KR100665461B1 - Thin film forming apparatus and thin film removing method - Google Patents

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야히로순이치
혼다요이치
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

기판의 표면에 레지스트액을 도포하면서 이 기판을 회전시킴으로써 레지스트액의 박막을 형성하는 레지스트액 도포부와, 기판의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거헤드와, 이 박막제거헤드를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동하는 이동기구와, 상기 박막제거헤드의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누어, 구간A에 있어서의 구간A 속도와 구간B에 있어서의 구간B 속도를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도 및 구간B 속도를 구하여 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비한다. 이로 인하여 보다 간단한 순서에 의한 설정으로 기판의 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있다.A resist liquid applying portion for forming a thin film of resist liquid by rotating the substrate while applying the resist liquid on the surface of the substrate; and a thin film removing head for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate by ejecting a solvent toward the edge of the substrate; A moving mechanism for driving the thin film removing head along the edge of the substrate, and the moving range of the thin film removing head divided into section A and section B, section A speed in section A and section B in section B A storage unit for storing the speed and a control unit configured to obtain the section A speed and the section B speed from the storage unit, and to operate the thin film removing unit driving unit at section A speed in section A and section B speed in section B. do. For this reason, it is possible to prevent the rest of the resist film from occurring at four corners of the substrate by setting in a simpler order.

Description

박막형성장치 및 박막제거장치{THIN FILM FORMING APPARATUS AND THIN FILM REMOVING METHOD} Thin film forming device and thin film removing device {THIN FILM FORMING APPARATUS AND THIN FILM REMOVING METHOD}             

도 1은 본 발명이 적용되는 LCD 제조장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing an LCD manufacturing apparatus to which the present invention is applied.

도 2는 마찬가지의 LCD의 제조공정을 나타내는 플로우차트이다.2 is a flowchart showing a similar manufacturing process of the LCD.

도 3은 본 발명의 1실시형태의 요부인 레지스트액도포·가장자리레지스트막제거시스템을 나타내는 개략구성도이다.Fig. 3 is a schematic block diagram showing a resist liquid application and edge resist film removal system which is a main part of one embodiment of the present invention.

도 4는 마찬가지의 가장자리 제거부 만을 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing only the same edge removing unit.

도 5는 마찬가지의 박막제거헤드를 나타내는 평면도 및 종단면도이다.5 is a plan view and a longitudinal sectional view showing the same thin film removing head.

도 6은 마찬가지의 박막제거헤드의 이동공정을 설명하기 위한 모식도이다.6 is a schematic view for explaining the movement process of the same thin film removal head.

도 7은 마찬가지의 박막제거헤드의 이동속도의 일예를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining an example of the moving speed of the same thin film removal head.

도 8은 마찬가지의 구간A, 구간B의 거리 및 속도를 설정하기 위한 화면을 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating a screen for setting the distance and the speed of the same section A and section B. FIG.

도 9는 다른 실시형태에 관한 박막제거헤드를 나타내는 종단면도이다.9 is a longitudinal sectional view showing a thin film removing head according to another embodiment.

도 10은 다른 실시형태에 관한 박막제거헤드의 이동공정을 설명하기 위한 모 식도이다.10 is a schematic view for explaining a moving step of a thin film removing head according to another embodiment.

도 11은 종래의 기술에 의한 결점을 설명하기 위한 설명도이다.It is explanatory drawing for demonstrating the fault by the prior art.

도 12는 본 발명의 다른 실시형태를 설명하기 위한 헤드의 정면도이다.It is a front view of the head for demonstrating another embodiment of this invention.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명하기 위한 그래프이다.It is a graph for demonstrating still another embodiment of this invention.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시형태에 관한 헤드의 정면도이다.14 is a front view of a head according to still another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

G : 글래스 기판 S : 처리공간G: Glass substrate S: Processing space

1 : 도포현상 처리시스템 1: Coating development treatment system

29 : 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(도포·가장자리제거유닛)29: resist coating and edge removing unit (coating and edge removing unit)

50 : 레지스트액 도포부 51 : 가장자리 제거부50: resist liquid coating part 51: edge removing part

52 : 회전컵 72∼74 : 제어부52: rotating cup 72-74: control unit

53 : 스핀척 54 : 레지스트 노즐53: spin chuck 54: resist nozzle

55 : 반송레일 56 : 반송아암55: return rail 56: return arm

58 : 얹어놓는대 60 : 박막제거헤드58: mounting stand 60: thin film removal head

62 : 이동기구 64a : 상부헤드구성재62: moving mechanism 64a: upper head component

64b : 하부헤드구성재 65 : 흡입구64b: lower head component 65: suction port

66,67 : 니들노즐 69 : 탱크66,67: needle nozzle 69: tank

70 : 레지스트막 72 : 레지스트 도포제어부70 resist film 72 resist coating control unit

73 : 반송아암 제어부 75 : 중앙제어장치73: carrier arm control unit 75: central control unit

76 : 도포부 레시피 기억부 77 : 제거부 레시피 기억부 76: coating unit recipe storage unit 77: removal unit recipe storage unit                 

78 : 입출력부 81 : 구간A 속도기억부78: input and output unit 81: section A speed memory unit

82 : 구간B 속도기억부 90a,90b : 센서82: section B speed memory unit 90a, 90b: sensor

91 : 막두께 검출부 91: film thickness detection unit

100 : 4개의 모서리(박막의 두꺼운 부분)
100: 4 corners (thick section of thin film)

본 발명은, 예를 들어, 4각형 LCD 기판에 레지스트막을 형성하고 아울러 기판의 가장자리에 부착된 불필요한 레지스트막을 제거하기 위한 박막형성장치 및 박막제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a thin film forming apparatus and a thin film removing apparatus for forming a resist film on a quadrangular LCD substrate and also removing an unnecessary resist film attached to the edge of the substrate.

일반적으로 액정표시장치의 제조공정에서는, 글래스 기판의 표면에 예를 들어ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 회로패턴을 형성하기 위해서 반도체 제조공정의 경우와 같은 포토리소그래피(photolithography) 기술이 이용된다. 이 경우 예를 들어, 레지스트액 도포처리에 의해서 글래스 기판의 표면에 레지스트액이 도포되고, 노광처리에 의해서 글래스 기판상의 레지스트막에 회로패턴이 노광되어, 현상처리에 의해서 레지스트막에 노광된 회로패턴이 현상된다. In general, in the manufacturing process of a liquid crystal display, photolithography techniques as in the case of a semiconductor manufacturing process are used to form, for example, a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) or a circuit pattern on a surface of a glass substrate. In this case, for example, the resist liquid is applied to the surface of the glass substrate by the resist liquid coating process, the circuit pattern is exposed to the resist film on the glass substrate by the exposure process, and the circuit pattern exposed to the resist film by the developing process. This is developed.

여기서 레지스트액 도포처리를 하는 때는, 소위 스핀코팅 방법이 널리 채용되고 있다. 이 방법은 처리용기 내에 설치된 스핀척 상에 기판을 지지하고 고속으로 회전시킴으로써, 기판상에 공급된 용제(溶劑)와 감광성수지(感光性樹脂)로 이루 어지는 레지스트액을 원심력에 의해서 확산시킴으로써 기판 전면에 걸쳐 균일한 두께의 레지스트막을 형성하는 것이다.When performing a resist liquid coating process here, the so-called spin coating method is employ | adopted widely. This method supports the substrate on a spin chuck installed in the processing vessel and rotates it at high speed, thereby diffusing the resist liquid composed of solvent and photosensitive resin supplied on the substrate by centrifugal force. A resist film of uniform thickness is formed over the film.

그런데, LCD의 제조에 있어서는 LCD 기판이 대형이고 또한 4각형 모양이므로 반도체 웨이퍼와 비교하여 대체로 균일한 레지스트막의 형성이 어렵다는 문제점이 있다. 특히 4개의 모서리는, 중심에서 거리가 멀리 떨어져 있기 때문에 이 부분의 원주속도(圓周速度)는 꽤 고속으로서 기판의 주위에 난기류가 발생한다고 하는 문제점이 생길 가능성이 있다. 또한 중심부에서 멀리 떨어져 있는 기판의 모서리에까지 레지스트액을 균일하게 확산시키기 위해서는 레지스트액 중에 포함되는 용제의 휘발을 될 수 있는 한 방지하고 확산속도를 일정하게 할 필요가 있다. 이것 때문에 LCD 기판 제조장치에 있어서는, 기판만을 회전시키는 것이 아니라 이 기판을 대략 밀폐수납(密閉收納)하는 컵 전체를 고속으로 회전시킴으로써 용제의 휘발 및 난기류의 발생을 방지하고 있다.In the manufacture of LCDs, however, LCD substrates have a large size and a quadrilateral shape, which makes it difficult to form a substantially uniform resist film as compared with semiconductor wafers. In particular, since the four corners are far from the center, the circumferential velocity of this portion is quite high, which may cause a problem that turbulence occurs around the substrate. In addition, in order to uniformly diffuse the resist liquid to the edge of the substrate far from the center, it is necessary to prevent the volatilization of the solvent contained in the resist liquid as much as possible and to make the diffusion rate constant. For this reason, in the LCD substrate manufacturing apparatus, the volatilization of a solvent and generation | occurrence | production of the turbulence are prevented by rotating not only the board | substrate but the whole cup which seals this board | substrate substantially at high speed.

또한 스핀코팅 방식으로 레지스트액 도포처리를 한 경우, 도포 직후에서의 막두께는 균일하여도, 시간이 경과하면 균일성을 잃을 가능성이 있다. 예를 들어, 스핀척의 회전이 정지하여 원심력이 일정하지 않게 된 뒤에 표면장력의 영향에 의해서 기판 가장자리로 레지스트액이 쏠리게 되어 두껍게 되는 일이 있다. 또한, 기판의 표면에 공급된 레지스트액이 기판의 아래면 가장자리까지 돌아 흘러가서 불필요한 막이 형성되는 일이 있다.In addition, in the case where the resist liquid coating process is performed by the spin coating method, even if the film thickness immediately after the coating is uniform, there is a possibility that the uniformity is lost when time passes. For example, after the rotation of the spin chuck is stopped and the centrifugal force is not constant, the resist liquid is concentrated on the edge of the substrate under the influence of the surface tension, resulting in thickening. Moreover, the resist liquid supplied to the surface of a board | substrate may flow back to the bottom edge of a board | substrate, and an unnecessary film may be formed.

이와 같이 기판의 가장자리에 불균일한 막이 형성되면, 회로패턴 등의 현상때에 가장자리의 레지스트가 완전히 제거되지 않고서 잔존함으로써 그 후의 처리에 악영향을 주거나 또는 반송중에 잔존 레지스트가 벗겨져 파티클이 발생할 우려가 있다.In this way, if a nonuniform film is formed on the edge of the substrate, the resist at the edge is not completely removed during development of a circuit pattern or the like, thereby adversely affecting subsequent processing or peeling of the remaining resist during transfer, which may cause particles.

이 때문에 종래에 상기 레지스트 도포장치에 의한 레지스트액 도포 직후에, 엣지리무버(edge remover)라고 불리는 장치를 사용하여 기판 가장자리의 불필요한 레지스트막을 제거하는 처리가 이루어지고 있다.
For this reason, the process which removes the unnecessary resist film at the edge of a board | substrate conventionally is performed immediately after application | coating of the resist liquid by the said resist coating apparatus using an apparatus called an edge remover.

그런데 회전수 및 기타의 조건에 따라서는 도 11에 나타낸 바와 같이 컵(CP) 내에 수용된 글래스 기판(G)의 서로 대향하는 쪽의 4개의 모서리[사선부(100)]의 레지스트막이 특히 다른 가장자리와 비교하여 두껍게 되는 경우가 있다. 이러한 현상이 발생하면, 상기 엣지리무버를 사용하여 기판 가장자리의 불필요한 레지스트막을 제거한다고 해도 상기 4개의 모서리(100)의 레지스트막이 완전히 제거되지 않고 남아 있다는 문제점이 있다.However, depending on the rotation speed and other conditions, as shown in Fig. 11, the resist films of the four corners (diagonal portions 100) on the opposite sides of the glass substrate G accommodated in the cup CP are particularly different from the other edges. It may become thick in comparison. When such a phenomenon occurs, even if the unnecessary resist film at the edge of the substrate is removed by using the edge remover, the resist film of the four corners 100 remains without being completely removed.

그래서 엣지리무버에 의한 제거속도를 느리게 함으로써 상기 두꺼운 부분을 더 오래 세정하는 방법이 생각된다. 그러나 종래의 장치에 있어서, 기판에 대한 레지스트액의 도포조건에 따라서 엣지리무버의 속도를 설정하기 위해서는 프로그램을 변경해야만 하고 오퍼레이터가 로트마다 상세하게 설정하는 것이 곤란하다. 또한 자유롭게 속도를 설정하면 택트가 흐트러져 버리고 말아 다른 처리장치의 처리속도에 영향을 미치게 하고, 나아가서는 스루풋이 저하된다.Thus, a method of cleaning the thick portion longer by slowing down the removal speed by the edge remover is considered. However, in the conventional apparatus, in order to set the speed of the edge remover in accordance with the application condition of the resist liquid to the substrate, it is necessary to change the program, and it is difficult for the operator to set the details for each lot. In addition, if the speed is freely set, the tact is not disturbed, thereby affecting the processing speed of the other processing apparatus, and further, the throughput decreases.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서 보다 간단한 순서에 의한 설정으로, 상기 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 택트타임(tact time)에도 영향을 미치게 하지 않는 박막형성장치 및 박막제거장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and the thin film formation can be prevented from forming the rest of the resist film at the four corners and not affecting the tact time. An object of the present invention is to provide an apparatus and a thin film removing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 주요한 제1의 관점에 의하면, 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누고, 구간A 에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치가 제공된다.In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a thin film forming portion for forming a thin film of the coating liquid by rotating the substrate while applying the coating liquid to the surface of the substrate and a solvent is blown toward the edge of the substrate surface. The thin film removing unit for removing the unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface, the thin film removing unit driving unit for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate, and the moving range of the thin film removing unit into sections A and B, And a storage section for storing section A speed information in section A and section B speed information in section B, and obtaining the section A speed information and section B speed information from the storage section. It characterized in that it comprises a control unit for operating the thin film removal unit driving unit at the section A speed in the section B, the section B speed in the It is provided with a thin-film forming apparatus.

여기서 상기 구간A는 상기 기판을 회전시킬 때의 회전방향에서 각각 대향하는 4개의 모서리에 가까운 가장자리의 범위로 설정되고, 상기 구간B는 그 밖의 가장자리의 범위로 설정되어, 구간A 속도는 구간B 속도보다도 느리게 설정되어 있는 것이 바람직하다.Here, the section A is set to a range of edges close to four corners facing each other in the rotation direction when the substrate is rotated, and the section B is set to a range of other edges, and the section A speed is a section B speed. It is preferable that the setting is slower than.

1의 실시형태에 의하면, 즉 상기 구간A 속도 중에서 상기 기판 밖에서의 속도는 기판 내에서의 속도보다도 고속으로 설정되어 있다.According to one embodiment, that is, the speed outside the substrate is set to be higher than the speed within the substrate in the section A speed.

1의 실시형태에 의하면, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 가장 자리의 약액의 두꺼운 부분의 범위 및 두께에 의거하여 결정된다.According to the embodiment 1, the section A speed and the section B speed are determined based on the range and thickness of the thick portion of the chemical liquid at the edge of the substrate.

1의 실시형태에 의하면, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 회전수에 의거하여 결정된다.According to one embodiment, the section A speed and the section B speed are determined based on the rotation speed of the substrate.

또한 본 발명의 주요한 제2의 관점에 의하면, 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판 표면을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막형성부에서 도포한 기판의 회전수에 의거하여 상기 구동부에 의한 상기 박막제거부의 속도를 제어하는 속도제어부를 구비하는 박막형성장치가 제공된다.Moreover, according to the 2nd main viewpoint of this invention, the thin film formation part which forms the thin film of coating liquid by rotating this substrate surface, apply | coating a coating liquid to the substrate surface, and spraying a solvent toward the edge of a substrate surface, A thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering an edge, a thin film removing unit driving unit for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate, and the thin film by the driving unit based on the rotation speed of the substrate coated by the thin film forming unit. There is provided a thin film forming apparatus having a speed control unit for controlling the speed of the removal unit.

또한 본 발명의 주요한 제3의 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 기판의 한 변을 따라 이동하는 상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누어, 구간A에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to a third aspect of the present invention, there is also provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by blowing a solvent toward the edge of the substrate surface, and driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. The thin film removing unit driving unit and the moving range of the thin film removing unit moving along one side of the substrate are divided into section A and section B, and the information of section A speed in section A and section B speed in section B A memory storing information of the section A, the section A speed information and the section B speed information are obtained from the storage section, and the thin film removing unit driving section is operated at section A speed in section A and section B speed in section B. It is provided with a thin film removal apparatus comprising a control unit for operating.

또한 본 발명의 제4의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하 여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서의 측정치에 의거하여 상기 박막제거부의 속도를 제어하는 제어부를 구비하는 박막제거장치가 제공된다. According to a fourth main aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A thin film removing unit having a thin film removing unit driving unit, a sensor installed at the thin film removing unit and measuring a film thickness of a substrate edge, and a control unit controlling the speed of the thin film removing unit based on the measured value of the sensor. Is provided.

본 발명의 제5의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to a fifth main aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and the thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. And a variable means for varying a substantial amount of the solvent ejected from the thin film removing portion toward the edge of the substrate surface in accordance with the region of the edge of the substrate surface.

여기서, 상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 노즐을 복수개 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역을 따라서 상기 용제를 분출시키는 노즐의 갯수를 가변시키도록 구성하여도 좋고, 상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 토출용 펌프를 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 펌프의 토출압(吐出壓)을 가변시키도록 구성하여도 상관없다.Here, the thin film removing unit is provided with a plurality of nozzles for ejecting the solvent toward the edge of the substrate surface, the variable means is configured to vary the number of nozzles for ejecting the solvent along the region of the edge of the substrate surface The thin film removing unit may include a discharge pump for jetting the solvent toward the edge of the substrate surface, and the variable means may vary the discharge pressure of the pump in accordance with an area of the edge of the substrate surface. It may be configured to

본 발명의 제6의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to a sixth main aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and the thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. The thin film removing unit is ejected toward the edge of the substrate surface based on the film thickness of the substrate edge measured by the sensor, the sensor installed in the thin film removing unit, the sensor for measuring the film thickness of the substrate edge There is provided a thin film removing apparatus comprising a variable means for varying a substantial amount of a solvent.

본 발명의 제7의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 왕복구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 박막제거부의 진행방향에서 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 박막제거부의 진행방향에서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키고 아울러 박막제거부의 복귀방향에서는 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따른 소정의 위치에 상기 박막제거부에서 용제를 분출시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to the seventh main aspect of the present invention, a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and the thin film removing unit reciprocating along the edge of the substrate A thin film removing unit driver, a sensor installed in the thin film removing unit for measuring the film thickness of the edge of the substrate in the advancing direction of the thin film removing unit, and from the thin film removing unit toward the edge of the substrate surface And a means for ejecting the solvent and ejecting the solvent from the thin film removing unit at a predetermined position according to the film thickness of the substrate edge measured by the sensor in the return direction of the thin film removing unit. Is provided.

본 발명의 제8의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다. According to the eighth principal aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and a thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A removal part driving part, a gas ejection part installed in the thin film removal part for ejecting drying gas toward the substrate edge, and an amount of gas ejected from the gas ejection part according to the area of the edge of the substrate surface; Provided is a thin film removal apparatus comprising a variable means to make.                         

본 발명의 제9의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to a ninth principal aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering an edge of the substrate surface by spraying a solvent toward the edge of the substrate surface, and a thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A removal unit driving unit, a gas ejection unit installed in the thin film removing unit for ejecting drying gas toward the edge of the substrate, a sensor provided in the thin film removing unit for measuring the film thickness of the substrate edge, and the sensor And a varying means for varying the amount of gas ejected from the gas ejection portion based on the film thickness of the substrate edge measured by the present invention.

본 발명의 제10의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to the tenth main aspect of the present invention, a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by spraying a solvent toward the edge of the substrate surface, and a thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate A removal part driving part, a gas ejection part provided in the thin film removal part for ejecting drying gas toward the substrate edge, and a temperature of the gas ejected from the gas ejection part according to the region of the edge of the substrate surface Provided is a thin film removal apparatus comprising a variable means to make.

본 발명의 제11의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두 께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to the eleventh main aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by blowing a solvent toward the edge of the substrate surface, and a thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A removal unit driving unit, a gas ejection unit installed in the thin film removing unit for ejecting drying gas toward the edge of the substrate, a sensor provided in the thin film removing unit for measuring the film thickness of the substrate edge, and the sensor And a varying means for varying the temperature of the gas ejected from the gas ejection part in accordance with the film thickness of the substrate edge measured by the present invention.

본 발명의 제12의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리로 분출되는 용제를 흡입하는 흡입부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.According to a twelfth main aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by spraying a solvent toward the edge of the substrate surface, and the thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A removal part driving part, a suction part installed in the thin film removal part to suck the solvent ejected from the thin film removal part to the edge of the substrate, and variable means for varying the suction amount of the suction part according to an area of the edge of the substrate surface; There is provided a thin film removing apparatus characterized in that.

본 발명의 제13의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리에 분출되는 용제를 흡입하는 흡입부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.

According to a thirteenth principal aspect of the present invention, there is provided a thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering an edge of a substrate surface by ejecting a solvent toward the edge of the substrate surface, and a thin film for driving the thin film removing unit along the edge of the substrate. A removal unit driving unit, a suction unit installed in the thin film removing unit and sucking the solvent ejected to the substrate edge from the thin film removing unit, a sensor provided in the thin film removing unit to measure the film thickness of the substrate edge; There is provided a thin film removing apparatus comprising variable means for varying the suction amount of the suction part in accordance with the film thickness of the edge of the substrate measured by the sensor.

이하, 본 발명의 실시형태를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선 본 발명에 관한 열처리장치의 1실시형태를, 도 1에 나타낸 LCD 기판의 도포현상 처리시스템(1)에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.First, the case where one embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention is applied to the coating and developing processing system 1 of the LCD substrate shown in FIG. 1 will be described as an example.

이 도포현상 처리시스템(1)은, LCD 기판에 레지스트액을 도포한 뒤, 도 2에 나타낸 노광시스템(EXP)으로 일단 넘겨주어 이 노광시스템(2)에 의해서 노광처리된 후의 기판을 다시 받아 현상처리를 하는 것이다.The coating and developing processing system 1 applies the resist liquid to the LCD substrate, passes it to the exposure system EXP shown in Fig. 2, and receives the substrate after the exposure treatment by the exposure system 2, and develops it. To do it.

이러한 일련의 처리를 하기 위해서 이 도포현상 처리시스템(1)은 LCD 기판의 로딩 및 언로딩을 하기 위한 로더/언로더부(L/UL)(3)와, 기판세정처리를 하기 위한 제1의 프로세스부(4)와, 레지스트액의 도포(코팅) 및 가장자리 레지스트 제거처리를 하기 위한 제2의 프로세스부(5)와, 현상처리를 하기 위한 제3의 프로세스부(6)와, 노광시스템(2)과의 사이에서 기판의 주고 받기를 하기 위한 인터페이스부(I/ F)(7)를 구비하고 있다.In order to perform such a series of processes, the coating and developing processing system 1 includes a loader / unloader (L / UL) 3 for loading and unloading an LCD substrate, and a first cleaning for substrate cleaning. A process unit 4, a second process unit 5 for applying (coating) and removing resist resist, a third process unit 6 for developing, and an exposure system ( Interface portion (I / F) 7 for exchanging a board | substrate between 2) is provided.

로더/언로더부(3)는, 카세트 얹어놓는대(10) 및 반송부(C/S)(11)를 갖추고 있다. 카세트 얹어놓는대(10) 상에는 두 종류의 카세트(C1,C2)가 얹어놓여져 있다. 예를 들어, 제1의 카세트(C1)에는 처리전의 LCD 기판이 수납되고, 제2의 카세트 (C2)에는 처리후의 LCD 기판이 수납된다.The loader / unloader section 3 includes a cassette mounting table 10 and a conveying section (C / S) 11. Two kinds of cassettes C1 and C2 are placed on the cassette mounting table 10. For example, the LCD substrate before the process is accommodated in the first cassette C1, and the LCD substrate after the process is stored in the second cassette C2.

또한 반송부(11)에는 제1의 서브아암기구(13)가 설치되어 있다. 이 제1의 서브아암기구(13)는 기판을 지지할 수 있는, 예를 들어 아암(14)을 구비하여 이 아암을 선회시키거나 진퇴시키거나 상하로 이동시킴으로써 제1의 카세트(C1)에 수납된 기판을 꺼내어 제1의 프로세스부(4) 측에 넘길 수 있게 되어 있다. 또 모든 처리가 종료한 기판은 이 제1의 서브아암기구(13)에 의해서 예를 들어 제1의 프로세스부 (4) 측에서 제2의 카세트(C2)로 수납된다.In addition, the conveyance unit 11 is provided with a first subarm mechanism 13. The first subarm mechanism 13 is provided with an arm 14 capable of supporting a substrate, for example, to be stored in the first cassette C1 by pivoting, retracting or moving the arm up and down. The board | substrate which was used is taken out and can be turned over to the 1st process part 4 side. Moreover, the board | substrate which completed all the processes is accommodated in the 2nd cassette C2 by the 1st sub-arm mechanism 13 by the 1st process part 4 side, for example.

상기 제1의 프로세스부(4)는, 상기 제1의 서브아암기구(13)로부터 기판을 받는 제1의 메인아암기구(15)를 구비한다. 이 메인아암기구(15)는, Y방향을 따라 길게 설치된 제1의 중앙반송로(16) 상을 주행하는 베이스(17)와, 이 베이스(17) 상에서 선회, 진퇴, 상하구동되는 예를 들어 아암(18)을 구비한다.The first process unit 4 includes a first main arm mechanism 15 that receives a substrate from the first subarm mechanism 13. The main arm mechanism 15 includes, for example, a base 17 that travels on the first central transport path 16 that is provided along the Y direction, and is pivoted, advanced, and driven up and down on the base 17. An arm 18 is provided.

이 제1의 메인아암기구(15)의 옆쪽에는 중앙반송로(16)를 따라, 예를 들어 브러시 스크러버로 이루어지는 2개의 세정유닛(SCR)(19), 예를 들어 핫플레이트 (hot plate)를 갖는 가열/가열유닛(HP/HP)(20), 자외선 세정장치로 이루어지는 건식세정유닛(UV)(21), 및 예를 들어 쿨링 플레이트를 갖는 냉각유닛(COL)(22)이 각각 설치되어 있다.On the side of the first main arm mechanism 15 are two cleaning units (SCRs) 19, for example hot plates made of, for example, brush scrubbers along the central conveying path 16. A heating / heating unit (HP / HP) 20 having, a dry cleaning unit (UV) 21 composed of an ultraviolet ray cleaning device, and a cooling unit (COL) 22 having a cooling plate, for example. .

여기서, 「가열/가열유닛(HP/HP)」의 표기는 핫플레이트를 구비하는 가열유닛이 예를 들어 상하 2단으로 쌓아 올려져 설치되어 있는 것을 나타내고 있다(이하 같다). 또한 도면중에서 가열유닛을 나타내는 HP 및 냉각유닛을 나타내는 COL의 뒤에 부기된 숫자「HP1」나「COL1」 등에서의 1은 가열처리 또는 냉각처리의 종류 또는 순서를 나타내고 있다.Here, the description of "heating / heating unit (HP / HP)" shows that the heating unit provided with a hotplate is installed, for example piled up and down in two stages (it is the same below). In addition, in the figure, 1 in the numeral "HP1", "COL1", etc. added after HP indicating a heating unit and COL indicating a cooling unit represents the kind or order of heat processing or cooling processing.

상기 제1의 메인아암기구(15)는, 상기 로더/언로더부(3)로부터 받은 기판을 각 처리유닛(19∼22)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(19∼22) 또는 제2의 프로세스부(5)로 반송하도록 되어 있다.The first main arm mechanism 15 inserts the substrate received from the loader / unloader section 3 into each of the processing units 19 to 22 to perform the necessary processing, and then picks up the substrate and sequentially It is conveyed to the other processing units 19-22 or the 2nd process part 5. As shown in FIG.

한편, 제2의 프로세스부(5)는 Y방향을 따라 길게 설치된 제2의 중앙반송로 (23) 상을 주행하는 제2의 메인아암기구(24)를 구비한다. 이 제2의 메인아암기구 (24)는 상기 제1의 메인아암기구(15)에서와 같이 구성된 베이스(25) 및 아암(26)을 구비한다.On the other hand, the 2nd process part 5 is equipped with the 2nd main arm mechanism 24 which runs on the 2nd center conveyance path 23 provided along the Y direction. This second main arm mechanism 24 has a base 25 and an arm 26 configured as in the first main arm mechanism 15.

또한, 이 제2의 메인아암기구(24)의 옆쪽에는 기판에 대하여 레지스트의 도포를 하고 아울러 가장자리의 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(CT/ER)(28)과, 기판 표면의 소수화(疏水化) 처리를 하기 위한 접착강화/냉각유닛(AD/COL)(29)과, 가열/가열유닛(HP/HP)(30), 가열/냉각유닛(HP/ COL)(31)이 배치되어 있다.On the side of the second main arm mechanism 24, a resist coating / edge resist removal unit (CT / ER) 28 for applying resist to the substrate and removing unnecessary resist at the edge, and the substrate surface. Adhesive strengthening / cooling unit (AD / COL) 29, heating / heating unit (HP / HP) 30, heating / cooling unit (HP / COL) (31) for hydrophobization treatment This is arranged.

상기 제2의 메인아암기구(24)는, 상기 제1의 프로세스부(4)로부터 받은 기판을 각 처리유닛(28∼31)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(28∼31) 또는 제3의 프로세스부(6) 측으로 반송하도록 되어 있다.The second main arm mechanism 24 inserts the substrate received from the first process unit 4 into each of the processing units 28 to 31 to perform the necessary processing, and then picks up the substrate and sequentially It is conveyed to another processing unit 28-31 or the 3rd process part 6 side.

제3의 프로세스부(6)는 Y방향을 따라 길게 설치된 제3의 중앙반송로(33) 상을 주행하는 제3의 메인아암기구(34)를 구비한다. 이 제3의 메인아암기구(34)는, 상기 제1, 제2의 메인아암기구(15,24)에서와 같이 구성된 베이스(35) 및 아암(36)을 구비한다.The third process unit 6 includes a third main arm mechanism 34 that travels on the third central conveyance path 33 that is provided along the Y direction. The third main arm mechanism 34 includes a base 35 and an arm 36 configured as in the first and second main arm mechanisms 15 and 24.

이 제3의 메인아암기구(34)의 옆쪽에는, 노광처리후의 LCD 기판을 현상처리하기 위한 3개의 현상처리유닛(DEV)(38)과, 타이틀링을 하는 타이틀러(TITLER)(39) 와, 가열/가열유닛(HP/HP)(40)과, 가열/냉각유닛(HP/COL)(41)이 설치되어 있다.On the side of the third main arm mechanism 34, there are three development unit (DEV) 38 for developing the LCD substrate after the exposure treatment, a titler (TITLER) 39 for titled, and The heating / heating unit (HP / HP) 40 and the heating / cooling unit (HP / COL) 41 are provided.

상기 제3의 메인아암기구(34)는 상기 제2의 프로세스부(5)로부터 받은 레지스트액 도포가 끝난 기판을 노광시스템(2) 측[인터페이스부(7)]으로 이송하고 아울러 상기 노광이 끝난 기판을 노광시스템(2) 측으로부터 받는다. 그리고, 이 노광이 끝난 기판을 각 처리유닛(38∼41)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(38∼41) 또는 제2의 프로세스부(5) 측으로 반송하게 되어 있다.The third main arm mechanism 34 transfers the substrate on which the resist solution is applied from the second process part 5 to the exposure system 2 side (interface part 7), and the exposure ends. The substrate is received from the exposure system 2 side. Then, the exposed substrates are inserted into each of the processing units 38 to 41 to perform the necessary processing. Then, the substrates are picked up, and the separate processing units 38 to 41 or the second processing unit 5 are sequentially disposed. To the side.

또 본 도면에 나타낸 바와 같이 제1, 제2, 제3의 프로세스부(4,5,6) 사이에는 냉각유닛(COL)(42,43)이 설치되어 있다. 이들의 냉각유닛(42,43)은 처리중인 기판을 일시적으로 대기시켜 놓기 위해서 사용된다.Moreover, as shown in this figure, the cooling unit (COL) 42,43 is provided between the 1st, 2nd, 3rd process parts 4, 5, and 6. As shown in FIG. These cooling units 42 and 43 are used to temporarily hold the substrate being processed.

또한 상기 인터페이스부(7)는 버퍼 카세트(BC) 및 제2의 서브아암기구(46)를 구비하는 반송·대기부(47) 및 상기 제2의 서브아암기구(46)와 노광시스템(2)과의 사이에서의 기판을 주고 받기 위한 받침대(도시하지 않음)를 구비하는 받침부(49)로 이루어진다.The interface unit 7 further includes a conveyance / waiting unit 47 including a buffer cassette BC and a second subarm mechanism 46, the second subarm mechanism 46, and an exposure system 2. It consists of the support part 49 provided with the base (not shown) for sending and receiving a board | substrate between.

이 인터페이스부(7)는, 상기 제2의 프로세스부(5)로부터 상기 제3의 메인아암기구(34)를 거쳐 받은 레지스트 도포가 끝난 기판을 노광시스템(2) 측으로 이송하고 아울러 노광이 끝난 기판을 노광시스템(2)으로부터 받아 제3의 프로세스부(6)에 넘기는 기능을 구비한다.The interface unit 7 transfers the resist-coated substrate received from the second process unit 5 via the third main arm mechanism 34 to the exposure system 2 side, and at the same time, the exposed substrate. Is received from the exposure system 2 and passed to the third process unit 6.

다음에, 상기한 바와 같이 구성되는 도포현상 처리시스템에 있어서의 처리순서를 도 2의 플로우차트를 참조하여 설명한다. 플로우차트 내의 영문자, 기호는 도 1에서와 같은 부호가 부여된 유닛으로 이루어지는 것을 뜻하고 있다.Next, the processing procedure in the coating and developing processing system configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG. The alphabetic characters and symbols in the flowchart mean that the units are designated by the same reference numerals as in FIG.

우선, 상기 얹어놓는대(10) 상의 제1의 카세트(C1) 내에 수납된 미처리 기판은 상기 로더/언로더부(3)로부터 상기 반송부(C/S)(11)를 거쳐 제1의 프로세스부 (4)의 제1의 메인아암기구(15)로 넘겨진다(스텝 S1,S2). 다음에 이 기판은 건식세정장치(UV)(21)에 의해서 자외선 세정되어(스텝 S3), 그 후 상기 냉각유닛(22)에 의해서 제1의 냉각(COL1)이 이루어진다(스텝 S4).First, an unprocessed substrate accommodated in the first cassette C1 on the mounting table 10 is transferred from the loader / unloader section 3 via the conveying section C / S 11 to a first process. It is passed to the 1st main arm mechanism 15 of the part 4 (step S1, S2). Subsequently, the substrate is ultraviolet-cleaned by a dry cleaning apparatus (UV) 21 (step S3), and the first cooling unit COL1 is then performed by the cooling unit 22 (step S4).

이어서 상기 습식세정장치(19)에 의해서 브러시 세정(SCR)이 이루어지고, 상기 가열유닛(20)에 의한 제1의 가열처리(HP1)에 의해서 가열건조된 후(스텝 S6), 상기 냉각유닛(42)에 의한 제2의 냉각처리에 의해서 냉각된다(스텝 S7). 다음에 이 기판은 제1의 메인아암기구(15)로부터 제2의 프로세스부(5)의 제2의 메인아암기구 (24)로 넘겨진다.Subsequently, the brush cleaning (SCR) is performed by the wet cleaning device 19, and is heat-dried by the first heat treatment HP1 by the heating unit 20 (step S6), and then the cooling unit ( It cools by the 2nd cooling process by 42) (step S7). The substrate is then passed from the first main arm mechanism 15 to the second main arm mechanism 24 of the second process portion 5.

제2의 프로세스부에 넘겨진 기판은, 접착강화처리유닛(29)에 의해서 표면의 소수화 처리(AD)가 이루어진 뒤(스텝 S8), 제3의 냉각처리(COL3)가 실시된다(스텝 S9). 다음에 소수화 처리후의 기판은, 레지스트액도포·가장자리레지스트제거유닛 (28)에 유입되어 레지스트도포(CT) 및 기판 가장자리의 불필요한 레지스트액의 제거(ER)가 이루어진다(스텝 S10).The substrate handed over to the second process portion is subjected to the hydrophobization treatment AD on the surface by the adhesion strengthening processing unit 29 (step S8), and then the third cooling treatment COL3 is performed (step S9). Subsequently, the substrate after the hydrophobization treatment flows into the resist liquid application / edge resist removal unit 28 to remove resist application CT and removal of unnecessary resist liquid (ER) at the edge of the substrate (step S10).

이와 같이 처리된 기판은, 상기 가열유닛(30,31)에 삽입되어, 베이킹처리 (HP2)가 실시된다(스텝 S11). 이렇게 하여 기판에 도포된 레지스트액에 포함되는 용제를 휘발시킨다. 다음에 이 기판을 냉각유닛에 삽입하여, 대략 실온까지 냉각 (COL4)한다(스텝 S12). 다음에 이 기판은 상기 제2의 메인아암기구(24)로부터 제3 의 메인아암기구(34)를 거쳐 인터페이스부(7)로 반송되어, 노광시스템(2)으로 넘겨진다(스텝 S13). 그리고, 이 노광시스템(2)에 있어서 노광처리(EXP)가 실시된다(스텝 S14).The substrate thus treated is inserted into the heating units 30 and 31, and baking process HP2 is performed (step S11). In this way, the solvent contained in the resist liquid apply | coated to the board | substrate is volatilized. Next, the substrate is inserted into a cooling unit and cooled (COL4) to approximately room temperature (step S12). Next, the substrate is conveyed from the second main arm mechanism 24 to the interface unit 7 via the third main arm mechanism 34 and passed to the exposure system 2 (step S13). In this exposure system 2, an exposure process EXP is performed (step S14).

노광처리가 이루어진 기판은, 상기 인터페이스부(7), 제3의 메인아암기구 (34)를 거처 타이틀러(39)에 삽입되어 타이틀링 처리가 이루어진다(스텝 S15).The substrate subjected to the exposure process is inserted into the titler 39 via the interface unit 7 and the third main arm mechanism 34 to perform the title process (step S15).

그 후, 기판은 현상처리유닛(38)에 유입되어 현상처리(DEV)가 이루어진다(스텝 S16). 이 현상처리유닛(38)은 예를 들어 기판상에 현상액을 공급하면서 기판을 회전시킴으로써 현상을 하고 린스액으로 현상액을 씻어 버린 후, 기판을 휘둘러 액체를 뿌림으로써 건조를 한다.Thereafter, the substrate flows into the developing unit 38 to perform the developing process DEV (step S16). The developing unit 38 develops, for example, rotates the substrate while supplying the developing solution onto the substrate, washes the developing solution with the rinse solution, and then dries the substrate to sprinkle the liquid.

마지막으로 이 기판은 이 기판에 대향하는 가열/가열유닛(40) 또는 가열/냉각유닛(41)에 삽입되어 제3의 가열처리(HP3)에 의해서 가열건조된 후(스텝 S17), 제5의 냉각처리(COL5)에 의해 냉각된다(스텝 S18).Finally, the substrate is inserted into the heating / heating unit 40 or the heating / cooling unit 41 opposite to the substrate and heat-dried by the third heat treatment HP3 (step S17). It cools by cooling process COL5 (step S18).

이상의 처리가 모두 종료한 기판은, 상기 제3의 메인아암기구(34)로부터 상기 제2, 제1의 메인아암기구(24,15)를 거쳐 상기 반송부(C/S)(11)에 설치된 제1의 서브아암기구(13)에 넘겨진다(스텝 S19). 그리고, 이 제1의 서브아암기구(13)에 의해서 상기 로더/언로더부(3)에 얹어놓여진 제2의 카세트(C2) 내로 수용된다(스텝 S20).The board | substrate which completed all the above processes is provided in the said conveyance part (C / S) 11 from the said 3rd main arm mechanism 34 via the said 2nd, 1st main arm mechanism 24,15. It is handed over to the 1st subarm mechanism 13 (step S19). Then, the first subarm mechanism 13 is accommodated in the second cassette C2 mounted on the loader / unloader section 3 (step S20).

다음에, 본 발명의 요부인 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(28)[도포·가장자리제거유닛(28)이라고도 함]에 관해서 도 3 이하를 참조하면서 설명한다. Next, the resist coating / edge resist removing unit 28 (also referred to as the coating / edge removing unit 28), which is the main part of the present invention, will be described with reference to FIG.                     

이 도포·가장자리제거유닛(28)은, 케이싱(28a) 내에 레지스트액 도포부(50)와 가장자리 제거부(51)가 인접하여 배치되어 있다.In the coating and edge removing unit 28, the resist liquid application portion 50 and the edge removal portion 51 are disposed adjacent to each other in the casing 28a.

레지스트액 도포부(50)는 처리용기인 회전컵(52) 내에서 기판(G)을 예를 들어 스핀척(53)으로 흡착, 지지한다. 그리고 이 레지스트액 도포부(50)는 상기 기판 (G)의 중심 윗쪽으로 예를 들어 레지스트노즐(54)을 이동시켜 레지스트액을 공급한 뒤에 스핀척(53)을 고속으로 회전시킴으로써 원심력에 의해서 기판(G) 상의 레지스트액을 확산시킨다. 이렇게 함으로써 기판(G)의 전면에 얇고 또한 균일한 두께로 레지스트액을 도포한다.The resist liquid applying unit 50 adsorbs and supports the substrate G by, for example, the spin chuck 53 in the rotating cup 52, which is a processing container. Then, the resist liquid applying unit 50 moves the resist nozzle 54 above the center of the substrate G to supply the resist liquid, and then rotates the spin chuck 53 at a high speed so that the substrate is subjected to centrifugal force. The resist liquid on (G) is diffused. In this way, the resist liquid is applied to the entire surface of the substrate G in a thin and uniform thickness.

또 기판(G)의 회전은 상기 스핀척(53)을 컵(52)(안쪽 컵) 통째로 고속회전시킴으로써 이루어진다. 즉, 이와 같이 기판(G)을 회전시키면서 레지스트액을 도포하는 방법은 반도체 웨이퍼상에 회로패턴을 형성하는 경우에도 채용되고 있지만, LCD의 제조에 있어서는 LCD 기판(G)이 대형이고 또한 4각형이므로 웨이퍼와 비교하여 균일한 레지스트막의 형성이 어렵다는 문제점이 있다. 특히 4개의 모서리는 중심에서 머리 떨어져 있기 때문에, 이 부분의 원주속도는 꽤 고속이므로 기판(G)의 주위에 난기류가 발생한다고 하는 문제점이 생길 가능성이 있다. 또한 기판(G)의 모서리에까지 레지스트액을 균일하게 확산시키기 위해서는 레지스트액 중에 포함되는 용제의 휘발을 될 수 있는 한 방지하고 확산속도를 일정하게 할 필요가 있다. 이를 위하여 LCD 기판제조장치에 있어서는 기판(G) 만을 회전시키는 것은 아니라, 이 기판(G)을 컵(52) 내에 밀폐수납하여 이 컵(52)을 고속으로 회전시킴으로써 용제의 휘발 및 난기류의 발생을 방지하도록 하고 있는 것이다. The substrate G is rotated by rotating the spin chuck 53 at high speed through the cup 52 (inner cup). In other words, the method of applying the resist liquid while rotating the substrate G is employed in the case of forming a circuit pattern on the semiconductor wafer. However, in manufacturing LCDs, since the LCD substrate G is large and quadrangular, Compared with the wafer, there is a problem that formation of a uniform resist film is difficult. In particular, since the four corners are separated from the center of the head, the circumferential speed of this portion is quite high, so there is a possibility that turbulence occurs around the substrate G. In addition, in order to uniformly diffuse the resist liquid to the edge of the substrate G, it is necessary to prevent the solvent contained in the resist liquid as much as possible from volatilization and to make the diffusion rate constant. For this purpose, in the LCD substrate manufacturing apparatus, not only the substrate G is rotated but also the substrate G is enclosed in the cup 52 and the cup 52 is rotated at high speed to generate volatilization of solvent and turbulence. It is to prevent.                     

이상과 같이 레지스트액이 도포된 기판(G)은 반송레일(55)을 따라 이동하는 한 쌍의 반송아암(56)에 의해서 가장자리 제거부(51)까지 반송된다.As mentioned above, the board | substrate G to which the resist liquid was apply | coated is conveyed to the edge removal part 51 by the pair of conveyance arms 56 which move along the conveyance rail 55. As shown in FIG.

이 가장자리 제거부(51)는 반송된 기판(G)을 얹어놓기 위한 예를 들어 얹어놓는대(58)를 구비한다. 이 얹어놓는대(58)의 주위에는 예를 들어 이 얹어놓는대 (58) 상에 놓여진 기판(G)의 4개의 모서리 근방을 각각 홈포지션(home position)으로 하도록 배치된 4개의 박막제거헤드(60)가 설치되어 있다. 각 박막제거헤드(60)는 기본적으로 동일한 구성을 구비하고 있다. 도 4는 이 가장자리 제거부(51) 만을 확대하여 나타낸 사시도이다. 각 박막제거헤드(60)는 이 헤드(60)를 기판(G)의 가장자리를 따라 구동시키는 이동기구(62)에 부착되어 있다.This edge removal part 51 is equipped with the mounting base 58, for example for mounting the conveyed board | substrate G. Four thin film removal heads are arranged around the corners of the mounting table 58 such that, for example, four corners of the substrate G placed on the mounting table 58 are in the home position. 60) is installed. Each thin film removal head 60 has the same structure fundamentally. 4 is an enlarged perspective view showing only this edge removing unit 51. Each thin film removal head 60 is attached to a moving mechanism 62 for driving the head 60 along the edge of the substrate G.

이 이동기구(62)는 예를 들어 리니어 가이드, 스텝핑 모터(stepping motor) 및 구동벨트로 구성되는 것으로서 상기 스텝핑 모터의 회전수를 임의로 제어함으로써 상기 헤드(60)의 이동속도를 제어할 수 있게 되어 있다.The moving mechanism 62 is composed of, for example, a linear guide, a stepping motor, and a driving belt, so that the moving speed of the head 60 can be controlled by arbitrarily controlling the rotation speed of the stepping motor. have.

여기서 박막제거 헤드(60)는 도 5(a),(b)에 나타낸 구성을 구비하고 있다. 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 박막제거 헤드(60)는 상부헤드구성재(64a)와 하부헤드구성재(64b)를 구비하여 이들을 상하방향으로 대향시키고 있다. 또한 이 박막제거 헤드(60)는 이 박막제거 헤드(60)의 기초단부 측으로 통하는 흡입구(65)를 구비하고 있다.Here, the thin film removal head 60 has the structure shown to FIG. 5 (a), (b). As shown in FIG. 5B, the thin film removing head 60 includes an upper head member 64a and a lower head member 64b and faces them in the vertical direction. Moreover, this thin film removal head 60 is equipped with the suction port 65 which leads to the base end side of this thin film removal head 60. As shown in FIG.

그리고 상부헤드구성재(64a)와 하부헤드구성재(64b)에는 상부헤드구성재 (64a)와 하부헤드구성재(64b)와의 사이의 처리공간(S) 내에 기판(G)의 가장자리를 위치시켰을 때에 불필요한 막을 제거하는 부분를 향하여 용제를 토출하기 위한 니들노즐(66,67)이 고정되어 있다. 이들 각 니들노즐(66,67)에는 별도로 설치한 예를 들어 탱크(69) 등의 세정액공급원에서 질소가스 등에 의한 송출에 의해서 용제가 소정압으로 공급되게 되어 있다.In the upper head member 64a and the lower head member 64b, an unnecessary film is removed when the edge of the substrate G is placed in the processing space S between the upper head member 64a and the lower head member 64b. Needle nozzles 66 and 67 for discharging the solvent toward the portion to be fixed are fixed. Each of the needle nozzles 66, 67 is supplied with a solvent at a predetermined pressure by sending, for example, nitrogen gas or the like from a cleaning liquid supply source such as a tank 69 separately.

이 니들노즐(66,67)은 가는 선재(線材) 속에 토출구와 동일한 직경의 유통부 (도시하지 않음)가 형성되어 있는 중공(中空) 구조를 구비한다. 일반적으로 사용되고 있는 예를 들어 니들노즐(66,67)의 토출구의 지름은 약 260μm 정도이다. 그리고 탱크(69)에 가해지는 질소가스의 압력은 약 1kg/cm2 정도로서, 이것에 의해서 매분 40ml 정도의 용제가 기판(G)의 표면과 뒷면의 가장자리를 향하여 토출되고 불필요한 레지스트막(70)이 용해되어 기판(G) 상에서 제거되게 되어 있다. 또 토출된 용제나 용해된 레지스트액은 상기 흡입구(65)로부터 흡입되어 외부로 배출되게 되어 있다.The needle nozzles 66 and 67 have a hollow structure in which a flow section (not shown) having the same diameter as the discharge port is formed in the thin wire. For example, the diameter of the discharge port of the needle nozzles 66 and 67 which is generally used is about 260 micrometers. The pressure of the nitrogen gas applied to the tank 69 is about 1 kg / cm 2 , whereby about 40 ml of solvent is discharged toward the edges of the surface and back of the substrate G every minute, and the unnecessary resist film 70 is discharged. It melt | dissolves and is removed on the board | substrate G. The discharged solvent and the dissolved resist liquid are sucked from the suction port 65 and discharged to the outside.

또한 상기 니들노즐(66,67)은, 도5 (a)에 나타낸 바와 같이, 이 박막제거헤드(60)의 진행방향[기판(G)의 가장자리(장변, 단변)를 따른 방향]을 따라 예를 들어 일직선 모양으로 소정의 간격을 두고 복수개 배치되어 있다.In addition, the needle nozzles 66, 67 are formed along the traveling direction (direction along the edge (long side, short side) of the substrate G) of the thin film removing head 60, as shown in Fig. 5A. For example, the plurality is arranged in a straight line at a predetermined interval.

다음에 이 도포·가장자리제거유닛(28)의 제어계에 관해서 설명한다.Next, the control system of this application | coating and edge removal unit 28 is demonstrated.

이 도포·가장자리제거유닛(28)의 주요한 제어계는 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 레지스트액 도포부(50)를 제어하는 레지스트 도포제어부(72)와, 상기 반송아암(56)을 제어하는 반송아암 제어부(73)와, 상기 가장자리 제거부(51)를 제어하는 가장자리 레지스트제거 제어부(74)와, 각 제어부(72∼74)를 제어하는 중앙제어장치(75)를 구비한다. As shown in FIG. 3, the main control system of the coating / edge removing unit 28 includes a resist coating control unit 72 for controlling the resist liquid coating unit 50 and a transfer arm for controlling the transfer arm 56. The control part 73, the edge resist removal control part 74 which controls the said edge removal part 51, and the central control apparatus 75 which controls each control part 72-74 is provided.                     

이 중앙제어장치(75)에서 본 발명의 요지에 관한 부분만을 설명한다. 레지스트액 도포부 (50) 및 가장자리 제거부(51)의 레시피를 입력하기 위한 입출력부(78)와, 그들의 레시피를 저장하는 도포부 레시피 기억부(76) 및 제거부 레시피 기억부(77)가 접속되어 있다.In this central control unit 75, only the parts related to the gist of the present invention will be described. An input / output unit 78 for inputting the recipes of the resist liquid applying unit 50 and the edge removing unit 51, and an application unit recipe storage unit 76 and a removal unit recipe storage unit 77 storing their recipes are provided. Connected.

도 6은 상기 박막제거헤드(60)의 동작경로를 설명하기 위한 모식도이다. 이 실시형태에서는 하나의 제거헤드(60)가 상기 기판(G)의 장변(단변)을 따른 이동공정을 구간A와 구간B(단변에 있어서는 구간A’, 구간B’)의 2공정으로 나누어 각각 소정의 속도를 할당한다. 상기 레시피 기억부(77)에는 구간A 속도기억부(81)와 구간B 속도기억부(82)가 있어 각각 구간A 속도, 구간B 속도가 저장되게 되어 있다. 또 단변의 구간A’, 구간B’에 있어서는 장변의 구간A, 구간B와 같이 취급하면 되기 때문에 이하에서 그 설명은 적당히 생략한다.6 is a schematic view for explaining the operation path of the thin film removal head 60. In this embodiment, one removal head 60 divides the movement process along the long side (short side) of the said board | substrate G into 2 processes of section A and section B (section A 'and section B' in a short side), respectively. Allocate a predetermined speed. The recipe storage section 77 has a section A speed storage section 81 and a section B speed storage section 82 to store section A speed and section B speed, respectively. In the short side section A 'and the section B', the long side section A and section B may be treated like the section A, and the description thereof will be omitted as follows.

다음에 이 구간A, 구간B 거리 및 구간A, 구간B 속도의 결정방법에 관해서 설명한다.Next, this section A, section B distance and section A and section B speed determination methods will be described.

즉 종래기술의 항에서 설명했던 것과 같이 회전수 기타 레지스트 도포조건에 따라서는 도 6에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(G)의 각각 대향하는 4개의 모서리 (100)의 레지스트막이 특히 다른 가장자리와 비교하여 두껍게 된다고 하는 사태가 발생한다. 이러한 현상이 발생하면 엣지리무버를 사용하여 기판 가장자리의 레지스트액을 제거한다고 해도 상기 4개의 모서리(100)의 레지스트막이 완전히 제거되지 않고서 남아 버린다는 문제가 있다. 예를 들어 370×470mm 크기의 4각형 모양 글래스 기판의 경우, 가장자리의 막두께의 한 측정예에 의하면, 상기 4개의 모서리 (100)에서의 두꺼운 부분에서 5.2μm, 그 밖의 가장자리에서 3.3∼4.3μm이라는 결과를 얻고 있다.That is, as described in the prior art, according to the rotation speed and other resist application conditions, as shown in FIG. 6, the resist films of the four corners 100 facing each other of the glass substrate G are particularly thicker than the other edges. There is a situation that is called. If this phenomenon occurs, even if the resist liquid at the edge of the substrate is removed using an edge remover, the resist film of the four corners 100 remains without being completely removed. For example, in the case of a 370 × 470 mm square glass substrate, according to one measurement example of the film thickness of the edge, 5.2 μm at the thick portion at the four corners 100 and 3.3 to 4.3 μm at the other edge Getting results.

그래서 본 실시형태에서는 상기 헤드(60)가 기판(G)의 가장자리를 따른 이동공정을 구간A와 구간B로 나누어 소정의 택트타임(tact time) 내에서 구간A와 구간B의 속도를 적정화함으로써 상기 두꺼운 부분을 유효하게 제거하도록 한다.Thus, in the present embodiment, the head 60 divides the moving process along the edge of the substrate G into the sections A and B so as to optimize the speed of the sections A and B within a predetermined tact time. Make sure to remove the thick parts effectively.

즉 구간A는 상기 제거헤드(60)의 홈위치로부터 적어도 사선부(두꺼운 부분)를 포함하는 길이로 설정되고, 구간B는 그 나머지의 길이로 설정한다. 본 실시형태에서는 구간A는 예를 들어 80mm로 설정된다. 그리고 구간A 속도는 소정의 용제 토출량으로 상기 두꺼운 부분의 박막을 제거할 수 있도록 저속으로 설정되고, 구간B 속도는 이 가장자리 제거공정을 소정의 택트타임 내에서 종료시키는 수 있고 또한 다른 부분의 박막을 제거할 수 있는 속도로 설정된다. 여기서 택트타임을 60초라고 하면 구간A에서의 스캔시간+구간B에서의 스캔시간+구간A’에서의 스캔시간+구간B’에서의 스캔시간+레시피 외의 시간(위치 결정 등)=60초가 되도록 설정된다.That is, the section A is set to a length including at least an oblique portion (thick portion) from the home position of the removal head 60, and the section B is set to the remaining length. In this embodiment, the section A is set to 80 mm, for example. The section A speed is set at a low speed so that the thick film can be removed at a predetermined amount of solvent discharge, and the section B speed can terminate this edge removing process within a predetermined tact time and also remove the film of the other part. It is set to a speed that can be removed. If the tact time is 60 seconds, the scan time in section A + scan time in section B + scan time in section A '+ scan time in section B' + non-recipe time (positioning, etc.) = 60 seconds Is set.

또 구간B, 구간B’의 속도는 구간A의 속도에 의해서 자동적으로 정해지기 때문에 구간A, 구간A’의 조건으로부터 자동적으로 계산하여도 좋다. 또 본 실시형태에서 디폴트 설정에서는 구간B, 구간B’의 거리 및 속도는 구간A, 구간A’의 거리 및 속도로부터 자동적으로 계산하여 구하게 되어 있다.In addition, since the speed of the section B and the section B 'is automatically determined by the speed of the section A, the speeds of the section A and the section A' may be automatically calculated. In the present embodiment, in the default setting, the distance and the speed of the section B and the section B 'are automatically calculated from the distance and the speed of the section A and the section A'.

또한 상기 두꺼운 부분(100)은 상기 레지스트 도포장치의 컵(52) 내에 들어간 외기를 차단하는 위치에서 발생하고 있다. 즉 이 부분의 레지스트막이 다른 부분과 비교하고 건조속도가 빠르기 때문이라고 추측할 수 있다. 또한 두꺼운 부분의 두께 및 범위는 기판(G)의 치수 및 장변·단변비[長邊·短邊比(縱橫比)]에 관계되고 있다고 생각된다. 따라서 상기 두꺼운 부분이 생성되어 있느냐는 레지스트액 도포부(50)의 스핀척(53)의 회전수, 기판(G)의 치수 및 기판(G)의 장변·단변비에 기인하고 있다고 판단하여, 이들의 조건에 의거하여 구간A 거리, 구간A 속도를 자동적으로 결정하여도 좋다. 본 실시형태에서는 상기 도포부 레시피 기억부(76)에 저장된 도포부 레시피에 의거하여 구간A 거리 및 구간A 속도를 자동으로 연산하여 이것을 디폴트치로서 오퍼레이터에게 제시하게 되어 있다.In addition, the thick portion 100 is generated at a position to block outside air that enters the cup 52 of the resist coating device. In other words, it can be assumed that the resist film in this part is faster than the other parts in the drying speed. Moreover, it is thought that the thickness and range of a thick part are related to the dimension of the board | substrate G, and long side and short side ratio. Therefore, it is judged that the above-mentioned thick part is caused by the rotation speed of the spin chuck 53 of the resist liquid application part 50, the dimension of the board | substrate G, and the long side and short side ratio of the board | substrate G. The section A distance and section A speed may be automatically determined based on the condition of. In the present embodiment, the section A distance and the section A speed are automatically calculated based on the applicator recipe stored in the applicator recipe storage section 76 and presented to the operator as a default value.

본 실시형태에서는 예를 들어 구간A 속도는 도 7에 나타낸 바와 같이 80mm의 범위에서 55mm/s로 설정되고, 구간B 속도는 390mm의 범위에서 80mm/s로 설정된다.In this embodiment, for example, the section A speed is set to 55 mm / s in the range of 80 mm, and the section B speed is set to 80 mm / s in the range of 390 mm, as shown in FIG.

다음에, 레지스트액 도포·가장자리 제거유닛(28)의 동작에 관해서 설명한다.Next, the operation of the resist liquid application / edge removal unit 28 will be described.

우선, 오퍼레이터는 시스템을 기동시킨 후, 상기 입출력부(78)를 통하여 도포부 레시피 및 제거부 레시피를 입력한다. 도포부 레시피로서는, 적어도 기판(G)의 치수(장변치수 및 단변치수), 스핀척(53)의 회전수, 레지스트액의 토출 속도 등의 각 정보가 입력된다.First, after the operator starts the system, the operator inputs the coating unit recipe and the removing unit recipe through the input / output unit 78. As the coating part recipe, at least each piece of information, such as the dimensions (long side dimension and short side dimension) of the substrate G, the rotation speed of the spin chuck 53, the discharge speed of the resist liquid, is input.

또한, 가장자리 제거용 레시피로서는 적어도 구간A(구간A’)의 거리, 구간A 속도(구간A’속도) 및 세정액의 토출량의 정보가 입력된다. 도 8은 그 입력화면의 한 예이다. 이 예에서는, 구간A 거리로서 80mm, 속도로서 50mm/sec가 입력되어 있다. 또 전술했던 바와 같이 구간A 거리와 구간A 속도의 디폴트치는, 상기 중앙제어부가 상기 도포부 레시피 기억부(76)에 저장된 도포부 레시피에 의거하여 연산하게 되어 있으므로 오퍼레이터는 이것을 수정하는 것만으로 족하다.In addition, at least the information of the distance of the section A (section A '), the section A speed (section A' speed), and the discharge amount of the cleaning liquid is input as the edge removing recipe. 8 is an example of the input screen. In this example, 80 mm is input as the section A distance and 50 mm / sec as the speed. As described above, the default values of the section A distance and the section A speed are calculated based on the application section recipe stored in the application section recipe storage section 76, so that the operator only needs to correct this.

다음에, 이 화면에서 OK 버튼이 눌러짐으로써 구간B 속도가 자동적으로 계산된다. 구체적으로는 상기 기판(G)의 치수, 구간A 거리, 구간A’거리로부터 구간B, 구간B’거리가 산출된다. 그리고 택트타임(60초), 구간A 속도, 구간A’속도와, 구간B, 구간B’거리로부터 구간B 속도, 구간B’속도가 산출된다. 본 실시형태의 경우에 구간B 속도, 구간B’속도는 80mm/sec로 결정된다.Next, the section B speed is automatically calculated by pressing the OK button on this screen. Specifically, the section B and the section B 'distance are calculated from the dimensions, the section A distance, and the section A' distance of the substrate G. The interval B speed and the interval B speed are calculated from the tact time (60 seconds), the interval A speed, the interval A 'speed, and the interval B and the interval B' distance. In the case of the present embodiment, the section B speed and the section B 'speed are determined to be 80 mm / sec.

상기 설정동작이 종료되면 기판(G)의 처리가 시작된다.When the setting operation is completed, the processing of the substrate G is started.

상기 기판(G)이 이 도포·가장자리제거유닛(28)으로 로드되면, 우선 레지스트액 도포부(50)에 있어서 기판(G)에 대하여 스핀코팅 방법에 의한 레지스트액 도포가 이루어진다. 이것에 의해 레지스트막이 형성된 기판(G)은 반송아암(56)에 의해서 가장자리 제거부(51)의 얹어놓는대(58)로 반송된다.When the substrate G is loaded into the coating / edge removing unit 28, first, the resist liquid coating is applied to the substrate G by the spin coating method in the resist liquid applying unit 50. FIG. Thereby, the board | substrate G in which the resist film was formed is conveyed to the mounting base 58 of the edge removal part 51 by the conveyance arm 56. As shown in FIG.

기판(G)이 얹어놓는대(58)에 놓이면, 가장자리 제거부(51)는 이동기구(62)를 작동시켜 도 5(b)에 나타낸 바와 같이 기판(G)의 각 변의 가장자리의 일단을 각 처리공간에 위치하도록 상기 박막제거헤드(60)를 기판(G) 측으로 구동시킨다.When the substrate G is placed on the mounting table 58, the edge removing unit 51 operates the moving mechanism 62 to angle one end of each edge of the substrate G as shown in Fig. 5B. The thin film removing head 60 is driven toward the substrate G to be located in the processing space.

다음에 상기 구간A, 구간B를 따라 소정의 구간A 속도 및 구간B 속도로 상기 헤드(60)를 이동시키고 아울러 상기 상부헤드구성재(64a) 및 하부헤드구성재(64b)의 니들노즐(66,67)로부터 용제를 토출시킨다. 이렇게 함으로써 상기 기판(G)의 가장자리에 부착된 불필요한 레지스트막이 제거된다.Next, the head 60 is moved along the sections A and B at a predetermined section A speed and section B speed, and needle needles 66 and 67 of the upper head member 64a and the lower head member 64b are moved. ) Is discharged. By doing so, the unnecessary resist film attached to the edge of the substrate G is removed.

이상과 같이 하여 가장자리의 불필요한 레지스트막이 제거된 기판(G)은 가장자리 제거부(51)로부터 메인아암기구(24)에 의해서 집어내어지고, 가열장치(30) 등으로 이송된 후, 최종적으로 상기 카세트에 수납된다.The substrate G from which the unnecessary resist film at the edge is removed as described above is picked up by the main arm mechanism 24 from the edge removing portion 51, transferred to the heating apparatus 30, and the like, and finally the cassette Is housed in.

이러한 구성에 의하면 이하의 효과를 얻을 수 있다.According to such a structure, the following effects can be acquired.

우선, 기판(G)의 4개의 모서리(100)에 특히 두껍게 형성된 레지스트막의 두꺼운 부분을 제거하는 경우에 제거헤드(60)의 이동공정을 구간A, 구간B로 나누어, 각각 일정속도를 할당하여 구동하도록 했기 때문에 장치제어가 간략화된다.First, in the case of removing the thick portion of the resist film formed particularly thick at the four corners 100 of the substrate G, the moving process of the removal head 60 is divided into sections A and B, and the respective driving speeds are assigned. Because of this, the device control is simplified.

즉, 상기 모서리(100)에 생긴 두꺼운 부분의 제거는 엣지리무버에 의한 제거속도를 느리게 함으로써 시간을 들여 세정하는 방법이 생각된다. 그러나 종래의 장치에 있어서는, 기판에 대한 레지스트액의 도포조건에 의거하여 엣지리무버의 속도를 설정하기때문에 프로그램을 변경하지 않으면 아니되어 오퍼레이터가 로트마다 상세하게 설정하는 것은 곤란하다. 또한 자유롭게 속도를 설정하면 택트가 엉클어지게 되고 말아 다른 처리장치의 처리속도에 영향을 미치게 하고, 나아가서는 스루풋이 저하되게 된다.That is, the removal of the thick part created in the said edge 100 is considered the method of cleaning over time by slowing down the removal speed by an edge remover. However, in the conventional apparatus, since the speed of the edge remover is set based on the application condition of the resist liquid to the substrate, it is difficult to set the details in detail for each lot by the operator. In addition, if the speed is freely set, the tact is entangled and rolled to affect the processing speed of the other processing apparatus, and further, the throughput is lowered.

이에 반하여 본 실시형태의 구성에 의하면, 전술한 바와 같이 헤드(60)의 이동공정을 구간A, 구간B으로 나누고 아울러 구간A 속도에 의거하여 구간B 속도를 결정하도록 했기 때문에 제거처리를 택트타임 내에 끝내는 것이 용이하게 된다.In contrast, according to the configuration of the present embodiment, as described above, the moving process of the head 60 is divided into section A and section B, and the section B speed is determined based on the section A speed. It is easy to finish.

또한 이동공정에서 상류측에 구간A를 설정하도록 했기 때문에 레지스트액의 두꺼운 부분을 보다 효과적으로 제거할 수 있다. 즉 이러한 구성에 의하면 구간A가 보다 긴 시간동안 용제와 접촉하게 되므로 이 부분의 제거성능이 높아지는 것이다.In addition, since the section A is set upstream in the transfer step, the thick portion of the resist liquid can be more effectively removed. In other words, according to this configuration, the section A is in contact with the solvent for a longer time, so that the removal performance of this portion is increased.

또한 상기 실시형태에서는 레지스트액 도포부(50)에 있어서의 레지스트액 도포 레시피[스핀척(53)의 회전수, 기판(G)의 치수 등의 정보]에 의거하여 상기 구간 A 속도를 구하도록 하고 있으므로 오퍼레이터에 의한 설정이 용이하게 된다.In the above embodiment, the section A speed is determined based on the resist solution application recipe (information such as the number of revolutions of the spin chuck 53 and the size of the substrate G) in the resist solution application unit 50. Therefore, the setting by the operator becomes easy.

또 본 발명은 상기 1실시형태에 한정되는 것이 아니라, 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 여러가지로 변형이 가능하다.In addition, this invention is not limited to said 1 embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not change the summary of invention.

상기 1실시형태에서는 상기 레지스트액 도포부(50)의 도포 레시피에 의거하여 구간A 속도를 결정하도록 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 도 9에 나타낸 바와 같이 상부헤드 구성재(64a), 하부헤드 구성재(64b)에 예를 들어 거리센서 (90a,90b)를 설치하여 이들이 접속된 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 헤드 (60)의 속도를 제어하도록 하여도 좋다.In the first embodiment, the section A speed is determined based on the application recipe of the resist liquid application unit 50, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 9, distance sensors 90a and 90b are provided in the upper head structural member 64a and the lower head structural member 64b, for example, based on the detection values of the film thickness detection unit 91 to which they are connected. The speed of the head 60 may be controlled.

이 경우 구간A의 속도만을 정하여 놓고 구간A 거리, 구간B 거리 및 구간B 속도는 상기 거리센서(90a,90b)의 막두께 검출결과에 의거하여 결정하도록 하여도 좋다. 예를 들어, 막두께가 소정 치수 이하로 변화된 곳까지를 구간A로 하고, 구간B의 속도는 택트타임 내에서 상기 박막제거 헤드(60)의 스캔이 끝날 수 있는 속도로 설정하도록 하여도 좋다.In this case, only the speed of the section A may be determined, and the section A distance, the section B distance, and the section B speed may be determined based on the film thickness detection results of the distance sensors 90a and 90b. For example, the section A may be set to a place where the film thickness has changed below a predetermined dimension, and the speed of the section B may be set to a speed at which scanning of the thin film removing head 60 can be completed within the tact time.

또한 상기 1실시형태에서는 상기 헤드를 구간A 내에서 구간A 속도로 이동시키도록 했지만, 이동시키지 않고 정지시키도록 하여도 좋다. 이 경우 도 10에 나타낸 바와 같이 상기 헤드를 상기 박막이 두꺼워진 부분(100)에서 레지스트막의 도포조건에 의해서 결정된 시간 만큼 정지시킨 후, 이동시키도록 하는 것이 바람직하다.In the first embodiment, the head is moved at a section A speed within the section A. However, the head may be stopped without moving. In this case, as shown in FIG. 10, it is preferable to stop the head in the thickened portion 100 for a time determined by the application conditions of the resist film and then to move the head.

또한 이 경우, 상기 박막제거 헤드(60)의 진행방향을 따른 용제 토출범위를 상기 레지스트막의 두꺼운 부분에 대응시키도록 하여도 좋다. 구체적으로는 상기 니들노즐 (66,67)의 설치간격을 넓혀 용제의 도포범위를 넓히도록 하여도 좋고, 노즐(66,67)의 갯수 자체를 많게 하여도 좋다.In this case, the solvent discharge range along the advancing direction of the thin film removing head 60 may correspond to the thick portion of the resist film. Specifically, the installation intervals of the needle nozzles 66 and 67 may be widened to increase the application range of the solvent, or the number of the nozzles 66 and 67 itself may be increased.

또한 상기 위치에 관한 실시형태로서 구간A에 의거하여 구간B의 제거조건을 결정하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 구간B에 의거하여 구간A의 제거조건을 결정하도록 하여도 좋다.In addition, although the removal condition of the section B was determined based on the section A as an embodiment regarding the said position, it is not limited to this, You may make it determine the removal condition of the section A based on the section B.

또한 상기 니들노즐(66,67)의 배치는 상기 1실시형태에 한정되는 것이 아니라, 슬릿모양의 노즐이더라도 좋고, 노즐을 지그재그 형상으로 배치하도록 하여도 좋다.The needle nozzles 66 and 67 are not limited to the first embodiment, but may be slit-shaped nozzles or may be arranged in a zigzag shape.

또한 상기 1실시형태에서는 상기 박막제거헤드(60)의 구간A 속도는 기판(G) 밖에서도 기판(G) 내에서도 일정한 속도이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 구간A에서 기판(G)에 도달할 때까지는 고속이고, 기판(G)에 도달하고 나서는 소정의 저속으로 이동시키도록 하여도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 일정한 택트타임 내에 불필요한 레지스트막의 제거를 끝내야 하는 경우에 있어서, 구간A에서의 기판(G) 밖에서의 스캔시간을 단축할 수 있는 만큼 구간A의 스캔시간을 길게 할 수 있다. 따라서 구간A의 스캔속도를 그 만큼 저속화하여 이 부분의 불필요한 레지스트막을 유효하게 제거할 수 있는 효과가 있다.In the first embodiment, the speed of section A of the thin film removal head 60 is a constant speed within the substrate G and outside the substrate G, but is not limited thereto. For example, it is high speed until it reaches | attains the board | substrate G in the section A, and you may make it move at predetermined low speed after reaching the board | substrate G. According to this configuration, in the case where the removal of the unnecessary resist film is to be finished within a certain tact time, the scan time of the section A can be lengthened as much as the scan time outside the substrate G in the section A can be shortened. Therefore, the scanning speed of the section A can be lowered by that much, so that an unnecessary resist film in this portion can be effectively removed.

또한 상기한 실시형태에서는, 구간A와 구간B에서 박막제거 헤드(60)의 이동속도가 변하도록 하였지만, 도 5(b)에 나타낸 세정액 공급원의 탱크(69)의 펌프(도시를 생략함)의 토출압(吐出壓)을 제어함으로써 구간A와 구간B에서 박막제거 헤드(60)의 니들노즐(66,67)로부터 토출되는 용제의 토출압을 변하게 하도록 하여도 상관없다. 구체적으로는 상기한 예에서 예를 들어 구간B에서의 토출압보다도 구간A에서의 토출압이 커지도록 제어하면 좋다. 또한, 구간B에서는 도 12(a)에 나타낸 바와 같이 박막제거 헤드(60)의 5개의 니들노즐(66,67) 중에서 예를 들어 3개의 니들노즐(66,67)로부터 세정액을 토출하고, 구간A에서는 도 12(b)에 나타낸 바와 같이 박막제거 헤드(60)의 5개의 니들노즐(66,67)로부터 용제를 토출하도록 제어하여도 상관없다.In addition, in the above embodiment, although the moving speed of the thin film removing head 60 is changed in the sections A and B, the pump (not shown) of the tank 69 of the cleaning liquid supply source shown in FIG. The discharge pressure of the solvent discharged from the needle nozzles 66 and 67 of the thin film removal head 60 may be changed in the sections A and B by controlling the discharge pressure. Specifically, in the above example, for example, the discharge pressure in the section A may be larger than the discharge pressure in the section B. Further, in section B, as shown in FIG. 12A, cleaning fluid is discharged from, for example, three needle nozzles 66 and 67 of the five needle nozzles 66 and 67 of the thin film removing head 60. In A, as shown in FIG. 12 (b), the solvent may be controlled to discharge the solvent from the five needle nozzles 66 and 67 of the thin film removing head 60.

또한 도 9에 나타낸 실시형태에서는 상부헤드(64a), 하부헤드(64b)에 예를 들어 거리센서(90a,90b)를 설치하여 이들이 접속된 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 헤드(60)의 속도를 제어하도록 구성했지만, 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 니들노즐(66,67)로부터 토출되는 용제의 토출압이나, 용제를 토출하는 니들노즐(66,67)의 갯수를 제어하여도 상관없다. 또한 헤드의 진행방향에서 막두께 검출부(91)에 의해 막두께를 검출하여 그 결과가 도 13에 나타낸 바와 같이 기판 (G) 상의 소정의 위치(131,132)가 두꺼울 때에, 헤드의 복귀방향에서 위치(131, 132)의 부분에만 니들노즐(66,67)로부터 용제를 분출시키도록 하는 구성을 하여도 상관없다.In the embodiment shown in Fig. 9, for example, distance sensors 90a and 90b are provided on the upper head 64a and the lower head 64b, and the head (based on the detection value of the film thickness detection unit 91 to which they are connected) is provided. 60, but the discharge pressure of the solvent discharged from the needle nozzles 66,67 or the needle nozzles 66,67 for discharging the solvent are based on the detection value of the film thickness detector 91. You may control the number. In addition, when the film thickness is detected by the film thickness detecting unit 91 in the advancing direction of the head, and the result is shown in FIG. 13, when the predetermined positions 131 and 132 on the substrate G are thick, the position ( Only the portions 131 and 132 may be configured to eject the solvent from the needle nozzles 66 and 67.

또한 도 14에 나타낸 바와 같이, 박막제거 헤드(60)의 진행방향에서 반대측의 상하에 각각 기판(G)을 향하여 건조용의 기체, 예를 들어 N2가스를 분출하는 에어나이프 (141)를 설치하여 이 에어나이프(141)로부터 분출되는 N2가스의 양이나 온도를 구간에 따라서 가변으로 하여도 좋다. 또한 구간을 나누지 않고 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 N2가스의 양이나 온도를 제어하여도 상관없다.In addition, an air knife 141 for ejecting N 2 gas, for the gas, for the drying, towards the substrate (G) respectively above and below the opposite side in the direction of movement of the thin film removing head 60 as shown in Fig. 14 The amount and temperature of the N 2 gas blown out from the air knife 141 may be varied depending on the section. In addition, on the basis of the detection value of the film thickness detecting section (91) without dividing the section does not matter even by controlling the amount or temperature of the N 2 gas.

또한 상기한 실시형태에서는 구간A와 구간B에서 박막제거 헤드(60)의 이동속도를 가변하도록 하였지만, 예를 들어 이에 맞춰 도 5(b)에 나타낸 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 제어하도록 하여도 상관없다. 상기의 예에서 설명한다면 구간B에서 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양보다도 구간A에서 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 크게 하면 좋다. 또한 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 마찬가지로 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 제어하여도 좋다.In addition, in the above-described embodiment, the moving speed of the thin film removing head 60 is varied in the sections A and B. For example, the amount of gas sucked from the inlet 65 shown in FIG. It does not matter. In the above example, the amount of gas sucked from the suction port 65 in the section A may be larger than the amount of gas sucked from the suction port 65 in the section B. In addition, based on the detection value of the film thickness detection part 91, you may similarly control the quantity of the gas sucked in from the intake port 65. FIG.

또한, 상기 실시형태에서는 컬러 필터의 도포·현상처리시스템에 관해서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고 LCD 기판 등 다른 기판의 도포·현상처리시스템에 관해서도 적용할 수가 있다. 또한, 린스액의 막을 형성하기 위해서 박스 모양의 커버를 사용했지만, 이것에 한정되지 않고 린스액의 막이 형성된다면 어떠한 기구이어도 좋다.
In addition, although the coating / developing processing system of the color filter was demonstrated in the said embodiment, it is not limited to this, It can apply also to the coating and developing processing system of other board | substrates, such as an LCD substrate. In addition, although the box-shaped cover was used to form the film of the rinse liquid, any mechanism may be used as long as the film of the rinse liquid is formed without being limited thereto.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 보다 간단한 순서에 의한 설정으로 상기 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 택트타임에도 영향을 미치게 하지 않는 박막형성장치 및 박막제거장치를 제공할 수가 있다.As described above, according to the present invention, a thin film forming apparatus and a thin film removing apparatus which can prevent the remaining of the resist film from occurring at the four corners by setting in a simpler order and do not affect the tact time are also provided. I can provide it.

Claims (25)

박막형성부에 의하여 4각형의 기판표면에 도포액을 도포하면서 이 기판을 회전시켜 형성된 박막 중에서 불필요한 부분을 제거하는 박막제거장치에 있어서,In the thin film removing apparatus which removes unnecessary part from the thin film formed by rotating this board | substrate, apply | coating a coating liquid to the surface of a square substrate by a thin film formation part, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,A thin film removing unit for removing an unnecessary thin film covering the edge of the substrate surface by ejecting the solvent toward the edge of the substrate surface; 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,A thin film removing unit driver for driving the thin film removing unit along an edge of the substrate; 상기 박막제거부의 이동범위를,상기 기판의 각변에 따른 구간A와 구간B로 나누고, 구간A에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와,A storage unit for dividing a moving range of the thin film removing unit into sections A and B along each side of the substrate, and storing information of section A speed in section A and information of section B speed in section B; , 상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하고,And a controller for obtaining the information of the section A speed and the information of the section B speed from the storage unit, and operating the thin film removing unit driving section at section A speed in section A and section B speed in section B. 상기 구간A는, 상기 박막형성부에서 상기 기판을 회전시킬 때의, 각 변의 기판주위의 외기를 차단하는 쪽의 가장자리의 범위만으로 설정되고, 상기 구간B는 상기 각변에 있어서, 상기 구간A 이외의 범위로 설정되어, 구간A 속도는 구간B 속도보다도 느리게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.The said section A is set only in the range of the edge of the side which cut | disconnects the outside air around the board | substrate of each side at the time of rotating the said board | substrate in the said thin film formation part, The said section B is a range other than the said section A in each said edge | side. And the section A speed is set slower than the section B speed. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구간A 속도 중에서 상기 기판 밖에서의 속도는 기판 내에서의 속도보다도 고속으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.The thin film removal apparatus of the said section A speed | rate outside the said board | substrate is set faster than the speed | rate inside a board | substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 가장자리의 약액의 두꺼운 부분의 범위 및 두께에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.And the section A speed and the section B speed are determined based on the range and thickness of the thick portion of the chemical at the edge of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 박막형성부에서 도포한 상기 기판의 회전수에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.The section A speed and the section B speed are determined based on the rotation speed of the substrate coated by the thin film forming unit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, 4, and 5, 상기 박막제거부의 이동방향에 따라 상류측에 구간A를 설정하고, 하류측에 구간B를 설정하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.And a section A on an upstream side and a section B on a downstream side according to the moving direction of the thin film removing unit. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, 4, and 5, 상기 구간B에서의 상기 용제의 토출압보다도 상기 구간A에서의 용제의 토출압이 크게 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.And the discharge pressure of the solvent in the section A is greater than the discharge pressure of the solvent in the section B. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, 4, and 5, 상기 박막제거부는, 상기 용제를 토출하는 복수의 노즐을 구비하고,The thin film removing unit includes a plurality of nozzles for discharging the solvent, 상기 각 노즐 중 상기 용제를 토출시키는 노즐의 수가, 구간B보다 구간A에서 많게 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.The thin film removing apparatus, characterized in that the number of nozzles for discharging the solvent among the nozzles to be larger in the section A than the section B. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3, 4, and 5, 상기 박막제거부는, 상기 토출되는 용제를 흡입하는 흡입구를 구비하고,The thin film removing unit includes a suction port for sucking the discharged solvent, 상기 흡입구에 의한 흡입량이, 상기 구간B보다 구간A에서 크게 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.And a suction amount of the suction port is controlled to be larger in section A than in section B. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막제거부에 설치되고, 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서를 구비하고, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는, 상기 센서의 막두께 측정값에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.A thin film removing unit provided in the thin film removing unit and having a sensor for measuring the film thickness of the substrate edge, wherein the section A speed and the section B speed are determined based on the film thickness measurement value of the sensor. Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막제거부에 설치되고, 기판 가장자리를 향하는 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부를 구비하고,It is provided in the thin film removal unit, and provided with a gas ejection section for ejecting the drying gas toward the substrate edge, 상기 구간A 및 구간B에 따라서, 상기 기체분출부에서 분출되는 기체의 양을 가변시키는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.According to the section A and section B, the thin film removing apparatus, characterized in that for varying the amount of gas ejected from the gas ejection portion.
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