JPH07115051A - Chemical application method and chemical application device - Google Patents

Chemical application method and chemical application device

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JPH07115051A
JPH07115051A JP26006593A JP26006593A JPH07115051A JP H07115051 A JPH07115051 A JP H07115051A JP 26006593 A JP26006593 A JP 26006593A JP 26006593 A JP26006593 A JP 26006593A JP H07115051 A JPH07115051 A JP H07115051A
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JP
Japan
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mist
substrate
nozzle
chemical
chemical liquid
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Pending
Application number
JP26006593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Fukuyama
聡 福山
Mikiyoshi Miyauchi
幹由 宮内
Yasuaki Honda
恭章 本多
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP26006593A priority Critical patent/JPH07115051A/en
Publication of JPH07115051A publication Critical patent/JPH07115051A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a hole of a nozzle from being plugged, to improve reproducibility and to enable highly precision chemical application by converting mist applied to a substrate surface from micro-fog to wet mist and by attaching it to a substrate. CONSTITUTION:Chemical 2 such as resist agent is stored in a chemical storage 1. Since viscosity of solvent changes according to temperature and humidity, the chemical storage 1 is stored inside a thermostatic chamber 3. A piping 4 which communicates with the inside of the chemical storage 1 is provided to an outside of the thermostatic chamber 3, and carrier gas C1 containing a large quantity of solvent is supplied from a supply port 4a. A mist generator 7 is a unit for generating micro-fog and changes a small quantity of chemical to mist by using carrier gas C2 containing a large amount of solvent. Furthermore, the mist generator 7 is made to communicate with a secondary tank 10 through a piping 9, and removes mist of a large grain diameter which is supplied form the mist generator 7 in the secondary tank 10.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶パ
ネルなどの基板にレジストなどの薬液を塗布する薬液塗
布方法及び薬液塗布装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical solution coating method and a chemical solution coating apparatus for coating a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel with a chemical solution such as a resist.

【0002】[0002]

【従来の技術】レジスト剤等の薬液を半導体ウエハや液
晶パネルなどの基板表面に塗布する従来技術としては、
スピンコーティング法やミスト法が知られている。
2. Description of the Related Art As a conventional technique for applying a chemical solution such as a resist agent onto the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel,
Spin coating method and mist method are known.

【0003】スピンコーティング法は、基板表面上に薬
液を滴下して基板を回転させ、その遠心力を利用して基
板表面上に均一の膜厚の膜を形成するものであるが、収
率が悪く、スピン時に薬液の大部分が飛散して無駄にな
ってしまう欠点を有している。
The spin coating method is a method in which a chemical solution is dropped on the surface of a substrate to rotate the substrate and the centrifugal force is used to form a film having a uniform film thickness on the substrate surface. Poorly, there is a drawback that most of the chemical liquid is scattered and wasted during spinning.

【0004】一方、ミスト法は、薬液を霧状にして基板
表面上に塗布するものであり、薬液をその粒径及び質量
共に非常に小さい霧状にするので、小さな力で操作する
ことができるだけでなく、広い面積に拡散させることも
比較的容易となるといった優れた特徴を有している。
On the other hand, in the mist method, a chemical solution is atomized and applied on the surface of a substrate. Since the chemical solution is atomized in a very small particle size and mass, it can be operated with a small force. In addition, it has an excellent feature that it is relatively easy to diffuse in a large area.

【0005】図4は、上記ミスト法を用いた従来の薬液
塗布装置の概略構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional chemical liquid coating device using the above-mentioned mist method.

【0006】この薬液塗布装置はベースプレート101
を有し、このベースプレート101上には塗布チャンバ
102が固定されている。該塗布チャンバ102の上壁
中央部には、薬液ミストを塗布チャンバ102の内部へ
噴射するためのノズル103が装着され、また、ベース
プレート101の左右両端部には、薬液ミストを搬送す
るキャリアガスと成膜に供しなかった過剰の薬液ミスト
とを排気する排気穴104が穿設されている。
This chemical liquid coating device is provided with a base plate 101.
The coating chamber 102 is fixed on the base plate 101. A nozzle 103 for injecting a chemical liquid mist into the coating chamber 102 is attached to the central portion of the upper wall of the coating chamber 102, and a carrier gas for conveying the chemical liquid mist is provided at both left and right ends of the base plate 101. An exhaust hole 104 is formed to exhaust the excessive chemical solution mist that has not been used for film formation.

【0007】さらに、塗布チャンバ102内部には、外
部の図示しない回転駆動装置により回転するテーブル1
05が設けられ、そのテーブル105上には、平板状の
ワーク(半導体基板)106が載置されている。
Further, inside the coating chamber 102, a table 1 rotated by an external rotation driving device (not shown).
05 is provided, and a flat work (semiconductor substrate) 106 is placed on the table 105.

【0008】図5は、図4中のノズル103の内部構成
図であり、このノズル103は、R部103Aで口径が
拡大され、その底部には微小径のノズル穴103Bが複
数穿設されている。薬液ミストMは、R部103Aで緩
やかにその断面積を拡大し、ノズル穴103Bから所定
の流速で吹き出す構造となっている。
FIG. 5 is an internal block diagram of the nozzle 103 shown in FIG. 4. The nozzle 103 has an R portion 103A having an enlarged diameter and a plurality of minute nozzle holes 103B formed at the bottom thereof. There is. The chemical solution mist M has a structure in which its cross-sectional area is gradually enlarged at the R portion 103A and is blown out from the nozzle hole 103B at a predetermined flow velocity.

【0009】塗布時においては、まず、薬液はミストの
状態でキャリアガスと共にノズル103まで輸送され
る。その流速は、塗布膜厚や塗布時間の設定などにより
最適化されている。そして、微小径のノズル穴103B
を通った薬液ミストMは、キャリアガスと一体となって
塗布チャンバ102内へ放出され、ワーク106の被塗
布面上へ散布される。この時、テーブル105は、所定
の回転速度で回転しており、一定の塗布時間あるいはワ
ーク106の膜厚を検知することで本塗布工程を終了す
る。
At the time of application, first, the chemical liquid is transported to the nozzle 103 together with the carrier gas in a mist state. The flow velocity is optimized by setting the coating film thickness and the coating time. And a nozzle hole 103B having a small diameter
The chemical solution mist M that has passed through is discharged together with the carrier gas into the coating chamber 102 and is sprayed onto the surface to be coated of the work 106. At this time, the table 105 is rotating at a predetermined rotation speed, and the main coating process is ended by detecting a constant coating time or a film thickness of the work 106.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ミスト法では、次のような問題点があった。
However, the conventional mist method has the following problems.

【0011】(1)ノズル穴103Bが微小径であるた
め、薬液ミストがノズル穴103Bに付着した場合に
は、該ノズル穴103Bが詰まってしまい、再現性が悪
化する。
(1) Since the nozzle hole 103B has a small diameter, when the chemical mist adheres to the nozzle hole 103B, the nozzle hole 103B is clogged and the reproducibility is deteriorated.

【0012】(2)薬液ミストMがノズル103を通過
後、キャリアガスに乗って過度に拡散する恐れがあり、
この場合は被塗布面に付着する量が少なくなくなり、収
率が悪くなるばかりか、ワーク106の被塗布面に付着
しなかった薬液ミストMが塗布チャンバ102の内壁に
付着し、これが再び装置が稼働した際にパーティクル
(図4中のP)として舞って、新たなワーク106の被
塗布面に付着して膜質を悪化させる。
(2) After passing through the nozzle 103, the chemical liquid mist M may ride on the carrier gas and be excessively diffused.
In this case, the amount adhered to the surface to be coated is not small and the yield is not only poor, but the chemical solution mist M not adhered to the surface to be coated of the work 106 adheres to the inner wall of the coating chamber 102, and this again causes the apparatus to When operating, it acts as particles (P in FIG. 4) and adheres to the coated surface of a new work 106 to deteriorate the film quality.

【0013】(3)薬液ミストMはその粒径及び質量共
に非常に小さいので、小さな力でも操作し得る利点があ
るが、その反面、外乱を受けやすい。
(3) Since the chemical mist M has a very small particle size and mass, it has an advantage that it can be operated with a small force, but on the other hand, it is susceptible to disturbance.

【0014】ミスト法は、上記問題点のため、先に述べ
た優れた特徴を有しているにも拘らず、スピンコート法
に比べて採用度が低いのが現状である。
Due to the above-mentioned problems, the mist method has a low degree of adoption as compared with the spin coating method, although it has the excellent characteristics described above.

【0015】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、ノズル穴の詰
まりを防止して再現性を向上させると共にパーティクル
の発生を防止して高精度な薬液塗布を行う薬液塗布方法
及び薬液塗布装置を提供することである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to prevent clogging of nozzle holes to improve reproducibility and also to prevent generation of particles, thereby improving the performance. It is intended to provide a chemical liquid coating method and a chemical liquid coating device that perform accurate chemical liquid coating.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明の特徴は、薬液の粒径をミクロンオーダ
まで小さくした薬液ミストを生成し、前記薬液ミストを
基板に対向して設けられたノズルより前記基板の表面に
向けて吹き出し、前記ノズルと前記基板との間で前記薬
液ミストを液体ミストに接触させて混合ミストを生成
し、この混合ミストを前記基板の表面に塗布することに
ある。
In order to achieve the above object, a feature of the first invention is that a chemical solution mist having a particle size of the chemical solution reduced to a micron order is generated, and the chemical solution mist is opposed to a substrate. A nozzle provided is blown toward the surface of the substrate, the chemical mist is brought into contact with the liquid mist between the nozzle and the substrate to generate mixed mist, and the mixed mist is applied to the surface of the substrate. Especially.

【0017】第2の発明の特徴は、前記第1の発明にお
いて、予め前記基板に所定電位を印加しておき、前記ノ
ズルの近傍で前記混合ミストに前記所定電位の極性とは
逆極性の電荷を付加することにある。
A feature of the second invention is that in the first invention, a predetermined potential is applied to the substrate in advance, and a charge having a polarity opposite to that of the predetermined potential is applied to the mixed mist in the vicinity of the nozzle. Is to add.

【0018】第3の発明の特徴は、前記第1の発明にお
いて、前記基板を回転可能にすると共に前記ノズルを移
動可能に構成し、前記混合ミストの基板表面への塗布
は、少なくとも前記ノズルからの薬液の吐出量、前記ノ
ズルと前記基板との距離、前記基板の回転速度、及び前
記ノズルの移動速度のいずれかを制御しつつ行うことに
ある。
A feature of the third invention is that in the first invention, the substrate is rotatable and the nozzle is movable, and the coating of the mixed mist onto the substrate surface is performed at least from the nozzle. Of controlling the discharge amount of the chemical liquid, the distance between the nozzle and the substrate, the rotation speed of the substrate, and the moving speed of the nozzle.

【0019】第4の発明の特徴は、前記第1の発明にお
いて、前記基板の表面から所定距離を保って電極板を定
置し、該電極板と前記基板との間に予め電位差を印加し
ておき、該基板を回転させつつ前記混合ミストの基板表
面への塗布を行うことにある。
A feature of the fourth invention is that in the first invention, the electrode plate is placed at a predetermined distance from the surface of the substrate, and a potential difference is applied in advance between the electrode plate and the substrate. Then, the mixed mist is applied to the surface of the substrate while rotating the substrate.

【0020】第5の発明の特徴は、前記第4の発明にお
いて、前記電極板と前記基板との間に印加する電位差の
大きさ、前記電極板と前記基板表面との距離、及び該基
板の回転速度を制御しつつ前記混合ミストの基板表面へ
の塗布を行うことにある。
A feature of the fifth invention is that in the fourth invention, the magnitude of the potential difference applied between the electrode plate and the substrate, the distance between the electrode plate and the substrate surface, and the substrate This is to apply the mixed mist to the substrate surface while controlling the rotation speed.

【0021】第6の発明の特徴は、薬液の粒径をミクロ
ンオーダまで小さくした薬液ミストを発生する薬液ミス
トジェネレータと、液体ミストを発生する液体ミストジ
ェネレータと、前記薬液ミストと前記液体ミストとを混
合して混合ミストを噴射するノズルと、前記ノズルに対
向する位置に基板を載置するテーブルとを備えたことに
ある。
A sixth aspect of the present invention is characterized in that a chemical liquid mist generator for generating a chemical liquid mist having a particle diameter of the chemical liquid reduced to a micron order, a liquid mist generator for generating a liquid mist, the chemical liquid mist and the liquid mist are provided. It is provided with a nozzle that mixes and sprays a mixed mist, and a table that mounts a substrate at a position facing the nozzle.

【0022】第7の発明の特徴は、前記第6の発明にお
いて、前記薬液ミストジェネレータと前記ノズルとの間
に、粒径の大きなミストを捕捉する2次タンクを設けた
ことにある。
A feature of the seventh invention resides in that in the sixth invention, a secondary tank for capturing mist having a large particle size is provided between the chemical liquid mist generator and the nozzle.

【0023】前記ノズルの近傍に前記混合ミストに電荷
を付加するための放電用電極を設け、この放電用電極と
前記基板との間に電位差を印加するように構成したこと
にある。
A discharge electrode for adding an electric charge to the mixed mist is provided near the nozzle, and a potential difference is applied between the discharge electrode and the substrate.

【0024】第8の発明の特徴は、前記第6の発明にお
いて、前記基板に対向させて静電引力発生用電極板を設
け、この電極板と前記基板との間に電位差を印加するよ
うに構成したことにある。
The eighth invention is characterized in that, in the sixth invention, an electrostatic attractive force generating electrode plate is provided so as to face the substrate, and a potential difference is applied between the electrode plate and the substrate. I have configured it.

【0025】[0025]

【作用】上述の如き構成によれば、第1の発明は、薬液
の粒径をミクロンオーダまで小さくした薬液ミスト(マ
イクロフォグ)を生成してノズルより吹き出し、さらに
該ノズルと基板との間で前記薬液ミストを液体ミストに
接触させることにより、基板表面に塗布されるミストを
前記マイクロフォグから粒径の大きいウェットミスト
(混合ミスト)へ変換し、これを基板表面へ付着させ
る。
According to the above-mentioned structure, the first aspect of the invention is to generate a chemical liquid mist (microfog) in which the particle diameter of the chemical liquid is reduced to a micron order and blow it out from the nozzle, and further between the nozzle and the substrate. By bringing the chemical liquid mist into contact with the liquid mist, the mist applied to the surface of the substrate is converted from the micro-fog into wet mist (mixed mist) having a large particle size and attached to the surface of the substrate.

【0026】第2の発明は、前記混合ミストを例えば放
電などの手法により帯電させ、かつ帯電させた極性とは
逆極性の高レベル電位を基板に印加し、静電的な引力を
利用して混合ミストを基板表面に集中して付着させる。
In a second aspect of the present invention, the mixed mist is charged by a method such as discharging, and a high level potential having a polarity opposite to the charged polarity is applied to the substrate, and electrostatic attraction is used. The mixed mist is concentrated and attached to the substrate surface.

【0027】第3乃至第5の発明は、基板表面に形成さ
れる塗布膜の膜厚及び膜厚の均一性がその要求度に応じ
て制御される。
In the third to fifth inventions, the film thickness and the uniformity of the film thickness of the coating film formed on the surface of the substrate are controlled according to the degree of demand.

【0028】第6の発明は、前記第1の発明と同様の作
用となる。
The sixth invention has the same operation as the first invention.

【0029】第7の発明は、薬液ミストが2次タンクに
よりマイクロフォグに変換されて、ノズルへ運ばれる。
In the seventh aspect of the invention, the chemical mist is converted into microfog by the secondary tank and conveyed to the nozzle.

【0030】第8及び第9の発明は、混合ミストを基板
表面に集中して付着させる。
In the eighth and ninth inventions, the mixed mist is concentrated and adhered to the surface of the substrate.

【0031】[0031]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の第1実施例に係る薬液塗布装置
の構成を示す模式図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a chemical liquid coating device according to the first embodiment of the present invention.

【0032】図中1は薬液保存器であり、この中にはレ
ジスト剤などの薬液2が保存されている。レジスト剤な
どの薬液2は、温度や湿度により液中の溶媒の蒸発速度
が変わるため粘度のような特性が大きく変化する。その
ため、前記薬液保存器1は、恒温室3内に保管されてい
る。本実施例では、該薬液保存器1を密閉容器としてさ
らに溶媒雰囲気で加圧状態とした。
In the figure, reference numeral 1 denotes a chemical solution storage device in which a chemical solution 2 such as a resist agent is stored. In the chemical solution 2 such as a resist agent, the evaporation rate of the solvent in the solution changes depending on the temperature and the humidity, so that the characteristics such as the viscosity change greatly. Therefore, the chemical solution storage device 1 is stored in the temperature-controlled room 3. In this example, the chemical storage device 1 was used as a closed container and was further pressurized in a solvent atmosphere.

【0033】また、恒温室3の外部には薬液保存器1の
内部へ連通する配管4が設けられ、この配管4の供給口
4aからは、溶媒を多量に含んだキャリアガスC1が供
給される。さらに、薬液保存器1の内部は、温調ユニッ
ト5で温調された配管6を介してミストジェネレータ7
に連通されている。ミストジェネレータ7はマイクロフ
ォグを発生させるユニットであり、溶媒を多量に含んだ
キャリアガスC2を用いて少量の薬液をミスト化してい
る。このキャリアガスC2のミストジェネレータ7への
供給は、供給口8aから配管8を通して行われる。
A pipe 4 communicating with the inside of the chemical solution storage device 1 is provided outside the temperature-controlled room 3, and a carrier gas C1 containing a large amount of solvent is supplied from a supply port 4a of the pipe 4. . Further, the inside of the chemical storage device 1 is provided with a mist generator 7 via a pipe 6 whose temperature is controlled by a temperature control unit 5.
Is in communication with. The mist generator 7 is a unit that generates microfog, and uses a carrier gas C2 containing a large amount of a solvent to mist a small amount of chemical liquid. The carrier gas C2 is supplied to the mist generator 7 from the supply port 8a through the pipe 8.

【0034】さらに、ミストジェネレータ7は、配管9
を介して2次タンク10に連通されており、2次タンク
10で、ミストジェネレータ7から供給されたミストの
内粒径の大きなものを除去する。これによって、粒径が
所定の大きさ以下である微小粒径のミストのみが2次タ
ンク10をすり抜けていくことになる。2次タンク10
は、配管12を介して、レジスト量を計測する密閉可能
なプロセス容器11に連通されており、2次タンク10
からのミストの搬送は、供給口12aからの清浄なキャ
リアガスC3によって行う。また、レジスト量の調整
は、供給口4aからのキャリアガスC1と供給口8aか
らのキャリアガスC2との量を加減して行う。このレジ
スト量の調整は前記プロセス容器11を用いて予め最適
化しておく。
Further, the mist generator 7 is provided with a pipe 9
The mist supplied from the mist generator 7 having a large inner particle size is removed from the mist generator 7 in the secondary tank 10. As a result, only the mist having a fine particle diameter, which is equal to or smaller than the predetermined particle diameter, slips through the secondary tank 10. Secondary tank 10
Is connected via a pipe 12 to a process container 11 that can measure the amount of resist and can be sealed.
The mist is carried from the supply port 12a by the clean carrier gas C3. The adjustment of the resist amount is performed by adjusting the amounts of the carrier gas C1 from the supply port 4a and the carrier gas C2 from the supply port 8a. The adjustment of the resist amount is optimized in advance using the process container 11.

【0035】前記2次タンク10は、プロセスチャンバ
21内部のミストディスペンサノズル22に、フレキシ
ブル配管23を介して連結されている。このミストディ
スペンサノズル22は、更にフレキシブル配管24を介
してプロセスチャンバ21の外部の配管25に連結さ
れ、該配管25には溶媒のミスト(本実施例ではマイク
ロフォグとする)を供給する溶媒ミストジェネレータ2
6が連結されている。なお、溶媒ミストジェネレータ2
6からの溶媒ミストは、通常の粒径の大きなミストであ
ってもよい。
The secondary tank 10 is connected to the mist dispenser nozzle 22 inside the process chamber 21 via a flexible pipe 23. The mist dispenser nozzle 22 is further connected to a pipe 25 outside the process chamber 21 via a flexible pipe 24, and a solvent mist generator for supplying a mist of solvent (microfog in this embodiment) to the pipe 25. Two
6 are connected. The solvent mist generator 2
The solvent mist from 6 may be a normal mist having a large particle size.

【0036】プロセスチャンバ21内部の前記ミストデ
ィスペンサノズル22には、これをラジアル方向に移動
させるための制御棒27が固定されている。該制御棒2
7はプロセスチャンバ21の内壁を貫通して外部の移動
テーブル28に連結され、この移動テーブル28により
稼働されるようになっている。そして、制御棒27の位
置は、位置センサ29により絶えずモニタされている。
A control rod 27 for moving the mist dispenser nozzle 22 inside the process chamber 21 in the radial direction is fixed. The control rod 2
Reference numeral 7 penetrates the inner wall of the process chamber 21 and is connected to an external moving table 28 so that it can be operated by this moving table 28. The position of the control rod 27 is constantly monitored by the position sensor 29.

【0037】前記ミストディスペンサノズル22の近傍
には、制御棒27に絶縁碍子を介して支持された放電針
30が取り付けられている。放電針30はプロセスチャ
ンバ21の外部に設置された高電圧発生装置31に接続
されており、この高電圧発生装置31によりマイナスの
高電圧が印加されるようになっている。そして、放電針
30は、制御棒27に絶縁碍子を介して支持されている
ことから、ミストディスペンサノズル22及び放電針3
0は、1つのユニットとして後述するワークの半径方向
に移動可能な構造となっている。
In the vicinity of the mist dispenser nozzle 22, a discharge needle 30 supported by a control rod 27 via an insulator is attached. The discharge needle 30 is connected to a high voltage generator 31 installed outside the process chamber 21, and a negative high voltage is applied by the high voltage generator 31. Since the discharge needle 30 is supported by the control rod 27 via the insulator, the mist dispenser nozzle 22 and the discharge needle 3 are provided.
0 has a structure that is movable as a unit in the radial direction of a work to be described later.

【0038】また、ミストディスペンサノズル22に対
向する位置にテーブル32が設けられ、このテーブル3
2には例えば真空チャック法により平板状のワーク33
が固定されている。このテーブル32はプロセスチャン
バ21の外部に回転伝達装置34を有しており、これが
回転発生装置35と連結されている。
A table 32 is provided at a position facing the mist dispenser nozzle 22.
2 is, for example, a plate-shaped work 33 by a vacuum chuck method.
Is fixed. The table 32 has a rotation transmission device 34 outside the process chamber 21, which is connected to a rotation generation device 35.

【0039】なお、制御棒27、テーブル32及び放電
針30への配線等は全て気密処理が施されている。
The control rod 27, the table 32, and the wiring to the discharge needle 30 are all hermetically sealed.

【0040】図2は図1中のミストディスペンサノズル
22の内部構成を示す断面図であり、該ノズル22内の
中空部には、長手方向に薬液ミストを供給するための配
管22aが設けられ、この配管22aの外側の中空部
(チャンバ)22bが溶媒ミスト用の配管として用いら
れる。そして、薬液ミスト用の配管22aは、ミストを
流れやすくするために途中のR部22cで口径が緩やか
に拡大され、その拡大された部分の中央部付近には、微
小径のノズル穴22eが複数穿設された整流板22dが
設けられている。なお、整流板22dを境にして上部側
が上部チャンバ22f、下部側が下部チャンバ22gを
それぞれ構成している。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the internal structure of the mist dispenser nozzle 22 in FIG. 1, and a hollow portion inside the nozzle 22 is provided with a pipe 22a for supplying a chemical solution mist in the longitudinal direction. A hollow portion (chamber) 22b outside the pipe 22a is used as a pipe for the solvent mist. The pipe 22a for the chemical liquid mist has a moderately enlarged diameter at an R portion 22c in the middle to facilitate the flow of the mist, and a plurality of minute diameter nozzle holes 22e are provided near the center of the enlarged portion. A perforated straightening plate 22d is provided. The upper side constitutes an upper chamber 22f and the lower side constitutes a lower chamber 22g with the straightening plate 22d as a boundary.

【0041】また、薬液ミスト用の配管22aの先端部
は、ノズル22の先端部よりも内部側へ引き込む形にな
っており、従って配管22aの先端部とノズル22の先
端部との間には、若干の空隙22hが形成され、この空
隙22hにおいて薬液ミストと溶媒ミストとが混合する
ようになっている。そして、ノズル22の先端部の外周
部分には流れをスムーズにするための丸みを帯びた角2
2iが形成され、ノズル22の先端部の中央部にはミス
ト噴射口22jが形成されている。なお、角22iは、
本実施例では丸くしたが、面取りだけでもよい。
The tip of the pipe 22a for the chemical solution mist is drawn inward from the tip of the nozzle 22. Therefore, between the tip of the pipe 22a and the tip of the nozzle 22. A small amount of space 22h is formed, and the chemical solution mist and the solvent mist are mixed in this space 22h. The outer peripheral portion of the tip of the nozzle 22 has rounded corners 2 for smoothing the flow.
2i is formed, and a mist injection port 22j is formed at the center of the tip of the nozzle 22. The corner 22i is
Although it is round in this embodiment, it may be chamfered only.

【0042】次に、以上のように構成される薬液塗布装
置を用いて実施される薬液塗布方法を説明する。
Next, a chemical liquid coating method which is carried out by using the chemical liquid coating device configured as described above will be described.

【0043】まず、供給口4aより、キャリアガスC1
として清浄なエアが溶媒蒸気と共に薬液保管容器1へ供
給される。ここで、清浄なエアを用いるのは、ワーク3
3の被塗布面にパーティクルなどの汚染を生じさせない
ためである。ちなみに本実施例では、一旦フィルタを通
したエアを用いる。
First, the carrier gas C1 is supplied from the supply port 4a.
As a result, clean air is supplied to the chemical liquid storage container 1 together with the solvent vapor. Here, the clean air is used for the work 3
This is because contamination such as particles does not occur on the surface 3 to be coated. By the way, in this embodiment, air that has once been filtered is used.

【0044】キャリアガスC1が薬液保存容器1へ供給
されると、密閉された薬液保存容器1内の圧力が上昇
し、薬液2が温調装置5によって温調された配管6を通
ってミストジェネレータ7内へ供給される。その結果、
供給口8aからのキャリアガスC2が供給されるミスト
ジェネレータ7内で薬液2のミストが生成される。この
ミストは、この段階では様々な粒径を有している。
When the carrier gas C1 is supplied to the drug solution storage container 1, the pressure in the sealed drug solution storage container 1 rises, and the drug solution 2 passes through the pipe 6 whose temperature is controlled by the temperature controller 5 and the mist generator. 7 is supplied. as a result,
A mist of the chemical liquid 2 is generated in the mist generator 7 to which the carrier gas C2 is supplied from the supply port 8a. This mist has various particle sizes at this stage.

【0045】その後、該ミストは2次タンク10内へ送
られ、ここで所定の粒径以上の大きさを持つミストが除
去される結果、ミクロンオーダの粒径のミストがマイク
ロフォグとして2次タンク10から配管12へ送り出さ
れる。このようにして粒径を小さくするのは、容器や配
管の器壁や管壁との相互作用を減少させ、付着を防止す
るためであるが、このための臨界粒径は薬液により異な
るため、2次タンク10を操作することにより2次タン
ク10で除去する粒径を自由に変えられるようになって
いる。
Thereafter, the mist is sent into the secondary tank 10, where mist having a size larger than a predetermined particle size is removed. As a result, the mist having a particle size on the order of micron is converted into a micro fog in the secondary tank. It is sent from 10 to the pipe 12. The reason for reducing the particle size in this way is to reduce the interaction with the vessel wall or the tube wall of the container or the pipe and prevent the adhesion, but since the critical particle size for this is different depending on the chemical solution, By operating the secondary tank 10, the particle size to be removed in the secondary tank 10 can be freely changed.

【0046】2次タンク10から配管12へ送り出され
たミクロンオーダの粒径の薬液ミストは、供給口12a
から供給される清浄なエア(キャリアガスC3)と共
に、フレキシブル配管23を通ってプロセスチャンバ2
1内に設置されたミストディスペンサノズル22へ送ら
れる。これと同時に、溶媒ミストも溶媒供給配管25及
びフレキシブル配管24を通って前記ノズル22へ供給
される。
The chemical solution mist having a particle size on the order of micron sent from the secondary tank 10 to the pipe 12 is supplied to the supply port 12a.
With the clean air (carrier gas C3) supplied from the process chamber 2 through the flexible pipe 23.
It is sent to the mist dispenser nozzle 22 installed in 1. At the same time, the solvent mist is also supplied to the nozzle 22 through the solvent supply pipe 25 and the flexible pipe 24.

【0047】薬液ミストは、図2に示す配管22aへ供
給され、R部22cを通過しつつ上部チャンバ22f内
へ入る。上部チャンバ22fに入ったミストの流れの流
速分布は一様ではないが、整流板22dのノズル穴22
eを通過することによって、下部チャンバ22gでは一
様な流速分布を得ることができる。
The chemical solution mist is supplied to the pipe 22a shown in FIG. 2, and enters the upper chamber 22f while passing through the R portion 22c. Although the flow velocity distribution of the mist flow entering the upper chamber 22f is not uniform, the nozzle holes 22 of the straightening plate 22d
By passing through e, a uniform flow velocity distribution can be obtained in the lower chamber 22g.

【0048】なお、本実施例では、整流板22dのノズ
ル穴22eを通過する薬液ミストはマイクロフォグの小
さな粒径であるので、ノズル穴22eに乾燥した薬液が
付着してそのノズル穴22eが詰まり、これに起因する
再現性の悪化を防止することができる。
In this embodiment, since the chemical solution mist passing through the nozzle hole 22e of the straightening plate 22d has a small particle size of micro-fog, the dry chemical solution adheres to the nozzle hole 22e and the nozzle hole 22e is clogged. It is possible to prevent deterioration of reproducibility due to this.

【0049】一方、溶媒ミストは、チャンバ22b内を
図中の矢印(点線)方向に流れ、角22iで流れの方向
を変えてノズル22の先端部中心に向って流れる。そし
て、薬液ミストと溶媒ミストは、図2中の空隙22hの
部分で合流する。
On the other hand, the solvent mist flows in the chamber 22b in the direction of the arrow (dotted line) in the figure, changes the flow direction at the corner 22i, and flows toward the center of the tip of the nozzle 22. Then, the chemical mist and the solvent mist merge at the void 22h in FIG.

【0050】その結果、小粒径の薬液ミストは、溶媒ミ
ストと混合して成長し、粒径が大きくなり、その付着力
もアップすることになる。なお、薬液ミストの供給流速
は、溶媒ミストの供給量流速より大きくしておき、成長
したミストを噴射口22j側へ流す。
As a result, the chemical mist having a small particle size grows by being mixed with the solvent mist, the particle size becomes large, and the adhesive force thereof also increases. In addition, the supply flow rate of the chemical mist is set to be higher than the supply flow rate of the solvent mist, and the grown mist is flown to the injection port 22j side.

【0051】図1に戻り、上記のようなプロセスで溶媒
ミストと混合し成長した薬液ミストは、混合ミストとし
てワーク33の表面に吹き付けられる。この混合ミスト
は、ワーク33に到達する以前に成長し付着性が大きく
なっており、そのため、ワーク33の表面に達すれば速
やかに付着する。
Returning to FIG. 1, the chemical liquid mist mixed and grown with the solvent mist in the above process is sprayed as a mixed mist onto the surface of the work 33. The mixed mist grows before reaching the work 33 and has a large adhesiveness. Therefore, when it reaches the surface of the work 33, the mixed mist adheres quickly.

【0052】さらに、ノズル22から放出された混合ミ
ストをワーク33の表面に吹き付ける際に、途中で放電
針30により、混合ミストに電荷を与える。すなわち、
放電針30には、高電圧電源31により負の高電圧が印
加され、これによって放電針30の先端でコロナ放電が
生じ、放電針30の先端付近で電離が発生して電子が混
合ミストに付加される。ここで、ワーク33を接地電位
にしておけば、負に帯電した混合ミストはワーク33に
集中して付着する。
Further, when the mixed mist discharged from the nozzle 22 is sprayed onto the surface of the work 33, the discharge needle 30 is used to charge the mixed mist midway. That is,
A high negative voltage is applied to the discharge needle 30 by a high-voltage power supply 31, which causes corona discharge at the tip of the discharge needle 30, ionization occurs near the tip of the discharge needle 30, and electrons are added to the mixed mist. To be done. Here, if the work 33 is set to the ground potential, the negatively charged mixed mist is concentrated and attached to the work 33.

【0053】この時、ワーク33は、テーブル32上に
おいて、回転発生装置35及び回転伝達装置34によっ
て決まる所定の回転数で回転している。その回転数は、
ノズル22の移動速度と共に予め最適化されている。こ
れは、ノズル22の移動速度に対して回転数が大き過ぎ
た場合は、塗布される薬液の膜厚は設定値より薄いもの
になり、逆に小さ過ぎた場合には厚くなり過ぎるからで
ある。また、薬液吐出量を一定にして、ノズル22を基
板内周から外周へ移動させると内周部では厚く外周部で
は薄くなってしまうが、本実施例ではこの点を考慮し
て、薬液吐出量を一定にして、ノズル22の移動速度を
内周で速く外周で遅くするように設定している。
At this time, the work 33 is rotating on the table 32 at a predetermined rotation speed determined by the rotation generating device 35 and the rotation transmitting device 34. The number of rotations is
It is optimized in advance together with the moving speed of the nozzle 22. This is because when the number of rotations is too high with respect to the moving speed of the nozzle 22, the film thickness of the applied chemical liquid becomes thinner than the set value, and when it is too small, it becomes too thick. . Further, if the nozzle 22 is moved from the inner circumference to the outer circumference of the substrate with the amount of chemical liquid discharged constant, the inner peripheral portion becomes thicker and the outer peripheral portion becomes thinner, but in this embodiment, in consideration of this point, the amount of chemical liquid discharged is taken into consideration. Is set to be constant, and the moving speed of the nozzle 22 is set to be high at the inner circumference and slow at the outer circumference.

【0054】なお、薬液がテーブル32へはみ出す恐れ
がある場合には、例えばノズル22を垂直方向に移動で
きる装置を付加して、ノズル22とワーク33との間の
距離小さくするようにすればよい。この場合は、膜厚の
均一性を補正すべく吐出量を絞る必要がある。
If there is a possibility that the chemical solution may overflow to the table 32, for example, a device that can move the nozzle 22 in the vertical direction may be added to reduce the distance between the nozzle 22 and the work 33. . In this case, it is necessary to reduce the ejection amount to correct the film thickness uniformity.

【0055】図3は、本発明の第2実施例に係る薬液塗
布装置の構成を示す模式図であり、図1と共通の要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of a chemical liquid coating apparatus according to the second embodiment of the present invention. Elements common to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and their description is omitted.

【0056】上記第1実施例では制御棒27及び移動テ
ーブル28によってミストディスペンサノズル22を移
動する構造としたが、本実施例では、制御棒27及び移
動テーブル28を取り除き、ワーク33の半径方向に前
記ノズル22に相当するノズルを複数個設ける構造とし
たものである。
Although the mist dispenser nozzle 22 is moved by the control rod 27 and the moving table 28 in the first embodiment, the control rod 27 and the moving table 28 are removed in the radial direction of the work 33 in the present embodiment. The structure is such that a plurality of nozzles corresponding to the nozzles 22 are provided.

【0057】より具体的に説明すると、プロセスチャン
バ21内部に2つのノズル22a,22bを設け、これ
に伴って、第1実施例におけるプロセス容器11、配管
12、溶媒ミスト供給配管16、フレキシブル配管2
3,24、放電針30、及び高電圧発生装置31の各構
成要素に相当するものが2個ずつ設けられている。
More specifically, two nozzles 22a and 22b are provided inside the process chamber 21, and along with this, the process container 11, the pipe 12, the solvent mist supply pipe 16 and the flexible pipe 2 in the first embodiment.
Two pieces corresponding to the respective constituent elements of the 3, 24, the discharge needle 30, and the high voltage generator 31 are provided.

【0058】すなわち、プロセス容器11a,11b、
配管12a,12b、溶媒ミスト供給配管16a,16
b、配管23a,23b,24a,24b、放電針30
a,30b、及び高電圧発生装置31a,31bが設け
られ、さらに、各配管12a,12bと2次タンク10
との間にはそれぞれバルブ10a,10bが取り付けら
れている。そして、配管12aの供給口12Aからはキ
ャリアガスC3aが、また配管12bの供給口12Bか
らはキャリアガスC3bがそれぞれ供給される。
That is, the process vessels 11a, 11b,
Pipes 12a and 12b, solvent mist supply pipes 16a and 16
b, piping 23a, 23b, 24a, 24b, discharge needle 30
a, 30b and high voltage generators 31a, 31b are provided, and further, the respective pipes 12a, 12b and the secondary tank 10 are provided.
Valves 10a and 10b are attached between and. The carrier gas C3a is supplied from the supply port 12A of the pipe 12a, and the carrier gas C3b is supplied from the supply port 12B of the pipe 12b.

【0059】このように構成しても上記第1実施例と同
様の効果を有する。
Even with this structure, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、薬液ミストをマイクロフォグにしてノズルよ
り吹き出すので、ノズルの穴が詰まることを防止できて
再現性が向上するだけではなく、パーティクルの発生を
低減でき、さらに、基板表面に塗布されるミストをマイ
クロフォグから粒径の大きい混合ミストへ変換するの
で、薬液の基板表面への付着力が向上する。また、薬液
がマイクロフォグの状態で搬送されるので、温度/湿度
の影響をほとんど受けない。これにより、高精度な薬液
塗布を行うことができる。
As described in detail above, according to the first aspect of the invention, since the chemical mist is made into microfog and blown out from the nozzle, it is possible to prevent clogging of the nozzle hole and improve reproducibility. However, since the generation of particles can be reduced and the mist applied to the substrate surface is converted from microfog to mixed mist having a large particle size, the adhesive force of the chemical solution to the substrate surface is improved. Further, since the chemical solution is conveyed in the microfog state, it is hardly affected by temperature / humidity. As a result, it is possible to apply the chemical liquid with high accuracy.

【0061】第2の発明は、予め前記基板に所定電位を
印加しておき、ノズルの近傍で混合ミストに前記所定電
位の極性とは逆極性の電荷を付加するようにしたので、
ミストの分散を防ぐことができ、収率が向上する。
In the second aspect of the present invention, a predetermined potential is applied to the substrate in advance, and charges having a polarity opposite to the polarity of the predetermined potential are added to the mixed mist in the vicinity of the nozzle.
Dispersion of mist can be prevented and the yield is improved.

【0062】第3乃至第5の発明によれば、塗布膜の膜
厚及び膜厚の均一性を高精度に制御することができるだ
けでなく、この制御に関して基板と機械的接触がないの
で、塗布膜を汚染する危険性が少ない。
According to the third to fifth inventions, not only can the film thickness and the uniformity of the film thickness of the coating film be controlled with high accuracy, but there is no mechanical contact with the substrate for this control. There is less risk of fouling the membrane.

【0063】第6及び第7の発明は、前記第1の発明と
同様の効果を有する。
The sixth and seventh inventions have the same effects as the first invention.

【0064】第8及び第9の発明は、前記第2の発明と
同様の効果を有する。
The eighth and ninth inventions have the same effects as the second invention.

【0065】以上の効果により、大口径ウエハや大面積
液晶パネルに対して、従来のスピンコーティング法やミ
スト法よりも、レジストなどの薬液の供給量を大幅に低
減することができる。この点に関して、半導体の集積度
が上がるにつれて、同一基板に対して薬液の塗布回数が
増加することが予想されることから、その経済的効果は
著しく大きい。
Due to the above effects, the supply amount of the chemical liquid such as the resist to the large diameter wafer or the large area liquid crystal panel can be significantly reduced as compared with the conventional spin coating method or the mist method. In this regard, since it is expected that the number of times the chemical solution is applied to the same substrate will increase as the degree of integration of semiconductors increases, its economic effect is remarkably large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る薬液塗布装置の構成
を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a chemical liquid coating device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1中のミストディスペンサノズル22の内部
構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an internal configuration of a mist dispenser nozzle 22 in FIG.

【図3】本発明の第2実施例に係る薬液塗布装置の構成
を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a chemical liquid coating device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の薬液塗布装置の概略構成を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional chemical liquid coating device.

【図5】図4中のノズル103の内部構成図である。5 is an internal configuration diagram of a nozzle 103 in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 薬液 7 ミストジェネレータ 10 2次タンク 21 プロセスチャンバ 22 ミストディスペンサノズル 22e ノズル穴 26 溶媒ミストジェネレータ 27 制御棒 28 移動テーブル 30 放電針 31 高電圧発生装置 32 テーブル 33 ワーク 2 chemical liquid 7 mist generator 10 secondary tank 21 process chamber 22 mist dispenser nozzle 22e nozzle hole 26 solvent mist generator 27 control rod 28 moving table 30 discharge needle 31 high voltage generator 32 table 33 work

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/16 502 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location G03F 7/16 502

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薬液の粒径をミクロンオーダまで小さく
した薬液ミストを生成し、 前記薬液ミストを基板に対向して設けられたノズルより
前記基板の表面に向けて吹き出し、 前記ノズルと前記基板との間で前記薬液ミストを液体ミ
ストに接触させて混合ミストを生成し、この混合ミスト
を前記基板の表面に塗布することを特徴とする薬液塗布
方法。
1. A chemical liquid mist in which the particle size of the chemical liquid is reduced to the order of microns, and the chemical liquid mist is blown toward a surface of the substrate from a nozzle provided facing the substrate, the nozzle and the substrate A method for applying a chemical solution, characterized in that the chemical solution mist is brought into contact with the liquid mist to generate a mixed mist, and the mixed mist is applied to the surface of the substrate.
【請求項2】 予め前記基板に所定電位を印加してお
き、 前記ノズルの近傍で前記混合ミストに前記所定電位の極
性とは逆極性の電荷を付加することを特徴とする請求項
1記載の薬液塗布方法。
2. The predetermined potential is applied to the substrate in advance, and a charge having a polarity opposite to the polarity of the predetermined potential is added to the mixed mist in the vicinity of the nozzle. Chemical application method.
【請求項3】 前記基板を回転可能にすると共に前記ノ
ズルを移動可能に構成し、 前記混合ミストの基板表面への塗布は、少なくとも前記
ノズルからの薬液の吐出量、前記ノズルと前記基板との
距離、前記基板の回転速度、及び前記ノズルの移動速度
のいずれかを制御しつつ行うことを特徴とする請求項1
記載の薬液塗布方法。
3. The substrate is configured to be rotatable and the nozzle is movable, and the application of the mixed mist to the substrate surface is performed by at least the discharge amount of the chemical liquid from the nozzle, the nozzle and the substrate. 2. The process is performed while controlling any one of the distance, the rotation speed of the substrate, and the moving speed of the nozzle.
The method for applying the chemical liquid described.
【請求項4】 前記基板の表面から所定距離を保って電
極板を定置し、該電極板と前記基板との間に予め電位差
を印加しておき、該基板を回転させつつ前記混合ミスト
の基板表面への塗布を行うことを特徴とする請求項1記
載の薬液塗布方法。
4. A substrate of the mixed mist, wherein an electrode plate is placed at a predetermined distance from the surface of the substrate, a potential difference is applied in advance between the electrode plate and the substrate, and the substrate is rotated. The method for applying a chemical liquid according to claim 1, wherein the application is performed on the surface.
【請求項5】 前記電極板と前記基板との間に印加する
電位差の大きさ、前記電極板と前記基板表面との距離、
及び該基板の回転速度を制御しつつ前記混合ミストの基
板表面への塗布を行うことを特徴とする請求項4記載の
薬液塗布方法。
5. The magnitude of the potential difference applied between the electrode plate and the substrate, the distance between the electrode plate and the surface of the substrate,
The chemical solution coating method according to claim 4, wherein the mixed mist is coated on the surface of the substrate while controlling the rotation speed of the substrate.
【請求項6】 薬液の粒径をミクロンオーダまで小さく
した薬液ミストを発生する薬液ミストジェネレータと、 液体ミストを発生する液体ミストジェネレータと、 前記薬液ミストと前記液体ミストとを混合して混合ミス
トを噴射するノズルと、 前記ノズルに対向する位置に基板を載置するテーブルと
を備えたことを特徴とする薬液塗布装置。
6. A chemical liquid mist generator for generating a chemical liquid mist in which the particle diameter of the chemical liquid is reduced to the order of microns, a liquid mist generator for generating a liquid mist, and a mixed mist by mixing the chemical liquid mist and the liquid mist. A chemical liquid coating apparatus comprising: a jetting nozzle; and a table on which a substrate is placed at a position facing the nozzle.
【請求項7】 前記薬液ミストジェネレータと前記ノズ
ルとの間に、粒径の大きなミストを捕捉する2次タンク
を設けたことを特徴とする請求項6記載の薬液塗布装
置。
7. The chemical solution applying device according to claim 6, further comprising a secondary tank provided between the chemical solution mist generator and the nozzle for capturing mist having a large particle size.
【請求項8】 前記ノズルの近傍に前記混合ミストに電
荷を付加するための放電用電極を設け、 この放電用電極と前記基板との間に電位差を印加するよ
うに構成したことを特徴とする請求項6記載の薬液塗布
装置。
8. A discharge electrode for adding an electric charge to the mixed mist is provided in the vicinity of the nozzle, and a potential difference is applied between the discharge electrode and the substrate. The chemical solution applying device according to claim 6.
【請求項9】 前記基板に対向させて静電引力発生用電
極板を設け、 この電極板と前記基板との間に電位差を印加するように
構成したことを特徴とする請求項6記載の薬液塗布装
置。
9. The chemical solution according to claim 6, wherein an electrostatic attraction generating electrode plate is provided so as to face the substrate, and a potential difference is applied between the electrode plate and the substrate. Coating device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100918547B1 (en) * 2007-01-31 2009-09-21 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017064583A (en) * 2015-09-28 2017-04-06 東レエンジニアリング株式会社 Electrospray device

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