KR100678867B1 - Heater having dual heating plate and method for processing substrate using the same - Google Patents

Heater having dual heating plate and method for processing substrate using the same Download PDF

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Abstract

A semiconductor manufacturing heater and a substrate processing method using the same are provided to prevent the deformation of a substrate due to a thermal shock and to reduce a substrate processing time by using a double heating plate structure composed of first and second heating plates. A semiconductor manufacturing heater comprises a first heater(30) for heating previously a substrate, a second heater, and a driving unit. The second heater(20) is capable of being attached/detached to/from the first heater. The second heater is used for heating the substrate to an aiming process temperature. The driving unit is used for attaching/detaching the second heater to/from the first heater. The first and the second heaters include first and second heating plates, respectively.

Description

이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터 및 이를 이용한 기판 처리 방법{HEATER HAVING DUAL HEATING PLATE AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}HEATER HAVING DUAL HEATING PLATE AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 히터의 사시도이다.1 is a perspective view of a heater according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 히터가 기판을 받기 위해 제1 히팅 플레이트 및 리프트 핀이 모두 승강된 상태를 보여주는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a state in which both the first heating plate and the lift pin are lifted to receive the substrate of the heater of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 히터를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 플로우차트이다. 그리고3 is a flowchart sequentially illustrating a substrate processing method using a heater according to a preferred embodiment of the present invention. And

도 4a 내지 도 4d는 도 1의 히터로 기판이 로딩되어 안착되는 과정을 순차적으로 보여주는 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views sequentially illustrating a process in which a substrate is loaded and seated by the heater of FIG. 1.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10: 히터 20: 제2 히터10: heater 20: second heater

30: 제1 히터 40: 리프트 핀 조립체30: first heater 40: lift pin assembly

W: 기판W: Substrate

본 발명은 반도체 제조용 히터 및 기판 가열 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 예열시키기 위한 하나의 히팅 플레이트와 공정 온도로 기판을 가열하기 위한 다른 하나의 히팅 플레이트를 구비한 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터 및 이를 이용한 기판 가열 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heater for manufacturing a semiconductor and a method for heating a substrate, and more particularly to a semiconductor manufacturing having a double heating plate having a heating plate for preheating the substrate and another heating plate for heating the substrate to a process temperature. A heater and a substrate heating method using the same.

집적 회로의 제조나 액정 디스플레이의 제조를 위한 반도체 제조 공정에서 생산성을 높이기 위해서는 수율을 높이 유지하면서도 기판 처리량을 높일 수 있는 기술이 요구된다. 높은 생산성은 최종 제품의 가격 경쟁력에 매우 밀접한 영향을 주는 것으로 이를 높이기 위한 기술적 개발의 노력이 계속되고 있다.In order to increase productivity in semiconductor manufacturing processes for manufacturing integrated circuits or liquid crystal displays, a technique for increasing substrate throughput while maintaining high yield is required. High productivity has a very close influence on the price competitiveness of the final product, and technical development efforts are being made to increase it.

스트립핑(stripping) 또는 에싱(ashing)으로 명명되는 포토레지스트의 제거를 위한 공정은 반도체 제조 공정에서 매우 빈번한 제조 공정 중에 하나이다. 포토레지스트를 제거하기 위한 공정에서는 기판을 일정 온도 이상으로 가열한 후, 기판이 가열된 상태에서 해당 공정이 진행된다. 예를 들어, 웨이퍼를 고온의 히팅 척에 놓고서 기판을 가열하고, 공정 진행 중에도 일정 온도를 유지할 수 있도록 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION Processes for removing photoresist, called stripping or ashing, are one of the very frequent manufacturing processes in semiconductor manufacturing processes. In the process for removing the photoresist, the substrate is heated to a predetermined temperature or more, and then the process is performed while the substrate is heated. For example, the wafer may be placed on a hot heating chuck to heat the substrate and maintain a constant temperature during the process.

고온의 히팅 척에 의해 기판이 급속도록 가열되면 기판이 변형(warping)되는 문제가 발생하게 되는데, 이러한 문제점은 기판이 균일하게 가열되지 않기 때문이다. 기판의 변형은 기판에 구성되어 있는 소자에 매우 악영향을 미치며, 변형된 기판은 후속되는 공정에서도 또 다른 많은 문제점을 야기하게 된다. 기판의 변형 을 방지하기 위해서는 기판을 서서히 가열하면 되지만, 이러한 경우 기판 생산성이 급격히 감소하기 때문에 바람직하지 않다. 그럼으로 기판을 신속히 가열하면서도 기판의 변형을 방지할 수 있는 방법이 요구되고 있다.When the substrate is rapidly heated by a high temperature heating chuck, a problem occurs that the substrate is warped, because the substrate is not uniformly heated. Deformation of the substrate has a very bad effect on the elements configured in the substrate, and the deformed substrate causes many other problems in subsequent processes. In order to prevent deformation of the substrate, the substrate may be gradually heated, but in this case, the substrate productivity is drastically reduced, which is not preferable. Therefore, there is a demand for a method capable of preventing the deformation of the substrate while rapidly heating the substrate.

기판 변형을 방지하면서 기판을 가열하는 방법으로 고온의 히팅 척에 기판이 놓이기에 앞서서 예열하는 방법이 사용되고 있다. 다른 방법으로는 기판 로딩 후 리프트 핀을 바로 하강하지 않고 기판을 일정 시간 동안 로딩 위치에 유지시키면서 기판을 예열하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 이러한 방법들은 기판이 급속히 가열되는 것을 방지할 수는 있으나 기판 처리량을 일정 수순 이상으로 높이기 어려운 문제점이 있다.As a method of heating the substrate while preventing the deformation of the substrate, a method of preheating is used before the substrate is placed on a hot heating chuck. Alternatively, a method of preheating the substrate while keeping the substrate in the loading position for a predetermined time without lowering the lift pin immediately after loading the substrate is used. However, these methods can prevent the substrate from heating rapidly, but there is a problem in that it is difficult to increase the substrate throughput more than a predetermined procedure.

이와 같은 기판의 급속한 가열에 의한 기판 변형의 문제점은 포토레지스트를 제거하기 위한 공정뿐만 아니라 여타 다른 기판 가열이 필요한 반도체 제조 공정에도 동일한 문제점으로 지적되고 있다. 그럼으로 반도체 제조 공정에서 기판 가열을 신속히 하면서도 기판의 변형을 방지할 수 있는 효과적인 기판 가열 방법이 요구되고 있다.The problem of substrate deformation due to rapid heating of the substrate has been pointed out as the same problem not only in the process for removing the photoresist but also in the semiconductor manufacturing process requiring other substrate heating. Therefore, there is a demand for an effective substrate heating method capable of preventing substrate deformation while rapidly heating the substrate in a semiconductor manufacturing process.

따라서 본 발명은 공정 수율을 높이면서 기판 처리량을 높일 수 있도록 기판 변형을 방지하면서 신속히 가열을 할 수 있는 반도체 제조용 히터 및 이를 이용한 기판 가열 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a heater for manufacturing a semiconductor and a substrate heating method using the same, which can be quickly heated while preventing substrate deformation so as to increase substrate throughput while increasing process yield.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 이중 히팅 플레이트 를 구비한 반도체 제조용 히터에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 제조용 히터는: 기판을 예열하기 위한 제1 히터; 제1 히터와 분리되거나 밀착될 수 있으며 예열된 기판을 공정 온도로 가열하기 위한 제2 히터; 및 제1 히터와 제2 히터를 분리하거나 밀착시키기 위한 구동 수단을 포함하고, 제1 히터는 제2 히터와 분리된 상태에서 기판을 예열하고, 제1 히터와 제2 히터는 구동 수단에 의해 서로 밀착되어 예열된 기판을 공정 온도로 가열한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a semiconductor manufacturing heater having a double heating plate. A heater for manufacturing a semiconductor of the present invention includes: a first heater for preheating a substrate; A second heater that can be separated or in close contact with the first heater and for heating the preheated substrate to a process temperature; And driving means for separating or closely contacting the first heater and the second heater, wherein the first heater preheats the substrate in a state separated from the second heater, and the first heater and the second heater are mutually connected by the driving means. The tightly preheated substrate is heated to the process temperature.

바람직하게는, 제1 히터는: 기판이 놓여 예열되는 평판형의 제1 히팅 플레이트; 및 제1 히팅 플레이트를 지지하는 지지대를 포함하고, 제2 히터는: 제1 히팅 플레이트의 아래에 위치하며 기판을 공정 온도로 가열하는 제2 히팅 플레이트; 및 지지대가 삽입되도록 제2 히팅 플레이트에 관통하여 형성된 하나 이상의 홀을 포함하며, 지지대는 구동 수단에 의해 동작되어 제2 히팅 플레이트의 홀을 통해 승하강한다.Preferably, the first heater comprises: a flat plate first heating plate on which the substrate is placed and preheated; And a support for supporting the first heating plate, the second heater comprising: a second heating plate positioned below the first heating plate and heating the substrate to a process temperature; And at least one hole formed through the second heating plate so that the support is inserted, the support being operated by the driving means to move up and down through the hole of the second heating plate.

바람직하게는, 지지대는 수직으로 관통되어 리프트 핀이 삽입되는 다수개의 홀을 구비하고, 리프트 핀은 지지대의 다수개의 홀에 삽입되고 구동 수단에 의해 승하강한다.Preferably, the support has a plurality of holes vertically penetrated to insert the lift pins, the lift pins being inserted into the plurality of holes of the support and raised and lowered by the drive means.

바람직하게는, 제2 히팅 플레이트는 제1 히팅 플레이트 보다 넓고, 제1 히팅 플레이트가 안착되도록 테두리가 융기된 구조를 갖는다.Preferably, the second heating plate is wider than the first heating plate, and has a structure in which a rim is raised to seat the first heating plate.

바람직하게는, 상기 제1 히팅 플레이트는 기판보다 넓고, 기판이 안착되도록 테두리가 융기된 구조를 갖는다.Preferably, the first heating plate is wider than the substrate, and has a structure in which an edge is raised to seat the substrate.

바람직하게는, 상기 제1 또는 제2 히팅 플레이트의 융기된 테두리는 내측으 로 경사지게 형성된다.Preferably, the raised edge of the first or second heating plate is inclined inwardly.

바람직하게는, 상기 제2 히터는 제1 히터가 기판을 예열하는 동안에도 공정 온도로 가열되어 유지된다.Preferably, the second heater remains heated to the process temperature while the first heater preheats the substrate.

바람직하게는, 상기 기판의 예열은 제1 히터와 제2 히터가 분리 상태로부터 밀착 상태로 이동되는 과정 동안 이루어진다.Preferably, the preheating of the substrate is performed during the process of moving the first heater and the second heater from the separated state to the close state.

본 발명의 다른 일면은 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터를 이용한 기판 가열 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기판 가열 방법은: 제1 히터의 제1 히팅 플레이트로 기판이 로딩되어 예열되는 단계; 및 제1 히터의 제1 히팅 플레이트와 제2 히터의 제2 히팅 플레이트가 밀착되어 기판이 공정 온도로 가열되는 단계를 포함한다.Another aspect of the present invention relates to a substrate heating method using a heater for manufacturing a semiconductor having a double heating plate. The substrate heating method of the present invention comprises the steps of: loading and preheating a substrate into a first heating plate of a first heater; And heating the substrate to the process temperature by bringing the first heating plate of the first heater into close contact with the second heating plate of the second heater.

바람직하게는, 제1 히팅 플레이트는 기판이 로딩된 후 연속해서 제2 히팅 플레이트와 밀착되어지며, 기판의 예열은 제1 및 제2 히팅 플레이트가 분리 상태로부터 밀착 상태로 이동되는 과정 동안 제1 히팅 플레이트에 의해 예열된다.Preferably, the first heating plate is in close contact with the second heating plate after the substrate is loaded, and the preheating of the substrate is performed during the process of moving the first and second heating plates from the separated state to the close state. Preheated by a plate.

바람직하게는, 상기 제2 히팅 플레이트는 제1 히팅 플레이트가 기판을 예열하는 동안에도 공정 온도로 가열되어 유지된다.Preferably, the second heating plate remains heated to the process temperature while the first heating plate preheats the substrate.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성 에 대한 상세한 기술은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the embodiments of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. In understanding the drawings, it should be noted that like parts are intended to be represented by the same reference numerals as much as possible. And a detailed description of known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention is omitted.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터 및 기판 가열 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a description will be given of a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, in detail the heater and substrate heating method for manufacturing a semiconductor having a double heating plate of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 히터의 사시도이고, 도 2는 도 1의 히터가 기판을 받기 위해 제1 히팅 플레이트 및 리프트 핀이 모두 승강된 상태를 보여주는 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view of a heater according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a state in which both the first heating plate and the lift pin are lifted to receive the substrate of the heater of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조용 히터(10)는 기판(W)을 예열하기 위한 제1 히터(30), 제1 히터(30)와 분리되거나 밀착될 수 있으며 예열된 기판(W)을 공정 온도로 가열하기 위한 제2 히터(20) 그리고 제1 히터(30)와 제2 히터(20)를 분리하거나 밀착시키기 위한 구동부(8)로 구성된다. 구동부(8)는 공기압이나 유압으로 구동되는 실린더나 모터에 의해 구동되며 제1 히터(20) 및 리프트 핀 조립체(40)를 개별적으로 그리고 연동해서 구동 시킨다. 제1 히터(30)는 제2 히터(20)와 분리된 상태에서 기판(W)을 예열하고, 제1 히터(30)와 제2 히터(20)는 구동부(8)에 의해 밀착되어 예열된 기판(W)을 다시 공정 온도까지 가열한다.1 and 2, the heater 10 for manufacturing a semiconductor according to an exemplary embodiment of the present invention may be separated from or closely adhered to the first heater 30 and the first heater 30 for preheating the substrate W. FIG. And a second heater 20 for heating the preheated substrate W to a process temperature, and a driver 8 for separating or contacting the first heater 30 and the second heater 20. The drive unit 8 is driven by a cylinder or a motor driven by air pressure or hydraulic pressure and drives the first heater 20 and the lift pin assembly 40 individually and in conjunction with each other. The first heater 30 preheats the substrate W in a state in which the first heater 30 is separated from the second heater 20, and the first heater 30 and the second heater 20 are in close contact with the driver 8 to be preheated. The substrate W is heated again to the process temperature.

구체적으로, 제1 히터(30)는 기판(W)이 놓여 예열되는 평판형의 제1 히팅 플레이트(34) 및 제1 히팅 플레이트(34)를 지지하는 지지대(32)로 구성된다. 제2 히터(20)는 제1 히팅 플레이트(34)의 아래에 위치하고 기판(W)을 공정 온도로 가열하 는 제2 히팅 플레이트(23)를 구비한다. 제2 히팅 플레이트(23)에는 지지대(32)가 삽입되도록 관통하여 형성된 하나 이상의 홀(24)이 구성된다.In detail, the first heater 30 includes a first heating plate 34 having a flat plate shape on which the substrate W is placed and preheated, and a support 32 supporting the first heating plate 34. The second heater 20 is disposed below the first heating plate 34 and has a second heating plate 23 for heating the substrate W to a process temperature. The second heating plate 23 has one or more holes 24 formed therethrough so that the support 32 can be inserted therein.

지지대(32)는 다시 지지판(31)에 의해서 지지되며, 구동부(8)에 의해 구동되어 제2 히팅 플레이트(23)의 홀(24)을 통해 수직으로 승하강한다. 지지대(32)는 수직으로 관통되어 제1 히팅 플레이트(34)의 표면까지 연장되어 개구되어 리프트 핀(42)이 삽입되는 다수개의 홀(33)을 구비한다. 리프트 핀 조립체(40)는 다수개의 리프트 핀(44)과 이를 지지하는 지지판(41)으로 구성된다. 리프트 핀(44)은 지지대(32)의 다수개의 홀(33)에 삽입되고 구동부(8)에 의해 수직으로 승/하강 된다.The support 32 is again supported by the support plate 31 and driven by the driving unit 8 to move up and down vertically through the hole 24 of the second heating plate 23. The support 32 has a plurality of holes 33 which are vertically penetrated to extend to the surface of the first heating plate 34 to be opened to insert the lift pins 42. The lift pin assembly 40 is composed of a plurality of lift pins 44 and a support plate 41 supporting them. The lift pin 44 is inserted into the plurality of holes 33 of the support 32 and vertically lifted up / down by the drive unit 8.

제1 히팅 플레이트(34)는 기판(W)보다 넓고, 기판(W)이 안착되도록 테두리(35)가 융기된 구조를 갖는다. 제2 히팅 플레이트(23)는 제1 히팅 플레이트(34) 보다 넓고, 제1 히팅 플레이트(34)가 안착되도록 테두리(21)가 융기된 구조를 갖는다. 그리고 제1 및/또는 제2 히팅 플레이트(34)(23)의 융기된 테두리(35)(21)는 내측으로 경사(36)(22)지게 형성된다.The first heating plate 34 is wider than the substrate W, and has a structure in which the edge 35 is raised so that the substrate W is seated. The second heating plate 23 is wider than the first heating plate 34, and has a structure in which the edge 21 is raised so that the first heating plate 34 is seated. The raised edges 35, 21 of the first and / or second heating plates 34, 23 are inclined 36, 22 inwardly.

이상과 같은 본 발명의 이중 히팅 플레이트를 구비한 히터는 공정 챔버에 설치되어 포토레지스트 제거를 위한 에싱 공정에 앞서서 기판을 공정 온도까지 가열하며, 에싱 공정이 진행되는 동안 기판이 공정 온도를 유지하도록 한다. 그리고 포토레지스트를 제거하기 위한 공정뿐만 아니라 여타 다른 기판 가열이 필요한 반도체 제조 공정에도 동일하게 사용될 수 있음을 이 분야의 통상적인 지식을 갖는 기술자들은 잘 알 수 있을 것이다.The heater having the double heating plate of the present invention as described above is installed in the process chamber to heat the substrate to the process temperature prior to the ashing process for removing the photoresist, so that the substrate maintains the process temperature during the ashing process . It will be appreciated by those skilled in the art that the same technique can be used not only for removing the photoresist but also for other semiconductor manufacturing processes that require substrate heating.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 히터를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 플로우차트이다. 그리고 도 4a 내지 도 4d는 도 1의 히터로 기판이 로딩되어 안착되는 과정을 순차적으로 보여주는 단면도이다.3 is a flowchart sequentially illustrating a substrate processing method using a heater according to a preferred embodiment of the present invention. 4A through 4D are cross-sectional views sequentially illustrating a process in which a substrate is loaded and seated by the heater of FIG. 1.

도 3을 참조하여, 공정 챔버(미도시)로 로딩되는 기판(W)을 인계받기 위하여 단계 S10에서 제1 히팅 플레이트(34) 및 리프트 핀(42)이 기판의 로딩/언로딩 위치까지 승강된다. 이 동작 과정은 첨부 도면 도 4a 및 도 4b에 순차적으로 잘 도시되어 있다.Referring to FIG. 3, the first heating plate 34 and the lift pins 42 are elevated to the loading / unloading position of the substrate in step S10 to take over the substrate W loaded into the process chamber (not shown). . This operation process is well illustrated in sequence in the accompanying drawings, FIGS. 4A and 4B.

이어 단계 S20에서 기판(W)이 로딩되어 리프트 핀(42)으로 인계된다. 단계 S30에서 리프트 핀(42)이 제1 히팅 플레이트(34)까지 하강하여 기판(W)을 제1 히팅 플레이트(34)에 안착 시킨다. 이때, 제1 히팅 플레이트(34)는 안착될 기판(W)에 열 충격이 발생되지 않을 정도의 온도로서 공정 온도 보다 낮은 온도로 가열되어 있다. 이 동작 과정은 첨부 도면 도 4b 및 도 4c에 순차적으로 잘 도시되어 있다.Subsequently, in step S20, the substrate W is loaded and turned over to the lift pin 42. In step S30, the lift pin 42 descends to the first heating plate 34 to seat the substrate W on the first heating plate 34. In this case, the first heating plate 34 is heated to a temperature lower than the process temperature as a temperature at which a thermal shock does not occur on the substrate W to be seated. This operation procedure is illustrated in sequence in the accompanying figures, FIGS. 4B and 4C.

단계 S40에서 기판(W)은 열 충격 없이 제1 히팅 플레이트(34)에 의해 예열된다. 단계 S50에서, 제1 히팅 플레이트(34)와 리프트 핀(42)은 동시에 하강하여 제2 히팅 플레이트(23)에 제1 히팅 플레이트(34)가 안착된다. 그리고 단계 S60에서 제2 히팅 플레이트(23)에 의해 기판(W)이 공정 온도까지 가열된다. 이때, 기판(W)은 이미 예열되어 있는 상태임으로 공정 온도까지 빠르게 가열하여도 열 충격에 의한 기판 변형이 발생되지 않는다. 이 동작 과정은 첨부 도면 도 4c 및 도 4d에 순차적으로 잘 도시되어 있다.In step S40 the substrate W is preheated by the first heating plate 34 without thermal shock. In step S50, the first heating plate 34 and the lift pin 42 are lowered at the same time so that the first heating plate 34 is seated on the second heating plate 23. In operation S60, the substrate W is heated to the process temperature by the second heating plate 23. At this time, since the substrate W is already preheated, even if it is rapidly heated to the process temperature, the substrate deformation due to thermal shock does not occur. This operation process is well illustrated in sequence in the accompanying figures, FIGS. 4C and 4D.

바람직하게는 제1 히팅 플레이트(34)는 기판(W)이 안착된 후 연속해서 제2 히팅 플레이트(23)와 밀착되어지도록 하고, 기판(W)의 예열은 제1 및 제2 히팅 플 레이트(34)(23)가 분리 상태로부터 밀착 상태로 이동되는 과정 동안 제1 히팅 플레이트(34)에 의해 이루어지도록 한다. 즉, 기판(W) 예열과 하강이 동시에 진행되도록 하여 기판 처리 시간을 단축하도록 하는 것이 바람직하다.Preferably, the first heating plate 34 is in close contact with the second heating plate 23 after the substrate W is seated, and the preheating of the substrate W is performed by the first and second heating plates ( 34) is made by the first heating plate 34 during the process of moving from the separated state to the close state. That is, it is preferable to shorten the substrate processing time by allowing the substrate W to be preheated and lowered simultaneously.

제2 히팅 플레이트(23)는 제1 히팅 플레이트(34)가 기판(W)을 예열하는 동안에도 공정 온도로 가열되어 유지됨으로 제2 히팅 플레이트(23)를 공정 온도까지 높이기 위해 소모되는 시간 손실을 막을 수 있다.The second heating plate 23 is kept heated to the process temperature even while the first heating plate 34 is preheating the substrate W, so that the second heating plate 23 consumes time lost to raise the second heating plate 23 to the process temperature. You can stop it.

상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains have various modifications and equivalent embodiments. You can see that it is possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같은 본 발명의 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터 및 기판 가열 방법에 의하면, 기판을 고온의 제2 히팅 플레이트에 놓기 전에 제1 히팅 플레이트를 사용하여 예열 시켜 열 충격에 의한 기판 변형을 방지한다. 도한, 이 예열 과정이 기판의 하강 과정에서 이루어지도록 함으로서 기판 처리 시간을 단축하여 기판 처리량을 향상 시킬 수 있다.According to the heater for manufacturing a semiconductor and the substrate heating method having the double heating plate of the present invention as described above, the substrate is deformed by thermal shock by preheating the first heating plate before placing the substrate on the high temperature second heating plate. prevent. In addition, the preheating process is performed during the lowering of the substrate, thereby shortening the substrate processing time and improving the substrate throughput.

Claims (11)

기판을 예열하기 위한 제1 히터;A first heater for preheating the substrate; 제1 히터와 분리되거나 밀착될 수 있으며 예열된 기판을 공정 온도로 가열하기 위한 제2 히터; 및A second heater that can be separated or in close contact with the first heater and for heating the preheated substrate to a process temperature; And 제1 히터와 제2 히터를 분리하거나 밀착시키기 위한 구동 수단을 포함하고,Drive means for separating or adhering the first heater and the second heater, 제1 히터는 제2 히터와 분리된 상태에서 기판을 예열하고, 제1 히터와 제2 히터는 구동 수단에 의해 서로 밀착되어 예열된 기판을 공정 온도로 가열하는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The first heater preheats the substrate in a state separated from the second heater, the first heater and the second heater is a semiconductor manufacturing heater having a double heating plate for heating the preheated substrates in close contact with each other by the drive means . 제1 항에 있어서, 제1 히터는: 기판이 놓여 예열되는 평판형의 제1 히팅 플레이트; 및 제1 히팅 플레이트를 지지하는 지지대를 포함하고,The apparatus of claim 1, wherein the first heater comprises: a flat plate type heating plate to which the substrate is placed and preheated; And a support for supporting the first heating plate, 제2 히터는: 제1 히팅 플레이트의 아래에 위치하며 기판을 공정 온도로 가열하는 제2 히팅 플레이트; 및 지지대가 삽입되도록 제2 히팅 플레이트에 관통하여 형성된 하나 이상의 홀을 포함하며,The second heater comprises: a second heating plate located below the first heating plate and heating the substrate to a process temperature; And at least one hole formed through the second heating plate to insert the support, 지지대는 구동 수단에 의해 동작되어 제2 히팅 플레이트의 홀을 통해 승하강하는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The support is a heater for manufacturing a semiconductor having a double heating plate which is operated by the drive means to move up and down through the hole of the second heating plate. 제2 항에 있어서, 지지대는 수직으로 관통되어 리프트 핀이 삽입되는 다수개의 홀을 구비하고, 리프트 핀은 지지대의 다수개의 홀에 삽입되고 구동 수단에 의 해 승하강하는 것 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.3. The support according to claim 2, wherein the support has a plurality of holes vertically penetrated to insert the lift pin, and the lift pin is inserted into the plurality of holes of the support and raised and lowered by the driving means. Heater for semiconductor manufacturing. 제2 항에 있어서, 제2 히팅 플레이트는 제1 히팅 플레이트 보다 넓고, 제1 히팅 플레이트가 안착되도록 테두리가 융기된 구조를 갖는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The heater of claim 2, wherein the second heating plate is wider than the first heating plate, and has a double heating plate having a structure in which a rim is raised to seat the first heating plate. 제4 항에 있어서, 상기 제1 히팅 플레이트는 기판보다 넓고, 기판이 안착되도록 테두리가 융기된 구조를 갖는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The heater of claim 4, wherein the first heating plate is wider than the substrate and has a double heating plate having a structure in which a rim is raised to seat the substrate. 제4 항 또는 제5 항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 히팅 플레이트의 융기된 테두리는 내측으로 경사지게 형성된 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.6. The heater of claim 4 or 5, wherein the raised edge of the first or second heating plate has a double heating plate formed to be inclined inward. 제1 항에 있어서, 상기 제2 히터는 제1 히터가 기판을 예열하는 동안에도 공정 온도로 가열되어 유지되는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The semiconductor manufacturing heater of claim 1, wherein the second heater is provided with a double heating plate that is heated to a process temperature while the first heater preheats the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판의 예열은 제1 히터와 제2 히터가 분리 상태로부터 밀착 상태로 이동되는 과정 동안 이루어지는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터.The semiconductor manufacturing heater of claim 1, wherein the preheating of the substrate is performed during a process in which the first heater and the second heater move from the separated state to the close state. 제1 히터의 제1 히팅 플레이트로 기판이 로딩되어 예열되는 단계; 및Loading and preheating the substrate to the first heating plate of the first heater; And 제1 히터의 제1 히팅 플레이트와 제2 히터의 제2 히팅 플레이트가 밀착되어 기판이 공정 온도로 가열되는 단계를 포함하는 이중 히터를 구비한 반도체 제조용 히터의 기판 가열 방법.The substrate heating method of the heater for semiconductor manufactures provided with the dual heater which includes contacting the 1st heating plate of a 1st heater and the 2nd heating plate of a 2nd heater in close contact, and heating a board | substrate to process temperature. 제9 항에 있어서, 제1 히팅 플레이트는 기판이 로딩된 후 연속해서 제2 히팅 플레이트와 밀착되어지며, 기판의 예열은 제1 및 제2 히팅 플레이트가 분리 상태로부터 밀착 상태로 이동되는 과정 동안 제1 히팅 플레이트에 의해 예열되는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터의 기판 가열 방법.The method of claim 9, wherein the first heating plate is brought into close contact with the second heating plate after the substrate is loaded, and the preheating of the substrate is performed during the process of moving the first and second heating plates from the separated state to the close state. 1 The substrate heating method of the heater for semiconductor manufacture provided with the double heating plate preheated by a heating plate. 제10 항에 있어서, 상기 제2 히팅 플레이트는 제1 히팅 플레이트가 기판을 예열하는 동안에도 공정 온도로 가열되어 유지되는 이중 히팅 플레이트를 구비한 반도체 제조용 히터의 기판 가열 방법.The method of claim 10, wherein the second heating plate is heated and maintained at a process temperature while the first heating plate preheats the substrate.
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