KR100668365B1 - Frequency mixer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함함으로써, 마이크로파 또는 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a frequency mixer, and more particularly, to a field effect transistor having a source terminal grounded, and a LO signal connected to a drain terminal of the field effect transistor to receive an LO signal, thereby receiving a signal having a predetermined LO frequency band. An LO matching section for providing a signal, an RF matching section connected to a gate terminal of the field effect transistor to receive an RF signal, and providing a signal having a predetermined RF band to the field effect transistor, and a gate of the field effect transistor. A gate bias portion connected to a terminal for supplying a DC bias, a drain bias portion connected to a drain terminal of the field effect transistor, for supplying a DC bias, and a drain terminal of the field effect transistor, Receives an IF signal mixed with the RF signal Definition Includes an IF matching section for outputting signals in the IF band to the output terminals, making it easy to use in mixers in microwave or millimeter wave bands, reducing LO insertion losses in mixers, and reducing DC power consumption while at the same time There is an effect that can block the influence of the unnecessary signal of the band.

주파수 혼합기, 전계효과 트랜지스터, 드레인 바이어스부, RF 정합부, LO 정합부, IF 정합부Frequency Mixer, Field Effect Transistor, Drain Bias, RF Match, LO Match, IF Match

Description

주파수 혼합기{Frequency mixer}Frequency mixer

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 주파수 혼합기를 설명하기 위한 개략적인 회로 구성도.1 is a schematic circuit diagram illustrating a frequency mixer according to an embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ****** Explanation of symbols on main parts of drawing ***

201 : 게이트 바이어스부, 202 : 드레인 바이어스부,201: gate bias portion, 202: drain bias portion,

203 : 전계효과 트랜지스터, 204 : RF 정합부,203: field effect transistor, 204: RF matching unit,

205 : IF 정합부, 206 : LO 정합부,205: IF matching unit, 206: LO matching unit,

207 : 접지207: ground

본 발명은 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결된 LO 정합부를 이용하여 LO 주파수를 입력하고, 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결된 드레인 바이어스부에 접지를 연결함으로써, 낮은 DC 전력을 소모할 뿐만 아니라 주파수 변환 특성을 향상시킬 수 있는 주파수 혼합기에 관한 것이다.The present invention relates to a frequency mixer, and more particularly, by inputting the LO frequency using an LO matching part connected to the drain terminal of the field effect transistor, and connecting ground to the drain bias part connected to the drain terminal of the field effect transistor. A frequency mixer that not only consumes DC power but can also improve frequency conversion characteristics.

일반적으로, 저항성 주파수 혼합기(resistive frequency mixer)는 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)의 게이트(gate) 단자에 LO 필터(LO filter)를 이용하여 국부발진(Local Oscillator, LO) 주파수를 입력하고, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 드레인(drain) 단자에 RF 필터(RF filter)와 IF 필터(IF filter)를 연결하여 RF(Radio Frequency)와 중간주파수(Intermediate Frequency, IF)를 변환하는 구조를 갖는다.In general, a resistive frequency mixer inputs a local oscillator (LO) frequency using an LO filter at a gate terminal of a field effect transistor (FET). And a structure for converting an RF and an intermediate frequency (IF) by connecting an RF filter and an IF filter to a drain terminal of the field effect transistor (FET). Have

즉, 종래의 기술에 따른 저항성 주파수 혼합기는 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자에 LO 필터(LO filter)를 이용하여 LO 주파수를 입력하고, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 드레인 단자에 RF 필터(RF filter)와 IF 필터(IF filter)를 연결한 구조로서, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 드레인에 DC 바이어스를 입력하지 않는 구조를 갖는다.That is, the resistive frequency mixer according to the prior art inputs the LO frequency to the gate terminal of the field effect transistor (FET) using an LO filter, and the RF filter (to the drain terminal of the field effect transistor (FET)). An RF filter and an IF filter are connected to each other, and have a structure in which a DC bias is not input to the drain of the field effect transistor (FET).

그러나, 상기한 종래 기술의 주파수 혼합기 설계 시 소자의 비 선형적 특성에 의해서 LO 신호의 누설에 기인한 신호 변형 특성이 언제나 발생할 가능성을 내포하고 있으며, LO 신호를 게이트 단자를 통하여 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 입력한 구조를 이용하여 신호 변환 특성이 나쁜 문제점이 있다.However, in the design of the above-described frequency mixer of the prior art, there is a possibility that a signal distortion characteristic due to leakage of the LO signal always occurs due to the nonlinear characteristics of the device, and the LO signal is passed through a gate terminal. There is a problem in that the signal conversion characteristic is bad by using the structure input to the gate of.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 LO 정합부를 연결하여 LO 주파수를 입력하고, 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결된 드레인 바이어스부에 접지를 연결함으로써, 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주 파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 주파수 혼합기를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to connect an LO matching part to a drain terminal of a field effect transistor, input an LO frequency, and ground the drain bias part connected to the drain terminal of the field effect transistor. By combining, the frequency mixer can be easily used in the mixer of microwave and millimeter wave band, reduce the LO insertion loss of the mixer, reduce the DC power consumption and at the same time block the effects of unwanted signals in the low frequency band. To provide.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은, 소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터; 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부; 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부; 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부; 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부; 및 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함하여 이루어진 주파수 혼합기를 제공하는 것이다.One aspect of the present invention to achieve the above object, a field effect transistor, the source terminal is grounded; An LO matching unit connected to the drain terminal of the field effect transistor to receive an LO signal and provide a signal having a predetermined LO frequency band to the field effect transistor; An RF matching unit connected to a gate terminal of the field effect transistor to receive an RF signal and provide a signal having a predetermined RF band to the field effect transistor; A gate bias unit connected to the gate terminal of the field effect transistor to supply a DC bias; A drain bias unit connected to the drain terminal of the field effect transistor to supply a DC bias; And an IF matching unit connected to the drain terminal of the field effect transistor, the IF matching unit receiving an IF signal mixed with the LO signal and the RF signal and outputting a signal having a predetermined IF band to an output terminal. will be.

여기서, 상기 게이트 바이어스부는 적어도 하나의 리액턴스와 캐패시터로 이루어짐이 바람직하다.Here, the gate bias portion is preferably made of at least one reactance and a capacitor.

바람직하게는, 상기 드레인 바이어스부는 적어도 하나의 저항 및 캐패시터로 이루어지되, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자와 상기 IF 정합부의 사이에 연결되며 접지된다.Preferably, the drain bias portion includes at least one resistor and a capacitor, and is connected between the drain terminal of the field effect transistor and the IF matching portion and grounded.

바람직하게는, 상기 드레인 바이어스부의 접지는 상기 전계효과 트랜지스터에 연결된다.Preferably, the ground of the drain bias portion is connected to the field effect transistor.

바람직하게는, 상기 IF 정합부는 상기 LO 정합부와 상기 출력단자의 사이에 접속된다.Preferably, the IF matching section is connected between the LO matching section and the output terminal.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 주파수 혼합기를 설명하기 위한 개략적인 회로 구성도이다.1 is a schematic circuit diagram illustrating a frequency mixer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 주파수 혼합기(mixer)는 게이트 바이어스부(201), 드레인 바이어스부(202), 전계효과 트랜지스터(203), RF 정합부(204), IF 정합부(205) 및 LO 정합부(206)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 1, a frequency mixer according to an embodiment of the present invention may include a gate bias unit 201, a drain bias unit 202, a field effect transistor 203, an RF matcher 204, and an IF match. Section 205 and LO matching section 206.

여기서, 상기 게이트 바이어스부(201)는 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 게이트(gate) 단자에 연결되어 있으며, 소정의 DC 바이어스(bias)를 공급하는 기능을 수행한다.Here, the gate bias unit 201 is connected to a gate terminal of the field effect transistor 203 and performs a function of supplying a predetermined DC bias.

이러한 게이트 바이어스부(201)는 적어도 하나의 리액턴스(Reactance)와 캐패시터(Capacitors)로 구성됨이 바람직하다.The gate bias unit 201 is preferably composed of at least one reactance (Reactance) and capacitors (Capacitors).

상기 드레인 바이어스부(202)는 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 드레인(drain) 단자에 연결되어 있으며, 소정의 DC 바이어스(bias)를 공급하는 기능을 수행한다.The drain bias unit 202 is connected to the drain terminal of the field effect transistor 203 and performs a function of supplying a predetermined DC bias.

이러한 드레인 바이어스부(202)는 적어도 하나의 저항(Resistance)(R) 및 캐패시터(Capacitors)로 구성되어 있고, 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 드레인(drain) 단자와 상기 IF 정합부(205)의 사이에 연결되어 있으며 그 끝단이 접지(ground)(207)되어 있다. 또한, 상기 드레인 바이어스부(202)의 접지(207)는 상기 전계효과 트랜지스터(203)에 연결됨이 바람직하다.The drain bias unit 202 includes at least one resistance R and capacitors, and includes a drain terminal of the field effect transistor 203 and an IF matcher 205. It is connected between the ends of which is grounded (207). In addition, the ground 207 of the drain bias unit 202 is preferably connected to the field effect transistor 203.

이와 같이 상기 전계효과 트랜지스터(203)에 상기 드레인 바이어스부(202)를 통하여 드레인(drain) 단자에 접지함으로써, 상기 전계효과 트랜지스터(203)가 동작하여 비선형적인 특성에 의해서 주파수 혼합 역할을 수행할 수 있다.As described above, the field effect transistor 203 is grounded to a drain terminal through the drain bias unit 202, so that the field effect transistor 203 operates to perform frequency mixing by nonlinear characteristics. have.

상기 전계효과 트랜지스터(203)의 소오스(source) 단자는 접지(ground)되어 있다.The source terminal of the field effect transistor 203 is grounded.

상기 RF 정합부(204)는 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 게이트(gate) 단자에 연결되어 있으며, 임의의 고주파(RF) 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 손실 없이 상기 전계효과 트랜지스터(203)에 제공하는 기능을 수행한다.The RF matching unit 204 is connected to a gate terminal of the field effect transistor 203 and receives an arbitrary high frequency (RF) signal so as not to lose a signal of a predetermined RF band. 203).

상기 IF 정합부(205)(IF matching circuit)는 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 드레인(drain) 단자에 연결되어 있으며, 상기 LO 정합부(206)로부터 출력된 국부발진(LO) 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 중간주파수(IF) 신호를 제공받아 소정의 중간주파수(IF) 대역의 신호를 출력단자에 출력하는 기능을 수행한다.The IF matching unit 205 is connected to a drain terminal of the field effect transistor 203 and has a local oscillation (LO) signal and the RF output from the LO matching unit 206. It receives the intermediate frequency (IF) signal mixed with the signal and outputs the signal of the predetermined intermediate frequency (IF) band to the output terminal.

이러한 IF 정합부(205)는 상기 LO 정합부(206)와 출력단자의 사이에 접속됨이 바람직하다.The IF matching unit 205 is preferably connected between the LO matching unit 206 and the output terminal.

상기 LO 정합부(206)(LO matching circuit)는 상기 전계효과 트랜지스터 (203)의 드레인(drain) 단자에 연결되어 있으며, 임의의 국부발진(LO) 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 손실 없이 상기 전계효과 트랜지스터(203)에 제공하는 기능을 수행한다.The LO matching circuit 206 is connected to a drain terminal of the field effect transistor 203 and receives a local oscillation (LO) signal to receive a signal having a predetermined LO frequency band. It performs the function of providing the field effect transistor 203 without loss.

또한, 상기 LO 정합부(206)는 주파수 혼합기(mixer)의 LO 삽입 손실을 감소시키고, DC 차단(blocking)과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단하는 역할을 수행한다.In addition, the LO matching unit 206 reduces the LO insertion loss of the frequency mixer, and blocks the effects of the unwanted signal of the low frequency band at the same time as DC blocking.

전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 주파수 혼합기는, 상기 전계효과 트랜지스터(203)의 드레인(drain) 단자에 LO 주파수를 입력하고, 상기 드레인 바이어스부(202)에 접지를 연결함으로써, 주파수 혼합기의 변환 손실 특성이 양호하고, 상기 드레인 바이어스부(202)에 접지는 주파수 혼합기의 DC 소모 전력을 감소시키며, 상기 LO 정합부(206)에 의해 DC 차단(blocking)하는 역할을 수행할 수 있다.As described above, the frequency mixer according to an embodiment of the present invention inputs an LO frequency to the drain terminal of the field effect transistor 203 and connects the ground to the drain bias unit 202, thereby providing a frequency. The conversion loss characteristic of the mixer is good, and the ground to the drain bias unit 202 reduces the DC power consumption of the frequency mixer, and serves to block DC by the LO matching unit 206. .

또한, 상기 IF 정합부(205)에 의해 LO 신호의 누설에 기인한 신호 변형 특성이 개선될 수 있다.In addition, the signal matching characteristic due to leakage of the LO signal may be improved by the IF matcher 205.

한편, 상기 DC 전력 소모와 LO 삽입 손실과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향은 LO 신호를 소오스 단에 입력하는 소오스(source) 단자를 접지하는 전계효과 트랜지스터(203)를 이용한 주파수 혼합기의 성능 악화의 주요 요인이다.On the other hand, the effect of the unnecessary signal of the low frequency band at the same time as the DC power consumption and LO insertion loss is due to the deterioration of the performance of the frequency mixer using the field effect transistor 203 for grounding the source terminal for inputting the LO signal to the source terminal. It is a major factor.

따라서, 상기 드레인 바이어스부(202)에 접지를 연결한 구조를 사용함으로써, 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 DC 소모전력을 감소시키고, LO 삽입 손실을 개선함과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 개선한 주파수 혼합기(mixer) 설계에 유용하게 응용할 수 있다.Therefore, by using a structure in which the ground is connected to the drain bias unit 202, the DC power consumption of the microwave and millimeter wave bands can be reduced, the LO insertion loss can be improved, and the influence of the unnecessary signal of the low frequency band can be improved. It can be usefully applied in the design of frequency mixer.

전술한 본 발명에 따른 주파수 혼합기에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.Although a preferred embodiment of the above-described frequency mixer according to the present invention has been described, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. This also belongs to the present invention.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 주파수 혼합기에 따르면, 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 LO 정합부를 연결하여 LO 주파수를 입력하고, 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결된 드레인 바이어스부에 접지를 연결함으로써, 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 이점이 있다.According to the frequency mixer of the present invention as described above, by connecting the LO matching part to the drain terminal of the field effect transistor to input the LO frequency, and connecting the ground to the drain bias part connected to the drain terminal of the field effect transistor, It can be easily used in the millimeter wave band mixer, reduces the LO insertion loss of the mixer, reduces the DC power consumption, and blocks the effects of unwanted signals in the low frequency band.

Claims (5)

소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터;A field effect transistor having a source terminal grounded; 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부;An LO matching unit connected to the drain terminal of the field effect transistor to receive an LO signal and provide a signal having a predetermined LO frequency band to the field effect transistor; 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부;An RF matching unit connected to a gate terminal of the field effect transistor to receive an RF signal and provide a signal having a predetermined RF band to the field effect transistor; 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부;A gate bias unit connected to the gate terminal of the field effect transistor to supply a DC bias; 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부; 및A drain bias unit connected to the drain terminal of the field effect transistor to supply a DC bias; And 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함하여 이루어진 주파수 혼합기.And an IF matcher connected to the drain terminal of the field effect transistor and configured to receive an IF signal mixed with the LO signal and the RF signal and output a signal having a predetermined IF band to an output terminal. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 바이어스부는 적어도 하나의 리액턴스와 캐패시터로 이루어진 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기.The frequency mixer of claim 1, wherein the gate bias unit comprises at least one reactance and a capacitor. 제 1 항에 있어서, 상기 드레인 바이어스부는 적어도 하나의 저항 및 캐패시 터로 이루어지되, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자와 상기 IF 정합부의 사이에 연결되며 접지되는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기.The frequency mixer of claim 1, wherein the drain bias unit comprises at least one resistor and a capacitor, and is connected between the drain terminal of the field effect transistor and the IF matching unit and grounded. 제 3 항에 있어서, 상기 드레인 바이어스부의 접지는 상기 전계효과 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기.4. The frequency mixer of claim 3, wherein the ground of the drain bias portion is connected to the field effect transistor. 제 1 항에 있어서, 상기 IF 정합부는 상기 LO 정합부와 상기 출력단자의 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기.The frequency mixer of claim 1, wherein the IF matching unit is connected between the LO matching unit and the output terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR100974574B1 (en) 2008-01-16 2010-08-06 한국과학기술원 Resistive frequency mixer and signal processing method using by it

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246009A (en) * 1988-08-08 1990-02-15 Sharp Corp Fet mixer
JPH07273557A (en) * 1994-03-29 1995-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Frequency conversion circuit
JPH09214253A (en) * 1996-02-06 1997-08-15 Advantest Corp Harmonic mixer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246009A (en) * 1988-08-08 1990-02-15 Sharp Corp Fet mixer
JPH07273557A (en) * 1994-03-29 1995-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Frequency conversion circuit
JPH09214253A (en) * 1996-02-06 1997-08-15 Advantest Corp Harmonic mixer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11817826B2 (en) 2021-11-08 2023-11-14 Electronics And Telecommunications Research Institute Frequency mixer including non-linear circuit

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