KR100682750B1 - On-line testing apparatus embeded the circuit and Method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CMOS로 제조된 ASIC와 같은 칩의 정상/비정상을 테스팅하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 온라인 테스팅장치는 동작전원을 공급받아 설정된 기능을 수행하는 테스트 대상회로와, 테스트 대상회로와 전기적으로 연결되어 하나의 팩키지로 형성되며, 테스트 대상회로로부터 발생되는 전류를 감지하여 또 다른 하나의 비교전류를 생성하고, 상기 전류들로부터 정상과 비정상 중 어느 하나를 판단하여 이에 해당하는 판별신호를 출력하는 테스팅부를 포함한다. 이에 따라, 동작 중이건 테스팅 중이건 상관없이 대상회로의 출력전류를 사용하여 테스팅을 하기 때문에 게이트에 의한 누설전류에 따른 고장 뿐만 아니라 브리징고장을 정확하게 판별하므로 시스템의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a built-in on-line testing apparatus and method thereof of a target circuit for testing normal / abnormal of a chip such as an ASIC made of CMOS. This on-line testing device is formed as a package that is connected to the test target circuit and a test target circuit that performs a set function by receiving operating power, and compares another by detecting a current generated from the test target circuit. And a testing unit configured to generate a current, determine one of normal and abnormal from the currents, and output a determination signal corresponding thereto. Accordingly, since testing is performed using the output current of the target circuit regardless of whether it is operating or testing, it is possible to accurately determine not only the failure caused by the leakage current caused by the gate but also the bridging failure, thereby improving the reliability of the system.

CMOS, ASIC, 테스트, 전류, 감지, 내장형 CMOS, ASIC, Test, Current, Sensing, Embedded

Description

대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법{on-line testing apparatus embeded the circuit and Method thereof}On-line testing apparatus embeded the circuit and method according to the present invention

도 1은 본 발명에 따른 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치를 나타낸 회로도이고,1 is a circuit diagram showing a built-in on-line testing device of the target circuit according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 증폭기를 상세하게 나타낸 회로도이고,2 is a circuit diagram showing in detail the amplifier according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 비교기를 상세하게 나타낸 회로도이고,3 is a circuit diagram showing in detail the comparator according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 대상회로의 동작 중 또는 테스팅 중인 환경에서 정상적인 경우를 나타낸 타이밍도이고,4 is a timing diagram illustrating a normal case in the operation of the target circuit or the environment under test according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 대상회로의 동작 중 또는 테스팅 중인 환경에서 비정상적인 경우를 나타낸 타이밍도이다.FIG. 5 is a timing diagram illustrating an abnormal case in an operation of a target circuit or an environment under test according to the present invention.

-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on the main parts of the drawing

10 : 테스트 대상회로 11 : 증폭기10: circuit under test 11: amplifier

12 : 비교기 13 : 제1 트랜지스터12 comparator 13 first transistor

14 : 제2 트랜지스터 18 : 인버터14 second transistor 18 inverter

20 : 테스팅부20: testing unit

본 발명은 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CMOS(Complementray Matal Oxide Semiconductor)로 제조된 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)과 같은 칩의 정상/비정상을 테스팅하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a built-in on-line testing apparatus and method of the target circuit, and more particularly, a target circuit for testing normal / abnormal of a chip such as an application specific integrated circuit (ASIC) manufactured by CMOS (Complementray Matal Oxide Semiconductor). The present invention relates to a built-in online testing apparatus and a method thereof.

일반적으로 CMOS는 동작전류가 아주 작은 반도체 기억소자로써, 메모리와 주문형 반도체 등에 다양하게 쓰이고 있다. In general, CMOS is a semiconductor memory device having a very small operating current, and is widely used in memory and custom semiconductors.

이와 같은 CMOS 기술은 점차적으로 집적회로의 집적도와 크기가 매우 크게 증가함으로 인하여 그 복잡도(complexity)가 점점 증가하게 되고 있기 때문에 칩의 제조 과정에서 여러 가지 요인에 의하여 많은 물리적 결함(physical defect)들이 발생하게 되고, 그에 따른 비정상적인 동작, 즉 고장들이 생겨나고 있다. 집적도의 증가로 인해 발생하는 고장들은 기존의 모델로 사용되어지던 고착 고장(stuck-at) 보다, 내부 노드(node)간의 저항성 합선(short)에 의한 브리징 고장(bridging fault)과, 트랜지스터 단자들 사이의 합선에 의한 고장(short fault)이 더 많은 발생 빈도를 나타내고 있다. 이처럼 CMOS 집적회로에서 고장 발생 가능성이 증가하면서 회로가 정상적으로 동작하는지 여부를 검증하는 테스팅이 매우 어렵게 되고 있으며, 이로 인하여 많은 시간과 인력 그리고 비용을 필요로 하게 된다.In this CMOS technology, as the complexity and size of integrated circuits gradually increase, the complexity increases, and many physical defects occur due to various factors in the manufacturing process of the chip. And accordingly abnormal operation, that is, failures are occurring. The faults caused by the increased density are more likely to be caused by bridging faults due to resistive shorts between internal nodes and between transistor terminals, rather than the stuck-at used in previous models. Short faults due to shorts indicate more frequent occurrences. As the likelihood of failure in CMOS integrated circuits increases, testing of whether circuits operate normally becomes very difficult, which requires a lot of time, manpower, and cost.

CMOS 기술에 따른 회로는 구조의 특성상 과도상태(transient state)에서만 과도전류(transient current)가 흐르고, 정상상태(steady state)에서는 p-n 접합 누설 전류(p-n junction leakage current) 이외에는 전류가 흐르지 않는다. 그러나 CMOS 회로에서 브리징 고장이나 합선 고장이 발생하게 되면, 전원(VDD)에서 접지(GND)로 정전류 경로가 형성되어 정상상태에서도 전류(IDDQ : quiescent current)가 흐르게 되는 비정상적인 현상이 발생된다. 이러한 현상들은, 대부분 논리적인 에러로 인한 고장은 발생시키지 않으면서 신호지연(signal delay), 열 발생 등으로 인한 2차적인 고장의 요인이 되며, 시간이 지날수록 상태가 더욱 악화되어 집적회로를 사용하는 도중에 전자 시스템 내에서 결정적인 고장을 일으키므로 시스템 및 집적회로의 신뢰도(reliability)를 감소시키는 결과를 가져온다.Due to the structure of the CMOS technology, a transient current flows only in a transient state, and no current flows except for a pn junction leakage current in a steady state. However, if a bridging fault or a short circuit fault occurs in the CMOS circuit, an abnormal phenomenon occurs in which a constant current path is formed from the power supply VDD to the ground GND, and a current I DDQ flows even in a normal state. These phenomena are the cause of secondary failures due to signal delay, heat generation, etc. without causing failures due to logical errors in most cases. This results in critical failures within the electronic system, resulting in reduced system and integrated circuit reliability.

따라서 IDDQ가 흐르는 현상은 기존의 테스팅 방식인 논리 테스팅, 즉 전압 테스팅으로는 검출하기가 매우 어렵고, CMOS 회로의 고장에 의해 변화하는 정상상태의 전류 값을 관찰하여 회로 내에 존재하는 다양한 형태의 고장을 용이하게 검출할 수 있는 전류 테스팅 방법을 사용하여야 한다. 전류 테스팅 방법은 전압 테스팅에 비하여 적은 수의 테스트 패턴을 사용하면서도 브리징 고장과 같은 물리적 고장 뿐만 아니라 게이트 누설전류와 같이 회로의 신뢰도에 관계되는 고장도 검출이 가능하다. 또한 고장의 영향을 출력 단까지 전파할 필요가 없고, 회로의 전원에서 공급되는 전류 즉 IDDQ 값만을 측정하고 기준 전류 값(reference current)과 비교하여 고장을 검출할 수 있는 장점을 가진다.Therefore, the flow of I DDQ is very difficult to detect by the conventional testing method, that is, logic testing, that is, voltage testing, and various types of failures existing in the circuit by observing steady-state current values changed by the failure of the CMOS circuit. The current testing method should be used to easily detect. Current testing uses fewer test patterns than voltage testing, but can detect physical failures, such as bridging failures, as well as failures related to circuit reliability, such as gate leakage current. In addition, it is not necessary to propagate the effect of the fault to the output stage, and has the advantage of detecting the fault by measuring only the current supplied from the power supply of the circuit, that is, the I DDQ value and comparing it with the reference current value.

전류 테스팅 방법에는 고장 전류를 칩의 외부에서 측정하는 외부 전류 테스팅(off-chip current testing) 방법과 고장 전류 테스팅을 위한 부가회로를 칩의 내부에 내장하는 내장형 전류 테스팅(built-in current testing) 방법이 있다. 외부 전류 테스팅 방법은 외부에 테스팅 장비가 테스트 대상회로(CUT : circuit under test)에 비해 상당히 큰 충전부하(capacitive load)를 가지고 있어 정교하게 작은 양의 고장 전류를 감지하는 데에 어려움이 있고, 테스팅 장비의 임피던스에 의한 지연 때문에 고속 테스팅이 불가능하다. 또한 종래의 테스팅 장비들은 전압을 측정하도록 되어있어 별도의 전류 테스팅 장비가 필요하게 되어 비용의 문제도 가지게 된다. 이러한 단점들을 해결하기 위하여 내장형 전류 테스팅 방법을 고려할 수 있는데, 고장 전류를 검출해 내기 위하여 내장형 전류 감지 회로(BICS : built-in current sensor)를 칩 속에 내장하는 방법이다.Current testing methods include off-chip current testing, which measures fault current outside the chip, and built-in current testing, which incorporates additional circuitry inside the chip for fault current testing. There is this. External current testing method has difficulty in detecting delicately small amount of fault current because the external testing equipment has a considerably larger capacitive load than the circuit under test (CUT). High speed testing is not possible because of the delay caused by the impedance of the equipment. In addition, conventional testing equipment is to measure the voltage requires a separate current testing equipment has a cost problem. To solve these shortcomings, we can consider a built-in current testing method, in which a built-in current sensor (BICS) is embedded in the chip to detect fault current.

이와 같은 내장형 전류 감지 방법은 측정이 어려운 전류 값의 변화를 이에 대응하는 전압 값(논리 값)의 변화로 관찰할 수 있도록 하여 기존의 테스팅 장비를 그대로 사용할 수 있고, 테스트 대상회로의 전류만을 기준전류와 비교하므로 고장 전류의 판단이 쉽다. 또한 외부의 부하가 존재하지 않으므로 고속 테스팅이 가능한 장점을 가진다. 그러나 이 방법의 경우에는 전류 감지 회로가 칩 내부에 내장되기 때문에 칩의 면적이 증가하고 회로의 동작 성능이 저하되는 단점도 지니고 있다. Such a built-in current sensing method can observe changes in current values that are difficult to measure as changes in corresponding voltage values (logical values), so that existing testing equipment can be used as it is. Compared with, it is easy to determine the fault current. In addition, since there is no external load, high speed testing is possible. However, this method also has the disadvantage of increasing the area of the chip and degrading the operation performance of the circuit because the current sensing circuit is embedded inside the chip.

일반적인 내장형 전류감지회로는 4가지 정도가 알려져 있으며, 그 회로 각각은 다음과 같다.There are four general built-in current sensing circuits, each of which is described below.

첫째, Maly의 내장형 전류 감지 회로는 차동 증폭기(differential amplifier)를 사용하며, 기준 전압과 비교하여 고장 전류를 검출한다. 이 때, 두 개의 제어용 클럭(control clock)을 사용하고, 고장 전류에 의해 생겨나는 전압을 발생시키기 위해 수평형 NPN BJT(Bipolar Junction Transistor)를 사용한다. 이 회로의 장점은 BJT를 사용함으로써 매우 작은 고장 전류의 검출이 가능하지만, 반면에 외부의 기준 전압이 필요하고, 두 개의 클럭을 필요로 하며, BiCMOS 공정 필요하기 때문에 제조공정이 길어 생산성이 떨어지고, 이에 따라 비용이 증가되는 문제점을 가지고 있다.First, Maly's built-in current sense circuit uses a differential amplifier and detects fault currents compared to a reference voltage. In this case, two control clocks are used and a horizontal NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) is used to generate a voltage generated by the fault current. The advantage of this circuit is that the use of BJT enables the detection of very small fault currents, while requiring external reference voltages, two clocks, and a BiCMOS process, resulting in a long manufacturing process and reduced productivity. Accordingly, there is a problem that the cost is increased.

둘째, Miura의 내장형 전류 감지 회로는 V-I 변환기(translator), 레벨(level) 변환기, 적분 회로(integrator circuit)로 구성되어 있다. 이 회로는 외부 전류 소스 사용으로 BICS 자체 테스팅 가능한 장점을 가지지만, 큰 커패시터와 저항 사용으로 면적 소모가 크고 고장 유무 판단 위해 적분 회로를 사용하기 때문에 유지보수에 상당한 어려움이 있으며, 유지관리에 비용이 많이 소요되는 문제점을 가지고 있다. Second, Miura's built-in current sensing circuit consists of a V-I transducer, a level converter, and an integrator circuit. This circuit has the advantage of being able to test BICS itself by using an external current source, but the use of large capacitors and resistors has a large area consumption, and the integration circuit is used to determine whether there is a failure. It has a lot of problems.

셋째, Tang의 내장형 전류 감지 회로는 연산 증폭기, 전류 감지용 저항, 전류 감지기로 구성되었으며, 2개의 서로 다른 공급 전원을 사용한다. 전류 분석도(resolution) 조절이 가능하고, 외부 기준 전류/전압이 불필요하지만, 공급 전원 2개가 필요하여 BJT 공정을 혼용하기 때문에 제작에 비용이 많이 소요되고, 생산성이 떨어지는 문제점이 있다. Third, Tang's built-in current-sense circuit consists of an op amp, current-sense resistor, and current detector, and uses two different supply sources. Current resolution can be adjusted and no external reference current / voltage is required. However, since two supply power supplies are required, the BJT process is mixed, resulting in costly manufacturing and poor productivity.

넷째, Kim의 내장형 전류 감지 회로는 V-I 트랜지스터와 전류 미러(current mirror) 형태 회로를 사용하여 구성된다. 이 회로는 매우 작은 트랜지스터를 사용함으로써 면적소모 면에 있어서 최소를 가져왔으나, 모드 선택이 필요하고 이를 위 하여 외부 제어 단자가 필요하기 때문에 동작조건이 까다로운 문제점이 있다.Fourth, Kim's built-in current sensing circuit uses V-I transistors and current mirror circuits. This circuit has the smallest area in terms of area consumption by using very small transistors, but requires a mode selection and an external control terminal for this.

전술한 바와 같은 종래기술들은 상기 각각의 문제점들 뿐만 아니라 테스트 대상회로가 동작 중, 즉 테스트 대상회로의 온라인 상태에서는 테스트가 거의 불가능하다. 따라서, 테스트 대상회로의 지원을 받는 시스템은 일시적으로 그 동작을 중단하여야 하므로 시스템의 중단에 따른 손실과 피해가 발생하는 문제점이 있다. 이를 해소하기 위한 장치 및 방법이 요구되고 있다.The above-described prior arts make it almost impossible to test each circuit as well as the above-mentioned problems while the circuit under test is in operation, i.e., in an online state of the circuit under test. Therefore, since the system supported by the circuit under test needs to temporarily stop its operation, there is a problem in that loss and damage occurs due to interruption of the system. There is a need for an apparatus and method for solving this problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안한 것으로, 내장형으로 실장하게 되더라도 소형 CMOS의 특징을 그대로 유지하면서 제조공정에 따른 생산성을 향상시키고, 테스트 대상회로의 전원을 사용하여 유지관리비용이 소요되지 않을 뿐만 아니라 테스트 대상회로의 동작 중에도 테스트를 가능케 하도록 한 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and even if it is mounted as an embedded type, the productivity of the manufacturing process is improved while maintaining the characteristics of the small CMOS, and maintenance costs are required by using the power of the circuit under test. It is an object of the present invention to provide a built-in on-line testing apparatus and a method thereof for enabling a test even during operation of a circuit under test.

상기 목적은, 동작전원을 공급받아 설정된 기능을 수행하는 테스트 대상회로와, 테스트 대상회로와 전기적으로 연결되어 하나의 팩키지로 형성되며, 테스트 대상회로로부터 발생되는 전류를 감지하여 또 다른 하나의 비교전류를 생성하고, 상기 전류들로부터 정상과 비정상 중 어느 하나를 판단하여 이에 해당하는 판별신호를 출력하는 테스팅부를 포함하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a test target circuit which is supplied with operating power and performs a set function, and is electrically connected to the test target circuit and formed as one package, and detects a current generated from the test target circuit to generate another comparison current. It is achieved by a built-in on-line testing device of the target circuit including a testing unit for generating a, and determining any one of normal and abnormal from the currents and outputs a corresponding determination signal.

또한, 테스팅부로부터 판별신호를 받아 시각과 청각 중 적어도 어느 하나이 상으로 알려주는 알림부를 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to further include a notification unit for receiving at least one of the visual and auditory signals received from the testing unit.

여기서, 테스팅부는 테스트 대상회로와 접지 사이에 위치하고 제1전류를 감지하여 제1전압(Vcut)으로 변환하는 제1 트랜지스터와, 제1전압을 구형파 형상의 전압신호로 증폭하는 증폭기와, 증폭부의 전압신호 중에서 Low에서 High로 천이하는 경우에만 과도전류를 발생하는 제2전류로 변환하는 인버터와, 인버터의 제2전류를 제2전압(Vinv)으로 변환하는 제2 트랜지스터와, 제1 트랜지스터의 제1전압(Vcut)과 제2 트랜지스터의 제2전압(Vinv)을 비교하여 정상과 비정상 중 어느 하나의 판별신호를 출력하는 비교기를 포함하는 것이 바람직하다.Here, the testing unit is located between the circuit under test and the ground to sense a first current and converts the first current into a first voltage (Vcut), an amplifier for amplifying the first voltage into a square wave-shaped voltage signal, the voltage of the amplifier An inverter that converts a transient current into a second current only when the signal transitions from low to high, a second transistor that converts a second current of the inverter into a second voltage Vinv, and a first of the first transistor It is preferable to include a comparator comparing the voltage Vcut with the second voltage Vinv of the second transistor and outputting a discrimination signal of one of normal and abnormal.

그리고, 제1트랜지스터와 제2트랜지스터의 용량비는 10 대 1로 구성되어 있으며, 제1트랜지스터와 제2트렌지스터 및 인버터는 CMOS 구조를 가지고 있는 것이 바람직하다.The capacity ratio of the first transistor to the second transistor is 10 to 1, and it is preferable that the first transistor, the second transistor, and the inverter have a CMOS structure.

또한, 비교기는 차동증폭기의 구조를 가지고 있으며, 증폭기와 비교기는 각각 다수의 CMOS 트랜지스터가 직렬 및 병렬로 구성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the comparator has a structure of a differential amplifier, and it is preferable that a plurality of CMOS transistors are configured in series and in parallel in the amplifier and the comparator, respectively.

또한, 테스트 대상회로는 다수의 CMOS 소자로 구성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the circuit under test is preferably composed of a plurality of CMOS elements.

상기 목적은, 대상회로의 온라인 테스팅방법에 있어서, 테스트 대상회로로부터 제1전류를 감지하는 단계와, 제1전류를 제1전압(Vcut)으로 변환하는 단계와, 제1전압을 구형파 형상의 전압신호로 증폭하는 단계와, 상기 전압신호 중에서 Low에서 High로 천이하는 경우에만 과도전류를 발생하는 제2전류로 변환하는 단계와, 제2전류를 제2전압(Vinv)으로 변환하는 단계와, 제1전압(Vcut)과 제2전압(Vinv)을 비 교하는 단계와, 상기 비교에 따라 정상과 비정상 중 어느 하나의 판별신호를 발생하는 단계를 포함하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅방법에 의해서도 달성된다.In the on-line testing method of the target circuit, the object is to detect a first current from the circuit under test, converting the first current into a first voltage (Vcut), and converting the first voltage into a square wave voltage. Amplifying the signal, converting the transient current into a second current which generates a transient current only when the signal transitions from low to high, converting the second current into a second voltage Vinv, and It is also achieved by a built-in on-line testing method of the target circuit which includes comparing the first voltage Vcut and the second voltage Vinv and generating a discrimination signal of either normal or abnormal according to the comparison. .

또한, 상기 판별신호에 따라 시각과 청각 중 적어도 어느 하나이상을 외부에게 알려주어 시스템을 지원하는 상기 대상회로에 이상현상에 따른 고장이 발생하였음을 알리는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.The method may further include informing at least one of visual and audio to the outside according to the discrimination signal to inform that the fault occurs due to an abnormal phenomenon in the target circuit supporting the system.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치 및 그 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명에 따른 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치를 나타낸 회로도이고, 도 2는 본 발명에 따른 증폭기를 상세하게 나타낸 회로도이고, 도 3은 본 발명에 따른 비교기를 상세하게 나타낸 회로도이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the built-in online testing apparatus and method of the target circuit according to the present invention. 1 is a circuit diagram showing a built-in on-line testing apparatus of the target circuit according to the present invention, Figure 2 is a circuit diagram showing in detail the amplifier according to the invention, Figure 3 is a circuit diagram showing in detail the comparator according to the present invention.

본 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 우선 상기 목적에 해당하는 온라인 상태에서도 테스팅이 가능하도록 하기 위하여 테스트 대상회로(10)와 테스팅부(20)를 가지고 있다. 여기서, 테스팅부(20)는 대상회로(10)와 함께 패키징되어 있으며, 대상회로(10)로부터 전원을 받고, 그 전원으로부터 정상과 비정상을 판별한다.As shown in FIG. 1, the built-in online testing apparatus of the present target circuit has a test target circuit 10 and a testing unit 20 to enable testing even in an online state corresponding to the above object. Here, the testing unit 20 is packaged together with the target circuit 10, receives power from the target circuit 10, and discriminates normal and abnormal from the power source.

테스트 대상회로(10)는 특정한 기능을 수행하는 시스템을 지원하기 위한 것으로, CMOS 소자들이 다수가 배열되어 시스템을 지원하기 위한 적절한 전자적인 메카니즘을 갖는 ASIC(주문형 반도체)로 이루어져 있다. ASIC는 설계자가 원하는 기능을 갖도록 맞춤형으로 제작될 수 있는 것이다.The test target circuit 10 is for supporting a system that performs a specific function, and is composed of an ASIC (Custom Semiconductor) having a suitable number of CMOS devices arranged therein to support the system. ASICs can be customized to give designers the features they want.

테스팅부(20)는 대상회로(10)와 전기적으로 연결되어 하나의 패키지 내의 일 정한 공간에 배치되어 있으며, 대상회로(10)로부터 발생되는 전류를 감지하고 그 전류로부터 정상과 비정상 중 어느 하나를 판단하여 이에 해당하는 판별신호를 출력한다. 상기 전류를 전압으로 변환하고, 그 전압을 제1전압(Vcut)으로 정의하고, 제1전압(Vcut)을 소정의 이득으로 증폭하고, 증폭된 전압성분을 전류로 변환하여 비교용 전압으로 다시 변환하므로 이를 제2전압(Vinv)이라고 정의하자. 이 때, 테스팅부(20)는 제1전압(Vcut)과 제2전압(Vinv)을 비교하여 동일 유무를 판단하고, 만약 동일할 경우 '정상'으로 판별신호를 발생하지만, 동일하지 않을 경우 '비정상'으로 판별신호를 발생한다.The testing unit 20 is electrically connected to the target circuit 10 and disposed in a predetermined space in one package. The testing unit 20 senses a current generated from the target circuit 10 and detects one of normal and abnormal from the current. Judgment outputs a determination signal corresponding thereto. The current is converted into a voltage, the voltage is defined as a first voltage Vcut, the first voltage Vcut is amplified to a predetermined gain, the amplified voltage component is converted into a current, and converted back into a comparison voltage. Therefore, it is defined as the second voltage Vinv. At this time, the testing unit 20 compares the first voltage (Vcut) and the second voltage (Vinv) to determine whether the same, and if the same, generates a determination signal of 'normal', if not the same ' An abnormal signal is generated.

그리고, 테스팅부(20)는 상기 판별신호에 따라 시각과 청각 중 적어도 어느 하나이상을 외부에게 알려주어 시스템을 지원하는 대상회로(10)에 이상현상에 따른 고장이 발생하였음을 알리는 알림부(미도시)가 연결되어 있다. 그 알림부는 내장형이나 외장형으로 이루어진다. 비용을 줄이기 위하여 통상적으로 LED를 많이 사용한다.And, the testing unit 20 notifies at least one or more of the visual and auditory according to the determination signal to the outside to inform the target circuit 10 supporting the system that the failure caused by the abnormal phenomenon (not shown) City) is connected. The notification unit may be internal or external. In order to reduce costs, LEDs are commonly used.

이와 같은 테스팅부(20)는 제1 트렌지스터(13)와 증폭기(11), 인버터(18), 제2 트랜지스터(14), 비교기(12)로 구성되어 있으며, 그 기능은 다음과 같다.The testing unit 20 includes a first transistor 13, an amplifier 11, an inverter 18, a second transistor 14, and a comparator 12. The function thereof is as follows.

제1 트렌지스터(13)는 대상회로(10)와 접지 사이에 위치하고 있으며, 대상회로(10)로부터 동작 중인 제1전류를 감지하고 이를 제1전압(Vcut)으로 변환한다. 또한, 대상회로(10)에 테스팅을 위한 전원이 인가될 경우에도 대상회로(10)로부터 테스팅을 위한 제1전류를 감지하여 이를 제1전압(Vcut)으로 변환한다. 이는 대상회로가 CMOS 소자로 이루어저 동작 전류가 낮기 때문에 이에 따른 제1전류를 제1전압 (Vcut)으로 변환시키기 위하여 CMOS 소자를 사용하고 있다.The first transistor 13 is located between the target circuit 10 and the ground, and detects a first current operating from the target circuit 10 and converts it into a first voltage Vcut. In addition, even when a power source for testing is applied to the target circuit 10, the target circuit 10 detects a first current for testing and converts it to a first voltage Vcut. Since the target circuit is made of a CMOS device and the operating current is low, the CMOS device is used to convert the first current into the first voltage Vcut.

증폭기(11)는 동작 중인 상황이든 테스팅 중인 상황이든, 관계없이 제1트랜지스터(13)로부터 제1전압(Vcut)의 크기와 파형을 증폭하는데, 제1전압(Vcut)이 정상/비정상 중 어느 하나로 판단하기 위하여 인버터(18)에서 동작할 수 있는 전압신호가 만들어지도록 소정의 이득값만큼 증폭시킨다. 증폭기(11)의 구성은 도 2에 도시된 바와 같이, 차동증폭기 형태로써, 다수의 CMOS 트랜지스터들이 직렬과 병렬로 구성되어 있다. The amplifier 11 amplifies the magnitude and waveform of the first voltage Vcut from the first transistor 13 regardless of whether it is operating or testing. The first voltage Vcut is either normal or abnormal. To judge, amplify by a predetermined gain value so that a voltage signal capable of operating in inverter 18 is produced. As shown in FIG. 2, the amplifier 11 is configured as a differential amplifier in which a plurality of CMOS transistors are configured in series and in parallel.

증폭기(11)는 각각 병렬로 구성된 한 쌍의 nMOS 트랜지스터(N1,N2) 및 전류미러 형태로 구성된 한 쌍의 pMOS 트랜지스터(P1,P2)가 직렬로 구성되어 있고, nMOS 트랜지스터(N2)의 게이트단자에 제1전압(Vcut)이 입력되고 소정의 이득만큼 증폭되어 nMOS 트랜지스터(N2)와 pMOS 트랜지스터(P2) 사이에 해당하는 캐소드단자와 애노드단자의 연결점에서 증폭된 전압신호가 출력된다. 그 전압신호는 nMOS 트랜지스터(N1)의 크기에 의해서 결정되고, 그 트랜지스터(N1)를 조절하여 제1전압(Vcut)의 크기를 갖도록 증폭된다.The amplifier 11 includes a pair of nMOS transistors N1 and N2 configured in parallel and a pair of pMOS transistors P1 and P2 configured in a current mirror form in series, respectively, and the gate terminal of the nMOS transistor N2. The first voltage Vcut is input to the amplifier and amplified by a predetermined gain to output the amplified voltage signal at the connection point of the cathode terminal and the anode terminal corresponding to the nMOS transistor N2 and the pMOS transistor P2. The voltage signal is determined by the size of the nMOS transistor N1, and is amplified to have the size of the first voltage Vcut by adjusting the transistor N1.

인버터(18)는 증폭기(11)로부터 증폭된 전압신호를 제2전류로 변환하는데, 상기 전압신호 중 구형파 부분의 Low에서 High로 천이되는 동안에 제2전류를 만들어 낸다. 인버터(18)도 위에 언급한 바와 같은, 즉 제2전류로 민감하게 인버팅하여야 하기 때문에 CMOS 소자를 사용하고 있다. 예컨데, full CMOS 회로의 경우에는 입력이 천이하는 경우에 전류(IDDT)를 발생하지만, 인버터(18)의 경우에는 pMOS 와 nMOS 두 트랜지스터의 크기를 작게 만들고 두 트랜지스터의 크기 비를 같게 구성되어 있으므로, 입력이 Low에서 High로 천이하는 경우에만 과도 전류, 즉 제2전류를 발생시키고, 반대의 경우에는 거의 과도 전류를 발생시키지 않는다. 이러한 성질 때문에 테스트 대상회로(10)에 고장이 없는 경우에는 테스트 대상회로(10)의 제1전류 파형과 같은 형태의 제2전류 파형을 만들어 내지만, 고장이 존재하는 경우에는 고장이 활성화되는 부분에서 다른 모양의 전류 파형을 만들어 내게 된다.The inverter 18 converts the voltage signal amplified from the amplifier 11 into a second current, and generates a second current during the transition from Low to High of the square wave portion of the voltage signal. The inverter 18 also uses a CMOS element as mentioned above, i.e., because it must be sensitively inverted with a second current. For example, in the case of a full CMOS circuit, current (I DDT ) is generated when the input transitions, but in the case of the inverter 18, the size of the two transistors of the pMOS and nMOS is reduced and the ratio of the two transistors is the same. The transient current, i.e., the second current, is generated only when the input transitions from low to high, and vice versa. Because of this property, if there is no failure in the circuit under test 10, a second current waveform is formed in the same shape as the first current waveform of the circuit under test 10, but in the case where a failure exists, the part where the failure is activated Produces a different shape of the current waveform.

제2 트랜지스터(14)는 인버터(18)에서 출력된 제2전류를 제1전압(Vcut)과 동일한 조건으로 비교하기 위하여 다시 제2전압(Vinv)으로 변환한다. The second transistor 14 converts the second current output from the inverter 18 back to the second voltage Vinv in order to compare the second current output under the same condition as the first voltage Vcut.

비교기(12)는 증폭기(11)와 비슷하게 차동증폭기의 형태를 가지며, 제1 트랜지스터(13)의 제1전압(Vcut)과 제2트랜지스터(14)의 제2전압(Vinv)을 각각 받아서 판별신호를 출력한다. 즉, 동일한 신호를 가지고 있을 경우 테스트 대상회로(10)가 정상임을 나타내는 정상신호를, 동일하지 않을 경우 테스트 대상회로(10)가 비정상임을 나타내는 비정상신호를 출력한다. The comparator 12 has a form of a differential amplifier similar to the amplifier 11, and receives a first voltage Vcut of the first transistor 13 and a second voltage Vinv of the second transistor 14, respectively, and determine a discrimination signal. Outputs That is, when the signal has the same signal, a normal signal indicating that the test target circuit 10 is normal, and if not, output an abnormal signal indicating that the test target circuit 10 is abnormal.

도 3에 도시된 바와 같이, 비교기(12)는 테스트 대상회로(10)의 출력 전류, 즉 제1전류를 받아 변환된 제1전압(Vcut)과 이를 복사하여 만들어진 제2전압(Vinv)을 비교하기 위한 것으로, 제1전압(Vcut)을 입력으로 받는 N형 CMOS 트랜지스터(N3)와 제2전압(Vinv)을 입력으로 받는 N형 CMOS 트랜지스터(N4)가 상호 대칭적으로 배치되어 있으며, 상기 N형 CMOS 트랜지스터(N3,N4)와 각각 직렬로 연결된 P형 CMOS 트랜지스터(P3,P4)가 전류 미러 형태로 이루어져 있다. 상기 N형 CMOS 트랜지스터(N4)과 P형 CMOS 트랜지스터(P4) 사이에서 상기 판별신호가 출력된다.As shown in FIG. 3, the comparator 12 compares the output current of the circuit 10 to be tested, that is, the first voltage Vcut converted by receiving the first current and the second voltage Vinv generated by copying the same. The N-type CMOS transistor N3 that receives the first voltage Vcut and the N-type CMOS transistor N4 that receives the second voltage Vinv are disposed symmetrically with each other. The P-type CMOS transistors P3 and P4 connected in series with the CMOS transistors N3 and N4 are formed in the form of current mirrors. The discrimination signal is output between the N-type CMOS transistor N4 and the P-type CMOS transistor P4.

그러면 정상신호와 비정상신호 중 어느 하나의 판별신호에 의해서 알림부는 시스템을 사용하고 있는 사용자 또는 이를 관리하고 있는 관리자에게 시각과 청각 중 적어도 어느 하나이상으로 인식할 수 있도록 한다.Then, the notification unit may recognize at least any one of visual and hearing to a user who uses the system or an administrator who manages the system by the determination signal of any one of a normal signal and an abnormal signal.

한편, 테스터 대상회로(10)에서 발생하는 제1전류가 인버터에서 발생하는 제2전류에 비해 훨씬 크기 때문에 본 발명에서는 테스트 대상회로(10)의 동작에 중대한 영향을 미치지 않는 범위 내에서 제1 트랜지스터(13)와 제2 트랜지스터(14)의 크기 비를 약 10:1 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 따라서, 테스터 대상회로(10)가 바뀌더라도 테스터 대상회로(10)의 크기와 전류에 따라 제1 트랜지스터(13)와 제2 트랜지스터(14)의 크기만 조절하면, 테스팅부의 수정 없이도 곧 바로 적용할 수 있다.On the other hand, since the first current generated in the test target circuit 10 is much larger than the second current generated in the inverter, in the present invention, the first transistor does not significantly affect the operation of the test target circuit 10. It is preferable to keep the size ratio of the 13 and the second transistor 14 to about 10: 1. Therefore, even if the test target circuit 10 is changed, if only the size of the first transistor 13 and the second transistor 14 is adjusted according to the size and current of the test target circuit 10, it can be applied immediately without modification of the testing unit. Can be.

전술한 바와 같은 본 발명의 테스트 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치의 방법은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같다. 도 4는 본 발명에 따른 대상회로의 동작 중 또는 테스팅 중인 환경에서 정상적인 경우를 나타낸 타이밍도이고, 도 5는 본 발명에 따른 대상회로의 동작 중 또는 테스팅 중인 환경에서 비정상적인 경우를 나타낸 타이밍도이다.As described above, the method of the embedded online testing apparatus of the circuit to be tested of the present invention is as shown in FIGS. 4 and 5. 4 is a timing diagram illustrating a normal case in the operation of the target circuit according to the present invention or in an environment under test, and FIG. 5 is a timing diagram illustrating an abnormal case in the environment of the target circuit according to the present invention during operation or testing.

우선, 테스트 대상회로(10)에서 동작 중인 경우와 테스팅 중인 경우 모두 제1전류를 테스팅부(20)에 출력한다. 그러면 테스팅부(20)는 제1전류를 감지하여 테스트 대상회로(10)가 정상인지 비정상인지를 판별하게 된다. First, the first current is output to the testing unit 20 both in the test target circuit 10 and during the testing. Then, the testing unit 20 detects the first current to determine whether the test target circuit 10 is normal or abnormal.

도 4에 도시된 바와 같이, 테스트 대상회로(10)가 정상적인 경우, 즉 고장이 없을 때에는 입력신호가 바뀌는 경우, 즉 과도상태에서만 공급전원에서 접지까지 전도 경로가 형성되어 제1전류가 발생하고 정상상태에서는 전류가 흐르지 않게 된다. 예를들어, 테스트 대상회로(10)에서 발생된 제1전류는 제1트랜지스터(13)에서 제1전압(Vcut)으로 바뀐 파형과 동일한 삼각파 형태를 가지며, 삼각파 영역을 제외하고는 정상상태로 전류가 흐르지 않지만, 삼각파영역에서는 과도상태로 과도전류 즉 전류가 흐르게 된다. As shown in FIG. 4, when the test target circuit 10 is normal, that is, when there is no failure, when the input signal is changed, that is, in the transient state, a conductive path is formed from the power supply to the ground to generate the first current and is normal. In the state, no current flows. For example, the first current generated in the test target circuit 10 has the same triangular wave shape as the waveform changed from the first transistor 13 to the first voltage Vcut, and the current is in a steady state except for the triangular wave area. Does not flow, but a transient current, or a current, flows in a transient state in the triangular wave region.

제1전압(Vcut)이 비교기(12)에 인가되는 동안에, 그 제1전압(Vcut)의 크기와 파형을 증폭기(11)에서 구형파 형태의 전압신호로 증폭을 하게 된다. 여기서, 증폭기(11)의 출력신호, 즉 전압신호는 삼각파형 하나에 하나의 구형파가 연속적으로 발생되어 있다. 그 전압신호는 인버터(18)에 인가되어 Low에서 High로 천이하는 동안에만 과도전류를 발생시키는 제2전류로 변환된다. 제2전류는 제1전류 및 제1전압(Vcut)의 삼각파 형상과 동일한 파형을 가지게 된다.While the first voltage Vcut is applied to the comparator 12, the amplitude and waveform of the first voltage Vcut are amplified by the amplifier 11 into a voltage signal in the form of a square wave. Here, in the output signal of the amplifier 11, that is, the voltage signal, one square wave is continuously generated in one triangular waveform. The voltage signal is applied to the inverter 18 and converted into a second current which generates a transient current only during the transition from Low to High. The second current has the same waveform as the triangular wave shape of the first current and the first voltage Vcut.

제1전압(Vcut)과 같은 조건에서 제2전류를 비교하기 위하여 제2전류는 다시 제2트랜지스터(14)에서 제2전압(Vinv)으로 변환된다. 결국, 제1전류는 제1트랜지스터(13)에서 제1전압(Vcut)으로 변환된 것이고, 제2전류는 제2트랜지스터(14)에서 제2전압(Vinv)으로 변환된 것으로써, 동일한 크기와 파형을 갖게 된다.In order to compare the second current under the same condition as the first voltage Vcut, the second current is again converted from the second transistor 14 to the second voltage Vinv. As a result, the first current is converted from the first transistor 13 to the first voltage Vcut, and the second current is converted from the second transistor 14 to the second voltage Vinv. You will have a waveform.

따라서, 제1전압(Vcut)과 제2전압(Vinv)은 동일한 크기와 파형을 가지므로 비교기(12)에 인가되어 정상신호, 즉 High신호를 유지하게 된다. 알림부에서 판별신호인 High신호를 받으면, 외부를 향하여 본 시스템이 정상적인 동작을 하고 있음을 알리게 된다. 그 방법은 시각과 청각 중 어느 하나로 인지 가능하게 한다.Therefore, since the first voltage Vcut and the second voltage Vinv have the same magnitude and waveform, they are applied to the comparator 12 to maintain a normal signal, that is, a high signal. When the notification unit receives a high signal as a discrimination signal, it notifies the system that the system is operating normally. The method makes it possible to recognize either vision or hearing.

반면에, 도 5에 도시된 바와 같이, 테스트 대상회로(10)가 비정상적인 경우, 즉 고장이 발생될 경우는 테스트 대상회로(10) 내의 고장이 활성화되면서 정상상태에서도 공급전원에서 접지로 전도 경로가 형성되어 고장전류가 발생하게 되며, 그 고장이 활성화된 구간에서 IDDQ가 p-n 접합 누설 전류 이상의 값을 갖는 제1전류 형태로 테스팅부(20)에 인가된다. On the other hand, as shown in FIG. 5, when the circuit under test 10 is abnormal, that is, when a failure occurs, the conduction path from the power supply to ground even in a normal state is activated while a failure in the circuit under test 10 is activated. The fault current is generated, and I DDQ is applied to the testing unit 20 in the form of a first current having a value equal to or greater than the pn junction leakage current in a section where the fault is activated.

즉, 삼각파형상의 과도전류 부분인 전류와 전류 사이에 통상적인 크기보다 훨씬 큰 누설전류가 연결된 제1전류가 테스팅부(20)로 인가될 때, 그 제1전류는 제1트랜지스터(13)에서 변환된 제1전압(Vcut)의 파형과 동일한 파형을 가지며, 일 영역의 삼각파와 삼각파 사이에 비정상적인 전류, 즉 기준 이상의 값으로 흐르는 누설전류가 두 과도전류 사이에 연결되어 있으며, 누설전류가 발생된 상기 일 영역을 제외한 삼각파영역에서는 과도상태로 과도전류 즉 전류가 흐르게 되지만, 삼각파 영역 이외에는 정상상태로 전류가 흐르지 않는다.That is, when a first current connected to the test unit 20 is connected to a leakage current that is much larger than a normal magnitude between the current and the current which is a transient portion of the triangular waveform, the first current is transferred from the first transistor 13. It has the same waveform as the waveform of the converted first voltage (Vcut), an abnormal current, that is, a leakage current flowing at a value higher than a reference, is connected between two transient currents between a triangular wave and a triangular wave in one region, and a leakage current is generated. In the triangular wave region except for one region, a transient current, that is, a current flows in a transient state, but no current flows in a steady state except the triangular wave region.

상기 제1전압(Vcut)이 비교기(12)에 인가되는 동안에, 그 제1전압(Vcut)의 크기와 파형을 증폭기(11)에서 구형파 형태의 전압신호로 증폭을 하게 된다. 여기서, 증폭기(11)는 누설전류에 의해 두 과도전류가 병합된 하나의 구형파로 형성된 비정상적인 전압신호로 증폭된다. 그 전압신호는 인버터(18)에 인가되어 Low에서 High로 천이하는 동안에만 과도전류를 발생시키는 제2전류로 변환된다. 즉, 제2전류는 두 과도전류가 병합된 하나의 구형파가 인버터(18)에서 Low에서 High로 1회 천이하므로 하나의 과도전류가 제거된 전류로 변환된 것이다.While the first voltage Vcut is applied to the comparator 12, the amplitude and waveform of the first voltage Vcut are amplified by the amplifier 11 into a voltage signal in the form of a square wave. Here, the amplifier 11 is amplified by an abnormal voltage signal formed of one square wave in which two transient currents are merged by a leakage current. The voltage signal is applied to the inverter 18 and converted into a second current which generates a transient current only during the transition from Low to High. That is, the second current is converted into a current in which one transient is removed because one square wave in which two transients are merged transitions from low to high in the inverter 18 once.

그리고, 제1전압(Vcut)과 같은 조건에서 상기 제2전류를 비교하기 위하여 제 2전류는 다시 제2트랜지스터(14)에서 제2전압(Vinv)으로 변환된다. 결국, 제1전류는 제1트랜지스터(13)에서 제1전압(Vcut)으로 변환된 것이고, 제2전류는 제2트랜지스터(14)에서 제2전압(Vinv)으로 변환된 것으로써, 상호 상이한 파형을 갖게 된다.In order to compare the second current under the same condition as the first voltage Vcut, the second current is converted back from the second transistor 14 to the second voltage Vinv. As a result, the first current is converted from the first transistor 13 to the first voltage Vcut, and the second current is converted from the second transistor 14 to the second voltage Vinv. Will have

따라서, 상기 제1전압(Vcut)과 제2전압(Vinv)은 상이한 파형을 가지므로 비교기(12)에서 비정상신호, 즉 Low신호로 바뀌게 된다. 알림부에서 판별신호인 Low신호를 받으면, 외부를 향하여 본 시스템이 비정상적인 동작을 하고 있음을 알리게 된다. 그 방법은 시각과 청각 중 어느 하나로 인지 가능하게 한다.Therefore, since the first voltage Vcut and the second voltage Vinv have different waveforms, the comparator 12 changes to an abnormal signal, that is, a low signal. When the notification unit receives the low signal as a discrimination signal, it notifies the system that the system is operating abnormally. The method makes it possible to recognize either vision or hearing.

본 발명은 내장형으로 실장하게 되더라도 소형 CMOS의 특징을 그대로 유지하면서 제조공정에 따른 생산성을 향상시키는 효과가 있고, 테스트 대상회로의 전원을 사용하여 유지관리비용이 소요되지 않을 뿐만 아니라 테스트 대상회로의 동작 중에도 테스트를 가능케 하기 때문에 언제든지 테스트를 할 수 있는 편리성이 있으며, 시스템의 정지로 인한 손실 및 피해를 방지할 수 있고, 시스템의 안정적인 운용을 극대화시키는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the productivity according to the manufacturing process while maintaining the characteristics of the small CMOS, even if mounted as a built-in, not only maintenance costs using the power of the circuit under test, but also operation of the circuit under test Since the test is possible during the test, it is convenient to perform the test at any time, to prevent the loss and damage caused by the system stop, and to maximize the stable operation of the system.

또한, 동작 중이건 테스팅 중이건 상관없이 대상회로의 출력전류를 사용하여 테스팅을 하기 때문에 게이트에 의한 누설전류에 따른 고장 뿐만 아니라 브리징고장을 정확하게 판별하므로 시스템의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, since the test is performed using the output current of the target circuit regardless of whether it is operating or testing, it is possible to accurately determine the bridging failure as well as the failure caused by the leakage current caused by the gate, thereby improving the reliability of the system.

또한, 판별신호를 외부로 전달하는 출력단자 하나를 제외하고는 별도의 제어단자가 필요없기 때문에 사용자가 보다 더 효율적으로 원하는 시스템에 적용할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is no need for a separate control terminal except for one output terminal for transmitting a determination signal to the outside, so that the user can apply the system to a desired system more efficiently.

Claims (8)

동작전원을 공급받아 설정된 기능을 수행하는 테스트 대상회로와 전기적으로 연결되어 하나의 패키지로 형성되되, 상기 대상회로의 고장을 테스트하는 내장형 테스팅 장치에 있어서,In the built-in testing device that is electrically connected to the test target circuit for receiving the operating power to perform a set function is formed as a package, the failure test of the target circuit, 상기 테스트 대상회로와 접지 사이에 위치하고, 대상회로로부터 발생되는 제1전류를 감지하여 제1전압으로 변환하는 제1트랜지스터와;A first transistor disposed between the test target circuit and the ground and configured to sense a first current generated from the target circuit and convert the first current into a first voltage; 상기 제1전압을 구형파 형상의 전압신호로 증폭하는 증폭기와;An amplifier for amplifying the first voltage into a square wave shaped voltage signal; 상기 증폭기의 출력 전압신호 중에서 저전압(Low)에서 고전압(High)으로 천이하는 경우에만 과도전류를 발생하는 제2전류로 변환하는 인버터와;An inverter for converting a transient current into a second current generated only when the voltage transitions from a low voltage to a high voltage among the output voltage signals of the amplifier; 상기 인버터의 제2전류를 제2전압으로 변환하는 제2트랜지스터; 및 A second transistor converting a second current of the inverter into a second voltage; And 상기 제1 트랜지스터의 제1전압과 제2트랜지스터의 제2전압을 상호 비교하여 정상과 비정상 중 어느 하나의 판별신호를 출력하는 비교기를 포함하는 테스팅부를 구비하는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치.And a testing unit including a comparator configured to compare the first voltage of the first transistor with the second voltage of the second transistor and output a discriminating signal of one of normal and abnormal. Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테스팅부로부터 판별신호를 받아 시각과 청각 중 적어도 어느 하나 이상으로 알려주는 알림부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치.And a notification unit which receives a discrimination signal from the testing unit and informs at least one of visual and auditory information. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터의 용량비는 10 대 1로 구성되어 있으며, 상기 제1트랜지스터와 상기 제2트렌지스터 및 상기 인버터는 CMOS 구조를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치.The capacity ratio of the first transistor and the second transistor is composed of 10 to 1, wherein the first transistor, the second transistor and the inverter has a CMOS structure, embedded online testing apparatus of the target circuit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비교기는 차동증폭기의 구조를 가지고 있으며, 상기 증폭기와 상기 비교기는 각각 다수의 CMOS 트랜지스터가 직렬 및 병렬로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치.And the comparator has a structure of a differential amplifier, and the amplifier and the comparator have a plurality of CMOS transistors each configured in series and in parallel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 테스트 대상회로는 다수의 CMOS 소자로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅장치.And the test target circuit comprises a plurality of CMOS elements. 테스트 대상회로의 온라인 테스팅방법에 있어서,In the online testing method of the circuit under test, 상기 테스트 대상회로로부터 제1전류를 감지하는 단계와;Sensing a first current from the test target circuit; 상기 제1전류를 제1전압(Vcut)으로 변환하는 단계와;Converting the first current into a first voltage Vcut; 상기 제1전압을 구형파 형상의 전압신호로 증폭하는 단계와;Amplifying the first voltage into a square wave shaped voltage signal; 상기 증폭된 전압신호 중에서 저전압(Low)에서 고전압(High)으로 천이하는 경우에만 과도전류를 발생하는 제2전류로 변환하는 단계와;Converting the amplified voltage signal into a second current that generates a transient current only when the low voltage transitions from a low voltage to a high voltage; 상기 제2전류를 제2전압(Vinv)으로 변환하는 단계와;Converting the second current into a second voltage Vinv; 상기 제1전압(Vcut)과 상기 제2전압(Vinv)을 제공받아 파형을 상호 비교하는 단계; 및Comparing the waveforms with each other by receiving the first voltage Vcut and the second voltage Vinv; And 상기 비교에 따라 정상과 비정상 중 어느 하나의 판별신호를 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅방법.And generating a discriminating signal of one of normal and abnormal according to the comparison. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 판별신호에 따라 시각과 청각 중 적어도 어느 하나 이상을 외부에게 알려주어 시스템을 지원하는 대상회로에 이상현상에 따른 고장이 발생하였음을 알리는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대상회로의 내장형 온라인 테스팅방법.Built-in online testing of the target circuit further comprising notifying at least one of visual and auditory to the outside according to the discrimination signal to indicate that a failure due to an abnormal phenomenon has occurred in the target circuit supporting the system. Way.
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