KR100673389B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버; 상기 챔버에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 및 상기 안테나를 둘러싸는 내측 커버와 외측 커버를 포함하며, 상기 내측 커버에는 상기 안테나를 방열시키는 냉매가 흐르는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 공냉식의 냉각 방식을 채택하여 안테나의 가열 현상을 억제하고 쉴드 커버의 온도를 적절히 조절할 수 있게 된다. 더욱이, 안테나를 둘러싸는 내측 커버를 더 설비함으로써 공랭 효율을 더 높일 수 있어서, 안테나의 메인티넌스(maintenance)가 향상되며 플라즈마 처리 성능 및 장치 가동률이 향상되는 효과가 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA TREATMENT APPARATUS}
도 1은 종래 기술에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도.
도 2는 종래 기술에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 사시도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 처리 챔버 120 : 절연재
140 : 고주파 안테나 150 : 절연 커버
160 : 쉴드 커버 170 : 냉매 공급부
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 생성효율이 높고 안정성이 좋은 유도결합형 플라즈마를 생성할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
최근의 반도체 소자의 고집적화, 반도체 웨이퍼의 대구경화, 액정 디스플레이의 대면적화 등에 따라 에칭 처리나 성막 처리를 하는 처리 장치의 수요가 날로 증가하고 있다. 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치, 플라즈마 애싱 장치와 같은 플라즈마 처리 장치에 있어서도 그 상황은 마찬가지이다. 즉, 생산량(Throughput)을 향상시키기 위하여 플라즈마의 고도화, 피처리물(반도체 웨이퍼, 글래스 기판)의 대면적화에 대한 대응 및 클린화 등의 실현이 중요과제로 대두되고 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에 사용되는 플라즈마원으로서, 고주파 용량결합형 플라즈마원, 마이크로파 ECR 플라즈마원, 고주파 유도결합형 플라즈마원 등이 있다. 이들 각각은 그 특징을 살려 여러가지 처리 프로세스마다 구분하여 사용되고 있다.
이들 플라즈마원 중에서 고주파 유도결합형 플라즈마원을 구비한 플라즈마 처리 장치는, 단순한 안테나와 고주파 전원이라는 간단하고 값싼 구성에 의해 수 mTorr의 저압하에서 비교적 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 피처리물에 대해 평면적으로 코일을 배치함으로써 면적이 큰 플라즈마를 용이하게 발생시킬 수 있으며, 처리 챔버 내부가 간단하므로 처리중에 피처리물 위로 날아오는 이물질 발생을 줄일 수 있다는 장점이 있어 최근 널리 보급되고 있다.
종래의 유도결합 플라즈마 처리 장치를 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 도 1은 종래 기술에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 유도결합 플라즈마 처리 장치는 처리 챔버(10)의 일부를 이루는 석영 등의 절연재(12)를 거쳐 처리 챔버(10) 밖으로 설치된 코일 형상의 고주파 안테나(14)에 수백 kHz 내지 수백 MHz의 고주파 전력을 인가한다. 안테나(14)에 의해 형성된 유도자장과, 처리 챔버(10) 내에 도입된 프로세스 가스의 공급으로 플라즈마를 발생 및 유지하고 있다. 그리고, 고주파 안테나(14)는 알루미늄 쉴드 커버(16)에 의해 보호된다.
종래의 유도결합 플라즈마 장치는 플라즈마에 대하여 절연재(12)를 사이에 두고 고주파 안테나(14)를 대기쪽으로 배치하고 있다. 그 때문에, 절연재(12)는 대기압에 견딜 수 있는 충분한 강도가 필요하다. 그리고, 피처리물이 대구경화 내지 대면적화하고 있는 현재 상황에서는 피처리물의 면적에 따라 절연재(12)를 두껍게 할 필요가 있다. 한편, 안테나(14)와 플라즈마는 유도결합 이외에 정전용략적으로도 결합하고 있다. 또한, 절연재(12)가 플라즈마에 의해 깍여지는 일이 빈번하게 발생한다.
이에 따라, 신뢰성을 충분히 높이기 위해서는 절연재(12)를 두껍게 할 필요가 있다. 그러나, 절연재(12)가 두꺼워지면 플라즈마의 생성효율이 현저하게 저하된다. 그리고, 두꺼운 절연재(12)는 플라즈마의 착화성, 안정성에 악영향이 미친 다.
고주파 안테나(14)의 표면은 절연재료로 이루어진 보호막이 피복되어 있는 것이 일반적이다. 그런데, 유도결합 플라즈마 처리 장치에 있어서 고주파 안테나(14) 가까이에는 강한 플라즈마가 생성된다. 특히 플라즈마 에칭 장치와 같이 반응성 가스를 사용하는 경우, 고주파 안테나(14) 표면의 보호막 손상이 매우 크다. 강한 플라즈마 생성을 위해 안테나(14)에 강한 유도전류를 흘러주게 되는데, 이때 안테나(14) 자신이 가열되는 현상이 일어나고, 더 나아가서는 알루미늄 쉴드 커버(16)를 가열하는 현상이 발생한다.
안테나(14)에서 발생하는 고주파(eddy current)로 인하여 안테나(14) 표면상의 보호막과 알루미늄 쉴드 커버(16)의 손상이 매우 크게 나타난다. 안테나(14)와 쉴드 커버(16)는 금속제이므로 보호막이 파손되면 금속이온이 발생하고 금속오염이 생기는 문제점이 있었다. 알루미늄 쉴드 커버(16)도 가열 현상에 의해 손상이 되는 문제점이 있었다. 또한, 안테나(14) 자체의 교환이 필요하게 되어 안테나의 유지보수(maintenance)에 많은 시간과 비용이 필요로 한다는 문제점이 있다.
종래 이의 해결을 위해 안테나(14)를 가령 둘러싸는 형태의 냉각수(Process Cooling Water)를 이용한 냉각 방식이 제안된 바 있었다. 그러나, 수냉식 냉각 방식은 구성이 복잡하고 누수(leakage)의 위험이 있었다. 결과적으로, 종래의 유도결합 플라즈마 처리 장치에 있어서는 상술한 이유들로 인해 플라즈마 생성효율이 저하되고 플라즈마를 안정적으로 생성할 수 없다는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마 생성효율이 높고 안정성이 향상된 플라즈마를 생성할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 공냉식의 냉각 방식을 채택하여 안테나의 가열현상을 억제하고 쉴드 커버의 온도를 적정하게 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. 더 나아가 본 발명의 유도결합 플라즈마 처리 장치는 냉각 효율을 놓이기 위해 안테나를 둘러싸는 타이타늄 절연 커버를 더 마련한 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버; 상기 챔버에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 및 상기 안테나를 둘러싸는 내측 커버와 외측 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 내측 커버는 상기 안테나를 직접 둘러싸고, 상기 외측 커버는 상기 내측 커버를 둘러싸고 있다. 상기 안테나는 상기 챔버의 측면을 나선형으로 둘러싸고 있다. 상기 내측 커버는 타이타늄으로 구성된다. 상기 내측 커버는 냉매가 유입되고 유출되는 개구가 적어도 각각 하나씩 포함한다. 상기 냉매는 질소와 영족기체를 포함한 비반응성 가스이다. 상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된다.
상기 특징을 구현하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장 치는, 플라즈마원 가스가 유입되고, 피처리물에 대해 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버; 상기 챔버의 측면에 나선형으로 배치되고, 상기 챔버에 유입된 상기 플라즈마원 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키도록 고주파 전력이 급전되는 안테나; 상기 안테나를 감싸며, 상기 안테나로부터 발생된 고주파를 상쇄시키는 내측 커버; 및 상기 내측 커버를 감싸는 외측 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 내측 커버에는 공랭식 냉각 방식으로 상기 안테나를 방열시키는 냉매가 흐르도록 상기 냉매의 유입 및 유출을 위한 개구가 더 형성되어 있다. 상기 내측 커버 내부를 흐르는 냉매는 질소 및 영족기체를 포함한 비반응성 가스이다. 상기 내측 커버는 상기 챔버 측면에 "ㄷ"자형으로 배치된다. 상기 내측 커버는 타이타늄으로 구성된다. 상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된다.
상기 특징을 구현하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마원 가스가 유입되고, 피처리물에 대해 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버; 상기 챔버의 측면에 나선형으로 배치되고, 상기 챔버에 유입된 상기 플라즈마원 가스에 에너지를 가하여 유도결합 방식으로 플라즈마를 발생시키도록 고주파 전력이 급전되는 안테나; 및 상기 챔버의 측면에 배치되어 상기 안테나를 감싸며, 상기 안테나로부터 발생된 고주파를 상쇄시키고, 공랭식 냉각 방식으로 상기 안테나를 방열시키는 비반응성 가스 냉매가 흐르도록 상기 냉매의 유입 및 유출을 위한 개구가 더 형성된 타이타늄 절연 커버와, 상기 챔버의 측면에 배치되어 상 기 타이타늄 절연 커버를 감싸는 알루미늄 쉴드 커버로 이루어진 이중 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 상기 비반응성 가스 냉매는 질소이다. 상기 타이타늄 절연 커버는 "ㄷ"자 형태이고, 상기 냉매 유입 개구와 상기 냉매 유출 개구는 상기 타이타늄 절연 커버의 위쪽과 아래쪽에 각각 배치된다. 상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치에 의하면, 공냉식의 냉각 방식을 채택하여 안테나의 가열 현상을 억제하고 쉴드 커버의 온도를 적절히 조절할 수 있게 된다. 더욱이, 안테나를 둘러싸는 타이타늄 절연 커버를 더 설비함으로써 공랭 효율을 더 높일 수 있다. 이와 같이, 안테나 및 쉴드 커버를 손상으로부터 보호함으로써 플라즈마의 생성 효율을 향상시키고 보다 양호한 조건 아래에서 안정된 플라즈마를 생성할 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
(실시예)
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 사시도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 유도결합형 플라즈마를 이용하여 소정의 프로세스가 실제적으로 행해지는 가령 원통형의 처리 챔버(100)가 있다. 처리 챔버(100)의 상부면에는 도면에는 자세히 도시하지 아니하였지만 플라즈마 가스가 처리 챔버(100)의 내부로 유입되도록 하는 기구가 설비된다.
그 처리 챔버(100)의 바깥쪽 측면에는 유도코일로서 나선 형상의 안테나(140)가 마련된다. 안테나(140)에는 고주파 전력이 급전(給電)되는데, 처리 챔버(100)와는 적절한 두께의 알루미나(Alumina), 석영 등의 절연재(120)에 의해 절연된다.
한편, 안테나(140)의 바로 가까이에서 생성되는 강한 플라즈마와 안테나 가열의 원인이 되는 고주파를 상쇄하여 가열 현상으로부터 안테나(140)를 보호하기 위해 절연 커버(150)를 설치한다. 절연 커버(150)는 안테나(140)를 감싸는 형태로 설비될 수 있다. 절연 커버(150)의 구체적인 형태는 본 실시예에서와 같이 "ㄷ"자 형태일 수 있고 이와 다른 형태도 가능함은 물론이다. 절연 커버(150)로는 상자성체 물질로서 열전도율과 열팽창율이 작은 것, 예를 들어, 내열성이 강한 타이타늄(Ti)을 이용할 수 있다. 그리고, 절연 커버(150) 바깥쪽으로는 또 다른 커버로서 알루미늄 쉴드 커버(160)가 마련된다.
고주파 안테나(140)는 이중의 커버, 즉 내측 커버인 타이타늄 절연 커버(150)와 외측 커버인 알루미늄 쉴드 커버(160)에 의해 둘러쌓여 있다. 처리 챔버(100) 내로 플라즈마 가스를 유입하여 플라즈마를 생성하기 위해 안테나(140)에 수백 kHz 내지 수백 MHz의 고주파 전력이 급전되는 경우, 이중 커버(150,160)는 안테나(140)에서 발생하는 강한 고주파를 상쇄한다. 따라서, 안테나(140)에 대한 고주파 전력 인가시 발생하는 안테나의 가열현상이 현저히 줄어들게 된다.
이와 같이, 내측 타이타늄 절연 커버(150)와 외측 알루미늄 쉴드 커버(160)로 이루어진 이중 커버 구조를 채택하게 되면, 특히 내측 커버(150)인 타이타늄 자체가 우수한 절연재로서의 역할을 하게 된다. 따라서, 안테나(140)에서 발생되는 고주파로 인한 안테나 가열 현상이 억제된다.
추가적으로, 종래 누수의 위험이 있고 구조가 복잡한 수냉식 냉각 방식에서 탈피하여 공냉식의 냉각 방식으로 고주파 안테나(140) 자체를 냉각할 수 있다. 공랭식 냉각 방식을 위해 타이타늄 절연 커버(150)는 위 아래에 각각 적어도 하나씩 개구(A,B)가 더 형성되어 있을 수 있다. 냉매 공급부(170)와 개구(A,B)를 통해 냉매가 절연 커버(150) 내부로 유입 유출되어 안테나(140)로부터 열을 빼앗아 외부로 배출될 수 있다.
안테나(140)의 방열을 위한 냉매로는 화학적으로 안정한 질소(N2) 및 영족기체를 포함한 비반응 가스를 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 절연 커버(150) 위쪽에 형성된 개구(A)로는 질소 가스가 수 sccm 정도 유입되어 절연 커버(150) 내부를 흐르면서 안테나(140)로부터 직접 또는 간접적으로 열을 빼앗아 절연 커버(150) 아래쪽에 형성된 개구(B)를 통해 외부로 배출된다.
냉매 공급 장치와 펌프 등의 설계에 따라 냉매의 유입 및 유출 방향은 본 실시예에서와 같이 위에서 아래를 향할 수 있고, 또는 이와 반대로 아래에서 위를 향할 수 있다. 이러한 공냉식의 냉각 방식은 수냉식 냉각 방식에서와 같은 누수의 여지가 근본적으로 생기지 아니한다.
본 실시예의 장치가 유도결합 플라즈마를 이용한 에칭 처리 장치인 경우, 처리 챔버(100)의 온도는 에칭 처리에 있어서 중요한 파라미터의 하나가 된다. 따라서, 안테나(140)를 감싸는 타이타늄 절연 커버(140) 내에 소정의 온도 센서를 설비하여 안테나(140)의 온도 및 절연 커버(140) 내의 온도를 모니터하여 프로세스에 반영할 수 있다. 그러면, 냉매의 압력과 유량을 적절히 조절하여 절연 커버(150) 내의 온도를 적정선으로 제어할 수 있게 된다.
다음과 같이 구성된 플라즈마 처리 장치는 다음과 같이 동작한다.
처리 챔버(100)로 플라즈마 가스가 유입되고 안테나(140)에 고주파 전력이 인가되어 처리 챔버(100) 내에는 플라즈마가 생성된다. 플라즈마 중에 유도전류가 생기고, 플라즈마와 고주파 안테나(140)가 전기회로적으로 유도결합(안테나를 1차 코일, 플라즈마 중의 전류를 2차 코일로 간주)하고 있다.
이러한 구성을 갖는 유도결합 플라즈마 장치는 저압력 하에서 고밀도 플라즈마가 발생하고, 이온의 평균자유행로(mean free path)가 크다. 따라서, 처리 챔버(100) 내부에 수용되는 피처리물(반도체 웨이퍼나 글래스 기판)에 입사하는 이온의 방향을 가지런하게 할 수 있고, 미세가공에 적합한 높은 처리속도가 얻어진다.
한편, 강한 플라즈마를 형성하기 위해 안테나(140)에 강한 유도전류를 흘려주게 되면 안테나(140) 자신의 가열 현상과 안테나(140) 주위에 강한 자장이 생긴다. 그러나, 안테나(140)를 직접 감싸는 타이타늄 절연 커버(150)가 안테나(140)에서 발생하는 강한 고주파를 상쇄하여 안테나(140)를 보호하고 더 나아가 외측 커버인 알루미늄 쉴드 커버(160)를 보호한다.
그리고, 절연 커버(150) 내부로 냉매(예: 질소)를 수 sccm 정도로 흘려주게 되면 안테나(140)의 열을 빼앗아 안테나(140)의 가열 현상이 억제된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는 데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리 장치에 의하면, 공냉식의 냉각 방식을 채택하여 안테나의 가열 현상을 억제하고 쉴드 커버의 온도를 적절히 조절할 수 있게 된다. 더욱이, 안테나를 둘러싸는 타이타늄 절연 커버를 더 설비함으로써 공랭 효율을 더 높일 수 있다.
이와 같이, 안테나 및 쉴드 커버를 손상으로부터 보호함으로써 플라즈마의 생성 효율을 향상시키고 보다 양호한 조건 아래에서 안정된 플라즈마를 생성할 수 있게 된다. 결과적으로, 안테나의 메인티넌스(maintenance)가 향상되며 플라즈마 처리 성능 및 장치 가동률이 향상되는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버;
    상기 챔버에 플라즈마를 발생시키는 안테나;
    상기 안테나를 둘러싸며, 냉매가 유입되고 유출되는 개구가 적어도 하나씩 포함하는 내측 커버; 및
    상기 내측 커버를 둘러싸는 외측 커버;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 내측 커버는 타이타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 냉매는 질소와, 영족기체 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 챔버의 측면을 나선형으로 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 플라즈마원 가스가 유입되고, 피처리물에 대해 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버;
    상기 챔버의 측면에 나선형으로 배치되고, 상기 챔버에 유입된 상기 플라즈마원 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키도록 고주파 전력이 급전되는 안테나;
    상기 안테나를 감싸도록 상기 챔버의 측면에 배치되고 절연물질로 구성되어 상기 안테나로부터 발생된 고주파를 상쇄시키며, 그리고 공랭식 냉각 방식으로 상기 안테나를 방열시키는 냉매가 흐르도록 상기 냉매의 유입 및 유출을 위한 개구가 형성되어 있는 내측 커버; 및
    상기 내측 커버를 감싸는 외측 커버;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 내측 커버 내부를 흐르는 냉매는 질소와, 영족기체 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 내측 커버는 상기 챔버 측면에 "ㄷ"자형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 내측 커버는 타이타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 플라즈마원 가스가 유입되고, 피처리물에 대해 소정의 처리 프로세스가 진행되는 챔버;
    상기 챔버의 측면에 나선형으로 배치되고, 상기 챔버에 유입된 상기 플라즈마원 가스에 에너지를 가하여 유도결합 방식으로 플라즈마를 발생시키도록 고주파 전력이 급전되는 안테나; 및
    상기 챔버의 측면에 배치되어 상기 안테나를 감싸며, 상기 안테나로부터 발생된 고주파를 상쇄시키고, 공랭식 냉각 방식으로 상기 안테나를 방열시키는 비반응성 가스 냉매가 흐르도록 상기 냉매의 유입 및 유출을 위한 개구가 더 형성된 타이타늄 절연 커버와, 상기 챔버의 측면에 배치되어 상기 타이타늄 절연 커버를 감싸는 알루미늄 쉴드 커버로 이루어진 이중 커버;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 비반응성 가스 냉매는 질소인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 타이타늄 절연 커버는 "ㄷ"자 형태이고, 상기 냉매 유입 개구와 상기 냉매 유출 개구는 상기 타이타늄 절연 커버의 위쪽과 아래쪽에 각각 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 안테나는 석영과 알루미나 중 어느 하나의 절연재에 의해 상기 챔버와 절연된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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