KR100682739B1 - Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same - Google Patents

Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR100682739B1
KR100682739B1 KR1020050074140A KR20050074140A KR100682739B1 KR 100682739 B1 KR100682739 B1 KR 100682739B1 KR 1020050074140 A KR1020050074140 A KR 1020050074140A KR 20050074140 A KR20050074140 A KR 20050074140A KR 100682739 B1 KR100682739 B1 KR 100682739B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lift
lift plate
plate
dechucking
Prior art date
Application number
KR1020050074140A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
차훈
엄용택
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020050074140A priority Critical patent/KR100682739B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100682739B1 publication Critical patent/KR100682739B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Abstract

A substrate lifting apparatus and a substrate de-chucking method by using the same are provided to quickly neutralize a center portion of a substrate by applying neutralizing plasma between an outer portion of the substrate and an electrostatic chuck or electrode. A substrate lifting apparatus includes a lift plate(40) moved up and down under a substrate and plural lift pins(31a,31b) coupled to the lift plate for lifting the substrate. The lift plate is segmented into at least one center plates and at least one outer plate in a horizontal direction. A separate lifting assembly(30) is coupled to each lift plate. After the plasma process of the substrates is completed, the substrates are individually lifted with a time difference.

Description

기판 리프팅 장치 및 이를 이용한 기판 디척킹 방법{Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same}Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same}

도 1은 종래의 기판 리프팅 장치를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional substrate lifting apparatus.

도 2는 본 발명의 기판 리트팅 장치를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a substrate lifting device of the present invention.

도 3a 및 3b는 본 발명의 리프트 플레이트의 실시 예를 나타낸 평면도.3A and 3B are plan views showing embodiments of the lift plate of the present invention.

도 4a 및 4b는 본 발명의 사용상태를 나타낸 단면도.Figure 4a and 4b is a cross-sectional view showing a state of use of the present invention.

도 5는 본 발명의 기판 디척킹 방법을 나타낸 공정도.5 is a process chart showing the substrate dechucking method of the present invention.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

10: 진공챔버 12: 상부전극10: vacuum chamber 12: upper electrode

20: 전극부 21: 하부전극20: electrode portion 21: lower electrode

22: 정전척 30: 승강 어셈블리22: electrostatic chuck 30: elevating assembly

31a,31b: 리프트 핀 32: 실린더 축31a, 31b: lift pin 32: cylinder shaft

40: 리프트 플레이트 40: lift plate

본 발명은 기판 리프팅 장치 및 이를 이용한 기판 디척킹 방법에 관한 것으 로서, 더욱 상세하게는 기판의 플라즈마 공정처리가 완료된 후 기판의 위치에 따라 시간차를 두어 달리 상승시킬 수 있는 기판 리프팅 장치 및 이를 이용한 기판 디척킹 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate lifting apparatus and a substrate dechucking method using the same, and more particularly, a substrate lifting apparatus and a substrate using the same, which can be raised differently according to the position of the substrate after the plasma processing of the substrate is completed. Dechucking method.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 및 LCD가 비약적으로 발전하고 있다. 반도체와 LCD 제조과정에서는 처리되는 정보의 양이 급증함에 따라 집적도와 신뢰도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductors and LCDs are rapidly developing. In the semiconductor and LCD manufacturing process, as the amount of information processed increases rapidly, technology is being developed to improve integration and reliability.

일반적으로 반도체 및 LCD에 이용되는 기판은 진공챔버의 플라즈마 공정처리를 통해서 사진, 에칭, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하게 됨으로써, 이들 공정 중 공정 수행을 목적으로 하는 일 기판에 대하여 에칭, 확산, 화학기상증착 및 이에 부수적으로 수행되는 애싱 등의 공정을 수행하는 진공챔버에는 기판을 고정하기 위한 전극부 상부에 고정 위치시킨 상태에서 공정가스로 하여금 기판 상이 소정부위와 반응토록 함으로써 공정이 진행된다. In general, substrates used in semiconductors and LCDs are subjected to selective and repetitive processes such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition through plasma processing of a vacuum chamber, thereby performing processes during these processes. In the vacuum chamber which performs a process such as etching, diffusion, chemical vapor deposition, and ashing, which is carried out with respect to one substrate for the purpose, the process gas is allowed to be placed on the electrode part for fixing the substrate. The process proceeds by allowing the phase to react with a predetermined site.

이러한 반도체 및 LCD의 진공챔버에 있어서, 기판은 외부로부터 로봇 수단에 의해 공정수행을 전극부의 상측으로 이송되고, 이어 전극부에 안착되어 공정을 수행한 후 다시 전극부로부터 승강 위치된 상태에서 로봇 수단에 인계되어 다음 공정으로 이송되게 된다. 여기서, 상술한 바와 같이, 로봇 수단으로부터 인계하는 과정을 담당하는 기판 리프팅 장치가 구비되며, 이러한 기판 리프팅 장치에 대한 종래 기술에 대하여 첨부된 도 1을 참조하여 설명하기로 한다. In the vacuum chamber of the semiconductor and the LCD, the substrate is transferred from the outside to the upper part of the electrode by the robot means, and then, the robot is placed on the electrode part to perform the process and then lifted from the electrode part again. It is taken over and transferred to the next process. Here, as described above, there is provided a substrate lifting device which is in charge of the process of taking over from the robot means, a conventional technology for such a substrate lifting device will be described with reference to FIG.

종래의 진공챔버의 기판 리프팅 장치의 구성을 살펴보면, 도 1에 도시된 바 와 같이, 내부의 진공상태에서 공정처리가 이루어지는 진공챔버(100)와, 상기 진공챔버(100)내 상측에 마련되어 외부의 공정 가스가 유입되는 상부전극(120)과, 상기 상부전극(120)과 대향 된 하측에 마련되며 기판(S)이 상면에 적재되는 전극부(200)로 구성된다.Looking at the configuration of the substrate lifting apparatus of the conventional vacuum chamber, as shown in Figure 1, the vacuum chamber 100, the process is performed in a vacuum state inside, and provided on the upper side in the vacuum chamber 100 The upper electrode 120 into which the process gas is introduced, and an electrode portion 200 provided below the upper electrode 120 and disposed on the upper surface of the substrate S are provided.

상기 기판(S)은 정전원리에 의해 상기 전극부(200)의 위치에 고정토록 설치되고, 이 전극부(200)의 중심 부위 및 가장자리에는 환봉 형상을 갖는 리프트 핀(310)이 다수개로 형성되어 슬라이딩 승·하강 가능하게 관통 설치된다. 또한, 이들 리프트 핀(310)의 하측 단부는 전극부(200)의 내부에 구획 형성된 부위로부터 승·하강 가능하게 설치되는 리프트 플레이트(320)에 고정되며, 이 리프트 플레이트(320)의 무게중심 부위로부터 전극부(200)의 하부로 관통하여 승·하강 가능하게 연장된 형상을 이루는 실린더 축(330)이 고정된다. 그리고 이 실린더 축(330)의 하측으로 인가되는 제어신호에 따라 실린더 축(330)을 승·하강 위치토록 하는 하나의 어셈블리(300)가 구비된다.The substrate S is installed to be fixed at the position of the electrode part 200 by the electrostatic principle, and a plurality of lift pins 310 having a round bar shape are formed at the center portion and the edge of the electrode part 200. It is penetrated so as to slide up and down. In addition, the lower ends of these lift pins 310 are fixed to a lift plate 320 that can be lifted and lowered from a portion formed inside the electrode portion 200, and the center of gravity of the lift plate 320 is fixed. The cylinder shaft 330 which penetrates from the lower part of the electrode part 200 to the lower part of the electrode part 200 and which extends so as to be able to raise and lower is fixed. In addition, one assembly 300 is provided to raise and lower the cylinder shaft 330 according to a control signal applied to the lower side of the cylinder shaft 330.

이와 같이 종래에는 리프트 플레이트 및 다수개의 리프트 핀은 하나의 어셈블리에 의해 동시에 승강하게 되는데, 문제는 기판의 위치에 따라 제전(除電)시간이 다르다는 것이다. As described above, the lift plate and the plurality of lift pins are simultaneously lifted and lifted by one assembly. The problem is that the static elimination time is different depending on the position of the substrate.

즉, 기판의 중심부에 비해 외곽부가 제전되는 시간이 길다. 따라서 종래에는 기판의 외곽부 뿐만 아니라 기판의 중심부까지 제전된 후에 비로소 다수개의 리프트 핀을 상승시켜 기판을 배출하여 왔다. 그로 인해 기판의 디척킹 및 반출시간이 많이 소용되는 문제점이 있었다. That is, the time for which the outer portion is discharged is longer than that of the central portion of the substrate. Therefore, in the related art, a plurality of lift pins are lifted up and discharged after being discharged not only to the outer portion of the substrate but also to the center of the substrate. Therefore, there was a problem that a lot of dechucking and unloading time of the substrate was used.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판의 플라즈마 공정처리가 완료된 후 기판의 위치에 따라 시간차를 두어 달리 상승시킬 수 있는 기판 리프팅 장치 및 이를 이용한 기판 디척킹 방법을 제공하는데 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a substrate lifting apparatus and a substrate dechucking method using the same, which are designed to solve the above problems, which can be raised differently according to the position of the substrate after the plasma processing of the substrate is completed. There is this.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판의 하부에서 승강하는 리프트 플레이트 및 상기 리프트 플레이트에 결합되어 상기 기판을 승강시키는 다수개의 리프트 핀을 포함하여 이루어지되, 상기 리프트 플레이트는 수평방향으로 다수개로 분할형성되고, 분할형성된 각각의 리프트 플레이트에는 각각 별도의 승강 어셈블리가 연결되는 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object, comprising a plurality of lift pins which are lifted from the lower portion of the substrate and the lift plate coupled to the lift plate to lift the substrate, the lift plate is a plurality in the horizontal direction It is divided into pieces, each lift plate is divided, characterized in that each separate lifting assembly is connected.

또한, 기판의 플라즈마 공정처리가 완료된 후, 상기 기판을 디척킹(dechucking)하는 방법에 있어서, 1) 정전척에 직류전원을 차단하는 단계; 2) 상기 기판의 외곽부를 상승시키는 단계; 3) 상기 기판의 중심부를 상승시키는 단계; 및 4) 상기 기판을 외부로 반출하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, after the plasma processing of the substrate is completed, the method for dechucking the substrate, comprising: 1) cutting off the DC power to the electrostatic chuck; 2) raising an outer portion of the substrate; 3) raising the central portion of the substrate; And 4) exporting the substrate to the outside; Characterized in that comprises a.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the configuration and operation of the present invention.

도 2 및 도 3a를 참조하면, 내부의 진공 상태에서 공정처리가 이루어지는 진공챔버(10)와, 상기 진공챔버(10)내 상측에 마련되어 외부의 공정가스가 유입되는 상부전극(12)과, 상기 상부전극(12)과 대향 된 하측에 마련되며 기판(S)이 상면에 적재되는 전극부(20)로 구성된다. 이때, 상기 전극부(20)는 하부전극(21)에 정전척(22)이 마련된다.2 and 3A, a vacuum chamber 10 in which process processing is performed in an internal vacuum state, an upper electrode 12 provided above the inside of the vacuum chamber 10, into which external process gas flows, and It is provided on the lower side opposite to the upper electrode 12 and consists of an electrode portion 20 is loaded on the upper surface (S). In this case, the electrode 20 is provided with an electrostatic chuck 22 on the lower electrode 21.

또한, 종래와 달리 리프트 플레이트(40)는 기판(S)의 중심을 승강시키는 리프트 핀(31a)이 결합되어 있는 중심 플레이트(41)와, 기판(S)의 외곽을 승강시키는 리프트 핀(31b)이 결합되어 있는 외곽 플레이트(42)로 수평방향으로 분할형성되어 있음을 알 수 있다. 한편, 중심 및 외곽 플레이트(41, 42)는 각각 하나씩의 승강 어셈블리(30)가 구비되어 있어 승강 구동이 별도로 이루어진다. In addition, unlike the related art, the lift plate 40 includes a center plate 41 to which a lift pin 31a for elevating the center of the substrate S is coupled, and a lift pin 31b for elevating the periphery of the substrate S. It can be seen that the horizontal plate is divided into the outer plate 42 is coupled. On the other hand, the center and the outer plate (41, 42) is provided with one lifting assembly 30, respectively, and the lifting drive is made separately.

도 3b는 존 발명에 따른 다른 실시 예로서, 도 3a와 달리 외곽 플레이트(42a,42b,42c,42d)가 다시 4개로 분할형성되어 있다는 것이다. 여기서 네 개의 외곽 플레이트(42a,42b,42c,42d)는 각각 별도의 승강 어셈블리(30)가 구성되거나 또는 하나의 승강 어셈블리(30)가 구성되거나 또는 하나의 승강 어셈블리(30)에 의해 동시에(물론 중심 플레이트와는 시간차를 두고) 승강할 수도 있다. FIG. 3B is another embodiment according to the zone invention. Unlike FIG. 3A, the outer plates 42a, 42b, 42c, and 42d are divided into four again. The four outer plates 42a, 42b, 42c, 42d are each configured with a separate lifting assembly 30 or with one lifting assembly 30 or simultaneously with one lifting assembly 30 (of course) It can also go up and down with respect to the center plate).

이와 마찬가지로, 외곽 플레이트(42)를 5개 이상으로 분할형성할 수 있고, 또한, 중심 플레이트(41)도 다수개로 분할형성할 수 있다. Similarly, the outer plate 42 can be divided into five or more, and the center plate 41 can also be divided into a plurality.

또한, 다수개로 분할형성된 외곽 플레이트(42)는 각각 하나씩의 승강 어셈블리(30)가 구비되어 구동될 수도 있고, 하나의 승강 어셈블리(30)에 의해 승강 될 수도 있다. In addition, the plurality of divided outer plates 42 may be driven by one lifting assembly 30, or may be lifted by one lifting assembly 30.

그리고 상기 기판 리프트 장치는 진공챔버(10)의 내부뿐만 아니라 진공챔버(10)의 하부 외측에 마련될 수 있다. The substrate lift apparatus may be provided not only inside the vacuum chamber 10 but also outside the lower portion of the vacuum chamber 10.

도 4a 및 4b를 참조하여 본 발명에 의한 기판 리프팅 장치의 작용을 설명하면, 플라즈마 공정처리가 완료되면, 제전되지 아니한 상태에서 외곽 플레이트를 상승시켜 기판의 외곽부만을 상승시키고, 시간이 흘러 제전되면 비로소 기판의 중심부를 상승시키는 것이다. Referring to FIGS. 4A and 4B, the operation of the substrate lifting apparatus according to the present invention will be described. When the plasma process is completed, the outer plate is raised in the undischarged state to raise only the outer portion of the substrate. Finally, the center of the substrate is raised.

도 5를 참조하여 상술한 기판 리프팅 장치를 이용한 기판 디척킹 방법을 설명한다. A substrate dechucking method using the substrate lifting apparatus described above will be described with reference to FIG. 5.

먼저, 기판의 플라즈마 공정처리가 완료되면, 정전척에 공급되던 직류전원을 차단(S110)하고, 공정 플라즈마 대신에 제전(除電) 플라즈마를 발생시킨다(S120). 본 실시 예에서는 상기 제전 플라즈마는 아르곤(Ar)을 이용하였다. 이와 같이 제전 플라즈마가 발생된 상태에서 일정시간이 경과한 다음, 외곽 플레이트를 상승시켜 기판의 외곽부를 상승시킨다(S130). 여기서 S130은 기판과 정전척 사이에 존재하는 정전력이 완전히 제거된 상태 즉, 제전된 상태에서 수행될 수도 있으나, 제전되지 아니한 상태에서 수행될 수 있다. 제전되지 아니한 상태에서 중심부를 상승시킨다면, 기판에 손상을 줄 수 있으나, 외곽부를 상승시키는 것으로는 기판이 손상되지 않는다. 오히려 공정시간 단축이라는 효과를 위해서는 제전되기 전에 기판의 외곽부를 상승시키는 것이 바람직하다. First, when the plasma processing of the substrate is completed, the DC power supplied to the electrostatic chuck is cut off (S110), and an antistatic plasma is generated instead of the process plasma (S120). In this embodiment, argon (Ar) is used as the antistatic plasma. After a predetermined time has elapsed in the state where the antistatic plasma is generated, the outer plate is raised to raise the outer part of the substrate (S130). Here, S130 may be performed in a state in which the electrostatic force existing between the substrate and the electrostatic chuck is completely removed, that is, in a static state, but may be performed in a non-static state. If the center portion is raised without being charged, damage to the substrate may occur, but raising the outer portion will not damage the substrate. Rather, in order to shorten the process time, it is preferable to raise the outer portion of the substrate before being discharged.

이와 같이 기판이 제전되지 아니한 상태에서 기판의 외곽부를 상승시키면, 제전 플라즈마가 정전척과 기판 사이로 유입되게 되며, 이것은 상대적으로 기판의 외곽부보다 제전에 시간이 많이 소요되는 기판 중심부가 신속하게 제전되는 것을 돕는다. In this way, if the substrate is raised at the edge of the substrate, the static plasma flows between the electrostatic chuck and the substrate, which indicates that the center of the substrate, which takes more time to discharge than the edge of the substrate, is quickly discharged. Help

이와 같은 방법으로 기판의 중심부도 제전이 완료되면, 비로소 중심 플레이트를 상승시켜 기판의 중심부를 상승시킨다(S140).In this manner, when the static elimination of the center of the substrate is completed, the center plate is raised to raise the center of the substrate (S140).

마지막으로 기판을 진공챔버 외부로 반출(S150)함으로써, 완료된다. Finally, the substrate is carried out to the outside of the vacuum chamber (S150), thereby completing.

본 발명에 따르면, 기판의 플라즈마 공정처리가 완료된 후 기판의 위치에 따라 시간차를 두어 달리 상승시킬 수 있다. According to the present invention, after the plasma processing of the substrate is completed, it may be increased differently depending on the position of the substrate.

특히, 제전되지 아니한 상태에서 기판의 외곽부를 상승시키고, 상승된 기판의 외곽부와 정전척 또는 전극 사이에 제전 플라즈마가 유입됨으로써 제전에 취약한 기판의 중심부도 신속하게 제전되는 효과가 있다.In particular, by raising the outer portion of the substrate in the non-static state, there is an effect that the center of the substrate vulnerable to the static electricity is also quickly discharged by the introduction of the antistatic plasma between the raised portion of the substrate and the electrostatic chuck or the electrode.

Claims (10)

기판의 하부에서 승강하는 리프트 플레이트; 및 A lift plate for elevating under the substrate; And 상기 리프트 플레이트에 결합되어 상기 기판을 승강시키는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하여 이루어지되, A plurality of lift pins coupled to the lift plate to lift the substrate; Including but not limited to, 상기 리프트 플레이트는 다수개로 수평방향으로 분할형성되고, 분할형성된 각각의 리프트 플레이트에는 각각 별도의 승강 어셈블리가 연결되는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 기판 리프팅 장치.The lift plate is divided into a plurality in the horizontal direction, the substrate lifting device of the vacuum chamber, characterized in that each of the divided lift plate is a separate lifting assembly is connected. 기판의 하부에서 승강하는 리프트 플레이트; 및 A lift plate for elevating under the substrate; And 상기 리프트 플레이트에 결합되어 상기 기판을 승강시키는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하여 이루어지되, A plurality of lift pins coupled to the lift plate to lift the substrate; Including but not limited to, 상기 리프트 플레이트는 다수개로 분할형성되고, 분할형성된 각각의 리프트 플레이트에는 각각 별도의 승강 어셈블리가 연결되며,The lift plate is divided into a plurality of, each of the lift plate is formed of a separate lifting assembly is connected to each, 상기 리프트 플레이트는 적어도 하나 이상의 중심 플레이트와, 적어도 하나 이상의 외곽 플레이트로 분할형성되는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 기판 리프팅 장치. And the lift plate is divided into at least one central plate and at least one outer plate. 기판의 하부에서 승강하는 리프트 플레이트; 및 A lift plate for elevating under the substrate; And 상기 리프트 플레이트에 결합되어 상기 기판을 승강시키는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하여 이루어지되, A plurality of lift pins coupled to the lift plate to lift the substrate; Including but not limited to, 상기 리프트 플레이트는 다수개로 분할형성되고, 분할형성된 각각의 리프트 플레이트에는 각각 별도의 승강 어셈블리가 연결되며,The lift plate is divided into a plurality of, each of the lift plate is formed of a separate lifting assembly is connected to each, 상기 리프트 플레이트는 진공챔버의 내부의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 기판 리프팅 장치. The lift plate is a substrate lifting apparatus of the vacuum chamber, characterized in that located in the lower portion of the interior of the vacuum chamber. 기판의 하부에서 승강하는 리프트 플레이트; 및 A lift plate for elevating under the substrate; And 상기 리프트 플레이트에 결합되어 상기 기판을 승강시키는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하여 이루어지되, A plurality of lift pins coupled to the lift plate to lift the substrate; Including but not limited to, 상기 리프트 플레이트는 다수개로 분할형성되고, 분할형성된 각각의 리프트 플레이트에는 각각 별도의 승강 어셈블리가 연결되며,The lift plate is divided into a plurality of, each of the lift plate is formed of a separate lifting assembly is connected to each, 상기 리프트 플레이트는 진공챔버의 하부 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 진공챔버의 기판 리프팅 장치. The lift plate is a substrate lifting apparatus of the vacuum chamber, characterized in that located on the lower outer side of the vacuum chamber. 기판의 플라즈마 공정처리가 완료된 후, 상기 기판을 디척킹(dechucking)하는 방법에 있어서,In the method for dechucking the substrate after the plasma processing of the substrate is completed, 1) 정전척에 직류전원을 차단하는 단계;1) cutting off DC power to the electrostatic chuck; 2) 상기 기판의 외곽부를 상승시키는 단계;2) raising an outer portion of the substrate; 3) 상기 기판의 중심부를 상승시키는 단계; 및 3) raising the central portion of the substrate; And 4) 상기 기판을 외부로 반출하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. 4) taking out the substrate to the outside; Substrate dechucking method comprising a. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 2) 단계는 상기 기판 및 정전척 사이에 존재하는 정전력이 제거되지 아니한 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. Wherein step 2) is a substrate dechucking method characterized in that the progress in the state that the electrostatic force existing between the substrate and the electrostatic chuck is not removed. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 3) 단계는 상기 기판 및 정전척 사이에 존재하는 정전력이 제거된 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. Step 3) is a substrate dechucking method characterized in that the progress in the state that the electrostatic force existing between the substrate and the electrostatic chuck is removed. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기판 디척킹 방법은, The substrate dechucking method, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에, 플라즈마를 제거한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. And after the plasma processing step is completed, the plasma dechucking method is performed in a state of removing plasma. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 기판 디척킹 방법은, The substrate dechucking method, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에, 제전(除電) 플라즈마가 발생된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. A substrate dechucking method, characterized in that performed after a plasma process is completed, in a state where a static plasma is generated. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제전 플라즈마는 아르곤(Ar)를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법. And the antistatic plasma uses argon (Ar).
KR1020050074140A 2005-08-12 2005-08-12 Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same KR100682739B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050074140A KR100682739B1 (en) 2005-08-12 2005-08-12 Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050074140A KR100682739B1 (en) 2005-08-12 2005-08-12 Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100682739B1 true KR100682739B1 (en) 2007-02-15

Family

ID=38106388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050074140A KR100682739B1 (en) 2005-08-12 2005-08-12 Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100682739B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085881A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085881A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567863B (en) Plasma processing device, substrate unloading device and method
US20120070996A1 (en) Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins
JP6945314B2 (en) Board processing equipment
KR20090025400A (en) End effector and robot arm apparatus having the same
KR102301802B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100994470B1 (en) Glass Treatment Apparatus
CN111293058B (en) Control system and control method of electrostatic chuck
KR100682739B1 (en) Substrate lifting apparatus and method for dechucking substrate using the same
JPH11340208A (en) Plasma treatment method
KR101345605B1 (en) Elevating apparatus, system for processing a substrate and method of processing the substrate using the same
KR100943433B1 (en) Method Thereof Lifting and Glass Lifting Modules
JP2007258636A (en) Dry-etching method and its device
KR100898975B1 (en) Method for processing the substrate with plasma
JPH08172075A (en) Dryetching device
JP2000077389A (en) Method and device for processing plasma
TWI822220B (en) Wafer dechucking method
KR20040026427A (en) lift fin and method of wafer lifting using thereof
KR100637602B1 (en) Plasma processing system and method for dechucking substrate
KR100631424B1 (en) Method for dechucking substrate from esc
KR20070000686A (en) Wafer lifting apparatus of semiconductor device manufacturing equipment
KR100553102B1 (en) Lift pin module and apparatus for manufacturing fpd that use thereof
KR100631422B1 (en) Method for dechucking substrate from esc
KR20060130966A (en) A lift pin
KR100631425B1 (en) Method for dechucking substrate from esc
KR20060058824A (en) Wafer lifting apparatus of semiconductor manufacturing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
J210 Request for trial for objection to revocation decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20071022

Effective date: 20080530

Free format text: TRIAL NUMBER: 2007103000220; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20071022

Effective date: 20080530

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20080704

Effective date: 20090528

Free format text: TRIAL NUMBER: 2008203008402; JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20080704

Effective date: 20090528

J2X2 Appeal (before the supreme court)

Free format text: APPEAL BEFORE THE SUPREME COURT FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION

Free format text: TRIAL NUMBER: 2009303002029; APPEAL BEFORE THE SUPREME COURT FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION

J221 Remand (intellectual property tribunal)

Free format text: REMAND (INTELLECTUAL PROPERTY TRIBUNAL) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION

Free format text: TRIAL NUMBER: 2009133000002; REMAND (INTELLECTUAL PROPERTY TRIBUNAL) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION

J303 Written judgement (supreme court)

Free format text: JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20090626

Effective date: 20091015

Free format text: TRIAL NUMBER: 2009303002029; JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20090626

Effective date: 20091015

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20091020

Effective date: 20100119

Free format text: TRIAL NUMBER: 2009133000002; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20091020

Effective date: 20100119

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
O133 Decision on opposition [patent]: notification of invalidation of opposition
O132 Decision on opposition [patent]
J210 Request for trial for objection to revocation decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20100929

Effective date: 20120403

Free format text: TRIAL NUMBER: 2010103000020; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20100929

Effective date: 20120403

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20120504

Effective date: 20121206

Free format text: TRIAL NUMBER: 2012203003770; JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20120504

Effective date: 20121206

J2X2 Appeal (before the supreme court)

Free format text: TRIAL NUMBER: 2013303000167; APPEAL BEFORE THE SUPREME COURT FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION

J303 Written judgement (supreme court)

Free format text: JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20130107

Effective date: 20130425

Free format text: TRIAL NUMBER: 2013303000167; JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION OF CANCELLATION REQUESTED 20130107

Effective date: 20130425

EXTG Extinguishment
O064 Revocation of registration by opposition: final registration of opposition [patent]