KR100676823B1 - Transferring apparatus for wafer and transferring method for the same - Google Patents

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KR100676823B1
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Abstract

본 발명은, 복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼를 소정의 공정을 진행하는 반응기로 이송하는 웨이퍼이송장치에 관한 것으로서, 상기 웨이퍼카세트에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하여 상기 반응기로 이송하는 아암을 갖는 웨이퍼이송부와; 상기 웨이퍼카세트의 출구측에 상기 웨이퍼의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 마련된 3개 이상의 센서들과; 지지된 상기 웨이퍼를 인출하는 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 검출신호에 기초하여 산출된 목표위치와 검출위치가 상이한 경우에 상기 웨이퍼의 목표위치를 상기 웨이퍼의 검출위치로 보정하여 상기 웨이퍼가 상기 반응기로 이송되도록 상기 웨이퍼이송부를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 웨이퍼의 센터링시간이 비교적 적게 소요될 수 있는 웨이퍼이송장치 및 그 이송방법이 제공된다.The present invention relates to a wafer transfer device for transferring the wafers taken out of a wafer cassette containing a plurality of wafers to a reactor for performing a predetermined process, wherein the wafers supported in the wafer cassette are supported and transferred to the reactor. A wafer transfer section having an arm; Three or more sensors provided on the outlet side of the wafer cassette to be spaced apart from each other in the transverse direction in the conveying direction of the wafer; The target position of the wafer is corrected to the detection position of the wafer when the target position and the detection position calculated on the basis of the transfer speed of the arm for extracting the supported wafer and the detection signal sensed by the sensors are different. It characterized in that it has a control unit for controlling the wafer transfer unit to transfer the wafer to the reactor. Thereby, a wafer transfer apparatus and its transfer method, which can take a relatively short centering time of a wafer, are provided.

Description

웨이퍼이송장치 및 그 이송방법 { TRANSFERRING APPARATUS FOR WAFER AND TRANSFERRING METHOD FOR THE SAME }Wafer transfer device and its transfer method {TRANSFERRING APPARATUS FOR WAFER AND TRANSFERRING METHOD FOR THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼이송장치를 나타낸 평면도,1 is a plan view showing a wafer transfer apparatus according to the present invention,

도 2는 웨이퍼카세트에서 인출되는 웨이퍼를 감지하는 것을 나타낸 사시도,2 is a perspective view illustrating sensing a wafer drawn out from a wafer cassette;

도 3은 웨이퍼이송부의 아암을 나타낸 평면도,3 is a plan view showing the arm of the wafer transfer unit;

도 4는 웨이퍼의 웨이퍼표시부를 나타낸 평면도,4 is a plan view showing a wafer display portion of a wafer;

도 5는 센서에 의해 감지된 아암 및 웨이퍼를 나타낸 평면도,5 is a plan view showing an arm and a wafer sensed by a sensor;

도 6은 웨이퍼이송에 따른 센터링과정을 나타낸 흐름도이다.6 is a flowchart illustrating a centering process according to wafer transfer.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼이송장치 10: wafer transfer device

20 : 웨이퍼카세트 21 : 웨이퍼20: wafer cassette 21: wafer

23 : 웨이퍼표시부 30 : 반응기23: wafer display unit 30: reactor

40 : 웨이퍼이송부 41 : 아암40: wafer transfer part 41: arm

43 : 아암검출부 45 : 흡착공43: arm detector 45: adsorption holes

47 : 링크47: link

50 : 센서 60 : 목표위치50: sensor 60: target position

70 : 검출위치 80 : 기준점70: detection position 80: reference point

본 발명은, 웨이퍼이송장치 및 그 이송방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 센터링시간이 비교적 적게 소요될 수 있는 웨이퍼이송장치 및 그 이송방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer transfer apparatus and a transfer method thereof, and more particularly, to a wafer transfer apparatus and a transfer method that can take a relatively short centering time of the wafer.

웨이퍼는 여러 가지 공정을 거쳐 반도체 칩을 생산한다. 웨이퍼가 에칭공정 및 증착공정과 같은 공정을 거치는 경우에는 복수 개의 웨이퍼가 수용된 웨이퍼카세트와, 웨이퍼를 이송받아 소정의 공정을 진행하는 반응기와, 웨이퍼카세트에서 인출한 웨이퍼를 반응기의 소정의 위치로 이송하는 로봇과 같은 이송구동부를 갖는다. 이송구동부에서는 동일한 위치에 정확하게 수용되어 있지 않는 웨이퍼를 인출하여 반응기의 소정의 위치에 웨이퍼를 정확하게 안착시킬 수 있도록 이송 중의 웨이퍼에 대하여 센터링을 실시하는 것이 일반적이다. Wafers go through various processes to produce semiconductor chips. When the wafer undergoes a process such as an etching process and a deposition process, a wafer cassette containing a plurality of wafers, a reactor receiving the wafer and carrying out a predetermined process, and a wafer taken out of the wafer cassette are transferred to a predetermined position of the reactor. It has a transfer drive like a robot. In the transfer drive unit, it is common to carry out the centering of the wafer during transfer so that the wafer which is not accurately accommodated in the same position can be taken out and the wafer can be accurately seated at the predetermined position of the reactor.

종래기술은 웨이퍼카세트와 반응기 사이에 별도의 어라이너(aligner)를 갖는다. 이러한 종래기술에서는 이송구동부는 웨이퍼카세트에서 웨이퍼를 인출하여 웨이퍼의 센터링을 위하여 어라이너에 웨이퍼를 출입시킨 후 반응기로 웨이퍼를 이송한다. The prior art has a separate aligner between the wafer cassette and the reactor. In this prior art, the transfer driving unit extracts the wafer from the wafer cassette, moves the wafer into and out of the aligner for centering the wafer, and then transfers the wafer to the reactor.

그런데, 이러한 종래기술에서는 웨이퍼가 웨이퍼카세트에서 어라이너에 웨이퍼를 출입된 후 반응기로 이송되므로 어라이너의 출입에 따른 시간으로 인해 웨이퍼의 이송시간이 비교적 많이 소요되는 문제점이 있다. By the way, in the prior art, since the wafer enters and exits the wafer from the wafer cassette to the aligner, the wafer is transferred to the reactor, and thus the transfer time of the wafer is relatively high due to the time taken by the aligner.

따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 센터링시간이 비교적 적게 소요될 수 있는 웨이퍼이송장치 및 그 이송방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer transfer apparatus and a transfer method thereof in which the centering time of the wafer can be relatively small.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼를 소정의 공정을 진행하는 반응기로 이송하는 웨이퍼이송장치에 있어서, 상기 웨이퍼카세트에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하여 상기 반응기로 이송하는 아암을 갖는 웨이퍼이송부와; 상기 웨이퍼카세트의 출구측에 상기 웨이퍼의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 마련된 3개 이상의 센서들과; 지지된 상기 웨이퍼를 인출하는 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 검출신호에 기초하여 산출된 목표위치와 검출위치가 상이한 경우에 상기 웨이퍼의 목표위치를 상기 웨이퍼의 검출위치로 보정하여 상기 웨이퍼가 상기 반응기로 이송되도록 상기 웨이퍼이송부를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치에 의하여 달성될 수 있다.The object of the present invention is to provide a wafer transfer apparatus for transferring a wafer taken out from a wafer cassette containing a plurality of wafers to a reactor for performing a predetermined process, wherein the wafer accommodated in the wafer cassette is supported to support the wafer. A wafer transfer unit having an arm for transferring to the reactor; Three or more sensors provided on the outlet side of the wafer cassette to be spaced apart from each other in the transverse direction in the conveying direction of the wafer; The target position of the wafer is corrected to the detection position of the wafer when the target position and the detection position calculated on the basis of the transfer speed of the arm for extracting the supported wafer and the detection signal sensed by the sensors are different. It can be achieved by a wafer transfer apparatus characterized by having a control unit for controlling the wafer transfer unit to transfer a wafer to the reactor.

여기서, 상기 목표위치는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암의 검출신호에 기초하여 상기 아암에 대하여 산출하며, 상기 검출위치는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암 및 상기 웨이퍼외주면의 검출신호에 기초하여 원의 방정식을 이용하여 상기 아암에 대하여 산출되는 것을 포함할 수 있다. Here, the target position is calculated with respect to the arm based on the feed speed of the arm and the detection signal of the arm detected by the sensors, and the detection position is detected by the feed speed of the arm and the sensors. And calculating the arm using a circle equation based on the detected arm and the detection signal of the outer peripheral surface of the wafer.

또한, 상기 검출위치는 원의 방정식의 미지수를 가우스 소거법을 이용하여 산출되는 것을 포함할 수 있다.In addition, the detection position may include calculating the unknown of the original equation using the Gaussian elimination method.

또한, 상기 미지수는 원의 방정식에 대입되어 원의 방정식을 만족하는지 여부를 확인하는 것을 포함할 수 있다. In addition, the unknown may include checking whether the equation of the circle satisfies the equation of the circle.

또한, 상기 웨이퍼는 외주면에 형성된 웨이퍼표시부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 센서들 중 상기 웨이퍼표시부를 감지한 센서에 의해 감지된 한 쌍의 검출신호를 상기 검출위치 산출에서 제외하는 것을 포함할 수 있다. The wafer may include a wafer display unit formed on an outer circumferential surface, and the controller may include excluding a pair of detection signals detected by a sensor that detects the wafer display unit among the sensors from the detection position calculation. .

또한, 상기 웨이퍼표시부는 상기 웨이퍼의 외주면의 일영역에 마련된 플랫존(flat zone) 및 함몰 형성된 노치 중 어느 하나인 것을 포함할 수 있다. The wafer display unit may include any one of a flat zone and a notch formed in one region of an outer circumferential surface of the wafer.

또한, 상기 아암은 상기 센서들 중 2개 이상의 센서가 감지할 수 있도록 마련된 아암검출부를 포함할 수 있다. In addition, the arm may include an arm detection unit provided to be detected by two or more of the sensors.

한편, 본 발명에 따른 목적은, 복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼를 소정의 공정을 진행하는 반응기로 이송하는 웨이퍼이송방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하여 상기 반응기로 이송하기 위한 웨이퍼이송부의 아암이 상기 웨이퍼카세트에 인입되는 단계와; 상기 웨이퍼카세트 내의 상기 웨이퍼를 상기 아암에 안착하여 지지하는 단계와; 상기 웨이퍼를 지지한 상기 아암이 상기 웨이퍼카세트로부터 인출되는 단계와; 상기 웨이퍼카세트의 출구측에 상기 웨이퍼의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 마련된 3개 이상의 센서들이 상기 아암과 상기 웨이퍼외주면을 감지하는 단계와; 지지된 상기 웨이퍼를 인출하는 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 검출신호에 기초하여 산출된 목표위치와 검출위치가 상이한 경우에 상기 웨이퍼의 목표위치를 상기 웨이퍼의 검출위치 로 보정하여 상기 웨이퍼가 상기 반응기로 이송되도록 상기 웨이퍼이송부를 제어하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송방법에 의하여 달성된다.On the other hand, an object according to the present invention, in the wafer transfer method for transferring the wafer taken out from the wafer cassette containing a plurality of wafers to a reactor for performing a predetermined process, for supporting the wafer to transfer to the reactor Introducing an arm of a wafer transfer portion into the wafer cassette; Mounting and supporting the wafer in the wafer cassette to the arm; The arm supporting the wafer is withdrawn from the wafer cassette; Detecting at least three sensors on the exit side of the wafer cassette, the arms and the outer peripheral surface of the wafer being spaced apart from each other in the transverse direction in the transverse direction; The target position of the wafer is corrected to the detection position of the wafer when the target position and the detection position calculated on the basis of the transfer speed of the arm for extracting the supported wafer and the detection signal sensed by the sensors are different. And controlling the wafer transfer unit to transfer a wafer to the reactor.

여기서, 상기 보정 및 제어단계는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암의 검출신호에 기초하여 상기 아암에 대한 목표위치를 산출하는 단계와, 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암 및 상기 웨이퍼외주면의 검출신호에 기초하여 원의 방정식을 이용하여 상기 아암에 대한 검출위치를 산출하는 단계를 포함할 수 있다. Wherein the correcting and controlling step includes calculating a target position for the arm based on the feed speed of the arm and the detection signal of the arm sensed by the sensors, the feed speed of the arm and the sensors And calculating a detection position of the arm using a circle equation based on the arm detected by the arm and the detection signal of the outer circumferential surface of the wafer.

또한, 상기 검출위치산출단계는 원의 방정식의 미지수를 가우스 소거법을 이용하여 산출되는 단계를 포함할 수 있다. In addition, the step of calculating the detection position may include calculating the unknown of the original equation using the Gaussian elimination method.

그리고, 상기 검출위치산출단계는 미지수를 원의 방정식에 대입하여 원의 방정식을 만족하는지 여부를 확인하는 단계를 포함할 수 있다. The detecting position calculating step may include checking whether the equation of the circle is satisfied by substituting an unknown index into the equation of the circle.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일실시예인 웨이퍼이송장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 웨이퍼이송장치(10) 및 웨이퍼이송방법은, 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 웨이퍼(21)를 수납한 웨이퍼카세트(20)로부터 인출된 웨이퍼(21)를 소정의 공정을 진행하는 반응기(30)로 이송하는 장치 및 방법으로써, 웨이퍼카세트(20)에 수용된 웨이퍼(21)를 지지하여 반응기(30)로 이송하는 아암(41)을 갖는 웨이퍼이송부(40)와; 웨이퍼카세트(20)의 출구측에 웨이퍼(21)의 이송방향의 가로방향으로 상호 이격되게 3개 이상으로 마련된 센서(50)들과; 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41)의 신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치를 산출하며, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41) 및 웨이퍼외주면의 신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 검출위치를 산출하고, 웨이퍼(21)의 목표위치(60)를 웨이퍼(21)의 검출위치(70)로 보정하여 웨이퍼(21)가 반응기(30)로 이송되도록 웨이퍼이송부(40)를 제어하는 제어부(미도시)를 갖는다. In the wafer transfer apparatus 10 and the wafer transfer method according to the present invention, as illustrated in FIGS. 1 and 6, the wafer 21 drawn from the wafer cassette 20 containing the plurality of wafers 21 is predetermined. An apparatus and a method for transferring to the reactor 30 which proceeds the process of, the wafer transfer part 40 having an arm 41 for supporting the wafer 21 accommodated in the wafer cassette 20 to transfer to the reactor 30; ; Three or more sensors 50 provided on the exit side of the wafer cassette 20 so as to be spaced apart from each other in the transverse direction of the transfer direction of the wafer 21; The target position of the wafer 21 relative to the arm 41 is calculated based on the detection speed information according to the feed speed of the arm 41 and the signal of the arm 41 sensed by the sensors 50. A detection position of the wafer 21 with respect to the arm 41 is calculated based on the detection speed information of the arm 41 and the wafer outer peripheral surface detected by the conveying speed of the sensor 41 and the sensors 50, and the wafer And a control unit (not shown) for controlling the wafer transfer unit 40 to correct the target position 60 of the target 21 to the detection position 70 of the wafer 21 so that the wafer 21 is transferred to the reactor 30. .

웨이퍼카세트(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개의 웨이퍼(21)를 수납하고 있다. 또한, 웨이퍼카세트(20)는 복수 개로 마련될 수 있음은 물론이다. The wafer cassette 20 houses a plurality of wafers 21 as shown in FIG. 1. In addition, of course, the wafer cassette 20 may be provided in plurality.

웨이퍼(21)는, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 원형으로 되어 있으며 공정작업의 기준점이 될 수 있는 웨이퍼표시부(23)를 갖는다. 또한, 웨이퍼(21)는 식각공정, 증착공정과 같은 공정에서 웨이퍼카세트(20)에 수용되어 하나씩 반응기(30)로 이송되어 소정의 공정을 수행한다. The wafer 21 has a wafer display portion 23 that is circular and can be a reference point of a process operation, as shown in FIGS. 2 and 4. In addition, the wafer 21 is accommodated in the wafer cassette 20 in a process such as an etching process or a deposition process and transferred to the reactor 30 one by one to perform a predetermined process.

웨이퍼표시부(23)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(21)의 위치기준점이 되도록 웨이퍼(21)의 외주면의 일영역에 형성된 플랫존(flat zone, 23a) 및 함몰형성된 노치(23b) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼표시부(23)는 웨이퍼(21)의 외주면을 원형으로 형성하고 있지 않으므로 웨이퍼표시부(23)를 통과한 센서(50)에 의해 감지된 검출신호에 따른 검출위치정보는 후술할 검출위치(70)의 산출에서 제외된다. 이에, 웨이퍼(21)의 웨이퍼표시부(23)를 고려하여 센서(50)의 수량이 결정된다. As illustrated in FIG. 4, the wafer display unit 23 includes a flat zone 23a and a recessed notch 23b formed in one region of the outer circumferential surface of the wafer 21 so as to be a position reference point of the wafer 21. It may include any one of. In addition, since the wafer display unit 23 does not form the outer circumferential surface of the wafer 21 in a circular shape, the detection position information according to the detection signal detected by the sensor 50 that has passed through the wafer display unit 23 is described in the following description. Excluded from the calculation of 70). Accordingly, the quantity of the sensor 50 is determined in consideration of the wafer display portion 23 of the wafer 21.

반응기(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼카세트(20)로부터 인출된 웨이퍼(21)를 수용하여 소정의 공정을 진행하며, 복수 개로 마련될 수 있다. 또한, 반응기(30)에서는 소정의 공정을 수행하기 위해 필요한 온도 및 압력 등을 유지한다. 또한, 반응기(30)에서는 소정의 공정을 진행하기 위하여 웨이퍼(21)가 정확한 위치에 안착되도록 하여야 한다. As shown in FIG. 1, the reactor 30 receives the wafer 21 drawn out from the wafer cassette 20 and performs a predetermined process, and may be provided in plural. In addition, the reactor 30 maintains the temperature and pressure necessary to perform a predetermined process. In addition, in the reactor 30, the wafer 21 should be seated at the correct position in order to proceed with a predetermined process.

웨이퍼이송부(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(21)를 안착하여 지지하는 아암(41)과, 아암(41)과 연결되어 상호 회동되는 링크(47)와, 링크(47) 및 아암(41)이 회동될 수 있는 구동력을 주는 구동부(미도시)를 갖는다. 또한, 웨이퍼이송부(40)는 웨이퍼카세트(20)에 수용된 웨이퍼(21)를 반응기(30)로 이송한다. 또한, 웨이퍼이송부(40)에서는 제어부(미도시)가 웨이퍼이송부(40)의 방향 및 위치 등을 제어할 수 있으며 제어부 및 웨이퍼이송부(40)는 상호 제어를 하기 위하여 통신수단을 이용할 수 있다. As illustrated in FIG. 1, the wafer transfer unit 40 includes an arm 41 for seating and supporting the wafer 21, a link 47 connected to the arm 41, and a link 47. And a driving unit (not shown) which gives a driving force to which the arm 41 can be rotated. In addition, the wafer transfer unit 40 transfers the wafer 21 accommodated in the wafer cassette 20 to the reactor 30. In addition, in the wafer transfer unit 40, a controller (not shown) may control the direction and position of the wafer transfer unit 40, and the controller and the wafer transfer unit 40 may use communication means for mutual control.

아암(41)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(21)를 안착하여 지지하며, 기준점(80)을 산출할 수 있도록 두개 이상의 센서(50)가 감지할 수 있는 아암검출부(43)를 갖는다. 또한, 아암(41)은 안착된 웨이퍼(21)를 진공압에 의해 흡착하여 아암(41)에 견고하게 고정할 수 있는 흡착공(45)을 갖는다. 또한, 아암(41)은 소정의 길이(L1, L2)와 폭(W)으로 형성되어 있어 입력된 길이, 폭, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 검출된 아암검출부(43)의 검출신호에 따라 목표위치(60)를 산출할 수 있다. As shown in FIGS. 1 to 3, the arm 41 seats and supports the wafer 21, and detects an arm detection unit that can be detected by two or more sensors 50 to calculate the reference point 80. 43). In addition, the arm 41 has an adsorption hole 45 that can suck the seated wafer 21 by vacuum pressure and firmly fix it to the arm 41. In addition, the arm 41 has a predetermined length (L1, L2) and the width (W), the input length, width, the conveying speed of the arm 41 and the arm detection unit detected by the sensors 50 ( The target position 60 can be calculated according to the detection signal of 43).

아암검출부(43)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 2개 이상의 센서(50)가 감지할 수 있도록 이송방향에 가로방향으로 단차를 형성한 것 뿐 만 아니라 센서가 감지할 수 있는 홀과 같은 형상을 선택적으로 채용할 수 있음은 물론이다. 또한, 아암검출 부(43)는 2개 이상의 센서(50)에 의해 감지되도록 한 쌍으로 대칭되게 마련되어 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)의 Y방향의 비틀어짐을 보정할 수 있다. As shown in FIG. 3, the arm detection unit 43 not only forms a step in the transverse direction in the transport direction so that the two or more sensors 50 can detect the same, and the hole that the sensor can detect. Of course, the shape can be selectively employed. In addition, the arm detection unit 43 is provided symmetrically in pairs so as to be detected by two or more sensors 50 to correct the twist in the Y direction of the target position 60 of the wafer 21 with respect to the arm 41. Can be.

센서(50,50´)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(21)의 이송방향에 가로방향에 상호 이격되게 3 개 이상을 포함한다. 또한, 센서(50,50´)는 웨이퍼(21)가 웨이퍼표시부(23)를 감지하여 정상적인 원형을 이루지 못하여 검출위치정보를 활용하지 못하는 경우를 고려하여 3 개 이상으로 마련되어 있다. 그리고, 센서(50,50´)는 웨이퍼(21)의 직경 및 웨이퍼표시부(23)의 크기 등을 고려하여 4 개를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 센서(50)는 각각 발신부(50a, 50b, 50c, 50d) 및 수신부(50e, 50f, 50g, 50h)를 가진 광센서와 같은 아암검출부(43) 및 웨이퍼외주면을 감지할 수 있는 공지된 다양한 센서를 선택적으로 채용할 수 있음은 물론이다. As illustrated in FIG. 2, the sensors 50 and 50 ′ include three or more spaced apart from each other in the transverse direction in the conveying direction of the wafer 21. In addition, the sensors 50 and 50 'are provided in three or more in consideration of the case where the wafer 21 cannot detect the wafer display unit 23 to form a normal circle and thus cannot use the detection position information. In addition, it is preferable that the sensors 50 and 50 'include four in consideration of the diameter of the wafer 21, the size of the wafer display unit 23, and the like. In addition, the sensor 50 is known that can detect the arm detection unit 43 and the wafer outer peripheral surface, such as an optical sensor having a transmitter 50a, 50b, 50c, 50d and receiver 50e, 50f, 50g, 50h, respectively Of course, the various sensors can be selectively employed.

제어부는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41)의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)를 산출하며, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41) 및 웨이퍼외주면의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 검출위치(70)를 산출하고, 웨이퍼(21)의 목표위치(60)를 웨이퍼(21)의 검출위치(70)로 보정하여 웨이퍼(21)가 반응기(30)로 이송되도록 웨이퍼이송부(40)를 제어한다. As shown in FIGS. 5 and 6, the control unit uses the arm 41 based on the detection speed of the arm 41 and the detection position information according to the detection signal of the arm 41 detected by the sensors 50. Calculates a target position 60 of the wafer 21 relative to the detected position information based on the feed speed of the arm 41 and the detection signal of the arm 41 and the outer peripheral surface of the wafer detected by the sensors 50; The calculated position 70 of the wafer 21 with respect to the arm 41 is calculated, and the target position 60 of the wafer 21 is corrected to the detected position 70 of the wafer 21 so that the wafer 21 The wafer transfer unit 40 is controlled to be transferred to the reactor 30.

목표위치(60)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41)의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대하여 다음과 같이 산출된다. 이와 같은 과정은 후술할 목표위치산출단계 의 과정과 동일하다. As shown in FIG. 5, the target position 60 is based on the detection position information according to the detection speed of the arm 41 and the detection signal of the arm 41 detected by the sensors 50. Is calculated as follows. This process is the same as the process of calculating the target position to be described later.

먼저, 사용자는 각 센서(50)의 좌표, 웨이퍼 직경, 아암(41)의 아암검출부(43)에서의 길이(L1, L2) 등을 입력부(미도시)에 입력한다. 이에, 제어부는 입력부의 자료 및 아암의 이송속도 등을 기억 및 연산 등을 수행한다. 제어부는 웨이퍼이송부(40)의 등속도 및 가속도 등에 따른 이송을 고려하여 기억 및 연산 할 수 있음은 물론이다. 제어부는 웨이퍼(21)가 웨이퍼카세트(20)로부터 이송됨에 따라 아암(41)의 한 쌍의 아암검출부(43)를 감지한 센서(50b,50c)들의 검출신호(P01, P02)를 전달받아 검출위치정보를 시간(T01, T02)으로 저장한다. 제어부에서는 한 쌍의 아암검출부(43)의 검출위치정보를 기준점(80)의 좌표를 산출하는데 이용한다. 즉, 제어부에서는 기준점(80)의 X좌표는 0으로 인식되며, Y좌표는 한 쌍의 아암검출부(43)의 검출위치정보의 평균치를 취하며 평균치는 아암(41)의 Y좌표의 기울어짐을 보정할 수 있다. 이에, 제어부는 목표위치(60)의 X좌표는 '0'이 되며, Y좌표는 아암(41)의 입력된 아암검출부(43)의 길이(L1, L2) 및 웨이퍼의 직경에 의하여 산출한다. 즉, 제어부는 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)의 좌표를 (X,Y)로 기억한다. 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 반경이 100mm이고, 입력된 아암의 치수에 의해 아암(41)의 아암검출부(43)에서 웨이퍼(21)까지의 거리가 17mm이면, 제어부에서는 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)의 좌표를 (0, 117)으로 산출한다. 여기서, 제어부에서는 목표위치(60)를 산출하는 경우에 산출에 의한 목표위치(60)와 감지결과에 따른 측정목표위치를 비교하여 상호 보정할 수 있는 수단를 추가할 수 있음은 물론이다. First, the user inputs the coordinates of each sensor 50, the wafer diameter, the lengths L1 and L2 of the arm detection unit 43 of the arm 41, and the like into an input unit (not shown). Thus, the control unit stores and calculates the data of the input unit and the transfer speed of the arm. The control unit may of course store and calculate in consideration of the transfer according to the constant velocity and acceleration of the wafer transfer unit 40. The controller receives and receives detection signals P01 and P02 of the sensors 50b and 50c that detect the pair of arm detectors 43 of the arm 41 as the wafer 21 is transferred from the wafer cassette 20. The location information is stored as time (T01, T02). The control unit uses the detection position information of the pair of arm detection units 43 to calculate the coordinates of the reference point 80. That is, the control unit recognizes the X coordinate of the reference point 80 as 0, the Y coordinate takes the average value of the detection position information of the pair of arm detectors 43, and the average value corrects the inclination of the Y coordinate of the arm 41. can do. Accordingly, the control unit calculates the X coordinate of the target position 60 to be '0', and the Y coordinate is calculated by the lengths L1 and L2 of the arm detecting unit 43 of the arm 41 and the diameter of the wafer. That is, the controller stores the coordinates of the target position 60 of the wafer 21 with respect to the arm 41 as (X, Y). For example, as shown in Fig. 5, when the radius of the wafer is 100 mm and the distance from the arm detecting portion 43 of the arm 41 to the wafer 21 is 17 mm by the input arm dimension, the controller The coordinate of the target position 60 of the wafer 21 with respect to the arm 41 is calculated as (0, 117). Here, in the case of calculating the target position 60, the controller may add means for comparing and correcting each other by comparing the target position 60 by the calculation with the measurement target position according to the detection result.

검출위치(70)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41) 및 웨이퍼외주면의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대하여 다음과 같이 산출된다. 이와 같은 과정은 후술할 검출위치산출단계의 과정과 동일하다. The detection position 70 is based on the detection position information according to the detection speed of the arm 41 and the wafer outer peripheral surface detected by the conveyance speed of the arm 41 and the sensors 50 as shown in FIG. The arm 41 is calculated as follows. This process is the same as the process of the detection position calculation step to be described later.

먼저, 아암(41)의 이송속도, 각 센서(50)의 X좌표값 등은 제어부에서 인식하고 있음은 전술한 바와 같다. 이에, 제어부는 센서(50)가 감지하는 각 위치에서의 X좌표값을 이미 알고 있다. 제어부는 웨이퍼(21)가 웨이퍼카세트(20)로부터 인출됨에 따라 센서(50)에 의해 감지된 아암(41)의 아암검출부(43) 및 웨이퍼외주면의 검출신호(P01, P02, P1 내지 P8)를 전달받아 각각 검출위치정보를 시간(T01, T02, T1 내지 T8)으로 인식한다. First, as described above, the transfer speed of the arm 41 and the X coordinate value of each sensor 50 are recognized by the control unit. Thus, the control unit already knows the X coordinate value at each position detected by the sensor 50. As the wafer 21 is withdrawn from the wafer cassette 20, the control unit detects the detection signals P01, P02, P1 to P8 of the arm detector 43 and the outer peripheral surface of the arm 41 detected by the sensor 50. The received position information is recognized as time T01, T02, and T1 to T8, respectively.

제어부에서는 검출위치정보를 이용하여 기준점(80)으로부터의 각 위치까지의 경과시간을 산출한다. 즉, 제어부에서는 예를 들면, P2위치에서의 소요시간은 T2시간에서 T01시간을 뺄셈을 하여 산출한다. The control unit calculates the elapsed time from the reference point 80 to each position using the detection position information. That is, the control unit calculates, for example, the required time at the P2 position by subtracting the T01 time from the T2 time.

제어부에서는 각 위치까지의 경과시간을 아암(41)의 이송속도와 곱하여 기준점(80)에서 각 위치의 거리(S1 내지 S8)를 각각 산출한다. 즉, 제어부에서는 예를 들면 P2의 소요시간(T2-T01)에 아암의 속도(Va)를 곱하여 기준점에서 P2까지의 거리((S2=(T2-T01)*Va)를 구한다. The controller calculates the distances S1 to S8 of each position from the reference point 80 by multiplying the elapsed time to each position by the feed speed of the arm 41. That is, the control unit calculates the distance (S2 = (T2-T01) * Va) from the reference point to P2 by multiplying the required time T2-T01 of P2 by the speed Va of the arm, for example.

제어부는 검출위치정보로부터 구해진 한 쌍의 거리(S1과 S5, S2와 S6, S3과 S7, S4와 S8)의 평균을 구한다. 예를 들어 제어부에서는 P2와 P6의 평균(M2 =

Figure 112005040148725-pat00001
)을 구한다. 제어부에서는 각 검출위치정보의 평균(M1,M2,M3,M4)을 비교하여 값이 다른 평균이 속하는 검출위치정보는 검출위치(70)의 산출에 활용하지 않는다. 예를 들면, 제어부에서는 P5에 웨이퍼(21)의 웨이퍼표시부(23)가 있어 M1의 값이 다른 값(M2, M3, M4)과 차이가 있다. 이에, 제어부는 M1값이 속하는 검출위치정보인 S1 및 S5를 검출위치(70)의 산출 시에 선택하지 않는다. 이에, 웨이퍼(21)의 웨이퍼표시부(23)와 같은 특성을 고려하여 검출위치를 산출할 수 있다.The control unit calculates an average of the pair of distances (S1 and S5, S2 and S6, S3 and S7, S4 and S8) obtained from the detection position information. For example, the control unit uses the average of P2 and P6 (M2 =
Figure 112005040148725-pat00001
) The control unit compares the averages M1, M2, M3, and M4 of the respective detection position information, and does not utilize the detection position information to which the averages having different values belong to the calculation position 70. For example, in the control unit, the wafer display unit 23 of the wafer 21 is located at P5, and the value of M1 is different from other values M2, M3, and M4. Therefore, the control unit does not select S1 and S5, which are detection position information to which the M1 value belongs, at the time of calculating the detection position 70. Accordingly, the detection position can be calculated in consideration of the same characteristics as the wafer display section 23 of the wafer 21.

제어부는 전술한 바와 같이 6개의 검출위치정보 중 3개을 선택하게 된다. 제어부는 원의 방정식을 이용한다. As described above, the controller selects three of the six detection position information. The control uses the equation of the circle.

X2 + Y2 + aX + bY + c = 0 ---------------(식 1)X 2 + Y 2 + aX + bY + c = 0 --------------- (Equation 1)

제어부는 X좌표, Y좌표 및 웨이퍼(21)의 반경인 r를 알고 있으며, (식 1)을 다시 쓰면,The controller knows the X coordinate, the Y coordinate, and the radius r of the wafer 21, and if (1) is written again,

aX + bY + c = -X2 - Y2 -------------------(식 2) aX + bY + c = -X 2 -Y 2 ------------------- (Equation 2)

로 된다. 여기서, 제어부에서는 미지수인 a, b, c 세 개의 해를 구하기 위하여 매트릭스(matrix)를 이용한 가우스소거법(Gauss elimination)이 이용된다. 즉, 제어부는 전술한 6개의 검출위치정보 중에서 3개의 검출위치정보인 각각의 X좌표 및 Y좌표를 선택하여 매트릭스를 이용한 가우스소거법으로 미지수인 a, b, c를 구한다. 아울러 상기 (식 1)을 다시 쓰면,It becomes Herein, the control unit uses a Gaussian elimination method using a matrix to obtain three unknown solutions a, b, and c. That is, the controller selects X coordinates and Y coordinates, which are three detection position information, from among the six detection position information described above, and obtains unknown a, b, and c by Gaussian elimination using a matrix. In addition, if you rewrite (Equation 1),

Figure 112005040148725-pat00002
Figure 112005040148725-pat00002

이며, 원의 중심은 (-

Figure 112005040148725-pat00003
, -
Figure 112005040148725-pat00004
)이며, 원의 반지름은
Figure 112005040148725-pat00005
이다. 제어부에서는 가우스소거법에 의해 구한 a, b, c가 상기의 중심과 반지름을 만족하는지 여부를 확인한다. 제어부는 원의 방정식을 만족하는 원의 중심좌표(Xa, Ya)를 검출위치(70)로 인식한다. The center of the circle is (-
Figure 112005040148725-pat00003
,-
Figure 112005040148725-pat00004
), The radius of the circle
Figure 112005040148725-pat00005
to be. The controller checks whether a, b, and c obtained by the Gaussian elimination method satisfy the center and radius described above. The controller recognizes the center coordinates Xa and Ya of the circle satisfying the equation of the circle as the detection position 70.

그리고, 제어부에서는 목표위치(60)의 좌표(X, Y)를 검출위치(70)의 좌표(Xa, Ya)를 비교하며, 상호 일치하지 않는 경우에 목표위치(60)를 검출위치(70)로 보정하여 보정된 검출위치(70)의 좌표(Xa, Ya)를 기준으로 웨이퍼(21)가 반응기(30)로 이송되도록 웨이퍼이송부(40)를 제어한다. 물론 제어부에서는 보정과정에서 웨이퍼이송부(40)가 보정을 할 수 있는 범위를 벗어나는 경우에 웨이퍼이송부(40)가 동작정지되도록 제어될 수 있다. The control unit compares the coordinates X and Y of the target position 60 with the coordinates Xa and Ya of the detection position 70, and if the target positions 60 do not coincide with each other, the target position 60 is detected. The wafer transfer unit 40 is controlled so that the wafer 21 is transferred to the reactor 30 based on the coordinates Xa and Ya of the detected detection position 70 corrected by. Of course, the control unit may be controlled to stop the operation of the wafer transfer unit 40 when the wafer transfer unit 40 is out of the range for correction in the calibration process.

이에, 별도의 어라이너를 거치지 않고 간단하게 웨이퍼(21)의 센터링이 이루어져 공정시간이 단축될 수 있다. As a result, the centering of the wafer 21 may be performed without going through a separate aligner, thereby shortening the process time.

이러한 구성에 의해, 본 발명에 따른 웨이퍼이송장치(10)의 이송방법을 도 5 내지 도 6을 참조하여 살펴보면 다음과 같다. With this configuration, the transfer method of the wafer transfer device 10 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 6.

먼저, 웨이퍼이송장치(10)의 전원을 인가한다. 사용자는 입력부(미도시)에 기준점(80)에서 목표위치(60)까지의 거리(L1, L2)와, 센서(50)들의 X좌표와, 웨이 퍼(21)의 직경 등을 입력한다. 한편, 제어부는 웨이퍼이송부()의 가속도 변화 등과 같은 속도에 대한 데이터를 제어 및 인식할 수 있다.First, the power supply of the wafer transfer apparatus 10 is applied. The user inputs the distances L1 and L2 from the reference point 80 to the target position 60, the X coordinates of the sensors 50, the diameter of the wafer 21, and the like, on the input unit (not shown). The controller may control and recognize data on a speed such as an acceleration change of the wafer transfer unit.

아암인입단계에서는 웨이퍼(21)를 안착하여 지지하기 위하여 웨이퍼카세트(20)로 웨이퍼이송부(40)의 아암(41)이 웨이퍼(21)의 하단부로 인입한다. In the arm retracting step, the arm 41 of the wafer transfer part 40 enters the lower end of the wafer 21 to the wafer cassette 20 in order to seat and support the wafer 21.

웨이퍼지지단계에서는 웨이퍼카세트(20) 내의 웨이퍼(21)를 아암(41)에 안착하여 지지한다. 또한, 웨이퍼지지단계에서는 아암(41)에 마련된 흡착공(45)에 소정의 진공압을 주어 이송 중인 웨이퍼(21)가 아암(41)에 견고하게 지지되도록 한다. In the wafer support step, the wafer 21 in the wafer cassette 20 is seated and supported on the arm 41. In the wafer support step, the suction hole 45 provided in the arm 41 is given a predetermined vacuum pressure so that the wafer 21 being transferred is firmly supported by the arm 41.

웨이퍼인출단계(S100)에서는 웨이퍼(21)를 지지한 아암(41)이 웨이퍼카세트(20)로부터 인출된다. In the wafer takeout step S100, the arm 41 supporting the wafer 21 is taken out from the wafer cassette 20.

센서감지단계(S110)에서는 웨이퍼카세트(20)의 출구측에 웨이퍼(21)의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 3개 이상으로 마련된 센서(50)들이 아암(41)과 웨이퍼외주면을 감지하여 검출신호를 제어부에 전달한다. 이에, 센서(50)들에 의하여 감지된 검출신호는 제어부에 전달되어 목표위치정보 및 검출위치정보로 활용된다. In the sensor detection step (S110), at least three sensors 50 provided at the exit side of the wafer cassette 20 to be spaced apart from each other in the transverse direction in the transverse direction detect the arm 41 and the outer peripheral surface of the wafer 41. The detection signal is transmitted to the control unit. Thus, the detection signals detected by the sensors 50 are transmitted to the control unit and used as target position information and detection position information.

목표위치산출단계(S120)에서는 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41)의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)를 산출한다. 그리고, 목표위치산출단계(S120)의 산출과정은 도 5를 참조하며 예를 들어 상세하게 전술하였으므로 여기서는 설명을 생략한다.In the target position calculation step (S120), the wafer 21 for the arm 41 is based on the detection position information according to the feed speed of the arm 41 and the detection signal of the arm 41 sensed by the sensors 50. The target position 60 of is calculated. Since the calculation process of the target position calculation step S120 is described with reference to FIG. 5 and described above in detail, the description thereof will be omitted.

검출위치산출단계(S130)에서는 아암(41)의 이송속도 및 센서(50)들에 의해 감지된 아암(41) 및 웨이퍼외주면의 검출신호에 따른 검출위치정보에 기초하여 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 검출위치(70)를 산출한다. 그리고, 검출위치산출단계(S130)의 산출과정은 상세하게 전술하였으므로 여기서는 설명을 생략한다. 또한, 검출위치산출단계(S130)는 센서(50)들에 의해 감지된 3개 이상의 신호에 따른 검출위치정보를 선택하여 원의 방정식을 이용하여 검출위치(70)를 산출하는 방정식산출단계를 포함한다. In the detection position calculation step (S130), the wafer with respect to the arm 41 is detected based on the feed speed of the arm 41 and the detection position information according to the detection signal of the arm 41 and the wafer outer peripheral surface detected by the sensors 50. The detection position 70 of 21 is calculated. Since the calculation process of the detection position calculation step S130 has been described above in detail, a description thereof will be omitted. In addition, the detection position calculation step (S130) includes an equation calculation step of calculating the detection position 70 by using the original equation by selecting the detection position information according to the three or more signals sensed by the sensors 50. do.

방정식산출단계에서는 검출위치(70)를 센서(50)들에 의해 감지된 3개 이상의 신호에 따른 검출위치정보를 선택하여 원의 방정식을 이용하여 산출한다. 또한, 방정식산출단계에서는 원의 방정식의 미지수는 가우스소거법을 이용하여 산출하는 가우스소거법이용단계를 갖는다. 이들 단계에 대한 상세한 설명은 전술하였으므로 여기서는 생략한다. In the equation calculation step, the detection position 70 is selected by calculating the detection position information according to three or more signals detected by the sensors 50 and calculated using the original equation. Further, in the equation calculation step, the unknown of the original equation has a Gaussian elimination method using the Gaussian elimination method. Details of these steps have been described above, and thus will be omitted here.

확인단계에서는 가우스소거법에 의해 구한 미지수가 원의 방정식을 만족하는지 여부를 확인한다. 확인단계에서는 원의 방정식을 만족한 미지수로 산출된 중심좌표가 검출위치(70)의 좌표로 된다. In the verification step, it is checked whether the unknown value obtained by the Gaussian elimination method satisfies the original equation. In the checking step, the center coordinate calculated by the unknown satisfying the equation of the circle becomes the coordinate of the detection position 70.

보정 및 이송단계(S140,S150)에서는 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 목표위치(60)와 아암(41)에 대한 웨이퍼(21)의 검출위치(70)가 상호 일치하지 않으면 목표위치(60)를 검출위치(70)로 보정하여 웨이퍼(21)가 반응기(30)로 이송되도록 웨이퍼이송부(40)를 제어한다. 이에 웨이퍼(21)는 반응기(30)의 소정의 위치에 정확하게 안착될 수 있다. 이에, 웨이퍼의 센터링과정 및 이송과정이 완료되며 웨이퍼이송부(40)는 다음의 웨이퍼(21)에 대하여도 동일한 과정을 되풀이한다. 또한, 제어부에서는 보정의 범위가 소정의 범위를 벗어나는 경우에 웨이퍼이송부(40)가 작동정지되도록 제어할 수 있다. In the correction and transfer steps S140 and S150, if the target position 60 of the wafer 21 with respect to the arm 41 and the detection position 70 of the wafer 21 with respect to the arm 41 do not coincide with each other, the target position is determined. The wafer transfer part 40 is controlled so that the wafer 60 is transferred to the reactor 30 by correcting the 60 to the detection position 70. Thus, the wafer 21 may be accurately seated at a predetermined position of the reactor 30. Thus, the wafer centering process and the transfer process are completed, and the wafer transfer unit 40 repeats the same process for the next wafer 21. In addition, the controller may control the wafer transfer unit 40 to stop operating when the correction range is out of the predetermined range.

이에, 본 발명에 따르면, 아암에 대한 웨이퍼의 검출위치의 산출이 신속하고 간단하여 웨이퍼의 센터링시간이 비교적 적게 소요되므로 웨이퍼가 반응기로 이송되는 공정시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 센서들이 웨이퍼카세트로부터 웨이퍼가 인출되는 영역에 간단하게 설치되며 추가되는 부품이 적어 적은 비용으로 기존설비의 개조를 할 수 있다. Therefore, according to the present invention, the calculation of the detection position of the wafer with respect to the arm is quick and simple, and the centering time of the wafer is relatively small, so that the process time for transferring the wafer to the reactor can be shortened. In addition, according to the present invention, the sensors are simply installed in the area where the wafer is withdrawn from the wafer cassette, and the number of additional parts is small, so that the existing equipment can be retrofitted at a low cost.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 센터링시간이 비교적 적게 소요될 수 있는 웨이퍼이송장치 및 그 이송방법이 제공된다. As described above, according to the present invention, there is provided a wafer transfer apparatus and a transfer method thereof in which the centering time of the wafer can be relatively small.

Claims (11)

복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼를 소정의 공정을 진행하는 반응기로 이송하는 웨이퍼이송장치에 있어서,In the wafer transfer apparatus for transferring the wafer taken out from the wafer cassette containing a plurality of wafers to a reactor for performing a predetermined process, 상기 웨이퍼카세트에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하여 상기 반응기로 이송하는 아암을 갖는 웨이퍼이송부와;A wafer transfer unit having an arm for supporting the wafer accommodated in the wafer cassette and transferring the wafer to the reactor; 상기 웨이퍼카세트의 출구측에 상기 웨이퍼의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 마련된 3개 이상의 센서들과;Three or more sensors provided on the outlet side of the wafer cassette to be spaced apart from each other in the transverse direction in the conveying direction of the wafer; 상기 아암은 상기 센서들 중 2개 이상의 센서가 감지할 수 있도록 마련된 아암검출부를 포함하며,The arm includes an arm detection unit provided to be detected by two or more of the sensors, 지지된 상기 웨이퍼를 인출하는 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 검출신호에 기초하여 산출된 목표위치와 검출위치가 상이한 경우에 상기 웨이퍼의 목표위치를 상기 웨이퍼의 검출위치로 보정하여 상기 웨이퍼가 상기 반응기로 이송되도록 상기 웨이퍼이송부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치.The target position of the wafer is corrected to the detection position of the wafer when the target position and the detection position calculated on the basis of the transfer speed of the arm for extracting the supported wafer and the detection signal sensed by the sensors are different. Wafer transfer apparatus further comprises a control unit for controlling the wafer transfer unit to transfer the wafer to the reactor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 목표위치는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암의 검출신호에 기초하여 상기 아암에 대하여 산출하며, The target position is calculated with respect to the arm based on the feed speed of the arm and the detection signal of the arm detected by the sensors, 상기 검출위치는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암 및 상기 웨이퍼외주면의 검출신호에 기초하여 원의 방정식을 이용하여 상기 아암에 대하여 산출되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치.And the detection position is calculated with respect to the arm using a circle equation based on the transfer speed of the arm and the detection signal of the arm and the outer peripheral surface detected by the sensors. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 검출위치는 원의 방정식의 미지수를 가우스 소거법을 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치. And said detection position is calculated using a Gaussian elimination method for an unknown number of equations of a circle. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 미지수는 원의 방정식에 대입되어 원의 방정식을 만족하는지 여부를 확인하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치.The unknown value is substituted into a circle equation to determine whether or not to satisfy the equation of the circle. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼는 외주면에 형성된 웨이퍼표시부를 포함하며, The wafer includes a wafer display unit formed on an outer circumferential surface thereof. 상기 제어부는 상기 센서들 중 상기 웨이퍼표시부를 감지한 센서에 의해 감지된 한 쌍의 검출신호를 상기 검출위치 산출에서 제외하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치. And the control unit excludes the pair of detection signals detected by the sensor detecting the wafer display unit from the sensors in the detection position calculation. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 웨이퍼표시부는 상기 웨이퍼의 외주면의 일영역에 마련된 플랫존(flat zone) 및 함몰 형성된 노치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송장치.And the wafer display unit is any one of a flat zone and a notch formed in one region of an outer circumferential surface of the wafer. 삭제delete 복수의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼카세트로부터 인출된 상기 웨이퍼를 소정의 공정을 진행하는 반응기로 이송하는 웨이퍼이송방법에 있어서,In the wafer transfer method for transferring the wafer taken out from the wafer cassette containing a plurality of wafers to a reactor for performing a predetermined process, 상기 웨이퍼를 지지하여 상기 반응기로 이송하기 위한 웨이퍼이송부의 아암이 상기 웨이퍼카세트에 인입되는 단계와;Introducing an arm of a wafer transfer part for supporting the wafer and transferring the wafer to the reactor; 상기 웨이퍼카세트 내의 상기 웨이퍼를 상기 아암에 안착하여 지지하는 단계와;Mounting and supporting the wafer in the wafer cassette to the arm; 상기 웨이퍼를 지지한 상기 아암이 상기 웨이퍼카세트로부터 인출되는 단계와;The arm supporting the wafer is withdrawn from the wafer cassette; 상기 웨이퍼카세트의 출구측에 상기 웨이퍼의 이송방향에 가로방향으로 상호 이격되게 마련된 3개 이상의 센서들이 상기 아암과 상기 웨이퍼외주면을 감지하는 단계와;Detecting at least three sensors on the exit side of the wafer cassette, the arms and the outer peripheral surface of the wafer being spaced apart from each other in the transverse direction in the transverse direction; 상기 아암에 상기 센서들 중 2개 이상의 센서가 감지할 수 있도록 마련된 아암검출부를 형성하는 단계와;Forming an arm detection unit provided on the arm so that two or more of the sensors can detect the arm; 지지된 상기 웨이퍼를 인출하는 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 검출신호에 기초하여 산출된 목표위치와 검출위치가 상이한 경우에 상기 웨이퍼의 목표위치를 상기 웨이퍼의 검출위치로 보정하여 상기 웨이퍼가 상기 반응기로 이송되도록 상기 웨이퍼이송부를 제어하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송방법.The target position of the wafer is corrected to the detection position of the wafer when the target position and the detection position calculated on the basis of the transfer speed of the arm for extracting the supported wafer and the detection signal sensed by the sensors are different. And controlling the wafer transfer unit to transfer a wafer to the reactor. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 보정 및 제어단계는 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암의 검출신호에 기초하여 상기 아암에 대한 목표위치를 산출하는 단계와, 상기 아암의 이송속도 및 상기 센서들에 의해 감지된 상기 아암 및 상기 웨이퍼외주면의 검출신호에 기초하여 원의 방정식을 이용하여 상기 아암에 대한 검출위치를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송방법. The correcting and controlling step includes calculating a target position for the arm based on the feed speed of the arm and the detection signal of the arm sensed by the sensors, and by the feed speed of the arm and the sensors And calculating a detection position of the arm using a circle equation based on the detected signal of the arm and the outer peripheral surface of the wafer. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 검출위치산출단계는 원의 방정식의 미지수를 가우스 소거법을 이용하여 산출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송방법. And the detecting position calculating step includes calculating an unknown value of an equation of a circle by using a Gaussian elimination method. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 검출위치산출단계는 상기 미지수를 원의 방정식에 대입하여 원의 방정식을 만족하는지 여부를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼이송방법.The detecting position calculating step includes substituting the unknown equation into a circle equation to determine whether the circle equation is satisfied.
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