KR100665368B1

KR100665368B1 - 형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지제조방법

Info

Publication number: KR100665368B1
Application number: KR1020060011816A
Authority: KR
Inventors: 이해성; 이종면; 추호성; 장명훈; 박윤곤
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-02-07
Filing date: 2006-02-07
Publication date: 2007-01-09

Abstract

본 발명은 형광체막 형성방법 및 이를 이용한 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 일 측면은, 형광체 입자의 표면에 광투과성 다중전하체 폴리머가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계와, 상기 형광체 혼합물을 제1 및 제2 전극부 사이에 배치하고, 형광체막이 형성될 면이 상기 제2 전극부를 향하도록 상기 제1 전극부 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계와, 상기 제1 및 제2 전극부에 전압을 인가함으로써 발생되는 전기영동을 이용하여 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2 전극부를 향하는 면에 상기 형광체 혼합물을 부착시키는 단계 및 상기 형광체 혼합물중 폴리머성분을 경화시켜 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법을 제공하는 것이며, 본 발명의 다른 일측면은 이를 이용한 파장변환형 발광다이오드 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

발광다이오드(Light Emitting Diode:LED), 전기영동(Electrophoresis),형광체막(Phosphor Layer)

Description

형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지 제조방법{FORMATION METHOD　OF PHOSPHOR FILM AND FABRICATION METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING THE SAME}

도1은 종래의 파장변환형 발광다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.

도2는 본 발명에 따른 형광체막 형성방법을 나타내는 흐름도이다.

도3a 및 도3b는 본 발명에 채용되는 다중전하체 폴리머의 구조를 나타내는 화학구조식이다.

도4의 (a),(b)는 전기영동의 작용에 따라 형광체막의 형성과정을 설명하기 위한 개념도이다.

도5는 본 발명에 따라 형광체막이 형성된 발광다이오드 패키지를 나타내는 개념도이다.

<도면의 주요부분에 대한 상세한 설명>

42...발광다이오드 칩 43...수지포장부

45...형광체 혼합물 45`...전기영동된 형광체 혼합물

45``...형광체막

본 발명은 형광체막 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광소자의 특정 파장광을 다른 파장광으로 변환하기 위한 형광체막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 발광다이오드는 공해를 유발하지 않는 친환경성 광원으로서 다양한 분야에서 각광받고 있다.

최근에, 단색광을 방출하는 발광다이오드는 파장변환용 형광체와 결합하여 다른 발광파장을 제공하는 형태로 응용되고 있다. 대표적으로, 단파장계열의 광을 생성하는 발광다이오드는 특정 형광체 또는 형광체 조합과 결합하여, 백색광을 제공하는 조명용 발광장치를 제공하는데 활발히 응용되고 있다.

도 1은 종래의 일 예로서 형광체를 이용하여 백색광을 방출하는 백색 발광 다이오드 패키지를 도시한다.

도1에 도시된 바에 따르면, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는 패키지 기판(11)과 상기 패키지 기판에 실장된 발광다이오드 칩(12) 및 형광체 입자(14)를 함유한 수지포장부(13)를 포함한다. 상기 발광다이오드 패키지(10)는 상기 발광다이오드 칩(12)으로부터의 단색광을 상기 형광체 입자(14)를 통하여 백색광으로 변환되는데, 예를 들면, 청색 발광다이오드 칩으로부터 방출되는 청색광을 TAG, YAG 등 의 황색 형광체를 이용하여 백색광으로 변환한다. 이러한 종래의 발광다이오드 패키지(10)는 상기 수지포장부(13)와 발광다이오드 칩(12)과의 굴절율 차이에 의한 광손실 및 상기 형광체 입자(14)와의 굴절율 차이에 의한 광손실이 존재하여 발광다이오드 패키지의 발광효율이 떨어지는 문제점이 있어 왔다. 이에 따라, 발광다이오드 칩에 형광체를 근접하여 위치시키는 새로운 방법의 필요성이 대두되었다.

형광체를 발광다이오드 칩에 근접하여 위치시키는 새로운 방법으로는 발광다이오드 칩에 형광체막을 형성하는 방법이 개발되어지고 있으며, 이러한 방법에는 형광체를 발광다이오드 칩에 스크린 프린팅(Screen Printing)하거나, 전기적인 스프레이를 통하여 형광체막을 형성하는 방법들이 있다. 이러한, 형광체막을 형성하는 방법들은 공정이 복잡하고, 다양한 광원채용이 용이하지 않다는 문제점이 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 전기영동을 이용하여 원활한 발광경로가 보장되는 형광체막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 형광체막을 포함하여 발광효율을 증가시킨 발광다이오드 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,

제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 광투 과성 다중전하체 폴리머가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계와, 상기 형광체 혼합물을 각각 제1 및 제2 극성에 해당하는 제1 및 제2 전극부 사이에 배치하고, 형광체막이 형성될 면이 상기 제2 전극부를 향하도록 상기 제1 전극부 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계와, 상기 제1 및 제2 전극부에 전압을 인가함으로써 발생되는 전기영동을 이용하여 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2 전극부를 향하는 면에 상기 형광체 혼합물을 부착시키는 단계 및 상기 형광체 혼합물중 폴리머성분을 경화시켜 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 다중전하체 폴리머는 (-)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 나트륨염 형태의 폴리머이다.

본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 형광체 입자는 (-)극성을 가지며, 상기 광투과성 다중전하체 폴리머는 (+)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 염화암모늄 형태의 폴리머이다.

본 발명의 혼합 단계에서의 일 실시형태에 있어서, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 수계 용매와 함께 혼합하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 수계 용매 내에서 실시된다. 이에 더하여, 상기 형광체 혼합물의 부착단계 후에, 상기 수계 용매가 증발하여 형광체막이 형성되도록 상기 부착된 형광체 혼합물층을 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 수계 용매는 탈이온수 또는 알콜인 것이 바람직하다.

본 발명의 혼합 단계에서의 다른 실시형태에 있어서, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 광투과성 폴리머와 함께 혼합하는 단계를 포함하며, 상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 광투과성 폴리머내에서 실시된다.

본 발명에 채용되는 광투과성 다중전하체 폴리머의 조건은 상기 형광체 입자를 이동시킬 수 있을 정도의 크기 및 입경을 갖는 것이 바람직하다. 상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 크기는 상대적으로 상기 형광체 입자의 크기의 0.2 ~ 1%일 수 있으며, 상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 평균 입경은 10 ~ 50nm인 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 측면은, 상기한 형광체막 형성방법을 채용한 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 광투과성 다중전하체 폴리머가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계와, 상기 형광체 혼합물을 각각 제1 및 제2 극성에 해당하는 제1 및 제2 전극부 사이에 배치하고, 형광체막이 형성될 면이 상기 제2 전극부를 향하도록 상기 제1 전극부 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계와, 상기 제1 및 제2 전극부에 전압을 인가함으로써 발생되는 전기영동을 이용하여 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2 전극부를 향하는 면에 상기 형광체 혼합물을 부착시키는 단계와, 상기 형광체 혼합물중 폴리머성분을 경화시켜 형광체막을 형성하는 단계 및 상기 형광체 혼합물이 부착된 발광다이오드 칩 주위에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

도2는 본 발명에 따른 형광체막 형성방법을 설명하기 위한 공정흐름도이다.

본 발명에 따른 형광체막 형성방법은, 형광체와 다중전하체 폴리머를 혼합하는 공정(S11)으로 시작된다. 본 공정(S11)에서, 상기 다중전하체 폴리머의 전하는 형광체 입자표면에 흡착될 수 있도록 상기 형광체 입자의 극성과 반대되는 극성의 전하를 갖는 다중전하체 폴리머가 사용된다. 예를 들어, TAG 또는 YAG와 같은 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 이에 따라 상기 다중전하체 폴리머는 (-)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 나트륨염 형태의 폴리머일 수 있다. 이와 반대로, 본 공정(S11)에서 (-)극성의 형광체 입자를 사용할 수 있으며, 이에 따라 상기 다중전하체 폴리머는 (+)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 염화암모늄 형태의 폴 리머일 수 있다. 상기한, (-) 극성 또는 (+) 극성의 다중전하체 폴리머에 대한 상세한 설명은, 본 발명에 따른 형광체막 형성방법에 대한 설명 이후에 도3을 참조하여 설명하기로 한다.

상기한 본 공정(S11)은 복수의 상기 형광체 입자와 상기 형광체 입자의 반대 극성의 다중전하체 폴리머를 혼합하여 형광체 혼합물을 생성한다.

이후, 단계(S12)에서는 상기 형광체 혼합물을 실장영역이 마련된 기판에 배치한다. 상기 형광체 혼합물은 상기 기판의 실장영역에 실장된 발광다이오드 칩에 부착되도록 상기 형광체 입자의 극성과 동일한 극성을 갖는 제1전극부와 상기 형광체 입자의 극성과 반대의 극성을 갖는 제2전극부 사이에 배치된다. 이때, 상기 발광다이오드 칩은 형광체막을 형성할 면이 상기 제2전극부를 향하도록 상기 제1전극부의 상면에 배치된다.

이후, 단계(S13)에서는 상기 제1 및 제2전극부에 사전에 설정된 전압을 인가하여 발생되는 전기영동에 의하여 상기 형광체 혼합물을 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2전극부를 향하는 면에 부착시킨다. 상기 사전에 설정된 전압은 상기 발광다이오드 칩에 불이익을 주지 않으며, 상기 형광체 혼합물에 포함된 다중 전하가 흡착된 형광체 입자를 이동시키기에 적당한 최소한의 전압인 것이 바람직하다.

최종적으로, 단계(S14)에서는 형광체막을 형성하기 위해 상기 발광다이오드 칩에 부착된 형광체 혼합물을 경화시킨다. 상기 형광체 혼합물을 경화시키는 과정은 상기 형광체 혼합물을 생성하는 실시형태에 따라 추가적인 공정이 있을 수 있다. 상기 형광체 혼합물을 생성하는 방법은 다양한 실시형태가 있을 수 있다.

먼저, 상기 형광체 혼합물을 생성하는 일 실시형태로는, 상기 형광체 입자와 다중전하체 폴리머를 수계용매와 함께 혼합하는 것이다. 상기 수계용매로는 상기 형광체 입자 및 다중전하체 폴리머와 불이익한 화학적 반응이 없으면서도 혼합이 용이하도록 탈이온수 또는 알콜같은 용매가 사용될 수 있다. 상기 수계용매를 통한 형광체 혼합물은 상기 발광다이오드 칩에 부착된 후 상기 형광체 혼합물을 건조시키는 과정을 통한 후 형광체막을 형성하기 위해 경화된다. 상기 건조과정에서는 상기 형광체 혼합물에 포함된 수계용매가 증발된다. 이후, 수계용매가 증발된 형광체 혼합물은 상기 형광체 혼합물에 포함된 다중전하체 폴리머의 폴리머성분을 경화시키는 과정을 통하여 형광체막을 형성한다.

이와 다르게, 상기 형광체 혼합물을 생성하는 다른 실시형태로는, 상기 형광체 입자와 다중전하체 폴리머를 광투과성 폴리머와 함께 혼합하는 것이다. 상기 광투과성 폴리머는 전하를 용이하게 통하게 하는 광투과성 폴리머를 채용함으로써, 수계용매를 사용하여 혼합할 때와 달리 상기 건조과정 없이 상기 형광체 혼합물에 포함된 다중전하체 폴리머의 폴리머성분 및 상기 광투과성 폴리머의 폴리머성분을 경화시키는 과정을 통하여 형광체막을 형성한다.

본 발명에 채용되는 다중전하체 폴리머의 바람직한 조건은 상술한 입경, 크기 이외에 광학적 특성 및 열적 특성과 같은 측면에서 정의될 수 있다. 상기 다중 전하체 폴리머의 광학적 특성은 광투과성이며, 상기 다중전하체 폴리머의 열적 특성은 열적인 안정성이 충분히 보장된 물질이어야 한다. 또한, 수계용매 또는 광투과성 폴리머에 용이하게 용해될 수 있는 물질이어야 하며, 상기와 같은 조건을 만족하는 물질 중에서 본 발명은 두가지의 다중전하체 폴리머 물질을 채용한다.

도3a를 참조하면, 본 발명에 채용되는 광투과성 다중전하체 폴리머는 (+)극성을 갖는 형광체 입자에 따라, (-)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 나트륨염 형태의 폴리머이다. 도3a에 도시된 a영역은 상기 부분 나트륨염 형태의 폴리머에서 다중음이온을 나타내는 부분이다. 상기 a영역에 포함된 다중음이온은 상기 (+)극성을 갖는 형광체 입자의 표면에 흡착되어 상기 형광체 입자의 이동을 용이하게 한다.

도3b를 참조하면, 본 발명에 채용되는 광투과성 다중전하체 폴리머는 (-)극성을 갖는 형광체 입자에 따라, (+)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 염화암모늄 형태의 폴리머이다. 도3b에 도시된 b영역은 상기 염화암모늄 형태의 폴리머에서 다중양이온을 나타내는 부분이다. 상기 b영역에 포함된 다중양이온은 상기 (-)극성을 갖는 형광체 입자의 표면에 흡착되어 상기 형광체 입자의 이동을 용이하게 한다. 상기 형광체 입자의 이동은 전기영동에 의하여 이루어지는데, 이는 도4를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도4의 (a)를 참조하면, 본 발명에 따른 형광체막의 형성과정은 형광체 혼합물(45)에 사전에 설정된 전압을 인가하여 발생되는 전기영동에 따라 형광체 혼합물(45)을 발광다이오드 칩(42)에 부착하여 형성한다. 이때, 상기 형광체 혼합물에 사전에 설정된 전압을 인가하기 위하여, 상기 형광체 혼합물(45) 및 발광다이오드 칩(42)에 전원장치에 연결된 제1 및 제2전극부를 각각 설치한다. 상기 제1전극부는 상기 발광다이오드 칩(42)의 하면에 설치되며, 이때, 상기 제1전극부는 상기 발광다이오드 칩(42)으로부터 쉽게 제거될 수 있는 방법으로 설치되는 것이 바람직하다. 상기 제2전극부는 상기 발광다이오드 칩(42)의 광이 방출되는 상면에 형성된 형광체 혼합물(45)의 반대 면에 설치된다. 상기 전원장치는 상기 제1전극부에 상기 형광체 입자에 흡착된 다중전하의 극성과 반대의 극성을 갖도록 하고, 상기 제2전극부에 상기 형광체 입자에 흡착된 다중전하의 극성과 동일한 극성을 갖도록 전압을 인가한다. 상기 형광체 입자는 (+)극성을 갖는 입자를 예를 들어 도시되었으며, 이에 따라, 상기 형광체입자에 흡착된 다중전하는 (-)극성을 갖는다. 이에 따라서, 상기 전원장치는 상기 제1전극부가 (+)극성을 갖도록 하고 상기 제2전극부가 (-)극성을 갖도록 사전에 설정된 전압을 인가한다.

도4의 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 형광체 입자에 흡착된 (-)극성의 다중전하는 상기 (-)극성을 갖는 제2전극부의 척력 및 상기 (+)극성을 갖는 제1전극부의 인력에 따른 전기영동에 의해 상기 발광다이오드 칩(42)에 근접하여 이동한다. 이때, 상기 (-)극성의 다중전하는 상기 형광체 입자의 표면에 흡착되어 같이 이동한다. 상기 (-)극성의 다중전하는 상기 형광체 입자를 상기 발광다이오드 칩의 광이 방출되는 상면에 근접하여 균일하게 부착되도록 된다. 상기 발광다이오드 칩 상면에 부착된 형광체 혼합물층(45`)은 이후 경화과정을 통하여 형광체막으로 형성된다.

도5에 도시된 본 발명에 따른 파장변환형 발광다이오드 패키지(40)는 본 발명의 방법에 따라 형광체막(45``)를 구비한다. 발광다이오드 칩(42)는 패키지기판(41)의 실장영역에 탑재되며, 상기 발광다이오드 칩(42)의 광방출면상에는 상기 형광체막(45``)이 형성된다. 상기 형광체막(45``)이 형성된 후에, 에촉시 수지 또는 실리콘 폴리머 수지와 같은 물질을 이용하여 수지포장부(43)가 형성된다.

이 경우에, 상기 형광체막(45``)에 포함된 형광체 입자는 상기 형광체 입자 표면에 흡착된 다중전하에 의하여 상기 발광다이오드 칩(42)의 광방출면에 근접하여 균일하게 위치한다. 이에 따라, 상기 형광체막(45``)에 포함된 형광체 입자는 원할한 광방출경로를 제공하여 상기 발광다이오드 칩(42)으로부터의 광추출효율을 보다 향상시킬 수 있다.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 형광체와 다른 극성을 갖는 다중전하체 폴리머의 다중전하를 형광체 입자의 표면에 흡착시켜 전기영동을 통해 발광다이오드 칩의 광 추출면에 형성된 형광체막의 형광체 입자를 발광다이오드 칩에 근접하여 정렬시킴으로써 조밀한 형광체막에서 원활한 광 추출경로를 제공하여 광효율을 높일 수 있다.

Claims

제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 광투과성 다중전하체 폴리머가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계;

상기 형광체 혼합물을 각각 제1 및 제2 극성에 해당하는 제1 및 제2 전극부 사이에 배치하고, 형광체막이 형성될 면이 상기 제2 전극부를 향하도록 상기 제1 전극부 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계;

상기 제1 및 제2 전극부에 전압을 인가함으로써 발생되는 전기영동을 이용하여 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2 전극부를 향하는 면에 상기 형광체 혼합물을 부착시키는 단계; 및

상기 형광체 혼합물중 폴리머성분을 경화시켜 형광체막을 형성하는 단계를 포함하는 형광체막 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투과성 다중전하체 폴리머는 (-)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 나트륨염 형태의 폴리머인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 형광체 입자는 (-)극성을 가지며, 상기 광투과성 다중전하체 폴리머는 (+)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 염화암모늄 형태의 폴리머인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 수계 용매와 함께 혼합하는 단계를 포함하며,

상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 수계 용매 내에서 실시되는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제4항에 있어서,

상기 형광체 혼합물의 부착단계 후에, 상기 수계 용매가 증발하여 형광체막이 형성되도록 상기 부착된 형광체 혼합물층을 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제5항에 있어서,

상기 수계 용매는 탈이온수 또는 알콜인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 광투과성 폴리머와 함께 혼합하는 단계를 포함하며,

상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 광투과성 폴리머내에서 실시되는 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 크기는 상기 형광체 입자의 크기의 0.2 ~ 1%인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 평균 입경은 10 ~ 50nm인 것을 특징으로 하는 형광체막 형성방법.
제1 극성의 전하를 갖는 형광체 입자의 표면에 제2 극성의 전하를 갖는 광투과성 다중전하체 폴리머가 흡착되도록 상기 형광체와 상기 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계;

상기 형광체 혼합물을 각각 제1 및 제2 극성에 해당하는 제1 및 제2 전극부 사이에 배치하고, 형광체막이 형성될 면이 상기 제2 전극부를 향하도록 상기 제1 전극부 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계;

상기 제1 및 제2 전극부에 전압을 인가함으로써 발생되는 전기영동을 이용하여 상기 발광다이오드 칩의 상기 제2 전극부를 향하는 면에 상기 형광체 혼합물을 부착시키는 단계;

상기 형광체 혼합물중 폴리머성분을 경화시켜 형광체막을 형성하는 단계; 및

상기 형광체 혼합물이 부착된 발광다이오드 칩 주위에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 형광체 입자는 (+)극성을 가지며, 상기 광투명성 다중전하체 폴리머는 (-)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 부분 나트륨염 형태의 폴리머인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 형광체 입자는 (-)극성을 가지며, 상기 광투명성 다중전하체 폴리머는 (+)극성을 갖는 폴리아크릴아미드 계열의 염화암모늄 형태의 폴리머인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 수계 용매와 함께 혼합하는 단계를 포함하며,

상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 수계 용매 내에서 실시되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 형광체 혼합물의 부착단계 후에, 상기 수계 용매가 증발하여 형광체막 이 형성되도록 상기 부착된 형광체 혼합물층을 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제14항에 있어서,

상기 수계 용매는 탈이온수 또는 알콜인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 혼합하는 단계는, 상기 형광체 입자와 광투과성 다중전하체 폴리머를 광투과성 폴리머와 함께 혼합하는 단계를 포함하며,

상기 형광체 혼합물의 부착단계는, 상기 형광체 혼합물이 혼합된 광투과성 폴리머내에서 실시되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 크기는 상기 형광체 입자의 크기의 0.2 ~ 1%인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
제10항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 광투과성 다중전하체 폴리머의 평균 입경은 10 ~ 50nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.