KR100692054B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 형광체층은 양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질이 포함되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 형광체층을 형성하기 위한 형광체 페이스트에 양자점 구조를 가진 물질이나 유색물질을 섞거나 형광체 페이스트 상부에 형성하여 플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율 및 명실 콘트라스트가 향상되는 효과가 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법{Plasma Display Panel and Manufacturing Method Thereof}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 나타낸 도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 블록도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 나타낸 도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 블록도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200: 후면 글라스 201: 어드레스 전극
202: 하부 유전체층 203: 격벽
204: 형광체 페이스트 205: 양자점 구조를 갖는 물질
206: 형광체층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 물질로 형성된 투명전극(a)과 금속 재질로 제작된 버스전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 후면 패널의 형광체층은 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널과 후면 패널 사이의 공간 내에 채워진 방전가스에서 방출되는 자외선과 부딪혀 고유의 가시광선을 방출하는 역할을 한다. 이러한 역할을 하는 형광체층을 이루고 있는 형광체 재료들은 순백색의 가루로 만들어져 있으며, 격벽 사이에 패터닝을 하여 발광체로 사용되고 있다.
그러나 이와 같은 형광체는 순백색의 가루로 이루어져 있어, 반사율이 70%가 넘어 명실 콘트라스트가 떨어지는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 형광체층 형성을 위한 형광체 페이스트를 개선하여 형광체의 반사율을 저감시키고 명실 콘트라스트를 향상시키는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 형광체층은 양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질이 포함되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
양자점의 구조를 가지는 물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 형광체층의 형성방법은 (a) 격벽 사이에 양자점 구조를 갖는 물질을 포함한 형광체 페이스트를 도포하는 단계 및 (b) 형광체 페이스트를 건조하고 소성하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 제조방법은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 형광체층의 형성방법은 (a) 격벽 사이에 형광체 페이스트를 도포하는 단계, (b) 형광체 페이스트를 건조하고 형광체 페이스트 상부에 양자점 물질을 형성하는 단계 및 (c) 형광체 페이스트와 형광체 페이스트 상부의 양자점 물질을 함께 소성하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
양자점의 구조를 가지는 물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 형광체층은 유색물질이 포함되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
유색물질은 다공성 실리콘, 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 어느 하나를 포함 하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
유색물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 전기 화학적 에칭법 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 형광체층 형성과정은 (a) 격벽 사이에 유색 물질을 포함한 형광체 페이스트를 도포하는 단계 및 (b) 형광체 페이스트를 건조하고 소성하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 제조방법은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 형광체층의 형성방법은 (a) 격벽 사이에 형광체 페이스트를 도포하는 단계, (b) 형광체 페이스트를 건조하고 형광체 페이스트 상부에 유색 물질을 형성하는 단계 및 (c) 형광체 페이스트와 형광체 페 이스트 상부의 유색 물질을 함께 소성하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
유색물질은 다공성 실리콘, 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
유색물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 전기 화학적 에칭법 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
<제 1 실시예>
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 나타낸 도이다.
도 2a 및 도 2b를 살펴보기 전에, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 스캔 전극과 서스테인 전극이 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어, R, G, B 서브 픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하여 전면 패널과 후면패널이 합착된다.
먼저 도 2a를 살펴보면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층은 후면 글라스(200) 상에 어드레스 전극(201)이 형성되고, 형성된 어드레스 전극(201)을 포함한 하부 유전체층(202)이 형성되고 그 상부에 격벽(203) 및 형광체층(206)이 형성된다. 이 때, 형광체층(206)을 형성하는 형광체 페이스트(204)에는 양자점 구조를 가지는 물질(205)이 첨가되어 있다.
한편 도 2b를 살펴보면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층은 후면 글라스(210) 상에 어드레스 전극(211)이 형성되고, 형성된 어드레스 전극(211)을 포함한 하부 유전체층(212)이 형성되고 그 상부에 격벽(213) 및 형광체층(216)이 형성된다. 이 때, 형광체층(216)을 형성하는 형광체 페이스트(214) 상부에 양자점 구조를 가지는 물질(215)이 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVED), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 형광체 페이스트(214) 상부에 형성된다.
전술한 도 2a 및 도 2b에서 형광체 페이스트에 첨가되거나 형광체 페이스트 상부에 형성되는 양자점 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다.
이러한 양자점(quantum dot) 구조는 전자가 3차원적으로 갇혀있는 반도체 구조로서, 상대적으로 저온에서 실리콘 나노결정립을 실리콘과 실리콘 산화막 기판위에 후속 열처리 없이 형성시킬 수 있다. 또한, 투과 전자 현미경, 적외선 분광기, 유도 결합 플라즈마 방출 분광기 측정 결과, 680㎚부근의 PL신호를 나타내는 실리콘 나노결정립을 형성시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 블록도이다.
도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 도 3의 우측에 나열된 전면 패널 제조 과정과, 좌측에 나열된 후면 패널 제조 과정 및 하측에 나열된 실링 과정 등을 포함한 조립 과정을 포함한다.
먼저, 도 3의 우측에 나열된 전면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 전면 패널은 먼저 기재가 되는 전면 글라스를 준비한 후(301), 전면 글라스 상부에 복수의 유지전극쌍이 형성된다(302). 이 후, 유지전극쌍 상부에 상부 유전체층이 형성되고(303), 상부 유전체층 상부에 유지전극쌍을 보호하기 위한 산화마그네슘(Mgo)으로 이루어진 보호층이 형성된다(304).
이어서, 도 3의 좌측에 나열된 후면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 후면 패널은 전면 패널과 마찬가지로 먼저 기재가 되는 후면 글라스를 준비하고(305), 전면 패널에 형성된 유지전극쌍과 교차하여 대향되도록 복수의 어드레스전극이 후면 글라스에 형성된다(306). 이 후, 어드레스전극 상면에 하부 유전체층이 형성되고(307), 하부 유전체층 상면에 형광체층이 형성된다(308).
이와 같이 제조된 전면패널과 후면패널은 서로 실링되어(309) 플라즈마 디스플레이 패널(310)을 형성한다.
이와 같이 형성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 좀 더 자세히 살펴보면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도이다.
도 4에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성방법은 후면 패널의 하부 유전체층 상부에 형성된 격벽 사이에 직접 패터닝법을 이용하여 양자점 구조를 갖는 물질이 포함된 형광체 페이스트를 도포한다(410). 이 때, 형광체 페이스트에 포함된 양자점 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다.
이 후, 도포된 형광체 페이스트를 건조시킨 후 소성하면(420) 형광체층이 완성된다(430).
한편 이와 같은 방법으로 형광체 페이스트에 양자점 구조를 가지는 물질이 포함되어 형성될 수도 있지만 전술한 바와 같이 형광체 페이스트 상부에 양자점 구조를 가지는 물질이 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도이다.
도 5에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 형광체층 형성방법은 후면 패널의 하부 유전체층 상부에 형성된 격벽 사이에 직접 패터닝법을 이용하여 형광체 페이스트를 도포한다(510).
이 후, 도포된 형광체 페이스트를 건조시킨 후(520), 건조된 형광체 페이스트 상부에 양자점 구조를 가지는 물질을 형성한다(530). 이 때, 형광체 페이스트에 포함된 양자점 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다. 또한, 이와 같은 양자점 구조를 가지는 물질은 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 건조된 형광체 페이스트 상부에 형성된다.
이 후, 형광체 페이스트 상부에 형성된 양자점 구조를 가지는 물질을 건조하여 소성하면(540) 형광체층이 완성된다(550).
이와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 형성할 시 양자점 구조를 가지는 물질을 형광체 페이스트와 섞거나 형광체 페이스트 상부에 형성을 하게 되면 플라즈마 디스플레이 패널의 반사율을 50%이상 70%이하까지 낮출 수 있다. 이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율 및 명실 콘트라스트를 향상시키는 효과가 있다.
한편 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율 및 명실 콘트라스트를 향상시키는 방법으로 양자점 구조를 가지는 물질을 이용하는 것 외에 유색물질을 사용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 발광 효율 및 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 이와 같이 유색물질을 이용하여 형성체층을 형성시키는 방법을 살펴보면 다음 제 2 실시예와 같다.
<제 2 실시예>
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 나타낸 도이다.
도 6a 및 도 6b를 살펴보기 전에, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 스캔 전극과 서스테인 전극이 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어, R, G, B 서브 픽셀을 구획하는 격벽사이에 형광체층을 포함하여 전면 패널과 후면 패널이 합착된다.
먼저 도 6a를 살펴보면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층은 후면 글라스(600) 상에 어드레스 전극(601)이 형성되고, 형성된 어드레스 전극(601)을 포함한 하부 유전체층(602)이 형성되고 그 상부에 격벽(603) 및 형광체층(606)이 형성된다. 이 때, 형광체층(606)을 형성하는 형광체 페이스트(604)에는 유색물질(605)이 첨가되어 있다.
한편 도 6b를 살펴보면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층은 후면 글라스(610) 상에 어드레스 전극(611)이 형성되고, 형성된 어드레스 전극(611)을 포함한 하부 유전체층(612)이 형성되고 그 상부에 격벽(613) 및 형광체층(613)이 형성된다. 이 때, 형광체층(616)을 형성하는 형광체 페이스트(614) 상부에 유색물질(615)이 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVED), 전기화학적 에칭 중 적어도 어느 하나의 방법으로 형광체 페이스트(614) 상부에 형성된다.
전술한 도 6a 및 도 6b에서 형광체 페이스트에 첨가되거나 형광체 페이스트 상부에 도포되는 유색물질은 다공성 실리콘 또는 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다.
이와 같은 방법으로 형성되는 유색물질은 전술한 바와 같이 형광체 페이스트에 포함되어 형광체층을 형성할 수도 있고, 형광체 페이스트 상부에 형성되어 형광체층을 형성할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 순차적으로 나타낸 블록도이다.
도 7에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 도 7의 우측에 나열된 전면 패널 제조 과정과, 좌측에 나열된 후면 패널 제조 과정 및 하측에 나열된 실링 과정 등을 포함한 조립 과정을 포함한다.
먼저, 도 7의 우측에 나열된 전면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 전면 패널은 먼저 기재가 되는 전면 글라스를 준비한 후(701), 전면 글라스 상부에 복수의 유지전극쌍이 형성된다(702). 이 후, 유지전극쌍 상부에 상부 유전체층이 형성되고(703), 상부 유전체층 상부에 유지전극쌍을 보호하기 위한 산화마그네슘(Mgo)으로 이루어진 보호층이 형성된다(704).
이어서, 도 7의 좌측에 나열된 후면 패널 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 후면 패널은 전면 패널과 마찬가지로 먼저 기재가 되는 후면 글라스를 준비하고(705), 전면 패널에 형성된 유지전극쌍과 교차하여 대향되도록 복수의 어드레스전극이 후면 글라스에 형성된다(706). 이 후, 어드레스 전극 상면에 하부 유전체층 이 형성되고(707), 하부 유전체층 상면에 형광체층이 형성된다(708).
이와 같이 제조된 전면패널과 후면패널은 서로 실링되어(709) 플라즈마 디스플레이 패널(710)을 형성한다.
이와 같이 형성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 좀 더 자세히 살펴보면 다음과 같다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도이다.
도 8에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층 형성방법은 후면 패널의 하부 유전체층 상부에 형성된 격벽 사이에 직접 패터닝법을 이용하여 유색물질이 포함된 형광체 페이스트를 도포한다(810). 이 때, 형광체 페이스트에 포함된 유색물질은 다공성 실리콘, 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다.
이 후, 도포된 형광체 페이스트를 건조시킨 후 소성하면(820) 형광체층이 완성된다(830).
한편 이와 같은 방법으로 형광체 페이스트에 유색물질이 포함되어 형성될 수도 있지만 전술한 바와 같이 형광체 페이스트 상부에 유색물질이 형성될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 형광체층 형성과정을 나타낸 블록도이다.
도 9에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레 이 패널의 또다른 형광체층 형성방법은 후면 패널의 하부 유전체층 상부에 형성된 격벽 사이에 직접 패터닝법을 이용하여 형광체 페이스트를 도포한다(910).
이 후, 도포된 형광체 페이스트를 건조시킨 후(920), 건조된 형광체 페이스트 상부에 유색물질을 형성한다(930). 이 때, 형광체 페이스트에 포함된 유색물질은 다공성 실리콘, 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된다. 또한, 이와 같은 유색물질은 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 전기 화학적 에칭법 중 적어도 어느 하나의 방법으로 건조된 형광체 페이스트 상부에 형성된다.
이 후 형광체 페이스트 상부에 형성된 유색물질을 건조하여 소성하면(940) 형광체층이 완성된다(950).
이와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체층을 형성할 시 유색물질을 형광체 페이스트와 섞거나 형광체 페이스트 상부에 형성을 하게 되면 플라즈마 디스플레이 패널의 반사율을 40%이상 65%이하까지 낮출 수 있다. 이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율 및 명실 콘트라스트를 향상시키는 효과가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후 술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 보는 바와 같이, 본 발명은 형광체층을 형성하기 위한 형광체 페이스트에 양자점 구조를 가진 물질이나 유색물질을 섞거나 형광체 페이스트 상부에 형성하여 플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율 및 명실 콘트라스트가 향상되는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널;
    상기 복수의 유지전극상과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널;
    상기 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R,G,B 서브픽셀을 구분하는 격벽;
    상기 격벽 사이에 형성되는 형광체층; 및
    상기 형광체층 상에 위치하며 특정 파장의 빛을 발생하는 양자점 물질을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 양자점의 구조를 가지는 물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 삭제
  5. 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이루어 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널, 상기 복수의 유지전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 상기 전면 패널과 후면 패널 사이에 일정 간격으로 배치되어 R, G, B 서브픽셀을 구획하는 격벽 사이에 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 형광체층의 형성방법은
    (a) 상기 격벽 사이에 형광체 페이스트를 도포하는 단계;
    (b) 상기 형광체 페이스트를 건조하고 형광체 페이스트 상부에 양자점 물질을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 형광체 페이스트와 형광체 페이스트 상부의 양자점 물질을 함께 소성하여 형광체층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 양자점(quantum dot)의 구조를 가지는 물질은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐아세나이드(InAs), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 인화인듐(InP), 셀렌화카트뮴(CdSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 양자점의 구조를 가지는 물질은 금속 유기물 증착법(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 에피탁시(MBE) 중 적어도 어느 하나로 형광체 페이스트 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  8. 삭제
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