KR100689189B1 - A vessel for particle deposition system and particle deposition system using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기는 웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하며, 혼합물의 에어로졸을 배출하는 배출관, 혼합물을 교반하기 위한 교반기 및 혼합물을 가열하기 위한 히터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a container for a particle deposition system (PDS) and a particle deposition system (PDS) employing the same. The vessel for Particle Deposition System (PDS) according to the present invention stores a mixture of particles and a solution to be deposited on a wafer surface, and heats the outlet tube for discharging the aerosol of the mixture, a stirrer for stirring the mixture and the mixture. It characterized in that it comprises a heater for.

웨이퍼, 증착Wafer, deposition

Description

입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템{A VESSEL FOR PARTICLE DEPOSITION SYSTEM AND PARTICLE DEPOSITION SYSTEM USING THE SAME}A container for a particle deposition system and a particle deposition system employing the same {A VESSEL FOR PARTICLE DEPOSITION SYSTEM AND PARTICLE DEPOSITION SYSTEM USING THE SAME}

도 1은 종래 표준 교정용 입자를 웨이퍼에 증착하여 표준 웨이퍼를 제작하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System; PDS)을 개략적으로 나타낸 도면.1 is a schematic illustration of a Particle Deposition System (PDS) for fabricating a standard wafer by depositing conventional standard calibration particles onto a wafer.

도 2는 종래 PDS를 이용하여 표준 웨이퍼(Reference Wafer)를 제작하는 방법을 나타낸 도면.2 is a view showing a method of manufacturing a standard wafer (Reference Wafer) using a conventional PDS.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of the container for PDS in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of a container for a PDS according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도.Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of the container for PDS according to another preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101, 301…용기 103…건조기101, 301... Container 103.. dryer

105…중화기 107…(이동 편차 분류기)DMA105... Heavy weapon 107... (Move Deviation Sorter) DMA

109…챔버 111…(응용핵 계수기)CNC109... Chamber 111... (Application Nucleus Counter) CNC

201, 303…분무기 304…교반기201, 303... Sprayer 304... agitator

305…임펠러 307…구동 수단305... Impeller 307... Driving means

309…교반기 컨트롤러 401…히터309... Stirrer controller 401... heater

403…전열 코일 405…히터 컨트롤러403... Electrothermal coil 405... Heater controller

501…차단막501... Barrier

본 발명은 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)에 관한 것이다.The present invention relates to a container for a particle deposition system (PDS) and a particle deposition system (PDS) employing the same.

반도체 산업에서는 종종 웨이퍼 검사 장치를 사용하여 웨이퍼 상의 입자수를 측정할 필요가 있다. 그러한 장치들은 일반적으로 산란 원리를 기초로 작동되며, 레이저 빔을 웨이퍼 표면을 가로질러 투사할 때 각 입자에 의해 산란되는 빛의 양에 의해 웨이퍼 상의 입자 크기를 측정한다. 그러한 검사 장치를 표준화하기 위해서는, 웨이퍼에 소정 크기의 입자를 증착(Deposition)하고, 웨이퍼를 검사 장치에 위치시켜서 검사 장치에 상응하는 소정 설정치와 비교를 위해 해당 기준 웨이퍼 입자로부터의 반응을 측정해야 한다. 또한, 웨이퍼 상의 입자의 수를 알고 웨이퍼 표면 상에 입자가 알맞게 균일한 분포를 이루는 것이 중요하다. 이것은 본질적으로 웨이퍼 검사 장치에서 얻은 결과가 정확하다는 것 또는 어떤 식으로 표준 해석치(standard reading)와 상호 연관될 수 있다는 것을 보장하기 위한 교정 과정이 된다.In the semiconductor industry, it is often necessary to measure the number of particles on a wafer using a wafer inspection device. Such devices generally operate based on scattering principles and measure the particle size on the wafer by the amount of light scattered by each particle when the laser beam is projected across the wafer surface. In order to standardize such an inspection apparatus, a particle of a predetermined size must be deposited on the wafer, and the wafer is placed in the inspection apparatus to measure the reaction from the reference wafer particle for comparison with a predetermined set point corresponding to the inspection apparatus. . In addition, it is important to know the number of particles on the wafer and to have an appropriately uniform distribution of particles on the wafer surface. This is essentially a calibration process to ensure that the results obtained from the wafer inspection apparatus are accurate or can in some way be correlated with standard readings.

또한, 검사 장치를 최초로 교정하는 것도 웨이퍼 상의 소정 크기의 입자를 사용하는 것을 바탕으로 한다. 가장 통상적으로 사용되는 교정용 입자는 폴리스티렌 라텍스(polystyrene latex; PSL) 구형체이다. 또한, 상이한 물질 입자에 대한 검사 장치의 반응을 결정하기 위해서는 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 규소, 이산화 규소, 질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 티타늄 및 이들과 유사한 물질들의 균일한 크기의 입자들이 웨이퍼 상에 증착되어야 한다. 표준 교정용 입자를 웨이퍼에 증착하는 통상적인 방법은 도 1을 참조하여 설명하기로 한다.In addition, the first calibration of the inspection apparatus is based on the use of particles of a predetermined size on the wafer. The most commonly used orthodontic particles are polystyrene latex (PSL) spheres. In addition, to determine the response of the inspection device to different material particles, uniformly sized particles of titanium (Ti), tungsten (W), silicon, silicon dioxide, silicon nitride, aluminum oxide, titanium oxide, and the like Must be deposited on the wafer. A conventional method of depositing standard calibration particles on a wafer will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 종래 표준 교정용 입자를 웨이퍼에 증착하여 표준 웨이퍼를 제작하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System; PDS)을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view showing a particle deposition system (PDS) for fabricating a standard wafer by depositing a conventional standard calibration particle on a wafer.

도 1을 참조하면, 종래 PDS는 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)의 혼합물을 저장하며 이를 압축 공기의 주입에 의하여 분무시키는 용기(101), 생성된 입자에서 수분을 제거하기 위한 건조기(103), 건조기를 통과한 입자의 불규칙한 대전 상태를 중화하는 중화기(105), 중화기를 통과한 입자에 일정한 극성을 가해지며, 일정한 극성을 가진 입자에 대하여 일정 크기 및 일정 전하를 갖는 입자만을 분류하는 이동 편차 분류기(Differential Mobility Analyzer; DMA, 107), 이동 편차 분류기를 통과한 동일 크기 및 일정 전하를 갖는 입자를 베어 웨이퍼(115)에 증착하는 챔버(109) 및 응용핵 계수기(Condensation Nucleus Counter; CNC, 111)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional PDS stores a mixture of particles such as PSL and DI water and sprays them by injection of compressed air, a dryer 101 for removing moisture from the generated particles. ), The neutralizer 105 to neutralize the irregularly charged state of the particles passing through the dryer, the movement is applied to the particles passing through the neutralizer to classify only particles having a certain size and a certain charge for the particles having a certain polarity Differential Mobility Analyzer (DMA) 107, chamber 109 for depositing particles of the same size and constant charge passing through a moving deviation classifier on bare wafer 115 and a Condensation Nucleus Counter; CNC, 111).

상기 종래의 PDS 구성을 참조하여 베어 웨이퍼에 입자를 증착하여 표준 웨이퍼를 제작하는 과정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 용기(101)에 저장되는 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)의 혼합물인 현탁액을 용기(101)에 설치된 배관을 통하여 압축 공기를 주입함으로써 분무시켜 스프레이를 형성(에어로졸화)시킨다. 형성된 스프레이(에어로졸)는 건조기(103)로 이동되어 확산 건조됨으로써 수분이 제거된다. 수분이 제거된 PSL과 같은 입자는 불규칙하게 대전된 경우가 많으므로 중화기(105)에서 중화된다. 이 후, 중화된 PSL과 같은 입자는 일정한 극성(주로 음극)의 전하를 갖도록 대전 장치(미도시)를 통과한다. 대전 장치를 통과한 PSL과 같은 입자는 DMA(107)에서 동일한 전기적 유동성(electrical mobility)을 갖는 입자만이 추출된다. 상기 DMA(107)는 일정 크기 및 일정 전하를 갖는 입자만을 분류하는 장치로서, 통과하는 입자에 전기장을 가하여 전기장에 의한 정전기력과 입자와 유체의 상대 속도에 의한 유체 저항력을 이용한다. 동일한 전기적 유동성을 갖는 입자는 챔버(109)로 공급되어 베어 웨이퍼 상에 증착되거나, CNC(111)에 전달된다. 챔버(109)로 공급된 동일한 전기적 유동성을 갖는 입자는 베어 웨이퍼에 증착됨으로써 표준 웨이퍼가 제작된다. Referring to the conventional PDS configuration, a process of manufacturing a standard wafer by depositing particles on a bare wafer will be described as follows. A suspension, which is a mixture of particles such as PSL and DI water stored in the container 101, is sprayed by injecting compressed air through a pipe installed in the container 101 to form a spray (aerosolization). The formed spray (aerosol) is moved to the dryer 103 and diffused to dry to remove moisture. Particles such as PSL from which water is removed are often charged irregularly and are neutralized in the neutralizer 105. Thereafter, particles such as neutralized PSL pass through a charging device (not shown) to have a charge of a constant polarity (mainly a cathode). Particles, such as PSL, that have passed through the charging device, are extracted only in the DMA 107 with particles having the same electrical mobility. The DMA 107 classifies only particles having a certain size and a constant charge. The DMA 107 applies an electric field to the passing particles to use an electrostatic force caused by the electric field and a fluid resistance force due to the relative speed of the particles and the fluid. Particles having the same electrical fluidity are supplied to the chamber 109 and deposited on the bare wafer or delivered to the CNC 111. Particles having the same electrical flowability supplied to the chamber 109 are deposited on the bare wafer to produce a standard wafer.

상기와 같은 방법으로 제작되는 표준 웨이퍼는 전체 증착형(Full Deposition), 또는 부분 증착형(Spot Deposition)으로 나뉠 수 있다. 전체 증착형(Full Deposition) 표준 웨이퍼는 웨이퍼 전면에 PSL과 같은 입자를 도포하는 방법에 의하여 제작되는 표준 웨이퍼이며, 부분 증착형(Spot Deposition) 표준 웨이퍼는 특정 영역에 PSL과 같은 입자를 도포하는 방법에 의하여 제작되는 표준 웨이퍼이다. 이 중, 웨이퍼 전면에 PSL과 같은 입자를 도포하는 방법으로 제작되는 ㅈ전체 증착형(Full Deposition) 표준 웨이퍼를 PSL 에브솔루트 컨테미네이션 표준 웨이퍼(Absolute Contamination Reference wafer)라 칭한다. 종래 PDS를 이용하여 표준 웨이퍼를 제작하는 방법을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Standard wafers fabricated in this manner can be divided into full deposition or spot deposition. Full Deposition Standard wafers are standard wafers manufactured by applying PSL-like particles to the entire surface of the wafer, and Spot Deposition standard wafers are used to apply particles such as PSL to specific areas. It is a standard wafer manufactured by. Among these, a full deposition standard wafer manufactured by applying a particle such as PSL to the entire surface of the wafer is referred to as a PSL Absolute Contamination Reference wafer. A method of fabricating a standard wafer using a conventional PDS will now be described with reference to FIG. 2.

도 2를 참조하면, 종래 PDS의 내부의 용기(101)에 저장되는 웨이퍼 표면에 증착될 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)와 같은 용액의 혼합물이 외부의 배관을 통하여 압축 공기의 주입을 통하여 분무기(201)에 의하여 분무되어 스프레이(에어로졸) 형태로 된다. 상기 스프레이(에어로졸)는 건조기, 중화기, 및 DMA를 거쳐서 동일한 전기적 유동성을 갖는 PSL과 같은 입자로 추출되며, 챔버 내에 설치된 노즐을 통하여 베어 웨이퍼에 분사되어 증착됨으로써 표준 웨이퍼가 제작된다. Referring to FIG. 2, a mixture of particles such as PSL and a solution such as DI water to be deposited on a wafer surface stored in a vessel 101 inside a conventional PDS is injected through compressed air through an external pipe. Sprayed by nebulizer 201 to form a spray (aerosol). The spray (aerosol) is extracted into particles such as PSL having the same electrical fluidity through a dryer, neutralizer, and DMA, and sprayed onto a bare wafer through a nozzle installed in the chamber to produce a standard wafer.

상기와 같이 제작되는 표준 웨이퍼는 웨이퍼 전면에 PSL과 같은 입자가 매우 균일하게 증착되어야만 한다. 즉 검사 장치의 기준 웨이퍼로 사용되는 표준 웨이퍼는 장치의 칼리브레이션(calibration)시 매우 높은 균일성(uniformity)이 요구된다. 그러나 종래의 PDS를 사용하여 표준 웨이퍼를 제작할 경우, PSL과 같은 입자와 용액(특히, 순수)의 혼합물인 현탁액에서 시간의 경과에 따라 입자가 침강하게 되므로, 시간의 경과에 따라서 저농도의 PSL과 같은 입자들이 웨이퍼에 증착되므로 표준 웨이퍼의 균일성이 매우 저하되는 문제점이 있었다. 즉, 초기 프로세스 시간 T1과 일정 시간의 경과 후에서의 프로세스 시간 Te 사이에, 현탁액의 농도 차이로 인하여 제작되는 표준 웨이퍼의 균일성에 차이가 나는 문제점이 발생하게 되었다.The standard wafer fabricated as described above should have a very uniform deposition of particles such as PSL on the front of the wafer. That is, a standard wafer used as a reference wafer of an inspection apparatus requires very high uniformity during the calibration of the apparatus. However, when a standard wafer is manufactured using a conventional PDS, particles settle over time in a suspension of a mixture of particles such as PSL and a solution (particularly pure water), and thus, as a result, a low concentration of PSL may be produced over time. Since the particles are deposited on the wafer, there is a problem that the uniformity of the standard wafer is very low. That is, between the initial process time T1 and the process time Te after the lapse of a certain time, there is a problem that the uniformity of the standard wafers produced differs due to the difference in the concentration of the suspension.

본 발명의 목적은 입자 및 용액의 혼합물인 현탁액이 시간의 경과에 따라서 농도 차이가 발생하지 않는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a container for a particle deposition system in which a suspension, which is a mixture of particles and a solution, does not occur in concentration over time, and a particle deposition system employing the same.

본 발명의 다른 목적은 입자 및 용액의 혼합물에서 입자들이 단일 입자 상태를 유지할 수 있는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a container for a particle deposition system in which particles in a mixture of particles and solution can maintain a single particle state, and a particle deposition system employing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 압축 공기의 주입에 의하여 에어로졸화되지 않은 현탁액이 배출되지 않도록 하는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a container for a particle deposition system and a particle deposition system employing the same so that the suspension that is not aerosolized by the injection of compressed air is not discharged.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따르면, 웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하며, 혼합물의 에어로졸을 배출하는 배출관을 포함하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기에 있어서, 상기 혼합물을 교반하기 위한 교반기를 더 포함하는 PDS용 용기를 제공할 수 있다.In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, a particle deposition system (PDS) including a discharge pipe for storing a mixture of particles and solution to be deposited on the wafer surface, and discharge the aerosol of the mixture In the container, it can provide a container for PDS further comprising a stirrer for stirring the mixture.

바람직한 실시예에서 상기 교반기는 상기 혼합물 내에 위치하는 임펠러 및 상기 임펠러를 회전시키는 구동 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 배출관에는 에어로졸화되지 않은 혼합물의 배출을 차단하는 차단막이 설치되는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment the stirrer comprises an impeller located in the mixture and drive means for rotating the impeller. In addition, the discharge pipe is characterized in that the blocking film is installed to block the discharge of the aerosolized mixture.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하며, 혼합물의 에어로졸을 배출하는 배출관을 포함하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기에 있어서, 상기 혼합물을 가열하기 위한 히터를 더 포함하는 PDS용 용기를 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in the container for a Particle Deposition System (PDS) comprising a discharge pipe for storing a mixture of particles and solution to be deposited on the wafer surface, and discharge the aerosol of the mixture, the mixture It can provide a container for PDS further comprising a heater for heating the.

바람직한 실시예에서, 상기 히터는 상기 용기의 외벽에 부착되는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 히터는 전열 코일인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 배출관에는 에어로졸화되지 않은 혼합물의 배출을 차단하는 차단막이 설치되는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the heater is attached to the outer wall of the container. In addition, the heater is characterized in that the heat transfer coil. In addition, the discharge pipe is characterized in that the blocking film is installed to block the discharge of the aerosolized mixture.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하며, 혼합물의 에어로졸을 배출하는 배출관을 포함하는 용기, 건조기, 중화기, DMA 및 챔버를 포함하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)에 있어서, 상기 용기는 상기 혼합물을 교반하기 위한 교반기 및 상기 혼합물을 가열하기 위한 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)을 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a particle deposition system comprising a vessel, a dryer, a neutralizer, a DMA and a chamber containing a discharge tube for storing a mixture of particles and a solution to be deposited on a wafer surface and for discharging the aerosol of the mixture. Particle Deposition System (PDS), the vessel may provide a Particle Deposition System (PDS) characterized in that it comprises a stirrer for stirring the mixture and a heater for heating the mixture.

바람직한 실시예에서, 상기 배출관에는 에어로졸화되지 않은 혼합물의 배출 을 차단하는 차단막이 설치되는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the discharge pipe is characterized in that the blocking film is installed to block the discharge of the aerosolized mixture.

이어서, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Next, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of the container for PDS in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 PDS는 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)의 혼합물을 저장하며 이를 압축 공기의 주입에 의하여 분무시키는 용기(301), 생성된 입자에서 수분을 제거하기 위한 건조기(미도시), 건조기를 통과한 입자의 불규칙한 대전 상태를 중화하는 중화기(미도시), 중화기를 통과한 입자에 일정한 극성을 가해지며, 일정한 극성을 가진 입자에 대하여 일정 크기 및 일정 전하를 갖는 입자만을 분류하는 이동 편차 분류기(Differential Mobility Analyzer; DMA, 미도시), 이동 편차 분류기를 통과한 동일 크기 및 일정 전하를 갖는 입자를 베어 웨이퍼에 증착하는 챔버(미도시) 및 응용핵 계수기(Condensation Nucleus Counter; CNC, 미도시)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the PDS according to the present invention stores a mixture of particles such as PSL and DI water and sprays them by injection of compressed air, to remove moisture from the generated particles. A dryer (not shown), a neutralizer (not shown) that neutralizes the irregular charging state of the particles passing through the dryer, and a certain polarity is applied to the particles passing through the neutralizer, and has a certain size and a constant charge for the particles having a certain polarity. Differential Mobility Analyzer (DMA, not shown) for classifying particles only, chamber (not shown) and condensation nucleus for depositing particles of the same size and constant charge passing through the movement deviation classifier on bare wafers Counter; CNC, not shown).

여기서, 상기 용기(301)에 저장되어 있는 베어 웨이퍼 표면에 증착될 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)와 같은 용액의 혼합물은 외부의 배관을 통하여 압축 공기의 주입을 통하여 상기 용기(301) 내부에 설치된 분무기(303)에 의하여 분무되어 스프레이(에어로졸) 형태로 된다. 에어로졸 형태로 된 입자 및 용액은 건조기, 중화기 및 DMA를 거쳐서 동일한 전기적 유동성을 갖는 입자로 추출되며, 챔버 내에 설치된 노즐을 통하여 베어 웨이퍼에 분사되어 증착됨으로써 표준 웨이퍼가 제작된다. 용기(301)에 저장되는 현탁액에서 PSL과 같은 입자는 시간의 경과에 따라서 침전되는데, 이를 방지하기 위하여 용기(301) 내부에 교반기(304)가 설치된다. 교반기(304)는 임펠러(305) 및 구동 수단(307)을 포함하며, 교반기 컨트롤러(309)의 제어 신호에 의하여 동작된다. 교반기 컨트롤러(309)의 제어 신호에 의하여 구동 수단(307)이 임펠러(305)를 회전시키며, 임펠러(305)는 PSL과 같은 입자 및 순수와 같은 용액의 혼합물 내에 위치하여 회전함으로써 PSL과 같은 입자의 분산성을 높여준다. 이로 인하여 시간의 경과에 따라서 혼합물 내의 PSL과 같은 미세 입자의 침강 현상에 기인한 농도 구배를 방지할 수 있으며, 프로세스의 진행 도중에 일정한 농도가 유지될 수 있다. 일정 농도의 유지에 따라서, PSL과 같은 미세 입자의 플럭스(flux)를 유지할 수 있으므로 베어 웨이퍼 전면에 균일하게 PSL과 같은 미세 입자를 증착시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에서 상기 교반기(304)의 임펠러(305) 타입, 모양 및 회전 속도 등은 증착하고자 하는 입자에 따라서 조절이 가능하다. 또한 본 발명의 실시예에서 교반기를 사용하였지만, 혼합물 내의 입자의 분산성을 높일 수 있는 수단이라면 무엇이라도 상관없다.Here, the mixture of particles such as PSL and a solution such as DI water to be deposited on the bare wafer surface stored in the container 301 is inside the container 301 through injection of compressed air through an external pipe. It is sprayed by the sprayer 303 installed in the form of a spray (aerosol). The particles and solution in aerosol form are extracted into particles having the same electrical flow through a dryer, neutralizer, and DMA, and sprayed onto the bare wafer through a nozzle installed in the chamber to produce a standard wafer. Particles such as PSL in the suspension stored in the vessel 301 settle over time, in order to prevent this, an agitator 304 is installed inside the vessel 301. The stirrer 304 includes an impeller 305 and a driving means 307, and is operated by a control signal of the stirrer controller 309. The drive means 307 rotates the impeller 305 in response to the control signal of the stirrer controller 309, which is rotated by being located in a mixture of particles such as PSL and a solution such as pure water. Improves dispersibility This can prevent concentration gradients due to sedimentation of fine particles, such as PSL, in the mixture over time, and maintain a constant concentration during the course of the process. By maintaining a constant concentration, it is possible to maintain the flux of fine particles such as PSL, so that fine particles such as PSL can be uniformly deposited on the entire bare wafer. In the embodiment of the present invention, the impeller 305 type, shape and rotation speed of the stirrer 304 may be adjusted according to the particles to be deposited. In addition, although the stirrer was used in the Example of this invention, as long as it is a means which can improve the dispersibility of the particle | grains in a mixture, it does not matter.

상기 스프레이(에어로졸)가 건조기 등으로 배출되기 위하여 상기 용기(301)에 설치되는 배출구의 일측에 에어로졸화되지 않은 혼합물이 건조기 등으로 배출되는 것을 방지하기 위한 차단막(501)이 설치된다. 상기 차단막(501)은 압축 공기를 사용하여 혼합물에서 에어로졸을 발생시키는 과정에서 용기(301) 내부의 압력이 지나치게 높아져서 에어로졸화되지 않은 혼합물 자체가 건조기 등으로 배출되는 현상이나, 수분을 지나치게 많이 함유하는 에어로졸을 제거하기 위하여 설치된다. In order to discharge the spray (aerosol) to the dryer, etc., a blocking film 501 is installed at one side of the discharge port installed in the container 301 to prevent the non-aerosolized mixture from being discharged to the dryer. The blocking film 501 is a phenomenon in which the pressure inside the container 301 is excessively high in the process of generating aerosol from the mixture using compressed air, and thus the mixture itself, which is not aerosolized, is discharged to the dryer or contains too much moisture. It is installed to remove the aerosol.

도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of a container for a PDS according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 용기(301)에 저장되어 있는 베어 웨이퍼 표면에 증착될 PSL과 같은 입자 및 순수(DI water)와 같은 용액의 혼합물을 가열하여 PSL과 같은 미세 입자의 운동 에너지를 증가시켜 침강 운동을 방지하기 위한 히터(401)가 용기(201)에 설치될 수 있다. 상기 히터(401)는 내부에 전열 코일(403)을 포함하여 히터 컨트롤러(405)의 제어 신호에 의한 전기 공급에 의하여 열을 발생한다. 상기 히터(401)는 용기(301)의 내벽, 외벽 등 어디에 설치되더라도 상관없지만, 외벽에 설치되는 것이 바람직하다. 히터(401)에 의한 가열에 의하여 혼합물 내부에 포함된 PSL과 같은 미세 입자들의 운동성이 증가하여 단일의 입자 상태가 유지될 수 있다. 이로 인하여 PSL과 같은 입자들이 뭉쳐있는 상태로 웨이퍼에 증착되는 현상을 방지할 수 있다. 또한 상기 히터(401)에 의한 가열로 인하여 상기 용기(301)에서 발생하는 에어로졸에서 일정량의 증발이 발생된 후, 건조기로 이동하기 때문에, 건조기의 효율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 4, a mixture of particles such as PSL and a solution such as DI water to be deposited on the bare wafer surface stored in the container 301 is heated to increase the kinetic energy of the fine particles such as PSL to settle. A heater 401 for preventing movement may be installed in the container 201. The heater 401 includes heat transfer coils 403 therein to generate heat by electricity supply by a control signal of the heater controller 405. The heater 401 may be installed on an inner wall, an outer wall, or the like of the container 301, but is preferably provided on the outer wall. The heating by the heater 401 increases the mobility of the fine particles such as PSL contained in the mixture to maintain a single particle state. As a result, it is possible to prevent the deposition of particles on the wafer in a state in which particles such as PSL are aggregated. In addition, since a certain amount of evaporation is generated in the aerosol generated in the container 301 due to the heating by the heater 401, the efficiency of the dryer may be improved.

본 실시예에 있어서, 상기 용기(301)의 배출구 일측에 차단막(501)이 설치될 수 있다. 차단막(501)에 대한 내용은 도 3을 참조하여 설명한 부분과 동일하므로 이에 대한 설명을 생략하기로 한다.In the present embodiment, a blocking film 501 may be installed at one side of the outlet of the container 301. Since the details of the blocking film 501 are the same as those described with reference to FIG. 3, description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 PDS용 용기의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of a container for a PDS according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 용기(301)에 교반기(304), 히터(401) 및 상기 용기(301)의 배출구 일측에 차단막(501)이 설치될 수 있다. 교반기(304), 히터(401) 및 차단막(501)에 대한 내용은 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 부분과 동일하므로 이에 대한 설명을 생략하기로 한다.Referring to FIG. 5, the container 301 may be provided with a stirrer 304, a heater 401, and a blocking film 501 at one side of an outlet of the container 301. Since the contents of the stirrer 304, the heater 401, and the blocking film 501 are the same as those described with reference to FIGS. 3 and 4, the description thereof will be omitted.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당업자에 의하여 가능함은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the invention.

본 발명에 의하여, 입자 및 용액의 혼합물인 현탁액이 시간의 경과에 따라서 농도 차이가 발생하지 않도록 입자의 분산성을 높여줄 수 있는 교반기 등이 설치되는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공할 수 있다.According to the present invention, a container for a particle deposition system and a particle deposition system employing the same are provided with a stirrer which can increase the dispersibility of particles so that a suspension, which is a mixture of particles and a solution, does not occur with a concentration difference over time. Can be provided.

또한 본 발명에 의하여, 입자 및 용액의 혼합물에서 입자들이 단일 입자 상태를 유지할 수 있도록 히터가 설치되는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to provide a container for a particle deposition system in which a heater is installed so that particles in a mixture of particles and a solution can maintain a single particle state, and a particle deposition system employing the same.

또한 본 발명에 의하여, 압축 공기의 주입에 의하여 에어로졸화되지 않은 현탁액이 배출되지 않도록 배출구의 일측에 차단막이 설치되는 입자 증착 시스템용 용기 및 이를 채용한 입자 증착 시스템을 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to provide a container for a particle deposition system in which a barrier film is installed on one side of an outlet so that a suspension that is not aerosolized by injection of compressed air is provided, and a particle deposition system employing the same.

Claims (9)

웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기로서,A container for a particle deposition system (PDS) for storing a mixture of particles and a solution to be deposited on a wafer surface, 상기 혼합물을 교반하기 위한 교반기;A stirrer for stirring the mixture; 압축 공기에 의해 상기 혼합물을 에어로졸화하는 분무기; 및A nebulizer for aerosolizing the mixture with compressed air; And 상기 에어로졸화된 혼합물을 배출하는 배출관을 포함하되,A discharge pipe for discharging the aerosolized mixture, 상기 배출관에는 에어로졸화되지 않은 혼합물의 배출을 차단하는 차단막이 설치되는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.The discharge pipe is a container for a particle deposition system, characterized in that the barrier is installed to block the discharge of the non- aerosolized mixture. 제1항에 있어서, 상기 교반기는 상기 혼합물 내에 위치하는 임펠러와, 상기 임펠러를 회전시키는 구동 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.2. The container of claim 1, wherein the stirrer includes an impeller located in the mixture and drive means for rotating the impeller. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 혼합물을 가열하기 위한 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.The container of claim 1 or 2, further comprising a heater for heating the mixture. 웨이퍼 표면에 증착될 입자 및 용액의 혼합물을 저장하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS)용 용기로서,A container for a particle deposition system (PDS) for storing a mixture of particles and a solution to be deposited on a wafer surface, 상기 혼합물을 가열하기 위한 히터;A heater for heating the mixture; 압축 공기에 의해 상기 혼합물을 에어로졸화하는 분무기; 및A nebulizer for aerosolizing the mixture with compressed air; And 상기 에어로졸화된 혼합물을 배출하는 배출관을 포함하되,A discharge pipe for discharging the aerosolized mixture, 상기 배출관에는 에어로졸화되지 않은 혼합물의 배출을 차단하는 차단막이 설치되는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.The discharge pipe is a container for a particle deposition system, characterized in that the barrier is installed to block the discharge of the non- aerosolized mixture. 제4항에 있어서, 상기 히터는 상기 입자 증착 시스템용 용기의 외벽에 부착되는 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.5. The vessel of claim 4, wherein the heater is attached to an outer wall of the vessel for the particle deposition system. 제4항에 있어서, 상기 히터는 전열 코일인 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.5. The container of claim 4, wherein the heater is a heat transfer coil. 제3항에 있어서, 상기 히터는 전열 코일인 것을 특징으로 하는 입자 증착 시스템용 용기.4. The container of claim 3, wherein the heater is a heat transfer coil. 제3항에 기재된 입자 증착 시스템용 용기, 건조기, 중화기, 이동 편차 분류기(DMA ; differential mobility analyzer) 및 챔버를 포함하는 입자 증착 시스템(Particle Deposition System, PDS).A particle deposition system (Particle Deposition System, PDS) comprising a container, a dryer, a neutralizer, a differential mobility analyzer (DMA) and a chamber for a particle deposition system according to claim 3. 삭제delete
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