45)을 형성한다. 상기 층간절연막(45) 내에 상기 소오스 영역(42s) 및 상기 드레인 영역(42d)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다. 상기 콘택홀들이 형성된 기판 상에 소오스/드레인 도전막을 형성하고, 이를 패터닝하여 상기 소오스 영역(42s)에 접속하는 소오스 전극(46s) 및 상기 드레인 영역(42d)에 접속하는 드레인 전극(46d)을 형성한다.
상기 소오스/드레인 전극들(46s, 46d)이 형성된 기판 상에 실리콘 질화막을 사용하여 패시베이션 절연막(미도시)을 형성하고 열처리한다. 이에 따라, 상기 반도체층(42)에 도핑된 불순물을 활성화시킬 수 있다. 또한, 상기 반도체층(42)이 다결정 실리콘층인 경우, 상기 다결정 실리콘층 내의 결정입자 경계(crystal grain boundary)에 존재하는 불완전 결함(dangling bond)들을 수소 패시베이션(hydrogen passivation)할 수 있다.
상기 패시베이션 절연막 상에 평탄화막(47)을 형성한다. 상기 평탄화막(47)은 그의 하부에 형성된 박막트랜지스터로 인한 단차를 완화할 수 있는 막으로, BCB(benzocyclobutene)막, 폴리이미드막 또는 폴리아크릴막일 수 있다.
상기 평탄화막(47) 내에 상기 드레인 전극(46d)을 노출시키는 비아홀을 형성한다. 상기 비아홀을 구비하는 상기 평탄화막(47) 상에 화소전극(48a)을 형성한다. 그 결과, 상기 화소전극(48a)은 상기 비아홀 내에 노출된 드레인 전극(46d)에 접속한다. 상기 화소전극(48a)은 광반사 도전막 또는 광투과 도전막을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 상기 광반사 도전막은 일함수가 높은 Ag, Al, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금막이거나, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 또는 이들의 합금막일 수 있으며, 광투과 도전막은 ITO 또는 IZO일 수 있다.
상기 화소전극(48a) 상에 화소정의막(pixel defining layer; 49)을 형성한다. 상기 화소정의막(49)은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트 또는 이미드계 포토레지스트를 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 화소정의막(49) 내에 상기 화소전극(48a)의 적어도 일부영역을 노출시키 개구부를 형성한다.
상기 개구부 내에 노출된 상기 화소전극(48a) 상에 적어도 발광층을 구비하는 유기기능막(48b)을 형성한다. 상기 유기기능막(48b)은 상기 발광층의 상부 및/또는 하부에 전하수송층 및/또는 전하주입층을 더 구비하도록 형성할 수 있다. 이어서, 상기 유기기능막(48b) 상에 대향전극(48c)을 형성한다. 상기 대향전극(48c)은 광투과 도전막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 광투과 도전막은 ITO막 또는 IZO막이거나, 빛을 투과시킬 수 있을 정도의 얇은 두께를 갖는 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 또는 이들의 합금막일 수 있다. 그 결과, 상기 발광층으로부터 방출된 빛은 상기 광투과 도전막으로 형성된 상기 대향전극(48c)을 투과하여 외부로 방출될 수 있다. 이 때, 상기 화소전극(48a)이 광반사 도전막인 경우 전면발광형 유기전계발광소자를 구현할 수 있고, 상기 화소전극(48a)이 광투과 도전막인 경우 양면발광형 유기전계발광소자를 구현할 수 있다.
상기 대향전극(48c) 상에 캡핑층(미도시)이 위치할 수 있다. 상기 캡핑층은 유기막, 무기막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 무기막은 절연막인 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화질화막(SiOxNy)일 수 있다. 또는, 상기 무기막은 투명 도전막인 ITO막, IZO막, TO막 또는 ZnO막일 수 있다. 또는, 상기 무기막은 LiF 막일 수 있다. 한편, 상기 유기막은 NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine),TNATA, TCTA, TDAPB, TDATA, Alq3, Balq 또는 CBP를 함유하는 막일 수 있다. 상기 캡핑층은 증발법 또는 스퍼 터링법을 사용하여 수행할 수 있다. 이러한 캡핑층은 외부의 수분이나 산소로부터 상기 유기기능막(48b)을 보호하여 소자의 열화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 흡습층(25)을 구비하는 상기 봉지기판(20)의 외곽부 상에 실런트(S)를 도포하고, 상기 실런트(S)가 도포된 기판을 상기 발광소자 및 상기 박막트랜지스터를 구비하는 소자(40)가 형성된 상기 소자기판(30) 상에 배치시킨 후, 상기 소자기판(30)과 상기 봉지기판(20)에 압력을 가하여 상기 소자기판(30)과 상기 봉지기판(20)을 상기 실런트(S)를 매개로 하여 결합시킨다. 상기 소자기판(30)과 상기 봉지기판(20)에 압력을 가하는 것은 진공 또는 비활성 기체 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 발광소자(48)에 산소나 수분이 침투하는 것을 막을 수 있다.
상기 실런트(S)는 열경화형 또는 자외선 경화형일 수 있다. 이어서, 상기 소자기판(30) 및/또는 상기 봉지기판(20)에 열 또는 자외선을 조사함으로써, 상기 실런트(S)를 경화시키는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화면 상태를 보여주는 사진이고, 도 5는 종래기술에 따른 유기전계발광표시장치의 화면 상태를 보여주는 사진이다.
도 5를 참조하면, A영역에 에지 크롤링 현상이 나타난다. 그러나, 도 4를 참조하면, 화면 전 영역에서 화상이 일그러지는 현상이 없이 고른 화질을 보여주고 있다. 결론적으로, 흡습층에 형성될 수 밖에 없는 돌출부의 폭 및 두께를 조절함 으로써 에지 크롤링 현상을 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 흡습층에 형성될 수 밖에 없는 돌출부의 폭 및 두께를 조절함으로써 에지 크롤링 현상을 제거할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 발광소자가 형성된 소자기판;
    상기 소자기판 상부에 봉지기판이 위치하되, 상기 봉지기판은 상기 소자기판을 바라보는 면의 중앙부에 리세스부를 구비하고,
    상기 봉지기판의 리세스부에 흡습층이 위치하되, 상기 흡습층은 그의 에지부에 폭이 0.5㎜ 내지 4㎜인 돌출부를 구비하고,
    상기 소자기판의 외곽부와 상기 봉지기판의 외곽부 사이에 개재되어 상기 소자기판과 상기 봉지기판을 결합시키는 실런트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부의 최고 두께는 상기 흡습층의 중앙부 두께 대비 1.1 내지 1.5배인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 흡습층은 투명 나노다공성 산화물막(transparent nanoporous oxide layer)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자는 화소전극, 대향전극 및 이들 사이에 개재된 유기기능막을 구비하되, 상기 대향전극은 광투과전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  5. 중앙부에 리세스부를 구비하는 봉지기판을 준비하고,
    상기 리세스부 내에 스크린 프린팅법을 사용하여 흡습층을 형성하되, 상기 흡습층은 그의 에지부에 폭이 0.5㎜ 내지 4㎜인 돌출부를 구비하도록 형성하고,
    상기 봉지기판의 외곽부에 실런트를 도포하고,
    상기 실런트가 도포된 봉지기판과 발광소자가 형성된 소자기판을 상기 실런트를 매개로 하여 결합시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 돌출부의 최고 두께는 상기 흡습층의 중앙부 두께 대비 1.1 내지 1.5배가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 흡습층은 투명 나노다공성 산화물막(transparent nanoporous oxide layer)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광소자는 화소전극, 대향전극 및 이들 사이에 개재된 유기기능막을 구비하고, 상기 대향전극은 광투과전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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